JP2013153579A - Charging device and program for the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charging device and a program therefor which suppress a turbulence of output waveform and a reduction in power factor.SOLUTION: In a charging device 10, if a timing Ta of a timer interrupt by which an input voltage detection section detects a full-wave-rectified waveform of input voltage is an immediate timing Ta (1) after a zero crossing timing Tb, a delay time Tdly from the zero crossing timing Tb to the immediate timing Ta (1) is calculated, and a storage location of memory for storing an inverse pattern value at the immediate timing Ta (1) is shifted in a time lapse direction by a shift amount corresponding to the delay time Tdly. If the timing Ta of the timer interrupt by which the input voltage detection section detects a full-wave-rectified waveform of input voltage is another timing Ta (2) later than the immediate timing Ta (1), a storage location of memory for storing an inverse pattern value at the different timing Ta (2) is shifted in the time lapse direction by the shift amount corresponding to the delay time Tdly calculated as to the immediate timing Ta (1).

Description

本発明は、充電装置およびそのプログラムに関するものである。   The present invention relates to a charging device and a program thereof.

交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成されており、交流電力の全波整流波形に対する逆相波形に基づいて得られるパルス幅変調信号によりDC−DCコンバータのスイッチング動作を制御する充電装置として、例えば、下記特許文献1に開示されるものがある。この充電装置は、交流電力の全波整流波形に対する逆相波形として、予め設定された理想的な波形データを波形メモリに記憶しており、この波形データに基づいてパルス幅変調信号を生成している。   After the AC power is full-wave rectified, the DC power converted by the DC-DC converter can be supplied to the storage battery, and the pulse width modulation signal obtained based on the reverse phase waveform with respect to the full-wave rectified waveform of the AC power As a charging device that controls the switching operation of the DC-DC converter, for example, there is one disclosed in Patent Document 1 below. This charging device stores ideal waveform data set in advance in a waveform memory as a reverse phase waveform with respect to the full-wave rectification waveform of AC power, and generates a pulse width modulation signal based on this waveform data. Yes.

特開2004−147484号公報JP 2004-147484 A

この種の充電装置では、マイクロコンピュータ(以下「マイコン」という)により構成される制御装置によって充電に関する制御が行われていることが多く、例えば、所定の時間周期で発生するタイマー割込みにより一定時間ごとに充電制御処理が行われている。上記特許文献1の充電装置においては、パルス幅変調信号を生成してDC−DCコンバータに出力するマイコンの制御処理をタイマー割込みにより定期的に行う構成が採られ得る。   In this type of charging device, control related to charging is often performed by a control device configured by a microcomputer (hereinafter referred to as “microcomputer”). For example, a timer interrupt that occurs at a predetermined time period causes a constant interruption. The charge control process is performed. The charging device disclosed in Patent Document 1 may be configured to periodically perform control processing of a microcomputer that generates a pulse width modulation signal and outputs it to a DC-DC converter by timer interruption.

このような充電装置に対する交流電力の供給には、一般に商用電源が用いられることから、充電制御処理においても商用電源の周波数に基づいたタイミングで情報処理をした方が都合の良いものもある。例えば、前述した波形メモリに記憶されている波形データは、タイマー割込みのタイミングで読み出されてパルス幅変調信号の生成に用いられるが、その読出し位置の初期化は、商用電源の極性が入れ替わるゼロクロスタイミングを基準に行われている。   Since a commercial power supply is generally used to supply AC power to such a charging device, it is more convenient to perform information processing at a timing based on the frequency of the commercial power supply in the charging control process. For example, the waveform data stored in the waveform memory described above is read out at the timing of timer interrupt and used to generate a pulse width modulation signal, but the initialization of the read position is zero crossing where the polarity of the commercial power supply is switched. It is done based on timing.

しかしながら、このようなパルス幅変調信号は、DC−DCコンバータのスイッチング動作を制御するものであるから、タイマー割込みの周波数は、商用電源の周波数に対して例えば数100倍以上の周波数に設定されている。そのため、タイマー割込み周期の整数倍と商用電源周波数の時間周期とが一致しない場合には、両タイミングの同期を取ることは難しい。また、タイマー割込み周期の整数倍が商用電源周波数の時間周期に一致するようにタイマー割込みの周波数を設定しても、その周波数の精度やハードウェアの遅延時間等、物理的に回避し難い誤差が両タイミングの同期を難しくしている。   However, since such a pulse width modulation signal controls the switching operation of the DC-DC converter, the frequency of the timer interrupt is set to, for example, several hundred times the frequency of the commercial power supply. Yes. Therefore, it is difficult to synchronize both timings when the integer multiple of the timer interrupt cycle does not match the time cycle of the commercial power supply frequency. Even if the timer interrupt frequency is set so that an integer multiple of the timer interrupt period matches the time period of the commercial power supply frequency, errors that are difficult to avoid physically, such as the accuracy of the frequency and the hardware delay time, may occur. Both timings are difficult to synchronize.

このため、上記特許文献1の充電装置においては、ゼロクロスタイミングを基準に波形データの読出し位置の初期化をしても、ゼロクロスタイミングとこの初期化の処理タイミングとの間には、両タイミングが非同期であることに起因したバラツキのある時間差が発生する。したがって、本来のタイミングからズレたタイミングの波形データが波形メモリから読み出されてしまい、読み出された波形データによっては、充電装置から蓄電池に出力される電力波形に乱れが生じたり、力率の低下を招いたりし得るという問題があった。   For this reason, in the charging device disclosed in Patent Document 1, both timings are asynchronous between the zero cross timing and the initialization processing timing even if the waveform data read position is initialized based on the zero cross timing. A time difference with variation due to the occurrence of this occurs. Therefore, the waveform data at the timing deviated from the original timing is read from the waveform memory, and depending on the read waveform data, the power waveform output from the charging device to the storage battery may be disturbed or the power factor There was a problem that it could lead to a decline.

また、交流電力の全波整流波形は、一般的には、それに含まれ得るリップル成分の割合(凹凸の波高値)が充電装置の負荷状態によって変動する。即ち、平滑コンデンサにより除去可能なリップル成分は出力電流が小さいほど減少する傾向にあるため、負荷が比較的軽い状態においてはリップル成分が少なく、逆に重い状態においてはリップル成分が多くなる。そのため、予め設定された波形データを波形メモリから読み出してパルス幅変調信号を生成する構成では、このような負荷変動に動的に対応したパルス幅変調信号を生成することはできない。したがって、負荷状態の軽重によっては、出力波形が却って乱れ得るという問題があった。   Further, in the full-wave rectified waveform of AC power, the ratio of ripple components that can be included in the full-wave rectified waveform (the peak value of the unevenness) generally varies depending on the load state of the charging device. That is, the ripple component that can be removed by the smoothing capacitor tends to decrease as the output current decreases. Therefore, the ripple component is small when the load is relatively light, and the ripple component is large when the load is heavy. Therefore, in a configuration in which preset waveform data is read from the waveform memory and a pulse width modulation signal is generated, a pulse width modulation signal that dynamically corresponds to such a load variation cannot be generated. Therefore, there is a problem that the output waveform may be disturbed depending on the lightness of the load state.

本発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、出力波形の乱れや力率の低下を抑制し得る充電装置およびそのプログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a charging device and a program for the same that can suppress disturbance of an output waveform and a decrease in power factor.

上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項1に記載された充電装置は、交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成されており、前記交流電力の全波整流波形に対する逆相波形に基づいて得られるパルス幅変調信号により前記DC−DCコンバータのスイッチング動作を制御する充電装置であって、前記交流電力の入力電圧波形のゼロクロスタイミングを検出するゼロクロス検出部と、前記入力電圧波形のゼロクロスタイミングとは異なる所定タイミングの時間周期で前記全波整流波形の電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部により検出された電圧に基づいて前記所定タイミングにおける前記逆相波形に対応する逆相対応値を算出する逆相対応値算出部と、前記逆相波形の波形情報として前記時間周期ごとに前記逆相対応値算出部により算出された複数の前記逆相対応値を時系列順に位置決めされた記憶位置に記憶する波形記憶部と、を備え、前記所定タイミングが前記ゼロクロスタイミングの直後タイミングである場合には、前記ゼロクロスタイミングから前記直後タイミングまでの経過時間を算出した後、前記直後タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、時間経過方向にこの経過時間に相当する分、シフトさせ、前記所定タイミングが前記直後タイミングよりも後のタイミングである場合には、この所定タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、前記直後タイミングにおいて算出した前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせることを技術的特徴とする。   In order to achieve the above object, the charging device described in claim 1 of the claims is configured to be able to supply direct current power converted by a DC-DC converter to a storage battery after full-wave rectification of alternating current power. A charging device for controlling a switching operation of the DC-DC converter by a pulse width modulation signal obtained based on a reverse phase waveform with respect to a full-wave rectified waveform of the AC power, the zero crossing of the input voltage waveform of the AC power A zero-cross detection unit that detects timing, a voltage detection unit that detects a voltage of the full-wave rectified waveform at a time period of a predetermined timing different from the zero-cross timing of the input voltage waveform, and a voltage detected by the voltage detection unit A negative phase corresponding value calculating unit that calculates a negative phase corresponding value corresponding to the negative phase waveform at the predetermined timing, and the negative phase waveform A waveform storage unit that stores a plurality of the anti-phase correspondence values calculated by the anti-phase correspondence value calculation unit for each time period as waveform information in a storage position positioned in time series, and the predetermined timing is When the timing is immediately after the zero cross timing, after calculating the elapsed time from the zero cross timing to the immediately following timing, the storage position of the waveform storage unit that stores the negative phase corresponding value at the immediately following timing is set to the time When the predetermined timing is a timing later than the immediately following timing, the waveform storage unit stores the inverse phase corresponding value at the predetermined timing when the predetermined timing is shifted by the amount corresponding to the elapsed time. The position is shifted in the elapsed time direction by the amount corresponding to the elapsed time calculated at the immediately following timing. And technical features to be.

また、特許請求の範囲の請求項2に記載された充電装置は、請求項1記載の充電装置において、前記パルス幅変調信号は、前記波形記憶部の前記記憶位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から読み出される前記逆相波形の波形情報に基づいて生成されることを技術的特徴とする。   Further, the charging device according to claim 2 of the claim is the charging device according to claim 1, wherein the pulse width modulation signal has an arbitrary phase angle with respect to the storage position of the waveform storage unit. It is technically characterized in that it is generated based on the waveform information of the anti-phase waveform read out from the position where the phase is advanced or delayed.

さらに、特許請求の範囲の請求項3に記載された充電装置は、請求項1または2記載の充電装置において、前記波形記憶部に前記逆相対応値を記憶する際に、前記波形記憶部の前記記憶位置に既に前記逆相対応値が記憶されている場合には、既に記憶されている逆相対応値に所定の重み付けをしたものに新たな逆相対応値を加えて得た平均値を前記記憶位置に記憶することを技術的特徴とする。   Furthermore, the charging device according to claim 3 of the claim is the charging device according to claim 1 or 2, wherein the waveform storage unit stores the reverse-phase corresponding value in the waveform storage unit. When the negative phase correspondence value is already stored in the storage position, an average value obtained by adding a new negative phase correspondence value to a predetermined weighting of the negative phase correspondence value already stored is obtained. It is a technical feature that the data is stored in the storage location.

上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項4に記載された充電装置のプログラムは、交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成された充電装置を制御するプログラムで、前記交流電力の全波整流波形に対する逆相波形で波形記憶部に記憶された波形情報に基づいて得られるパルス幅変調信号により前記DC−DCコンバータをスイッチングする制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記交流電力の入力電圧波形のゼロクロスタイミングとは異なる所定タイミングの時間周期で前記全波整流波形の電圧を検出する電圧検出ステップと、前記電圧検出ステップにより検出された電圧に基づいて前記所定タイミングにおける前記逆相波形の逆相対応値を算出する逆相対応値算出ステップと、前記所定タイミングが前記ゼロクロスタイミングの直後タイミングである場合には、前記ゼロクロスタイミングから前記直後タイミングまでの経過時間を算出するステップおよび前記直後タイミングにおける前記逆相対応値を前記逆相波形の波形情報として時系列順に位置決めされた前記波形記憶部の記憶位置においてこの記憶位置を前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定するステップを有するゼロクロス直後処理ステップと、前記所定タイミングが前記直後タイミングよりも後のタイミングである場合には、この所定タイミングにおいて前記逆相対応値算出ステップにより算出された前記逆相対応値を記憶する波形記憶部の前記記憶位置を、前記ゼロクロス直後ステップにより算出した前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定するゼロクロス以後処理ステップと、前記ゼロクロス直後処理ステップまたは前記ゼロクロス以後処理ステップにより決定された前記波形記憶部の前記記憶位置に前記逆相対応値算出ステップにより算出された前記逆相対応値を記憶する逆相対応値記憶ステップと、前記波形記憶部に記憶された前記波形情報を読み出して前記パルス幅変調信号を生成するパルス幅変調部に出力する波形情報出力ステップと、を含むことを技術的特徴とする。   In order to achieve the above object, the program of the charging device described in claim 4 of the claims is configured such that after the AC power is full-wave rectified, the DC power converted by the DC-DC converter can be supplied to the storage battery. The DC-DC converter is switched by a pulse width modulation signal obtained based on the waveform information stored in the waveform storage unit in a reverse phase waveform with respect to the full-wave rectified waveform of the AC power in a program for controlling the charging device A program for causing a computer to execute control, wherein the voltage detection step detects the voltage of the full-wave rectified waveform at a predetermined time period different from the zero-cross timing of the input voltage waveform of the AC power; and the voltage detection Based on the voltage detected in the step, a negative phase corresponding value of the negative phase waveform at the predetermined timing is calculated. In a negative phase corresponding value calculating step, and when the predetermined timing is a timing immediately after the zero cross timing, a step of calculating an elapsed time from the zero cross timing to the immediate timing and the negative phase corresponding value at the immediately following timing are calculated. Immediately after the zero crossing, including a step of determining the storage position in the storage position of the waveform storage unit positioned in time-series order as the waveform information of the reverse phase waveform by shifting the storage position to the elapsed time corresponding to the elapsed time When the processing step and the predetermined timing are later than the immediately following timing, the waveform storage unit that stores the negative phase corresponding value calculated by the negative phase corresponding value calculating step at the predetermined timing The storage position is determined by the step immediately after the zero crossing. The post-zero cross processing step for determining the position shifted in the time lapse direction by an amount corresponding to the elapsed time, and the storage position of the waveform storage unit determined by the processing step immediately after the zero cross or the post-zero cross processing step. And generating a pulse width modulation signal by reading out the waveform information stored in the waveform storage unit and storing the negative phase corresponding value calculated in the negative phase corresponding value calculating step. And a waveform information output step for outputting to the pulse width modulation section.

