JP2013167649A - テラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 テラヘルツ波検出部104と、前記テラヘルツ波検出部で取得される信号を用いて、テラヘルツ波に関する第1の応答信号を成形する波形成形部105と、第1の測定条件を取得する測定条件取得部108と、測定条件に対応した第2の応答信号を記憶している応答信号記憶部109と、前記第2の応答信号を、前記応答信号記憶部から選択する選択部110と、前記第2の応答信号による逆畳込み演算を、前記第1の応答信号に対して行う信号処理部106とを有する。
【選択図】 図1
Description
本実施形態は、第1の本発明に係るテラヘルツ波を用いた検査装置の一形態を示したものである。
第2の本発明に係るテラヘルツ波を用いた検査方法は、以下の工程を有することを特徴とする。
本実施形態は、本発明のテラヘルツ波検査装置に関する一形態を示したものである。具体的には、本実施形態は、上述したテラヘルツ波検査装置の変形例に関するものである。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。
本実施形態は、本発明のテラヘルツ波検査装置に関する一形態を示したものである。具体的には、本実施形態は、上述したテラヘルツ波検査装置の変形例に関するものである。尚、これまでの説明と共通する部分の説明は省略する。
本実施例は、実施形態1に示す測定環境の経時的な変化を抑制するテラヘルツ波検査装置に関するものである。
本実施例は、実施形態1に示す測定物111内部の物質の構成比率の変化を抑制するテラヘルツ波検査装置に関するものである。
本実施例は、実施形態3に示す測定物111の経時的な構造変化を抑制し、測定物111内部の異物の検査を行うテラヘルツ波検査装置に関するものである。
本実施例は、実施形態4に示す測定環境の経時的な変化を抑制するテラヘルツ波検査装置に関するものである。特に、本実施例は、イメージング検査装置に関するものである。
本実施例は、実施形態4に示す測定環境の経時的な変化を抑制するテラヘルツ波検査装置に関するものである。特に、本実施例は、イメージング検査装置に関するものである。より詳しくは、実施例4が測定物111として紙を測定している例であるのに対し、ここでは、テフロン(登録商標)シートを測定する例を示している。そのため、実施例4と共通する部分の説明は省略する。
102 テラヘルツ波発生部
103 遅延部
104 テラヘルツ波検出部
105 波形成形部
106 信号処理部
107 出力部
108 測定条件取得部
109 応答信号記憶部
110 応答信号選択部
111 測定物
112 相関情報記憶部
113 応答信号調整部
614 比較部
615 比較情報記憶部
916 ステージ
1317 粉体
1318 コーティング膜
1319 複数の検査領域
1420 異物
Claims (8)
- テラヘルツ波を用いた検査装置であって、
テラヘルツ波発生部と、
該テラヘルツ波発生部から測定物に照射されたパルス状のテラヘルツ波を、該測定物を介して検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部で取得される信号を用いて、テラヘルツ波の時間波形である第1の応答信号を成形する波形成形部と、
前記第1の応答信号を変化し得る第1の測定条件を取得する測定条件取得部と、
第2の測定条件と関連付けられている第2の応答信号を記憶する応答信号記憶部と、
前記第1の測定条件を用いて、前記応答信号記憶部から前記第2の応答信号を選択する選択部と、
前記第2の応答信号による逆畳み込み演算を、前記第1の応答信号に対して行う信号処理部と、を有することを特徴とする検査装置。 - テラヘルツ時間領域分光法を用いることを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
- 前記テラヘルツ波発生部からのテラヘルツ波を前記測定物上に集光する手段を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。
- 前記第2の応答信号は、前記第1の測定条件に最も近い前記第2の測定条件に対応した応答信号であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記測定条件は、該検査装置の測定環境であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記測定条件は、前記測定物の物性に関連する情報であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記測定条件は、前記測定物の構造に関連する情報であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検査装置。
- テラヘルツ波を用いた検査方法であって、
測定物に照射されたパルス状のテラヘルツ波を、該測定物を介して検出することによって時間波形である第1の応答信号を成形する工程と、
前記第1の応答信号を変化し得る測定条件を取得する工程と、を有し、
取得された前記測定条件に対応した第2の応答信号を用いて、前記第1の応答信号に対する畳み込み演算を行うことを特徴とする検査方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9448113B2 (en) | 2014-04-14 | 2016-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement apparatus, information obtaining apparatus, and measurement method |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100195092A1 (en) * | 2007-10-16 | 2010-08-05 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Noncontact film thickness measurement method and device |
JP4807707B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2011-11-02 | キヤノン株式会社 | 波形情報取得装置 |
JP4975001B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 波形情報取得装置及び波形情報取得方法 |
JP5341488B2 (ja) | 2008-01-18 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ波を測定するための装置及び方法 |
JP5632599B2 (ja) | 2009-09-07 | 2014-11-26 | キヤノン株式会社 | 発振器 |
WO2012108306A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物検出装置及び異物検出方法 |
JP5735824B2 (ja) | 2011-03-04 | 2015-06-17 | キヤノン株式会社 | 情報取得装置及び情報取得方法 |
JP5768429B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-26 | セイコーエプソン株式会社 | テラヘルツ波検出装置、テラヘルツ波長フィルター、イメージング装置および計測装置 |
