JP2013207012A - 半導体装置の製造方法および露光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】断続的に露光工程を行う場合であっても、液浸露光装置の位置合わせ精度を維持する。
【解決手段】露光装置２０のステージ１００上に、基板６００を載置する（基板載置工程）。次いで、基板６００と、露光装置２０に設けられた光学系２００との間に、第１液体を供給し、当該第１液体を介して基板６００を露光する（露光工程）。少なくとも第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２液体を、第１液体と異なる位置から、ステージ１００の周辺に設けられた排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法および露光装置に関する。

近年、液浸露光装置など、様々な露光装置が提案されている。

特許文献１（特開２００６−１３４９９９号公報）には、以下のような露光装置が記載されている。露光対象物の周縁部に対応するように、保持台に溝が設けられている。洗浄液供給手段は、溝に洗浄液を供給する。これにより、保持台に設けられた溝に異物が付着または堆積することを抑制することができるとされている。

特開２００６−１３４９９９号公報

本発明者は、液浸露光装置の排水溝に残っている液体量が、露光工程の位置合わせ精度に影響を与えることを見出した。

本発明によれば、
露光装置のステージ上に基板を載置する基板載置工程と、
前記基板と、前記露光装置に設けられた光学系との間に第１液体を供給し、当該第１液体を介して前記基板を露光する露光工程と、
を備え、
少なくとも前記第１液体を前記ステージ上に供給する以外の期間において、
第２液体を、前記第１液体と異なる位置から、前記ステージの周辺に設けられた排水溝に供給して、前記露光装置の温度の変化を抑制する半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、
基板を載置するステージと、
前記基板を露光する光学系と、
前記基板と前記光学系との間に第１液体を供給する第１供給部と、
前記ステージの周辺に設けられた排水溝と、
前記第１供給部と異なる位置に設けられ、第２液体を供給して前記排水溝に流す第２供給部と、
前記基板を露光するときに前記第１供給部から前記第１液体を供給させる第１制御と、少なくとも前記第１液体を前記ステージ上に供給する以外の期間に前記第２供給部から前記第２液体を供給させて、温度の変化を抑制する第２制御と、を行う制御部と、
を備える露光装置が提供される。

本発明者は、排水溝の液体量が変化することによってステージが熱変形することを見出した。このようにステージが熱変形したとき、露光工程の位置合わせ精度が変化してしまう可能性がある。そこで、本発明者は、当該排水溝に常に液体が残っている状態を維持することにより、ステージの熱変形を抑制することを考えた。

本発明によれば、少なくとも第１液体をステージ上に供給する以外の期間において、第２液体を、第１液体と異なる位置から、ステージの周辺に設けられた排水溝に供給する。これにより、排水溝は常に液体が残っている状態とすることができる。すなわち、ステージの熱変形を抑制することができる。したがって、断続的に露光工程を行う場合であっても、露光装置の位置合わせ精度を維持することができる。

本発明によれば、断続的に露光工程を行う場合であっても、液浸露光装置の位置合わせ精度を維持することができる。

第１の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る露光装置の構成を示す平面図である。 第１の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 第２の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 第３の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 第４の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第５の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。 第５の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。 第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１〜図５を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法および露光装置２０について説明する。第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、露光装置２０のステージ１００上に、基板６００を載置する（基板載置工程）。次いで、基板６００と、露光装置２０に設けられた光学系２００との間に、第１液体を供給し、当該第１液体を介して基板６００を露光する（露光工程）。少なくとも第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２液体を、第１液体と異なる位置から、ステージ１００の周辺に設けられた排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。以下、詳細を説明する。

まず、図４を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法の概略について説明する。図４は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための断面図である。ここで、基板６００は、たとえば半導体基板である。具体的には、基板６００は、たとえばシリコン基板である。

図４のように、基板６００には、開口部（符号不図示）を有する素子分離領域６８０が形成されている。たとえば、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法により、ＳｉＯ_２からなる素子分離領域６８０が形成されている。または、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法により、素子分離領域６８０が形成されていてもよい。

基板６００のうち所定の位置に、ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０が設けられている。ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０をマスクとして、基板６００に不純物を注入することにより、エクステンション領域６４０が形成されている。ゲート絶縁層７００およびゲート電極８２０の側壁には、側壁絶縁膜７８０が形成されている。

また、ゲート電極８２０および側壁絶縁膜７８０をマスクとして、基板６００に不純物を注入することにより、ソース領域６１０およびドレイン領域６２０が形成されている。

基板６００上、ゲート電極８２０上および素子分離領域６８０上には、層間絶縁層９００が設けられている。層間絶縁層９００には、ソース領域６１０およびドレイン領域６２０と接するビア８４０が設けられている。ビア８４０上には、配線８６０が設けられている。さらに、複数の層間絶縁層９００が積層されている。これにより、多層配線層が形成されている。

以上のような構成を有する半導体装置１０のうち、何れかの構成要素をパターニングするために、フォトリソグラフィー工程を行う。具体的には、素子分離領域６８０を形成する際にＳｉＮなどのマスク層をパターニングする工程、ゲート絶縁層７００並びにゲート電極８２０をパターニングする工程、または層間絶縁層９００にビア８４０または配線８６０を形成する際にビアホールまたは排水溝を形成する工程などにおいて、フォトリソグラフィー工程を行う。当該フォトリソグラフィー工程は、後述する露光装置２０を用い、基板６００上に塗布された感光性樹脂膜（不図示）を露光する露光工程を備えている。

次に、図１〜図３を用い、第１の実施形態に係る露光装置２０について説明する。図１および図３は、第１の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す図である。図２は、第１の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す平面図である。第１の実施形態に係る露光装置２０は、基板６００を載置するステージ１００と、基板６００を露光する光学系２００と、第１供給部３２０と、排水溝１２０と、第２供給部３４０と、制御部４００と、を備えている。第１供給部３２０は、光学系２００に隣接して設けられ、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給している。排水溝１２０は、ステージ１００の周辺に設けられている。第２供給部３４０は、第１供給部３２０と異なる位置に設けられ、第２液体を供給して排水溝１２０に流している。制御部４００は、基板６００を露光するときに第１供給部３２０から第１液体を供給させる第１制御と、少なくとも第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間に第２供給部３４０から第２液体を供給させて、露光装置２０の温度の変化を抑制する第２制御と、を行う。以下、露光装置２０の構成について詳細を説明する。なお、それぞれの図は、露光装置２０を模式的に表したものである。

