JP2013191890A - Positioning device and positioning method, and semiconductor manufacturing device with the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positioning device and a positioning method that prevent positioning precision from deteriorating by detecting a position shift amount of a detection device and correcting positioning amounts of a wafer and a wafer holder, and a semiconductor manufacturing device with the same.SOLUTION: There are provided: a positioning device 50 that includes a holder stage 6 capable of holding a wafer 1 positioned at a wafer holder 2 and moving in XYθ directions, a detection device 8 which detects respective reference marks of the wafer and wafer holder, and a control section 9 measuring variation amounts of position coordinates of the detection device and holder stage on the basis of results of detection of position coordinates of a reference point 7b formed at the holder stage by the detection device, the control section correcting positioning amounts of the wafer and wafer holder through the holder stage on the basis of the measured variation amounts of the position coordinates; and a semiconductor manufacturing device 100 having the same.

Description

本発明は、ウェハの積層工程におけるウェハの位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置に関する。   The present invention relates to a wafer positioning apparatus, a positioning method, and a semiconductor manufacturing apparatus having these in a wafer stacking process.

近年携帯型の電子機器、例えば携帯電話やノートパソコン、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラの進歩が著しい。これに伴って、用いられる半導体装置に対してもチップ自体の性能向上に加え、チップの実装技術においても改良が求められ、特に、チップ実装面積の低減と半導体装置の高速駆動化の観点からの実装技術の改良が求められている。   In recent years, portable electronic devices such as mobile phones, notebook computers, portable audio devices, and digital cameras have made remarkable progress. Along with this, in addition to improving the performance of the chip itself as well as the performance of the chip itself, improvements in the chip mounting technology are also sought. There is a need for improved packaging technology.

チップ実装面積の低減のために、チップを積層することにより実装面積を増加させずに実装チップ量を増加させ、実効的な実装面積の低減をはかることが行われている。例えば、チップとチップや、チップと実装基板をワイヤによって接続するワイヤボンド方式によるもの、チップの裏面に設けられたマイクロバンプを介して、チップとチップや、チップと実装基板を接続するフリップチップ方式によるもの、或いはワイヤボンド方式、フリップチップ方式の双方を用いて、チップとチップや、チップと実装基板を接続するもの等が知られている。   In order to reduce the chip mounting area, stacking chips is used to increase the amount of mounted chips without increasing the mounting area, thereby reducing the effective mounting area. For example, a chip-to-chip or wire-bonding system that connects the chip and the mounting board with a wire, or a flip-chip system that connects the chip to the chip or the chip and the mounting board via a micro bump provided on the back surface of the chip Or a chip-to-chip or a chip-to-mounting board connected by using both a wire bond method and a flip-chip method.

また、ウェハ同士の電極接合プロセスに加熱処理や加圧処理を伴う場合には、ウェハをウェハホルダに吸着させた状態でプロセス処理を行うのが一般的である。ウェハホルダを使用する場合は、ウェハを吸着した状態のウェハホルダを2組用意し、それらをウェハ張り合わせ装置内で高精度の位置決め処理を行い、互いに対向させた状態で張り合わせ処理を行うことが開示されている(例えば、特許文献1参照)。   In addition, when a heat treatment or a pressure treatment is involved in an electrode bonding process between wafers, the process is generally performed in a state where the wafer is attracted to a wafer holder. In the case of using a wafer holder, it is disclosed that two sets of wafer holders in a state in which wafers are attracted are prepared, a highly accurate positioning process is performed in a wafer bonding apparatus, and a bonding process is performed while facing each other. (For example, refer to Patent Document 1).

特開2005−302858号公報JP 2005-302858 A

従来、ウェハホルダに対するウェハの位置決めを行う装置としてプリアライメント装置(位置決め装置)が用いられている。この位置決め装置は、ウェハとウェハホルダに形成されているそれぞれの基準マークをウェハのホルダステージの上方に支持された検出装置で検出し、検出結果に基づきウェハをホルダステージを介して移動してウェハホルダに位置決めする。   Conventionally, a pre-alignment apparatus (positioning apparatus) is used as an apparatus for positioning a wafer with respect to a wafer holder. This positioning device detects the respective reference marks formed on the wafer and the wafer holder by a detection device supported above the wafer holder stage, and moves the wafer through the holder stage based on the detection result to the wafer holder. Position.

しかしながら、基準マークを検出する検出装置が、ホルダステージの上方に間隙を空けて配置された支持部材を介して配置されているため、位置決め装置の周辺温度の変化に伴う支持部材の熱膨張などによって、所定位置からずれてしまい、ウェハとウェハホルダの位置決め精度を悪化させるという問題がある。   However, since the detection device for detecting the reference mark is disposed via a support member disposed above the holder stage with a gap, it is caused by thermal expansion of the support member accompanying a change in the ambient temperature of the positioning device. There is a problem in that the positioning accuracy of the wafer and the wafer holder is deteriorated because of deviation from a predetermined position.

本発明は、上記問題に鑑みて行われたものであり、検出装置の位置ずれ量を検出してウェハとウェハホルダの位置決め量を補正し、位置決め精度の劣化を防止する位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, a positioning device that detects a positional deviation amount of a detection device and corrects a positioning amount of a wafer and a wafer holder, and prevents deterioration of positioning accuracy, and a positioning method. Another object is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having these.

上記課題を解決するため、本発明は、ウェハホルダに位置決めされるウェハを保持し、XYθ方向に移動可能なホルダステージと、前記ウェハと前記ウェハホルダのそれぞれの基準マークを検出する検出装置と、前記ホルダステージに形成された基準ポイントの位置座標を前記検出装置で検出した結果に基づき、前記検出装置と前記ホルダステージとの位置座標の変化量を計測する制御部とを有し、前記制御部は、前記計測された位置座標の変化量に基づき、前記ウェハと前記ウェハホルダとの位置決め量を前記ホルダステージを介して補正することを特徴とする位置決め装置を提供する。   In order to solve the above problems, the present invention provides a holder stage that holds a wafer positioned in a wafer holder and is movable in the XYθ direction, a detection device that detects respective reference marks of the wafer and the wafer holder, and the holder Based on the result of detecting the position coordinates of the reference point formed on the stage by the detection device, the control unit that measures the amount of change in the position coordinates of the detection device and the holder stage, the control unit, Provided is a positioning apparatus that corrects a positioning amount between the wafer and the wafer holder through the holder stage based on the measured change amount of the position coordinates.

