JP2013143828A - 電源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡易な回路構成でありながら、高効率化が実現できる電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置1は、交流電源Vacの一方の端子に接続された昇圧型電力変換回路P1およびアノード端子が接続されたダイオードD1と、交流電源Vacの他方の端子に接続された昇圧型電力変換回路P2およびアノード端子が接続されたダイオードD2と、ダイオードD1,D2のカソード端子が接続された昇圧型電力変換回路Pcと、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの出力端子が一端に接続され、かつ、負荷2に並列に接続されている平滑コンデンサC1と、昇圧型電力変換回路P1,Pcと、昇圧型電力変換回路P2,Pcとに交互にインターリーブ動作を行わせると共に、交流電源Vacから昇圧型電力変換回路P1,P2に印加されている電圧が負のときには、これらをスイッチオンさせるスイッチング制御部3とを備えている。
【選択図】図1
【解決手段】電源装置1は、交流電源Vacの一方の端子に接続された昇圧型電力変換回路P1およびアノード端子が接続されたダイオードD1と、交流電源Vacの他方の端子に接続された昇圧型電力変換回路P2およびアノード端子が接続されたダイオードD2と、ダイオードD1,D2のカソード端子が接続された昇圧型電力変換回路Pcと、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの出力端子が一端に接続され、かつ、負荷2に並列に接続されている平滑コンデンサC1と、昇圧型電力変換回路P1,Pcと、昇圧型電力変換回路P2,Pcとに交互にインターリーブ動作を行わせると共に、交流電源Vacから昇圧型電力変換回路P1,P2に印加されている電圧が負のときには、これらをスイッチオンさせるスイッチング制御部3とを備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は、主に整流損失を低減し高効率化を実現した電源装置に関する。
近年では、簡単な構成で、交流電源から流れる入力電流の高調波の抑制機能と力率改善機能を有し、高効率で交流電圧から直流電圧へ電力変換を行うことができる、整流部をブリッジレスで構成した電源装置が使われるようになってきた。
例えば、特許文献1には、交流電源と、高速ダイオードとスイッチング手段の直列回路が同一方向に複数組並列接続された直並列接続回路と、直並列接続回路の各々の高速ダイオードとスイッチング手段の接続部と交流電源の各ライン間にそれぞれ接続された複数個のリアクトルと、直並列接続回路の並列接続点間に接続され、負荷に並列に接続された平滑コンデンサとを備えたブリッジレスの電源装置の発明が記載されている。
例えば、特許文献1には、交流電源と、高速ダイオードとスイッチング手段の直列回路が同一方向に複数組並列接続された直並列接続回路と、直並列接続回路の各々の高速ダイオードとスイッチング手段の接続部と交流電源の各ライン間にそれぞれ接続された複数個のリアクトルと、直並列接続回路の並列接続点間に接続され、負荷に並列に接続された平滑コンデンサとを備えたブリッジレスの電源装置の発明が記載されている。
一方、効率の低下を抑制するため、全波整流後、直流電圧を平滑して出力するインターリーブ方式の力率改善回路を有する電源装置が知られている。
例えば、特許文献2には、交流電源から入力される交流電力を全波整流する整流回路と、当該整流回路の出力を分岐する分岐配線と、当該分岐配線にそれぞれ設けられた2つのインダクタと、当該2つのインダクタの出力電流を統合して直流電圧を生成する2つのDC/DCコンバータと、当該2つのインダクタに対応して設けられ、前記交流電力の平均的な電流が正弦波状となるように当該2つのインダクタに流れる電流をそれぞれ断続させる2つのトランジスタとを備え、負荷による消費電力が予め定められた電力より大きい場合は、各トランジスタの接続期間の少なくとも一部が重なるように制御し、前記消費電力が前記予め定められた電力以下である場合は、各トランジスタの接続期間が重ならず、かつ連続するように制御する電源装置の発明が記載されている。
例えば、特許文献2には、交流電源から入力される交流電力を全波整流する整流回路と、当該整流回路の出力を分岐する分岐配線と、当該分岐配線にそれぞれ設けられた2つのインダクタと、当該2つのインダクタの出力電流を統合して直流電圧を生成する2つのDC/DCコンバータと、当該2つのインダクタに対応して設けられ、前記交流電力の平均的な電流が正弦波状となるように当該2つのインダクタに流れる電流をそれぞれ断続させる2つのトランジスタとを備え、負荷による消費電力が予め定められた電力より大きい場合は、各トランジスタの接続期間の少なくとも一部が重なるように制御し、前記消費電力が前記予め定められた電力以下である場合は、各トランジスタの接続期間が重ならず、かつ連続するように制御する電源装置の発明が記載されている。
特許文献1に記載の電源装置では、交流電圧の半周期に二つのスイッチ素子のどちらか一方がスイッチング動作をしていないため、電力変換回路の利用率が低くなるという問題がある。
特許文献2に記載の電源装置では、全波整流方式を採用しているため、ブリッジレス方式の電源装置に比べて整流損失が大きいという問題がある。
特許文献2に記載の電源装置では、全波整流方式を採用しているため、ブリッジレス方式の電源装置に比べて整流損失が大きいという問題がある。
そこで、特許文献1,2のそれぞれの利点を享受するため、ブリッジレス電源装置でインターリーブ動作を行うように構成することが考えられる。しかし、ブリッジレス電源装置をこのように構成すると、交流電源の端子ごとに2個の電力変換回路を要し、合計4個の電力変換回路が必要となる。この電源装置は、回路規模が大きくなり、回路基板が大型化し、コストアップとなる。
そこで、本発明は、簡易な回路構成でありながら、高効率化が実現できる電源装置を提供することを課題とする。
そこで、本発明は、簡易な回路構成でありながら、高効率化が実現できる電源装置を提供することを課題とする。
前記した課題を解決するため、本発明の電源装置は、以下のように構成した。
すなわち、本発明の請求項1に記載の発明では、交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第1の昇圧手段と、前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第2の昇圧手段と、前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第3の昇圧手段と、前記第1の昇圧手段の出力電圧、前記第2の昇圧手段の出力電圧、および前記第3の昇圧手段の出力電圧を合成して平滑化する平滑手段と、前記交流電源の出力電圧の極性に応じて、前記第1の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第2の昇圧手段による導通動作と、前記第2の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第1の昇圧手段による導通動作とを交互に行わせるように、前記第1の昇圧手段の制御端子、前記第2の昇圧手段の制御端子、および、前記第3の昇圧手段の制御端子にそれぞれ制御信号を出力するスイッチング制御部と、を備えていることを特徴とする電源装置とした。
すなわち、本発明の請求項1に記載の発明では、交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第1の昇圧手段と、前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第2の昇圧手段と、前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第3の昇圧手段と、前記第1の昇圧手段の出力電圧、前記第2の昇圧手段の出力電圧、および前記第3の昇圧手段の出力電圧を合成して平滑化する平滑手段と、前記交流電源の出力電圧の極性に応じて、前記第1の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第2の昇圧手段による導通動作と、前記第2の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第1の昇圧手段による導通動作とを交互に行わせるように、前記第1の昇圧手段の制御端子、前記第2の昇圧手段の制御端子、および、前記第3の昇圧手段の制御端子にそれぞれ制御信号を出力するスイッチング制御部と、を備えていることを特徴とする電源装置とした。
本発明の電源装置は、3個の昇圧手段を備え、第1、第3の昇圧手段の組合せによるインターリーブ動作および第2の昇圧手段による導通動作と、第2、第3の昇圧手段の組合せによるインターリーブ動作および第1の昇圧手段による導通動作とを、交互に行わせている。これにより、本発明の電源装置は、2個の昇圧手段を備えた電源装置よりも高効率であり、かつ、4個の昇圧手段を備えた電源装置よりも簡易に回路を構成することができる。
その他の手段については、発明を実施するための形態のなかで説明する。
その他の手段については、発明を実施するための形態のなかで説明する。