また、特許請求の範囲の請求項5に記載された充電装置のプログラムは、請求項4記載のプログラムにおいて、前記波形情報出力ステップは、前記波形記憶部の前記記憶位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から前記波形情報を読み出して前記パルス幅変調信号に出力することを技術的特徴とする。   Moreover, the program of the charging device according to claim 5 of the claim is the program according to claim 4, wherein the waveform information output step has an arbitrary phase with respect to the storage position of the waveform storage unit. A technical feature is that the waveform information is read from a position where the phase is advanced or delayed by an angle and is output to the pulse width modulation signal.

請求項1の発明では、電圧検出部により全波整流波形の電圧を検出する所定タイミングがゼロクロスタイミングの直後のタイミングである場合、つまり波形記憶部に記憶させる逆相波形の逆相対応値が先頭(最初または1番目)の逆相対応値である場合には、ゼロクロスタイミングから直後タイミングまでの経過時間を算出した後、直後タイミングにおける逆相対応値を記憶する波形記憶部の記憶位置を、時間経過方向にこの経過時間に相当する分、シフトさせる。また、電圧検出部により全波整流波形の電圧を検出する所定タイミングが直後タイミングよりも後のタイミングである場合、つまり波形記憶部に記憶させる逆相波形の逆相対応値が先頭(最初)よりも後(2番目以降)の逆相対応値である場合には、この所定タイミングにおける逆相対応値を記憶する波形記憶部の記憶位置を、直後タイミングにおいて算出した前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせる。   In the first aspect of the invention, when the predetermined timing for detecting the voltage of the full-wave rectified waveform by the voltage detection unit is a timing immediately after the zero cross timing, that is, the negative phase corresponding value of the negative phase waveform stored in the waveform storage unit is the first. In the case of the (first or first) anti-phase correspondence value, after calculating the elapsed time from the zero cross timing to the immediately following timing, the storage position of the waveform storage unit that stores the anti-phase correspondence value at the immediately following timing is set to the time A shift corresponding to the elapsed time is made in the elapsed direction. Further, when the predetermined timing for detecting the voltage of the full-wave rectified waveform by the voltage detection unit is a timing after the immediately following timing, that is, the negative phase corresponding value of the negative phase waveform stored in the waveform storage unit is from the beginning (first). In the case of the later (second or later) anti-phase corresponding value, the storage position of the waveform storage unit that stores the anti-phase corresponding value at the predetermined timing is equivalent to the elapsed time calculated at the immediately subsequent timing, Shift in the direction of time passage.

これにより、ゼロクロスタイミングから直後タイミングまでの経過時間、つまりゼロクロスタイミングから電圧検出部により電圧を検出するまでの間の遅れた時間に相当するだけ、波形記憶部に記憶させる先頭(最初または1番目)の逆相対応値の記憶位置を時間経過方向(遅れ方向)にシフトさせて補正するとともに、その後(2番目以降)の逆相対応値である場合についても、この遅れた時間に相当するだけシフトさせて補正するため、このような時間的なズレを補正することなく、波形記憶部に記憶させる先頭(最初)の逆相対応値の記憶位置をそのままの所定位置に記憶させた場合に比べて、適正な逆相対応値を波形記憶部に記憶させることができる。したがって、当該充電装置では、このような適正な逆相波形に基づくパルス幅変調信号が得られるため、時間的なズレによる電力波形に乱れを抑制することができる。   Accordingly, the head (first or first) stored in the waveform storage unit corresponds to the elapsed time from the zero cross timing to the immediately subsequent timing, that is, the time delayed from the zero cross timing to the time when the voltage is detected by the voltage detection unit. The storage position of the opposite-phase corresponding value is corrected by shifting it in the direction of time passage (delayed direction), and also when it is the second-phase corresponding value (after the second), it is shifted by an amount corresponding to this delayed time. Compared to the case where the storage position of the first (first) antiphase corresponding value stored in the waveform storage unit is stored in the predetermined position without correcting such a time shift. Therefore, it is possible to store an appropriate anti-phase correspondence value in the waveform storage unit. Therefore, in the charging device, since a pulse width modulation signal based on such an appropriate reverse phase waveform is obtained, it is possible to suppress disturbance in the power waveform due to temporal deviation.

請求項2の発明や請求項5の発明では、パルス幅変調信号は、波形記憶部の記憶位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から読み出される逆相波形の波形情報に基づいて生成される。これにより、任意の位相角分、位相を進めたり遅らせたりした逆相波形に基づくパルス幅変調信号が得られるため、時間的なズレによる電力波形に乱れを抑制に加えて、力率の低下も抑制することができる。   In the invention of claim 2 or claim 5, the pulse width modulation signal is a waveform of an antiphase waveform read from a position where the phase is advanced or delayed by an arbitrary phase angle with respect to the storage position of the waveform storage unit. Generated based on information. As a result, a pulse width modulation signal based on an antiphase waveform whose phase has been advanced or delayed by an arbitrary phase angle can be obtained, and in addition to suppressing disturbance in the power waveform due to temporal deviation, the power factor is also reduced. Can be suppressed.

請求項3の発明では、波形記憶部に逆相対応値を記憶する際に、波形記憶部の記憶位置に既に逆相対応値が記憶されている場合には、既に記憶されている逆相対応値に所定の重み付けをしたものに新たな逆相対応値を加えて得た平均値を記憶位置に記憶する。これにより、既に記憶されている逆相対応値にウェイトを置いて新たな逆相対応値が記憶されるため、例えば、今回の逆相対応値とそれまでに波形記憶部に記憶された逆相対応値との間に大きな違いがあっても、今回の逆相対応値がそのまま記憶される場合に比べて逆相対応値の変動を抑制することができる。   In the invention of claim 3, when storing the anti-phase correspondence value in the waveform storage unit, if the anti-phase correspondence value is already stored in the storage position of the waveform storage unit, the anti-phase correspondence already stored is stored. An average value obtained by adding a new anti-corresponding value to a value obtained by predetermined weighting is stored in a storage position. As a result, since a new anti-phase correspondence value is stored with a weight on the pre-stored anti-phase correspondence value, for example, the current anti-phase correspondence value and the anti-phase correspondence value stored so far in the waveform storage unit are stored. Even if there is a large difference between the corresponding values, it is possible to suppress fluctuations in the negative phase corresponding values compared to the case where the current negative phase corresponding values are stored as they are.

請求項4の発明では、電圧検出ステップにより全波整流波形の電圧を検出する所定タイミングがゼロクロスタイミングの直後のタイミングである場合、つまり波形記憶部に記憶させる逆相波形の逆相対応値が先頭(最初または1番目)の逆相対応値である場合には、ゼロクロス直後処理ステップにより、ゼロクロスタイミングから直後タイミングまでの経過時間を算出し、直後タイミングにおける逆相対応値を逆相波形の波形情報として時系列順に位置決めされた波形記憶部の記憶位置においてこの記憶位置を経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定する。また、電圧検出ステップにより全波整流波形の電圧を検出する所定タイミングが直後タイミングよりも後(2番目)のタイミングである場合には、ゼロクロス以後処理ステップにより、この所定タイミングにおいて逆相対応値算出ステップにより算出された逆相対応値を記憶する波形記憶部の記憶位置を、ゼロクロス直後ステップにより算出した経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定する。   In the invention of claim 4, when the predetermined timing for detecting the voltage of the full-wave rectified waveform in the voltage detection step is a timing immediately after the zero cross timing, that is, the negative phase corresponding value of the negative phase waveform stored in the waveform storage unit is the head. In the case of the (first or first) negative phase correspondence value, the elapsed time from the zero cross timing to the immediate timing is calculated by the processing step immediately after zero crossing, and the negative phase correspondence value at the immediate timing is used as waveform information of the negative phase waveform. As for the storage position of the waveform storage unit positioned in chronological order, the storage position is determined as a position shifted in the time lapse direction by an amount corresponding to the elapsed time. In addition, when the predetermined timing for detecting the voltage of the full-wave rectified waveform in the voltage detection step is the timing after the immediately following timing (second), the negative phase corresponding value is calculated at this predetermined timing by the processing step after zero crossing. The storage position of the waveform storage unit that stores the anti-phase corresponding value calculated in the step is determined as a position shifted in the time lapse direction by an amount corresponding to the elapsed time calculated in the step immediately after the zero crossing.

これにより、ゼロクロスタイミングから直後タイミングまでの経過時間、つまりゼロクロスタイミングから電圧検出ステップにより電圧を検出するまでの間の遅れた時間に相当するだけ、波形記憶部に記憶させる先頭(最初または1番目)の逆相対応値の記憶位置を時間経過方向(遅れ方向)にシフトさせて補正するとともに、その後(2番目以降)の逆相対応値である場合についても、この遅れた時間に相当するだけシフトさせて補正するため、このような時間的なズレを補正することなく、波形記憶部に記憶させる先頭(最初)の逆相対応値の記憶位置をそのままの所定位置に記憶させた場合に比べて、適正な逆相対応値を波形記憶部に記憶させることができる。したがって、当該充電装置のプログラムでは、このような適正な逆相波形に基づくパルス幅変調信号が得られるため、時間的なズレによる電力波形に乱れを抑制することができる。   As a result, the head (first or first) stored in the waveform storage unit corresponds to the elapsed time from the zero cross timing to the immediately subsequent timing, that is, the delay time from the zero cross timing until the voltage is detected by the voltage detection step. The storage position of the opposite-phase corresponding value is corrected by shifting it in the direction of time passage (delayed direction), and also when it is the second-phase corresponding value (after the second), it is shifted by an amount corresponding to this delayed time. Compared to the case where the storage position of the first (first) antiphase corresponding value stored in the waveform storage unit is stored in the predetermined position without correcting such a time shift. Therefore, it is possible to store an appropriate anti-phase correspondence value in the waveform storage unit. Therefore, in the program of the charging device, since a pulse width modulation signal based on such an appropriate reverse phase waveform is obtained, it is possible to suppress disturbance in the power waveform due to temporal deviation.

本発明の一実施形態に係る充電装置の構成例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structural example of the charging device which concerns on one Embodiment of this invention. 各波形の例を示す説明図で、図2(A)は逆相波形、図2(B)は3相交流電圧を全波整流した全波整流波形(直流電圧波形)、図2(C)は図2(B)に示す全波整流波形のうちリップル成分を含む一部分の波形とその逆相波形、図2(D)は図2(C)に示す逆相波形に基づくPWM信号波形、をそれぞれ示すものである。FIG. 2 (A) is a reverse phase waveform, FIG. 2 (B) is a full-wave rectified waveform (DC voltage waveform) obtained by full-wave rectification of a three-phase AC voltage, and FIG. 2 (C). Is a partial waveform including a ripple component of the full-wave rectified waveform shown in FIG. 2B and its reverse phase waveform, and FIG. 2D is a PWM signal waveform based on the reverse phase waveform shown in FIG. Each is shown. 各波形の例を示す説明図で、図3(A)は3相交流電圧波形、図3(B)はゼロクロス検出信号波形、図3(C)はタイマー割込み信号波形、図3(D)は図3(A)〜図3(C)に示す各波形を重ね合わせて二点鎖線α区間内を拡大した波形、図3(E)は図3(D)に示す二点鎖線β枠内を拡大した波形、をそれぞれ示すものである。3A is a three-phase AC voltage waveform, FIG. 3B is a zero-cross detection signal waveform, FIG. 3C is a timer interrupt signal waveform, and FIG. 3 (A) to 3 (C) are overlaid on each other to enlarge the two-dot chain line α section, and FIG. 3 (E) shows the two-dot chain line β frame shown in FIG. 3 (D). Each of the enlarged waveforms is shown. 図4(A)はメモリに格納される逆パターン値による逆相波形の概念例、図4(B)は図4(A)に示すメモリに格納される過程のうち最初の1サイクル分に関して逆相波形の概念に置き換えて表した例、図4(C)〜図4(F)は図4(A)に示すメモリに格納される過程を逆相波形の概念に置き換えて表した例、図4(G)〜図4(J)は図4(C)〜図4(F)に対応する比較例、をそれぞれ示す説明図である。4A is a conceptual example of a reverse phase waveform based on reverse pattern values stored in the memory, and FIG. 4B is the reverse of the first one cycle of the processes stored in the memory shown in FIG. 4A. FIG. 4 (C) to FIG. 4 (F) are examples in which the process stored in the memory shown in FIG. 4 (A) is replaced with the concept of the antiphase waveform, and FIG. 4 (G) to FIG. 4 (J) are explanatory views respectively showing comparative examples corresponding to FIG. 4 (C) to FIG. 4 (F). 本実施形態に係る充電装置の制御ユニットによる充電制御処理の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of the charge control process by the control unit of the charging device which concerns on this embodiment.

以下、本発明の充電装置およびそのプログラムの実施形態について図を参照して説明する。まず、図1〜図3を参照して充電装置10のハードウェア構成を説明する。図1には、充電装置10の構成例を示すブロック図が図示されている。また、図2および図3には、逆相波形、全波整流波形、PWM信号波形、3相交流電圧波形、ゼロクロス検出信号波形やタイマー割込み信号波形、等が図示されている。   Embodiments of a charging device and a program thereof according to the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the hardware configuration of the charging apparatus 10 will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of the charging device 10. 2 and 3 illustrate a reverse phase waveform, a full-wave rectified waveform, a PWM signal waveform, a three-phase AC voltage waveform, a zero-cross detection signal waveform, a timer interrupt signal waveform, and the like.

図1に示すように、充電装置10は、3相交流電源ACから供給される交流電力を直流電力に変換してバッテリBattを充電し得る機能を有するもので、主に、全波整流ダイオード12、降圧用IGBTモジュール13、昇圧用IGBTモジュール15、検出トランス18、電流センサ19、制御ユニット20等から構成されている。なお、本実施形態に係る充電装置10は、バッテリBattに供給する充電電力の充電電流Ioが所定の定電流値Icntとなるように制御する定電流制御タイプの一例である。   As shown in FIG. 1, the charging device 10 has a function capable of charging the battery Batt by converting AC power supplied from the three-phase AC power supply AC into DC power. , A step-down IGBT module 13, a step-up IGBT module 15, a detection transformer 18, a current sensor 19, a control unit 20, and the like. The charging device 10 according to the present embodiment is an example of a constant current control type that controls the charging current Io of the charging power supplied to the battery Batt to be a predetermined constant current value Icnt.