また、本発明は、ウェハホルダに位置決めされるウェハを保持し、XYθ方向に移動可能なホルダステージに配設された基準ポイントの位置座標を前記ウェハと前記ウェハホルダのそれぞれの基準マークを検出する検出装置で検出した結果に基づき、前記検出装置と前記ホルダステージとの位置座標の変化量を計測し、前記計測された位置座標の変化量に基づき、前記ウェハと前記ウェハホルダとの位置決め量を前記ホルダステージを介して補正することを特徴とする位置決め方法を提供する。   The present invention also provides a detection device for holding a wafer positioned on a wafer holder and detecting the position coordinates of a reference point disposed on a holder stage movable in the XYθ directions for the respective reference marks of the wafer and the wafer holder. The amount of change in the position coordinates between the detection device and the holder stage is measured based on the result detected in step, and the amount of positioning between the wafer and the wafer holder is determined based on the amount of change in the measured position coordinates. The positioning method is characterized in that correction is performed via

また、本発明は、前記位置決め装置と、前記位置決め方法を有することを特徴とする半導体製造方法を提供する。   The present invention also provides a semiconductor manufacturing method comprising the positioning device and the positioning method.

本発明によれば、検出装置の位置ずれ量を検出してウェハとウェハホルダの位置決め量を補正し、位置決め精度の劣化を防止する位置決め装置と、位置決め方法と、これらを有する半導体製造装置を提供することができる。特に、装置が温調チャンバ内に配置されず、装置周囲の温度変化が大きい場合に大きな効果を有する。   According to the present invention, there are provided a positioning apparatus, a positioning method, and a semiconductor manufacturing apparatus having these, which detect a positional deviation amount of a detection apparatus and correct a positioning amount of a wafer and a wafer holder to prevent deterioration of positioning accuracy. be able to. In particular, it has a great effect when the apparatus is not arranged in the temperature control chamber and the temperature change around the apparatus is large.

実施の形態にかかる位置決め装置とこれを有するウェハ張り合わせ装置を含む半導体製造装置の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus including a positioning apparatus according to an embodiment and a wafer bonding apparatus having the positioning apparatus. 位置決め装置の側面概観図である。It is a side view of a positioning device. 位置決め装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a positioning device. 位置決め装置における検出装置の位置ずれ量計測状態を示す害略図である。It is a harm figure which shows the amount of misalignment measurement state of the detecting device in a positioning device. 位置決め装置の概略制御フローを示し、(a)は全体フローを、(b)は検出装置(カメラ)のずれ量計測フローを、(c)は、ウェハとウェハホルダの位置決め補正フローをそれぞれ示す。The schematic control flow of a positioning apparatus is shown, (a) shows the whole flow, (b) shows the deviation amount measurement flow of the detection apparatus (camera), and (c) shows the positioning correction flow of the wafer and the wafer holder.

以下、本発明の一実施の形態にかかる位置決め装置とこれを有する半導体製造装置について説明する。   Hereinafter, a positioning device and a semiconductor manufacturing apparatus having the same according to an embodiment of the present invention will be described.

図1は、実施の形態にかかる位置決め装置とこれを有するウェハ張り合わせ装置を含む半導体製造装置の概略構成図である。図2は、位置決め装置の側面概観図である。図3は、位置決め装置の概略構成図である。図4は、位置決め装置における検出装置の位置ずれ量計測状態を示す概略図である。図5は、位置決め装置の概略制御フローを示し、(a)は全体フローを、(b)は検出装置(カメラ)のずれ量計測フローを、(c)は、ウェハとウェハホルダの位置決め補正フローをそれぞれ示す。なお図3において、XYZ軸を図示のように定める。   FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing apparatus including a positioning apparatus according to an embodiment and a wafer bonding apparatus having the positioning apparatus. FIG. 2 is a schematic side view of the positioning device. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the positioning device. FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a state of measuring a displacement amount of the detection device in the positioning device. FIG. 5 shows a schematic control flow of the positioning apparatus. (A) is an overall flow, (b) is a detection amount (camera) shift amount measurement flow, and (c) is a wafer and wafer holder positioning correction flow. Each is shown. In FIG. 3, the XYZ axes are defined as shown.

図1において、実施の形態にかかる半導体製造装置100は、ウェハ外形検出装置10を内蔵する位置決め装置50と、位置決めされた2体のウェハをウェハホルダを介して接合して積層ウェハを形成するウェハ貼り合わせ部90とから構成されている。   Referring to FIG. 1, a semiconductor manufacturing apparatus 100 according to an embodiment includes a positioning device 50 having a built-in wafer outer shape detection device 10 and wafer bonding for bonding two positioned wafers via a wafer holder to form a laminated wafer. And a mating unit 90.

前工程を終了してウェハ外形検出装置10に投入されたウェハは、ウェハ外形検出装置10で最上面の貼り合わせ面に対応するウェハの外形や、ウェハのノッチ位置、或いはオリフラ位置が検出される。   The wafer contour detection apparatus 10 detects the contour of the wafer corresponding to the uppermost bonding surface, the notch position of the wafer, or the orientation flat position of the wafer that has been subjected to the previous process and is loaded into the wafer contour detection apparatus 10. .

ウェハ外形検出装置10の検出結果に基づき、ウェハのノッチ位置、或いはオリフラ位置が、後述する、位置決め装置50でウェハホルダの所定位置に位置決めされる。   Based on the detection result of the wafer contour detection device 10, the notch position or orientation flat position of the wafer is positioned at a predetermined position of the wafer holder by a positioning device 50 described later.