第１の実施形態に係る露光装置２０は、液浸露光装置である。液浸露光装置は、光学系２００と露光対象物である基板６００との間を液体で満たして基板６００を露光する。これにより、露光における解像度を液体の屈折率の比率だけ高めることができる。

図１のように、ステージ１００上には、光源２２０、コンデンサーレンズ２４０、ミラー２６０、レチクル２８０および光学系２００が設けられている。

光源２２０は、基板６００を露光するための光を出射する。光源２２０は、たとえばＡｒＦエキシマレーザ光である。その場合、露光光の波長は１９３ｎｍである。または、光源２２０は、たとえばＫｒＦエキシマレーザ光であってもよい。その場合、露光光の波長は２４８ｎｍである。光源２２０は、たとえば水平方向に光を出射する。

光源２２０のうち光の出射側には、コンデンサーレンズ２４０が設けられている。コンデンサーレンズ２４０は、光源２２０から出射された光を収束させる。なお、光源２２０とコンデンサーレンズ２４０との間に、絞り（不図示）が設けられていてもよい。

コンデンサーレンズ２４０のうち光源２２０と反対側には、ミラー２６０が設けられている。ミラー２６０は、コンデンサーレンズ２４０からの光を、レチクル２８０側に向けて反射させる。

ミラー２６０の反射側には、レチクル２８０が設けられている。レチクル２８０は、レチクル移動機構２８２上に載置されている。レチクル移動機構２８２は、レチクル２８０の位置を調整する。レチクル移動機構２８２は、レチクル２８０の位置を検出する位置検出手段（不図示）をさらに備えている。位置検出手段は、たとえば、レーザー干渉計である。また、レチクル２８０の表面は、たとえば光源２２０の光の出射方向に対して垂直に配置されている。レチクル移動機構２８２は、レチクル２８０の位置を示す信号を制御部４００に送信する。

レチクル２８０の表面には、露光パターン（不図示）が設けられている。当該露光パターンには、上記したフォトリソグラフィー工程のいずれかのパターンが形成されている。このレチクル２８０は、たとえばプロセスノードが１０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である露光工程に用いられる。半導体装置１０がロジック系回路を有している場合、露光パターンのハーフピッチは、たとえば４０ｎｍ以上９０ｎｍ以下である。または、半導体装置１０がメモリ系回路を有している場合、露光パターンのハーフピッチは、たとえば１０ｎｍ以上２８ｎｍ以下である。ここでいう「ハーフピッチ」とは、ゲート電極８２０の線幅の中心から、そのゲート電極８２０に隣接するゲート電極８２０の中心までの距離のことをいう。このような微細パターンを露光するための露光工程は、高い位置合わせ精度が要求される。したがって、このような微細パターンを露光する場合、本実施形態は特に有効である。

レチクル２８０の鉛直下には、光学系２００が設けられている。光学系２００は、鏡筒（符号不図示）、複数のレンズ（不図示）等を備えている。光学系２００は、レチクル２８０を通った露光光を縮小させて、基板６００に投影する。

光学系２００の近くには基板計測部２９０が設けられている。基板計測部２９０は、配線（符号不図示）を介して制御部４００に接続している。基板計測部２９０は、ステージ１００上に載置された基板６００への露光が行われる前に、基板６００の位置及び形状を計測する。

第１供給部３２０は、第１供給配管３２２を備えている。第１供給部３２０は、第１供給配管３２２を介して、光学系２００の端部に接続している。第１供給部３２０は、第１供給配管３２２を介して、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給する。

ここで、「第１液体」とは、空気よりも屈折率が大きく、露光光の波長における透過率が高い液体であることが好ましい。具体的には、「第１液体」は、たとえば水である。言い換えれば、第１液体は、いわゆる超純水である。第１液体が超純水である場合、第１液体の屈折率は、１．４３６である。これにより、第１液体を介した露光における開口数は、空気中での露光における開口数よりも大きくなる。

たとえば、光学系２００の端部のうち、第１供給配管３２２の反対側には、第１排水配管３２４が接続されている。第１排水配管３２４は、第１供給部３２０から供給された第１液体の一部または全部を排水する。なお、第１排水配管３２４は、排水機構（不図示）に接続していてもよい。当該排水機構は、第１排水配管３２４内の流速を調整する。これにより、基板６００上に第１液体を残すことなく、露光工程を行うことも可能である。また、たとえば、全ての第１液体は、排水溝１２０に排出されていてもよい。また、第１排水配管３２４は、たとえば、後述する排水溝１２０に接続されていていてもよい。

ステージ移動機構１６０上には、ステージ１００が設けられている。ステージ１００上には、感光性樹脂膜（不図示）が塗布された基板６００が載置されている。ステージ移動機構１６０は、ステージ１００を、Ｘ、ＹおよびＺ方向に移動させることができる。ステージ移動機構１６０のうち、ＸおよびＹ方向の移動機構（不図示）は、たとえばモーターである。これにより、ステージ１００をＸＹ方向に移動させることにより、光学系２００のショット領域を移動させていくことができる。また、ステージ移動機構１６０のうち、Ｚ方向の移動機構（不図示）は、たとえばピエゾ素子である。これにより、基板６００と光学系２００との焦点が合うように調整することができる。ステージ移動機構１６０は、ステージ１００上のＸＹＺ位置を検出する位置検出手段（不図示）をさらに備えている。位置検出手段は、たとえば、レーザー干渉計である。この場合、ステージ移動機構１６０は、たとえばステージ１００のＸＹＺ位置を示す信号を制御部４００に送信する。