全波整流ダイオード12は、3相交流電源ACから供給される3相200Vの交流電圧(図3(A)参照)のすべての相間(UV相,VW相,WU相)について全波整流可能に複数のダイオード(半導体整流素子)により構成される半導体モジュールである。この全波整流ダイオード12により整流された直流電圧(入力電圧Vi)の波形Wrctには、図2(B)に示すように全波整流波形のリップル成分が含まれており、降圧用IGBTモジュール13と制御ユニット20とに出力される。なお、「全波整流波形のリップル成分」とは、図2(B)において太い実線により表現されている山と谷の繰り返し波形のことである。   The full-wave rectifier diode 12 is capable of full-wave rectification for all phases (UV phase, VW phase, WU phase) of a three-phase 200 V AC voltage (see FIG. 3A) supplied from a three-phase AC power source AC. It is a semiconductor module composed of a plurality of diodes (semiconductor rectifying elements). The waveform Wrct of the direct-current voltage (input voltage Vi) rectified by the full-wave rectifier diode 12 includes a ripple component of the full-wave rectified waveform as shown in FIG. To the control unit 20. The “ripple component of the full-wave rectified waveform” is a repetitive waveform of peaks and valleys represented by a thick solid line in FIG.

降圧用IGBTモジュール13は、全波整流ダイオード12から出力される直流電圧(入力電圧Vi)を降圧するためのスイッチング素子を含む半導体モジュールで、スイッチング素子に例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を用いたものある。本実施形態では、例えば、PNPタイプのIGBTからなり、入力側(コレクタ)に入力が、また出力側(エミッタ)にチョーコイル14がそれぞれ接続されるとともに、入出力間をオンオフ制御を可能にするPWM信号Dpwmを入力可能に制御端子(ゲート)に制御ユニット20のゲート出力部27が接続されている。   The step-down IGBT module 13 is a semiconductor module including a switching element for stepping down a DC voltage (input voltage Vi) output from the full-wave rectifier diode 12, and an IGBT (insulated gate bipolar transistor), for example, is used as the switching element. There are things. In this embodiment, for example, it is made of a PNP type IGBT, and an input is connected to the input side (collector) and a choke coil 14 is connected to the output side (emitter), and on / off control is enabled between the input and output. The gate output unit 27 of the control unit 20 is connected to a control terminal (gate) so that the PWM signal Dpwm can be input.

本実施形態では、バッテリBattの充電電圧Voを3相交流電源ACから供給される電圧以下にする必要があるときに、電流センサ19により検出された充電電流Ioが所定の定電流値Icntに近づくように制御されたPWM信号Dpwmがゲート出力部27を介して当該スイッチング素子に入力される。これにより、CPU21から出力されるPWM信号Dpwmによってスイッチング素子のオンオフ期間が制御されるため、充電電流Ioの目標値として所定の定電流値Icntに向けた、降圧用IGBTモジュール13の出力電流の増減制御が可能となる。   In the present embodiment, when the charging voltage Vo of the battery Batt needs to be equal to or lower than the voltage supplied from the three-phase AC power supply AC, the charging current Io detected by the current sensor 19 approaches the predetermined constant current value Icnt. The PWM signal Dpwm controlled as described above is input to the switching element via the gate output unit 27. As a result, the on / off period of the switching element is controlled by the PWM signal Dpwm output from the CPU 21. Therefore, the increase / decrease in the output current of the step-down IGBT module 13 toward the predetermined constant current value Icnt as the target value of the charging current Io. Control becomes possible.

一方、昇圧用IGBTモジュール15は、降圧用IGBTモジュール13から出力される直流電圧を昇圧するためのスイッチング素子を含む半導体モジュールで、降圧用IGBTモジュール13とは逆向きの電圧制御が行われる。即ち、この昇圧用IGBTモジュール15は、バッテリBattの充電電圧Voを3相交流電源ACから供給される電圧以上にする必要があるときに、充電電流Ioが所定の定電流値Icntに近づくように、昇圧用IGBTモジュール15の出力電流を増減し得るように構成されている。   On the other hand, the step-up IGBT module 15 is a semiconductor module including a switching element for stepping up a DC voltage output from the step-down IGBT module 13, and voltage control opposite to that of the step-down IGBT module 13 is performed. That is, the boosting IGBT module 15 allows the charging current Io to approach the predetermined constant current value Icnt when the charging voltage Vo of the battery Batt needs to be higher than the voltage supplied from the three-phase AC power supply AC. The output current of the boosting IGBT module 15 can be increased or decreased.

本実施形態では、例えば、入力側から出力側に向けて電流を許容しその逆方向の流れを阻止し得るように入出力間に接続されるダイオードと、入力側に接続されるチョークコイル14とアース等の基準電位との間をオンオフ制御可能に接続されるNPNタイプのIGBTと、からなる。なお、このIGBTの制御端子(ゲート)にも、入出力間をオンオフ制御を可能にするPWM信号Upwmを入力可能に制御ユニット20のゲート出力部27が接続されている。これにより、CPU21から出力されるPWM信号Upwmによってスイッチング素子のオンオフ期間が制御されることで充電電流Ioが所定の定電流値Icntに近づくように出力電流が増減可能に制御される。   In the present embodiment, for example, a diode connected between the input and output so as to allow current from the input side to the output side and prevent a flow in the opposite direction, and a choke coil 14 connected to the input side, And an NPN type IGBT which is connected to a reference potential such as ground so as to be capable of on / off control. The gate output section 27 of the control unit 20 is also connected to the control terminal (gate) of the IGBT so that a PWM signal Upwm that enables on / off control between the input and output can be input. As a result, the on / off period of the switching element is controlled by the PWM signal Upwm output from the CPU 21 so that the output current can be increased or decreased so that the charging current Io approaches the predetermined constant current value Icnt.

このように本実施形態では、降圧用IGBTモジュール13は電圧を下げる方向、昇圧用IGBTモジュール15は電圧を上げる方向、というように、降圧用IGBTモジュール13と昇圧用IGBTモジュール15は互いに逆方向の電圧制御が行われる。このため、降圧用IGBTモジュール13によって充電装置10の充電電流Ioが制御されている場合には、昇圧用IGBTモジュール15による電流制御は行われることなく、この間、昇圧用IGBTモジュール15のスイッチング素子はオフ状態を維持するようにCPU21により制御される。また、昇圧用IGBTモジュール15によって充電装置10の充電電流Ioが制御されている場合には、降圧用IGBTモジュール13による電流制御は行われることなく、この間、降圧用IGBTモジュール13のスイッチング素子はオン状態を維持するようにCPU21により制御される。   Thus, in the present embodiment, the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15 are in directions opposite to each other such that the step-down IGBT module 13 decreases the voltage and the step-up IGBT module 15 increases the voltage. Voltage control is performed. For this reason, when the charging current Io of the charging device 10 is controlled by the step-down IGBT module 13, current control by the step-up IGBT module 15 is not performed, and during this time, the switching element of the step-up IGBT module 15 is It is controlled by the CPU 21 so as to maintain the off state. Further, when the charging current Io of the charging device 10 is controlled by the boosting IGBT module 15, the current control by the step-down IGBT module 13 is not performed, and during this time, the switching element of the step-down IGBT module 13 is on. It is controlled by the CPU 21 so as to maintain the state.

本実施形態では、昇圧用IGBTモジュール15の出力側には、アース等の基準電位との間に平滑コンデンサ16が接続され、さらにこの平滑コンデンサ16には、当該充電装置10の出力に一端側が接続されるチョーコイル17の他端側が接続されている。これにより、昇圧用IGBTモジュール15の出力電圧に含まれ得るスイッチングノイズやリップル成分の除去等を可能にしている。   In the present embodiment, a smoothing capacitor 16 is connected to the output side of the boosting IGBT module 15 between a reference potential such as ground, and one end side of the smoothing capacitor 16 is connected to the output of the charging device 10. The other end side of the choco 17 is connected. As a result, switching noise and ripple components that can be included in the output voltage of the boosting IGBT module 15 can be removed.

検出トランス18は、3相交流電源ACから入力される3相交流電圧のうち、所定の2相間の相間電圧に比例した電圧を高精度に出力する電圧測定用のトランスである。本実施形態では、例えば、検出トランス18の入力が3相交流電源ACのUV相間に接続されるとともに、その出力が制御ユニット20の入力電圧検出部23およびゼロクロス検出部25に接続されている。これにより、UV相の相間電圧Vuvに比例した電圧を入力電圧検出部23やゼロクロス検出部25に出力可能にしている。なお、3相交流電源ACのVW相間やWU相間に接続して相間電圧VvwやVwuに比例した電圧を入力電圧検出部23やゼロクロス検出部25に出力可能にしても良い。また、すべての相間電圧Vuv,Vvw,Vwuに比例したそれぞれの電圧を入力電圧検出部23やゼロクロス検出部25に出力可能に構成しても良い。   The detection transformer 18 is a voltage measuring transformer that outputs, with high accuracy, a voltage proportional to a voltage between two predetermined phases out of the three-phase AC voltage input from the three-phase AC power supply AC. In the present embodiment, for example, the input of the detection transformer 18 is connected between the UV phases of the three-phase AC power supply AC, and the output thereof is connected to the input voltage detection unit 23 and the zero cross detection unit 25 of the control unit 20. Thus, a voltage proportional to the UV phase interphase voltage Vuv can be output to the input voltage detection unit 23 and the zero cross detection unit 25. Note that a voltage proportional to the interphase voltages Vvw and Vwu may be output to the input voltage detection unit 23 and the zero cross detection unit 25 by connecting between the VW phase and the WU phase of the three-phase AC power supply AC. Further, each voltage proportional to all the interphase voltages Vuv, Vvw, Vwu may be configured to be output to the input voltage detection unit 23 and the zero cross detection unit 25.

電流センサ19は、昇圧用IGBTモジュール15から出力される出力電流や昇圧用IGBTモジュール15を介して降圧用IGBTモジュール13から出力される出力電流の電流値に比例した電圧を出力する電流測定用のトランスで、平滑コンデンサ16とチョーコイル17との間を流れる電流、つまり当該充電装置10からバッテリBattに出力される充電電流Ioを検出可能に両者間に接続されている。本実施形態では、電流センサ19の出力を制御ユニット20に接続することにより、充電電流Ioに比例した電圧を制御ユニット20の出力電流検出部28に出力可能に構成されている。   The current sensor 19 is for current measurement that outputs a voltage proportional to the output current output from the boosting IGBT module 15 and the current value of the output current output from the step-down IGBT module 13 via the boosting IGBT module 15. A current flowing between the smoothing capacitor 16 and the choco coil 17, that is, a charging current Io output from the charging device 10 to the battery Batt is connected between the transformers so as to be detectable. In the present embodiment, the output of the current sensor 19 is connected to the control unit 20 so that a voltage proportional to the charging current Io can be output to the output current detector 28 of the control unit 20.

制御ユニット20は、CPU21を中心に、メモリ22、入力電圧検出部23、ゼロクロス検出部25、入力電圧検出部26、ゲート出力部27、出力電流検出部28、出力電圧検出部29等により構成されており、特許請求の範囲に記載の「コンピュータ」に相当し得るものである。   The control unit 20 includes a CPU 21, a memory 22, an input voltage detection unit 23, a zero cross detection unit 25, an input voltage detection unit 26, a gate output unit 27, an output current detection unit 28, an output voltage detection unit 29, and the like. And can correspond to the “computer” recited in the claims.

CPU21は、マイコン(演算処理装置)で、図略のシステムバスやデータバスあるいは入出力ポート等を介して、メモリ22や入力電圧検出部23等に接続されている。なお、本実施形態では、CPU21とメモリ22とを個々の半導体モジュールとして構成しているが、両者を1つのモジュールまたはパッケージに集約したワンチップマイコンとしても良い。   The CPU 21 is a microcomputer (arithmetic processing unit), and is connected to the memory 22, the input voltage detection unit 23, and the like via an unillustrated system bus, data bus, input / output port, or the like. In the present embodiment, the CPU 21 and the memory 22 are configured as individual semiconductor modules, but may be a one-chip microcomputer in which both are integrated into one module or package.

メモリ22は、SRAM、DRAM、EEPROM等からなる半導体記憶装置で、CPU21が使用する主記憶空間や補助記憶空間を構成している。主記憶空間はワーク領域やデータ領域に割り当てられ、また補助記憶空間には、後述する充電制御処理やその他の基本処理がCPU21により実行可能にコード化されたプログラム(充電制御プログラムや基本プログラム)や逆パターン値(逆相波形の逆相対応値)が格納されている。このメモリ22は、特許請求の範囲に記載の「波形記憶部」に相当し得る。   The memory 22 is a semiconductor storage device including SRAM, DRAM, EEPROM, and the like, and constitutes a main storage space and an auxiliary storage space used by the CPU 21. The main storage space is allocated to a work area and a data area, and in the auxiliary storage space, a program (charge control program or basic program) coded such that a charge control process and other basic processes described later can be executed by the CPU 21 Stores reverse pattern values (reverse phase corresponding values of reverse phase waveforms). The memory 22 may correspond to a “waveform storage unit” recited in the claims.

入力電圧検出部23は、検出トランス18から出力される相間電圧Vuvに比例した検出電圧(アナログ値)を所定ビット数のディジタルデータ(ディジタル値)に変換し得るA/D変換機能を有するもので、入力が検出トランス18の出力に接続されている。この入力電圧検出部23の出力は、CPU21の入力ポートに接続可能に構成されており、これによりCPU21は3相交流波形のうちのUV相波形Wuvの電圧情報を取得することが可能となる。なお、検出トランス18から出力される相間電圧が、VW相間の電圧VvwやWU相間の電圧Vwuである場合には、CPU21は3相交流波形のうちのVW相波形WvwやWU相波形Wwuの各電圧情報を取得することが可能となる(図3(A)参照)。   The input voltage detector 23 has an A / D conversion function capable of converting a detection voltage (analog value) proportional to the interphase voltage Vuv output from the detection transformer 18 into digital data (digital value) having a predetermined number of bits. , The input is connected to the output of the detection transformer 18. The output of the input voltage detection unit 23 is configured to be connectable to an input port of the CPU 21. Thus, the CPU 21 can acquire voltage information of the UV phase waveform Wuv of the three-phase AC waveform. When the interphase voltage output from the detection transformer 18 is the voltage Vvw between the VW phases or the voltage Vwu between the WU phases, the CPU 21 determines each of the VW phase waveform Wvw and the WU phase waveform Wwu among the three-phase AC waveforms. Voltage information can be acquired (see FIG. 3A).