本発明によれば、簡易な回路構成でありながら、高効率化が実現できる電源装置を提供することができる。
以降、本発明を実施するための形態(以下、「本実施形態」という。)を、各図を参照して詳細に説明する。
(電源装置1の構成)
図1を参照して、電源装置1の回路構成について説明する。
電源装置1は、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcと、スイッチング制御部3と、ダイオードD1,D2と、平滑コンデンサC1と、を備えている。電源装置1は、交流電源Vacに接続されて交流電圧が印加され、印加された交流電圧を直流電圧に変換し、負荷2に直流電圧を印加するものである。
図1を参照して、電源装置1の回路構成について説明する。
電源装置1は、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcと、スイッチング制御部3と、ダイオードD1,D2と、平滑コンデンサC1と、を備えている。電源装置1は、交流電源Vacに接続されて交流電圧が印加され、印加された交流電圧を直流電圧に変換し、負荷2に直流電圧を印加するものである。
昇圧型電力変換回路(第1の昇圧型電力変換回路)P1は、後記するチョークコイルL1の一端である入力端子と、後記するダイオードD5のカソード端子である出力端子と、後記するFET(Field effect transistor)Q1のゲート端子である制御端子とによって、電源装置1の各部と接続されている。昇圧型電力変換回路P1のグランドは、電源装置1のグランドと共通であり、FETQ1のソース端子が接続されている。
昇圧型電力変換回路(第2の昇圧型電力変換回路)P2は、昇圧型電力変換回路P1と同様に、後記するチョークコイルL2の一端である入力端子と、後記するダイオードD6のカソード端子である出力端子と、後記するFETQ2のゲート端子である制御端子とによって、電源装置1の各部と接続されている。昇圧型電力変換回路P2のグランドは、電源装置1のグランドと共通であり、FETQ2のソース端子が接続されている。
昇圧型電力変換回路(第3の昇圧型電力変換回路)Pcは、昇圧型電力変換回路P1,P2と同様に、後記するチョークコイルLcの一端である入力端子と、後記するダイオードDcのカソード端子である出力端子と、後記するFETQcのゲート端子である制御端子とによって、電源装置1の各部と接続されている。昇圧型電力変換回路Pcのグランドは、電源装置1のグランドと共通であり、FETQcのソース端子が接続されている。
昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcは、入力端子に印加された電圧を昇圧して、出力端子に出力するものである。
スイッチング制御部3は、スイッチング信号を、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの制御端子にそれぞれ出力して、スイッチング動作を行わせるものである。
平滑コンデンサC1は、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの出力を合成し、当該電源装置1の出力電圧を平滑化する平滑手段である。
昇圧型電力変換回路(第2の昇圧型電力変換回路)P2は、昇圧型電力変換回路P1と同様に、後記するチョークコイルL2の一端である入力端子と、後記するダイオードD6のカソード端子である出力端子と、後記するFETQ2のゲート端子である制御端子とによって、電源装置1の各部と接続されている。昇圧型電力変換回路P2のグランドは、電源装置1のグランドと共通であり、FETQ2のソース端子が接続されている。
昇圧型電力変換回路(第3の昇圧型電力変換回路)Pcは、昇圧型電力変換回路P1,P2と同様に、後記するチョークコイルLcの一端である入力端子と、後記するダイオードDcのカソード端子である出力端子と、後記するFETQcのゲート端子である制御端子とによって、電源装置1の各部と接続されている。昇圧型電力変換回路Pcのグランドは、電源装置1のグランドと共通であり、FETQcのソース端子が接続されている。
昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcは、入力端子に印加された電圧を昇圧して、出力端子に出力するものである。
スイッチング制御部3は、スイッチング信号を、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの制御端子にそれぞれ出力して、スイッチング動作を行わせるものである。
平滑コンデンサC1は、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの出力を合成し、当該電源装置1の出力電圧を平滑化する平滑手段である。
交流電源Vacの一方の端子は、昇圧型電力変換回路P1の入力端子と、スイッチング制御部3の第1の入力端子とに接続されている。交流電源Vacの他方の端子は、昇圧型電力変換回路P2の入力端子と、スイッチング制御部3の第2の入力端子とに接続されている。交流電源Vacの一方の端子は更に、ダイオード(第1のダイオード)D1のアノード端子に接続されている。このダイオードD1のカソード端子は、昇圧型電力変換回路Pcの入力端子に接続されている。
交流電源Vacの他方の端子は更に、ダイオード(第2のダイオード)D2のアノード端子に接続されている。このダイオードD2のカソード端子は、ダイオードD1のカソード端子と同様に昇圧型電力変換回路Pcの入力端子に接続されている。なお、本発明では、このダイオードD1,D2と、昇圧型電力変換回路Pcと、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2およびチョークコイルL2の直列接続と、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1およびチョークコイルL1の直列接続とを第3の昇圧手段と定義する。第3の昇圧手段は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する。
ダイオードD1には、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときに、順方向電流が流れる。ダイオードD2には、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに、順方向電流が流れる。
交流電源Vacの他方の端子は更に、ダイオード(第2のダイオード)D2のアノード端子に接続されている。このダイオードD2のカソード端子は、ダイオードD1のカソード端子と同様に昇圧型電力変換回路Pcの入力端子に接続されている。なお、本発明では、このダイオードD1,D2と、昇圧型電力変換回路Pcと、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2およびチョークコイルL2の直列接続と、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1およびチョークコイルL1の直列接続とを第3の昇圧手段と定義する。第3の昇圧手段は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する。
ダイオードD1には、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときに、順方向電流が流れる。ダイオードD2には、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに、順方向電流が流れる。
本発明では、昇圧型電力変換回路P1と、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2およびチョークコイルL2の直列接続とを第1の昇圧手段と定義する。第1の昇圧手段は、交流電源Vacの一方の端子に於ける出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する。
本発明では、昇圧型電力変換回路P2と、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1およびチョークコイルL1の直列接続とを第2の昇圧手段と定義する。第2の昇圧手段は、交流電源Vacの他方の端子に於ける出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する。
本発明では、昇圧型電力変換回路P2と、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1およびチョークコイルL1の直列接続とを第2の昇圧手段と定義する。第2の昇圧手段は、交流電源Vacの他方の端子に於ける出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する。
昇圧型電力変換回路P1の出力端子と、昇圧型電力変換回路P2の出力端子と、昇圧型電力変換回路Pcの出力端子とは、平滑コンデンサC1の一端に接続されている。この平滑コンデンサC1の他端は、グランドに接続されている。平滑コンデンサC1の一端は更に、負荷2の一端に接続されている。この負荷2の他端はグランドに接続されている。すなわち、平滑コンデンサC1は、負荷2に並列に接続されている。