図３のように、ステージ１００には、基板６００を固定するための吸着口（符号不図示）が設けられている。吸着口は、吸着配管（符号不図示）を介して、基板吸着部３８０に接続している。基板吸着部３８０は、基板６００の裏面側を陰圧にすることにより、基板６００をステージ１００に固定する。

また、図３のように、ステージ１００の周辺には、排水溝１２０が設けられている。ここでいう「排水溝１２０」とは、露光用の第１液体および後述する第２液体を排出するための溝のことである。排水溝１２０は、ステージ１００の一部として形成されている。言い換えれば、排水溝１２０の液体が気化するとき、ステージ１００のうち排水溝１２０側の温度が低下する。このため、ステージ１００のうち排水溝１２０側から熱変形が起きる可能性がある。また、排水溝１２０が乾いた状態におけるステージ１００の温度は、露光工程中のように排水溝１２０に液体が残っている状態におけるステージ１００の温度と異なってしまう。そこで、以下のように、第２供給部３４０から第２液体を排水溝１２０に供給することにより、排水溝１２０に液体が残っている状態を維持する。

第２供給部３４０は、第１供給部３２０と異なる位置に設けられている。第２供給部３４０は、第２供給配管３４２を備えている。第２供給部３４０は、第２供給配管３４２を介して、排水溝１２０に接続している。また、第２供給部３４０は、第２液体を供給して排水溝１２０に流す。ここで、少なくとも第１供給部３２０が第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２供給部３４０は、第２液体を排水溝１２０に供給する。これにより、露光装置２０の温度を調節する。半導体装置１０の製造工程における第２液体の調整方法については、詳細を後述する。

ここでいう「第２液体」とは、少なくとも露光工程の前に気化熱等の特性が把握され、露光工程中に当該特性が変化しない液体のことである。具体的には、「第２液体」は、たとえば、第１液体と同一の気化熱を有する。言い換えれば、「第２液体」は、第１液体と同一の比熱を有する。さらに言えば、「第２液体」は、第１液体と同一である。具体的には、「第２液体」は、第１液体と同じように、いわゆる超純水である。「第２液体」は第１液体と同一の気化熱を有することにより、後述する第２制御によって、露光装置２０の温度の変化を抑制することができる。なお、第２液体が第１液体と異なる場合は、第２液体の熱的特性に基づいて、制御部４００が後述する第２制御を行えばよい。

また、排水機構３６０は、排水配管３６２を介して、排水溝１２０に接続している。排水機構３６０は、排水溝１２０内の液体を外部に排出する。また、排水機構３６０は、たとえば、排水溝１２０から排出される排出量を計測するフローメータ（不図示）を備えていてもよい。この場合、排水機構３６０は、当該フローメータが計測した排水量を示す信号を制御部４００に送信する。

再度、図１に戻って説明する。露光装置２０は、制御部４００を備えている。制御部４００は、配線（符号不図示）を介して、レチクル移動機構２８２、基板計測部２９０、ステージ移動機構１６０、第１供給部３２０および第２供給部３４０に接続している。

制御部４００は、レチクル移動機構２８２から送信されたレチクル２８０の位置を示す信号と、ステージ移動機構１６０から送信されたステージ１００のＸＹＺ位置を示す信号と、基板計測部２９０から送信された基板６００の計測結果を受信する。制御部４００は、これらの信号に基づいて、それぞれの位置を調整するための位置制御信号をレチクル移動機構２８２およびステージ移動機構１６０に送信する。レチクル移動機構２８２は、当該制御部４００から送信された位置制御信号に基づいて、レチクル２８０の位置を調整する。ステージ移動機構１６０は、当該位置制御信号に基づいて、ステージ１００の位置を移動させ、基板６００の位置を調整する。

制御部４００は、基板６００を露光するときに第１供給部３２０から第１液体を供給させる（第１制御）。具体的には、制御部４００は、基板６００を露光するとき、第１供給部３２０に対して第１制御を行うための第１制御信号を送信する。制御部４００は、基板計測工程においても、第１制御信号を送信してもよい。第１供給部３２０は、当該第１制御信号を受信したとき、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給する。

また、制御部４００は、少なくとも第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間に、第２供給部３４０から第２液体を供給させて、露光装置２０の温度の変化を抑制する（第２制御）。具体的には、制御部４００は、当該期間において、第２供給部３４０に対して第２制御を行うための第２制御信号を送信する。第２供給部３４０は、当該第２信号を受信したとき、第２液体を供給して排水溝１２０に流す。

制御部４００は、記憶部（不図示）を備えていてもよい。たとえば、記憶部は、第１供給部３２０が供給する第１液体量、排水溝１２０の容積、または後述する立ち上げ工程に必要な時間等を記憶していていてもよい。

以上の露光装置２０の各構成部材は、それぞれ同一の温度となるように制御されていてもよい。さらには、基板６００がステージ１００上に載置される前に、露光装置２０と同一の温度となるように調整されていてもよい。具体的には、露光装置２０内にヒーター（不図示）が設けられている。このヒーターによって、たとえば、露光装置２０は、クリーンルームの大気温度と同一の温度となるように制御されている。

次に、図２を用い、排水溝１２０近傍の平面視での構成について詳細を説明する。図２は、第１の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す平面図である。それぞれの図は、排水溝１２０近傍の構成を模式的に表したものであり、その他の構成は省略している。

図２のように、ステージ１００のうち基板６００を載置する領域を囲むように、排水溝１２０が設けられている。排水溝１２０は、たとえば、円形である。

第２供給部３４０は、たとえば第２液体の供給を調整するバルブ３４４をさらに備えている。第２供給部３４０は、バルブ３４４を介して、第２供給配管３４２に接続している。

第２供給配管３４２は、たとえば、平面視で排水溝１２０に等間隔で接続されている。第２供給部３４０は、第２供給配管３４２を介して、第２液体を供給する。第２供給配管３４２は、たとえば４方向に分離されている。ここでは、４つの第２供給配管３４２のうち２つの第２供給配管３４２は、平面視でステージ１００のうち基板６００を載置する領域を挟んで互いに対向する位置に接続している。このように、第２供給配管３４２が平面視で排水溝１２０に等間隔で配置されていることにより、平面視で均等にステージ１００の温度の変化を抑制することができる。