ゼロクロス検出部25は、図3(A)に示すように、交流電圧が周期的に0V(同図中に示す破線位置)になる点のうち、マイナス値からプラス値に変化、つまり立ち上がりエッジによる点Pz(以下「ゼロクロス点Pz」という)のタイミングを検出し得る機能を有するもので、この出力は、CPU21の入力ポートに接続可能に構成されている。これにより、CPU21は、例えば、ゼロクロス検出部25からCPU21に入力されるゼロクロス検出信号Szcの立ち上がりエッジの検出をトリガーにして、インプットキャプチャ機能によりゼロクロス点Pzのタイミング(以下「ゼロクロスタイミング」という)Tbを取得することが可能となる。このゼロクロスタイミングTbは、例えば、計時用のカウンタCtのカウント値によって与えられる。なお、立ち下がりエッジ(プラス値からマイナス値に変化)のタイミングをゼロクロス点Pzにしても良い。   As shown in FIG. 3 (A), the zero-cross detector 25 changes from a negative value to a positive value among points where the AC voltage periodically becomes 0V (a broken line position shown in FIG. 3A), that is, by a rising edge. It has a function capable of detecting the timing of a point Pz (hereinafter referred to as “zero cross point Pz”), and this output is configured to be connectable to an input port of the CPU 21. Thereby, for example, the CPU 21 uses the detection of the rising edge of the zero-cross detection signal Szc input from the zero-cross detection unit 25 to the CPU 21 as a trigger, and the timing of the zero-cross point Pz (hereinafter referred to as “zero-cross timing”) Tb by the input capture function. Can be obtained. The zero cross timing Tb is given by, for example, the count value of the time counter Ct. Note that the timing of the falling edge (change from a positive value to a negative value) may be the zero cross point Pz.

入力電圧検出部26も、入力電圧検出部23等と同様にA/D変換機能を有するもので、入力が全波整流ダイオード12の出力側に接続されることによって、全波整流ダイオード12から出力される全波整流後の3相整流電圧(アナログ値)を所定ビット数のディジタルデータ(ディジタル値)に変換可能に構成されている。本実施形態では、前述したように、リップル成分を含んだ直流電圧として入力電圧Vi(図2(B)に示す全波整流波形Wrct)が全波整流ダイオード12から入力される。このため、入力電圧検出部26からはこのようなリップル成分を含めた入力電圧Viの情報が出力される。この入力電圧検出部26の出力は、CPU21の入力ポートに接続可能に構成されており、これによりCPU21は全波整流波の電圧情報(リップル成分を含んだ入力電圧情報)を取得可能となる。なお、この入力電圧検出部26は、特許請求の範囲に記載の「電圧検出部」に相当し得るものである。   The input voltage detection unit 26 also has an A / D conversion function similar to the input voltage detection unit 23 and the like, and is connected to the output side of the full-wave rectifier diode 12 to output from the full-wave rectifier diode 12. The three-phase rectified voltage (analog value) after full-wave rectification is converted into digital data (digital value) having a predetermined number of bits. In the present embodiment, as described above, the input voltage Vi (full wave rectified waveform Wrct shown in FIG. 2B) is input from the full wave rectifier diode 12 as a DC voltage including a ripple component. For this reason, the input voltage detector 26 outputs information on the input voltage Vi including such a ripple component. The output of the input voltage detection unit 26 is configured to be connectable to an input port of the CPU 21. Thus, the CPU 21 can acquire voltage information of a full-wave rectified wave (input voltage information including a ripple component). The input voltage detection unit 26 may correspond to a “voltage detection unit” recited in the claims.

ゲート出力部27は、後述するようにCPU21によって生成されるPWM信号Dpwm,Upwmを降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15に出力制御するための出力ドライバである。このため、ゲート出力部27の入力は、降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15のそれぞれに対応するPWM信号Dpwm,Upwmが出力されるCPU21の出力ポートに接続され、またゲート出力部27の出力は、降圧用IGBTモジュール13および昇圧用IGBTモジュール15のそれぞれ別個に接続されている。   The gate output unit 27 is an output driver for controlling output of PWM signals Dpwm and Upwm generated by the CPU 21 to the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15 as will be described later. For this reason, the input of the gate output unit 27 is connected to the output port of the CPU 21 to which the PWM signals Dpwm and Upwm corresponding to the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15 are output. The outputs are separately connected to the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15, respectively.

出力電流検出部28も、入力電圧検出部23等と同様にA/D変換機能を有するもので、入力が電流センサ19の出力側に接続されることによって、電流センサ19から出力される、降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15の出力電流値、つまり当該充電装置10の充電電流Ioに比例した電圧を(アナログ値)を所定ビット数のディジタルデータ(ディジタル値)に変換可能に構成されている。この出力電流検出部28の出力は、CPU21の入力ポートに接続可能に構成されており、これによりCPU21は当該充電装置10の充電電流(出力電流)の情報を取得可能となる。   The output current detection unit 28 also has an A / D conversion function like the input voltage detection unit 23 and the like, and the step-down output from the current sensor 19 when the input is connected to the output side of the current sensor 19. The output current value of the IGBT module 13 for boosting and the IGBT module 15 for boosting, that is, the voltage proportional to the charging current Io of the charging device 10 (analog value) can be converted into digital data (digital value) of a predetermined number of bits. ing. The output of the output current detection unit 28 is configured to be connectable to an input port of the CPU 21, whereby the CPU 21 can acquire information on the charging current (output current) of the charging device 10.

出力電圧検出部29も、入力電圧検出部23等と同様にA/D変換機能を有するもので、入力がチョーコイル17の出力側、つまり当該充電装置10の出力に接続されることにより、当該充電装置10の充電電圧Voを(アナログ値)を所定ビット数のディジタルデータ(ディジタル値)に変換可能に構成されている。この出力電圧検出部29の出力は、CPU21の入力ポートに接続可能に構成されており、これによりCPU21は当該充電装置10の充電電圧(出力電圧)の情報を取得可能となる。   The output voltage detection unit 29 also has an A / D conversion function like the input voltage detection unit 23 and the like, and the input is connected to the output side of the choco coil 17, that is, the output of the charging device 10. The charging voltage Vo of the charging apparatus 10 can be converted into digital data (digital value) having a predetermined number of bits (analog value). The output of the output voltage detection unit 29 is configured to be connectable to an input port of the CPU 21, whereby the CPU 21 can acquire information on the charging voltage (output voltage) of the charging device 10.

ここで、後述する充電制御処理によりメモリ22に格納される逆パターン値について図2、図4(A)および図4(B)を参照して説明する。なお、図2(A)や図2(B)に示される波形は3相交流電圧波形の1相当たりの1サイクル(周期)分に相当するもので、また図2(B)においては、UV相間だけに着目した場合の電圧が実線により、VW相間だけに着目した場合の電圧が破線により、WU相間だけに着目した場合の電圧が一点鎖線により、それぞれ示されている。   Here, the reverse pattern value stored in the memory 22 by the charge control process described later will be described with reference to FIG. 2, FIG. 4 (A), and FIG. 4 (B). The waveforms shown in FIG. 2 (A) and FIG. 2 (B) correspond to one cycle (period) per phase of the three-phase AC voltage waveform, and in FIG. A voltage when focusing only on the phase is indicated by a solid line, a voltage when focusing only on the VW phase is indicated by a broken line, and a voltage when focusing only on the phase between the WU phases is indicated by an alternate long and short dash line.

また、図4(A)には、メモリ22に格納される逆パターン値により表し得る逆相波形Wmemの概念例が図示されており、さらに図4(B)には、メモリ22に逆パターン値が格納される過程のうち最初の1サイクル分の逆パターン値d1に関して逆相波形Wmemの概念に置き換えて表した例が図示されている。図4に示される逆相波形Wmemは、図2や図3と同様、紙面左側から右側に向かって時間が経過することを前提にしている。また、紙面左側から右側に向かってアドレス値が順次増加するように、メモリ22のアドレスが対応し得る。   4A shows a conceptual example of a reverse phase waveform Wmem that can be represented by a reverse pattern value stored in the memory 22, and FIG. 4B shows a reverse pattern value in the memory 22. An example is shown in which the reverse pattern value d1 for the first cycle in the process of storing is replaced with the concept of the reverse phase waveform Wmem. The reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4 is based on the premise that time elapses from the left side to the right side of FIG. 2 and FIG. Further, the addresses of the memory 22 can correspond so that the address values sequentially increase from the left side to the right side of the page.

本実施形態では、図2(B)に示すような全波整流波形Wrctのリップル成分を逆位相にしたもの(電圧波形におけるリップル成分の電圧の大小関係を反転したもの)として、図2(A)に示すような逆相波形Winvに対応した逆パターン値(逆相対応値)をメモリ22に格納可能にしている。例えば、メモリ22において1024個分の逆パターン値を記憶可能な逆パターンデータ領域を確保するとともに、3相交流電圧波形の1相当たりの1サイクル分を1024分割して所定の基準時からの経過時間に関連づけて逆パターン値を時系列順に格納可能に構成している。なお、この所定の基準時は、メモリ22の逆パターンデータ領域においては所定の基準位置として設定される。   In this embodiment, the ripple component of the full-wave rectified waveform Wrct as shown in FIG. 2B is reversed in phase (inverted voltage component of the ripple component in the voltage waveform). The reverse pattern value (reverse phase corresponding value) corresponding to the reverse phase waveform Winv as shown in FIG. For example, a reverse pattern data area capable of storing 1024 reverse pattern values in the memory 22 is secured, and one cycle per phase of a three-phase AC voltage waveform is divided by 1024 to elapse from a predetermined reference time. The reverse pattern values can be stored in time series in association with time. The predetermined reference time is set as a predetermined reference position in the reverse pattern data area of the memory 22.

この逆パターン値は、後述するように、入力電圧検出部26により検出された全波整流後の入力電圧Viの情報に基づく所定演算により求めることができ、本実施形態では、所定タイミングごとに発生するタイマー割込みによる充電制御処理によって生成される。これにより、逆パターン値がタイマー割込みの都度、生成されて逆パターンデータ領域に順次格納されることで逆相波形Winvに対応した逆パターン値がメモリ22に蓄積される。   As will be described later, the reverse pattern value can be obtained by a predetermined calculation based on information of the input voltage Vi after full-wave rectification detected by the input voltage detection unit 26. In the present embodiment, the reverse pattern value is generated at every predetermined timing. It is generated by the charging control process by the timer interruption. Thus, the reverse pattern value corresponding to the reverse phase waveform Winv is accumulated in the memory 22 by generating the reverse pattern value every time the timer interrupts and sequentially storing it in the reverse pattern data area.

例えば、図2(C)に示すような3相交流電圧波形の1相(UV相)の1/6周期におけるリップル波形Ruを例示して説明をすると、メモリ22の逆パターンデータ領域に格納される逆パターン値は、図2(C)において破線で示す逆相波形Winvにほぼ対応して、全波整流波形Wrctのリップル成分のピーク(極大値)部分で最小値となり、リップル成分のボトム(極小値)部分で最大値、となる。また図2(D)に示すように、PWM信号波形Wpwmのパルス幅も、リップル成分のピーク部分で最小値Wminとなり、リップル成分のボトム部分で最大値Wmaxとなる。これらの各PWM信号は、その面積(図2(C)に示す網掛け部分の面積)がいずれもほぼ同一になるようにパルス幅が設定される。   For example, the ripple waveform Ru in 1/6 cycle of one phase (UV phase) of a three-phase AC voltage waveform as shown in FIG. 2C will be described as an example, and stored in the reverse pattern data area of the memory 22. The inverse pattern value that corresponds to the reverse phase waveform Winv indicated by the broken line in FIG. 2 (C) is the minimum value at the peak (maximum value) portion of the ripple component of the full-wave rectified waveform Wrct, and the bottom of the ripple component ( The minimum value is the maximum value. As shown in FIG. 2D, the pulse width of the PWM signal waveform Wpwm also has a minimum value Wmin at the peak portion of the ripple component and a maximum value Wmax at the bottom portion of the ripple component. The pulse widths of these PWM signals are set so that the areas (the areas of the shaded portions shown in FIG. 2C) are almost the same.

このような逆相波形Winvに対応する逆パターン値を、CPU21がタイマー割込みによる所定タイミングでメモリ22の逆パターンデータ領域から出力パターンとして読み出すとともに、この読み出した出力パターンと充電電流Ioと所定の定電流値Icntとに基づいて、降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15に出力する適正なPWM信号を生成可能にしている。これにより、当該充電装置10は、充電電流Ioが所定の定電流値Icntに一致するように出力することが可能となる。   The CPU 21 reads out a reverse pattern value corresponding to the reverse phase waveform Winv as an output pattern from the reverse pattern data area of the memory 22 at a predetermined timing by a timer interrupt, and also reads the read output pattern, the charging current Io, and a predetermined constant. An appropriate PWM signal to be output to the step-down IGBT module 13 or the step-up IGBT module 15 can be generated based on the current value Icnt. Thereby, the charging device 10 can output the charging current Io so as to coincide with the predetermined constant current value Icnt.

ところで、このようにメモリ22の逆パターンデータ領域に蓄積される逆パターン値は、タイマー割込みより実行される充電制御処理によって生成されることから、例えば、タイマー割込みが50マイクロ秒ごとに発生する場合には、3相交流電力の周波数が60Hzであれば1サイクル(16.7ミリ秒)間内に333.3回(=16.7mS/50μS)、また50Hzであれば1サイクル(20ミリ秒)間内に400回(=20mS/50μS)、の割合で充電制御処理により生成されてメモリ22に格納される。しかし、本実施形態では、この1サイクルの間に生成される逆パターン値の個数(333個または400個)と、メモリ22に確保されているデータの格納可能個数(1024個)とが一致しないため、タイマー割込みによる割込み時間間隔(50マイクロ秒)ごとに時系列的な隙間ができた「間引き状態」で、メモリ22のデータ領域に格納される。   By the way, since the reverse pattern value accumulated in the reverse pattern data area of the memory 22 is generated by the charge control process executed by the timer interrupt, for example, when the timer interrupt occurs every 50 microseconds. If the frequency of the three-phase AC power is 60 Hz, 333.3 times (= 16.7 mS / 50 μS) in one cycle (16.7 milliseconds), and if it is 50 Hz, one cycle (20 milliseconds) ) And is generated by the charge control process at a rate of 400 times (= 20 mS / 50 μS) and stored in the memory 22. However, in this embodiment, the number of reverse pattern values (333 or 400) generated during one cycle does not match the number of data that can be stored in the memory 22 (1024). Therefore, the data is stored in the data area of the memory 22 in a “thinning-out state” in which a time-series gap is created at every interruption time interval (50 microseconds) due to timer interruption.

