JP2013165112A - Aggregate substrate for chip resistor and manufacturing method of chip resistor - Google Patents

Aggregate substrate for chip resistor and manufacturing method of chip resistor Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an aggregate substrate suitable for multi-piece chip resistors in which imperfect contact of a probe is less likely to occur, and to provide a manufacturing method of a chip resistor using the aggregate substrate.SOLUTION: On the front and back principal surfaces of an aggregate substrate 10, as rectangular regions sectioned by split grooves 11, 12 of lattice shape, a plurality of adjoining first chip regions A1 and second chip regions A2 of the same size are arranged, so that the chip regions A1 of one principal surface and the chip regions A2 of the other principal surface have a positional relation corresponding on the front and back. A pair of front surface electrodes 3a being bridged to a resistor 5 are provided at both ends of each first chip region A1 in the longitudinal direction, and a pair of back surface electrodes 3b are provided at both ends of each second chip region A2 in the longitudinal direction. The front surface electrodes 3a and the back surface electrodes 3b in the chip regions A1, A2 adjoining via the split groove 11 are continuous. When forming a trimming groove 8, resistance is measured by touching a probe 20 to an electrode pattern 3 including both electrodes 3a, 3b.

Description

本発明は、格子状の分割ラインに沿って分割することで多数個のチップ抵抗器が得られるチップ抵抗器用集合基板と、この集合基板を用いて行われるチップ抵抗器の製造方法とに関する。   The present invention relates to a chip resistor collective substrate in which a large number of chip resistors are obtained by dividing along a grid-like dividing line, and a chip resistor manufacturing method performed using the collective substrate.

チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基台と、絶縁性基台の長手方向の両端部に設けられた電極部と、対をなす電極部どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を被覆する絶縁性の保護コート等によって主に構成されている。絶縁性基台はセラミック等からなり、電極部は下地電極層にめっき処理を施して形成されている。また、下地電極層は表面電極と裏面電極および両電極を橋絡する端面電極とからなり、絶縁性基台の片面で一対の表面電極が抵抗体によって橋絡されている。   The chip resistor is a rectangular parallelepiped insulating base, electrode portions provided at both ends of the insulating base in the longitudinal direction, a resistor that bridges the paired electrode portions, and a resistor covering It is mainly composed of an insulating protective coat. The insulating base is made of ceramic or the like, and the electrode part is formed by plating the base electrode layer. The base electrode layer includes a front electrode, a back electrode, and an end face electrode that bridges both electrodes, and a pair of surface electrodes are bridged by a resistor on one side of the insulating base.

このようなチップ抵抗器を製造する際には、大判の集合基板に対して多数個分の電極や抵抗体や保護コート等を一括して形成した後、この集合基板を格子状の分割ライン(例えば分割溝)に沿って分割してチップ抵抗器を多数個取りする。かかるチップ抵抗器の製造過程で、集合基板の一方の主面には所定の配列で多数の抵抗体が印刷形成されるが、印刷時の位置ずれや滲み、あるいは焼成炉内の温度むら等の影響により、各抵抗体の大きさや膜厚に若干のばらつきを生じることは避け難い。そのため、チップ抵抗器を製造する際には、集合基板の状態で各抵抗体にトリミング溝を形成して所望の抵抗値(電気抵抗)に設定するという抵抗値調整作業が行われる。   When manufacturing such a chip resistor, after forming a large number of electrodes, resistors, protective coatings, etc. on a large aggregate substrate at once, the aggregate substrate is divided into a grid-like dividing line ( For example, a large number of chip resistors are taken along a dividing groove. In the manufacturing process of such a chip resistor, a large number of resistors are printed and formed in a predetermined arrangement on one main surface of the collective substrate. However, such as misalignment and bleeding during printing, or uneven temperature in the firing furnace, etc. Due to the influence, it is difficult to avoid slight variations in the size and film thickness of each resistor. Therefore, when manufacturing a chip resistor, a resistance value adjustment operation is performed in which trimming grooves are formed in each resistor in the state of the collective substrate and set to a desired resistance value (electric resistance).

図17は従来の一般的なチップ抵抗器用集合基板における抵抗値調整前の状態を示す平面図、図18は該集合基板の断面図であり、これらの図において、集合基板30の表裏両主面は格子状の分割ライン31,32によって多数の矩形状のチップ領域Aに区画されている。集合基板30の一方の主面S1において、各チップ領域Aには、長手方向(図示左右方向)の両端部に一対の表面電極33が印刷形成されていると共に、対をなす表面電極33どうしを橋絡する抵抗体34が印刷形成されている。なお、長手方向に隣り合うチップ領域Aの表面電極33どうしは、図示上下方向に延びる分割ライン31を横断して連続しているが、集合基板30は1次分割工程で分割ライン31に沿って分割される。また、集合基板30の他方の主面S2において、各チップ領域Aの長手方向の両端部には一対の裏面電極35が印刷形成されており、長手方向に隣り合うチップ領域Aの裏面電極35どうしも分割ライン31を横断して連続している。そして、集合基板30の主面S1に露出する各抵抗体34を図示せぬアンダーコート(1層目の保護コート)で覆った後、各抵抗体34の抵抗値を1つずつ調整していく。   FIG. 17 is a plan view showing a state before resistance value adjustment in a conventional general chip resistor aggregate board, and FIG. 18 is a cross-sectional view of the aggregate board. In these figures, both front and back main surfaces of the aggregate board 30 are shown. Is divided into a large number of rectangular chip regions A by lattice-shaped dividing lines 31 and 32. On one main surface S1 of the collective substrate 30, a pair of surface electrodes 33 are printed and formed on both end portions in the longitudinal direction (the left-right direction in the drawing) in each chip region A. A bridging resistor 34 is printed. Although the surface electrodes 33 of the chip regions A adjacent in the longitudinal direction are continuous across the dividing line 31 extending in the vertical direction in the figure, the collective substrate 30 is along the dividing line 31 in the primary dividing step. Divided. In addition, on the other main surface S2 of the collective substrate 30, a pair of back surface electrodes 35 are printed on both ends of each chip region A in the longitudinal direction, and the back surface electrodes 35 of the chip regions A adjacent in the longitudinal direction are formed. Is also continuous across the dividing line 31. Then, after covering each resistor 34 exposed on the main surface S1 of the collective substrate 30 with an unillustrated undercoat (first-layer protective coat), the resistance value of each resistor 34 is adjusted one by one. .

抵抗体34の抵抗値を調整する際には、抵抗体34によって橋絡されている一対の表面電極33に図示せぬ測定用のプローブを接触させた状態で、該抵抗体34にレーザビームを照射してトリミング溝を形成していく。そして、トリミング溝を長くするのに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体34の抵抗値が所望の値に達した時点でレーザビームの照射をオフにする。   When the resistance value of the resistor 34 is adjusted, a laser beam is applied to the resistor 34 in a state where a probe for measurement (not shown) is in contact with the pair of surface electrodes 33 bridged by the resistor 34. Irradiation forms trimming grooves. Since the resistance value increases as the trimming groove is lengthened, the laser beam irradiation is turned off when the resistance value of the resistor 34 to be trimmed reaches a desired value.

