JP2013160621A - 欠陥検査方法、パターン計測方法および欠陥検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細なパターンを短時間で検査できる欠陥検査方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、欠陥検査方法が提供される。前記欠陥検査方法では、DSA材料を検査対象パターンの表面に成膜する。そして、前記DSA材料を自己組織化させることにより、検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する。この後、前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出し、前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する。そして、前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する。
【選択図】図2
【解決手段】実施形態によれば、欠陥検査方法が提供される。前記欠陥検査方法では、DSA材料を検査対象パターンの表面に成膜する。そして、前記DSA材料を自己組織化させることにより、検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する。この後、前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出し、前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する。そして、前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する。
【選択図】図2
Description
本発明の実施形態は、欠陥検査方法、パターン計測方法および欠陥検査装置に関する。
半導体デバイスの製造工程では、ウエハの欠陥検査によって欠陥を突き止めることや、パターンの計測によってパターン寸法を正確に把握することで、プロセスを改善し、歩留まりを向上させている。
ウエハ欠陥検査装置には、光学方式と走査電子顕微鏡(SEM)方式とがある。光学方式の特長は、高速に異物や欠陥を検出できることである。また、SEM方式の特徴は、光学方式と比較して、微小な欠陥を検出できることである。
半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、歩留まり管理で問題となる欠陥サイズや測定すべきパターンサイズが小さくなる傾向にある。しかしながら、欠陥検出や寸法測定などの検査をSEM方式によって行うと多大な時間を要する。このため、微細なパターンを短時間で検査できる方法が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、微細なパターンを短時間で検査できる欠陥検査方法、パターン計測方法および欠陥検査装置を提供することである。
実施形態によれば、欠陥検査方法が提供される。前記欠陥検査方法では、DSA材料を検査対象パターンの表面に成膜する。そして、前記DSA材料を自己組織化させることにより、検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する。この後、前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出し、前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する。そして、前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る欠陥検査方法、パターン計測方法および欠陥検査装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係るパターン検査装置の構成を示す図である。パターン検査装置1Aは、自己組織化材料(DSA:Directed Self Assembly)を用いて、欠陥検査を行う装置である。パターン検査装置1Aは、検査/計測対象物である基板S(例えばウエハやテンプレート)上に自己組織化材料としてのDSA材料を塗布し、熱処理などによって自己組織化させる。また、パターン検査装置1Aは、自己組織化後の自己組織パターン(DSAパターン)の特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測し、計測した情報に基づいて基板S表面の欠陥を検出する。パターン検査装置1Aによるパターン検査処理は、基板S上に半導体デバイスを作製する種々の工程後に行われる。
図1は、第1の実施形態に係るパターン検査装置の構成を示す図である。パターン検査装置1Aは、自己組織化材料(DSA:Directed Self Assembly)を用いて、欠陥検査を行う装置である。パターン検査装置1Aは、検査/計測対象物である基板S(例えばウエハやテンプレート)上に自己組織化材料としてのDSA材料を塗布し、熱処理などによって自己組織化させる。また、パターン検査装置1Aは、自己組織化後の自己組織パターン(DSAパターン)の特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測し、計測した情報に基づいて基板S表面の欠陥を検出する。パターン検査装置1Aによるパターン検査処理は、基板S上に半導体デバイスを作製する種々の工程後に行われる。
