JP2013199956A

JP2013199956A - 複数タンク型ガス供給装置

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Publication number: JP2013199956A
Application number: JP2012067410A
Authority: JP
Inventors: Masatoshi Yoshida; 公聖吉田; Taketsugu Komiya; 健嗣小宮
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2012-03-23
Publication date: 2013-10-03
Anticipated expiration: 2032-03-23
Also published as: JP5704100B2

Abstract

【課題】複数の高圧タンクの内圧に差が生じても開閉弁に逆の差圧が作用せず、しかもガス供給装置よりガスを供給する際に圧損を生じることなくガスを供給することができる複数タンク型ガス供給装置を提供する。
【解決手段】それぞれ弁装置１６、１８を介して並列にガス充填２０系及びガス供給系２２と接続された複数の高圧タンク１２、１４を有し、弁装置１６、１８はそれぞれガス充填通路と、ガス供給通路と、ガス供給通路に設けられた開閉弁と、を有する複数タンク型ガス供給装置１０であって、ガスを供給する際に内圧が最も低くなる高圧タンクを特定の高圧タンク１２として、少なくとも特定の高圧タンクに対応する弁装置は、開閉弁を迂回してガス供給系と高圧タンクとを接続するバイパス通路と、バイパス通路に設けられガス供給系より高圧タンクへ向かうガスの流れのみを許す逆止弁と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガス供給装置に係り、更に詳細にはガスを貯蔵する複数の高圧タンクを有する複数タンク型のガス供給装置に係る。

燃料電池車両や水素ガスエンジン車両に於いては、複数タンク型のガス供給装置が搭載され、燃料となる水素ガスが各高圧タンクに貯蔵され、車両の走行時には水素ガスが複数の高圧タンクよりガス供給系を経て燃料電池や水素ガスエンジンへ供給される。

各高圧タンクはそれぞれ弁装置を介して互いに他に対し並列にガス充填系及びガス供給系と接続されている。各弁装置はガス充填系と対応する高圧タンクとを接続するガス充填通路と、ガス供給系と対応する高圧タンクとを接続するガス供給通路と、ガス供給通路に設けられた電磁開閉弁とを有している。

水素ガスの充填は、ガス充填系のレセブタクルがガスステーション等に設置された水素ガス供給源に接続され、水素ガスがガス充填系より各弁装置のガス充填通路を経て各高圧タンクに補充されることにより行われる。また水素ガスの供給は、各弁装置の電磁開閉弁が開弁され、水素ガスが各高圧タンクよりガス供給通路を経てガス供給系へ放出されることにより行われる。

複数タンク型のガス供給装置に於いては、複数の高圧タンクの内圧に差が生じると、内圧が高い高圧タンクより内圧が低い高圧タンクへ水素ガスが流動する。そのため低い高圧タンクの弁装置の開閉弁に逆の差圧が作用したり水素ガスが開閉弁を逆方向に通過したりし、これらに起因して開閉弁の耐久性の低下や故障が生じ易い。

かかる問題を解消すべく、例えば特許文献１には、ガス供給系が各高圧タンクに共通の管部と各高圧タンクに対応する枝管部とを有し、各枝管部に高圧タンクより共通の管部へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁が設けられた構造が記載されている。この構造によれば、ガス供給装置よりガスを供給する際に複数の高圧タンクの内圧に差が生じても、内圧の低い高圧タンクの開閉弁に逆の差圧が作用したり水素ガスが開閉弁を逆方向に通過したりすることを防止することができる。

特開２００２−２０６６９６号公報

〔発明が解決しようとする課題〕
しかし上記特許文献１に記載された構造に於いては、水素ガスの供給時に水素ガスが必ず枝管部に設けられた逆止弁を通過するため、逆止弁を通過することに起因する圧損が避けられない。従って高圧タンク内の圧力は逆止弁の下流側の圧力よりも高くならざるを得ず、そのため高圧タンク内に水素ガスが残存することが避けられない。