なお、抵抗値調整後に、抵抗体34とトリミング溝およびアンダーコート等は、2層目の保護コートであるオーバーコートによって被覆される。また、集合基板30は前記1次分割工程で短冊状基板に分割され、その分割面に前記端面電極を形成した後、短冊状基板を分割ライン32に沿って個片に分割する2次分割工程が行われる。そして、個片化されたチップ単体の下地電極層(表面電極と裏面電極および端面電極)にニッケルや半田等のめっき層を被着させて前記電極部となし、チップ抵抗器が完成する。   After the resistance value adjustment, the resistor 34, the trimming groove, the undercoat, and the like are covered with an overcoat that is a second-layer protective coat. Further, the aggregate substrate 30 is divided into strip-shaped substrates in the primary dividing step, and after forming the end face electrodes on the dividing surface, the secondary dividing step of dividing the strip-shaped substrate into individual pieces along the dividing lines 32. Is done. Then, a plated layer of nickel, solder, or the like is deposited on the individual base electrode layer (front electrode, back electrode, and end electrode) of the singulated chip to form the electrode portion, thereby completing the chip resistor.

ところで、チップ抵抗器の小型化が促進されると、集合基板30におけるチップ領域Aが狭くなって表面電極33が小面積化されるため、トリミング溝を形成する際にプローブを表面電極33に安定的に接触させることが次第に困難になってくる。プローブの接触不良が発生すると正確な抵抗値を測定できなくなるため、製造歩留まりは大幅に低下する。そこで、チップ抵抗器の小型化に伴って集合基板におけるチップ領域が狭くなった場合でも、プローブによる抵抗値の測定を安定して行えるようにするために、チップ領域の近傍に表面電極から延出させた測定用電極を設けておくという技術が従来より提案されている(例えば、特許文献1参照)。このような測定用電極は、集合基板のうちチップ抵抗器として利用されない切除余白部分に設けられており、測定用電極と表面電極は一括して印刷形成される。   By the way, when the miniaturization of the chip resistor is promoted, the chip region A in the collective substrate 30 is narrowed and the surface electrode 33 is reduced in area. It becomes increasingly difficult to make contact. If a probe contact failure occurs, an accurate resistance value cannot be measured, and the manufacturing yield is greatly reduced. Therefore, even when the chip area of the collective substrate becomes narrower as the chip resistor is made smaller, it extends from the surface electrode in the vicinity of the chip area so that the resistance value can be stably measured by the probe. Conventionally, a technique of providing the measured electrodes that have been provided has been proposed (see, for example, Patent Document 1). Such a measurement electrode is provided in an excision blank portion of the collective substrate that is not used as a chip resistor, and the measurement electrode and the surface electrode are collectively printed.

特開2005−303199号公報JP 2005-303199 A

特許文献1に記載されている集合基板のように、表面電極から延出する測定用電極をチップ領域の近傍に設けておけば、これら両電極を含む比較的大きな電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗体の抵抗値を測定できるため、表面電極が小面積化された場合でも、トリミング溝を形成する際にプローブの接触不良が発生しにくくなる。しかしながら、かかる従来の集合基板では、測定用電極を形成するためにチップ領域の近傍に切除余白部分を確保しなければならないため、1枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数が減ってしまい、生産性が悪いという問題があった。   If the measurement electrode extending from the surface electrode is provided in the vicinity of the chip region as in the collective substrate described in Patent Document 1, the probe is brought into contact with a relatively large electrode pattern including both electrodes. Since the resistance value of the resistor can be measured by this, even when the surface electrode is reduced in area, poor probe contact is less likely to occur when the trimming groove is formed. However, in such a conventional collective substrate, it is necessary to secure an excision blank portion in the vicinity of the chip region in order to form the measurement electrode, so that the number of chip resistors obtained from one collective substrate is reduced. There was a problem of poor productivity.

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その第1の目的は、チップ抵抗器の多数個取りに好適でプローブの接触不良も発生しにくい集合基板を提供することにある。また、本発明の第2の目的は、かかる集合基板を用いたチップ抵抗器の製造に好適な製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a state of the art, and a first object of the present invention is to provide a collective substrate that is suitable for picking up a large number of chip resistors and is unlikely to cause poor probe contact. It is in. A second object of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing a chip resistor using such an aggregate substrate.

上記の第1の目的を達成するために、本発明は、格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られる集合基板において、前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、表裏両主面にそれぞれ同じ大きさの第1のチップ領域と第2のチップ領域とが隣り合うように複数並んで配列されており、前記第1のチップ領域の長手方向の両端部に前記抵抗体に橋絡される一対の前記表面電極が設けられると共に、前記第2のチップ領域の長手方向の両端部に一対の前記裏面電極が設けられ、且つ、前記分割ラインを介して隣り合う前記第1および第2のチップ領域内の前記表面電極と前記裏面電極とが連続させてあるという構成にした。   In order to achieve the first object described above, the present invention divides along a grid-like dividing line, thereby having a resistor and a surface electrode on one side and a back electrode on the opposite side. In a collective substrate from which resistors are obtained collectively, a first chip region and a second chip region having the same size are adjacent to each other on both the front and back main surfaces as rectangular regions defined by the dividing lines. A plurality of the surface electrodes that are bridged by the resistor are provided at both ends in the longitudinal direction of the first chip region, and the longitudinal direction of the second chip region. A pair of the back surface electrodes is provided at both ends of the surface, and the front surface electrode and the back surface electrode in the first and second chip regions adjacent to each other via the dividing line are continuous. did.

このように集合基板の表裏両主面で、チップ抵抗器の表面電極が設けられる第1のチップ領域と別のチップ抵抗器の裏面電極が設けられる第2のチップ領域とが隣り合うように設定してあると、隣接する第1および第2のチップ領域内の表面電極と裏面電極とを連続させてなる比較的大きな電極パターンが形成できる。チップ抵抗器を小型化する場合、抵抗体の実効長を確保するために表面電極は小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がない。そのため、表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、表面電極と裏面電極を含む電極パターンは、隣接する第1および第2のチップ領域内に設ければ良く、チップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要はないため、第1および第2のチップ領域を高密度に配列して、1枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。   As described above, the first chip region where the front surface electrode of the chip resistor is provided and the second chip region where the back surface electrode of another chip resistor is provided are adjacent to each other on both the front and back main surfaces of the collective substrate. As a result, a relatively large electrode pattern in which the front electrode and the back electrode in the adjacent first and second chip regions are continuous can be formed. When the chip resistor is downsized, the surface electrode is reduced in area to ensure the effective length of the resistor, but the back electrode soldered to the land does not need to be as small as the surface electrode. Therefore, even if the surface electrode is reduced in area, it is not necessary to make the entire electrode pattern including the back electrode extremely small, and when adjusting the resistance value for forming the trimming groove in the resistor, the probe is brought into contact with this electrode pattern. This makes it possible to easily measure the resistance value. In addition, the electrode pattern including the front electrode and the back electrode may be provided in the adjacent first and second chip regions, and it is necessary to secure an excision blank region for extending the electrode pattern in the vicinity of the chip region. Therefore, the number of chip resistors obtained from one collective substrate can be increased by arranging the first and second chip regions at high density.