パターン検査装置1Aは、DSA塗布機構2と、自己組織化部3と、検査部4Aと、を備えている。DSA塗布機構2は、DSA材料を基板Sに塗布する。DSA塗布機構2は、基板保持部21、DSA材料供給部22、供給制御部23を有している。基板保持部21は、検査対象パターンを有した基板Sを固定保持する。
DSA材料供給部22は、DSA材料(塗布材料)として、例えばブロックコポリマー(BCM)を含有するブロックコポリマー含有材料または複数のポリマーを含有するポリマー混合材料を、基板保持部21に固定保持された基板S上の検査領域に選択的に供給する。供給制御部23は、DSA材料供給部22による基板S上へのDSA材料の供給位置や供給量を制御する。
自己組織化部3は、基板S上に塗布されたDSA材料を自己組織化させることにより、基板S上にパターン検査用の膜(以下、検査用膜という)を形成する。自己組織化部3は、基板Sに熱処理を行う熱処理部30などを具備している。自己組織化部3は、熱処理部30によって基板Sに熱処理を行うことによってDSA材料を自己組織化させる。
検査部4Aは、例えば、光学方式や走査電子顕微鏡(SEM)方式の欠陥検査装置(計測装置)である。本実施形態では、検査部4Aが光学方式の欠陥検査装置である場合について説明する。検査部4Aは、基板保持部41、検出部42、計測部43、欠陥導出部44を有している。基板保持部41は、検査用膜が形成された基板Sを固定保持する。検出部42は、光源から出射された照明光L1が基板S上で反射されると、基板Sからの反射光L2を検出する。検出部42は、反射光L2の検出結果を計測部43に送る。
計測部43は、検出部42から送られてくる検出結果に基づいて、基板S表面の欠陥に関する情報を検出する。計測部43は、基板S上に形成されたパターン検査用の膜に含有される少なくとも1種類の自己組織パターンに対し、自己組織パターン(基板S上)の特異領域のサイズ、幾何学特徴(形状など)、分布数、分布位置を計測する。
換言すると、計測部43は、自己組織パターンの形成されている領域内から特異領域を抽出する特異領域抽出部と、特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する計測部と、を備えている。
欠陥導出部44は、コンピュータなどを備えて構成されている。欠陥導出部44は、計測部43が計測した計測結果に基づいて、基板S上の欠陥を検出する。具体的には、欠陥導出部44は、計測部43が計測した計測結果に基づいて、基板S上の欠陥サイズ、欠陥の種類、欠陥数あるいは欠陥分布位置を導出する。欠陥導出部44は、導出結果を、例えば外部装置(表示装置など)に出力する。
つぎに、パターン検査装置1Aによるパターン検査処理手順について説明する。図2は、第1の実施形態に係るパターン検査処理の処理手順を示すフローチャートであり、図3は、第1の実施形態に係る検査用膜の形成処理手順を説明するための図である。図3では、DSA膜の形成プロセスを模式的な断面図で示している。
半導体デバイスを製造する際には基板S上に種々のパターンが積層されていく。パターン検査装置1Aによるパターン検査処理は、半導体デバイス製造中の所定の工程が終わった後に行われる。ここでは、基板S上にラインパターンとスペースパターンとが繰り返し配置されたラインアンドスペース(L&S)パターンが形成された後に、基板Sの欠陥検査を行う場合について説明する。
まず、検査対象パターンが形成された基板Sを用意する(ステップS1)。基板Sの表面には、検査対象パターン(L&Sパターン)を構成するラインパターン(ガイドパターン)12が形成されている(図3の(a))。
この後、パターン検査装置1Aは、基板Sの検査対象パターン上に検査用膜(検査用DSA膜)を形成する。このため、パターン検査装置1AのDSA塗布機構2は、DSA材料膜13を基板S上に成膜する(ステップS2)(図3の(b))。具体的には、基板保持部21が基板Sを固定保持し、DSA材料供給部22が供給制御部23からの指示に従ってDSA材料を基板S上(検査対象パターンの表面)に供給する。DSA材料膜13は、少なくとも二種類のブロックポリマーを含有したブロックコポリマーを有している。なお、DSA材料膜13は、ポリマー混合膜であってもよい。
図4は、DSA材料膜に用いるブロックコポリマーの一例を示す模式図である。本実施形態では、DSA材料膜13として、例えば、図4に示すようなPS(ポリスチレン)部20AとPMMA(ポリメチルメタクリレート)部20Bとを含んで構成されるブロックコポリマー20が用いられる。DSA塗布機構2は、例えば、スピン塗布、インクジェット塗布またはスプレー塗布などの成膜手段によってDSA材料膜13を基板S上に成膜する。
そして、自己組織化部3は、DSA材料膜13に後処理を行う。すなわち、自己組織化部3は、基板S上に塗布されたDSA材料膜13を自己組織化させることにより、基板S上に検査用膜を形成する。具体的には、熱処理部30は、基板Sに熱処理を行う。これにより、DSA材料膜13内のブロックコポリマー20を自己組織化する過程が加速され、DSA材料膜13の成膜直後では均一なPS部20AとPMMA部20Bとの混合膜が、PS成分のドメイン14とPMMA成分のドメイン15に分かれる。換言すると、DSA材料膜13の自己組織化により、異なるブロックポリマーからなるPS部20AとPMMA部20Bとに分かれて、それぞれ異なる幾何学特徴を示す複数の自己組織パターン領域を形成する(ステップS3)(図3の(c))。ドメイン14,15の自己組織パターン領域には、基板Sに対して垂直なラメラ構造またはシリンダー構造のパターンが形成される。これにより、ドメイン14,15からなる膜が検査用膜として形成される。なお、自己組織化部3は、光照射によってDSA材料膜13を自己組織化させてもよい。