次に、図５を用い、半導体装置１０の製造工程における排水溝１２０内の液体量について説明する。図５は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。

図５のように、まず、搬送ロボット（不図示）は、感光性樹脂膜（不図示）が塗布された基板６００を露光装置２０のステージ１００上に載置する（基板載置工程）。たとえば当該期間において、制御部４００は、上述した第２制御を行うための信号を第２供給部３４０に送信する。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体を排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。

次いで、基板載置工程の後で、露光工程の前に、基板６００の位置及び形状を計測する（基板計測工程）。第１の実施形態では、この基板計測工程において、光学系２００がステージ１００上に位置している。したがって、基板計測工程から、第１供給部３２０は、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給し始める。

このとき、制御部４００は、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を一定量に維持する。これにより、排水溝１２０が乾いた状態となることがない。すなわち、ステージ１００の温度の変化を抑制することができる。さらに、排水溝１２０内の液体も含めたステージ１００全体の熱容量を一定に維持することができる。したがって、ステージ１００の熱変形量を一定に保つことができる。

排水溝１２０の総液体量を一定量に維持する方法としては、二つ挙げられる。

第１の方法としては、事前に排水溝１２０に流入する第１液体量を把握しておく方法が挙げられる。具体的には、制御部４００の記憶部に第１液体量を保存しておく。

ここで、第１供給部３２０が供給する第１液体の第１液体量は、光学系２００と基板６００との間を満たすことが出来る量である。このため、当該第１液体量は、光学系２００の大きさで一定量に見積もることができる。したがって、事前に第１液体量を把握しておくことにより、以下のようにして排水溝１２０の総液体量を一定量に維持することができる。

第１供給部３２０が第１液体を供給し始めたとき、制御部４００は、第１液体量の分だけ第２液体量を減らすための信号を第２供給部３４０に送信する。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体量を減少させる。このようにして、排水溝１２０の総液体量を一定量に維持することができる。第１供給部３２０が第１液体の供給を停止したときは、この逆を行えばよい。

第２の方法としては、排水溝１２０から排出される排出量を測定する方法が挙げられる。具体的には、排水機構３６０は、排水溝１２０から排出される排出量を計測するフローメータを備えている。

ここで、排水溝１２０から排出される液体の排出量は一定である、または一定に制御できる。このため、排水溝１２０の容積を事前に把握しておくことにより、排水溝１２０からの排出量に基づいて、排水溝１２０内に残っている総液体量を算出することが可能である。たとえば、以下のようにして排水溝１２０の総液体量を一定量に維持することができる。

フローメータは、露光工程以外の期間においても、常に排出量を計測している。排水機構３６０は、当該フローメータが計測した排水量を示す信号を制御部４００に送信する。第１供給部３２０が第１液体を供給し始めたとき、排水量が増加する。制御部４００は、当該排水量の増加分だけ第２液体量を減らすための信号を第２供給部３４０に送信する。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体量を減少させる。このようにして、排水溝１２０の総液体量を一定量に維持することができる。第１供給部３２０が第１液体の供給を停止したときは、この逆を行えばよい。

次いで、基板計測工程の後に、露光工程を行う。当該露光工程において、第１供給部３２０は、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給する。当該第１液体を介して、基板６００を露光する。露光工程において、ステージ１００を走査することにより、順次、基板６００上のショット領域を移動していく。基板６００全体を露光したとき、露光工程を終了する。

露光工程の後、ステージ１００から基板６００を搬出する（基板搬出工程）。このとき、第１供給部３２０は、第１液体の供給を停止する。これに伴って、制御部４００は、第１液体量の減少分だけ第２液体量を増やすための信号を第２供給部３４０に送信する。これにより、制御部４００は、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を一定量に維持する。

基板搬出工程の後、次の基板が搬入されてくるまで一定の時間待機する。次の基板が搬入されたとき、再度、基板載置工程以降を行っていく。

以上の工程を一定の周期で行っていく。その際に、少なくとも第１供給部３２０が第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２供給部３４０は、第２液体を、排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。第１の実施形態では、制御部４００は、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を一定量に維持する。

次に、第１の実施形態の効果について説明する。

近年、半導体装置１０の微細化に伴い、露光工程に用いられる露光装置２０には、高い位置精度が求められている。具体的には、位置合わせ精度は、数ｎｍ以内であることが望ましいとされている。そのため、露光装置２０における微小な熱変形が生じた場合であっても、半導体装置１０のパターン不良を生じさせてしまう可能性がある。

ここで、第２供給部３４０を有しない露光装置２０の第１の比較例について考える。この比較例の場合では、露光工程において、液浸露光を行うときだけに第１液体が基板６００と光学系２００との間に供給される。露光工程の後、第１液体の供給は停止する。

このとき、ステージ１００における第１液体は、徐々に気化していく。第１液体は、常に面内均一に気化するとは限らない。また、第１液体は、一定の速度で気化するとは限らない。したがって、時間的および空間的において、第１液体の気化量は一定ではない。このように、ステージ１００の温度が変化したとき、ステージ１００は熱変形する。ステージ１００の熱変形は、露光装置２０の位置合わせ精度に影響する。

たとえば、排水溝１２０に残った第１液体が気化するとき、ステージ１００のうち排水溝１２０側の温度が低下する。このため、ステージ１００のうち排水溝１２０側から、ステージ１００の熱変形が起きる。したがって、ステージ１００の面内において位置合わせ精度が変化してしまう可能性がある。

また、次の基板６００が搬入されるまでの間に、排水溝１２０は乾いた状態となることも考えられる。排水溝１２０が乾いた状態におけるステージ１００の温度は、露光工程中のように排水溝１２０に第１液体が残っている状態におけるステージ１００の温度と異なってしまう。この場合、再度、露光工程を開始するまでの間に第１液体を供給しても、ステージ１００の温度が前の露光工程と同じ温度になっているとは限らない。したがって、半導体装置１０の製造工程中の各々のタイミングによって、位置合わせ精度が変化してしまう可能性がある。