なお、上記の如く裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がないので、第1のチップ領域の対をなす表面電極どうしの間隔に比べて、第2のチップ領域の対をなす裏面電極どうしの間隔が狭く設定されていることが好ましい。こうすることによって、プローブを接触させる電極パターンに所要の面積が確保しやすくなる。   Since the back electrode does not need to be as small as the front electrode as described above, the distance between the back electrodes forming the second chip region pair is larger than the distance between the surface electrodes forming the first chip region pair. Is preferably set narrowly. By doing so, it becomes easy to secure a required area for the electrode pattern in contact with the probe.

また、かかるチップ抵抗器用集合基板において、第1のチップ領域と第2のチップ領域とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、且つ、第1のチップ領域の短手方向には該第1のチップ領域のみが並び、第2のチップ領域の短手方向には該第2のチップ領域のみが並ぶように配列されていると、トリミング溝の形成後に、短手方向に1列に並ぶ複数のチップ領域を帯状の保護コートでまとめて被覆できるため好ましい。   Further, in such a chip resistor aggregate substrate, the first chip regions and the second chip regions are alternately arranged along the longitudinal direction of the both, and in the short direction of the first chip region, When only the first chip regions are arranged and only the second chip regions are arranged in the short direction of the second chip region, the trimming grooves are formed and then arranged in a row in the short direction. It is preferable because a plurality of aligned chip regions can be collectively covered with a band-shaped protective coat.

上記の第2の目的を達成するために、本発明は、集合基板を格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られるチップ抵抗器の製造方法において、前記集合基板の表裏両主面にそれぞれ前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、同じ大きさの第1のチップ領域と第2のチップ領域とが隣り合うように複数並べて配列させたうえで、前記第1のチップ領域の長手方向の端部から前記分割ラインを横断して前記第2のチップ領域の長手方向の端部まで延在するように電極パターンを形成する工程と、前記第1のチップ領域に、その長手方向の両端部に存して対をなす前記電極パターンどうしを橋絡する前記抵抗体を形成する工程と、対をなす前記電極パターンにプローブを接触させて抵抗値を測定しつつ前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、前記トリミング溝が形成された前記抵抗体を保護コートで被覆した後、前記集合基板を前記分割ラインに沿って分割して前記電極パターンから相異なるチップ抵抗器の前記表面電極と前記裏面電極とを得る工程とを含むこととした。   In order to achieve the second object, the present invention divides the collective substrate along a grid-like dividing line, thereby having a resistor and a surface electrode on one side and a back electrode on the opposite side. In the chip resistor manufacturing method in which the chip resistors having the above are obtained in a lump, the first chip having the same size as a rectangular region partitioned by the dividing lines on both the front and back main surfaces of the collective substrate After arranging a plurality of regions and second chip regions so as to be adjacent to each other, the longitudinal direction of the second chip region crosses the dividing line from the longitudinal end of the first chip region. A step of forming an electrode pattern so as to extend to an end of the first electrode, and the resistor that bridges the electrode patterns that form a pair at both ends in the longitudinal direction in the first chip region. The process of forming and A step of adjusting a resistance value by forming a trimming groove in the resistor while measuring a resistance value by bringing a probe into contact with the electrode pattern to be formed; and covering the resistor having the trimming groove with a protective coat Thereafter, the method includes a step of dividing the collective substrate along the dividing line to obtain the front surface electrode and the back surface electrode of different chip resistors from the electrode pattern.

このように第1のチップ領域の長手方向の端部から分割ラインを横断して第2のチップ領域の長手方向の端部まで延在する電極パターンは、第1のチップ領域内ではチップ抵抗器の表面電極となすことができ、第2のチップ領域内では別のチップ抵抗器の裏面電極となすことができる。チップ抵抗器を小型化する場合、抵抗体の実効長を確保するために表面電極は小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極は表面電極ほど小さくする必要がない。そのため、表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定を容易に行うことができる。また、表面電極と裏面電極を含む電極パターンは、隣接する第1および第2のチップ領域内に設ければ良いので、集合基板にはチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がない。そのため、第1および第2のチップ領域を高密度に配列して、1枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。   Thus, the electrode pattern extending from the longitudinal end portion of the first chip region to the longitudinal end portion of the second chip region across the dividing line is a chip resistor in the first chip region. In the second chip region, it can be a back electrode of another chip resistor. When the chip resistor is downsized, the surface electrode is reduced in area to ensure the effective length of the resistor, but the back electrode soldered to the land does not need to be as small as the surface electrode. Therefore, even if the surface electrode is reduced in area, it is not necessary to make the entire electrode pattern including the back electrode extremely small, and when adjusting the resistance value for forming the trimming groove in the resistor, the probe is brought into contact with this electrode pattern. Therefore, the resistance value can be easily measured. In addition, since the electrode pattern including the front electrode and the back electrode may be provided in the adjacent first and second chip regions, a blank space for extending the electrode pattern in the vicinity of the chip region is provided on the collective substrate. There is no need to reserve the area. Therefore, it is possible to increase the number of chip resistors obtained from one collective substrate by arranging the first and second chip regions at high density.

本発明のチップ抵抗器用集合基板によれば、隣接する第1および第2のチップ領域内の表面電極と裏面電極とを連続させてなる比較的大きな電極パターンが形成できるため、チップ抵抗器の小型化に伴って表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要がない。したがって、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、このチップ抵抗器用集合基板はチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がないので、第1および第2のチップ領域を高密度に配列して、1枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。それゆえ、本発明の集合基板は、チップ抵抗器の多数個取りに好適でプローブの接触不良も発生しにくいという優れた効果を奏する。   According to the chip resistor aggregate substrate of the present invention, a relatively large electrode pattern in which the front surface electrode and the back surface electrode in the adjacent first and second chip regions are continuous can be formed. Even if the surface electrode is reduced in size with the increase in size, it is not necessary to make the entire electrode pattern including the back electrode extremely small. Therefore, when adjusting the resistance value for forming the trimming groove in the resistor, the resistance value can be easily measured by bringing the probe into contact with the electrode pattern. In addition, since this chip resistor assembly substrate does not need to secure an excision blank area for extending the electrode pattern in the vicinity of the chip area, the first and second chip areas are arranged with high density, and 1 It is possible to increase the number of chip resistors obtained from a single aggregate substrate. Therefore, the collective substrate of the present invention has an excellent effect that it is suitable for picking up a large number of chip resistors and hardly causes poor probe contact.