ウェハ位置決め装置50でウェハホルダに位置決めされたウェハとウェハホルダのセット(ワーク)は、搬送ロボット60でウェハ貼り合わせ部90に搬送され、2体のウェハがウェハホルダを介してウェハ貼り合わせ部90で接合されて貼り合わせウェハ1が形成される。   A set (workpiece) of the wafer and the wafer holder positioned on the wafer holder by the wafer positioning device 50 is transferred to the wafer bonding unit 90 by the transfer robot 60, and the two wafers are joined by the wafer bonding unit 90 via the wafer holder. Thus, the bonded wafer 1 is formed.

図2において、ウェハ位置決め装置50は、後述するように、ウェハステージ6の上方に支持部51で支持された画像撮像部8が配置されている。   In FIG. 2, in the wafer positioning device 50, an image pickup unit 8 supported by a support unit 51 is disposed above the wafer stage 6, as will be described later.

以下、位置決め装置50について図3を参照しつつ説明する。   Hereinafter, the positioning device 50 will be described with reference to FIG.

図3において、ウェハ1(単板ウェハ、張り合わせウェハの両者をウェハと記す)が、ウェハ回転テーブル3の回転軸に固定されたターンテーブルに載置される。また、ウェハ回転テーブル3のモータ3aには、モータ3aの回転位置(回転角度)を検出するためのロータリーエンコーダ3bが内蔵されている。   In FIG. 3, a wafer 1 (both a single wafer and a bonded wafer are referred to as a wafer) is placed on a turntable fixed to the rotating shaft of the wafer rotating table 3. The motor 3a of the wafer turntable 3 has a built-in rotary encoder 3b for detecting the rotation position (rotation angle) of the motor 3a.

ウェハ1は、ウェハ1の外周部近傍の少なくとも二箇所にアライメントマーク1a、1bとノッチnを有する。このウェハ1の二箇所のアライメントマーク1a、1bの位置を計測することで二箇所のマーク1a、1bを結ぶ線分とX軸とのなす角度、すなわちウェハ1の角度変動を計測する。   The wafer 1 has alignment marks 1a and 1b and a notch n in at least two locations near the outer periphery of the wafer 1. By measuring the positions of the two alignment marks 1a and 1b on the wafer 1, the angle between the line segment connecting the two marks 1a and 1b and the X axis, that is, the angle variation of the wafer 1 is measured.

ウェハ外形検出装置10には、透過型ラインセンサー4が、回転するウェハ1の外周部近傍に配置され、ノッチnの位置を検出する。   In the wafer contour detection device 10, a transmission line sensor 4 is disposed in the vicinity of the outer peripheral portion of the rotating wafer 1 and detects the position of the notch n.

透過型ラインセンサー4は、一般的に用いられるウェハ外形検出センサーで発光部からライン状の平行光を照射し、その透過光を受光部で感知し透過部と遮蔽部の境界の位置を出力するセンサである。   The transmissive line sensor 4 is a commonly used wafer contour detection sensor that emits line-shaped parallel light from a light emitting unit, senses the transmitted light with a light receiving unit, and outputs the position of the boundary between the transmissive unit and the shielding unit. It is a sensor.

ウェハ回転テーブル3、透過型ラインセンサー4等を制御すると共に、各信号を処理するための後述する各種制御部からなるコントローラ9を有している。   In addition to controlling the wafer turntable 3, the transmission line sensor 4, and the like, it has a controller 9 composed of various control units to be described later for processing each signal.

ウェハ回転テーブル3のモータ3aは、不図示の回転子と固定子を有し、固定子に対し回転子は電磁力等でトルクを発生し回転できる構造となっている。   The motor 3a of the wafer turntable 3 has a rotor and a stator (not shown), and the rotor can rotate by generating torque by electromagnetic force or the like with respect to the stator.

ロータリエンコーダ3bは、モータ3aに内蔵され、モータ3aの回転角度に応じた回転角検出を行うものである。パルスカウントで角度を判定できるが、モータ3aの初期化の際に原点センサ(不図示)でカウントリセットを行う。カウント値からモータ回転角度への変換はデータ処理部(コントローラ9)で行う。なお、ロータリエンコーダ3bは内蔵でも外付けでも構わない。   The rotary encoder 3b is built in the motor 3a and detects the rotation angle according to the rotation angle of the motor 3a. Although the angle can be determined by the pulse count, the count is reset by an origin sensor (not shown) when the motor 3a is initialized. Conversion from the count value to the motor rotation angle is performed by the data processing unit (controller 9). The rotary encoder 3b may be internal or external.

ウェハ回転テーブル3は、モータ3aの回転子に取り付けられ、ウェハ1を吸着する機能をもつ。吸着されたウェハ1はウェハ回転テーブル3の回転とともに回る。なお、実施の形態では、真空吸着を用い、ウェハ回転テーブル3までの真空導入はロータリユニオンなどを中継して行うものとする。なお、真空吸着に代えて静電吸着等を用いることもできる。   The wafer turntable 3 is attached to the rotor of the motor 3a and has a function of sucking the wafer 1. The sucked wafer 1 rotates with the rotation of the wafer turntable 3. In the embodiment, vacuum suction is used, and vacuum introduction up to the wafer turntable 3 is performed via a rotary union or the like. Note that electrostatic suction or the like can be used instead of vacuum suction.

コントローラ9内のモータドライバは、ウェハ回転テーブル3を駆動するためのコントロールドライバであって、回転指令を送信すると指令回転数での回転が可能となり、目的回転角への位置指令を送信すると所定回転角へ位置決め可能となる。ウェハ回転テーブル3の駆動条件などの様々なパラメータが設定可能で、パラメータに応じたウェハ回転テーブル3の駆動を可能にしている。   The motor driver in the controller 9 is a control driver for driving the wafer rotation table 3. When a rotation command is transmitted, rotation at the command rotation speed is possible, and when a position command to the target rotation angle is transmitted, a predetermined rotation is performed. Positioning to the corner becomes possible. Various parameters such as the driving conditions of the wafer turntable 3 can be set, and the wafer turntable 3 can be driven according to the parameters.