以上のように、露光工程の毎に、露光装置２０の位置合わせ精度が変化してしまう可能性がある。

第２の比較例として、第２供給部３４０を有しない露光装置２０において、ダミー基板に対して露光工程を行う場合について考える。露光工程が周期的に行われない場合、上記のように第１液体の気化が生じ、露光装置２０の位置合わせ精度が変化してしまう可能性がある。そこで、ダミー基板に対して露光工程を行うという方法も考えられる。この場合、仮の露光工程を行うことにより、排水溝１２０に第１液体を流すことができる。これにより、次の基板６００に対する露光工程では、露光装置２０の温度は定常状態になっている。このようにして位置合わせ精度を復帰させることができる。しかし、当該ダミー基板に係る時間によって、露光装置２０のスループットが低下してしまう可能性がある。

第３の比較例として、特許文献１に記載の技術では、洗浄液供給手段が排水溝１２０に洗浄液を供給することが開示されている。洗浄液は、溝に付着した異物を除去するための液体である。しかし、その洗浄液によって排水溝１２０が常に満たされているわけではない。時間的に不規則な洗浄工程を行った場合、ステージ１００の温度がバラついてしまう可能性がある。

これに対して、第１の実施形態によれば、少なくとも第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２液体を、第１液体と異なる位置から、ステージ１００の周辺に設けられた排水溝１２０に供給する。これにより、排水溝１２０は常に液体が残っている状態とすることができる。第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間においても、ステージ１００の温度を露光工程と同じ温度とすることができる。すなわち、ステージの熱変形を抑制することができる。

また、第１の実施形態によれば、第２液体を排水溝１２０に供給している間、露光装置２０の温度を維持することができる。したがって、たとえば、露光工程が周期的に行われない場合、すなわち断続的に露光工程を行う場合であっても、露光装置２０のスループットを低下させることがない。

以上のように、第１の実施形態によれば、断続的に露光工程を行う場合であっても、露光装置の位置合わせ精度を維持することができる。

なお、第１の実施形態では、必ずしも露光装置２０の温度またはステージ１００の温度を検出している必要は無い。排水溝１２０は常に液体が残っている状態とすることができれば、ステージ１００の温度を維持することができる。たとえば、第１の実施形態のように、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を一定量に維持する方法などを適用すればよい。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す図である。第２の実施形態は、排水溝１２０の総液体量を制御する方法を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図６のように、露光装置２０は、たとえば液位センサー５２０を備えている。液位センサー５２０は、たとえば、排水溝１２０が満水となる位置に設けられている。液位センサー５２０は、配線（符号不図示）を介して、制御部４００に接続している。液位センサー５２０は、液体にふれたとき、当該液位センサー５２０の位置まで液面が到達したことを示す信号を制御部４００に送信する。

次に、図７を用い、第２の実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。図７は、第２の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。

図７のように、まず基板載置工程を行う。このとき、第２供給部３４０は、第２液体を排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。第２の実施形態では、たとえば、第１供給部３２０が第１液体をステージ１００上に供給する以外の期間において、第２供給部３４０は、たとえば一定量の第２液体を供給する。この第２液体の供給量は、排水溝１２０の容積未満である。また、当該供給量は、予め制御部４００の記憶部に保存されている。

次いで、基板載置工程の後で、露光工程の前に、基板６００の位置及び形状を計測する（基板計測工程）。基板計測工程から、第１供給部３２０は、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給し始める。

このとき、制御部４００は、排水溝１２０に残っている液体が排水溝１２０から溢れないように維持する。これにより、排水溝１２０が乾いた状態となることがない。すなわち、ステージ１００の温度の変化を抑制することができる。さらに、排水溝１２０内の液体も含めたステージ１００全体の熱容量を一定の範囲に維持することができる。したがって、ステージ１００の熱変形量を一定の範囲に保つことができる。

制御部４００は、たとえば以下のようにして、排水溝１２０に残っている液体が排水溝１２０から溢れないように維持する。

第１供給部３２０が第１液体を供給し始めたとき、排水溝１２０の総液体量は増加し始める。次いで、排水溝１２０内の液面は上昇し、液位センサー５２０に接する。このとき、液位センサー５２０は、当該液位センサー５２０の位置まで液面が到達したことを示す信号を制御部４００に送信する。制御部４００は、液位センサー５２０からの信号を受信したとき、第２液体量を減らすための信号を第２供給部３４０に送信する。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体量を減少させる。これにより、総液体量は、排水溝１２０の容積を超えることがない。すなわち、液体が排水溝１２０から溢れることがない。

さらに、排水溝１２０内の液面は上昇するとき、液位センサー５２０は、上記した信号を制御部４００に送信し続ける。この間、制御部４００は、第２液体量を減らすための信号を第２供給部３４０に送信しつづける。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体量を減少させ続ける。このようにして、排水溝１２０に残っている液体が排水溝１２０から溢れないように維持することができる。第１供給部３２０が第１液体の供給を停止したときは、この逆を行えばよい。

次いで、基板計測工程の後に、露光工程を行う。以降の工程は、第１の実施形態と同様である。

第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２の実施形態によれば、排水溝１２０に残っている液体が排水溝１２０から溢れないように維持する。これにより、排水溝１２０が溢れることがない。すなわち、ステージ１００の温度の変化を抑制することができる。さらに、排水溝１２０内の液体も含めたステージ１００全体の熱容量を一定の範囲に維持することができる。したがって、ステージ１００の熱変形量を一定の範囲に保つことができる。

また、第２液体が第１液体と異なる場合など、第２液体が基板６００に触れることによってパターン不良が起こる可能性がある。したがって、排水溝１２０に残っている液体が排水溝１２０から溢れないように維持することにより、ステージ１００上に載置された基板６００が第２液体と触れることを防止することができる。