検査用膜の自己組織パターンは、基板Sの検査対象パターンの種類(形状やサイズなど)毎に異なる特徴を示す。検査対象パターンに欠陥などが存在すると、検査対象パターンの種類が異なることとなる。本実施形態では、検査対象パターンの種類毎に異なる自己組織パターンが形成された検査用膜がパターン検査に用いられる。
検査用膜では、上述した2つのドメイン14,15の三次元的な組み合わせにより、基板S表面のDSA材料膜13に独特な幾何学特徴(形状特徴、繰り返し周期数など)を示す自己組織パターンが現れる。
図5は、自己組織パターンの幾何学特徴を説明するための図である。図5では、基板Sの上面図を示している。図5の(a)は、検査対象パターンとしてのL&Sパターン11を示している。また、図5の(b)は、L&Sパターン11が正常な領域における自己組織パターンの一例を示している。また、図5の(c)は、ショート欠陥上に形成される自己組織パターンの一例を示し、図5の(d)は、オープン欠陥上に形成される自己組織パターンの一例を示している。
図5の(a)に示すように、L&Sパターン11では、ラインパターン12とスペースパターン10とが等ピッチで交互に配置されている。L&Sパターン11には、例えば、ショート欠陥15Aやオープン欠陥15Bが発生している場合がある。ショート欠陥15Aは、隣接する2本のラインパターン12が繋がってしまった欠陥である。また、オープン欠陥15Bは、1本のラインパターン12が途中で分断されてしまった欠陥である。
自己組織パターンの幾何学特徴は、下地パターン(L&Sパターン11)の形状および規則性に強く影響される。下地パターンに欠陥があると、自己組織パターンの幾何学模様の均一性が乱れる。そして、正常領域の自己組織パターンとは異なる模様を示す自己組織パターンの領域(特異領域)が、下地欠陥(下地パターンの欠陥)の発生個所に対応した位置に現れる。そして、特異領域のサイズは、下地欠陥発生個所のサイズよりも大きくなる。これは、自己組織パターンによる下地欠陥の拡大効果といわれる。
例えば、図5の(b)に示すように、L&Sパターン11が正常な領域には、等間隔で規則正しく並んだ自己組織パターン5Xが形成される。換言すると、自己組織パターン5Xは、ラインパターンとスペースパターンとが等ピッチで交互に配置されたパターンである。
一方、図5の(c)に示すように、L&Sパターン11のうちショート欠陥の発生している領域には、ランダムな位置にランダムな長さを有した自己組織パターン5Aが形成される。このように、ショート欠陥が発生している領域では、自己組織パターン5Aに特徴模様が現れる。
また、図5の(d)に示すように、L&Sパターン11のうちオープン欠陥の発生している領域には、ランダムな位置にランダムな長さを有した自己組織パターン5Bが形成される。このように、オープン欠陥が発生している領域では、自己組織パターン5Bに特徴模様が現れる。
自己組織パターン5Aが形成される領域は、ショート欠陥15Aのサイズよりも広い領域である。同様に、自己組織パターン5Bが形成される領域は、オープン欠陥15Bのサイズよりも広い領域である。このため、ショート欠陥15Aやオープン欠陥15Bを直接観察することによってパターン欠陥を検出するよりも、自己組織パターン5Aや自己組織パターン5Bを観察することによってパターン欠陥を検出する方が容易にパターン欠陥を検出することが可能となる。
また、自己組織パターンの幾何学特徴(構造)は、DSA材料膜13の成分であるブロックコポリマー20の重量分率に大きく影響されている。図6は、ブロックコポリマーの重量分率と自己組織パターンの幾何学特徴との関係を示す図である。図6では、2種類のブロックポリマーが混合された混合物において、一方のブロックポリマーの重量分率に対するχNと、自己組織化された場合の構造体と、の関係(特性)の一例を示している。
ここでのχは、ブロックコポリマーを構成する2種のブロックポリマー間の斥力を表し、Nはブロックポリマーの重合度を表している。ジブロックコポリマーが自己組織化されたときの構造は、一方のブロックポリマーの重量分率とχNとの組み合わせを調整することにより、種々の構造となる。
例えば、図6に示すように、一方のブロックポリマーの重量分率とχNとの組み合わせを調整することにより、ジブロックコポリマーが自己組織化されたときの構造を、球状構造25、円柱構造26、共連続構造27、ラメラ構造28などの異なる構造とすることができる。
なお、自己組織化させる際の温度や圧力を調整することで、ブロックコポリマーから得られる自己組織化構造を制御することができる。例えば、PMMAとPSとで構成されるブロックコポリマー膜の場合は、自己組織化させる際の温度を調整することで、円柱状のPMMAをPSが囲む自己組織化構造の幾何学特徴を変化させることができる。
図3の(c)に示した検査用膜を形成した後、選択的エッチングによってPMMA成分のドメイン15を選択的に除去することで、PS成分のドメイン14からなるパターンを基板S上に残すことができる(図3の(d))。
ドメイン15のエッチングは、例えば、フロロカーボンガスと酸素ガスとを用いて反応性イオンエッチング(Reactive Ion Etching:RIE)により行う。PMMA成分のドメイン15(PMMA部22B)を選択的に除去することで、検査用膜の表面に凹凸が形成されるので、次に行われる検査の感度を上げることが可能となる。なお、ドメイン15のエッチングは、省略してもよい。この場合であっても、検査部4Aによって自己組織パターンを識別することができる。