本発明は、複数の高圧タンクを有する複数タンク型のガス供給装置に於ける上述の如き問題に鑑みてなされたものである。そして本発明の主要な課題は、複数の高圧タンクの内圧に差が生じても開閉弁に逆の差圧が作用せず、しかもガス供給装置よりガスを供給する際に圧損を生じることなくガスを供給することができる複数タンク型ガス供給装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段及び発明の効果〕

上述の主要な課題は、本発明によれば、複数の高圧タンクを有し、各高圧タンクはそれぞれ弁装置を介して互いに他に対し並列にガス充填系及びガス供給系と接続され、各弁装置は前記ガス充填系と対応する高圧タンクとを接続するガス充填通路と、前記ガス供給系と対応する高圧タンクとを接続するガス供給通路と、前記ガス供給通路に設けられた開閉弁と、を有する複数タンク型ガス供給装置に於いて、前記複数の高圧タンクよりガスを放出することにより前記ガス供給装置がガスを供給する際に内圧が最も低くなる高圧タンクを特定の高圧タンクとして、少なくとも前記特定の高圧タンクに対応する弁装置は、前記開閉弁を迂回して前記ガス供給系と高圧タンクとを接続するバイパス通路と、前記バイパス通路に設けられ前記ガス供給系より高圧タンクへ向かうガスの流れのみを許す逆止弁と、を有することを特徴とする複数タンク型ガス供給装置（請求項１の構成）によって達成される。

上記の構成によれば、ガス供給装置がガスを供給する際に複数の高圧タンクの内圧に差があっても、内圧が最も低い特定の高圧タンクに対応する弁装置に於いて開閉弁に逆の差圧が作用することを防止することができる。即ち、逆の差圧によって逆止弁が開弁され、ガス供給系の側の高圧のガスはバイパス通路を経て特定の高圧タンクへ流入するので、開閉弁に逆の差圧が作用したり水素ガスが開閉弁を逆方向に通過したりしない。よってこれらに起因する開閉弁の耐久性の低下や故障を効果的に防止することができる。

また、上記の構成によれば、特定の高圧タンクに対応する弁装置に於いても高圧タンクよりガス供給系へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁はガス供給通路に設けられていない。よって上記特許文献１に記載された構造の場合の如く水素ガスの供給時に水素ガスが逆止弁を通過すること及びこれに起因する圧損が発生することを回避することができ、従って特定の高圧タンク内に水素ガスが残存することを回避することができる。

更に、上記の構成によれば、ガス供給系の側の高圧のガスはバイパス通路を経て特定の高圧タンクへ流入するので、特定の高圧タンクへガスが流入することができない場合に比して、早期に複数の高圧タンクの内圧を同一の圧力にすることができる。よってガスの供給が断続的に行われる場合に、複数の高圧タンクの内圧が同一の圧力にてガスの供給が再開される可能性を高くすることができる。

また本発明によれば、上述の主要な課題を効果的に達成すべく、上記の構成に於いて、前記特定の高圧タンクは前記複数の高圧タンクのうち容量が最も大きい高圧タンクであるよう構成される（請求項２の構成）。

上記の構成によれば、複数の高圧タンクの容量が異なり、複数の高圧タンクに対し同時にガスの充填を開始しても高圧タンクの内圧に差が生じる場合にも、開閉弁の耐久性の低下や故障を効果的に防止し、タンク内にガスが残存することを回避することができる。

また本発明によれば、上述の主要な課題を効果的に達成すべく、上記の構成に於いて、前記特定の高圧タンクは前記ガス供給装置がガスを供給する際に前記複数の高圧タンクのうち最も早くガスの放出を開始する高圧タンクであるよう構成される（請求項３の構成）。

