JP2013157470A - Semiconductor component manufacturing method - Google Patents
Semiconductor component manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013157470A JP2013157470A JP2012017029A JP2012017029A JP2013157470A JP 2013157470 A JP2013157470 A JP 2013157470A JP 2012017029 A JP2012017029 A JP 2012017029A JP 2012017029 A JP2012017029 A JP 2012017029A JP 2013157470 A JP2013157470 A JP 2013157470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support substrate
- sensitive adhesive
- semiconductor
- double
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
Description
本発明は、支持基板上に複数の半導体チップを搭載しこれらの半導体チップをモールディング樹脂で封止した後に支持基板を剥離する工程を含み、容易に支持基板を剥離でき、高い歩留まりを実現できる半導体部品の製造方法に関する。 The present invention includes a step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate, sealing the semiconductor chips with a molding resin, and then peeling the support substrate. The semiconductor can easily peel the support substrate and achieve a high yield. The present invention relates to a part manufacturing method.
複数の半導体チップにバンプ形成等の処理を一括して施して半導体部品を製造したり、複数の半導体チップを組み込んだマルチチップモジュールを製造したりする方法として、支持基板上に複数の半導体チップを搭載し、この状態で半導体チップをモールディング樹脂で封止した後、支持基板を除去する方法が検討されている。 As a method of manufacturing a semiconductor component by collectively performing a process such as bump formation on a plurality of semiconductor chips, or manufacturing a multichip module incorporating a plurality of semiconductor chips, a plurality of semiconductor chips are mounted on a support substrate. A method of removing the support substrate after mounting and sealing the semiconductor chip with a molding resin in this state has been studied.
例えば特許文献１には、基板上に、離型性又は溶媒溶解性の粘着性物質を少なくとも局部的に付着する工程と、この粘着性物質の上に複数個又は複数種の半導体チップをその電極面を下にして固定する工程と、複数個又は複数種の半導体チップ間を含む全面に保護物質を被着する工程と、保護物質に固定された半導体チップと粘着性物質付きの基板とを剥離により分離するか、或いは、保護物質に固定された半導体チップと基板とを粘着性物質の溶媒溶解処理により分離し、半導体チップを保護物質で固定した疑似ウェーハを作製する工程と、複数個又は複数種の半導体チップ間において保護物質を切断して各半導体チップ又はチップ状電子部品を分離する工程とを有する、チップ状電子部品の製造方法が記載されている。特許文献１に記載された方法では、基板（支持基板）上に複数の半導体チップを搭載し、この状態で半導体チップを保護物質（モールディング樹脂）で封止した後に、封止された半導体チップを支持基板から剥離して次工程に供給している。 For example, Patent Document 1 discloses a step of at least locally attaching a release or solvent-soluble adhesive substance on a substrate, and a plurality or types of semiconductor chips on the adhesive substance. A process of fixing with the surface facing down, a process of depositing a protective substance on the entire surface including between a plurality or types of semiconductor chips, and a semiconductor chip fixed to the protective substance and the substrate with an adhesive substance are peeled off Or by separating the semiconductor chip and the substrate fixed to the protective substance by a solvent-dissolving treatment of an adhesive substance, and producing a pseudo wafer in which the semiconductor chip is fixed by the protective substance; A method of manufacturing a chip-shaped electronic component is described, which includes a step of cutting a protective substance between different types of semiconductor chips to separate each semiconductor chip or chip-shaped electronic component. In the method described in Patent Document 1, a plurality of semiconductor chips are mounted on a substrate (support substrate), and after sealing the semiconductor chips with a protective material (molding resin) in this state, the sealed semiconductor chips are mounted. It is peeled from the support substrate and supplied to the next process.
特許文献１においては、半導体チップと支持基板とは「離型性又は溶媒溶解性の粘着性物質」を介して接着され、このような粘着性物質としてポリビニルアルコール等が開示されている。そして、特許文献１では、該ポリビニルアルコールとモールディング物質として用いるポリエステルとの間に離型作用があることから剥離できるとし、必要に応じて糊残りしたポリビニルアルコールを水又は温水で洗浄することが記載されている。
しかしながら、実際には、モールディング樹脂で封止された半導体チップを支持基板から剥離するのは容易ではなく、歩留まりが極端に低くなってしまうという問題があった。
In Patent Document 1, a semiconductor chip and a support substrate are bonded via a “release or solvent-soluble adhesive substance”, and polyvinyl alcohol or the like is disclosed as such an adhesive substance. And in patent document 1, it is said that it can peel since there is a mold release effect | action between this polyvinyl alcohol and polyester used as a molding substance, and it describes cleaning the polyvinyl alcohol which remained glue as needed with water or warm water. Has been.
However, in practice, it is not easy to peel the semiconductor chip sealed with the molding resin from the support substrate, and there is a problem that the yield is extremely lowered.
また、特許文献２には、仮支持基板上に、モジュール配線基板として、絶縁層および配線層を積層したモジュール配線層を形成する配線層形成工程と、該配線層形成工程で形成されたモジュール配線層上に複数の半導体素子を搭載する半導体素子搭載工程と、該半導体素子搭載工程で前記半導体素子を搭載した後、仮支持基板を除去してマルチチップモジュールを得る仮支持基板除去工程とを有するマルチチップモジュールの製造方法が記載されている。特許文献２に記載された方法では、半導体素子と仮支持基板との接着は、仮支持基板上に形成された導電膜に、はんだボールを用いて半導体素子を導電接続することにより行う方法が記載されている。そしてモールディング樹脂による封止を行った後に不要になった仮支持基板は、バックグラインド（裏面機械研磨）により削って除去する方法が記載されている。
特許文献２に記載された方法では、厚みのある仮支持基板をバックグラインドにより削って除去するのに時間がかかるうえ、バックグラインドの際の衝撃によって、半導体素子が破損してしまうことがあるという問題があった。
According to the method described in
本発明は、支持基板上に複数の半導体チップを搭載しこれらの半導体チップをモールディング樹脂で封止した後に支持基板を剥離する工程を含み、容易に支持基板を剥離でき、高い歩留まりを実現できる半導体部品の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention includes a step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate, sealing the semiconductor chips with a molding resin, and then peeling the support substrate. The semiconductor can easily peel the support substrate and achieve a high yield. It aims at providing the manufacturing method of components.