コントローラ9は、透過型ラインセンサー4、ロータリーエンコーダ3b等の出力電圧を時間同期、あるいはエンコーダカウント同期に合わせてデータを読み込む機能を有する。読み取ったデータはデータ処理される。   The controller 9 has a function of reading data in accordance with time synchronization or encoder count synchronization of output voltages of the transmission line sensor 4 and the rotary encoder 3b. The read data is processed.

またコントローラ9は、ウェハ外形検出装置10の場合、計測データの演算処理や記憶を行ったり、各ドライバへの指令を行ったり、ドライバの状態を読み取る等の処理を行う。また、投入されたウェハの状態判別を行い状態に対応する処理指令等を行う。   Further, in the case of the wafer contour detection apparatus 10, the controller 9 performs processing such as calculation processing and storage of measurement data, instructions to each driver, and reading of the driver status. In addition, the state of the inserted wafer is determined and a processing command corresponding to the state is issued.

図3に示す、ウェハ投入ロボット11は、ウェハ1を所定の保管場所からウェハ回転テーブル3上へ積載するためのロボットである。アーム先端でウェハ1を吸着保持し搬送を行う。また、多関節構造でアームの伸縮が可能である。   A wafer loading robot 11 shown in FIG. 3 is a robot for loading the wafer 1 onto the wafer turntable 3 from a predetermined storage location. The wafer 1 is sucked and held at the tip of the arm and transferred. Further, the arm can be expanded and contracted with a multi-joint structure.

ウェハ回転テーブル昇降機構部3cは、ウェハ回転テーブル3を垂直方向に上下動させる駆動部である。   The wafer turntable lifting mechanism 3c is a drive unit that moves the wafer turntable 3 up and down in the vertical direction.

搬送機構部(Y軸)5は、ウェハ1をウェハ回転テーブル3からウェハホルダステージ6へ搬送するための機構部である。アーム先端でウェハ1を吸着保持し搬送を行う。   The transfer mechanism unit (Y axis) 5 is a mechanism unit for transferring the wafer 1 from the wafer rotary table 3 to the wafer holder stage 6. The wafer 1 is sucked and held at the tip of the arm and transferred.

ウェハ搬送部(Z軸)6aは、ウェハ1を垂直方向に上下動させる駆動部である。ウェハ1を吸着保持するための吸着ピンを有する。   The wafer transfer unit (Z-axis) 6a is a drive unit that moves the wafer 1 up and down in the vertical direction. It has suction pins for holding the wafer 1 by suction.

ウェハホルダ2は、ウェハ1を保持する基材で、ウェハ1を着脱可能に吸着する面を有する。   The wafer holder 2 is a base material that holds the wafer 1 and has a surface that detachably sucks the wafer 1.

ウェハホルダステージ(θ軸)6bは、ウェハホルダ2を回転させる駆動部でウェハ搬送部(Z軸)6aを搭載し、ウェハホルダ2を吸着保持する機構を有する。   The wafer holder stage (θ-axis) 6 b has a mechanism for mounting the wafer transfer unit (Z-axis) 6 a as a drive unit for rotating the wafer holder 2 and holding the wafer holder 2 by suction.

ウェハホルダステージ(X軸)6cは、ウェハホルダ2をX軸方向に移動させる駆動部でウェハホルダステージ(θ軸)6bを搭載している。   Wafer holder stage (X axis) 6c is mounted with a wafer holder stage (θ axis) 6b as a drive unit that moves wafer holder 2 in the X axis direction.

ウェハホルダステージ(Y軸)6dは、ウェハホルダ2をY軸方向に移動させる駆動部でウェハホルダステージ(X軸)6cを搭載している。   Wafer holder stage (Y-axis) 6d is a drive unit that moves wafer holder 2 in the Y-axis direction, and has wafer holder stage (X-axis) 6c mounted thereon.

ウェハホルダ投入ロボット12は、ウェハホルダ2をウェハホルダステージ6上へ搬送するロボットである。なお、ウェハホルダ投入ロボット12は、ウェハ投入ロボット11と兼用でも構わない。   The wafer holder loading robot 12 is a robot that transports the wafer holder 2 onto the wafer holder stage 6. The wafer holder loading robot 12 may also be used as the wafer loading robot 11.

また、コントローラ9は、回転モータ昇降機構部3c、ウェハ搬送部(Y軸)6d、ウェハ搬送部(Z軸)6aの駆動機構それぞれのドライバコントローラと、ウェハホルダステージ(θ軸)6b、(X軸)6c、(Y軸)6dの駆動機構それぞれのドライバコントローラ、および制御部(CPU)等を含み、ウェハ位置決めシーケンス制御を行う。   Further, the controller 9 includes a driver controller for each of the drive mechanisms of the rotary motor elevating mechanism 3c, the wafer transfer unit (Y axis) 6d, and the wafer transfer unit (Z axis) 6a, and a wafer holder stage (θ axis) 6b, (X A wafer positioning sequence control is performed including a driver controller and a control unit (CPU) for each of the drive mechanisms of the (axis) 6c and (Y-axis) 6d.

ウェハホルダ2に載置されたウェハ1は、画像撮像部8で、アライメントマーク1a、1bの位置が検出される。画像撮像部8は、不図示の固定部に固定されている。ウェハホルダステージ6でウェハ1をXY面内に移動し、画像撮像部8でアライメントマーク1a、1bのXY座標を検出する。   The wafer 1 placed on the wafer holder 2 detects the positions of the alignment marks 1 a and 1 b by the image pickup unit 8. The image capturing unit 8 is fixed to a fixing unit (not shown). The wafer 1 is moved in the XY plane by the wafer holder stage 6, and the XY coordinates of the alignment marks 1 a and 1 b are detected by the image capturing unit 8.