上記の構成によれば、複数の高圧タンクより選択的にガスの放出が行われことにより高圧タンクの内圧に差が生じる場合にも、開閉弁の耐久性の低下や故障を効果的に防止し、タンク内にガスが残存することを回避することができる。

また本発明によれば、上述の主要な課題を効果的に達成すべく、上記の構成に於いて、前記特定の高圧タンク以外の高圧タンクに対応する弁装置は、バイパス通路及び逆止弁を有していないよう構成される（請求項４の構成）。

上記の構成によれば、特定の高圧タンク以外の高圧タンクに対応する弁装置もバイパス通路及び逆止弁を有する場合に比して、ガス供給装置の構造を簡単にすると共にコストを低減することができる。
〔課題解決手段の好ましい態様〕

本発明の一つの好ましい態様によれば、開閉弁は制御装置により開閉される電磁開閉弁であるよう構成される。

本発明の他の一つの好ましい態様によれば、各弁装置はガス充填系より対応する高圧タンクへ向かうガスの流れのみを許す逆止弁を有するよう構成される。

不等容量複数タンク型のガス供給装置として構成された本発明による複数タンク型ガス供給装置の第一の実施形態を示す概略構成図である。第一の弁装置を示す解図的拡大部分断面図である。第二の弁装置を示す解図的拡大部分断面図である。第一の実施形態に於いて第一及び第二の高圧タンクが空の状態より水素ガスの充填が行われる場合に於ける第一及び第二の高圧タンク内の圧力Ｐ1、Ｐ2及びそれらの圧力の差ΔＰの変化の一例を示すグラフである。等容量複数タンク型のガス供給装置として構成された本発明による複数タンク型ガス供給装置の第二の実施形態を示す概略構成図である。

以下に添付の図を参照しつつ、本発明を幾つかの好ましい実施形態について詳細に説明する。
［第一の実施形態］

図１は不等容量複数タンク型のガス供給装置として構成された本発明による複数タンク型ガス供給装置の第一の実施形態を示す概略構成図、図２及び図３はそれぞれ第一及び第二の弁装置を示す解図的拡大部分断面図である。

図１に於いて、符号１０は第一の実施形態の複数タンク型ガス供給装置を全体的に示しており、ガス供給装置１０は水素ガスを貯蔵する第一の高圧タンク１２と第二の高圧タンク１４とを有している。高圧タンク１２及び１４はそれぞれ第一の弁装置１６及び第二の弁装置１８を介して互いに他に対し並列にガス充填系２０及びガス供給系２２と接続されている。第一の実施形態に於いては、第一の高圧タンク１２は大容量タンクであり、第二の高圧タンク１４よりも大きい容量を有している。

ガス充填系２０は、高圧タンク１２及び１４に共通の管路２４と、高圧タンク１２及び１４に対応する枝管部２６Ａ及び２６Ｂとを有している。共通の管路２４は、その一端に設けられたレセプタクル２８にて図１には示されていないガスステーション等に設置されたガス供給源に接続可能であり、他端にて充填マニホールド３０を介して枝管部２６Ａ及び２６Ｂの一端に接続されている。図１には示されていないが、レセプタクル２８は充填マニホールド３０へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁を内蔵している。この逆止弁は、レセプタクル２８がガス供給源に接続されると、ガス供給源の圧力と管路２４内の圧力との差圧により開弁される。

同様に、ガス供給系２２は、高圧タンク１２及び１４に共通の管路３４と、高圧タンク１２及び１４に対応する枝管部３６Ａ及び３６Ｂとを有している。共通の管路３４は、その一端にて図には示されていない燃料電池や水素ガスエンジンの如き水素ガス消費装置３８に接続されており、他端にて供給マニホールド４０を介して枝管部３６Ａ及び３６Ｂの一端に接続されている。