例えば、メモリ22に格納される逆パターン値によって表される逆相波形の概念が図4(A)に示す波形Wmemである場合、最初の1サイクル(60Hzの場合、333個)の間にメモリ22に格納される逆パターン値d1は、図4(B)に示すように、破線で表した波形Wmemに沿って所定間隔ごとに位置する。即ち、最初の1サイクルにおいては、1024分割されたうちの所定の基準時(図4(B)の場合は紙面左端の最古時点)を起点として、割込み時間間隔(例えば50マイクロ秒)ごとに時系列的な隙間を形成して逆パターン値d1がメモリ22に格納される。なお、図4(B)において破線による波形Wmem上に表示される短い縦線は、逆パターン値d1が格納される時系列的な位置関係を明示するための印である。また、これらの各図において逆パターン値d1等は、図面表現上、便宜的に1/10以下の個数に減らして表示されていることに留意されたい。   For example, when the concept of the reverse phase waveform represented by the reverse pattern value stored in the memory 22 is the waveform Wmem shown in FIG. 4A, the memory is stored during the first cycle (333 in the case of 60 Hz). As shown in FIG. 4B, the inverse pattern value d1 stored in 22 is located at predetermined intervals along the waveform Wmem represented by a broken line. That is, in the first cycle, every predetermined interrupt time interval (for example, 50 microseconds) starts from a predetermined reference time out of 1024 divisions (in the case of FIG. 4B, the oldest time at the left end of the page). A reverse pattern value d1 is stored in the memory 22 so as to form a time-series gap. In FIG. 4B, a short vertical line displayed on the broken line waveform Wmem is a mark for clearly indicating the time-series positional relationship in which the reverse pattern value d1 is stored. Also, it should be noted that the reverse pattern values d1 and the like are reduced to 1/10 or less for convenience of drawing in these drawings.

このように、時系列的な隙間を形成した間引き状態で逆パターン値がメモリ22の逆パターンデータ領域に格納されるため、1サイクル(1024個)分の逆パターン値が十分に揃うまでには、例えば、数10サイクル程度(1秒前後)の時間を要することなるが、通常、充電装置10の使用特性上、電源投入後に少なくとも1秒程度の時間的な余裕が存在するので、この間に十分な逆パターン値をメモリ22に格納して蓄えることができる。   In this manner, since the reverse pattern values are stored in the reverse pattern data area of the memory 22 in a thinned state in which time series gaps are formed, until the reverse pattern values for one cycle (1024) are sufficiently aligned. For example, a time of about several tens of cycles (around 1 second) is required. Usually, however, there is a time margin of at least about 1 second after the power is turned on because of the usage characteristics of the charging device 10. Inverse pattern values can be stored and stored in the memory 22.

時系列的な隙間(間引きの間隔)は、例えば、メモリ22に確保されているデータの格納可能個数が1024個で、3相交流電力の周波数が60Hzの場合、格納されるデータ3個(=1024個/333回)分に相当する。なお、このようなメモリ22上の格納位置は、後述するように、充電制御処理中でカウントアップされる計数用のカウンタCiのカウント値に基づいて設定されるとともに、ゼロクロス検出部25によってゼロクロス検出信号Szcが検出された直後に処理される充電制御処理の中でこのカウンタCiがリセットされてカウント値が初期値(例えば「1」)に戻る。   For example, when the number of data that can be stored in the memory 22 is 1,024 and the frequency of the three-phase AC power is 60 Hz, the time series gap (thinning interval) is three data (= 1024 pieces / 333 times). Note that such a storage position on the memory 22 is set based on the count value of the counter Ci for counting up during the charging control process, as will be described later, and the zero cross detection unit 25 detects the zero cross. The counter Ci is reset in the charge control process that is performed immediately after the signal Szc is detected, and the count value returns to the initial value (for example, “1”).

即ち、図3(A),図3(B)に示すゼロクロスタイミングTb(0)の直後のタイミング(以下「直後タイミング」という)Ta(1)に発生するタイマー割込みにより実行される充電制御処理において、当該カウンタCiはリセットされる。カウンタCiの初期値は、例えば、図4(B)に示す逆相波形Wmemの左端(最古時点)に対応した値に設定されており、リセットによりその値に戻る。ところが、図3(D)や図3(E)に示すように、ゼロクロスタイミングTb(n)(nは、−1,0,1)とタイマー割込みのタイミングTa(n)(nは、−1,0,1,2)は、必ずしも一致しない。場合によっては両者間に最大50マイクロ秒の時間的なズレ(図3(D)に示すTdly)が生じ、ゼロクロスタイミングTb(0)から50マイクロ秒遅れて検出された入力電圧Viが逆相波形Wmemの左端(最古時点)に対応してメモリ22に格納され得る。   That is, in the charge control process executed by the timer interrupt generated at the timing (hereinafter referred to as “immediate timing”) Ta (1) immediately after the zero cross timing Tb (0) shown in FIGS. 3 (A) and 3 (B). The counter Ci is reset. The initial value of the counter Ci is set, for example, to a value corresponding to the left end (oldest time point) of the reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4B, and returns to that value upon reset. However, as shown in FIGS. 3D and 3E, the zero-cross timing Tb (n) (n is -1, 0, 1) and the timer interrupt timing Ta (n) (n is -1 , 0, 1, 2) do not necessarily match. In some cases, a time lag of up to 50 microseconds (Tdly shown in FIG. 3D) occurs between the two, and the input voltage Vi detected with a delay of 50 microseconds from the zero cross timing Tb (0) is a reverse phase waveform. It can be stored in the memory 22 corresponding to the left end (the oldest time) of Wmem.

この場合、最初の1サイクルの間にメモリ22に格納される逆パターン値d1は、図4(G)に示すように、本来の逆相波形Wmemからズレた位置に対応してメモリ22に格納され、またこれに続く各サイクルでメモリ22に格納される逆パターン値d2,d3は、図4(H)や図4(I)に示すように、逆相波形Wmemからズレた位置に対応してメモリ22に格納される。このため、図4(J)に示すように、最終的に逆パターンデータ領域に格納される逆パターン値dnによる逆相波形Wmem’は、本来の逆相波形Wmemに対して、ゼロクロスタイミングTb(0)とタイマー割込みの直後タイミングTa(1)とのズレによる遅れ時間Tdlyに対応する位相角Fdlyだけ位相が進んでしまう。なお、図4(G)〜図4(J)に示す逆パターン値d1〜d3,dnは、逆相波形Wmemに対する位置ズレを明確にするため、図面表現上、ズレが強調されていることに留意されたい。   In this case, the reverse pattern value d1 stored in the memory 22 during the first cycle is stored in the memory 22 corresponding to the position shifted from the original reverse phase waveform Wmem, as shown in FIG. Further, the inverse pattern values d2 and d3 stored in the memory 22 in each subsequent cycle correspond to positions shifted from the inverse phase waveform Wmem as shown in FIGS. 4 (H) and 4 (I). And stored in the memory 22. For this reason, as shown in FIG. 4 (J), the negative phase waveform Wmem ′ by the reverse pattern value dn finally stored in the reverse pattern data area has zero cross timing Tb ( 0) and the timing Ta (1) immediately after the timer interruption, the phase advances by the phase angle Fdly corresponding to the delay time Tdly. Note that the reverse pattern values d1 to d3 and dn shown in FIGS. 4G to 4J are emphasized in terms of the drawings in order to clarify the positional shift with respect to the reverse phase waveform Wmem. Please keep in mind.

したがって、メモリ22の逆パターンデータ領域には、このような位相にズレのある逆相波形Wmemの逆パターン値が格納され得ることから、逆パターン値の読み出しにおいては、本来、読み出されるべき逆相波形Wmemとは異なった波形Wmem’の逆パターン値が読み出され、それに基づいてPWM信号波形が生成されることがある。このため、降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15から出力される充電電圧Voや充電電流Ioの波形に乱れが生じ得る。   Therefore, since the reverse pattern value of the reverse phase waveform Wmem having such a phase shift can be stored in the reverse pattern data area of the memory 22, the reverse pattern value to be read is originally read in the reverse pattern value reading. A reverse pattern value of a waveform Wmem ′ different from the waveform Wmem may be read, and a PWM signal waveform may be generated based on the read pattern value. For this reason, the charging voltage Vo and the charging current Io output from the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15 may be disturbed.

そこで、本実施形態では、図3(D)に示すように、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後タイミングTa(1)に発生するタイマー割込みによる充電制御処理においては、逆パターンデータ領域の格納位置に関連するカウンタCiをリセットするとともに、ゼロクロスタイミングTb(0)と直後タイミングTa(1)との時間差(遅れ時間Tdly)を算出し、メモリ22の逆パターンデータ領域に格納する逆パターン値の格納位置を、この時間差分だけシフトさせるようにした。これにより、このような格納位置のズレによる出力波形の乱れを抑制可能にしている。なお、タイマー割込み信号Sitの直後タイミングTa(0)や直後タイミングTa(0)よりも後のタイミング(以下「他のタイミングTa」という)Ta(-1),Ta(1),Ta(2)は、計時用のカウンタCtのカウント値によって与えられる。   Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 3D, in the charge control process by the timer interruption that occurs at the timing Ta (1) immediately after the zero cross timing Tb (0), the storage position of the reverse pattern data area is set. The associated counter Ci is reset, and the time difference (delay time Tdly) between the zero cross timing Tb (0) and the immediately subsequent timing Ta (1) is calculated, and the storage position of the reverse pattern value stored in the reverse pattern data area of the memory 22 Is shifted by this time difference. Thereby, it is possible to suppress the disturbance of the output waveform due to such a shift of the storage position. The timing Ta (0) immediately after the timer interrupt signal Sit and the timing after the timing Ta (0) (hereinafter referred to as “other timing Ta”) Ta (−1), Ta (1), Ta (2) Is given by the count value of the time counter Ct.

このような充電制御処理の例として、フローチャートが図5に図示されているので、ここからは図3〜図5を参照して説明する。なお、この充電制御処理は、メモリ22の主記憶領域にロードされている充電制御プログラムが、例えば50マイクロ秒ごとに発生するタイマー割込みの度に起動されてCPU21により実行されることにより実現される。   As an example of such a charge control process, a flowchart is shown in FIG. 5 and will be described with reference to FIGS. This charge control process is realized by the charge control program loaded in the main storage area of the memory 22 being activated and executed by the CPU 21 every time a timer interrupt occurs every 50 microseconds, for example. .

図5に示すように、充電制御処理では、まずステップS101によりゼロクロス情報取得処理が行われる。この処理は、当該充電制御処理がゼロクロスタイミングTb(0)の直後に起動されたものであるか否かの情報とゼロクロスタイミングTb(0)の時間情報とを取得するもので、例えば、インプットキャプチャの有無を示すフラグ情報と、インプットキャプチャ機能によるゼロクロスタイミングTb(0)におけるカウンタCtのカウント値(時間情報)とを取得する。なお、インプットキャプチャにより保持されるカウンタCtのカウント値は、現在のものであるが、1つ前(前回)のTb(-1)のものはメモリ22に保持されて残っている。   As shown in FIG. 5, in the charge control process, first, a zero-cross information acquisition process is performed in step S101. This process obtains information on whether or not the charge control process is started immediately after the zero cross timing Tb (0) and the time information of the zero cross timing Tb (0). Flag information indicating the presence or absence of the counter, and the count value (time information) of the counter Ct at the zero cross timing Tb (0) by the input capture function are acquired. Note that the count value of the counter Ct held by the input capture is the current value, but the previous (previous) Tb (−1) value is held in the memory 22 and remains.

次のステップS102では、入力電圧取得処理が行われる。この処理は、全波整流ダイオード12から出力される全波整流後の3相整流電圧、つまり入力電圧Viの情報を入力電圧検出部26から取得する。この入力電圧Viの情報は、後述する逆パターン値算出処理(S119)で用いられる。   In the next step S102, an input voltage acquisition process is performed. In this process, information about the three-phase rectified voltage after full-wave rectification output from the full-wave rectifier diode 12, that is, information on the input voltage Vi is acquired from the input voltage detection unit 26. This information on the input voltage Vi is used in a reverse pattern value calculation process (S119) described later.

続くステップS103では、ステップS101により取得したゼロクロス情報に基づいて、当該充電制御処理がゼロクロスタイミングTb(0)の直後のタイマー割込みによって起動されたものであるか否かの判断処理が行われる。例えば、ステップS101によるフラグ情報に基づいて、フラグ値からインプットキャプチャの有無を判断する。この判断処理によりインプットキャプチャ「有」で、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後タイミングTa(1)によるタイマー割込みによって起動されたものであると判断された場合には(S103;Yes)、続くステップS105に処理を移行する。これに対して、インプットキャプチャ「無」で、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後タイミングTa(1)によるタイマー割込みによって起動されたものであると判断されない場合には(S103;No)、ステップS105,S107,S109を行うことなくステップS115に処理を移行する。   In subsequent step S103, based on the zero-cross information acquired in step S101, a determination process is performed as to whether or not the charge control process is started by a timer interrupt immediately after the zero-cross timing Tb (0). For example, the presence / absence of input capture is determined from the flag value based on the flag information in step S101. If it is determined by this determination processing that the input capture is “present” and the timer is interrupted by the timing Ta (1) immediately after the zero cross timing Tb (0) (S103; Yes), the following step S105 is performed. The process is transferred to. On the other hand, when it is not determined that the input capture is “no” and the timer is triggered by the timer interruption at the timing Ta (1) immediately after the zero cross timing Tb (0) (S103; No), step S105, The process proceeds to step S115 without performing steps S107 and S109.

即ち、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後のタイマー割込みによりも後の他のタイミングTa(2)(またはTa(0),Ta(-1))によるタイマー割込みによって起動された場合には(S103;No)、カウンタCiをリセットしたり(S107)、ゼロクロスタイミングTb(0)と直後タイミングTa(1)との時間差Tdlyを算出(S109)する必要がないため、これらの処理をスキップする。また、当該充電制御処理が直後タイミングTa(1)のタイマー割込みによって起動された場合には、続くステップS105,S107,S109の各処理が行われる。   That is, when the timer interrupt immediately after the zero cross timing Tb (0) is triggered by a timer interrupt at another later timing Ta (2) (or Ta (0), Ta (-1)) (S103; No), it is not necessary to reset the counter Ci (S107) or calculate the time difference Tdly between the zero-cross timing Tb (0) and the immediately following timing Ta (1) (S109), so these processes are skipped. Further, when the charging control process is started by a timer interruption at the timing Ta (1) immediately after, the following processes of steps S105, S107, and S109 are performed.

ステップS105では、割込み情報取得処理が行われる。この処理は、タイマー割込みが発生した時間情報を取得するもので、例えば、タイマー割込み信号Sitをトリガーにしてタイマー割込みのタイミングTaにおけるカウンタCtのカウント値(時間情報)を取得する。   In step S105, an interrupt information acquisition process is performed. This process acquires time information when the timer interrupt occurs. For example, the timer interrupt signal Sit is used as a trigger to acquire the count value (time information) of the counter Ct at the timer interrupt timing Ta.

続くステップS107では、カウンタ初期化処理が行われる。即ち、この処理では、カウンタCiを初期値(例えばゼロ)に戻す処理が行われる。これにより、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後のタイマー割込みによって当該充電制御処理が起動された場合には、逆パターンデータ領域に設定される基準位置を起点に逆パターン値の格納が可能となる。また、このステップS107において、インプットキャプチャのフラグ値、即ち、インプットキャプチャの有無を示すフラグ情報をクリア(インプットキャプチャ「無」)する処理が行われる。これにより、新たなゼロクロス点Pzによってインプットキャプチャが発生しない限り、このフラグはインプットキャプチャ「有」にはならない。   In the subsequent step S107, counter initialization processing is performed. That is, in this process, a process for returning the counter Ci to an initial value (for example, zero) is performed. As a result, when the charge control process is started by a timer interruption immediately after the zero cross timing Tb (0), the reverse pattern value can be stored starting from the reference position set in the reverse pattern data area. In step S107, a process for clearing the flag value of the input capture, that is, flag information indicating the presence / absence of the input capture (input capture “none”) is performed. Thus, unless an input capture is generated by a new zero cross point Pz, this flag does not become “captured”.