実施の形態にかかる位置決め装置50は、図2に示すように、画像撮像部8が支持部材51の先端部に支持されホルダステージ6の上方に設置されている。位置決め装置50の周辺温度はクリーンルーム等の環境に置かれているため、所定の温度コントロールが行われているが、支持部材51が一軸方向に長い棒状であるため、僅かな温度変化で、画像撮像部8の位置にずれが発生し、結果として、ウェハ1とウェハホルダ2の基準マークの位置決めにずれが発生してしまう。   In the positioning device 50 according to the embodiment, as shown in FIG. 2, the image capturing unit 8 is supported by the tip of the support member 51 and is installed above the holder stage 6. Since the ambient temperature of the positioning device 50 is placed in an environment such as a clean room, a predetermined temperature control is performed. However, since the support member 51 is in the shape of a bar that is long in one axis direction, image capturing can be performed with a slight temperature change. Deviation occurs in the position of the portion 8, and as a result, deviation occurs in the positioning of the reference marks of the wafer 1 and the wafer holder 2.

実施の形態にかかる位置決め装置50では、画像撮像部8の位置ずれをホルダステージ6の基準ポイント座標を測定することで算出し、ウェハ1とウェハホルダ2の位置決め時の補正データとすることで、位置決め精度の向上を図っている。   In the positioning device 50 according to the embodiment, the positional deviation of the image pickup unit 8 is calculated by measuring the reference point coordinates of the holder stage 6 and is used as correction data when positioning the wafer 1 and the wafer holder 2. The accuracy is improved.

以下、図4、および図5に示す制御フローを参照しつつ説明する。   Hereinafter, description will be given with reference to the control flow shown in FIG. 4 and FIG.

図5(a)において、制御フローとしては、ステップ1で画像撮像部(カメラとも記す)8のずれ量計測を行い、このずれ量を補正量として、ステップ2でウェハ1の基準マーク1a、1bとウェハホルダ2基準マーク2a、2bの検出を行い、ウェハ1とウェハホルダ2の位置決めを行う。なお、ずれ量の計測は初期時点、所定の時間間隔、或いは位置決め毎に行う、の内いずれかを選択して行うようにする。   In FIG. 5A, as a control flow, the shift amount of the image pickup unit (also referred to as a camera) 8 is measured in step 1, and this shift amount is used as a correction amount. In step 2, the reference marks 1a and 1b on the wafer 1 are measured. The wafer holder 2 reference marks 2a and 2b are detected, and the wafer 1 and the wafer holder 2 are positioned. Note that the measurement of the deviation amount is performed by selecting any one of the initial time point, a predetermined time interval, or every positioning.

図5(b)は、画像撮像部8のずれ量計測フローを示す。ここでは、ずれ量計測を位置決め毎に行う場合について説明するが、これに限定されないことはいうまでも無い。   FIG. 5B shows a flow of measuring the deviation amount of the image capturing unit 8. Here, a case where the deviation amount measurement is performed for each positioning will be described, but it is needless to say that the present invention is not limited to this.

ステップS11
図4の基準リフトピン(PUP)7bが画像撮像部8の視野中心に来るようにウェハホルダステージ(X軸)6c、(Y軸)6dを駆動する。
Step S11
The wafer holder stage (X axis) 6c and (Y axis) 6d are driven so that the reference lift pin (PUP) 7b in FIG.

ステップS12
ウェハ搬送部(Z軸)6aを上下に駆動し、基準リフトピン7bの先端部を画像撮像部8に焦点合わせする。
Step S12
The wafer transfer unit (Z-axis) 6a is driven up and down to focus the tip of the reference lift pin 7b on the image pickup unit 8.

ステップS13
基準リフトピン7bの位置を画像撮像部8から得られた画像を処理することにより検出する。
Step S13
The position of the reference lift pin 7b is detected by processing the image obtained from the image capturing unit 8.

ステップS14
ステップS13で得られた基準リフトピン7bの座標に基づき、基準リフトピン7bのずれ量(ΔX、ΔY)をコントローラ9で算出しコントローラ9のメモリに記憶する。
Step S14
Based on the coordinates of the reference lift pin 7b obtained in step S13, the deviation amount (ΔX, ΔY) of the reference lift pin 7b is calculated by the controller 9 and stored in the memory of the controller 9.

以上のステップで画像撮像部(カメラ)8のずれ計測を終了する。   With the above steps, the measurement of the deviation of the image pickup unit (camera) 8 is completed.

次に、図5(c)に基づきウェハ(WH)1とウェハホルダ2の位置決め補正が行われる。   Next, positioning correction of the wafer (WH) 1 and the wafer holder 2 is performed based on FIG.

ステップS21
ウェハ(WH)1或いはウェハホルダ2の基準マークが画像撮像部8の視野中心に来るようにホルダステージ6をXY駆動する。
Step S21
The holder stage 6 is XY-driven so that the reference mark of the wafer (WH) 1 or the wafer holder 2 comes to the center of the visual field of the image pickup unit 8.

ステップS22
ウェハ1或いはウェハホルダ2の基準マーク位置を画像処理により検出する。
Step S22
The reference mark position of the wafer 1 or the wafer holder 2 is detected by image processing.

ステップS23
検出された基準マーク位置座標と設計値とのずれ量X1、Y1をコントローラ9で算出する。
Step S23
The controller 9 calculates deviation amounts X1 and Y1 between the detected reference mark position coordinates and the design value.

ステップS24
座標の補正量(X0、Y0)=(X1−ΔX、Y1−ΔY)を用いてずれ量を算出し記憶する。この補正量は、ウェハ1或いはウェハホルダ2の座標検出に際して用いられ、画像撮像部8のずれ量が補正され、ウェハ1とウェハホルダ2の基準マークの位置合わせが行われる。
Step S24
The deviation amount is calculated and stored using the coordinate correction amount (X0, Y0) = (X1−ΔX, Y1−ΔY). This correction amount is used when the coordinates of the wafer 1 or the wafer holder 2 are detected, the shift amount of the image pickup unit 8 is corrected, and the alignment of the reference marks of the wafer 1 and the wafer holder 2 is performed.