図２に示されている如く、第一の弁装置１６は、ガス充填系２０と第一の高圧タンク１２とを接続するガス充填通路４２と、ガス供給系２２と第一の高圧タンク１２とを接続するガス供給通路４４とを有している。ガス充填通路４２にはガス充填系２０より第一の高圧タンク１２へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁４６が設けられ、ガス供給通路４４には常閉型の電磁開閉弁４８が設けられている。

また、第一の弁装置１６には、電磁開閉弁４８を迂回して電磁開閉弁の両側のガス供給通路４４を連通接続するバイパス通路５０が設けられている。バイパス通路５０にはガス供給系より第一の高圧タンク１２へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁５２が設けられている。

図３に示されている如く、第二の弁装置１８は、ガス充填系２０と第二の高圧タンク１４とを接続するガス充填通路６２と、ガス供給系２２と第二の高圧タンク１４とを接続するガス供給通路６４とを有している。ガス充填通路６２にはガス充填系２０より第二の高圧タンク１４へ向かうガスの流れのみを許す逆止弁６６が設けられ、ガス供給通路６４には常閉型の電磁開閉弁６８が設けられている。第二の弁装置１８には第一の弁装置１６に設けられたバイパス通路５０及び逆止弁５２に対応するバイパス通路及び逆止弁は設けられていない。

充填マニホールド３０及び供給マニホールド４０には、それぞれ共通の管路２４及び３４内の圧力Ｐin及びＰoutを検出する圧力センサ７０及び７２が設けられている。また、第一の弁装置１６及び第二の弁装置１８には、それぞれ第一の高圧タンク１２及び第二の高圧タンク１４内の圧力Ｐ1及びＰ2を検出する圧力センサ７４及び７６が設けられている。これらの圧力センサの出力は図には示されていない車両の制御装置に入力される。

ガス供給装置１０に水素ガスを充填する場合には、レセプタクル２８が図１には示されていないガスステーション等に設置された水素ガス供給源に接続され、ガス供給源の供給弁が開弁される。各図に於いて実線の矢印にて示されている如く、高圧の水素ガスがレセプタクル２８、共通の管路２４、充填マニホールド３０、枝管部２６Ａ及び２６Ｂ、弁装置１６及び１８を経て高圧タンク１２及び１４に流入する。所定量の水素ガスが高圧タンク１２及び１４に充填されると、ガス供給源の供給弁が閉弁され、レセプタクル２８とガス供給源との接続が解除される。

また、ガス供給装置１０より水素ガス消費装置３８へ水素ガスを供給する場合には、車両の制御装置により電磁開閉弁４８及び６８が開弁される。各図に於いて破線の矢印にて示されている如く、高圧タンク１２及び１４内の高圧の水素ガスが、弁装置１６及び１８、枝管部２６Ａ及び２６Ｂ、供給マニホールド４０、共通の管路３４を経て水素ガス消費装置３８へ放出される。

図４に示されている如く、第一の高圧タンク１２と第二の高圧タンク１４との間に容量の差がある場合には、空の二つのタンクに対し水素ガスの充填を同時に開始しても、高圧タンク１２及び１４内の圧力Ｐ1及びＰ2に差が生じる。即ち、容量が大きい方の高圧タンク１２内の圧力Ｐ1は容量が小さい方の高圧タンク１４内の圧力Ｐ2よりも低くなる（Ｐ1＜Ｐ2）。この圧力Ｐ1及びＰ2の差ΔＰ（Ｐ2−Ｐ1）は高圧タンクの充填量が高い場合よりも低い場合に大きくなる。

この圧力Ｐ1及びＰ2の差ΔＰが比較的大きい状況に於いて電磁開閉弁４８及び６８が開弁されることによって水素ガスの供給が開始されると、第一の高圧タンク１２の第一の弁装置１６の電磁開閉弁４８には差圧ΔＰが逆向きに作用する。即ち、電磁開閉弁４８に対し供給先の側の圧力Ｐ1e（＝Ｐ2）が電磁開閉弁４８に対し供給元の側の圧力Ｐ1t（＝Ｐ1）よりも高くなる。