本発明によるチップ抵抗器の製造方法において、第1のチップ領域の長手方向の端部から隣り合う第2のチップ領域の長手方向の端部まで延在する電極パターンは、第1のチップ領域内ではチップ抵抗器の表面電極となすことができ、第2のチップ領域内ではチップ抵抗器の裏面電極となすことができる。そのため、本発明の製造方法によれば、チップ抵抗器の小型化に伴って表面電極が小面積化されても、裏面電極まで含む電極パターン全体を極端に小さくする必要がなく、抵抗体にトリミング溝を形成する抵抗値調整時には、この電極パターンにプローブを接触させることによって抵抗値測定を容易に行うことができる。また、この電極パターンは第1および第2のチップ領域内に設ければ良く、集合基板にはチップ領域の近傍に電極パターンを延在させるための切除余白領域を確保する必要がないので、第1および第2のチップ領域を高密度に配列して、1枚の集合基板から得られるチップ抵抗器の個数を増やすことができる。それゆえ、本発明方法を採用することによって小型のチップ抵抗器を効率良く安価に製造することができる。   In the method for manufacturing a chip resistor according to the present invention, the electrode pattern extending from the end in the longitudinal direction of the first chip region to the end in the longitudinal direction of the adjacent second chip region is in the first chip region. Can be used as the front electrode of the chip resistor, and can be used as the back electrode of the chip resistor in the second chip region. Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, even if the surface electrode is reduced in size as the chip resistor is downsized, it is not necessary to make the entire electrode pattern including the back electrode extremely small, and the resistor is trimmed. At the time of adjusting the resistance value for forming the groove, the resistance value can be easily measured by bringing the probe into contact with the electrode pattern. Further, this electrode pattern may be provided in the first and second chip regions, and it is not necessary to secure a cut blank region for extending the electrode pattern in the vicinity of the chip region on the collective substrate. The number of chip resistors obtained from one collective substrate can be increased by arranging the first and second chip regions at high density. Therefore, by adopting the method of the present invention, a small chip resistor can be manufactured efficiently and inexpensively.

本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の製造過程で集合基板に電極パターンを形成した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which formed the electrode pattern in the collective board in the manufacture process of the chip resistor which concerns on the example of embodiment of this invention. 図1と同じ状態を示す断面視の工程図である。It is process drawing of the cross sectional view which shows the same state as FIG. 図1の集合基板に抵抗体を形成した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which formed the resistor in the aggregate substrate of FIG. 図3と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 4 is a cross-sectional process diagram illustrating the same state as FIG. 3. 図3の抵抗体にトリミング溝を形成した状態を示す平面視の工程図である。FIG. 4 is a process view in plan view showing a state in which trimming grooves are formed in the resistor of FIG. 3. 図5と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 6 is a cross-sectional process diagram illustrating the same state as FIG. 5. 図5の集合基板に保護コートを形成した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which formed the protective coat in the aggregate substrate of FIG. 図7と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 8 is a cross-sectional process diagram illustrating the same state as FIG. 7. 図7の集合基板を短冊状基板に1次分割した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which divided | segmented the assembly board | substrate of FIG. 7 into the strip-shaped board | substrate primarily. 図9と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 10 is a cross-sectional process diagram illustrating the same state as FIG. 9; 図9の短冊状基板に端面電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which formed the end surface electrode in the strip-shaped board | substrate of FIG. 図11と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 12 is a sectional view showing the same state as FIG. 11. 図11の短冊状基板をチップ単体に2次分割した状態を示す平面視の工程図である。It is process drawing of planar view which shows the state which divided | segmented the strip-shaped board | substrate of FIG. 11 into the chip | tip single-piece | unit. 図13と同じ状態を示す断面視の工程図である。FIG. 14 is a cross-sectional process diagram illustrating the same state as that of FIG. 13. 図13のチップ単体にめっき処理を施して完成したチップ抵抗器を示す平面図である。It is a top view which shows the chip resistor completed by performing the plating process to the chip single-piece | unit of FIG. 図15に示すチップ抵抗器の断面図である。It is sectional drawing of the chip resistor shown in FIG. 従来例に係るチップ抵抗器用集合基板における抵抗値調整前の状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state before resistance value adjustment in the aggregate substrate for chip resistors which concerns on a prior art example. 図17に示す集合基板の断面図である。It is sectional drawing of the aggregate substrate shown in FIG.

以下、発明の実施の形態を図面を参照しながら説明すると、図1〜図14は本発明の実施形態例に係るチップ抵抗器の製造工程図であり、図15と図16は完成したチップ抵抗器を示している。なお、図1と図2は同じ工程を示しており、同様に図3と図4、図5と図6、図7と図8、図9と図10、図11と図12、図13と図14は、それぞれ同じ工程を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIGS. 1 to 14 are manufacturing process diagrams of a chip resistor according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 15 and 16 are completed chip resistors. Shows the vessel. 1 and 2 show the same steps, and similarly, FIGS. 3 and 4, FIGS. 5 and 6, FIGS. 7 and 8, FIGS. 9 and 10, FIGS. 11 and 12, FIGS. FIG. 14 shows the same process.

まず、図15と図16に示すチップ抵抗器1の構成について説明する。このチップ抵抗器1は、直方体形状の絶縁性基台2と、絶縁性基台2の上面における長手方向の両端部に設けられた一対の表面電極3aと、絶縁性基台2の下面における長手方向の両端部に設けられた一対の裏面電極3bと、絶縁性基台2の側面に設けられて両電極3a,3bを橋絡している一対の端面電極4と、絶縁性基台2の上面に設けられて長手方向の両側の表面電極3aどうしを橋絡している抵抗体5と、抵抗体5を被覆する絶縁性の保護コート6と、電極3a,3b,4を被覆するめっき層7とによって主に構成されている。   First, the configuration of the chip resistor 1 shown in FIGS. 15 and 16 will be described. The chip resistor 1 includes a rectangular parallelepiped insulating base 2, a pair of surface electrodes 3 a provided at both ends in the longitudinal direction on the upper surface of the insulating base 2, and a longitudinal length on the lower surface of the insulating base 2. A pair of back surface electrodes 3b provided at both ends of the direction, a pair of end surface electrodes 4 provided on the side surface of the insulating base 2 and bridging the electrodes 3a, 3b, and the insulating base 2 A resistor 5 provided on the upper surface and bridging the surface electrodes 3a on both sides in the longitudinal direction, an insulating protective coat 6 covering the resistor 5, and a plating layer covering the electrodes 3a, 3b, 4 7 is mainly composed.