JP2013076618A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Sony Corp | 光伝導素子、レンズ、テラヘルツ放射顕微鏡及びデバイスの製造方法 |
DE102012215496B4 (de) * | 2012-08-31 | 2022-07-14 | Siemens Healthcare Gmbh | Verfahren zur automatischen Positionierung eines Aufnahmesystems eines Röntgengerätes und Röntgengerät |
JP2014122875A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-07-03 | Canon Inc | 層状物体の測定装置および方法 |
CN103115893A (zh) * | 2013-01-30 | 2013-05-22 | 大连理工大学 | 一种检测托卡马克钨第一壁灰尘沉积层成分及厚度的装置 |
GB201303324D0 (en) * | 2013-02-25 | 2013-04-10 | Subterandt Ltd | Passive detection of deformation under coatings |
JP2014174082A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-09-22 | Seiko Epson Corp | 標本検査装置 |
EP2781911B1 (en) * | 2013-03-18 | 2019-10-16 | ABB Schweiz AG | Sensor system and method for determining paper sheet quality parameters |
JP2015099031A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体マイクロ分析チップ及びその製造方法 |
CN103698275A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 北京理工大学 | 一种在透射和反射测量间切换的测光装置 |
CN104749110B (zh) * | 2013-12-30 | 2019-04-02 | 深圳先进技术研究院 | 光谱检测装置 |
CN104034690A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-10 | 清华大学 | 一种宽带太赫兹时域光谱的分析方法及便携式分析装置 |
CN106370109A (zh) * | 2016-08-19 | 2017-02-01 | 南开大学 | 一种桥梁基桩钢筋笼长度检测装置及检测方法 |
JP6428728B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2018-11-28 | ニプロ株式会社 | テラヘルツパルス波を用いた粉末中の異物検出装置および異物検出方法 |
JP6843600B2 (ja) | 2016-11-28 | 2021-03-17 | キヤノン株式会社 | 画像取得装置、これを用いた画像取得方法及び照射装置 |
US11099001B2 (en) * | 2016-12-06 | 2021-08-24 | Pioneer Corporation | Inspection apparatus, inspection method, computer program and recording medium |
EP3695210B1 (en) | 2017-10-13 | 2023-01-04 | ABB Schweiz AG | Method and apparatus for detecting a pulsed thz beam with time of flight correction |
CN108279671B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-12-14 | 深圳市易成自动驾驶技术有限公司 | 基于太赫兹的环境感知方法、装置及计算机可读存储介质 |
WO2019180556A1 (en) | 2018-03-22 | 2019-09-26 | 3M Innovative Properties Company | Time-domain terahertz measurement system having a single reference surface |
JP7455611B2 (ja) | 2019-03-14 | 2024-03-26 | キヤノン株式会社 | 処理システム |
CN110031416B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-07-06 | 北京印刷学院 | 气体浓度检测装置及方法 |
JP7362409B2 (ja) | 2019-10-17 | 2023-10-17 | キヤノン株式会社 | 照明装置およびカメラシステム |
JP7365042B2 (ja) * | 2019-10-18 | 2023-10-19 | フェムトディプロイメンツ株式会社 | 電磁波信号解析装置および電磁波信号解析用プログラム |
CN111351764B (zh) * | 2020-02-27 | 2024-01-23 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种基于太赫兹技术的材料检测装置及检测方法 |
JP7361920B2 (ja) * | 2020-06-22 | 2023-10-16 | 株式会社日立ハイテク | 遠赤外分光装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11108845A (ja) * | 1997-03-14 | 1999-04-23 | Lucent Technol Inc | 検査対象物の組成画像をリアルタイムで提供する方法 |
JP2004101510A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-04-02 | Tochigi Nikon Corp | パルス光を用いた分光計測方法および装置 |
JP2007085857A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面プラズモン共鳴スペクトル測定装置におけるデータ校正方法 |
JP2007101189A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透過型電磁波イメージング装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1188091A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 音響信号制御装置、その装置およびそのプログラム記録媒体 |
US6448553B1 (en) * | 1999-04-26 | 2002-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal detector to be used with scanning probe and atomic force microscope |
JP2002310882A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-23 | Canon Inc | 走査型プローブによる信号検出装置、該装置によるプローブ顕微鏡、及び走査型プローブによる信号検出方法、該方法を用いてサンプル表面を観察する観察方法 |