そのため弁装置にバイパス通路５０及び逆止弁５２が設けられていない従来のガス供給装置に於いては、内圧が低い方のタンクの弁装置に逆向きの差圧ΔＰが作用することに起因して電磁開閉弁の耐久性が低下したり故障したりし易い。

また、上記特許文献１に記載された構造の如く、枝管部２６Ａ及び２６Ｂにそれぞれ高圧タンク１２及び１４より供給マニホールド４０へ向かう水素ガスの流れのみを許す逆止弁が設けられる場合には、水素ガスが逆止弁を通過する際の圧損が避けられない。よって高圧タンク１２内の圧力Ｐ1は逆止弁の下流側の圧力よりも高くならざるを得ず、そのため高圧タンク１２内の水素ガスを完全に放出させることができず、高圧タンク１２内に水素ガスが残存することが避けられない。

これに対し第一の実施形態によれば、差圧ΔＰが比較的大きい状況に於いて水素ガスの供給が開始されると、その差圧によって逆止弁５２が開弁される。よって電磁開閉弁４８より下流側のガス供給通路４４内の水素ガスがバイパス通路５０を経て高圧タンク１２へ流動し、高圧タンク１２内の圧力Ｐ1が上昇する。よって第一の弁装置１６の電磁開閉弁４８に大きい差圧ΔＰが逆向きに作用したり水素ガスが電磁開閉弁４８を逆方向に通過したりすることを効果的に抑制することができ、これにより電磁開閉弁の耐久性の低下や故障の虞れを効果的に低減することができる。

尚、ガス供給装置１０の充填時に高圧タンク１２及び１４が十分に水素ガスにて充填される場合には、差圧ΔＰが非常に小さい値になるので、差圧によって逆止弁５２が開弁されることはない。よって第一の弁装置１６の電磁開閉弁４８に大きい差圧ΔＰが逆向きに作用したり水素ガスが電磁開閉弁４８を逆方向に通過したりすることなく、高圧タンク１２内の水素ガスも電磁開閉弁４８を経てガス供給系２２へ放出される。
［第二の実施形態］

図５は等容量複数タンク型ガス供給装置として構成された本発明による複数タンク型ガス供給装置の第二の実施形態を示す概略構成図である。尚、図５に於いて、図１に示された部材と同一の部材には図１に於いて付された符号と同一の符号が付されている。

この第二の実施形態のガス供給装置１０は、第一の高圧タンク１２及び第二の高圧タンク１４が互いに同一の容量を有している点を除き、上述の第一の実施形態と同様に構成されている。従って図には示されていないが、第一の弁装置１６にバイパス通路５０及び逆止弁５２が設けられているが、第二の弁装置１８にはバイパス通路及び逆止弁は設けられていない。

また、この第二の実施形態に於いても、ガス供給装置１０に水素ガスを充填する場合には、第一の実施形態の場合と同様の操作が行われる。従って水素ガスの充填が完了した段階に於ける第一の高圧タンク１２内の圧力Ｐ1及び第二の高圧タンク１４内の圧力Ｐ2は同一である。

しかし水素ガスの充填直後にガス供給装置１０より水素ガス消費装置３８へ水素ガスを供給する場合には、車両の制御装置により電磁開閉弁４８のみが開弁される。これにより図５に於いて破線の矢印にて示されている如く、高圧タンク１２内の高圧の水素ガスが、弁装置１６、枝管部２６Ａ、供給マニホールド４０、共通の管路３４を経て水素ガス消費装置３８へ放出される。

また、水素ガスの放出により第一の高圧タンク１２内の圧力Ｐ1が低下し、第一の高圧タンク１２内の圧力Ｐ1と第二の高圧タンク１４内との圧力Ｐ2の差ΔＰが基準値ΔＰc（正の定数）以上になると、車両の制御装置により電磁開閉弁６８も開弁される。