スイッチング制御部3の第1の入力端子は、交流電源Vacの一方の端子に接続されている。これにより、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正であるか否かを判断することができる。スイッチング制御部3の第2の入力端子は、交流電源Vacの他方の端子に接続されている。これにより、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正であるか否かを判断することができる。スイッチング制御部3は、例えば、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧と、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧とをコンパレータで比較することにより、どちらの端子の出力電圧が正であるかを判断する。
スイッチング制御部3の第1の出力端子は、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に接続され、制御信号Vs1を出力する。スイッチング制御部3は、交流電源Vacから昇圧型電力変換回路P1の入力端子に正の電圧が印加されているとき、制御信号Vs1によって、昇圧型電力変換回路P1にスイッチング動作を行わせ、負荷2に電流を流す。このとき更に、スイッチング制御部3は、第2の出力端子から出力する制御信号Vs2をHレベルとすることにより、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2をオンして導通させる。これにより、負荷2に流れた電流は、交流電源Vacの他方の端子に流れる。すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1にスイッチング動作を行わせ、かつ、昇圧型電力変換回路P2に導通動作を行わせる。
スイッチング制御部3の第1の出力端子は、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に接続され、制御信号Vs1を出力する。スイッチング制御部3は、交流電源Vacから昇圧型電力変換回路P1の入力端子に正の電圧が印加されているとき、制御信号Vs1によって、昇圧型電力変換回路P1にスイッチング動作を行わせ、負荷2に電流を流す。このとき更に、スイッチング制御部3は、第2の出力端子から出力する制御信号Vs2をHレベルとすることにより、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2をオンして導通させる。これにより、負荷2に流れた電流は、交流電源Vacの他方の端子に流れる。すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1にスイッチング動作を行わせ、かつ、昇圧型電力変換回路P2に導通動作を行わせる。
スイッチング制御部3の第2の出力端子は、昇圧型電力変換回路P2の制御端子に接続され、制御信号Vs2を出力する。スイッチング制御部3は、交流電源Vacから昇圧型電力変換回路P2の入力端子に正の電圧が印加されているとき、制御信号Vs2によって、昇圧型電力変換回路P2にスイッチング動作を行わせ、負荷2に電流を流す。このとき更に、スイッチング制御部3は、制御信号Vs1をHレベルとすることにより、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1をオンして導通させる。これにより、負荷2に流れた電流は、交流電源Vacの一方の端子に流れる。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2にスイッチング動作を行わせ、かつ、昇圧型電力変換回路P1に導通動作を行わせる。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2にスイッチング動作を行わせ、かつ、昇圧型電力変換回路P1に導通動作を行わせる。
スイッチング制御部3の第3の出力端子は、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に接続され、制御信号Vs3を出力する。スイッチング制御部3は、交流電源VacからダイオードD1、または、ダイオードD2のいずれかを介して昇圧型電力変換回路Pcの入力端子に正の電圧が印加されているとき、制御信号Vs3によって、昇圧型電力変換回路Pcにスイッチング動作を行わせる。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1の入力端子に印加する電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P1と昇圧型電力変換回路Pcとの組合せによるインターリーブ動作が行われるように制御し、かつ、昇圧型電力変換回路P2による導通動作が行われるように制御する。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P2の入力端子に印加する電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P2と昇圧型電力変換回路Pcとの組合せによるインターリーブ動作が行われるように制御し、かつ、昇圧型電力変換回路P1による導通動作が行われるように制御する。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの出力電圧の極性に応じて、昇圧型電力変換回路P1,Pcの組合せによるインターリーブ動作および昇圧型電力変換回路P2による導通動作と、昇圧型電力変換回路P2,Pcの組合せによるインターリーブ動作および昇圧型電力変換回路P1による導通動作とを交互に行わせる。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2の制御端子にFETQ2をオンさせる制御信号Vs2を出力し、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1の制御端子にFETQ1をオンさせる制御信号Vs1を出力する。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P2の入力端子に印加する電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P2と昇圧型電力変換回路Pcとの組合せによるインターリーブ動作が行われるように制御し、かつ、昇圧型電力変換回路P1による導通動作が行われるように制御する。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの出力電圧の極性に応じて、昇圧型電力変換回路P1,Pcの組合せによるインターリーブ動作および昇圧型電力変換回路P2による導通動作と、昇圧型電力変換回路P2,Pcの組合せによるインターリーブ動作および昇圧型電力変換回路P1による導通動作とを交互に行わせる。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2の制御端子にFETQ2をオンさせる制御信号Vs2を出力し、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1の制御端子にFETQ1をオンさせる制御信号Vs1を出力する。
昇圧型電力変換回路P1は、チョークコイルL1と、スイッチ素子であるFETQ1と、ダイオードD5とを備えている。チョークコイルL1の一端は、この昇圧型電力変換回路P1の入力端子であり、交流電源Vacの一方の端子に接続されている。チョークコイルL1の他端は、FETQ1のドレイン端子とダイオードD5のアノード端子とに接続されている。FETQ1のゲート端子(制御端子)は、この昇圧型電力変換回路P1の制御端子であり、スイッチング制御部3の第1の出力端子に接続されている。FETQ1のソース端子は、この昇圧型電力変換回路P1のグランドに接続されている。すなわち、スイッチ素子であるFETQ1の一方の端子は、チョークコイルL1の他端およびダイオードD5のアノード端子に接続され、FETQ1の他方の端子はグランドに接続されている。ダイオードD5のカソード端子は、この昇圧型電力変換回路P1の出力端子であり、平滑コンデンサC1の一端に接続されている。
チョークコイルL1には、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき入力電流が流れる。FETQ1は、チョークコイルL1とグランドとの間に電流を流すか否かを切り換える。ダイオードD5は、チョークコイルL1が放出する電流を流して、昇圧型電力変換回路P1の出力電圧とする。
本実施形態に於いて、チョークコイルL1に流れる電流を、電流IL1とする。更に、FETQ1のドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQ1とする。
チョークコイルL1には、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき入力電流が流れる。FETQ1は、チョークコイルL1とグランドとの間に電流を流すか否かを切り換える。ダイオードD5は、チョークコイルL1が放出する電流を流して、昇圧型電力変換回路P1の出力電圧とする。