本発明は、両面粘着テープを介して支持基板上に複数の半導体チップを搭載するチップ搭載工程と、前記基板上に搭載された複数の半導体チップを硬化性樹脂組成物で被覆し、該硬化性樹脂組成物を半硬化させるモールディング工程と、半硬化した硬化性樹脂組成物を完全に硬化させて、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品を得る本硬化工程と、前記支持基板側から光を照射することにより、支持基板と両面粘着テープとを剥離する支持基板剥離工程と、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを剥離するテープ剥離工程とを有する半導体部品の製造方法であって、前記両面粘着テープは、基材の両面に粘着剤層が形成されたものであって、前記支持基板に接着する側に、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する気体発生剤含有光硬化型粘着剤層を有し、かつ、前記半導体チップと接着する側に、架橋度が７０〜９０％、表面極性が４５ｄｙｎ／ｃｍ２以下である高架橋低極性光硬化型粘着剤層を有する半導体部品の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention includes a chip mounting step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate via a double-sided adhesive tape, and coating the plurality of semiconductor chips mounted on the substrate with a curable resin composition, A molding process for semi-curing the resin composition, a main curing process for completely curing the semi-cured curable resin composition to obtain a semiconductor component in which a semiconductor chip is sealed with a sealing resin, and the support substrate side A support substrate peeling step for peeling the support substrate and the double-sided adhesive tape by irradiating light, and a tape peeling step for peeling the double-sided adhesive tape from the semiconductor component in which the semiconductor chip is sealed with the sealing resin A method for manufacturing a semiconductor component, wherein the double-sided pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer formed on both sides of a base material, and irradiates light to the side to be bonded to the support substrate. It has a gas generating agent containing light-curable pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates more gas, and, on the side bonded to the semiconductor chip, the degree of crosslinking is 70% to 90%, the surface polarity 45 dyn / cm It is a manufacturing method of the semiconductor component which has a highly bridged low polarity photocurable adhesive layer which is 2 or less.
The present invention is described in detail below.
本発明の半導体部品の製造方法の流れを説明する模式図を図１に示した。以下、図１を参照しながら本発明の半導体部品の製造方法を説明する。 A schematic diagram illustrating the flow of the method for manufacturing a semiconductor component of the present invention is shown in FIG. Hereinafter, a method for manufacturing a semiconductor component of the present invention will be described with reference to FIG.
本発明の半導体部品の製造方法は、両面粘着テープを介して支持基板上に複数の半導体チップを搭載するチップ搭載工程を有する。
上記半導体チップは、例えば、ＣＰＵ等に演算素子に用いられるロジック系や記憶する際に用いられるメモリー等の回路の形成された半導体チップが用いられる。
The method for manufacturing a semiconductor component of the present invention includes a chip mounting step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate via a double-sided adhesive tape.
As the semiconductor chip, for example, a semiconductor chip in which a circuit such as a logic system used for an arithmetic element in a CPU or the like or a memory used for storing is used.
上記支持板は、光を透過する透明のものであれば特に限定されないが、例えば、ガラス板や、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等が挙げられる。 The support plate is not particularly limited as long as it is transparent so as to transmit light. For example, a plate made of a resin such as a glass plate, acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, PET, nylon, urethane, polyimide, or the like. And the like.
上記両面粘着テープは、基材の両面に粘着剤層が形成されたものであって、上記半導体チップと支持板とを貼り合わせる役割を有する。
上記基材は特に限定されないが、光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
The double-sided pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer formed on both surfaces of a substrate, and has a role of bonding the semiconductor chip and a support plate together.
Although the said base material is not specifically limited, It is preferable that it is what permeate | transmits or passes light, for example, transparent, such as an acryl, an olefin, a polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, urethane, a polyimide. Examples thereof include a sheet made of resin, a sheet having a network structure, and a sheet having holes.
上記両面粘着テープは、上記支持基板に接着する側に、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する気体発生剤含有光硬化型粘着剤層（以下、単に「気体発生剤含有層」ともいう。）を有する。このような気体発生剤含有層を有することにより、剥離時に光を照射すれば、気体発生剤から発生した気体が硬化した気体発生剤含有層と支持板との界面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に支持板から両面粘着テープを剥離することができる。 The double-sided pressure-sensitive adhesive tape comprises a gas generating agent-containing photocurable pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter simply referred to as “gas generating agent-containing”) containing a gas generating agent that generates gas by irradiating light on the side to be bonded to the support substrate. Also referred to as a “layer”. By having such a gas generating agent-containing layer, if light is emitted during peeling, the gas generated from the gas generating agent is released to the interface between the cured gas generating agent-containing layer and the support plate, and at least the adhesive surface Since a part is peeled off and the adhesive strength is reduced, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled from the support plate.
上記光を照射することにより気体を発生する気体発生剤は特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、アジド化合物、アゾジカルボンアミド化合物、ジニトロソペンタメチレンテトラミン化合物、テトラゾール化合物等が挙げられる。なかでも、優れた耐熱性を有することから、テトラゾール化合物が好適である。 Although the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irradiating the said light is not specifically limited, For example, an azo compound, an azide compound, an azodicarbonamide compound, a dinitroso pentamethylene tetramine compound, a tetrazole compound, etc. are mentioned. Especially, since it has the outstanding heat resistance, a tetrazole compound is suitable.
