JP2013181930A - 四フッ化メタンの測定方法、及び装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】情報処理を簡素化することができる四フッ化メタンの測定技術を提供すること。
【解決手段】中心波長9035±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタンの濃度を検出し、中心波長7850±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタン相当分を相殺補正する。
【選択図】なし
【解決手段】中心波長9035±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタンの濃度を検出し、中心波長7850±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタン相当分を相殺補正する。
【選択図】なし
Description
本発明は光学的に四フッ化メタンの濃度を測定する技術に関する。
半導体製造工場から排出されるPFC (Perfluorocompounds/多フッ化化合物)に関して、温暖化対策推進法により、PFCを一定量以上排出する事業者は、排出量の報告が義務化されている。
このためマススペクトル法や特許文献1に記載されたFT-IRスペクトル法により対象ガスであるCHF3、CF4(四フッ化メタン)、C2F6(六フッ化エタン)、C3F8、C4F8、SF6、NF3などが測定されている。
しかしながら前者の手法は測定装置が大型であり、また後者は各成分間の干渉を除去するための信号処理が複雑であるという不都合がある。
しかしながら前者の手法は測定装置が大型であり、また後者は各成分間の干渉を除去するための信号処理が複雑であるという不都合がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは妨害成分である六フッ化エタンだけに吸収が生じるスペクトル領域が存在することを積極的に利用して情報処理を簡素化することができる四フッ化メタン(CF4)の測定技術を提供することである。
このような課題を達成するために本発明は、中心波長9035±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタンの濃度を検出し、中心波長7850±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタン相当分を相殺補正する。
四フッ化メタンの吸収が可及的に低い領域で六フッ化エタンの吸光度を検出して六フッ化エタンの濃度を検出し、このデータに基づいて四フッ化メタンと六フッ化エタンとの吸光領域での六フッ化エタンによる成分を補正するようにしたので、可及的に簡単なデータ処理で六フッ化エタンが混在する環境での四フッ化メタンの濃度を正確に測定できる。
図1は、本発明の一実施例を示すものであって赤外線ガスセンサ1は、被測定ガスが流入可能なセル2に赤外線発光手段3と、この発光手段3から一定の距離を隔てて異なる波長の光を検出する受光手段4,5を配置して構成されている。それぞれの受光手段4,5の入射口側には図2に示したように中心波長7850±50nm、半値幅185±20
nmのバンドパスフィルタ6、及び中心波長9035±50nm、半値幅160±20nmのバンドパスフィルタ7が配置されている。
nmのバンドパスフィルタ6、及び中心波長9035±50nm、半値幅160±20nmのバンドパスフィルタ7が配置されている。
一方、CF4(四フッ化メタン)、及びC2F6(六フッ化エタン)をそれぞれの吸収スペクトルは図2(A)(B)に示すようになる。
一方、CF4(四フッ化メタン)とC2F6(六フッ化エタン)とが混在したガスの吸光度は、図3のように中心波長9035nmにC2F6(六フッ化エタン)単独の吸収スペクトルが存在する。このC2F6(六フッ化エタン)の吸光度を受光手段5により検出し、信号処理手段8でC2F6(六フッ化エタン)の濃度を算出する。
他方、受光手段4には中心波長7850の光、つまりCF4(四フッ化メタン)とC2F6(六フッ化エタン)とのそれぞれの濃度に依存して吸収された強度の赤外光が入射する。
他方、受光手段4には中心波長7850の光、つまりCF4(四フッ化メタン)とC2F6(六フッ化エタン)とのそれぞれの濃度に依存して吸収された強度の赤外光が入射する。
信号処理手段8は、中心波長9035nmの吸光度により測定されたC2F6(六フッ化エタン)の濃度に基づいて中心波長7850nmでのC2F6(六フッ化エタン)の吸光度分を算出、補正してCF4(四フッ化メタン)の濃度を算出する。
これにより受光手段4からの信号の内、C2F6(六フッ化エタン)の濃度に起因する分を相殺することによりCF4(四フッ化メタン)の濃度をC2F6(六フッ化エタン)の影響を排除して測定できる。
なお、上述の実施例においては図に示したように中心波長7850±50nm、半値幅185±20nmのバンドパスフィルタ6、及び中心波長9035±50nm、半値幅160±20nmのバンドパスフィルタ7の信号を同時に検出しているが、ガスの濃度の変化が緩やかな場合には単一の受光手段と2つのバンドパスフィルタとを用い、受光手段にいずれか一方のフィルタを通過した光が入射するように相対的に移動させるようにしてもよい。
1 赤外線ガスセンサ 2 セル 3 赤外線発光手段 4,5 受光手段 6,7 バンドパスフィルタ
Claims (2)
- 中心波長9035±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタンの濃度を検出し、中心波長7850±50nmの吸光度に基づいて六フッ化エタン相当分を相殺補正する四フッ化メタン測定方法。
- 赤外発光手段と、中心波長7850±50nm、及び中心波長9035±50nmの赤外光を受ける受光手段と、中心波長9035±50nmの信号により六フッ化エタンの濃度を検出する一方、中心波長7850±50nmの信号から四フッ化メタンの成分を相殺する信号処理手段とからなる四フッ化メタン測定装置。
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US20040200963A1 (en) * | 2003-01-20 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corporation | Infrared absorption measurement method, infrared absorption measurement device, and method of manufacturing semiconductor device |
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