本実施形態に於いて、チョークコイルL1に流れる電流を、電流IL1とする。更に、FETQ1のドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQ1とする。
昇圧型電力変換回路P2は、昇圧型電力変換回路P1と同様に、チョークコイルL2と、スイッチ素子であるFETQ2と、ダイオードD6とを備えている。チョークコイルL2の一端は、この昇圧型電力変換回路P2の入力端子であり、交流電源Vacの他方の端子に接続されている。チョークコイルL2の他端は、FETQ2のドレイン端子とダイオードD6のアノード端子とに接続されている。FETQ2のゲート端子(制御端子)は、この昇圧型電力変換回路P2の制御端子であり、スイッチング制御部3の第2の出力端子に接続されている。FETQ2のソース端子は、この昇圧型電力変換回路P2のグランドに接続されている。すなわち、スイッチ素子であるFETQ2の一方の端子は、チョークコイルL2の他端およびダイオードD6のアノード端子に接続され、FETQ2の他方の端子はグランドに接続されている。ダイオードD6のカソード端子は、この昇圧型電力変換回路P2の出力端子であり、平滑コンデンサC1の一端に接続されている。
チョークコイルL2には、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき入力電流が流れる。FETQ2は、チョークコイルL2とグランドとの間に電流を流すか否かを切り換える。ダイオードD6は、チョークコイルL2が放出する電流を流して、昇圧型電力変換回路P2の出力電圧とする。
本実施形態に於いて、チョークコイルL2に流れる電流を、電流IL2とする。更に、FETQ2のドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQ2とする。
本実施形態に於いて、チョークコイルL2に流れる電流を、電流IL2とする。更に、FETQ2のドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQ2とする。
昇圧型電力変換回路Pcは、昇圧型電力変換回路P1,P2と同様に、チョークコイルLcと、スイッチ素子であるFETQcと、ダイオードDcとを備えている。チョークコイルLcの一端は、この昇圧型電力変換回路Pcの入力端子であり、ダイオードD1のカソード端子とダイオードD2のカソード端子に接続されている。チョークコイルLcの他端は、FETQcのドレイン端子とダイオードDcのアノード端子とに接続されている。FETQcのゲート端子(制御端子)は、この昇圧型電力変換回路Pcの制御端子であり、スイッチング制御部3の第3の出力端子に接続されている。FETQcのソース端子は、この昇圧型電力変換回路Pcのグランドに接続されている。すなわち、スイッチ素子であるFETQcの一方の端子は、チョークコイルLcの他端およびダイオードDcのアノード端子に接続され、FETQcの他方の端子はグランドに接続されている。ダイオードDcのカソード端子は、この昇圧型電力変換回路Pcの出力端子であり、平滑コンデンサC1の一端に接続されている。
チョークコイルLcには、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときと交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに入力電流が流れる。FETQcは、チョークコイルLcとグランドとの間に電流を流すか否かを切り換える。ダイオードDcは、チョークコイルLcが放出する電流を流して、昇圧型電力変換回路Pcの出力電圧とする。
本実施形態に於いて、チョークコイルLcに流れる電流を、電流ILcとする。更に、FETQcのドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQcとする。
本実施形態に於いて、チョークコイルLcに流れる電流を、電流ILcとする。更に、FETQcのドレイン端子からソース端子に流れる電流を、電流IQcとする。
(電源装置1の動作)
図1および図2を参照して、図1の電源装置1の動作について説明する。
図2(a)の縦軸は、交流電源Vacが印加する電圧を示している。
図2(b)は、電流IL1の波形に於ける包絡線の波形を示している。図2(b)の縦軸は、電流IL1の波形に於ける包絡線の電流値を示している。電流IL1の波形は三角波であり、電流IL2,ILc,IQ1,IQ2,IQcの波形も三角波である。
図2(c)は、電流IL2の波形に於ける包絡線を示している。図2(c)の縦軸は、電流IL2の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(d)は、電流ILcの波形に於ける包絡線を示している。図2(d)の縦軸は、電流ILcの波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(e)は、電流IQ1の波形に於ける包絡線を示している。図2(e)の縦軸は、電流IQ1の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(f)は、電流IQ2の波形に於ける包絡線を示している。図2(f)の縦軸は、電流IQ2の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(g)は、電流IQcの波形に於ける包絡線を示している。図2(g)の縦軸は、電流IQcの波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(a)〜(g)の横軸は、共通する時間tを示している。
図1および図2を参照して、図1の電源装置1の動作について説明する。
図2(a)の縦軸は、交流電源Vacが印加する電圧を示している。
図2(b)は、電流IL1の波形に於ける包絡線の波形を示している。図2(b)の縦軸は、電流IL1の波形に於ける包絡線の電流値を示している。電流IL1の波形は三角波であり、電流IL2,ILc,IQ1,IQ2,IQcの波形も三角波である。
図2(c)は、電流IL2の波形に於ける包絡線を示している。図2(c)の縦軸は、電流IL2の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(d)は、電流ILcの波形に於ける包絡線を示している。図2(d)の縦軸は、電流ILcの波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(e)は、電流IQ1の波形に於ける包絡線を示している。図2(e)の縦軸は、電流IQ1の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(f)は、電流IQ2の波形に於ける包絡線を示している。図2(f)の縦軸は、電流IQ2の波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(g)は、電流IQcの波形に於ける包絡線を示している。図2(g)の縦軸は、電流IQcの波形に於ける包絡線の電流値を示している。
図2(a)〜(g)の横軸は、共通する時間tを示している。
交流電源Vacが印加する電圧波形は、正弦波である。ここで、昇圧型電力変換回路P1に正の電圧が印加されているときを、正の電圧と定義する。
電流IL1の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と同様な極性である。電流IL2の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と逆極性である。電流ILcの波形に於ける包絡線は、電流IL1の波形に於ける包絡線が正の部分と、電流IL2の波形に於ける包絡線が正の部分とを合成した形状の波形となる。
電流IL1の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と同様な極性である。電流IL2の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と逆極性である。電流ILcの波形に於ける包絡線は、電流IL1の波形に於ける包絡線が正の部分と、電流IL2の波形に於ける包絡線が正の部分とを合成した形状の波形となる。
電流IQ1の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と同じ極性である。電流IQ2の波形に於ける包絡線は、交流電源Vacが印加する電圧と逆極性である。電流IQcの波形に於ける包絡線は、電流IQ1の波形に於ける包絡線が正の部分と、電流IQ2の波形に於ける包絡線が正の部分とを合成した形状の波形となる。
本実施形態に於いて、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が正のときを「Aの周期」(正の半周期)と定義する。Aの周期に於ける電流経路は、後記する。
更に、Aの周期のうち、電流IL1,ILcが所定振幅の三角波となっている期間のうち一部を、「A1の期間」と定義する。A1の期間の各部の波形は、後記する。
交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が負のときを「Bの周期」(負の半周期)と定義する。Bの周期に於ける電流経路は、後記する。