絶縁性基台2はセラミック等からなり、この絶縁性基台2は図1〜図8に示す集合基板10を格子状の分割溝11,12に沿って分割することにより個片化されたものである。   The insulating base 2 is made of ceramic or the like, and the insulating base 2 is separated into pieces by dividing the collective substrate 10 shown in FIGS. 1 to 8 along the grid-like dividing grooves 11 and 12. It is.

表面電極3aと端面電極4および裏面電極3bはコ字状に連続する下地電極層として絶縁性基台2の長手方向の両端部に形成されており、この下地電極層にめっき層7を被着させてチップ抵抗器1の電極部となしている。表面電極3aと裏面電極3bは集合基板10の主面に一括形成されたものであるが、端面電極4は集合基板10を1次分割してなる短冊状基板13(図9参照)の分割面に形成されたものである。なお、めっき層7は、下地電極層に密着する最内層のニッケル(Ni)めっき層と、外表面に露出する最外層の半田(Sn/Pb)めっき層または錫(Sn)めっき層とを含む2層以上の積層構造になっている。   The surface electrode 3a, the end face electrode 4 and the back face electrode 3b are formed at both ends in the longitudinal direction of the insulating base 2 as a base electrode layer continuous in a U-shape, and the plating layer 7 is attached to the base electrode layer. Thus, the electrode part of the chip resistor 1 is formed. The front surface electrode 3a and the back surface electrode 3b are collectively formed on the main surface of the collective substrate 10, while the end surface electrode 4 is a divided surface of a strip-shaped substrate 13 (see FIG. 9) obtained by dividing the collective substrate 10 into primary parts. It is formed. The plating layer 7 includes an innermost nickel (Ni) plating layer in close contact with the base electrode layer, and an outermost solder (Sn / Pb) plating layer or tin (Sn) plating layer exposed on the outer surface. It has a laminated structure of two or more layers.

抵抗体5は酸化ルテニウム等からなり、この抵抗体5には抵抗値を調整するためにトリミング溝8(図5参照)が形成されている。後述するように、トリミング溝8は集合基板10の状態でレーザビームを照射することにより形成されたものであるが、このレーザトリミング時に、抵抗体5の長手方向の両側に存する電極パターン3にプローブ20(図5参照)を接触させて抵抗値を測定することにより、抵抗体5は所望の抵抗値に設定されている。   The resistor 5 is made of ruthenium oxide or the like, and a trimming groove 8 (see FIG. 5) is formed in the resistor 5 in order to adjust the resistance value. As will be described later, the trimming groove 8 is formed by irradiating a laser beam in the state of the collective substrate 10. During this laser trimming, a probe is applied to the electrode pattern 3 existing on both sides in the longitudinal direction of the resistor 5. The resistance 5 is set to a desired resistance value by measuring the resistance value by bringing 20 (see FIG. 5) into contact therewith.

保護コート6は、トリミング溝8を形成する前に抵抗体5を覆うアンダーコートと、このアンダーコート上に設けられるオーバーコートとの2層構造であるが、そのうちアンダーコートは図示省略してある。すなわち、保護コート6として図示されているオーバーコートは、抵抗体5にトリミング溝8を形成した後に形成されたものであり、このオーバーコートによってアンダーコートや抵抗体5やトリミング溝8等が覆われている。   The protective coat 6 has a two-layer structure of an undercoat that covers the resistor 5 before the trimming groove 8 is formed and an overcoat provided on the undercoat, of which the undercoat is not shown. That is, the overcoat shown as the protective coat 6 is formed after the trimming groove 8 is formed in the resistor 5, and the undercoat, the resistor 5, the trimming groove 8, and the like are covered by this overcoat. ing.

次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器1の製造方法について、図1〜図14を参照しながら説明する。   Next, a manufacturing method of the chip resistor 1 configured as described above will be described with reference to FIGS.

まず、縦横に格子状に延びる1次分割溝11と2次分割溝12が予め形成された集合基板10を用意する。これら格子状の分割溝11,12によって、集合基板10の表裏両主面は多数の矩形状のチップ領域に区画される。各チップ領域は1個のチップ抵抗器1の上面(表面電極3aや抵抗体5の存する面)または下面(裏面電極3bの存する面)に相当する。図1〜図8に示すように、集合基板10の表裏両主面には、チップ抵抗器1の上面に相当する第1のチップ領域A1と、チップ抵抗器1の下面に相当する第2のチップ領域A2とが、図示左右方向(チップ抵抗器1の長手方向)に隣り合うようにそれぞれ配列されている。すなわち、集合基板10の表裏両主面には、同じ大きさの矩形状領域である第1のチップ領域A1と第2のチップ領域A2とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、一方の主面の第1のチップ領域A1と他方の主面の第2のチップ領域A2とが表裏で対応する位置関係となるように設定されている。つまり、集合基板10の上面に存する任意の第1のチップ領域A1の真下に下面側の第2のチップ領域A2が位置し、集合基板10の上面に存する任意の第2のチップ領域A2の真下に下面側の第1のチップ領域A1が位置している。ただし、図1からも明らかなように、第1のチップ領域A1の短手方向には第1のチップ領域A1のみが並び、第2のチップ領域A2の短手方向には第2のチップ領域A2のみが並ぶという配列になっている。   First, a collective substrate 10 is prepared in which primary division grooves 11 and secondary division grooves 12 extending in a lattice shape in the vertical and horizontal directions are formed in advance. By these lattice-shaped dividing grooves 11 and 12, both the front and back main surfaces of the collective substrate 10 are partitioned into a number of rectangular chip regions. Each chip region corresponds to the upper surface (the surface where the front surface electrode 3a and the resistor 5 are present) or the lower surface (the surface where the rear surface electrode 3b is present) of one chip resistor 1. As shown in FIGS. 1 to 8, the front and back main surfaces of the collective substrate 10 are provided with a first chip region A1 corresponding to the upper surface of the chip resistor 1 and a second chip corresponding to the lower surface of the chip resistor 1. The chip regions A2 are arranged so as to be adjacent to each other in the horizontal direction of the figure (the longitudinal direction of the chip resistor 1). That is, the first chip area A1 and the second chip area A2, which are rectangular areas of the same size, are alternately arranged along the longitudinal direction of both the front and back main surfaces of the collective substrate 10, The first chip area A1 on one main surface and the second chip area A2 on the other main surface are set to have a corresponding positional relationship on the front and back. That is, the second chip region A2 on the lower surface side is located directly below the arbitrary first chip region A1 existing on the upper surface of the collective substrate 10, and is directly below the arbitrary second chip region A2 existing on the upper surface of the collective substrate 10. The first chip region A1 on the lower surface side is located at the bottom. However, as is clear from FIG. 1, only the first chip region A1 is arranged in the short direction of the first chip region A1, and the second chip region is arranged in the short direction of the second chip region A2. The arrangement is such that only A2 are arranged.