ステップS109では、遅れ時間算出処理が行われる。この処理は、ゼロクロスタイミングTb(0)からタイマー割込みによって当該充電制御処理が起動されるまでに要した時間、つまりゼロクロスタイミングTb(0)に対する遅れ時間を算出する。本実施形態では、ステップS101により取得したゼロクロスタイミングTb(0)におけるカウンタCtのカウント値(時間情報)と、ステップS105により取得した当該タイミングTa(1)におけるカウンタCtのカウント値(時間情報)と、に基づいて、遅れ時間Tdly(=Ta(1)−Tb(0))が算出される。   In step S109, a delay time calculation process is performed. In this process, a time required from the zero cross timing Tb (0) until the charge control process is started by a timer interruption, that is, a delay time with respect to the zero cross timing Tb (0) is calculated. In the present embodiment, the count value (time information) of the counter Ct at the zero cross timing Tb (0) acquired at step S101, and the count value (time information) of the counter Ct at the timing Ta (1) acquired at step S105. , Delay time Tdly (= Ta (1) −Tb (0)) is calculated.

ステップS115以降の各処理は、当該充電制御処理がゼロクロスタイミングTb(0)の直後のタイマー割込みによって起動されたか否かを問わず行われる。
ステップS115では、保存先位置算出処理が行われる。この処理は、後のステップS119で算出される逆パターン値の保存先、つまりメモリ22の逆パターンデータ領域における格納位置を算出するものである。
Each process after step S115 is performed regardless of whether or not the charge control process is started by a timer interrupt immediately after the zero cross timing Tb (0).
In step S115, a storage location calculation process is performed. In this process, the storage destination of the reverse pattern value calculated in the subsequent step S119, that is, the storage position in the reverse pattern data area of the memory 22 is calculated.

例えば、図4(C)に示すように、充電制御処理が1回実行されるごとに、タイマー割込みによる割込み時間間隔(60Hzの場合、50マイクロ秒)分の隙間を形成するようにして、最初の1サイクル時間Tcycが経過すると、図4(C)に示すような間引き状態になるように、逆パターン値d1の格納位置が毎回、算出される。   For example, as shown in FIG. 4 (C), every time the charging control process is executed once, a gap corresponding to an interrupt time interval (50 microseconds in the case of 60 Hz) is formed by a timer interrupt. When one cycle time Tcyc of elapses, the storage position of the reverse pattern value d1 is calculated every time so that the thinning state as shown in FIG.

例えば、直後タイミングTa(1)に発生するタイマー割込みでは(Ci=1)、メモリ22に確保されているデータの格納可能個数1024個、割込み間隔50マイクロ秒、遅れ時間Tdlyおよび1サイクル(16.7ミリ秒)から、1024×(50μS+Tdly)/16.7mSにより格納位置が算出され、その次のタイマー割込みでは(Ci=2)、1024×(100μS+Tdly)/16.7mSにより格納位置が算出される。なお、小数点以下は、例えば切り捨てて整数化する(四捨五入や切り上げによる整数化でも良い)。   For example, in the timer interrupt that occurs immediately after the timing Ta (1) (Ci = 1), the number of data that can be stored in the memory 22 is 1,024, the interrupt interval is 50 microseconds, the delay time Tdly and one cycle (16.16). 7 ms), the storage location is calculated by 1024 × (50 μS + Tdly) /16.7 mS, and the next timer interrupt (Ci = 2), the storage location is calculated by 1024 × (100 μS + Tdly) /16.7 mS. . For example, the number after the decimal point is rounded down to an integer (rounding or rounding up may be used).

つまり、メモリ22上における逆パターン値の格納位置は、(1024×(50μS×Ci+Tdly)/16.7mS)により、充電制御処理が実行される度に、毎回、1つずつカウントアップされるカウンタCiのカウンタ値に基づいて算出される。これにより、逆パターン値d1の格納位置は、例えば、図4(C)に示すように、遅れ時間Tdlyに相当する時間的にずらした位置として、逆パターンデータ領域の最古時間に対応する位置(図4(C)に示す逆相波形Wmemの紙面左端)から最新時間方向(図4(C)に示す逆相波形Wmemの紙面右端)に向かってシフト量Fsftだけ移動させた位置になるとともに、図4(C)に示す間引き状態で逆相波形Wmemの最新時間方向に進むことになる。   That is, the storage position of the reverse pattern value on the memory 22 is (1024 × (50 μS × Ci + Tdly) /16.7 mS), and the counter Ci that is counted up one by one each time the charge control process is executed. Is calculated based on the counter value. Thereby, the storage position of the reverse pattern value d1 is a position corresponding to the earliest time of the reverse pattern data area as a position shifted in time corresponding to the delay time Tdly, for example, as shown in FIG. The position is shifted by the shift amount Fsft from the (the left end of the reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4C) toward the latest time direction (the right end of the reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4C). In the thinned-out state shown in FIG. 4C, the process proceeds in the latest time direction of the antiphase waveform Wmem.

ステップS117では、逆パターン値読出処理が行われる。この処理は、ステップS115により算出された逆パターン値の格納位置に、既に格納されている逆パターン値を読み出すものである。即ち、次のステップS119で逆パターン値を算出するに際し、これまでに蓄積されている過去の逆パターン値を加味するために行われるものである。   In step S117, a reverse pattern value reading process is performed. In this process, the reverse pattern value already stored in the storage position of the reverse pattern value calculated in step S115 is read. That is, when calculating the reverse pattern value in the next step S119, it is performed in consideration of the past reverse pattern values accumulated so far.

ステップS119では、逆パターン値算出処理が行われる。この処理は、ステップS102により取得した入力電圧Viの情報に基づいた演算を行うことによって、逆パターン値を算出するものである。例えば、入力電圧Viの逆数を算出することにより、当該入力電圧Viに対応した逆パターン値が得られるが、本実施形態では、これにより得られた逆パターン値に、ステップS117で読み出した過去の逆パターン値をN(整数)倍したものを加算し、この加算結果を(N+1)で割ることによって、過去の逆パターン値を加味した新たな逆パターン値を求める。Nの値は、例えば、十分な逆パターン値が揃い逆相波形Wmemが完成するのに要する当該充電制御処理の実行回数や、別途設けられた当該充電制御処理の実行回数をカウントするカウンタ値等に設定される。   In step S119, a reverse pattern value calculation process is performed. In this process, an inverse pattern value is calculated by performing a calculation based on the information of the input voltage Vi acquired in step S102. For example, by calculating the reciprocal of the input voltage Vi, a reverse pattern value corresponding to the input voltage Vi can be obtained. In this embodiment, the reverse pattern value obtained in this way is converted to the past pattern value read in step S117. A reverse pattern value multiplied by N (integer) is added, and the addition result is divided by (N + 1) to obtain a new reverse pattern value taking into account the past reverse pattern value. The value of N is, for example, the number of executions of the charge control process required to complete a reversed-phase waveform Wmem with sufficient reverse pattern values, a counter value for counting the number of executions of the charge control process provided separately, etc. Set to

これにより、重み付けをされた過去の逆パターン値に対して、今回、算出した現在の逆パターン値が足されてその平均値として新たな逆パターン値を得ることができる。即ち、既に保存(格納)されている過去の逆パターン値にウェイトを置いて新たな逆パターン値が算出されることから、例えば、前回や前々回等の過去の逆パターン値に比べて現在の逆パターン値に大きな変動が生じた場合であっても、算出される新たな逆パターン値に対してこのような変動による影響を抑制することが可能となる。   Thereby, the current reverse pattern value calculated this time is added to the weighted past reverse pattern value, and a new reverse pattern value can be obtained as the average value. That is, since a new reverse pattern value is calculated by putting a weight on a past reverse pattern value that has already been stored (stored), for example, the current reverse pattern value is compared with the previous reverse pattern value such as the previous time or the previous time. Even when a large variation occurs in the pattern value, it is possible to suppress the influence of such variation on the calculated new reverse pattern value.

ステップS121では、逆パターン値保存処理が行われる。この処理は、ステップS119により算出された逆パターン値の保存、つまり保存先位置として、ステップS115により算出された逆パターンデータ領域の格納位置に当該逆パターン値を格納するものである。これにより、例えば、最初の1サイクルでは、図4(C)に示す各逆パターン値d1が保存され、また次の1サイクルでは、図4(D)に示す各逆パターン値d2が保存される。さらにその次の1サイクルでは、図4(E)に示す各逆パターン値d3が保存されて、数10サイクル後に十分な逆パターン値d1〜dnが揃い、図4(F)に示すような逆相波形Wmemが完成する。   In step S121, reverse pattern value storage processing is performed. In this process, the reverse pattern value calculated in step S119 is stored, that is, the reverse pattern value is stored in the storage position of the reverse pattern data area calculated in step S115 as the storage destination position. Thereby, for example, in the first cycle, each reverse pattern value d1 shown in FIG. 4C is stored, and in the next one cycle, each reverse pattern value d2 shown in FIG. 4D is stored. . Further, in the next one cycle, each reverse pattern value d3 shown in FIG. 4 (E) is stored, and after several tens of cycles, sufficient reverse pattern values d1 to dn are prepared, and the reverse pattern as shown in FIG. 4 (F) is obtained. The phase waveform Wmem is completed.

このようにして出来上がった図4(F)に示す逆相波形Wmemは、図4(C)〜図4(E)に示すように、遅れ時間Tdlyに相当するシフト量Fsftだけ時間経過方向に移動した一点鎖線の基準位置を起点にした格納位置に、各逆パターン値d1〜dnを保存したものである。このため、図4(J)に示すように、このような移動をすることなく最古時点(図4(G)〜図4(I)に示す紙面左端)を起点として保存した逆相波形Wmem’に比べて、遅れ時間Tdlyに対応する位相角Fdly分の位相が進むようなことがない。これから説明する出力パターン読出処理等によりメモリ22の逆パターンデータ領域から読み出された出力パターン(逆パターン値)が不適当な値となることがない。   The resulting anti-phase waveform Wmem shown in FIG. 4 (F) moves in the direction of time passage by the shift amount Fsft corresponding to the delay time Tdly, as shown in FIGS. 4 (C) to 4 (E). The reverse pattern values d1 to dn are stored at the storage position starting from the reference position of the alternate long and short dash line. Therefore, as shown in FIG. 4 (J), the reverse phase waveform Wmem stored from the earliest time (left edge of the paper shown in FIGS. 4 (G) to 4 (I)) as the starting point without such movement. Compared with ', the phase by the phase angle Fdly corresponding to the delay time Tdly does not advance. The output pattern (reverse pattern value) read from the reverse pattern data area of the memory 22 by the output pattern read processing described below does not become an inappropriate value.

ステップS123では、カウントアップ処理が行われる。この処理は、カウンタCiのカウンタ値を当該充電制御処理が実行される度ごとにカウントアップさせるもので、これにより、メモリ22の逆パターンデータ領域に格納される逆パターン値の格納位置を、時間の経過方向(最古時点から最新時点(図4示す紙面左端から右端))に向かって進めることが可能となる。   In step S123, a count-up process is performed. In this process, the counter value of the counter Ci is counted up every time the charge control process is executed, whereby the storage position of the reverse pattern value stored in the reverse pattern data area of the memory 22 is changed to the time. It is possible to proceed from the oldest time point to the latest time point (from the left end to the right end in FIG. 4).

ステップS125では、読出先位置算出処理が行われる。この処理は、メモリ22の逆パターンデータ領域に格納された逆パターン値を読み出す位置を算出するものである。この処理では、ステップS115で算出されたメモリ22の逆パターンデータ領域における格納位置に対して、任意の位相角だけ位相を進めた格納位置、または任意の位相角だけ位相を遅らせた格納位置から、逆パターン値を読み出すように、当該読出位置を算出する。例えば、この進めたり遅らせたりする位相角を時間換算したものをTαとすると、ステップS115で説明した式を用いて、(1024×(50μS×Ci+Tdly+Tα)/16.7mS)により、読み出し位置を算出することができる。これにより、ハードウェア処理やソフトウェア処理その他の要因による遅延を吸収することが可能となり、またそれに伴う力率の低下を抑制できる。   In step S125, a read destination position calculation process is performed. In this process, the position for reading the reverse pattern value stored in the reverse pattern data area of the memory 22 is calculated. In this process, from the storage position where the phase is advanced by an arbitrary phase angle with respect to the storage position in the reverse pattern data area of the memory 22 calculated in step S115, or from the storage position where the phase is delayed by an arbitrary phase angle, The read position is calculated so as to read the reverse pattern value. For example, if the phase angle that is advanced or delayed is converted into time, Tα is used, and the readout position is calculated by (1024 × (50 μS × Ci + Tdly + Tα) /16.7 mS) using the formula described in step S115. be able to. As a result, it is possible to absorb delays caused by hardware processing, software processing, and other factors, and it is possible to suppress a decrease in power factor associated therewith.

ステップS127では、出力パターン読出処理が行われ、さらにステップS129では、出力パターン出力処理が行われる。即ち、ステップS125により算出された読出位置に基づいてメモリ22の逆パターンデータ領域から出力パターン(逆パターン値)を読み出した後、前述したように、この出力パターンと充電電流Ioと所定の定電流値Icntとに基づいて、適正なPWM信号DpwmまたはPWM信号Upwmを生成して、降圧用IGBTモジュール13または昇圧用IGBTモジュール15に出力する。これにより、降圧用IGBTモジュール13や昇圧用IGBTモジュール15では、バッテリBattに供給する充電電力の充電電流Ioが所定の定電流値Icntとなるように制御することが可能となる。   In step S127, an output pattern reading process is performed, and in step S129, an output pattern output process is performed. That is, after reading the output pattern (reverse pattern value) from the reverse pattern data area of the memory 22 based on the read position calculated in step S125, as described above, this output pattern, the charging current Io, and the predetermined constant current Based on the value Icnt, an appropriate PWM signal Dpwm or PWM signal Upwm is generated and output to the step-down IGBT module 13 or the step-up IGBT module 15. Thereby, the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15 can be controlled so that the charging current Io of the charging power supplied to the battery Batt becomes a predetermined constant current value Icnt.