よって圧力Ｐ1及びＰ2の差ΔＰが比較的大きい状況に於いて電磁開閉弁４８及び６８が開弁された状況になるので、第一の高圧タンク１２の第一の弁装置１６の電磁開閉弁４８には差圧ΔＰが逆向きに作用する。即ち、電磁開閉弁４８に対し供給先の側の圧力Ｐ1e（＝Ｐ2）が電磁開閉弁４８に対し供給元の側の圧力Ｐ1t（＝Ｐ1）よりも高くなる。

従って第二の実施形態によれば、第一の実施形態の場合と同様に、差圧ΔＰによって逆止弁５２が開弁され、電磁開閉弁４８より下流側のガス供給通路４４内の水素ガスがバイパス通路５０を経て高圧タンク１２へ流動し、高圧タンク１２内の圧力Ｐ1が上昇する。よって第一の弁装置１６の電磁開閉弁４８に大きい差圧ΔＰが逆向きに作用したり水素ガスが電磁開閉弁４８を逆方向に通過したりすることを効果的に抑制することができ、これにより電磁開閉弁の耐久性の低下や故障の虞れを効果的に低減することができる。

尚、この第二の実施形態に於いても、ガス供給装置１０が水素ガスの供給を開始する際の圧力Ｐ1及びＰ2が実質的に同一であり、差圧ΔＰが実質的に０である場合には、電磁開閉弁４８及び６８は同時に開弁されてよい。

また、第一及び第二の実施形態に於いても、圧力Ｐ1が上昇し圧力Ｐ2が低下することにより、差圧ΔＰが逆止弁５２を開弁させるに必要な圧力以下になると、逆止弁５２は閉弁する。よって水素ガスは圧力Ｐ1及びＰ2が互いに等しくなるまで電磁開閉弁４８を通過して高圧タンク１２内へ速やかに流入する。その段階に於いて電磁開閉弁４８に逆向きに作用する差圧ΔＰは非常に小さいので、電磁開閉弁４８は殆ど差圧ΔＰによる悪影響を受けない。そして圧力Ｐ1及びＰ2が互いに等しくなると、高圧タンク１２内の水素ガスもガス供給通路４４及び電磁開閉弁４８を経て枝管部３６Ａへ放出される。

また、第一及び第二の実施形態によれば、逆止弁５２はガス供給通路４４に設けられるのではなく、バイパス通路５０に設けられている。よって高圧タンク１２内の水素ガスがガス供給通路４４を経て供給される際に逆止弁５２によって圧損が惹き起こされることはない。従って高圧タンク１２内の水素ガスが完全になくなるまで高圧タンク１２内の水素ガスを放出させることができ、上記特許文献１に記載された構造の場合に比して、高圧タンク１２内に残存する水素ガスを非常に少なくすることができる。

また、水素ガスの供給時に内圧が低くなる方の高圧タンクは、第一の実施形態に於いては容量が大きい方の高圧タンク１２であり、第二の実施形態に於いては先に供給が開始される高圧タンク１２である。よって第一及び第二の実施形態によれば、バイパス通路５０及び逆止弁５２は第一の弁装置１６にのみ設けられればよい。従って第二の弁装置１８にもバイパス通路及び逆止弁が設けられる場合に比して、ガス供給装置１０の構造を簡単にし、そのコストを低減することができる。

更に、第一及び第二の実施形態によれば、差圧ΔＰが比較的大きい状況に於いて電磁開閉弁６８が開弁されると、内圧の高い第二の高圧タンク１４内の水素ガスが内圧の低い高圧タンク１２内へ流入する。よって水素ガスが高圧タンク１２内へ流入することができない上記特許文献１に記載された構造の場合に比して、早期に圧力Ｐ1及びＰ2を同一の圧力にすることができる。従って水素ガスの供給が断続的に行われる場合に、圧力Ｐ1及びＰ2が同一の圧力にて水素ガスの供給が再開される可能性を高くすることができる。