更に、Bの周期のうち、電流IL1,ILcが所定振幅の三角波となっている期間のうちの一部を、「B1の期間」と定義する。B1の期間の各部の波形は、後記する。
更に、Aの周期のうち、電流IL1,ILcが所定振幅の三角波となっている期間のうち一部を、「A1の期間」と定義する。A1の期間の各部の波形は、後記する。
交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が負のときを「Bの周期」(負の半周期)と定義する。Bの周期に於ける電流経路は、後記する。
更に、Bの周期のうち、電流IL1,ILcが所定振幅の三角波となっている期間のうちの一部を、「B1の期間」と定義する。B1の期間の各部の波形は、後記する。
スイッチング制御部3は、交流電源Vacの極性が切り換わる正負の半周期毎に、昇圧型電力変換回路P1および昇圧型電力変換回路Pcの組合せと、昇圧型電力変換回路P2および昇圧型電力変換回路Pcの組合せとに、交互にインターリーブ動作を行わせるように、昇圧型電力変換回路P1の制御端子、昇圧型電力変換回路P2の制御端子、および、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に、それぞれ制御信号を出力する。
《Aの周期の動作説明》
次に、図3および図4を参照して、電源装置1のAの周期の動作を説明する。Aの周期とは、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が正のときである。
スイッチング制御部3は、FETQ1をオン/オフ動作するように制御する。スイッチング制御部3は、FETQ1とは異なる位相でFETQcをオン/オフするように制御し、昇圧型電力変換回路P1,Pcにインターリーブ動作を行わせるように制御する。
すなわち、スイッチング制御部3は、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に出力する信号の位相とは異なる位相を有する信号を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。
次に、図3および図4を参照して、電源装置1のAの周期の動作を説明する。Aの周期とは、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が正のときである。
スイッチング制御部3は、FETQ1をオン/オフ動作するように制御する。スイッチング制御部3は、FETQ1とは異なる位相でFETQcをオン/オフするように制御し、昇圧型電力変換回路P1,Pcにインターリーブ動作を行わせるように制御する。
すなわち、スイッチング制御部3は、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に出力する信号の位相とは異なる位相を有する信号を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。
図3に於いては、図1に示すように、電源装置1の構成から、Aの周期には電流が流れない回路要素を省略し、かつ、実線W1、破線W2、実線W3、破線W4、実線Waによって、それぞれの時間ごとに流れる電流を示している。
ポイントCは、FETQ2のソース端子と、平滑コンデンサC1の他方の端子と、負荷2の他方の端子と、グランドとが接続している場所である。
ポイントDは、交流電源Vacの一方の端子の場所である。
ポイントEは、交流電源Vacの他方の端子の場所である。
ポイントCは、FETQ2のソース端子と、平滑コンデンサC1の他方の端子と、負荷2の他方の端子と、グランドとが接続している場所である。
ポイントDは、交流電源Vacの一方の端子の場所である。
ポイントEは、交流電源Vacの他方の端子の場所である。
図4(a)は、制御信号Vs1の電圧波形を示している。図4(a)の縦軸は、制御信号Vs1の電圧を示している。
図4(b)は、制御信号Vs2の電圧波形を示している。図4(b)の縦軸は、制御信号Vs2の電圧を示している。
図4(c)は、制御信号Vs3の電圧波形を示している。図4(c)の縦軸は、制御信号Vs3の電圧を示している。
図4(d)は、電流IL1の波形を示している。図4(d)の縦軸は、電流IL1を示している。
図4(e)は、電流IL2の波形を示している。図4(e)の縦軸は、電流IL2を示している。
図4(f)は、電流ILcの波形を示している。図4(f)の縦軸は、電流ILcを示している。
図4(g)は、電流IQ1の波形を示している。図4(g)の縦軸は、電流IQ1を示している。
図4(h)は、電流IQ2の波形を示している。図4(h)の縦軸は、電流IQ2を示している。
図4(i)は、電流IQcの波形を示している。図4(i)の縦軸は、電流IQcを示している。図4(a)〜(i)の横軸は、共通する時間tを示している。
図4(b)は、制御信号Vs2の電圧波形を示している。図4(b)の縦軸は、制御信号Vs2の電圧を示している。
図4(c)は、制御信号Vs3の電圧波形を示している。図4(c)の縦軸は、制御信号Vs3の電圧を示している。
図4(d)は、電流IL1の波形を示している。図4(d)の縦軸は、電流IL1を示している。
図4(e)は、電流IL2の波形を示している。図4(e)の縦軸は、電流IL2を示している。
図4(f)は、電流ILcの波形を示している。図4(f)の縦軸は、電流ILcを示している。
図4(g)は、電流IQ1の波形を示している。図4(g)の縦軸は、電流IQ1を示している。
図4(h)は、電流IQ2の波形を示している。図4(h)の縦軸は、電流IQ2を示している。
図4(i)は、電流IQcの波形を示している。図4(i)の縦軸は、電流IQcを示している。図4(a)〜(i)の横軸は、共通する時間tを示している。
《時刻T0〜T1および時刻T4〜T5の動作》
時刻T0〜T1および時刻T4〜T5の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1がHレベルとなる。ここでHレベルとは、スイッチ素子のゲート端子に印加して、当該スイッチ素子をオンする電圧のことをいう。これにより、FETQ1のゲート端子がHレベルとなってFETQ1はオンし、図4(h)に示すように、電流IQ1が次第に増加する。電流IQ1が流れると、図4(e)に示すように、電流IL1も次第に増加し、チョークコイルL1にエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の実線W1に示すように、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)から、チョークコイルL1、FETQ1、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
時刻T0〜T1および時刻T4〜T5の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1がHレベルとなる。ここでHレベルとは、スイッチ素子のゲート端子に印加して、当該スイッチ素子をオンする電圧のことをいう。これにより、FETQ1のゲート端子がHレベルとなってFETQ1はオンし、図4(h)に示すように、電流IQ1が次第に増加する。電流IQ1が流れると、図4(e)に示すように、電流IL1も次第に増加し、チョークコイルL1にエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の実線W1に示すように、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)から、チョークコイルL1、FETQ1、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
《時刻T1〜T2および時刻T5〜T6の動作》
時刻T1〜T2および時刻T5〜T6の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1がLレベルとなる。ここでLレベルとは、スイッチ素子のゲート端子に印加したとき、当該スイッチ素子がオフする電圧のことをいう。これにより、FETQ1のゲート端子がLレベルとなってFETQ1はオフし、図4(h)に示すように、電流IQ1は流れなくなる。電流IQ1が流れなくなると、チョークコイルL1に蓄えられた電磁エネルギは減少し、図4(e)に示すように、電流IL1は次第に減少する。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の破線W2に示すように、チョークコイルL1からダイオードD5、負荷2、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
時刻T1〜T2および時刻T5〜T6の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1がLレベルとなる。ここでLレベルとは、スイッチ素子のゲート端子に印加したとき、当該スイッチ素子がオフする電圧のことをいう。これにより、FETQ1のゲート端子がLレベルとなってFETQ1はオフし、図4(h)に示すように、電流IQ1は流れなくなる。電流IQ1が流れなくなると、チョークコイルL1に蓄えられた電磁エネルギは減少し、図4(e)に示すように、電流IL1は次第に減少する。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の破線W2に示すように、チョークコイルL1からダイオードD5、負荷2、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