なお、上記説明では、基準リフトピンとしてリフトピン7bを用いているが、他のリフトピン7a、7cを用いることもできる。   In the above description, the lift pin 7b is used as the reference lift pin, but other lift pins 7a and 7c may be used.

以下、位置決め装置50の位置決め処理について説明する。なお、座標値については上記補正量が適用されて画像撮像部8のずれが補正される。   Hereinafter, the positioning process of the positioning device 50 will be described. For the coordinate value, the above correction amount is applied to correct the deviation of the image capturing unit 8.

位置決め装置50により外部より、投入されたウェハ1は、ウェハ外形検出装置10を構成するウェハ回転テーブル3とウェハ回転テーブル3の近傍に設けられた外形検出部4にて外形検出処理が実施された後、搬送機構部5を経由してホルダステージ6上に保持されたウェハホルダ2に高精度で移載される。   The wafer 1 loaded from the outside by the positioning device 50 is subjected to contour detection processing in the wafer rotation table 3 constituting the wafer contour detection device 10 and the contour detection unit 4 provided in the vicinity of the wafer rotation table 3. Thereafter, the wafer is transferred onto the wafer holder 2 held on the holder stage 6 via the transfer mechanism 5 with high accuracy.

ウェハローダー部11によって位置決め装置50に搬入されたウェハ1は、ウェハ回転テーブル3上に移載される。ウェハ回転テーブル3はウェハ1の裏面を真空吸着し保持する。   The wafer 1 carried into the positioning device 50 by the wafer loader unit 11 is transferred onto the wafer turntable 3. The wafer turntable 3 holds the back surface of the wafer 1 by vacuum suction.

一方ホルダローダー部12によって装置に搬入されたウェハホルダ2は、ホルダステージ6上に真空吸着され保持される。搬入されたウェハホルダ2上にホルダ位置決め用の基準マーク2aおよび2bが存在する場合には、ホルダステージ6を駆動して基準マーク2aおよび2bが画像撮像部8の直下になるようにホルダステージ6を駆動しそれぞれの基準マーク2aおよび2bの画像検出を行う。ここで座標の補正量(X0、Y0)が用いられる。   On the other hand, the wafer holder 2 carried into the apparatus by the holder loader unit 12 is vacuum-sucked and held on the holder stage 6. When the reference marks 2a and 2b for positioning the holder are present on the carried wafer holder 2, the holder stage 6 is driven so that the reference marks 2a and 2b are directly below the image pickup unit 8. Drive to detect images of the respective reference marks 2a and 2b. Here, coordinate correction amounts (X0, Y0) are used.

コントローラ部9はウェハ回転テーブル3を回転させながら、少なくとも1回転分以上の変位データを外形検出部4から取り込んでそのデータを解析することによって、搬入されたウェハのXY方向のずれ量(Xw、Yw)およびノッチ位置角度(θw)を検出する。この検出アルゴリズムには、公知の手法が用いられるので説明を省略する。   The controller unit 9 takes displacement data of at least one rotation while rotating the wafer turntable 3 from the outer shape detection unit 4 and analyzes the data, whereby the amount of deviation in the XY direction (Xw, Yw) and notch position angle (θw) are detected. Since a known method is used for this detection algorithm, description thereof is omitted.

コントローラ部9は2aおよび2bの検出座標からホルダステージ座標中心に対するウェハホルダ2のホルダステージ8に対する偏芯量および回転成分のずれ量を算出する。   The controller unit 9 calculates the eccentricity amount of the wafer holder 2 relative to the holder stage 8 relative to the holder stage coordinate center and the deviation amount of the rotation component from the detection coordinates 2a and 2b.

ウェハ1の位置ずれ量と、ウェハホルダ2の位置ずれ量が求まったら、次にウェハ1をウェハホルダ2に移載する動作を行う。以降の処理でも座標の補正量(X0、Y0)が用いられる。   When the positional deviation amount of the wafer 1 and the positional deviation amount of the wafer holder 2 are obtained, the operation of transferring the wafer 1 to the wafer holder 2 is performed next. The coordinate correction amounts (X0, Y0) are also used in the subsequent processing.

まず、ウェハ1のノッチn位置を0度位置(装置X座標)に合わせるため、ウェハ回転テーブル3を−θwだけ回転させる。このときウェハ1中心位置も−θwだけ回転するため、ノッチn位置を0度にあわせた後のXY方向のずれ量を算出する。   First, in order to align the notch n position of the wafer 1 with the 0 degree position (apparatus X coordinate), the wafer rotation table 3 is rotated by −θw. At this time, since the center position of the wafer 1 is also rotated by −θw, the shift amount in the XY directions after the notch n position is adjusted to 0 degree is calculated.

次にウェハ回転テーブル3上に保持しているウェハ1を搬送部5に渡すためにウェハ回転テーブル3を搬送機構部5の位置まで下降し、その位置で搬送機構部5がウェハ吸着を行って所定の吸着圧を確認後に、ウェハ回転テーブル3の真空吸着をOFFにする。その後ウェハ回転テーブル3は退避位置(搬送に干渉しない位置)まで下降する。   Next, in order to pass the wafer 1 held on the wafer rotation table 3 to the transfer unit 5, the wafer rotation table 3 is lowered to the position of the transfer mechanism unit 5, and the transfer mechanism unit 5 performs wafer suction at that position. After confirming the predetermined suction pressure, the vacuum suction of the wafer turntable 3 is turned off. Thereafter, the wafer turntable 3 is lowered to a retracted position (a position that does not interfere with conveyance).

搬送機構部5に受け渡されたウェハ1は、搬送機構部5をY方向の予め決められた送り位置まで駆動することによりホルダステージ6の真上の位置まで運ばれる。   The wafer 1 delivered to the transport mechanism unit 5 is transported to a position directly above the holder stage 6 by driving the transport mechanism unit 5 to a predetermined feeding position in the Y direction.

ホルダステージ6の真上まで搬送されたウェハ1をウェハホルダ2に移載するため、コントローラ9はホルダステージ6に対して受け取り位置まで移動するよう指令を出す。   In order to transfer the wafer 1 transported to the position just above the holder stage 6 to the wafer holder 2, the controller 9 instructs the holder stage 6 to move to the receiving position.