上記気体発生剤含有層では、上記気体発生剤から発生した気体は気体発生剤含有層の外へ放出されることが好ましい。これにより、上記両面粘着テープを支持板に貼付した接着面に光を照射すると気体発生剤から発生した気体が支持板から接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に剥離することができる。この際、気体発生剤から発生した気体の大部分は気体発生剤含有層の外へ放出されることが好ましい。上記気体発生剤から発生した気体の大部分が気体発生剤含有層の外へ放出されないと、気体発生剤含有層が気体発生剤から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充分に得ることができず、支持板上に糊残りを生じさせてしまうことがある。なお、支持板上に糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一部が気体発生剤含有層中に溶け込んでいたり、気泡として気体発生剤含有層中に存在していたりしてもかまわない。 In the gas generating agent-containing layer, the gas generated from the gas generating agent is preferably released out of the gas generating agent-containing layer. As a result, when the adhesive surface on which the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is attached to the support plate is irradiated with light, the gas generated from the gas generating agent peels at least a part of the adhesive surface from the support plate and lowers the adhesive force. be able to. At this time, most of the gas generated from the gas generating agent is preferably released out of the gas generating agent-containing layer. If most of the gas generated from the gas generating agent is not released to the outside of the gas generating agent-containing layer, the gas generating agent-containing layer is entirely foamed by the gas generated from the gas generating agent, thereby reducing the adhesive force. It is not possible to obtain a sufficient effect, and an adhesive residue may be generated on the support plate. As long as no adhesive residue is generated on the support plate, a part of the gas generated from the gas generating agent is dissolved in the gas generating agent-containing layer or is present as bubbles in the gas generating agent-containing layer. It does not matter.
上記気体発生剤含有層を構成する粘着剤は、光を照射することにより架橋して弾性率が上昇する光硬化型粘着剤である。このような光硬化型粘着剤を用いれば、剥離時に光を照射して弾性率を上昇させることにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。更に、剥離の際に気体を発生させるのに先立って架橋させれば気体発生剤含有層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、支持板から気体発生剤含有層の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。 The pressure-sensitive adhesive constituting the gas generating agent-containing layer is a photo-curing pressure-sensitive adhesive that crosslinks when irradiated with light and increases its elastic modulus. If such a photocurable pressure-sensitive adhesive is used, the adhesive force is reduced and peeling can be facilitated by irradiating light at the time of peeling to increase the elastic modulus. Furthermore, if the cross-linking is performed prior to generating gas at the time of peeling, the elastic modulus of the entire gas generating agent-containing layer is increased, and when gas is generated from the gas generating agent in a hard cured product having an increased elastic modulus. Most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the bonding surface of the gas generating agent-containing layer from the support plate to lower the adhesive force.
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを含有し、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤が挙げられる。
このような光硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、光の照射により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
Examples of the photocurable pressure-sensitive adhesive include, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable Examples thereof include a photocurable pressure-sensitive adhesive that contains a functional oligomer or monomer and contains a photopolymerization initiator as necessary.
The pressure-sensitive adhesive layer made of such a photo-curable pressure-sensitive adhesive is uniformly and rapidly polymerized and integrated by light irradiation, so that the elastic modulus increases significantly due to polymerization and curing. Adhesive strength is greatly reduced. In addition, when a gas is generated from a gas generating agent in a hard cured material having an increased elastic modulus, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas is at least one of the adhesive surfaces of the adhesive from the semiconductor chip. Remove the part to reduce the adhesive strength.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate, and epoxy such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples thereof include group-containing monomers, isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate, and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、シリコンアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. And the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20. As such more preferred polyfunctional oligomers or monomers, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate , Silicon acrylate or the same methacrylates as mentioned above. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止するために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether, ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, phosphine oxide derivative compounds, bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds , Benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenol Examples include photo radical polymerization initiators such as nylpropane. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
When using the photopolymerization initiator, it is preferable to add 2 phr or more in order to prevent the post-curing pressure-sensitive adhesive from being inhibited by oxygen.
上記光硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。 In addition to the above components, the above-mentioned photocurable pressure-sensitive adhesive is variously blended with general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds for the purpose of adjusting the cohesive force as a pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a polyfunctional compound suitably. Moreover, well-known additives, such as a plasticizer, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler, can also be added.
上記両面粘着テープは、上記半導体チップと接着する側に、架橋度が７０％以上、表面極性が４５ｄｙｎ／ｃｍ２以下である高架橋低極性光硬化型粘着剤層（以下、単に「高架橋低極性粘着剤層」ともいう。）を有する。このような高架橋低極性粘着剤層を有することにより、後述するテープ剥離工程において、半導体チップが樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを容易に剥離することができる。 The double-sided pressure-sensitive adhesive tape has a highly-crosslinked low-polarity photocurable pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter simply referred to as “highly-crosslinked low-polarity adhesive” having a degree of crosslinking of 70% or more and a surface polarity of 45 dyn / cm 2 or less on the side to be bonded to the semiconductor chip. It is also referred to as “agent layer”). By having such a highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled from a semiconductor component in which a semiconductor chip is sealed with a resin in a tape peeling step described later.
上記高架橋低極性粘着剤層を構成する粘着剤は、光を照射することにより架橋して弾性率が上昇する光硬化型粘着剤である。上記光硬化型粘着剤は、上記気体発生剤含有層に用いられるものと同様のものを用いることができる。 The pressure-sensitive adhesive constituting the highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is a photo-curing pressure-sensitive adhesive that is cross-linked by irradiating light to increase the elastic modulus. The said photocurable adhesive can use the thing similar to what is used for the said gas generating agent content layer.