《時刻T2〜T3および時刻T6〜T7の動作》
時刻T2〜T3および時刻T6〜T7の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がHレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がHレベルとなってFETQcはオンし、図4(i)に示す電流IQcが次第に増加する。電流IQcが流れると、図4(f)に示す電流ILcも次第に増加し、チョークコイルLcにエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の実線W3に示すように、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)からダイオードD1、チョークコイルLc、FETQc、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ1はオフしているので、電流IQ1と電流IL1とは流れない。
時刻T2〜T3および時刻T6〜T7の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がHレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がHレベルとなってFETQcはオンし、図4(i)に示す電流IQcが次第に増加する。電流IQcが流れると、図4(f)に示す電流ILcも次第に増加し、チョークコイルLcにエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の実線W3に示すように、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)からダイオードD1、チョークコイルLc、FETQc、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ1はオフしているので、電流IQ1と電流IL1とは流れない。
《時刻T3〜T4および時刻T7〜T8の動作》
時刻T3〜T4および時刻T7〜T8の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がLレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がLレベルとなってFETQcはオフし、図4(i)に示すように、電流IQcは流れなくなる。電流IQcが流れなくなると、チョークコイルLcに蓄えられたエネルギは減少し、図4(f)に示すように、電流ILcは次第に減少する。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の破線W4に示すように、チョークコイルLcからダイオードDc、負荷2、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ1はオフしているので、電流IQ1と電流IL1とは流れない。
時刻T3〜T4および時刻T7〜T8の期間は、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がLレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がLレベルとなってFETQcはオフし、図4(i)に示すように、電流IQcは流れなくなる。電流IQcが流れなくなると、チョークコイルLcに蓄えられたエネルギは減少し、図4(f)に示すように、電流ILcは次第に減少する。
この期間に於いて、図4(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はHレベルである。この制御信号Vs2により、FETQ2はオンしている。
図3の破線W4に示すように、チョークコイルLcからダイオードDc、負荷2、ポイントCの経路で電流が流れる。この電流は、図3の実線Waに示すように、ポイントCからFETQ2、チョークコイルL2、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)の経路で流れる。これにより、図4(h)に示す電流IQ2と、図4(e)に示す電流IL2とは負の値となり、図3の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図4(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ1はオフしているので、電流IQ1と電流IL1とは流れない。
《Bの周期の動作説明》
次に、図5および図6を参照して、電源装置1のBの周期の動作を説明する。Bの周期とは、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が負のときである。
図5に於いては、図1に示す電源装置1の構成から、Bの周期には電流が流れない回路要素を省略し、かつ、実線W5、破線W6、実線W7、破線W8、実線Wbによって、それぞれの時間ごとに流れる電流を示している。
ポイントC〜Eの場所は、図3と同様である。ポイントFは、FETQ1のソース端子と、FETQcのソース端子とが接続している場所である。
次に、図5および図6を参照して、電源装置1のBの周期の動作を説明する。Bの周期とは、交流電源Vacが昇圧型電力変換回路P1に印加する電圧が負のときである。
図5に於いては、図1に示す電源装置1の構成から、Bの周期には電流が流れない回路要素を省略し、かつ、実線W5、破線W6、実線W7、破線W8、実線Wbによって、それぞれの時間ごとに流れる電流を示している。
ポイントC〜Eの場所は、図3と同様である。ポイントFは、FETQ1のソース端子と、FETQcのソース端子とが接続している場所である。
図6(a)は、制御信号Vs1の電圧波形を示している。図6(a)の縦軸は、制御信号Vs1の電圧を示している。
図6(b)は、制御信号Vs2の電圧波形を示している。図6(b)の縦軸は、制御信号Vs2の電圧を示している。
図6(c)は、制御信号Vs3の電圧波形を示している。図6(c)の縦軸は、制御信号Vs3の電圧を示している。
図6(d)は、電流IL1の波形を示している。図6(d)の縦軸は、電流IL1を示している。
図6(e)は、電流IL2の波形を示している。図6(e)の縦軸は、電流IL2を示している。
図6(f)は、電流ILcの波形を示している。図6(f)の縦軸は、電流ILcを示している。
図6(g)は、電流IQ1の波形を示している。図6(g)の縦軸は、電流IQ1を示している。
図6(h)は、電流IQ2の波形を示している。図6(h)の縦軸は、電流IQ2を示している。
図6(i)は、電流IQcの波形を示している。図6(i)の縦軸は、電流IQcを示している。図6(a)〜(i)の横軸は、共通する時間tを示している。
図6(b)は、制御信号Vs2の電圧波形を示している。図6(b)の縦軸は、制御信号Vs2の電圧を示している。
図6(c)は、制御信号Vs3の電圧波形を示している。図6(c)の縦軸は、制御信号Vs3の電圧を示している。
図6(d)は、電流IL1の波形を示している。図6(d)の縦軸は、電流IL1を示している。
図6(e)は、電流IL2の波形を示している。図6(e)の縦軸は、電流IL2を示している。
図6(f)は、電流ILcの波形を示している。図6(f)の縦軸は、電流ILcを示している。
図6(g)は、電流IQ1の波形を示している。図6(g)の縦軸は、電流IQ1を示している。
図6(h)は、電流IQ2の波形を示している。図6(h)の縦軸は、電流IQ2を示している。
図6(i)は、電流IQcの波形を示している。図6(i)の縦軸は、電流IQcを示している。図6(a)〜(i)の横軸は、共通する時間tを示している。
Bの周期に於いて、スイッチング制御部3は、FETQ2のオン/オフ動作を制御し、かつ、FETQcがFETQ2とは異なる位相でオン/オフするインターリーブ動作を行うように制御する。
《時刻T0a〜T1aおよび時刻T4a〜T5aの動作》
時刻T0a〜T1aおよび時刻T4a〜T5aの期間は、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2がHレベルとなる。これにより、FETQ2のゲート端子がHレベルとなってFETQ2はオンし、図6(h)に示す電流IQ2は次第に増加する。電流IQ2が流れると、図6(e)に示すように、電流IL2も次第に増加し、チョークコイルL2にエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の実線W5に示すように、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)からチョークコイルL2、FETQ2、ポイントC、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