ホルダステージ6を、目標位置まで移動後、コントローラ9はホルダステージ6に付随するリフトピン7a〜7cを、搬送機構部5で保持しているウェハ1の裏面に接触する位置まで上昇させ、リフトピン7a〜7cによる真空吸着をONとしてウェハ1を保持する。   After the holder stage 6 is moved to the target position, the controller 9 raises the lift pins 7a to 7c attached to the holder stage 6 to a position where the lift pins 7a to 7c come into contact with the back surface of the wafer 1 held by the transfer mechanism unit 5, and the lift pins 7a to 7c. The wafer 1 is held with the vacuum suction by 7c turned ON.

コントローラ9は、リフトピン7a〜7cによるウェハ1の保持が確実に行われたことを確認後、搬送機構部5のウェハ吸着をOFFし、リフトピン7a〜7cをさらに上昇させ、搬送機構部5が駆動可能な退避位置で待機する。   After confirming that the wafer 1 is securely held by the lift pins 7a to 7c, the controller 9 turns off the wafer suction of the transfer mechanism unit 5, further raises the lift pins 7a to 7c, and the transfer mechanism unit 5 is driven. Wait at a possible retreat position.

リフトピン7a〜7cが待機位置に移動したことを確認後、コントローラ9は搬送機構部5を退避位置まで駆動し、その後ウェハ1を保持しているリフトピン7a〜7cをホルダステージ6上に保持されたウェハホルダ2の吸着面とウェハが接触する位置まで下降する。   After confirming that the lift pins 7 a to 7 c have moved to the standby position, the controller 9 drives the transfer mechanism 5 to the retracted position, and then the lift pins 7 a to 7 c holding the wafer 1 are held on the holder stage 6. The wafer holder 2 is lowered to a position where the suction surface of the wafer holder 2 comes into contact with the wafer.

次にコントローラ9は、ウェハホルダ2に静電保持用電圧を印加しウェハ1をウェハホルダ2に静電吸着する。保持用電圧を印加し所定の時間待ってウェハ1を適切な保持力で吸着したことを確認後リフトピン7a〜7cの真空吸着をOFFしてさらに下降し、退避位置で停止する。   Next, the controller 9 applies an electrostatic holding voltage to the wafer holder 2 to electrostatically attract the wafer 1 to the wafer holder 2. After applying the holding voltage and waiting for a predetermined time and confirming that the wafer 1 has been sucked with an appropriate holding force, the vacuum suction of the lift pins 7a to 7c is turned off, and further lowered, and stopped at the retracted position.

この時点でウェハ1はウェハホルダ2に移載されたことになるが、移載時にウェハ回転テーブル3上で発生していたウェハ1の偏芯量と、ウェハホルダ2位置ずれ量が一度の移動処理で補正されることが最大の特徴である。   At this time, the wafer 1 has been transferred to the wafer holder 2, but the eccentricity of the wafer 1 and the amount of positional deviation of the wafer holder 2 that occurred on the wafer turntable 3 at the time of transfer can be obtained by a single movement process. The greatest feature is that it is corrected.

この最初の移載処理の時点でウェハ1の外形中心とウェハホルダ2の中心が一致し、かつノッチn位置も0度位置に位置決めされていることになる。   At the time of the first transfer process, the center of the outer shape of the wafer 1 coincides with the center of the wafer holder 2, and the notch n position is also positioned at the 0 degree position.

次にウェハ1上に形成されたアライメントマーク1a及び1bが所定の範囲に入っているか検査する。ウェハ1上のアライメントマーク1a及び1bが存在する位置はウェハ1によって異なるので、処理開始前にオペレータが装置定数またはレシピにて登録しておく。   Next, it is inspected whether the alignment marks 1a and 1b formed on the wafer 1 are within a predetermined range. Since the positions where the alignment marks 1a and 1b exist on the wafer 1 differ depending on the wafer 1, the operator registers them with apparatus constants or recipes before starting the processing.

コントローラ9は、ウェハ1上に形成されたアライメントマークが画像撮像部8の直下になるようにホルダステージ6を駆動しアライメントマーク1a及び1bの画像検出を行う。少なくとも2点以上のアライメントマーク1a及び1bを検出したら、コントローラ部9は検出座標からホルダステージ座標中心に対するウェハ座標のずれ量および回転成分のずれ量を算出する。   The controller 9 detects the images of the alignment marks 1 a and 1 b by driving the holder stage 6 so that the alignment mark formed on the wafer 1 is directly below the image capturing unit 8. When at least two alignment marks 1a and 1b are detected, the controller unit 9 calculates a wafer coordinate shift amount and a rotation component shift amount with respect to the holder stage coordinate center from the detected coordinates.

次にコントローラ9は、ウェハホルダ座標に対するウェハ座標のずれ量が規定の範囲内か確認する。ウェハ座標のずれ量が規定の範囲以内であればウェハ移載終了と判断し、ウェハ1を吸着した状態のままウェハホルダ2を後工程の装置(張り合わせ装置など)に搬送する。   Next, the controller 9 confirms whether the amount of deviation of the wafer coordinates with respect to the wafer holder coordinates is within a specified range. If the amount of deviation of the wafer coordinates is within a specified range, it is determined that the wafer transfer is completed, and the wafer holder 2 is conveyed to a subsequent process apparatus (such as a bonding apparatus) while the wafer 1 is adsorbed.

もし、ウェハ座標のずれ量が規定の範囲を超えていた場合は、以下の手順により補正を行う。   If the deviation amount of the wafer coordinates exceeds the specified range, correction is performed according to the following procedure.

まずホルダステージ6を最初の移載時にウェハ受け取った位置まで再度移動する。移動完了後リフトピン7a〜7cを上方向に駆動し、ウェハ1の裏面に接触する位置で一旦停止し、リフトピン7a〜7cによるウェハの真空吸着をONにする。   First, the holder stage 6 is moved again to the position where the wafer is received at the time of the first transfer. After the movement is completed, the lift pins 7a to 7c are driven upward, temporarily stopped at a position where they contact the back surface of the wafer 1, and the vacuum suction of the wafer by the lift pins 7a to 7c is turned on.