上記高架橋低極性粘着剤層は、架橋度の下限が７０％、上限が９０％である。上記高架橋低極性粘着剤層の架橋度が７０％以上であることにより、後述するモールディング工程において未硬化の硬化性樹脂組成物と直接接触し、更にその後に該硬化性樹脂組成物を半硬化、本硬化させた後にも、上記高架橋低極性粘着剤層と硬化後の樹脂との密着性が必要以上に亢進することなく、テープ剥離工程において、半導体チップが樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを容易に剥離することができる。上記高架橋低極性粘着剤層の架橋度が９０％未満であることにより、初期接着力を確保し、上記半導体チップを充分に支持板上に固定できる。上記高架橋低極性粘着剤層の架橋度の好ましい下限は７５％である。
なお、本明細書において架橋度とは、当該両面テープに用いられるある層の粘着剤において架橋成分（ゲル分）／粘着剤全組成分で算出される架橋度合いのことを意味する。
In the highly crosslinked low-polarity adhesive layer, the lower limit of the degree of crosslinking is 70% and the upper limit is 90%. When the degree of crosslinking of the highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is 70% or more, it comes into direct contact with an uncured curable resin composition in the molding step described below, and then the curable resin composition is semi-cured. Even after the main curing, the adhesiveness between the highly crosslinked low-polarity adhesive layer and the cured resin is not increased more than necessary. The adhesive tape can be easily peeled off. When the degree of cross-linking of the highly cross-linked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is less than 90%, the initial adhesive force can be secured and the semiconductor chip can be sufficiently fixed on the support plate. A preferable lower limit of the degree of crosslinking of the highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is 75%.
In the present specification, the degree of cross-linking means the degree of cross-linking calculated by the cross-linking component (gel content) / the total composition of the pressure-sensitive adhesive in a layer of the pressure-sensitive adhesive used in the double-sided tape.
上記高架橋低極性粘着剤層の架橋度を上記範囲とする方法は特に限定されず、例えば高架橋低極性粘着剤層に含まれるポリマー中に含まれる水酸基やカルボキシル基等を、イソシアネート基含有架橋成分やエポキシ基含有架橋成分によって熱架橋させることにより架橋度を調整する方法等が考えられる。 The method for setting the degree of crosslinking of the highly crosslinked low polarity pressure-sensitive adhesive layer in the above range is not particularly limited. For example, a hydroxyl group or a carboxyl group contained in the polymer contained in the highly crosslinked low polarity pressure-sensitive adhesive layer is converted to an isocyanate group-containing crosslinking component or A method of adjusting the degree of crosslinking by thermally crosslinking with an epoxy group-containing crosslinking component is conceivable.
上記高架橋低極性粘着剤層は、表面極性が４５ｄｙｎ／ｃｍ２以下である。上記高架橋低極性粘着剤層の表面極性が４５ｄｙｎ／ｃｍ２以下であることにより、後述するモールディング工程において未硬化の硬化性樹脂組成物と直接接触し、更にその後に該硬化性樹脂組成物を半硬化、本硬化させた後にも、上記高架橋低極性粘着剤層と硬化後の樹脂との密着性が必要以上に亢進することなく、テープ剥離工程において、半導体チップが樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを容易に剥離することができる。上記高架橋低極性粘着剤層の表面極性の好ましい上限は４２ｄｙｎ／ｃｍ２である。
なお、本明細書において表面極性とは、粘着剤表面を規定表面極性で規定される濡れ指示薬による濡れ性試験で表される数値を意味する。
The highly crosslinked low polarity pressure-sensitive adhesive layer has a surface polarity of 45 dyn / cm 2 or less. When the surface polarity of the highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is 45 dyn / cm 2 or less, it is in direct contact with the uncured curable resin composition in the molding step described later, and then the curable resin composition is semi-treated. The semiconductor component in which the semiconductor chip is sealed with the resin in the tape peeling step without excessively enhancing the adhesion between the highly crosslinked low-polarity adhesive layer and the cured resin even after curing and main curing. The double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled off. The upper limit with preferable surface polarity of the said high bridge | crosslinking low polarity adhesive layer is 42 dyn / cm < 2 >.
In the present specification, the surface polarity means a numerical value represented by a wettability test using a wetness indicator defined on the pressure-sensitive adhesive surface with a specified surface polarity.
上記高架橋低極性粘着剤層の表面極性を上記範囲とする方法は特に限定されず、例えば、高架橋低極性粘着剤層の主成分である（メタ）アクリルモノマーとして、特に長鎖の（メタ）アクリルモノマーを選択したり、配合する多官能オリゴマーやモノマーとして低極性のものを選択したりすることにより調整する方法等が挙げられる。実際には、これらの配合量を適宜調整することにより、表面極性を制御する。 The method for setting the surface polarity of the highly crosslinked low polarity pressure-sensitive adhesive layer in the above range is not particularly limited. For example, as the (meth) acrylic monomer that is a main component of the highly crosslinked low polarity pressure-sensitive adhesive layer, a long-chain (meth) acrylic is particularly used. Examples thereof include a method of adjusting by selecting a monomer or selecting a low-polarity polyfunctional oligomer or monomer as a compound. Actually, the surface polarity is controlled by appropriately adjusting the amount of these components.
上記気体発生剤含有層及び上記高架橋低極性粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記気体発生剤含有層及び上記高架橋低極性粘着剤層の厚さが１０μｍ未満であると、接着力が不足し上記半導体チップを充分に支持板上に固定できないことがあり、１００μｍを超えると、半導体チップをテープ上に搭載する際に、沈みこみが大きく所定の高さ制御が困難であったり、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好に剥離することができなかったりすることがある。 Although it does not specifically limit as thickness of the said gas generating agent content layer and the said high bridge | crosslinking low polar adhesive layer, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. When the thickness of the gas generating agent-containing layer and the highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer is less than 10 μm, the adhesive force may be insufficient and the semiconductor chip may not be sufficiently fixed on the support plate. When mounting a semiconductor chip on a tape, the sinking is large and it is difficult to control the specified height, or because the adhesive strength is too high, the peelability is reduced and the tape cannot be peeled well. There is.