パターン検査装置1Aは、基板S上に検査用膜を形成した後、検査用膜の検査を行う。具体的には、検査部4Aにおいて、基板保持部41が基板Sを固定保持した状態で、基板Sに照明光L1が照射される。検出部42は、照明光L1が基板S上で反射されると、基板Sからの反射光L2を検出する。そして、検出部42は、反射光L2の検出結果を計測部43に送る。
計測部43は、検出部42から送られてくる検出結果に基づいて、基板S上に形成されたパターン検査用の膜に含有される少なくとも1種類の自己組織パターンを計測する。そして、計測部43は、自己組織パターンが形成されている領域の中から検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出する。さらに、計測部43は、特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する(ステップS4)。
このように、パターン検査装置1Aは、検査用膜上に現れた自己組織パターンを観察する。そして、計測部43は、検査用膜のうち他の領域と比較して異なる特徴を示す特異領域を、それぞれの幾何学特徴によって分類する。
本実施形態の検査部4Aは、光学方式の欠陥検査装置である。欠陥検査装置が光学方式である場合、原理的に分解能が光の波長に制約されるので、可視光であれば、サイズが0.2μm程度の欠陥領域を検出することが限界である。これに比べてSEM方式の欠陥検査装置では、光学方式に比較して、原理的に分解能で有利なので、光学方式で検出されない微小欠陥領域や領域形状を詳しく観察することが可能となる。
本実施形態では、検査対象パターン上に自己組織パターンを形成し、自己組織パターンに対して欠陥検査を行っているので、本来はSEM方式でしか検出できないようなサイズの小さい欠陥を、光学方式でも検出できるようになる。これは、自己組織パターンによる下地欠陥の拡大効果があるからである。
さらに、自己組織パターンによる下地欠陥の拡大効果があるので、本来はSEM方式でも検出できないようなサイズの超微細欠陥を、SEM方式または光学方式で検出することが可能となる。
パターン検査装置1Aは、計測部43が特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数、分布位置などを計測した後、欠陥導出部44が欠陥判定を行う。欠陥導出部44は、計測部43が計測した計測結果に基づいて、基板S上の欠陥を検出する。具体的には、欠陥導出部44は、計測部43が計測した計測結果に基づいて、基板S上の欠陥サイズ、欠陥の種類、欠陥数および欠陥分布位置の少なくとも1つを導出する(ステップS5)。
均一な自己組織パターン領域に点在する特異領域の数量は、検査対象パターンに存在する欠陥数に対応している。また、特異領域の位置は、検査対象パターンに存在する欠陥の欠陥分布位置に対応している。また、特異領域のサイズは、検査対象パターンに存在する欠陥の欠陥サイズおよび欠陥の種類(オープン欠陥やショート欠陥など)に対応している。また、特異領域の幾何学特徴は、検査対象パターンに存在する欠陥の欠陥サイズおよび欠陥の種類に対応している。
したがって、欠陥導出部44は、特異領域の数量に基づいて、検査対象パターン内の欠陥数を判定する。また、欠陥導出部44は、特異領域の位置に基づいて、検査対象内の欠陥の位置を判定する。また、欠陥導出部44は、特異領域のサイズに基づいて、検査対象パターン内の欠陥のサイズおよび種類を判定する。また、欠陥導出部44は、特異領域の幾何学特徴に基づいて、検査対象パターン内に存在する欠陥のサイズおよび種類を判定する。
パターン検査装置1Aによるパターン検査処理は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。パターン検査処理によって欠陥が検出されると、この欠陥の原因が特定され、必要に応じて欠陥削減対策が行われる。これにより、パターン欠陥を抑制した半導体デバイス(半導体集積回路)の製造が行われる。
具体的には、基板S上に被加工膜を成膜しておく。そして、マスクを用いて基板Sにリソグラフィ処理を実施する。例えば、フォトリソグラフィによってリソグラフィ処理を実施する場合、レジストの塗布された基板S(ウエハ)にマスクを用いてパターン露光を行ない、その後、基板Sを現像して基板S上にレジストパターンを形成する。
また、インプリントリソグラフィによってリソグラフィ処理を実施する場合、レジストの塗布された基板Sにテンプレートを押し当てながらレジストを硬化させ、その後、テンプレートを基板Sから引き離して基板S上にレジストパターンを形成する。
リソグラフィ処理を実施した後、レジストパターンをマスクとして基板Sの下層側をエッチングする。これにより、レジストパターンに対応する基板S上パターンを基板S上に形成する。パターン検査装置1Aは、レジストパターンや基板S上パターンに対してパターン検査処理を行う。
半導体デバイスを製造する際には、上述したパターン検査を行った後、必要に応じて欠陥削減対策が行われる。そして、製品基板などの基板に対し、上述した、成膜処理、リソグラフィ処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
ところで、SEM方式による欠陥検査では、電子線照射に対する耐性が低い樹脂のような材料、または石英のような絶縁材料に対し、S/Nの良好な電子顕微鏡画像を得ることは難しい。このため、導電性のない検査対象パターン(絶縁材料で構成されたパターン)に対して導電性のあるDSA材料膜13を用いて欠陥検査を行ってもよい。これにより、パターン検出感度が低下することを防止できる。また、立体形状の画像情報の質が劣化することを防止できる。