次にウェハホルダ2に印加している静電吸着用電圧をOFFし、十分に保持力が低下したあとリフトピン7a〜7cを上昇させウェハ1を上方の待機位置で停止させる。   Next, the electrostatic chucking voltage applied to the wafer holder 2 is turned off, and after the holding force is sufficiently reduced, the lift pins 7a to 7c are raised to stop the wafer 1 at the upper standby position.

次に退避位置まで移動していた搬送機構部5を送り位置まで移動させ、ウェハ1の下方で待機させる。次にリフトピン7a〜7cを搬送機構部5とのウェハ受け渡し位置まで下降させ、搬送機構部5にウェハ1を真空吸着させた後、リフトピン7a〜7cの真空吸着をOFFして、最下部の退避位置まで下降させる。   Next, the transport mechanism unit 5 that has been moved to the retreat position is moved to the feed position, and is placed on standby under the wafer 1. Next, the lift pins 7a to 7c are lowered to the wafer delivery position with the transfer mechanism unit 5, the wafer 1 is vacuum-sucked to the transfer mechanism unit 5, and then the vacuum suction of the lift pins 7a to 7c is turned off and the lowermost part is retracted. Lower to position.

次にホルダステージ6を補正駆動する。補正駆動は、先ずθ回転軸、次にX軸およびY軸を補正駆動する。   Next, the holder stage 6 is corrected and driven. In the correction drive, first, the θ rotation axis, and then the X axis and the Y axis are corrected and driven.

ホルダステージ6の各軸の補正駆動を終了したら、最初の移載処理と同様な手順で搬送機構部5上に一時退避されたウェハ1をそのまま下降し、ウェハホルダ2に保持吸着させる。この処理によりウェハ座標のずれ量を規定の範囲内に入れることができたので、ウェハ1を吸着した状態のままウェハホルダ2を後工程の装置(張り合わせ装置など)に搬送する。以上で、ウェハ移載処理が終了する。   When the correction driving of each axis of the holder stage 6 is completed, the wafer 1 temporarily retracted on the transport mechanism unit 5 is lowered as it is in the same procedure as the first transfer process, and is held and attracted to the wafer holder 2. Since the wafer coordinate deviation amount can be set within a specified range by this processing, the wafer holder 2 is transported to a subsequent process apparatus (such as a bonding apparatus) while the wafer 1 is adsorbed. This completes the wafer transfer process.

以上述べたように、実施の形態にかかる位置決め装置によれば、装置周辺の温度変化などによる画像撮像部(カメラ)8の位置ずれを事前に検出することで座標ずれ補正を可能にすることができる。また、ずれ補正が可能なことにより、ウェハとウェハホルダの位置決め精度を向上させることができる。この結果、半導体装置の接合不良を低減することが可能になる。   As described above, according to the positioning device according to the embodiment, it is possible to correct the coordinate deviation by detecting in advance the positional deviation of the image pickup unit (camera) 8 due to a temperature change around the apparatus. it can. Further, since the deviation correction is possible, the positioning accuracy of the wafer and the wafer holder can be improved. As a result, it is possible to reduce the bonding failure of the semiconductor device.

また、カメラのずれ計測にリフトピンの一つを使用することができるため、新たに基準位置を設ける必要が無く、安価に構成することができる。   Further, since one of the lift pins can be used for camera displacement measurement, there is no need to newly provide a reference position, and the camera can be configured at low cost.

なお、上述の実施の形態は例に過ぎず、上述の構成や形状に限定されるものではなく、本発明の範囲内において適宜修正、変更が可能である。   The above-described embodiment is merely an example, and is not limited to the above-described configuration and shape, and can be appropriately modified and changed within the scope of the present invention.

1 ウェハ
1a,1b アライメントマーク
2 ウェハホルダ
2a、2b 基準マーク
3 ウェハ回転テーブル
4 外形検出部
5 搬送機構部
6 ホルダステージ
7a、7b、7c リフトピン
8 画像撮像部
9 コントローラ部
10 ウェハ外形検出装置
11 ウェハローダー部
12 ホルダローダー部
50 位置決め装置
51 支持部
60 搬送ロボット
90 ウェハ針合わせ装置
100 半導体製造装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wafer 1a, 1b Alignment mark 2 Wafer holder 2a, 2b Reference mark 3 Wafer rotation table 4 External shape detection part 5 Conveyance mechanism part 6 Holder stage 7a, 7b, 7c Lift pin 8 Image pick-up part 9 Controller part 10 Wafer external shape detection apparatus 11 Wafer loader Part 12 Holder loader part 50 Positioning device 51 Supporting part 60 Transfer robot 90 Wafer needle alignment apparatus 100 Semiconductor manufacturing apparatus

Claims (1)

ウェハホルダに位置決めされるウェハを保持し、XYθ方向に移動可能なホルダステージと、
前記ウェハと前記ウェハホルダのそれぞれの基準マークを検出する検出装置と、
前記ホルダステージに形成された基準ポイントの位置座標を前記検出装置で検出した結果に基づき、前記検出装置と前記ホルダステージとの位置座標の変化量を計測する制御部とを有し、
前記制御部は、前記計測された位置座標の変化量に基づき、前記ウェハと前記ウェハホルダとの位置決め量を前記ホルダステージを介して補正することを特徴とする位置決め装置。
A holder stage that holds the wafer positioned in the wafer holder and is movable in the XYθ direction;
A detection device for detecting the respective reference marks of the wafer and the wafer holder;
Based on the result of detecting the position coordinates of the reference point formed on the holder stage by the detection device, a control unit that measures the amount of change in the position coordinates of the detection device and the holder stage,
The controller is configured to correct a positioning amount between the wafer and the wafer holder via the holder stage based on the measured change amount of the position coordinates.
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