時刻T0a〜T1aおよび時刻T4a〜T5aの期間は、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2がHレベルとなる。これにより、FETQ2のゲート端子がHレベルとなってFETQ2はオンし、図6(h)に示す電流IQ2は次第に増加する。電流IQ2が流れると、図6(e)に示すように、電流IL2も次第に増加し、チョークコイルL2にエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の実線W5に示すように、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)からチョークコイルL2、FETQ2、ポイントC、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
《時刻T1a〜T2aおよび時刻T5a〜T6aの動作》
時刻T1a〜T2aおよび時刻T5a〜T6aの期間は、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2がLレベルとなる。これにより、FETQ2のゲート端子がLレベルとなってFETQ2はオフし、図6(h)に示すように、電流IQ2は流れなくなる。電流IQ2が流れなくなると、チョークコイルL2に蓄えられた電磁エネルギは減少し、図6(e)に示すように、電流IL2も次第に減少する。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の破線W6に示すように、チョークコイルL2からダイオードD6、負荷2、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
時刻T1a〜T2aおよび時刻T5a〜T6aの期間は、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2がLレベルとなる。これにより、FETQ2のゲート端子がLレベルとなってFETQ2はオフし、図6(h)に示すように、電流IQ2は流れなくなる。電流IQ2が流れなくなると、チョークコイルL2に蓄えられた電磁エネルギは減少し、図6(e)に示すように、電流IL2も次第に減少する。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の破線W6に示すように、チョークコイルL2からダイオードD6、負荷2、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(c)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQcはオフしているので、電流IQcと電流ILcとは流れない。
《時刻T2a〜T3aおよび時刻T6a〜T7aの動作》
時刻T2a〜T3aおよび時刻T6a〜T7aの期間は、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がHレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がHレベルとなってFETQcはオンし、図6(i)に示すように、電流IQcが次第に増加する。電流IQcが流れると、図6(f)に示すように、電流ILcも次第に増加し、チョークコイルLcにエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の実線W7に示すように、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)からダイオードD2、チョークコイルLc、FETQc、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ2はオフしているので、電流IQ2と電流IL2とは流れない。
時刻T2a〜T3aおよび時刻T6a〜T7aの期間は、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がHレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がHレベルとなってFETQcはオンし、図6(i)に示すように、電流IQcが次第に増加する。電流IQcが流れると、図6(f)に示すように、電流ILcも次第に増加し、チョークコイルLcにエネルギを蓄える。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の実線W7に示すように、ポイントE(交流電源Vacの他方の端子)からダイオードD2、チョークコイルLc、FETQc、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ2はオフしているので、電流IQ2と電流IL2とは流れない。
《時刻T3a〜T4aおよび時刻T7a〜T8aの動作》
時刻T3a〜T4aおよび時刻T7a〜T8aの期間は、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がLレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がLレベルとなってFETQcはオフし、図6(i)に示すように、電流IQcは流れなくなる。電流IQcが流れなくなると、チョークコイルLcに蓄えられた電磁エネルギは次第に減少し、図6(f)に示すように、電流ILcも次第に減少する。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の破線W8に示すように、チョークコイルLcからダイオードDc、負荷2、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ2はオフしているので、電流IQ2と電流IL2とは流れない。
時刻T3a〜T4aおよび時刻T7a〜T8aの期間は、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs3がLレベルとなる。これにより、FETQcのゲート端子がLレベルとなってFETQcはオフし、図6(i)に示すように、電流IQcは流れなくなる。電流IQcが流れなくなると、チョークコイルLcに蓄えられた電磁エネルギは次第に減少し、図6(f)に示すように、電流ILcも次第に減少する。
この期間に於いて、図6(a)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs1はHレベルである。この制御信号Vs1により、FETQ1はオンしている。
図5の破線W8に示すように、チョークコイルLcからダイオードDc、負荷2、ポイントFの経路で電流が流れる。この電流は、図5の実線Wbに示すように、ポイントFからFETQ1、チョークコイルL1、ポイントD(交流電源Vacの一方の端子)の経路で流れる。これにより、図6(g)に示す電流IQ1と、図6(d)に示す電流IL1とは負の値となり、図5の矢印とは逆方向に流れる。
この期間に於いて、図6(b)に示すように、スイッチング制御部3からの制御信号Vs2はLレベルである。この制御信号Vs3により、FETQ2はオフしているので、電流IQ2と電流IL2とは流れない。
以上の動作説明で示したように、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときには、FETQ1がオフの期間に、FETQcをオンするように制御し、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときには、FETQ2がオフの期間に、FETQcをオンするように制御する。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に出力する信号がオフの期間にオンする制御信号Vs3を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。スイッチング制御部3は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P2の制御端子に出力する信号がオフの期間にオンする制御信号Vs3を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。
すなわち、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に出力する信号がオフの期間にオンする制御信号Vs3を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。スイッチング制御部3は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときには、昇圧型電力変換回路P2の制御端子に出力する信号がオフの期間にオンする制御信号Vs3を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。
(本実施形態の効果)
以上説明した本実施形態では、次の(A)〜(J)のような効果がある。
以上説明した本実施形態では、次の(A)〜(J)のような効果がある。
(A) 電源装置1は、昇圧型電力変換回路Pcを共通の電力変換回路として、交流電源Vacの正負の各半周期毎に、昇圧型電力変換回路P1,P2の一方を交互に昇圧型電力変換回路Pcと組み合わせてインターリーブ動作をするように構成した。これにより、簡易な回路構成でありながら、高効率の電源装置1を提供することができる。