なお、第２の実施形態では、基板載置工程において、第２供給部３４０が一定量の第２液体を供給する場合について説明した。または、第２供給部３４０は、第２液体を任意の量で供給してもよい。この場合、制御部４００は、液位センサー５２０の信号に基づいて、第２液体の供給量を制御する。

（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す図である。第３の実施形態は、露光装置２０が排水溝１２０の近傍に設けられた温度センサー５４０をさらに備えている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図８のように、排水溝１２０の近傍には、温度を計測する温度センサー５４０が設けられている。ここでは、たとえば、二つの温度センサー５４０が設けられている。一方の温度センサー５４０は、たとえば、ステージ１００側の内部に埋め込まれている。これにより、ステージ１００の温度を計測することができる。他方の温度センサー５４０は、たとえば、排水溝１２０の内部に設けられている。これにより、排水溝１２０に残った液体の温度を計測することができる。

温度センサー５４０は、配線（符号不図示）を介して、制御部４００に接続されている。温度センサー５４０は、計測した温度を示す信号を制御部４００に送信する。ここでいう「計測した温度」とは、ステージ１００の温度、または排水溝１２０内の液体の温度である。

また、ステージ１００内には、温度調整部５６０が設けられている。この温度調整部５６０は、たとえばステージ１００の温度を調整する。温度調整部５６０は、たとえばステージ１００内に平面視で螺旋状に設けられたヒーターである。温度調整部５６０は、露光装置２０内のその他の部分に設けられていてもよい。制御部４００は、配線（符号不図示）を介して、温度調整部５６０に接続している。

次に、図９を用い、第３の実施形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。図９は、第３の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。

第３の実施形態において、第１供給部３２０および第２供給部３４０から最大量で第１液体および第２液体を供給しても、第１液体および第２液体の総液体量は、排水溝１２０の容積を超えることがないと仮定する。

図９のように、まず基板載置工程を行う。このとき、第２供給部３４０は、第２液体を排水溝１２０に供給する。温度センサー５４０は、計測した温度を示す信号を制御部４００に送信する。

制御部４００は、温度センサー５４０が計測する温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を調整する。言い換えれば、このとき、制御部４００は、第２供給部３４０から供給する第２液体量を調整する。このように、直接、温度をモニターしながら、第２液体量を調整する。これにより、露光装置２０の温度の変化を抑制する。したがって、ステージ１００が熱変形を起こすことがない。なお、第２液体量は、必ずしも一定でなくてもよい。

次いで、基板載置工程の後で、露光工程の前に、基板６００の位置及び形状を計測する（基板計測工程）。基板計測工程から、第１供給部３２０は、基板６００と光学系２００との間に第１液体を供給し始める。

第１供給部３２０が第１液体を供給し始めたとき、排水溝１２０の総液体量は増加し始める。このとき、ステージ１００の温度または排水溝１２０の温度が微弱に変化する。温度センサー５４０は、変化した温度を示す信号を制御部４００に送信する。先と同様にして、制御部４００は、温度センサー５４０が計測する温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を調整する。具体的には、制御部４００は、第２液体量を減らすための信号を第２供給部３４０に送信する。第２供給部３４０は、当該信号に基づいて、第２液体量を減少させる。このようにして、露光装置２０の温度の変化を抑制する。第１供給部３２０が第１液体の供給を停止したときは、この逆を行えばよい。

次いで、基板計測工程の後に、露光工程を行う。以降の工程は、第１の実施形態と同様である。

なお、一連の工程において、排水溝１２０に残っている総液体量を調整するだけでは、温度を制御できない場合も考えられる。この場合、制御部４００は、たとえば温度センサー５４０が計測する温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、温度調整部５６０により温度を調整してもよい。これにより、露光装置２０の温度の変化を確実に抑制することができる。

第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第３の実施形態によれば、排水溝１２０の近傍には、温度センサー５４０が設けられている。また、制御部４００は、温度センサー５４０が計測する温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、排水溝１２０に残っている第１液体および第２液体の総液体量を調整する。このように、直接、温度をモニターしながら、第２液体量を調整する。したがって、ステージ１００の熱変形を確実に抑制することができる。

（第４の実施形態）
図１０は、第４の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す平面図である。第４の実施形態は、第２供給配管が複数設けられている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図１０のように、大流量の第２供給配管３４２と、小流量の第２供給配管３４６とが設けられている。大流量の第２供給配管３４２の径は、たとえば、小流量の第２供給配管３４６よりも大きい。また、第２供給配管３４２および第２供給配管３４６は、それぞれバルブ３４４およびバルブ３４８を有している。ここでは、第２供給配管３４２および第２供給配管３４６は、同一の第２供給部３４０に接続している。

大流量の第２供給配管３４２に設けられたバルブ３４４を開けることにより、排水溝１２０に大量の第２液体を流すことができる。一方で、小流量の第２供給配管３４６に設けられたバルブ３４８を開けることにより、排水溝１２０に少量の第２液体を流すことができる。

第２供給配管３４２および第２供給配管３４６は、たとえば、平面視で排水溝１２０に互いに交互に等間隔で接続されている。これにより、平面視で均等にステージ１００の温度の変化を抑制することができる。

第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第４の実施形態によれば、第２供給配管が複数設けられていてもよい。これにより、ステージ１００の温度に応じて、第２液体の流量を調整することができる。

（第５の実施形態）
図１１は、第５の実施形態に係る露光装置２０の構成を示す図である。第５の実施形態は、ステージが複数設けられている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図１１のように、第５の実施形態では、ステージが光学系２００よりも多く設けられている。具体的には、一つの光学系２００に対して、第１のステージ１０１および第２のステージ１０２が設けられている。なお、ステージはさらに複数設けられていてもよい。

第１のステージ１０１および第２のステージ１０２は、それぞれ同一の構成を備えている。たとえば、第１のステージ１０１および第２のステージ１０２には、それぞれ独立して第２供給部３４０が設けられている。