以上説明したように本実施形態に係る充電装置10によると、入力電圧検出部26(入力電圧取得処理S102)により全波整流波形Wrctの入力電圧Viを検出するタイマー割込みのタイミングTaがゼロクロスタイミングTbの直後タイミングTa(1)である場合(S103;Yes)、つまりメモリ22に記憶させる逆相波形Wmemの逆パターン値が先頭(最初または1番目)の逆パターン値d1である場合には、ゼロクロスタイミングTbから直後タイミングTa(1)までの遅れ時間Tdlyを算出した後(遅れ時間算出処理S109)、直後タイミングTa(1)における逆パターン値d1を記憶するメモリ22の格納位置(記憶位置)を、この遅れ時間Tdlyに相当するシフト量Fsft分、時間経過方向にシフトさせる(保存先位置算出処理S115)。また、入力電圧検出部26(入力電圧取得処理S102)により全波整流波形Wrctの入力電圧Viを検出するタイマー割込みのタイミングTaが直後タイミングTa(1)よりも後の他のタイミングTa(2)である場合(S103;No)、つまりメモリ22に記憶させる逆相波形Wmemの逆パターン値が先頭(最初)よりも後(2番目以降)の逆パターン値d2,d3,dnである場合には、この他のタイミングTa(2)における逆パターン値d2,d3,dnを記憶するメモリ22の格納位置(記憶位置)を、直後タイミングTa(1)において算出した遅れ時間Tdlyに相当するシフト量Fsft分、時間経過方向にシフトさせる(保存先位置算出処理S115)。   As described above, according to the charging apparatus 10 according to the present embodiment, the timer interrupt timing Ta for detecting the input voltage Vi of the full-wave rectified waveform Wrct by the input voltage detection unit 26 (input voltage acquisition process S102) is the zero cross timing Tb. If the timing Ta (1) is immediately after (S103; Yes), that is, if the reverse pattern value of the reverse phase waveform Wmem stored in the memory 22 is the first (first or first) reverse pattern value d1, zero crossing is performed. After calculating the delay time Tdly from the timing Tb to the immediately subsequent timing Ta (1) (delay time calculating process S109), the storage position (storage position) of the memory 22 that stores the reverse pattern value d1 at the immediately following timing Ta (1) is calculated. Then, the shift amount Fsft corresponding to the delay time Tdly is shifted in the time lapse direction (storage destination position calculation process S115). . In addition, the timing Ta of the timer interruption for detecting the input voltage Vi of the full-wave rectified waveform Wrct by the input voltage detection unit 26 (input voltage acquisition processing S102) is another timing Ta (2) after the immediate timing Ta (1). (S103; No), that is, when the reverse pattern value of the reverse phase waveform Wmem stored in the memory 22 is the reverse pattern values d2, d3, dn after the first (first) (second and later). The shift position Fsft corresponding to the delay time Tdly calculated at the immediately subsequent timing Ta (1) is used as the storage position (storage position) of the memory 22 that stores the reverse pattern values d2, d3, dn at the other timing Ta (2). The time is shifted in the direction of lapse of minutes (save destination position calculation processing S115).

これにより、ゼロクロスタイミングTbの直後タイミングTa(1)までの遅れ時間Tdly、つまりゼロクロスタイミングTbから入力電圧検出部26により入力電圧Viを検出するまでの間の遅れた時間に相当するだけ、メモリ22に記憶させる先頭(最初または1番目)の逆パターン値d1の格納位置を時間経過方向(遅れ方向)にシフトさせて補正するとともに、その後(2番目以降)の逆パターン値d2,d3,dnである場合についても、この遅れた時間に相当するだけシフトさせて補正するため、このような時間的なズレを補正することなく、メモリ22に記憶させる先頭(最初)の逆パターン値d1の格納位置をそのままの最古時点に記憶させた場合に比べて、適正な逆パターン値をメモリ22に記憶させることができる。したがって、当該充電装置10では、このような適正な逆パターン値に基づくパルス幅変調信号Dpwm,Upwmが得られるため、時間的なズレによる電力波形に乱れを抑制することができる。   As a result, the memory 22 only corresponds to the delay time Tdly from the zero cross timing Tb to the timing Ta (1), that is, the delay time from the zero cross timing Tb until the input voltage Vi is detected by the input voltage detector 26. Is corrected by shifting the storage position of the first (first or first) reverse pattern value d1 to be stored in the time lapse direction (delay direction) and thereafter (second and subsequent) reverse pattern values d2, d3, and dn. In some cases, the correction is performed by shifting the time corresponding to the delayed time. Therefore, the storage position of the first (first) reverse pattern value d1 stored in the memory 22 is corrected without correcting such a time shift. Can be stored in the memory 22 in an appropriate reverse pattern value as compared with the case of storing at the oldest time. Therefore, in the charging device 10, since the pulse width modulation signals Dpwm and Upwm based on such an appropriate reverse pattern value can be obtained, it is possible to suppress disturbance in the power waveform due to temporal deviation.

また、本実施形態に係る充電装置10によると、パルス幅変調信号Upwm,Dpwmは、メモリ22の格納位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から読み出される逆相波形Wmemの波形情報に基づいて生成される。これにより、任意の位相角分、位相を進めたり遅らせたりした逆相波形に基づくパルス幅変調信号Upwm,Dpwmが得られるため、時間的なズレによる電力波形に乱れを抑制に加えて、力率の低下も抑制することができる。   Further, according to the charging device 10 according to the present embodiment, the pulse width modulation signals Upwm and Dpwm are read out from the position where the phase is advanced or delayed by an arbitrary phase angle with respect to the storage position of the memory 22. It is generated based on the waveform information of Wmem. As a result, pulse width modulation signals Upwm and Dpwm based on a reverse phase waveform whose phase has been advanced or delayed by an arbitrary phase angle can be obtained. Therefore, in addition to suppressing the disturbance in the power waveform due to temporal deviation, the power factor Can also be suppressed.

さらに、本実施形態に係る充電装置10によると、メモリ22に逆パターン値を記憶する際に、メモリ22の格納位置に既に逆パターン値が記憶されている場合には、既に記憶されている逆パターン値に所定の重み付けをしたものに新たな逆パターン値を加えて得た平均値を記憶位置に記憶する。これにより、既に記憶されている逆パターン値にウェイトを置いて新たな逆パターン値が記憶されるため、例えば、今回の逆パターン値とそれまでにメモリ22に記憶された逆パターン値との間に大きな違いがあっても、今回の逆パターン値がそのまま記憶される場合に比べて逆パターン値の変動を抑制することができる。   Furthermore, according to the charging device 10 according to the present embodiment, when the reverse pattern value is already stored in the storage position of the memory 22 when the reverse pattern value is stored in the memory 22, the reverse stored in the memory 22 is stored. An average value obtained by adding a new reverse pattern value to the pattern value obtained by predetermined weighting is stored in the storage position. As a result, a new reverse pattern value is stored with a weight placed on the reverse pattern value that has already been stored. For example, between the current reverse pattern value and the reverse pattern value stored in the memory 22 so far. Even if there is a large difference, the variation of the reverse pattern value can be suppressed as compared with the case where the current reverse pattern value is stored as it is.

なお、上述した実施形態では、3相交流電源ACと全波整流ダイオード12とを直結にしたが、例えば、3相200Vの交流電圧を100Vに降圧する3相トランスを介在させても良い。また、降圧用IGBTモジュール13と昇圧用IGBTモジュール15との両方を備えた構成にしたが、出力電圧Voや出力電流Ioの要求仕様に対応して、いずれか一方を備えるように充電装置10を構成しても良い。これらいずれの場合でも、上述した実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。   In the above-described embodiment, the three-phase AC power supply AC and the full-wave rectifier diode 12 are directly connected. However, for example, a three-phase transformer that steps down a three-phase 200 V AC voltage to 100 V may be interposed. In addition, although the configuration includes both the step-down IGBT module 13 and the step-up IGBT module 15, the charging device 10 is provided so as to have either one corresponding to the required specifications of the output voltage Vo and the output current Io. It may be configured. In any of these cases, the same operation and effect as the above-described embodiment can be obtained.

また、上述した実施形態では、バッテリBattに供給する充電電力の充電電流Ioが所定の定電流値Icntとなるように、充電電圧Voを制御する定電流制御タイプの充電装置10を例示して説明したが、バッテリBattに供給する充電電力の充電電圧Voが所定の定電圧値Vcntとなるように、充電電流Ioを制御する定電圧制御タイプの充電装置であっても、電流の概念を電圧の概念に、また電圧の概念を電流に概念に、それぞれ入れ替えることによって、上述した実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。   In the above-described embodiment, the constant current control type charging device 10 that controls the charging voltage Vo so that the charging current Io of the charging power supplied to the battery Batt becomes a predetermined constant current value Icnt will be described as an example. However, even in a constant voltage control type charging device that controls the charging current Io so that the charging voltage Vo of the charging power supplied to the battery Batt becomes a predetermined constant voltage value Vcnt, the concept of current is expressed as voltage. By replacing the concept of voltage and the concept of voltage with the concept of current, the same operations and effects as the above-described embodiment can be obtained.

さらに、上述した実施形態では、保存先位置算出処理(S115)として、例えば、次式(1024×(50μS×Ci+Tdly)/16.7mS)を用いて、メモリ22上の格納位置を求めたが、これに限られることなく、例えば、遅れ時間算出処理(S109)の直後において、ステップS109で算出した遅れ時間Tdlyと1サイクル時間Tcycに基づいてメモリ22の逆パターンデータ領域に設定する基準位置、つまり遅れ時間Tdlyに相当する分だけシフトさせた位置を求め、これを基準に、これまで通りメモリ22上で所定間隔(隙間)ごとに逆パターン値を格納するように構成しても良い。この場合の「所定間隔(隙間)」は、逆パターンデータ領域に格納可能な逆パターン値の個数を1サイクルの間に生成される逆パターン値の個数で割ることで求められる(例えば60Hzの場合、データ3個(=1024個/333回))。   Furthermore, in the above-described embodiment, as the storage destination position calculation process (S115), for example, the storage position on the memory 22 is obtained using the following equation (1024 × (50 μS × Ci + Tdly) /16.7 mS). Without being limited thereto, for example, immediately after the delay time calculation process (S109), the reference position set in the reverse pattern data area of the memory 22 based on the delay time Tdly calculated in step S109 and the one cycle time Tcyc, that is, A position shifted by an amount corresponding to the delay time Tdly may be obtained, and based on this, a reverse pattern value may be stored at predetermined intervals (gap) on the memory 22 as before. The “predetermined interval (gap)” in this case is obtained by dividing the number of reverse pattern values that can be stored in the reverse pattern data area by the number of reverse pattern values generated during one cycle (for example, 60 Hz). , 3 data (= 1024/333 times)).

より具体的には、例えば、図4(C)に示すように、ゼロクロスタイミングTb(0)の直後の逆パターン値d1の保存(格納)先を、当該逆パターンデータ領域の最古時間に対応する位置(図4(C)に示す逆相波形Wmemの紙面左端)から最新時間方向(図4(C)に示す逆相波形Wmemの紙面右端)に向かって移動させるシフト量Fsftを算出して基準位置(図4(C)に示す一点鎖線の位置)を決める。例えば、1サイクル時間Tcycをメモリ22に確保されている逆パターンデータ領域の格納可能個数(1024個)で割ることにより、データ1個分のシフト量を時間換算することができるため、遅れ時間Tdlyをこの時間で割ることによって、遅れ時間Tdlyに相当するデータ個数を求める。例えば、交流電力の周波数が60Hzで、遅れ時間Tdlyが50マイクロ秒の場合、3.08個(=50マイクロ秒/(Tcyc/1024個))(但し、Tcyc=16.667ミリ秒)になる。このため、逆パターンデータ領域の最古時間に対応する位置から3個分だけ最新時間方向に移動した位置が基準位置に決まる。   More specifically, for example, as shown in FIG. 4C, the storage (storage) destination of the reverse pattern value d1 immediately after the zero cross timing Tb (0) corresponds to the oldest time of the reverse pattern data area. A shift amount Fsft to be moved from the position to be moved (the left end of the reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4C) toward the latest time direction (the right end of the reverse phase waveform Wmem shown in FIG. 4C) is calculated. A reference position (the position of the alternate long and short dash line shown in FIG. 4C) is determined. For example, since the shift amount for one piece of data can be converted into a time by dividing one cycle time Tcyc by the storable number (1024 pieces) of the reverse pattern data area secured in the memory 22, the delay time Tdly Is divided by this time to obtain the number of data corresponding to the delay time Tdly. For example, when the frequency of the AC power is 60 Hz and the delay time Tdly is 50 microseconds, 3.08 (= 50 microseconds / (Tcyc / 1024)) (however, Tcyc = 16.667 milliseconds). . For this reason, the position moved in the latest time direction by three from the position corresponding to the oldest time in the reverse pattern data area is determined as the reference position.

また、シフト量として位相差を算出しても良い。即ち、ステップS109で算出した遅れ時間Tdlyと1サイクル時間Tcycに基づいて、遅れ時間Tdlyに相当する位相角θdly(=Tdly×360/Tcyc)を算出しこれをシフト量Fsftとして基準位置を決定する。先の例(60Hz、Tdly=50マイクロ秒)の場合、位相角θdlyは1.08度(=50マイクロ秒×360度/Tcyc)で、これがシフト量Fsft(位相角θdly)になる。この場合、タイマー割込みによる割込み時間間隔を位相角に換算することによって、割込み時間間隔とカウンタCiのカウンタ値との積にシフト量を加えたものに相当する位相角を、データ1個当たりの位相角(360度/1024個)で割ることで、このシフト量Fsft(位相角θdly)を基準にした所定間隔(隙間)ごとの逆パターン値の格納位置を算出することが可能となる。   Further, the phase difference may be calculated as the shift amount. That is, based on the delay time Tdly calculated in step S109 and one cycle time Tcyc, the phase angle θdly (= Tdly × 360 / Tcyc) corresponding to the delay time Tdly is calculated, and this is used as the shift amount Fsft to determine the reference position. . In the case of the previous example (60 Hz, Tdly = 50 microseconds), the phase angle θdly is 1.08 degrees (= 50 microseconds × 360 degrees / Tcyc), which is the shift amount Fsft (phase angle θdly). In this case, by converting the interrupt time interval due to the timer interrupt into a phase angle, the phase angle corresponding to the product of the interrupt time interval and the counter value of the counter Ci plus the shift amount is set to the phase per data. By dividing by the angle (360 degrees / 1024), it is possible to calculate the storage position of the reverse pattern value for each predetermined interval (gap) based on this shift amount Fsft (phase angle θdly).