上記チップ搭載工程においては、上記両面粘着テープを介して支持基板上に複数の半導体チップを搭載する。
図１（ａ）においては、両面粘着テープ３を介して複数の半導体チップ１と支持基板２とが接着されている。両面粘着テープ３は、基材３１の両面に気体発生剤含有層３２と高架橋低極性粘着剤層３３とが形成されたものであり、気体発生剤含有層３２が支持基板２側に、高架橋低極性粘着剤層３３が半導体チップ１側に配されている。
In the chip mounting step, a plurality of semiconductor chips are mounted on the support substrate via the double-sided adhesive tape.
In FIG. 1A, a plurality of semiconductor chips 1 and a
本発明の半導体部品の製造方法は、上記基板上に搭載された複数の半導体チップを硬化性樹脂組成物で被覆し、該硬化性樹脂組成物を半硬化させるモールディング工程を有する。 The method for manufacturing a semiconductor component of the present invention includes a molding step of covering a plurality of semiconductor chips mounted on the substrate with a curable resin composition and semi-curing the curable resin composition.
上記硬化性樹脂組成物は、硬化することにより上記半導体チップを封止する役割を有する。
上記硬化性樹脂組成物は、従来からモールディング樹脂として用いられているものであれば特に限定されず、エポキシ樹脂と硬化剤とを含有するエポキシ樹脂組成物や、シリコン樹脂と硬化剤とを含有するシリコン樹脂組成物等を用いることができる。なかでも、エポキシ樹脂組成物が好適である。
The curable resin composition has a role of sealing the semiconductor chip by being cured.
The curable resin composition is not particularly limited as long as it is conventionally used as a molding resin, and contains an epoxy resin composition containing an epoxy resin and a curing agent, and a silicon resin and a curing agent. A silicon resin composition or the like can be used. Especially, an epoxy resin composition is suitable.
上記モールディング工程では、上記硬化性樹脂組成物をテープ上に流涎した後、半硬化（成形）させる。まず半硬化（成形）させることにより、所定の封止樹脂厚みを確保し、後工程を円滑に行うことができる。
上記半硬化の方法は特に限定されず、例えば上記硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物である場合には、通常、プレス機のようなもので加圧しながら、１２０℃で１０分間程度の熱処理を行う。
なお、本明細書において半硬化とは、液状モールド樹脂組成分が流動性を消失させ、その後の工程において樹脂付着等をしない程度に、架橋により弾性率が上昇することを意味する。
In the molding step, the curable resin composition is poured on a tape and then semi-cured (molded). First, by semi-curing (molding), a predetermined sealing resin thickness can be ensured and the subsequent process can be performed smoothly.
The semi-curing method is not particularly limited. For example, when the curable resin composition is an epoxy resin composition, the heat treatment is usually performed at 120 ° C. for about 10 minutes while being pressed with a press machine. I do.
In the present specification, semi-cured means that the liquid mold resin composition loses fluidity, and the elasticity increases due to crosslinking to such an extent that the resin does not adhere in the subsequent steps.
図１（ｂ）においては、両面粘着テープ３を介して支持基板２に接着された複数の半導体チップ１を、半硬化された硬化性樹脂組成物４が覆っている。
In FIG. 1B, the semi-cured curable resin composition 4 covers the plurality of semiconductor chips 1 bonded to the
本発明の半導体部品の製造方法は、半硬化した硬化性樹脂組成物を完全に硬化させて、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品を得る本硬化工程を有する。硬化性樹脂組成物を完全に硬化させることにより、半導体チップの封止が完成する。
上記本硬化の方法は特に限定されず、例えば上記硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物である場合には、通常、１５０℃で１時間程度の熱処理を行う。
なお、本明細書において完全に硬化とは、パッケージとしての信頼性等が確保できる最終硬化物の弾性率を確保できる程度まで、架橋度を上昇させることを意味する。
The method for producing a semiconductor component of the present invention includes a main curing step of completely curing a semi-cured curable resin composition to obtain a semiconductor component in which a semiconductor chip is sealed with a sealing resin. The semiconductor chip is completely sealed by completely curing the curable resin composition.
The method of the main curing is not particularly limited. For example, when the curable resin composition is an epoxy resin composition, heat treatment is usually performed at 150 ° C. for about 1 hour.
In the present specification, “completely cured” means that the degree of cross-linking is increased to such an extent that the elastic modulus of the final cured product that can ensure reliability as a package can be ensured.
図１（ｃ）においては、両面粘着テープ３を介して支持基板２に接着された複数の半導体チップ１が封止樹脂５により覆われて、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品６が形成されている。
In FIG. 1C, a semiconductor component in which a plurality of semiconductor chips 1 bonded to a
本発明の半導体部品の製造方法は、上記支持基板側から光を照射することにより、支持基板と両面粘着テープとを剥離する支持基板剥離工程を有する。
上述のように上記両面粘着テープの支持基板が気体発生剤含有層であることから、光を照射することにより気体発生剤から発生した気体が硬化した気体発生剤含有層と支持板との界面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に支持板から両面粘着テープを剥離することができる。
The manufacturing method of the semiconductor component of this invention has a support substrate peeling process which peels a support substrate and a double-sided adhesive tape by irradiating light from the said support substrate side.
Since the support substrate of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is a gas generating agent-containing layer as described above, the gas generated from the gas generating agent by irradiation with light is cured at the interface between the gas generating agent-containing layer and the support plate. Since it is released and peels at least a part of the adhesive surface to reduce the adhesive strength, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled from the support plate.
図１（ｄ）においては、光を照射することにより両面粘着テープ３の気体発生剤含有層３２と支持基板２との間で剥離して、両面粘着テープ３が貼付された状態の、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品６が分離されている。
In FIG. 1D, the semiconductor chip in a state where the gas generating agent-containing
本発明の半導体部品の製造方法は、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを剥離するテープ剥離工程を有する。
上述のように上記両面粘着テープの半導体チップ側は、高架橋低極性粘着剤層である。該高架橋低極性粘着剤層は、上記工程を通じても封止樹脂に対する密着性がさほど亢進していない。また、上記支持基板剥離工程において照射した光によって硬化していることから、粘着力が低減している。従って、めくるようにして、容易に半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品から両面粘着テープを剥離することができる。
The manufacturing method of the semiconductor component of this invention has a tape peeling process which peels a double-sided adhesive tape from the semiconductor component by which the semiconductor chip was sealed with sealing resin.