制御部４００は、ステージ移動機構１６０により、第１のステージ１０１および第２のステージ１０２を移動させる。二つの第１のステージ１０１および第２のステージ１０２は互いに交互に入れ替わることにより、光学系２００の下に移動することができる。これにより、それぞれのステージ上に載置した基板６００を交互に露光することができる。

ここで、現在、第１のステージ１０１は、光学系２００の下に位置している。一方、第２のステージ１０２は、光学系の下に位置していない。

光学系２００の下に位置していない第２のステージ１０２上には、基板計測部２９０が設けられている。基板計測部２９０は、配線（符号不図示）を介して、制御部４００に接続している。基板計測部２９０は、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光が行われている間、第２のステージ１０２上に載置された基板６００に対して位置及び形状を計測する。これにより、露光装置２０のスループットを向上させることができる。

次に、図１２を用い、第５の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。図１２は、第５の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。図１２（ａ）は、第１のステージ１０１における排水溝１２０内の液体量を示している。一方、図１２（ｂ）は、第２のステージ１０２における排水溝１２０内の液体量を示している。

図１２のように、第１のステージ１０１では、まず基板載置工程を行う。このとき、第２のステージ１０２は、基板６００が搬入されてくるのを待っている状態である。この間、それぞれのステージにおける第２供給部３４０は、第２液体を排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。

次いで、基板載置工程の後で露光工程の前において、制御部４００は、第１のステージ１０１を基板計測部２９０の下に移動させる。ここで、基板計測部２９０は、第１のステージ１０１上に載置された基板６００の位置及び形状を計測する（基板計測工程）。第５の実施形態における基板計測工程では、光学系２００は第１のステージ１０１上に位置していない。このため、当該基板計測工程において、第１のステージ１０１上に第１液体は供給されていない。一方で、第２のステージ１０２では、露光工程を行う。

次いで、制御部４００は、第１のステージ１０１を光学系２００の下に移動させる。一方、第２のステージ１０２を基板計測部２９０の下に移動させる。次いで、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行う。このとき、第１のステージ１０１では、第１供給部３２０は第１液体を供給し始める。一方で、第２のステージ１０２では基板載置工程を行う。次いで、第２のステージ１０２上に載置された基板６００に対して計測工程を行う。

ここで、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間に、第２のステージ１０２の排水溝１２０に第２液体を供給する。ステージが３つ以上の場合は、第１のステージ１０１と異なる他のステージ全てに対して当該工程を行う。これにより、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間において、第１液体が供給されていない第２のステージ１０２が熱変形を起こすことを抑制することができる。

また、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間に、第２のステージ１０２（他のステージの少なくとも一つ）の排水溝１２０に第２液体を供給するとともに、当該第２のステージ１０２（他のステージの少なくとも一つ）に載置された基板６００に対して基板計測工程を行う。第２のステージ１０２は、排水溝１２０に第２液体が供給され、位置合わせ精度が維持されている。これにより、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間に、第２のステージ１０２の位置合わせ精度が維持された状態で、当該第２のステージ１０２に載置された基板６００に対して基板計測工程を行うことができる。したがって、露光装置２０の位置合わせ精度を維持するとともに、スループットを向上させることができる。

次いで、制御部４００は、第２のステージ１０２を光学系２００の下に移動させる。次いで、第１のステージ１０１から基板を搬出する（基板搬出工程）。一方、第２のステージ１０２上に載置された基板６００に対して露光工程を行う。

以上の工程を、第１のステージ１０１および第２のステージ１０２に対して交互に繰り返し行っていく。第１のステージ１０１および第２のステージ１０２において、少なくとも第１液体をそれぞれのステージ上に供給する以外の期間において、第２液体をそれぞれの排水溝１２０に供給して、露光装置２０の温度の変化を抑制する。

第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第５の実施形態によれば、ステージが光学系２００よりも多く設けられている。第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間に、他のステージの排水溝１２０に第２液体を供給する。これにより、第１のステージ１０１上に載置された基板６００に対して露光工程を行っている期間においても、第１液体が供給されていない他のステージの位置合わせ精度を維持することができる。

（第６の実施形態）
図１３は、第６の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための図である。第６の実施形態は、装置停止後に露光装置２０の温度を定常状態にする立ち上げ工程を行う点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

露光装置２０は、複数の基板６００に対して間欠的に連続して処理を行うとは限らない。たとえば、２５枚の基板６００が準備されたカセット（不図示）を露光装置２０にセットすることにより、当該カセット内の基板６００を連続して処理する。例えば、次のカセットがセットされない間、露光装置２０は一時停止する。このとき、露光装置２０は、いわゆるアイドル状態となる。ここでいう「アイドル状態」とは、露光装置２０が基板６００を処理することなく停止しており、基板６００が搬送されてくるのを待っている状態のことをいう。また、ここでいう「露光装置２０が停止した状態」とは、少なくとも第１液体または第２液体が供給されていない状態のことをいう。

図１３を用い、露光装置２０を停止した後の立ち上げ工程について具体的に説明する。

図１３のように、基板載置工程から基板搬出工程まで、第１の実施形態と同様に行う。ここで、基板搬出工程後、一定の期間、基板６００が搬送されてこない状態となったと仮定する。すなわち、上記した「露光装置２０が停止した状態」となる。その一定期間経過後、次に処理する基板６００が搬送されてきたとき、露光装置２０を再起動させる。

ここで、露光装置２０を停止した後で再起動させるときに排水溝１２０に第２液体を供給することにより、露光装置２０の温度を定常状態にする（立ち上げ工程）。当該立ち上げ工程を開始してから露光工程を再開するまでの時間は、連続して露光工程を行うときに基板６００を露光装置２０に搬入してから露光工程を開始するまでの時間よりも長い。言い換えれば、露光装置２０を停止した後で再起動させるときは、次の基板６００の処理を開始する前に、立ち上げ工程の時間を追加する。