なお、基板Sは、ウエハなどの半導体基板に限らず、インプリントに用いるテンプレートやフォトリソグラフィに用いるフォトマスクなどであってもよい。例えば、基板Sがウエハである場合、検査対象パターンは回路パターンなどである。
また、基板Sがテンプレートである場合、検査対象パターンはテンプレートパターンであり、基板Sがフォトマスクである場合、検査対象パターンはマスクパターンである。また、検査対象パターンは、非透明であってもよいし、透明であってもよい。例えば、検査対象パターンを波長150〜800nmの光に対して透過率が90%以上である透明なパターンとしてもよい。
このように第1の実施形態によれば、自己組織パターンによる下地欠陥の拡大効果を利用してパターン検査を行うので、通常の欠陥検査方法では検出できないような微小欠陥を効率良く容易に検出できる。このため、欠陥が原因となる製品歩留りの低下を防止できる。
また、自己組織パターンによる下地欠陥の拡大効果を利用してパターン検査を行うので、分解能の低い欠陥検査装置を用いて微小欠陥を検出できる。このため、製造ラインの欠陥検査に要するコストを削減できる。
また、微小欠陥を容易に検出できるので、短時間で欠陥検査を完了できる。このため、製造工程におけるスループット向上に貢献できる。また、デバイスや工程ごとの最適な欠陥検査装置と光学条件の選定を、短時間で行うことが可能となる。
(第2の実施形態)
つぎに、図7〜図11を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、自己組織化材料を用いて計測対象パターンの寸法や形状(平面形状および断面形状)を導出する。
つぎに、図7〜図11を用いてこの発明の第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、自己組織化材料を用いて計測対象パターンの寸法や形状(平面形状および断面形状)を導出する。
図7は、第2の実施形態に係るパターン検査装置の構成を示す図である。図7の各構成要素のうち図1に示す第1の実施形態のパターン検査装置1Aと同一機能を達成する構成要素については同一番号を付しており、重複する説明は省略する。
パターン検査装置1Bは、自己組織化材料を用いてパターン計測を行う装置である。パターン検査装置1Bは、DSA塗布機構2と、自己組織化部3と、検査部4Bと、を備えている。
検査部4Bは、例えば、光学方式や走査電子顕微鏡(SEM)方式の計測装置である。検査部4Bは、基板保持部41、検出部42、計測部43、寸法・形状導出部45を備えている。本実施形態の計測部43は、検出部42から送られてくる検出結果に基づいて、基板S上に形成された自己組織パターンの繰り返し周期数あるいは形状特徴を計測する。
寸法・形状導出部45は、コンピュータなどを備えて構成されている。寸法・形状導出部45は、計測部43が計測した計測結果に基づいて、基板S上に形成されている計測対象パターン(下地パターン)の寸法や形状を導出する。
つぎに、パターン検査装置1Bによるパターン検査処理手順について説明する。図8は、第2の実施形態に係るパターン検査処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図2で説明した第1の実施形態に係るパターン検査処理と同様の処理については、その説明を省略する。
半導体デバイスを製造する際には基板S上に種々のパターンが積層されていく。パターン検査装置1Bによるパターン寸法やパターン形状の導出処理(パターン導出処理)は、半導体デバイス製造中の所定の工程が終わった後に行われる。ここでは、基板S上にL&Sパターン11が形成された後に、基板Sのパターン寸法・形状を計測する場合について説明する。
まず、計測対象パターンが形成された基板Sを用意する(ステップS11)。この後、パターン検査装置1Bは、第1の実施形態と同様の処理によって、基板S上にDSA膜13を成膜する(ステップS12)。さらに、パターン検査装置1Bは、第1の実施形態と同様の処理によって、基板S上に自己組織パターンで検査用膜を形成する(ステップS13)。
パターン検査装置1Bは、基板S上に検査用膜を形成した後、検査用膜の検査を行う。具体的には、検査部4Bにおいて、基板保持部41が基板Sを固定保持した状態で、基板Sに照明光L1が照射される。検出部42は、照明光L1が基板S上で反射されると、基板Sからの反射光L2を検出する。そして、検出部42は、反射光L2の検出結果を計測部43に送る。
計測部43は、検出部42から送られてくる検出結果に基づいて、基板S上に形成された自己組織パターンの幾何学特徴(繰り返し周期数あるいは形状特徴)を計測する(ステップS14)。この自己組織パターンの幾何学特徴は下地パターン(計測対象パターン)の形状および寸法に強く影響される。
図9は、自己組織パターンの幾何学特徴を下地パターン寸法毎に示す図である。図9では、下地パターンが種々のスペース寸法を有したL&Sパターンである場合の自己組織パターンの上面図を示している。下地パターンの寸法が変化すると、DSA材料(DSA薄膜)の自己組織パターンは種々の特徴模様を示す。
例えば、下地パターンのスペース寸法が45nmの場合、自己組織パターンは、図9の(a)に示すような特徴模様31となる。また、下地パターンのスペース寸法が47.5nmの場合、自己組織パターンは図9の(b)に示すような特徴模様32となる。