そして、この集合基板10の表裏両主面で1次分割溝11を横断する場所に銀ペースト等をスクリーン印刷して焼成することにより、図1と図2に示すように所定の大きさの電極パターン3を形成する。この電極パターン3のうち、第1のチップ領域A1内に存する部分は表面電極3aに相当し、第2のチップ領域A2内に存する部分は裏面電極3bに相当する。つまり、電極パターン3を形成することによって、第1のチップ領域A1の長手方向の両端部に表面電極3aが設けられると共に、第2のチップ領域A2の長手方向の両端部に裏面電極3bが設けられ、長手方向に隣り合う第1および第2のチップ領域A1,A2内の表面電極3aと裏面電極3bとが連続して1つの電極パターン3をかたち作っている。   Then, a silver paste or the like is screen-printed and fired on the front and back main surfaces of the collective substrate 10 so as to cross the primary dividing groove 11, thereby forming electrodes of a predetermined size as shown in FIGS. 1 and 2. Pattern 3 is formed. In the electrode pattern 3, a portion existing in the first chip region A1 corresponds to the front surface electrode 3a, and a portion existing in the second chip region A2 corresponds to the back surface electrode 3b. That is, by forming the electrode pattern 3, the surface electrode 3a is provided at both ends in the longitudinal direction of the first chip region A1, and the back electrode 3b is provided at both ends in the longitudinal direction of the second chip region A2. Thus, the front electrode 3a and the back electrode 3b in the first and second chip regions A1 and A2 adjacent in the longitudinal direction continuously form one electrode pattern 3.

次なる工程では、図3と図4に示すように、集合基板10の表裏両主面に配列されている全ての第1のチップ領域A1に、酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、各チップ領域A1内で長手方向の両端部を電極パターン3に重ね合わせた抵抗体5を一括形成する。この工程で、各第1のチップ領域A1内で対をなす表面電極3aどうしは抵抗体5によって橋絡される。   In the next step, as shown in FIGS. 3 and 4, a resistor paste such as ruthenium oxide is screen-printed on all the first chip regions A1 arranged on the front and back main surfaces of the collective substrate 10. By firing, the resistors 5 in which both end portions in the longitudinal direction are superimposed on the electrode pattern 3 in each chip region A1 are collectively formed. In this step, the pair of surface electrodes 3a that form a pair in each first chip region A1 are bridged by the resistor 5.

この後、各抵抗体5を個別に覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図示せぬ前記アンダーコートを形成する。このアンダーコートは、次工程で照射されるレーザビームの熱で抵抗体5のトリミング溝8近傍が損傷しないようにするためのものである。   Thereafter, the undercoat (not shown) is formed by screen-printing and baking a glass paste in a region covering each resistor 5 individually. This undercoat is for preventing the vicinity of the trimming groove 8 of the resistor 5 from being damaged by the heat of the laser beam irradiated in the next step.

すなわち、次なる工程では、各抵抗体5の抵抗値を調整するために、アンダーコートに覆われている多数の抵抗体5に対して、順次、レーザビームを照射してトリミング溝8を形成する(図5と図6参照)。その際、トリミング対象となる抵抗体5の長手方向の両側に存する電極パターン3にプローブ20をそれぞれ接触させ、これらプローブ20を介して抵抗値を測定しながらレーザトリミングを行う。レーザビームの照射が開始されてトリミング溝8が長くなると、それに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体5の抵抗値が所望の値に達した時点でレーザビームの照射をオフにする。なお、表面電極3aと裏面電極3bの連続体である電極パターン3は比較的大きいので、チップ抵抗器1の小型化に伴ってチップ領域A1,A2が狭くなっても、プローブ20を電極パターン3に接触させることは容易である。   That is, in the next step, in order to adjust the resistance value of each resistor 5, the trimming groove 8 is formed by sequentially irradiating a number of resistors 5 covered with the undercoat with a laser beam. (See FIGS. 5 and 6). At that time, the probe 20 is brought into contact with the electrode patterns 3 existing on both sides in the longitudinal direction of the resistor 5 to be trimmed, and laser trimming is performed while measuring the resistance value through the probes 20. When the laser beam irradiation is started and the trimming groove 8 becomes longer, the resistance value increases accordingly. Therefore, when the resistance value of the resistor 5 to be trimmed reaches a desired value, the laser beam irradiation is performed. Turn off. Since the electrode pattern 3 that is a continuous body of the front surface electrode 3a and the back surface electrode 3b is relatively large, the probe 20 is connected to the electrode pattern 3 even if the chip regions A1 and A2 are narrowed as the chip resistor 1 is downsized. It is easy to contact.

集合基板10の表裏両主面に存する全ての抵抗体5に対してレーザトリミングが終了したなら、次なる工程として、前記アンダーコートと抵抗体5とトリミング溝8等を覆う樹脂ペースト(またはガラスペースト)をスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、帯状のオーバーコートである保護コート6を形成する(図7と図8参照)。この保護コート(オーバーコート)6は抵抗体5を外部環境から保護するためのものである。   When the laser trimming is completed for all the resistors 5 existing on both the front and back main surfaces of the collective substrate 10, as the next step, a resin paste (or glass paste) covering the undercoat, the resistor 5, the trimming groove 8, etc. ) Is screen-printed and cured by heating to form a protective coat 6 that is a belt-like overcoat (see FIGS. 7 and 8). This protective coat (overcoat) 6 is for protecting the resistor 5 from the external environment.

ここまでの工程は集合基板10に対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板10を1次分割溝11に沿って短冊状に分割するという1次ブレーク加工を行い、図9と図10に示すような短冊状基板13を得る。この工程で各電極パターン3は1次分割溝11で分割されるため、各電極パターン3から相異なるチップ抵抗器1の表面電極3aと裏面電極3bとが得られる。   The process up to this point is a batch process for the collective substrate 10. In the next process, a primary break process is performed in which the collective substrate 10 is divided into strips along the primary division grooves 11, and FIG. 9 and FIG. A strip-shaped substrate 13 as shown in FIG. In this step, each electrode pattern 3 is divided by the primary dividing groove 11, and therefore, the front electrode 3 a and the back electrode 3 b of the chip resistor 1 different from each other can be obtained from each electrode pattern 3.

そして、次なる工程で、短冊状基板13の分割面にNi/Cr等をスパッタリングして端面電極4を形成する。この端面電極4によって表面電極3aと裏面電極3bとが橋絡されるため、図11と図12に示すように、コ字状に連続する前記下地電極層が得られる。   In the next step, the end face electrode 4 is formed by sputtering Ni / Cr or the like on the dividing surface of the strip-shaped substrate 13. Since the end surface electrode 4 bridges the front surface electrode 3a and the back surface electrode 3b, the base electrode layer continuous in a U-shape is obtained as shown in FIGS.