このような遅れ時間Tdlyに相当する分だけシフトさせた位置を求め、これを基準に、メモリ22上で所定間隔(隙間)ごとに逆パターン値を格納するようにする構成は、「交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成されており、前記交流電力の全波整流波形に対する逆相波形に基づいて得られるパルス幅変調信号により前記DC−DCコンバータのスイッチング動作を制御する充電装置であって、前記交流電力の入力電圧波形のゼロクロスタイミングを検出するゼロクロス検出部と、前記入力電圧波形のゼロクロスタイミングとは異なる所定タイミングの時間周期で前記全波整流波形の電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部により検出された電圧に基づいて前記所定タイミングにおける前記逆相波形に対応する逆相対応値を算出する逆相対応値算出部と、前記逆相波形の波形情報として前記時間周期ごとに前記逆相対応値算出部により算出された複数の前記逆相対応値を時系列順に位置決めされた記憶位置に記憶する波形記憶部と、を備え、前記所定タイミングが前記ゼロクロスタイミングの直後タイミングである場合には、前記ゼロクロスタイミングから前記直後タイミングまでの経過時間を算出した後、前記直後タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、時間経過方向にこの経過時間に相当する分、シフトさせ、前記所定タイミングが前記直後タイミングよりも後のタイミングである場合には、この所定タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、前記直後タイミングのシフト後の記憶位置を基準に決定する」という技術的思想として把握することができる。   A configuration in which a position shifted by an amount corresponding to such a delay time Tdly is obtained and a reverse pattern value is stored at predetermined intervals (gap) on the memory 22 on the basis of this position is as follows. After full-wave rectification, DC power converted by a DC-DC converter can be supplied to the storage battery, and the DC power is obtained by a pulse width modulation signal obtained based on a reverse phase waveform with respect to the full-wave rectification waveform of the AC power. A charging device for controlling a switching operation of a DC converter, wherein a zero-cross detection unit that detects a zero-cross timing of the input voltage waveform of the AC power; and a time period of a predetermined timing different from the zero-cross timing of the input voltage waveform A voltage detector for detecting a voltage of a full-wave rectified waveform; and the predetermined timing based on the voltage detected by the voltage detector A negative-phase corresponding value calculating unit that calculates a negative-phase corresponding value corresponding to the negative-phase waveform, and a plurality of the negative-phase corresponding value calculating units that are calculated for each time period as waveform information of the negative-phase waveform. A waveform storage unit that stores a negative phase corresponding value in a storage position positioned in time series order, and when the predetermined timing is a timing immediately after the zero cross timing, a lapse from the zero cross timing to the immediately following timing After calculating the time, the storage position of the waveform storage unit that stores the opposite-phase corresponding value at the immediately following timing is shifted in the elapsed time direction by an amount corresponding to the elapsed time, and the predetermined timing is greater than the immediately following timing. If the timing is later, the storage position of the waveform storage unit that stores the negative phase corresponding value at the predetermined timing Can be understood as a technical idea that the determined relative to the storage position after the shift immediately after timing ".

10…充電装置
12…全波整流ダイオード
13…降圧用IGBTモジュール(DC−DCコンバータ)
15…昇圧用IGBTモジュール(DC−DCコンバータ)
20…制御ユニット(コンピュータ)
21…CPU(逆相対応値算出部)
22…メモリ(逆相対応値算出部、波形記憶部)
25…ゼロクロス検出部
26…入力電圧検出部(電圧検出部)
28…出力電流検出部
29…出力電圧検出部
AC…3相交流電源
Batt…バッテリ(蓄電池)
Dpwm,Upwm…PWM信号
d1,d2,d3,dn…逆パターン値
Fsft…シフト量
Icnt…所定の定電流値
Io…充電電流
Pz…ゼロクロス点
Sit…タイマー割込み信号
Szc…ゼロクロス検出信号
Ta…タイマー割込みのタイミング(所定タイミング)
Ta(1)…直後タイミング(直後タイミング)
Ta(2)…他のタイミング(直後タイミングよりも後のタイミング)
Tb(0),Tb(-1),Tb(1),…ゼロクロスタイミング
Tcyc…1サイクル時間
Tdly…遅れ時間(ゼロクロスタイミングから直後タイミングまでの経過時間)
Winv…逆相波形(逆相波形)
Wrct…全波整流波形(全波整流波形)
Wuv…UV相電圧波形(交流電力の入力電圧波形)
Wvw…VW相電圧波形(交流電力の入力電圧波形)
Wwu…WU相電圧波形(交流電力の入力電圧波形)
Vi…入力電圧(全波整流波形の電圧)
Vo…充電電圧
Vuv…UV相電圧(交流電力の入力電圧)
Vvw…VW相電圧(交流電力の入力電圧)
Vwu…WU相電圧(交流電力の入力電圧)
Ruv…リップル幅
S102(電圧検出ステップ)
S109(経過時間を算出するステップ、ゼロクロス直後処理ステップ)
S115(時間経過方向にシフトさせた位置に決定するステップ、ゼロクロス直後処理ステップ、ゼロクロス以後処理ステップ)
S119(逆相対応値算出ステップ)
S121(逆相対応値記憶ステップ)
S127(波形情報出力ステップ)
S129(波形情報出力ステップ)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Charging device 12 ... Full wave rectifier diode 13 ... IGBT module for step-down (DC-DC converter)
15 ... IGBT module for boosting (DC-DC converter)
20 ... Control unit (computer)
21 ... CPU (reverse phase corresponding value calculation unit)
22: Memory (reverse phase corresponding value calculation unit, waveform storage unit)
25 ... Zero cross detection unit 26 ... Input voltage detection unit (voltage detection unit)
28 ... Output current detection unit 29 ... Output voltage detection unit AC ... 3-phase AC power source Batt ... Battery (storage battery)
Dpwm, Upwm ... PWM signal d1, d2, d3, dn ... Reverse pattern value Fsft ... Shift amount Icnt ... Predetermined constant current value Io ... Charging current Pz ... Zero cross point Sit ... Timer interrupt signal Szc ... Zero cross detection signal Ta ... Timer interrupt Timing (predetermined timing)
Ta (1): Immediate timing (immediate timing)
Ta (2) ... Other timing (timing after the timing immediately after)
Tb (0), Tb (-1), Tb (1), ... Zero cross timing Tcyc ... 1 cycle time Tdly ... Delay time (elapsed time from zero cross timing to immediately following timing)
Winv ... Reverse phase waveform (Reverse phase waveform)
Wrct ... Full-wave rectified waveform (Full-wave rectified waveform)
Wuv ... UV phase voltage waveform (AC power input voltage waveform)
Wvw ... VW phase voltage waveform (AC power input voltage waveform)
Wwu… WU phase voltage waveform (AC power input voltage waveform)
Vi: Input voltage (voltage of full-wave rectified waveform)
Vo ... Charging voltage Vuv ... UV phase voltage (AC power input voltage)
Vvw… VW phase voltage (AC power input voltage)
Vwu… WU phase voltage (AC power input voltage)
Ruv ... ripple width S102 (voltage detection step)
S109 (Step for calculating elapsed time, processing step immediately after zero crossing)
S115 (Step for determining position shifted in time direction, processing step immediately after zero crossing, processing step after zero crossing)
S119 (reverse phase corresponding value calculation step)
S121 (Reverse phase correspondence value storage step)
S127 (waveform information output step)
S129 (Waveform information output step)

Claims (5)

交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成されており、前記交流電力の全波整流波形に対する逆相波形に基づいて得られるパルス幅変調信号により前記DC−DCコンバータのスイッチング動作を制御する充電装置であって、
前記交流電力の入力電圧波形のゼロクロスタイミングを検出するゼロクロス検出部と、
前記入力電圧波形のゼロクロスタイミングとは異なる所定タイミングの時間周期で前記全波整流波形の電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部により検出された電圧に基づいて前記所定タイミングにおける前記逆相波形に対応する逆相対応値を算出する逆相対応値算出部と、
前記逆相波形の波形情報として前記時間周期ごとに前記逆相対応値算出部により算出された複数の前記逆相対応値を時系列順に位置決めされた記憶位置に記憶する波形記憶部と、を備え、
前記所定タイミングが前記ゼロクロスタイミングの直後タイミングである場合には、前記ゼロクロスタイミングから前記直後タイミングまでの経過時間を算出した後、前記直後タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、時間経過方向にこの経過時間に相当する分、シフトさせ、
前記所定タイミングが前記直後タイミングよりも後のタイミングである場合には、この所定タイミングにおける前記逆相対応値を記憶する前記波形記憶部の記憶位置を、前記直後タイミングにおいて算出した前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせることを特徴とする充電装置。
A pulse width modulation signal obtained based on a reverse phase waveform with respect to the full-wave rectified waveform of the AC power, which is configured to be able to supply the direct-current power converted by the DC-DC converter to the storage battery after full-wave rectification of the AC power. A charging device for controlling the switching operation of the DC-DC converter by:
A zero-cross detector that detects zero-cross timing of the input voltage waveform of the AC power;
A voltage detector that detects the voltage of the full-wave rectified waveform at a predetermined time period different from the zero-cross timing of the input voltage waveform;
A negative phase corresponding value calculating unit that calculates a negative phase corresponding value corresponding to the negative phase waveform at the predetermined timing based on the voltage detected by the voltage detecting unit;
A waveform storage unit that stores a plurality of the anti-phase correspondence values calculated by the anti-phase correspondence value calculation unit for each time period as waveform information of the anti-phase waveform in a storage position positioned in time series order. ,
When the predetermined timing is a timing immediately after the zero-cross timing, after calculating an elapsed time from the zero-cross timing to the immediate timing, the waveform storage unit stores the negative phase corresponding value at the immediate timing Shift the position by the amount corresponding to this elapsed time in the direction of time,
When the predetermined timing is later than the immediately following timing, the storage position of the waveform storage unit that stores the antiphase corresponding value at the predetermined timing corresponds to the elapsed time calculated at the immediately following timing. Therefore, the charging device is shifted in the direction of time passage.
前記パルス幅変調信号は、前記波形記憶部の前記記憶位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から読み出される前記逆相波形の波形情報に基づいて生成されることを特徴とする請求項1記載の充電装置。   The pulse width modulation signal is generated based on waveform information of the antiphase waveform read from a position where the phase is advanced or delayed by an arbitrary phase angle with respect to the storage position of the waveform storage unit. The charging device according to claim 1. 前記波形記憶部に前記逆相対応値を記憶する際に、前記波形記憶部の前記記憶位置に既に前記逆相対応値が記憶されている場合には、既に記憶されている逆相対応値に所定の重み付けをしたものに新たな逆相対応値を加えて得た平均値を前記記憶位置に記憶することを特徴とする請求項1または2記載の充電装置。   When storing the negative phase correspondence value in the waveform storage unit, if the negative phase correspondence value is already stored in the storage position of the waveform storage unit, the stored negative phase correspondence value is stored in the waveform storage unit. 3. The charging device according to claim 1, wherein an average value obtained by adding a new anti-phase correspondence value to a predetermined weight is stored in the storage position. 交流電力を全波整流した後、DC−DCコンバータで変換した直流電力を蓄電池に供給可能に構成された充電装置を制御するプログラムで、前記交流電力の全波整流波形に対する逆相波形で波形記憶部に記憶された波形情報に基づいて得られるパルス幅変調信号により前記DC−DCコンバータをスイッチングする制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記交流電力の入力電圧波形のゼロクロスタイミングとは異なる所定タイミングの時間周期で前記全波整流波形の電圧を検出する電圧検出ステップと、
前記電圧検出ステップにより検出された電圧に基づいて前記所定タイミングにおける前記逆相波形の逆相対応値を算出する逆相対応値算出ステップと、
前記所定タイミングが前記ゼロクロスタイミングの直後タイミングである場合には、前記ゼロクロスタイミングから前記直後タイミングまでの経過時間を算出するステップおよび前記直後タイミングにおける前記逆相対応値を前記逆相波形の波形情報として時系列順に位置決めされた前記波形記憶部の記憶位置においてこの記憶位置を前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定するステップを有するゼロクロス直後処理ステップと、
前記所定タイミングが前記直後タイミングよりも後のタイミングである場合には、この所定タイミングにおいて前記逆相対応値算出ステップにより算出された前記逆相対応値を記憶する波形記憶部の前記記憶位置を、前記ゼロクロス直後ステップにより算出した前記経過時間に相当する分、時間経過方向にシフトさせた位置に決定するゼロクロス以後処理ステップと、
前記ゼロクロス直後処理ステップまたは前記ゼロクロス以後処理ステップにより決定された前記波形記憶部の前記記憶位置に前記逆相対応値算出ステップにより算出された前記逆相対応値を記憶する逆相対応値記憶ステップと、
前記波形記憶部に記憶された前記波形情報を読み出して前記パルス幅変調信号を生成するパルス幅変調部に出力する波形情報出力ステップと、
を含むことを特徴とするプログラム。
A program for controlling a charging device configured to supply direct current power converted by a DC-DC converter to a storage battery after full-wave rectification of the alternating current power, and stores a waveform in a reverse phase waveform with respect to the full-wave rectified waveform of the alternating current power. A program for causing a computer to execute control for switching the DC-DC converter by a pulse width modulation signal obtained based on waveform information stored in a unit,
A voltage detection step of detecting the voltage of the full-wave rectified waveform at a time period of a predetermined timing different from the zero cross timing of the input voltage waveform of the AC power;
A negative phase corresponding value calculating step of calculating a negative phase corresponding value of the negative phase waveform at the predetermined timing based on the voltage detected by the voltage detecting step;
When the predetermined timing is a timing immediately after the zero cross timing, a step of calculating an elapsed time from the zero cross timing to the immediate timing and the negative phase corresponding value at the immediate timing as waveform information of the negative phase waveform A processing step immediately after zero crossing, including the step of determining the storage position in the storage position of the waveform storage unit positioned in chronological order by shifting the storage position to a position corresponding to the elapsed time, shifted in the time-elapsed direction,
When the predetermined timing is a timing after the immediately following timing, the storage position of the waveform storage unit that stores the negative phase corresponding value calculated by the negative phase corresponding value calculating step at the predetermined timing, After the zero cross, a processing step for determining the position shifted in the time elapsed direction by the amount corresponding to the elapsed time calculated by the step immediately after the zero cross;
A negative phase corresponding value storage step for storing the negative phase corresponding value calculated by the negative phase corresponding value calculating step at the storage position of the waveform storage unit determined by the processing step immediately after the zero cross or the processing step after the zero cross; ,
A waveform information output step for reading out the waveform information stored in the waveform storage unit and outputting the pulse width modulation signal to a pulse width modulation unit;
The program characterized by including.
前記波形情報出力ステップは、前記波形記憶部の前記記憶位置に対して、任意の位相角分、位相を進めまたは遅らせた位置から前記波形情報を読み出して前記パルス幅変調信号に出力することを特徴とする請求項4記載のプログラム。   In the waveform information output step, the waveform information is read from a position where the phase is advanced or delayed by an arbitrary phase angle with respect to the storage position of the waveform storage unit, and is output to the pulse width modulation signal. The program according to claim 4.
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