また、下地パターンのスペース寸法が50nmの場合、自己組織パターンは、図9の(c)に示すような特徴模様33となる。また、下地パターンのスペース寸法が52.5nmの場合、自己組織パターンは、図9の(d)に示すような特徴模様34となる。また、下地パターンのスペース寸法が55nmの場合、自己組織パターンは、図9の(e)に示すような特徴模様35となる。
図10は、下地パターン寸法毎に変化する自己組織パターンの本数例を示す図である。図10では、下地パターンが種々のスペース寸法を有したL&Sパターンである場合の自己組織パターンの上面図を示している。
図10の(a)は、寸法(幅)が狭い下地パターン36Bに対する自己組織パターンを示し、図10の(b)は、寸法(幅)が広い下地パターン37Bに対する自己組織パターンを示している。
図10の(a)に示すように、下地パターン36Bの寸法が狭い場合、下地パターン36B上に形成される自己組織パターン36Aは1本(繰返し周期数=1)となる。また、図10の(b)に示すように、下地パターン37Bの寸法が広い場合、下地パターン37B上に形成される自己組織パターン37Aは5本(繰返し周期数=5)となる。
さらに、本実施形態によるパターン寸法・形状の計測方法は、二次元パターンが計測対象パターンの場合でも実施可能である。図11は、ホールパターンの寸法・形状を計測する方法を説明するための図である。図11では、下地パターンが種々の寸法を有したホールパターンである場合の自己組織パターンの上面図を示している。
図11の(a)は、下地パターンであるホールパターン51の寸法(短径×長径)が35nm×100nmの場合の自己組織パターンを示している。また、図11の(b)は、下地パターンであるホールパターン53の寸法(短径×長径)が40nm×120nmの場合の自己組織パターンを示している。また、図11の(c)は、下地パターンであるホールパターン55がホールパターン53よりも大きく、互いに接続されてしまった場合の自己組織パターンを示している。
例えば、図11の(a)に示すように、ホールパターン51の寸法が35nm×100nmの場合、ホールパターン51上に形成される自己組織パターン(柱状パターン)のドメイン52は1つとなる。
また、図9(b)に示すように、ホールパターン53の寸法が40nm×120nmの場合、ホールパターン53上に形成される自己組織パターンのドメイン54は4つとなる。
また、図9(c)に示すように、ホールパターン55が互いに接続されてしまった場合、自己組織パターンのドメイン56は、ホールパターン55が接続された領域上に所定の間隔で規則正しく形成される。
また、ホールパターンの形状・寸法が異なると、形状・寸法の異なった自己組織パターンのドメインが形成される。
パターン検査装置1Bは、計測部43が基板S上に形成された自己組織パターンの繰り返し周期数あるいは形状特徴を計測した後、寸法・形状導出部45が、自己組織パターンの繰り返し周期数あるいは形状特徴に基づいて、基板S上に形成されている下地パターン(計測対象パターン)の寸法や形状を導出する(ステップS15)。
検査部4Bが光学方式の欠陥検査装置である場合、原理的に分解能が光の波長に制約される。しかしながら、本実施形態の寸法計測方法を用いることで、本来はSEM方式でしか計測できないような微細パターンの寸法を、自己組織パターンの広範囲の幾何学特徴を観察することで間接計測できる。このため、光学方式でも微細パターンの寸法を計測することが可能となる。
また、通常のSEM方式を用いて微細パターン寸法を計測する場合、計測誤差を小さくするためには、計測前の計測装置に対して細かな条件チューニングやキャリブレーションが必要となる。また、導電性のないパターンをSEM方式によって計測する場合、試料表面の帯電効果により、計測結果が不正確になることがある。
本実施形態では、ある程度の導電性があるDSA材料を用いることにより、導電性のない下地パターンに対しても正確な寸法計測を行うことが可能となる。また、本実施形態のパターン計測方法では、自己組織パターンの幾何学特徴を観察するだけでよいので、上述した煩雑な条件チューニングなどの作業が不要となる。
また、本実施形態のパターン計測方法を用いることにより、所定領域内のパターン寸法のばらつきやパターンの側壁ラフネス(断面形状)を効率的に計測することが可能となる。さらに、広範囲の自己組織パターンを一括観察することができるので、短時間で大量のパターンを計測することが可能となる。
なお、パターン検査装置1Bは、想定した複数の計測対象パターンに対して、検査用膜に現れる自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数を予め測定あるいは計算し、その測定結果や計算結果を用いてライブラリを作成してもよい。この場合、計測対象パターンの寸法・形状と、自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数との対応関係がデータベースに格納される。ライブラリに登録しておく情報(計測対象パターンの寸法・形状や、自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数)は、実験により測定してもよいし、計算モデル(自己組織化のシミュレーションモデル)を用いて計算してもよい。例えば、計算モデルを用いてライブラリを作成する場合、計測対象パターンの形状パラメータを逐次変化させてシミュレーションを行い、シミュレーションによって自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数を導出する。