しかる後、短冊状基板13を2次分割溝12に沿って分割するという2次ブレーク加工を行う。これにより、図13と図14に示すように、チップ抵抗器1と同等の大きさの個片(チップ単体)を得る。こうして個片化されたチップ単体は、絶縁性基台2の長手方向の両端部に下地電極層(表面電極3aと裏面電極3bおよび端面電極4)を有し、対をなす表面電極3aを橋絡する抵抗体5が保護コート6にて覆われているというものである。   Thereafter, a secondary break process is performed in which the strip-shaped substrate 13 is divided along the secondary dividing grooves 12. As a result, as shown in FIGS. 13 and 14, a piece (chip alone) having a size equivalent to that of the chip resistor 1 is obtained. The chip thus separated has a base electrode layer (surface electrode 3a, back electrode 3b, and end electrode 4) at both ends in the longitudinal direction of the insulating base 2, and the paired surface electrodes 3a are bridged. The tangled resistor 5 is covered with a protective coat 6.

最後に、各チップ単体の下地電極層(表面電極3aと裏面電極3bおよび端面電極4)に対して、ニッケルめっきや半田めっきを施して下地電極層を被覆する積層構造のめっき層7を形成することにより、図15と図16に示すようなチップ抵抗器1が完成する。   Finally, a nickel-plated or solder-plated nickel plating or solder plating is applied to the base electrode layer (surface electrode 3a, back electrode 3b, and end face electrode 4) of each chip alone to form a plated layer 7 having a laminated structure that covers the base electrode layer. Thus, the chip resistor 1 as shown in FIGS. 15 and 16 is completed.

なお、本実施形態例では、集合基板10に格子状の分割溝11,12を刻設して第1および第2のチップ領域A1,A2を区画しているが、仮想線として設定した格子状の分割ラインで該チップ領域を区画し、この分割ラインに沿って集合基板10をレーザビーム等で切断するようにしも良い。   In the present embodiment, the first and second chip regions A1 and A2 are partitioned by engraving the grid-like dividing grooves 11 and 12 on the collective substrate 10, but the grid shape set as a virtual line is used. It is also possible to divide the chip region by dividing lines and to cut the collective substrate 10 with a laser beam or the like along the dividing lines.

以上説明したように、本実施形態例においては、集合基板10の表裏両主面で、表面電極3aが設けられる第1のチップ領域A1と裏面電極3bが設けられる第2のチップ領域A2とが長手方向に隣り合うように設定してあるため、隣接する第1および第2のチップ領域A1,A2内の表面電極3aと裏面電極3bとを連続させてなる比較的大きな電極パターン3が形成できる。つまり、第1のチップ領域A1の長手方向の端部から1次分割溝(分割ライン)11を横断して第2のチップ領域A2の長手方向の端部まで延在する電極パターン3は、第1のチップ領域A1内ではチップ抵抗器1の表面電極3aとなすことができ、第2のチップ領域A2内では別のチップ抵抗器1の裏面電極3bとなすことができる。チップ抵抗器1を小型化する場合、抵抗体5の実効長を確保するために表面電極3aは小面積化されるが、ランドに半田付けされる裏面電極3bは表面電極3aほど小さくする必要がない。そのため、表面電極3aが小面積化されても、裏面電極3bまで含む電極パターン3全体を極端に小さくする必要はなく、抵抗値を調整するために抵抗体5にトリミング溝8を形成するレーザトリミング時には、この電極パターン3にプローブ20を接触させることによって抵抗値測定が容易に行えるようになる。また、表面電極3aと裏面電極3bを含む電極パターン3は、隣接する第1および第2のチップ領域A1,A2内に設ければ良いので、集合基板10にはチップ領域の近傍に電極パターン3を延在させるための切除余白領域を確保する必要がない。そのため、生産性を高めるために第1および第2のチップ領域A1,A2を高密度に配列して、1枚の集合基板10から得られるチップ抵抗器1の個数を増やすことができ、その結果として、小型のチップ抵抗器を安価に製造できるようになる。   As described above, in this embodiment, the first chip area A1 where the front electrode 3a is provided and the second chip area A2 where the back electrode 3b is provided are provided on the front and back main surfaces of the collective substrate 10. Since they are set so as to be adjacent to each other in the longitudinal direction, a relatively large electrode pattern 3 in which the front surface electrode 3a and the back surface electrode 3b in the adjacent first and second chip regions A1 and A2 are continuous can be formed. . That is, the electrode pattern 3 extending from the end portion in the longitudinal direction of the first chip region A1 to the end portion in the longitudinal direction of the second chip region A2 across the primary dividing groove (partition line) 11 is In one chip region A1, it can be the surface electrode 3a of the chip resistor 1, and in the second chip region A2, it can be the back electrode 3b of another chip resistor 1. When the chip resistor 1 is downsized, the surface electrode 3a is reduced in area to ensure the effective length of the resistor 5, but the back electrode 3b soldered to the land needs to be as small as the surface electrode 3a. Absent. Therefore, even if the surface electrode 3a is reduced in area, it is not necessary to make the entire electrode pattern 3 including the back electrode 3b extremely small, and the laser trimming that forms the trimming groove 8 in the resistor 5 in order to adjust the resistance value. Sometimes, the resistance value can be easily measured by bringing the probe 20 into contact with the electrode pattern 3. In addition, the electrode pattern 3 including the front electrode 3a and the back electrode 3b may be provided in the adjacent first and second chip regions A1 and A2. Therefore, the electrode pattern 3 is provided near the chip region on the collective substrate 10. Therefore, it is not necessary to secure a resection margin area for extending the length. Therefore, in order to increase productivity, the first and second chip regions A1 and A2 can be arranged at high density to increase the number of chip resistors 1 obtained from one collective substrate 10, and as a result. As a result, a small chip resistor can be manufactured at low cost.

なお、本実施形態例では、裏面電極3bを表面電極3aの約2倍の大きさに形成しているが、両電極3b,3aの面積比は、裏面電極3bが半田付けされるランドの大きさやチップ抵抗器1全体の大きさ等を考慮して適宜選択可能である。ただし、裏面電極3bは少なくとも表面電極3aよりも大きく形成されていることが好ましく、こうすることによって、プローブ20を接触させる電極パターン3に所要の面積が確保しやすくなる。   In this embodiment, the back electrode 3b is formed to be about twice as large as the front electrode 3a. However, the area ratio between the electrodes 3b and 3a is the size of the land to which the back electrode 3b is soldered. The size can be appropriately selected in consideration of the overall size of the chip resistor 1 and the like. However, the back electrode 3b is preferably formed to be larger than at least the front electrode 3a, and this makes it easy to secure a required area for the electrode pattern 3 with which the probe 20 is brought into contact.