WO2003023383A2 (en) | 2001-09-12 | 2003-03-20 | Teraview Limited | Imaging apparatus and method |
GB2385415B (en) * | 2002-02-15 | 2005-09-14 | Teraview Ltd | An analysis apparatus and method |
US6983213B2 (en) * | 2003-10-20 | 2006-01-03 | Cerno Bioscience Llc | Methods for operating mass spectrometry (MS) instrument systems |
JP4136858B2 (ja) * | 2003-09-12 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | 位置検出装置、及び情報入力装置 |
GB2410081B (en) * | 2004-01-19 | 2007-02-21 | Limited Cambridge University T | Terahertz radiation sensor and imaging system |
JP4217646B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2009-02-04 | キヤノン株式会社 | 認証方法及び認証装置 |
US20050231416A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-20 | Rowe Richard L | Relational millimeter-wave interrogating |
JP2006121643A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-05-11 | Canon Inc | 平面アンテナ |
JP4642458B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-03-02 | 富士通株式会社 | 波長分散発生装置 |
JP4878180B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2012-02-15 | キヤノン株式会社 | 電磁波を用いる検査装置 |
JP2006275867A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Tochigi Nikon Corp | テラヘルツ光検査装置 |
DE102005023160B4 (de) * | 2005-05-19 | 2007-04-05 | Beltz, Robert, Dipl.-Math. | Vorrichtung zur Erfassung und Bewertung von hygroskopischen Materialien |
JP4898472B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2012-03-14 | キヤノン株式会社 | 検査装置 |
GB2438215B (en) * | 2006-05-19 | 2011-06-08 | Teraview Ltd | A THz investigation apparatus and method |
US20080161674A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Donald Martin Monro | Active in vivo spectroscopy |
JP4977048B2 (ja) * | 2007-02-01 | 2012-07-18 | キヤノン株式会社 | アンテナ素子 |
US8067739B2 (en) * | 2007-06-22 | 2011-11-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoconductive element for generation and detection of terahertz wave |
-
2008
- 2008-11-26 JP JP2008301214A patent/JP5328319B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-01-14 EP EP20090150532 patent/EP2085765A1/en not_active Withdrawn
- 2009-01-23 US US12/359,225 patent/US7919752B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-23 CN CN2009100097063A patent/CN101498654B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-06-03 JP JP2013117385A patent/JP5546669B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11108845A (ja) * | 1997-03-14 | 1999-04-23 | Lucent Technol Inc | 検査対象物の組成画像をリアルタイムで提供する方法 |
JP2004101510A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-04-02 | Tochigi Nikon Corp | パルス光を用いた分光計測方法および装置 |
JP2007085857A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-04-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 表面プラズモン共鳴スペクトル測定装置におけるデータ校正方法 |
JP2007101189A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 透過型電磁波イメージング装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9448113B2 (en) | 2014-04-14 | 2016-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Measurement apparatus, information obtaining apparatus, and measurement method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7919752B2 (en) | 2011-04-05 |
JP5546669B2 (ja) | 2014-07-09 |
EP2085765A1 (en) | 2009-08-05 |
US20090189078A1 (en) | 2009-07-30 |
CN101498654B (zh) | 2010-11-17 |
JP2009204605A (ja) | 2009-09-10 |
JP5328319B2 (ja) | 2013-10-30 |
CN101498654A (zh) | 2009-08-05 |
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