そして、寸法・形状導出部45は、データベースに格納されている対応関係を用いて、幾何学特徴または繰り返し周期数に対応する計測対象パターンの寸法・形状を導出する。そして、パターン寸法・形状を計測する際に、寸法・形状導出部45は、データベースに格納されたライブラリと計測対象パターン上に形成された自己組織パターンの形状特徴量または繰り返し周期数のマッチングを行なう。そして、寸法・形状導出部45は、ベストマッチとなる自己組織パターン(ポリマーパターン)の形状特徴量または繰り返し周期数を選出する。この後、寸法・形状導出部45は、ベストマッチした自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数に対応する計測対象パターンの寸法・形状を導出する。これにより、パターン寸法・形状の計測時間を短縮することが可能となる。
また、第1の実施形態と同様に、導電性のない計測対象パターンに対して導電性のあるDSA材料を用いて寸法・形状の計測を行ってもよい。これにより、寸法計測の絶対値に対する計測誤差や感度が低下することを防止できる。また、立体形状の画像情報の質が劣化することを防止できる。
つぎに、第1の実施形態で説明した欠陥導出部44、本実施形態で説明した寸法・形状導出部45のハードウェア構成について説明する。以下では、欠陥導出部44として機能する検査装置(欠陥検査装置)、寸法・形状導出部45として機能する検査装置(計測装置)のハードウェア構成について説明する。なお、欠陥導出部44、寸法・形状導出部45は、それぞれ同様のハードウェア構成を有しているので、ここでは欠陥導出部44としての検査装置のハードウェア構成について説明する。
図12は、検査装置のハードウェア構成を示す図である。検査装置100(欠陥導出部44)は、CPU(Central Processing Unit)91、ROM(Read Only Memory)92、RAM(Random Access Memory)93、表示部94、入力部95を有している。検査装置100では、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。
CPU91は、コンピュータプログラムである検査プログラム97を用いてパターンを検査する。表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、自己組織パターンの特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数あるいは分布位置、基板S上の欠陥サイズ、欠陥の種類、欠陥数あるいは欠陥分布位置などを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報(パターン検査に必要なパラメータ等)を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。
検査プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図12では、検査プログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。
CPU91はRAM93内にロードされた検査プログラム97を実行する。具体的には、検査装置100では、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内から検査プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
検査装置100で実行される検査プログラム97は、欠陥導出部44を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。
なお、検査装置100が寸法・形状導出部45として機能する場合、検査装置100で実行される検査プログラム97は、寸法・形状導出部45を含むモジュール構成となっている。この場合の表示部94は、基板S上に形成された自己組織パターンの繰り返し周期数あるいは形状特徴、基板S上に形成されている下地パターンの寸法や形状などを表示する。
なお、基板Sは、ウエハなどの半導体基板に限らず、インプリントに用いるテンプレートやフォトリソグラフィに用いるフォトマスクなどであってもよい。例えば、基板Sがウエハである場合、計測対象パターンは回路パターンなどである。
また、基板Sがテンプレートである場合、計測対象パターンはテンプレートパターンであり、基板Sがフォトマスクである場合、計測対象パターンはマスクパターンである。また、計測対象パターンは、非透明であってもよいし、透明であってもよい。例えば、計測対象パターンを波長150〜800nmの光に対して透過率が90%以上である透明なパターンとしてもよい。
このように第2の実施形態によれば、自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数に基づいて、計測対象パターンの寸法・形状を計測するので、通常のパターン計測方法では計測できないような微細パターンを効率良く容易に計測できる。このため、欠陥が原因となる製品歩留りの低下を防止できる。
また、自己組織パターンの幾何学特徴または繰り返し周期数に基づいて、計測対象パターンの寸法・形状を計測するので、分解能の低い計測装置を用いて計測対象パターンの寸法・形状を計測できる。このため、計測に要する製造ラインのコストを削減できる。
また、微細パターンの寸法・形状を短時間で計測することができるので、製造工程におけるスループット向上に貢献できる。また、計測精度の低い導電性のない計測対象パターンに対して導電性のあるDSA材料を用いることにより、正確な寸法・形状を計測することが可能となる。