As described above, the semiconductor chip side of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is a highly crosslinked low-polarity adhesive layer. The highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer does not significantly increase the adhesion to the sealing resin even through the above steps. Moreover, since it hardens | cures with the light irradiated in the said support substrate peeling process, the adhesive force is reducing. Therefore, the double-sided adhesive tape can be easily peeled from the semiconductor component in which the semiconductor chip is sealed with the sealing resin.
図１（ｅ）においては、粘着力の低下した両面粘着テープ３を、めくるようにして半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品６から剥離している。
そして、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品６のみが残される（図１（ｆ））。
In FIG.1 (e), the double-sided adhesive tape 3 with which adhesive strength fell is peeled off from the semiconductor component 6 by which the semiconductor chip was sealed with sealing resin.
Then, only the semiconductor component 6 in which the semiconductor chip is sealed with the sealing resin is left (FIG. 1 (f)).
このようにして得られた半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品は、その後更に、研磨処理や再配線処理やバンプ形成処理等の各種の処理を施すことができる。そのようにして、マルチチップモジュールを完成させることができる。また、一括して処理を行う方法として考えれば、全ての処理が完了した後に封止樹脂を切断して、個々の半導体部品に分離してもよい。 The semiconductor component in which the semiconductor chip thus obtained is sealed with a sealing resin can be further subjected to various processes such as a polishing process, a rewiring process, and a bump forming process. In this way, a multichip module can be completed. Further, if considered as a method of performing the processing in a lump, the sealing resin may be cut and separated into individual semiconductor components after all the processing is completed.
本発明によれば、支持基板上に複数の半導体チップを搭載しこれらの半導体チップをモールディング樹脂で封止した後に支持基板を剥離する工程を含み、容易に支持基板を剥離でき、高い歩留まりを実現できる半導体部品の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, the method includes a step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate, and sealing the semiconductor chip with a molding resin, and then peeling the support substrate. The manufacturing method of the semiconductor component which can be provided can be provided.
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
（１）両面粘着テープの調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、アクリル酸１重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル１８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）０．１重量部、ポリイソシアネート系架橋剤（コロネートＬ４５、日本ポリウレタン社製）２．５重量部を混合し接着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
接着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ケトプロフェン（東京化成工業社製）２０重量部、光増感剤として９，１０−ジグリシジルオキシアントラセン１重量部を混合して、気体発生剤含有接着剤組成物を得た。
Example 1
(1) Preparation of double-sided pressure-sensitive adhesive tape A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared, and in this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 1 part by weight of acrylic acid, 2-hydroxyethyl acrylate 5 After adding parts by weight, 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan and 180 parts by weight of ethyl acetate, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. And 8 hours after the start of polymerization, an acrylic copolymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the acrylic copolymer thus obtained is reacted by adding 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate, and further the resin of the ethyl acetate solution after the reaction. 0.1 parts by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Shibel Hegner) and 2.5 parts by weight of a polyisocyanate-based crosslinking agent (Coronate L45, manufactured by Nippon Polyurethane) are mixed and bonded to 100 parts by weight of solid content. An ethyl acetate solution of agent (1) was prepared.
20 parts by weight of ketoprofen (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) and 1 part by weight of 9,10-diglycidyloxyanthracene as a photosensitizer are mixed with 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the adhesive (1). Thus, a gas generating agent-containing adhesive composition was obtained.
一方、温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、アクリル酸１重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万のアクリル共重合体を得た。 On the other hand, a reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared, and in this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 1 part by weight of acrylic acid, 5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, lauryl mercaptan 0 After adding 0.01 parts by weight and 80 parts by weight of ethyl acetate, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. And 8 hours after the start of polymerization, an acrylic copolymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部、（メタ）アクリル基を有するシリコーン化合物（ダイセルサイテック社製、ＥＢＥＣＲＹＬ３５０、アクリル当量は２）５重量部、ポリイソシアネート系架橋剤（コロネートＬ４５、日本ポリウレタン社製）１．０重量部を混合し粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製して、高架橋低極性粘着剤用樹脂組成物を得た。 The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the acrylic copolymer thus obtained is reacted by adding 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate, and further the resin of the ethyl acetate solution after the reaction. 1 part by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Shibel Hegner), 100 parts by weight of a solid content, a silicone compound having a (meth) acryl group (manufactured by Daicel Cytec, EBECRYL 350, acrylic equivalent is 2), 5 parts by weight Then, 1.0 part by weight of a polyisocyanate-based cross-linking agent (Coronate L45, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) was mixed to prepare an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive composition to obtain a resin composition for highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive.
得られた各粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ２５μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に各々片方ずつに乾燥皮膜の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、基材の一方の面に気体発生剤含有層が、他方の面に高架橋低極性粘着剤層が形成された、両面粘着テープを得た。
なお、濡れ指示薬による濡れ試験方法により高架橋低極性粘着剤層の架橋度及び表面極性を測定したところ、架橋度は７０％、表面極性は４５ｄｙｎ／ｃｍ２であった。
Each of the obtained pressure-sensitive adhesive compositions with an ethyl acetate solution has a dry film thickness of 30 μm on each side of the corona-treated surface of a 25 μm-thick transparent polyethylene naphthalate film that has been corona-treated on both sides. The coating solution was dried with a doctor knife and heated at 110 ° C. for 5 minutes. Thereafter, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain a double-sided pressure-sensitive adhesive tape in which a gas generating agent-containing layer was formed on one side of the substrate and a highly crosslinked low-polarity pressure-sensitive adhesive layer was formed on the other side.