ここでいう露光装置２０の温度における「定常状態」とは、複数の基板６００に対して間欠的に連続して処理を行っているときの露光装置２０の温度状態のことをいう。

当該立ち上げ工程の時間は、少なくとも一つの基板６００に対して基板載置工程から露光工程を終了するまでの時間よりも短い。言い換えれば、立ち上げ工程の時間は、ダミー基板を処理するために必要な時間よりも短い。

立ち上げ工程において、たとえば温度センサーにより露光装置２０の温度を計測する。露光装置２０の温度を定常状態となったとき、立ち上げ工程を終了する。次いで、基板載置工程を行う。これにより、露光装置２０の位置合わせ精度が復帰した状態で露光工程を再開することができる。

または、立ち上げ工程に必要な時間をあらかじめ設定しておいてもよい。この場合、事前に、排水溝１２０に第２液体を供給して、露光装置２０の温度が定常状態になるための時間を計測しておく。当該時間を、制御部４００の記憶部に保存する。この場合でも、露光装置２０の位置合わせ精度が復帰した状態で露光工程を再開することができる。

第６の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第６の実施形態によれば、露光装置２０を停止した後で再起動させるときに立ち上げ工程を行う。具体的には、排水溝１２０に第２液体を供給することにより、露光装置２０の温度を定常状態にする。これにより、露光装置２０が停止した後であっても、露光装置２０の位置合わせ精度が復帰した状態で露光工程を再開することができる。

以上の実施形態において、排水溝１２０に第２液体を供給して露光装置２０の温度の変化を抑制するために、複数の実施形態を説明した。しかし、これらの実施形態は、重複して適用することも可能である。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 半導体装置
２０ 露光装置
１００ ステージ
１０１ 第１のステージ
１０２ 第２のステージ
１２０ 排水溝
１６０ ステージ移動機構
２００ 光学系
２２０ 光源
２４０ コンデンサーレンズ
２６０ ミラー
２８０ レチクル
２８２ レチクル移動機構
２９０ 基板計測部
３２０ 第１供給部
３２２ 第１供給配管
３２４ 第１排水配管
３４０ 第２供給部
３４２ 第２供給配管
３４４ バルブ
３４６ 第２供給配管
３４８ バルブ
３６０ 排水機構
３６２ 排水配管
３８０ 基板吸着部
４００ 制御部
５２０ 液位センサー
５４０ 温度センサー
５６０ 温度調整部
６００ 基板
６１０ ソース領域
６２０ ドレイン領域
６４０ エクステンション領域
６８０ 素子分離領域
７００ ゲート絶縁層
７８０ 側壁絶縁膜
８２０ ゲート電極
８４０ ビア
８６０ 配線
９００ 層間絶縁層

Claims (13)

1. 露光装置のステージ上に基板を載置する基板載置工程と、
   前記基板と、前記露光装置に設けられた光学系との間に第１液体を供給し、当該第１液体を介して前記基板を露光する露光工程と、
   を備え、
   少なくとも前記第１液体を前記ステージ上に供給する以外の期間において、
   第２液体を、前記第１液体と異なる位置から、前記ステージの周辺に設けられた排水溝に供給して、前記露光装置の温度の変化を抑制する半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２液体は、前記第１液体と同一の気化熱を有する半導体装置の製造方法。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記排水溝に残っている前記第１液体および前記第２液体の総液体量を一定量に維持する半導体装置の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記排水溝に残っている液体が前記排水溝から溢れないように維持する半導体装置の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光装置は、
   前記排水溝の近傍に設けられ、温度を計測する温度センサーをさらに備える半導体装置の製造方法。
6. 請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記温度センサーが計測する前記温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、前記排水溝に残っている前記第１液体および前記第２液体の総液体量を調整する半導体装置の製造方法。
7. 請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記露光装置は、
   前記温度を調整する温度調整部をさらに備え、
   前記温度センサーが計測する前記温度に基づいて、当該温度が所定の温度となるように、前記温度調整部により前記温度を調整する半導体装置の製造方法。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記ステージは、前記光学系よりも多く設けられており、
   第１の前記ステージ上に載置された前記基板に対して前記露光工程を行っている期間に、前記第１のステージと異なる他の前記ステージの前記排水溝に前記第２液体を供給する半導体装置の製造方法。
9. 請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記基板載置工程の後で前記露光工程の前に、前記基板の位置及び形状を計測する基板計測工程をさらに備え、
   前記第１のステージ上に載置された前記基板に対して前記露光工程を行っている期間に、前記他のステージの前記排水溝に前記第２液体を供給するとともに、当該他のステージに載置された前記基板に対して前記基板計測工程を行う半導体装置の製造方法。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記露光装置を停止した後で再起動させるときに前記排水溝に前記第２液体を供給することにより、前記露光装置の前記温度を定常状態にする立ち上げ工程をさらに備え、
    当該立ち上げ工程を開始してから前記露光工程を再開するまでの時間は、連続して前記露光工程を行うときに前記基板を前記露光装置に搬入してから前記露光工程を開始するまでの時間よりも長い半導体装置の製造方法。
11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記露光装置を停止した後で再起動させるときに前記排水溝に前記第２液体を供給することにより、前記露光装置の前記温度を定常状態にする立ち上げ工程をさらに備え、
    当該立ち上げ工程の時間は、少なくとも一つの前記基板に対して前記基板載置工程から前記露光工程を終了するまでの時間よりも短い半導体装置の製造方法。
12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
    平面視で前記排水溝に等間隔で接続された配管を介して、前記第２液体を供給する半導体装置の製造方法。
13. 基板を載置するステージと、
    前記基板を露光する光学系と、
    前記基板と前記光学系との間に第１液体を供給する第１供給部と、
    前記ステージの周辺に設けられた排水溝と、
    前記第１供給部と異なる位置に設けられ、第２液体を供給して前記排水溝に流す第２供給部と、
    前記基板を露光するときに前記第１供給部から前記第１液体を供給させる第１制御と、少なくとも前記第１液体を前記ステージ上に供給する以外の期間に前記第２供給部から前記第２液体を供給させて、温度の変化を抑制する第２制御と、を行う制御部と、
    を備える露光装置。

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