このように第1および第2の実施形態によれば、微細なパターンを短時間で検査することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1A,1B…パターン検査装置、2…DSA塗布機構、3…自己組織化部、4A,4B…検査部、5A,5B,5X…自己組織パターン、13…DSA材料膜、15A…ショート欠陥、15B…オープン欠陥、31〜35…特徴模様、36A,37A…自己組織パターン、36B,37B…下地パターン、43…計測部、44…欠陥導出部、45…寸法・形状導出部、S…基板。
Claims (9)
- DSA材料を検査対象パターンの表面に成膜する成膜ステップと、
前記DSA材料を自己組織化させることにより、検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する自己組織パターンステップと、
前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出し、前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する計測ステップと、
前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する検出ステップと、
を含み、
前記検査対象パターンの欠陥として、前記検査対象パターンの欠陥サイズ、欠陥の種類、欠陥数および欠陥分布位置の少なくとも1つが導出され、
前記検査対象パターンは、波長150〜800nmの光に対して透過率が90%以上である透明なパターンであり、
前記検査対象パターンは、絶縁材料で構成され、
前記DSA材料は、導電性を有していることを特徴とする欠陥検査方法。 - DSA材料を検査対象パターンの表面に成膜する成膜ステップと、
前記DSA材料を自己組織化させることにより、検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する自己組織パターンステップと、
前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出し、前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する計測ステップと、
前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する検出ステップと、
を含むことを特徴とする欠陥検査方法。 - 前記検査対象パターンの欠陥として、前記検査対象パターンの欠陥サイズ、欠陥の種類、欠陥数および欠陥分布位置の少なくとも1つが導出されることを特徴とする請求項2に記載の欠陥検査方法。
- 前記検査対象パターンは、波長150〜800nmの光に対して透過率が90%以上である透明なパターンであることを特徴とする請求項2または3に記載の欠陥検査方法。
- 前記検査対象パターンは、絶縁材料で構成され、
前記DSA材料は、導電性を有していることを特徴とする請求項2〜4のいずれか1つに記載の欠陥検査方法。 - DSA材料を計測対象パターンの表面に成膜する成膜ステップと、
前記DSA材料を自己組織化させることにより、計測対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンを形成する自己組織パターンステップと、
前記自己組織パターンの繰り返し周期数または形状特徴を計測する計測ステップと、
前記計測結果に基づいて、前記計測対象パターンの寸法および形状を導出する導出ステップと、
を含むことを特徴とするパターン計測方法。 - 前記計測対象パターンの形状は、前記計測対象パターンの平面形状または断面形状であることを特徴とする請求項6に記載のパターン計測方法。
- 計測対象パターンの寸法および形状と、前記自己組織パターンの繰り返し周期数または形状特徴と、の対応関係をデータベースに格納する格納ステップをさらに含み、
前記対応関係および前記計測結果に基づいて、前記計測対象パターンの寸法および形状を導出することを特徴とする請求項6または7に記載のパターン計測方法。 - 検査対象パターンの表面に成膜されたDSA材料を自己組織化させることによって形成された、前記検査対象パターンの寸法毎に異なる幾何学特徴を示す自己組織パターンに対し、前記自己組織パターンの形成されている領域内から前記検査対象パターンに対応していない特異領域を抽出する特異領域抽出部と、
前記特異領域のサイズ、幾何学特徴、分布数および分布位置の少なくとも1つを計測する計測部と、
前記特異領域の計測結果に基づいて、前記検査対象パターンの欠陥を検出する欠陥検出部と、
を含むことを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=49172983
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2013160621A (ja) |
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WO2018055881A1 (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
-
2012
- 2012-02-03 JP JP2012022378A patent/JP2013160621A/ja active Pending
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