The degree of crosslinking and the surface polarity of the highly crosslinked low-polarity adhesive layer were measured by a wetting test method using a wetting indicator. The degree of crosslinking was 70% and the surface polarity was 45 dyn / cm 2 .
（２）半導体部品の製造
厚さ０．７ｍｍのガラスからなる直径２００ｍｍの支持基板に、得られた両面粘着テープを介して演算処理用の半導体チップ５０個を搭載した。この際、両面粘着テープの気体発生剤含有層が支持基板に、高架橋低極性粘着剤層が半導体チップ側になるようにした。
次に汎用パッケージ封止用エポキシ樹脂組成物（ＫＥ１００ＳＶ、京セラケミカル社製）を上記支持基板上に搭載した半導体チップを覆うように流し込み、１２０℃、１０分間加熱してエポキシ樹脂組成物を半硬化させた。その後、更に１５０℃、１時間加熱することにより、エポキシ樹脂組成物を完全に硬化させた。
(2) Manufacture of semiconductor components Fifty semiconductor chips for arithmetic processing were mounted on a support substrate having a diameter of 200 mm made of glass having a thickness of 0.7 mm through the obtained double-sided adhesive tape. At this time, the gas generating agent-containing layer of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape was placed on the support substrate, and the highly crosslinked and low-polarity pressure-sensitive adhesive layer was placed on the semiconductor chip side.
Next, a general-purpose package sealing epoxy resin composition (KE100SV, manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd.) is poured so as to cover the semiconductor chip mounted on the support substrate, and heated at 120 ° C. for 10 minutes to semi-cure the epoxy resin composition. I let you. Thereafter, the epoxy resin composition was completely cured by further heating at 150 ° C. for 1 hour.
支持基板側から、３６５ｎｍの波長における照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１８０秒間照射したところ、支持基板を持ち上げるだけで容易に剥離できた。そして、残った両面粘着テープをめくるように剥離することにより、半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品が得られた。 When ultraviolet rays having an irradiation intensity of 100 mW / cm 2 at a wavelength of 365 nm were irradiated from the support substrate side for 180 seconds, they could be easily peeled simply by lifting the support substrate. And the semiconductor component by which the semiconductor chip was sealed with sealing resin was obtained by peeling off so that the remaining double-sided adhesive tape might be turned.
本発明によれば、支持基板上に複数の半導体チップを搭載しこれらの半導体チップをモールディング樹脂で封止した後に支持基板を剥離する工程を含み、容易に支持基板を剥離でき、高い歩留まりを実現できる半導体部品の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, the method includes a step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate, and sealing the semiconductor chip with a molding resin, and then peeling the support substrate. The manufacturing method of the semiconductor component which can be provided can be provided.
１ 半導体チップ
２ 支持基板
３ 両面粘着テープ
３１ 基材
３２ 気体発生剤含有層
３３ 高架橋低極性粘着剤層
４ 半硬化された硬化性樹脂組成物
５ 封止樹脂
６ 半導体チップが封止樹脂により封止された半導体部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (1)
前記両面粘着テープは、基材の両面に粘着剤層が形成されたものであって、前記支持基板に接着する側に、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含有する気体発生剤含有光硬化型粘着剤層を有し、かつ、前記半導体チップと接着する側に、架橋度が７０〜９０％、表面極性が４５ｄｙｎ／ｃｍ２以下である高架橋低極性光硬化型粘着剤層を有することを特徴とする半導体部品の製造方法。 A chip mounting step of mounting a plurality of semiconductor chips on a support substrate via a double-sided adhesive tape; and coating the plurality of semiconductor chips mounted on the substrate with a curable resin composition; A semi-curing molding process, a semi-curing curable resin composition is completely cured to obtain a semiconductor component in which a semiconductor chip is sealed with a sealing resin, and light is irradiated from the support substrate side. Manufacturing a semiconductor component having a support substrate peeling step for peeling the support substrate and the double-sided adhesive tape, and a tape peeling step for peeling the double-sided adhesive tape from the semiconductor component in which the semiconductor chip is sealed with the sealing resin A method,
The double-sided pressure-sensitive adhesive tape has a pressure-sensitive adhesive layer formed on both sides of a base material, and generates a gas containing a gas generating agent that generates a gas by irradiating light on the side to be bonded to the support substrate. Highly crosslinked low-polarity photocurable pressure-sensitive adhesive layer having an agent-containing photocurable pressure-sensitive adhesive layer and having a crosslinking degree of 70 to 90% and a surface polarity of 45 dyn / cm 2 or less on the side to be bonded to the semiconductor chip A method for manufacturing a semiconductor component, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012017029A JP2013157470A (en) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | Semiconductor component manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012017029A JP2013157470A (en) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | Semiconductor component manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013157470A true JP2013157470A (en) | 2013-08-15 |
Family
ID=49052372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012017029A Pending JP2013157470A (en) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | Semiconductor component manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013157470A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016207900A (en) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing resin-sealed component |
| WO2017038914A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet |
| US9761476B2 (en) | 2014-01-03 | 2017-09-12 | Lg Chem, Ltd. | Dicing film and dicing die-bonding film |
| JP2018009138A (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-18 | 日立化成株式会社 | Resin composition for temporarily fixing, resin film for temporarily fixing and resin film sheet for temporarily fixing |
| JP2018012751A (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet |
| KR20180048658A (en) * | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | Adhesive sheet |
| JP2018193563A (en) * | 2018-07-26 | 2018-12-06 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet |
| WO2019097819A1 (en) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Semiconductor process sheet and method for manufacturing semiconductor package |
| WO2021199919A1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 三井化学東セロ株式会社 | Method for producing electronic device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160770A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive tape with metal foil for forming circuit and method for manufacturing circuit board |
| JP2004001131A (en) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Pressure sensitive adhesive sheet for manufacturing ic chip, and method for manufacturing ic chip |