以上に於いては本発明を特定の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであろう。

例えば上述の各実施形態に於いては、高圧タンクは二つであるが、本発明は三つ以上の高圧タンクを有するガス供給装置に適用されてもよい。その場合ガスの供給時に内圧が最も高くなる高圧タンク以外の高圧タンクの弁装置にバイパス通路及び逆止弁が設けられてもよい。

また、上述の第一及び第二の実施形態に於いては、一方の高圧タンクの弁装置にはバイパス通路及び逆止弁が設けられていないが、全ての高圧タンクの弁装置にバイパス通路及び逆止弁が設けられてもよい。その場合にはガスの供給時に何れの高圧タンクの内圧が最も低くなってもよいので、ガスの充填及び供給の自由度を高くすることができる。

また、特定の高圧タンクは第一の実施形態に於いては容量の大きい第一のタンク１２であり、第二の実施形態に於いてはガスの放出が先に開始される第一のタンク１２である。しかし特定の高圧タンクは容量が大きく且つガスの放出が先に開始されるタンクであってもよく、またガスの供給時に内圧が最も低いタンクである限り、容量が小さいタンクであってもよい。

また上述の各実施形態に於いては、ガス供給装置１０は車両に搭載された水素ガス供給装置であるが、ガスは水素以外のガスであってもよい。また、本発明は、車両以外の移動体に搭載されるガス供給装置に適用されてもよく、更には固定的に設置されたガス供給装置に適用されてもよい。

１０…複数タンク型ガス供給装置、１２…第一の高圧タンク、１４…第二の高圧タンク、１６…第一の弁装置、１８…第二の弁装置、２０…ガス充填系、２２…ガス供給系、２４…共通の管路、２６Ａ、２６Ｂ…枝菅部、２８…レセプタクル、３０…充填マニホールド、３４…共通の管路、３６Ａ、３６Ｂ…枝菅部、３８…水素ガス消費装置、４０…供給マニホールド、４２…ガス充填通路、４４…ガス供給通路、４６…逆止弁、４８…電磁開閉弁、５０…バイパス通路、５２…逆止弁、６２…ガス充填通路、６４…ガス供給通路、６６…逆止弁、６８…電磁開閉弁、７０〜７６…圧力センサ

Claims

複数の高圧タンクを有し、各高圧タンクはそれぞれ弁装置を介して互いに他に対し並列にガス充填系及びガス供給系と接続され、各弁装置は前記ガス充填系と対応する高圧タンクとを接続するガス充填通路と、前記ガス供給系と対応する高圧タンクとを接続するガス供給通路と、前記ガス供給通路に設けられた開閉弁と、を有する複数タンク型ガス供給装置に於いて、前記複数の高圧タンクよりガスを放出することにより前記ガス供給装置がガスを供給する際に内圧が最も低くなる高圧タンクを特定の高圧タンクとして、少なくとも前記特定の高圧タンクに対応する弁装置は、前記開閉弁を迂回して前記ガス供給系と高圧タンクとを接続するバイパス通路と、前記バイパス通路に設けられ前記ガス供給系より高圧タンクへ向かうガスの流れのみを許す逆止弁と、を有することを特徴とする複数タンク型ガス供給装置。
前記特定の高圧タンクは前記複数の高圧タンクのうち容量が最も大きい高圧タンクであることを特徴とする請求項１に記載の複数タンク型ガス供給装置。
前記特定の高圧タンクは前記ガス供給装置がガスを供給する際に前記複数の高圧タンクのうち最も早くガスの放出を開始する高圧タンクであることを特徴とする請求項１に記載の複数タンク型ガス供給装置。
前記特定の高圧タンク以外の高圧タンクに対応する弁装置は、バイパス通路及び逆止弁を有していないことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の複数タンク型ガス供給装置。