また、本実施形態例では、第1のチップ領域A1と第2のチップ領域A2が両者の長手方向に沿って交互に並び、且つ、第1のチップ領域A1の短手方向には第1のチップ領域A1のみが並び、第2のチップ領域A2の短手方向には第2のチップ領域A2のみが並ぶように配列されているため、保護コート6で1列に並ぶ複数のチップ領域をまとめて被覆することができる。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、第1のチップ領域A1と第2のチップ領域A2が両者の短手方向に沿って交互に並び、且つ、第1のチップ領域A1の長手方向には第1のチップ領域A1のみが並び、第2のチップ領域A2の長手方向には第2のチップ領域A2のみが並ぶように配列されていても、短手方向に隣り合うチップ領域A1,A2内の表面電極3aと裏面電極3bとを連続させてなる比較的大きな電極パターン3を形成することができる。ただし、この場合は各チップ領域を保護コート6で個別に被覆する必要がある。   In the present embodiment, the first chip area A1 and the second chip area A2 are alternately arranged along the longitudinal direction of the first chip area A1, and the first chip area A1 is short in the short direction of the first chip area A1. Since only the chip area A1 is arranged and only the second chip area A2 is arranged in the short direction of the second chip area A2, a plurality of chip areas arranged in a row by the protective coat 6 are collected. Can be coated. However, the present invention is not limited to this. For example, the first chip region A1 and the second chip region A2 are alternately arranged along the short direction of both, and the first chip region A1. Even if the first chip region A1 is arranged in the longitudinal direction of the second chip region and only the second chip region A2 is arranged in the longitudinal direction of the second chip region A2, the chips are adjacent in the short direction. It is possible to form a relatively large electrode pattern 3 in which the front surface electrode 3a and the back surface electrode 3b in the regions A1 and A2 are continuous. In this case, however, each chip area must be individually covered with the protective coat 6.

1 チップ抵抗器
2 絶縁性基台
3 電極パターン
3a 表面電極
3b 裏面電極
4 端面電極
5 抵抗体
6 保護コート
7 めっき層
8 トリミング溝
10 集合基板
11,12 分割溝(分割ライン)
13 短冊状基板
20 プローブ
A1 第1のチップ領域
A2 第2のチップ領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Chip resistor 2 Insulation base 3 Electrode pattern 3a Front surface electrode 3b Back surface electrode 4 End surface electrode 5 Resistor 6 Protective coating 7 Plating layer 8 Trimming groove 10 Collective substrate 11, 12 Divided groove (divided line)
13 Strip board 20 Probe A1 First chip area A2 Second chip area

Claims (4)

格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られる集合基板であって、
前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、表裏両主面にそれぞれ同じ大きさの第1のチップ領域と第2のチップ領域とが隣り合うように複数並んで配列されており、
前記第1のチップ領域の長手方向の両端部に前記抵抗体に橋絡される一対の前記表面電極が設けられると共に、前記第2のチップ領域の長手方向の両端部に一対の前記裏面電極が設けられ、且つ、前記分割ラインを介して隣り合う前記第1および第2のチップ領域内の前記表面電極と前記裏面電極とが連続させてあることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。
By dividing along a grid-like dividing line, a collective substrate is obtained in which chip resistors having a resistor and a surface electrode on one side and a back electrode on the opposite side are collectively obtained,
As a rectangular area defined by the dividing lines, a plurality of first chip areas and second chip areas having the same size are arranged side by side on both the front and back main surfaces, respectively,
A pair of the surface electrodes bridged by the resistor is provided at both longitudinal ends of the first chip region, and a pair of the back electrodes are disposed at both longitudinal ends of the second chip region. A collective substrate for chip resistors, characterized in that the front electrode and the back electrode in the first and second chip regions which are provided and are adjacent to each other via the dividing line are continuous.
請求項1の記載において、前記第1のチップ領域の対をなす前記表面電極どうしの間隔に比べて、前記第2のチップ領域の対をなす前記裏面電極どうしの間隔が狭く設定されていることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。   The interval between the back electrodes forming the pair of the second chip regions is set to be narrower than the interval between the surface electrodes forming the pair of the first chip regions. An aggregate substrate for chip resistors. 請求項1または2の記載において、前記第1のチップ領域と前記第2のチップ領域とが両者の長手方向に沿って交互に並んでおり、且つ、前記第1のチップ領域の短手方向には該第1のチップ領域のみが並び、前記第2のチップ領域の短手方向には該第2のチップ領域のみが並ぶように配列されていることを特徴とするチップ抵抗器用集合基板。   3. The first chip area and the second chip area are alternately arranged along the longitudinal direction of both of the first chip area and the second chip area in a short direction of the first chip area. A chip resistor assembly substrate, wherein only the first chip regions are arranged, and only the second chip regions are arranged in a short direction of the second chip region. 集合基板を格子状の分割ラインに沿って分割することにより、片面に抵抗体と表面電極を有して逆側の面に裏面電極を有するチップ抵抗器が一括して得られるチップ抵抗器の製造方法であって、
前記集合基板の表裏両主面にそれぞれ前記分割ラインによって区画される矩形状の領域として、同じ大きさの第1のチップ領域と第2のチップ領域とが隣り合うように複数並べて配列させたうえで、前記第1のチップ領域の長手方向の端部から前記分割ラインを横断して前記第2のチップ領域の長手方向の端部まで延在するように電極パターンを形成する工程と、
前記第1のチップ領域に、その長手方向の両端部に存して対をなす前記電極パターンどうしを橋絡する前記抵抗体を形成する工程と、
対をなす前記電極パターンにプローブを接触させて抵抗値を測定しつつ前記抵抗体にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する工程と、
前記トリミング溝が形成された前記抵抗体を保護コートで被覆した後、前記集合基板を前記分割ラインに沿って分割して前記電極パターンから相異なるチップ抵抗器の前記表面電極と前記裏面電極とを得る工程と
を含むことを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
Manufacture of a chip resistor in which a chip resistor having a resistor and a surface electrode on one side and a back electrode on the opposite side is obtained by dividing the aggregate substrate along a grid-like division line A method,
A plurality of first chip areas and second chip areas having the same size are arranged side by side as a rectangular area partitioned by the dividing lines on the front and back main surfaces of the collective substrate. And forming an electrode pattern so as to extend from the longitudinal end of the first chip region across the dividing line to the longitudinal end of the second chip region;
Forming, in the first chip region, the resistor that bridges the electrode patterns that are paired at both ends in the longitudinal direction;
A step of adjusting a resistance value by forming a trimming groove in the resistor while measuring a resistance value by bringing a probe into contact with the paired electrode patterns;
After covering the resistor in which the trimming groove is formed with a protective coat, the aggregate substrate is divided along the dividing line, and the surface electrode and the back electrode of the chip resistor different from the electrode pattern are formed. And a step of obtaining the chip resistor.
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