| JP2004182798A (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Double-coated pressure-sensitive adhesive tape and preparation method for integrated circuit chip |
| JP2005005632A (en) * | 2003-06-16 | 2005-01-06 | Sony Corp | Chip-like electronic component, its manufacturing method, and its packaging structure |
| JP2008202001A (en) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive tape |
| JP2010238717A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | Apparatus and method for manufacturing electronic component |
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012017029A patent/JP2013157470A/en active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003160770A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive tape with metal foil for forming circuit and method for manufacturing circuit board |
| JP2004001131A (en) * | 2002-05-31 | 2004-01-08 | Sekisui Chem Co Ltd | Pressure sensitive adhesive sheet for manufacturing ic chip, and method for manufacturing ic chip |
| JP2004182798A (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-02 | Sekisui Chem Co Ltd | Double-coated pressure-sensitive adhesive tape and preparation method for integrated circuit chip |
| JP2005005632A (en) * | 2003-06-16 | 2005-01-06 | Sony Corp | Chip-like electronic component, its manufacturing method, and its packaging structure |
| JP2008202001A (en) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sekisui Chem Co Ltd | Adhesive tape |
| JP2010238717A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Murata Mfg Co Ltd | Apparatus and method for manufacturing electronic component |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9761476B2 (en) | 2014-01-03 | 2017-09-12 | Lg Chem, Ltd. | Dicing film and dicing die-bonding film |
| JP2016207900A (en) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing resin-sealed component |
| TWI712667B (en) * | 2015-09-01 | 2020-12-11 | 日商琳得科股份有限公司 | Adhesive sheet |
| WO2017038914A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet |
| JPWO2017038914A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-09-07 | リンテック株式会社 | Adhesive sheet |
| KR102549654B1 (en) * | 2015-09-01 | 2023-06-29 | 린텍 가부시키가이샤 | adhesive sheet |
| KR102541672B1 (en) * | 2015-09-01 | 2023-06-08 | 린텍 가부시키가이샤 | adhesive sheet |
| KR20180048676A (en) * | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | Adhesive sheet |
| KR20180048658A (en) * | 2015-09-01 | 2018-05-10 | 린텍 가부시키가이샤 | Adhesive sheet |
| JP2018009138A (en) * | 2016-07-05 | 2018-01-18 | 日立化成株式会社 | Resin composition for temporarily fixing, resin film for temporarily fixing and resin film sheet for temporarily fixing |
| TWI729164B (en) * | 2016-07-19 | 2021-06-01 | 日商日東電工股份有限公司 | Adhesive sheet |
| CN107629712A (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-26 | 日东电工株式会社 | Bonding sheet |
| JP2018012751A (en) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet |
| JP2019091845A (en) * | 2017-11-16 | 2019-06-13 | 日東電工株式会社 | Semiconductor process sheet and method of manufacturing semiconductor package |
| CN111344845A (en) * | 2017-11-16 | 2020-06-26 | 日东电工株式会社 | Semiconductor process sheet and semiconductor package manufacturing method |
| KR20200085842A (en) * | 2017-11-16 | 2020-07-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Semiconductor process sheet and semiconductor package manufacturing method |
| WO2019097819A1 (en) * | 2017-11-16 | 2019-05-23 | 日東電工株式会社 | Semiconductor process sheet and method for manufacturing semiconductor package |
| JP7095978B2 (en) | 2017-11-16 | 2022-07-05 | 日東電工株式会社 | Semiconductor process sheet and semiconductor package manufacturing method |
| KR102600254B1 (en) | 2017-11-16 | 2023-11-08 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Semiconductor process sheet and semiconductor package manufacturing method |
| JP2018193563A (en) * | 2018-07-26 | 2018-12-06 | 日東電工株式会社 | Adhesive sheet |
| WO2021199919A1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | 三井化学東セロ株式会社 | Method for producing electronic device |
| JPWO2021199919A1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | ||
| JP7334336B2 (en) | 2020-03-30 | 2023-08-28 | 三井化学東セロ株式会社 | Electronic device manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013157470A (en) | Semiconductor component manufacturing method | |
| JP5901422B2 (en) | Semiconductor wafer dicing method and semiconductor processing dicing tape used therefor | |
| JP4704828B2 (en) | Manufacturing method of pressure-sensitive adhesive sheet for attaching to wafer and IC chip with adhesive layer for die bonding | |
| KR100865412B1 (en) | Adhesive bonding sheet, semiconductor device using same, and method for manufacturing such semiconductor device | |
| JP2005197630A (en) | Method of manufacturing ic chip | |
| TW200301954A (en) | Manufacturing method of IC chip | |
| JP2003173993A (en) | Back grind tape and method for polishing semiconductor wafer | |
| JP5525200B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor chip laminated body | |
| JP3909907B2 (en) | Adhesive sheets for semiconductor wafer processing and processing methods | |
| JP4540642B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP6943719B2 (en) | Manufacturing method of double-sided adhesive tape and semiconductor device | |
| JP2006229076A (en) | Process for manufacturing ic chip | |
| JP2018147988A (en) | Method for manufacturing semiconductor chip | |
| JP6867202B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP5328132B2 (en) | Semiconductor processing tape | |
| JP2003151940A (en) | Back grind tape and method of polishing semiconductor wafer | |
| JP2018147987A (en) | Method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape | |
| JP2006013000A (en) | Ic chip manufacturing method | |
| JP3787526B2 (en) | IC chip manufacturing method | |
| JP6789057B2 (en) | Double-sided adhesive tape and wafer processing method | |
| JP2009124135A (en) | Adhesive member for semiconductor and semiconductor device | |
| JP2009001773A (en) | Tape for semiconductor processing | |
| JP2005294535A (en) | Manufacturing method of ic chip with die-attach film | |
| JP4619212B2 (en) | Adhesive tape peeling method and adhesive tape peeling apparatus | |
| JP2004182799A (en) | Double-sided pressure-sensitive adhesive tape |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141015 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160329 |