(B) 電源装置1は、複数の昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcによってインターリーブ動作を行っている。各昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcに電流が分流することにより、電源装置1は、各相の入力リップル電流が少なくなる。これにより、入力リップル電流に起因する電磁妨害を抑止するために電源装置1と負荷2との間に接続するEMI(Electro Magnetic Interference)フィルタ(不図示)を、小型化することができる。
(C) 電源装置1は、インターリーブ動作を行うことで相数が増え、各昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcに電流が分流する。これにより、昇圧型電力変換回路P1,P2,PcのチョークコイルL1,L2,Lcを小型化することができる。
(D) 電源装置をブリッジレスにすること、電源装置がインターリーブ動作を行うことのそれぞれに於いて、交流電源の交流電圧が低い場合の効率を改善することができる。それに対して、本実施形態の電源装置1は、ブリッジレスの構成で、かつ、インターリーブ動作を行っているので、交流電源Vacの交流電圧が低い場合の効率を更に改善することができる。
(E) 電源装置1は、昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcの個数分だけチョークコイルL1,L2,Lcを分けることができる。そのため、電力変換回路を薄型に構成することができ、よって電源装置1を薄型に構成できる。
(F) 電源装置1は、熱源である昇圧型電力変換回路P1,P2,Pcを分散して配置することができる。そのため、各電力変換回路を大容量化し、よって電源装置1を大容量化することができる。
(G) 電源装置1のスイッチング制御部3は、昇圧型電力変換回路P1の制御端子に出力する信号がオフの期間のいずれかにオンする信号を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。これにより、昇圧型電力変換回路PcがチョークコイルLcにエネルギを蓄える期間と、昇圧型電力変換回路P1がチョークコイルL1にエネルギを蓄える期間とが重ならなくなる。同様にスイッチング制御部3は、昇圧型電力変換回路P2の制御端子に出力する信号がオフの期間のいずれかにオンする信号を、昇圧型電力変換回路Pcの制御端子に出力する。昇圧型電力変換回路PcがチョークコイルLcにエネルギを蓄える期間と、昇圧型電力変換回路P2がチョークコイルL2にエネルギを蓄える期間とが重ならなくなる。これにより、スイッチング制御部3は、当該電源装置1の効率を改善するように制御できる。
(H) 電源装置1は、昇圧型電力変換回路P1,Pcがインターリーブ動作を行っているとき、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2をオンして導通させている。昇圧型電力変換回路P2,Pcがインターリーブ動作を行っているとき、昇圧型電力変換回路P1のFETQ2をオンして導通させている。これにより、電源装置1は、グランドから交流電源Vacの一方の端子と他方の端子とに、それぞれ順方向接続のダイオードを接続するよりも部品点数を少なくすることができ、廉価に構成することができる。
(I) 電源装置1は、昇圧型電力変換回路P1がインターリーブ動作を行っていないとき、FETQ1をオンして導通させ、昇圧型電力変換回路P2がインターリーブ動作を行っていないとき、FETQ2をオンして導通させている。これにより、電源装置1は、ダイオードによって導通させるよりも、電力の損失を減らすことができる。
(J) 電源装置1のスイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、制御信号Vs2をHレベルに設定して、スイッチ素子であるFETQ2のスイッチング動作を停止し、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、制御信号Vs1をHレベルに設定して、スイッチ素子であるFETQ1のスイッチング動作を停止している。これにより、電源装置1は、FETQ1またはFETQ2のスイッチングによるノイズを減少させることができる。
(変形例)
本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更実施が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(a)〜(i)のようなものがある。
本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更実施が可能である。この利用形態や変形例としては、例えば、次の(a)〜(i)のようなものがある。
(a) 変形例(a)〜(c)の電源装置1は、実施形態の電源装置1(図1)と同様の構成を有している。変形例(a)〜(c)に於ける電源装置1のスイッチング制御部3は、図7に示す制御信号Vs1〜Vs3を出力する。図7(a−1),(b−1),(c−1)の縦軸は、制御信号Vs1の電圧を示している。図7(a−2),(b−2),(c−2)の縦軸は、制御信号Vs2の電圧を示している。図7(a−3),(b−3),(c−3)の縦軸は、制御信号Vs3の電圧を示している。図7(a−1)〜(c−3)の横軸は、共通する時刻tを示している。以下、図7(a−1)〜(a−3)を参照して、変形例(a)を説明する。変形例(a)では、図7(a−1)に示すように、制御信号Vs1は、時刻t0でHレベルになり、時刻t1でLレベルになる。図7(a−2)に示すように、制御信号Vs2は、Hレベルである。図7(a−3)に示すように、制御信号Vs3は、時刻t2でHレベルになり、時刻t3でLレベルになる。制御信号Vs1がLレベルとなったのち、制御信号Vs3がHレベルとなるまで、所定のOFF期間が存在している。さらに、制御信号Vs3がLレベルとなったのち、次に制御信号Vs1がHレベルとなるまで、所定のOFF期間が存在している。この変形例に於いて、制御信号Vs1と、制御信号Vs3とは異なる位相であるとともに、制御信号Vs3がHレベルの期間の前後で、制御信号Vs1のHレベルの期間との間のOFF期間の長さが異なる。このように、制御信号Vs1と制御信号Vs3との間に長さの異なるOFF期間が存在しても、電源装置1(図1)は動作することができ、実施形態で記載したものと同様な効果を得ることができる。
(b) 変形例(b)では、図7(b−1)に示すように、制御信号Vs1は、時刻t0でオンし、時刻t1bでオフしている。図7(b−2)に示すように、制御信号Vs2は、Hレベルである。図7(b−3)に示すように、制御信号Vs3は、時刻t1bでHレベルになり、時刻t2bでLレベルになる。更に、制御信号Vs3がLレベルとなったのち、次の制御信号Vs1がHレベルになるまでには、所定のOFF期間が存在している。この変形例に於いて、制御信号Vs1と、制御信号Vs3とは異なる位相である。このように、制御信号Vs1と制御信号Vs3との間にOFF期間が存在しても、電源装置1(図1)は動作することができ、実施形態で記載したものと同様な効果を得ることができる。
(c) 変形例(c)では、図7(c−1)に示すように、制御信号Vs1は、時刻t0でHレベルになり、時刻t2cでLレベルになる。図7(c−2)に示すように、制御信号Vs2は、Hレベルである。図7(c−3)に示すように、制御信号Vs3は、時刻t1cでHレベルになり、時刻t3cでLレベルになる。この変形例に於いて、制御信号Vs1と、制御信号Vs3とは異なる位相である。このように、制御信号Vs1と制御信号Vs3のオン期間が時刻t1cから時刻t2cで重なっていたとしても、電源装置1(図1)は動作することができ、実施形態で記載したものと同様な効果を得ることができる。
(d) 実施形態の電源装置1は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2がオンするように制御し、導通動作を行わせる。電源装置1は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1をオンするように制御し、導通動作を行わせる。しかし、これに限られず、実施形態の電源装置1は、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P2のFETQ2がオフするように制御し、FETQ2の寄生ダイオードによる導通動作を行わせてもよい。電源装置1は、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のとき、昇圧型電力変換回路P1のFETQ1をオフするように制御し、FETQ1の寄生ダイオードによる導通動作を行わせてもよい。この場合は、FETQ1,Q2をオンさせる場合よりも損失が大きくなる虞があるため、要求される負荷仕様などに応じた回路設計が必要となる。
(e) 電力変換回路のスイッチ素子は、FETに限定されず、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)などの他のスイッチ素子であってもよい。
(f) 実施形態の電源装置1は、それぞれのチョークコイルL1,L2,Lcが別々に構成されている。しかし、これに限られず、電源装置1は、チョークコイルL1,L2がカップリングされた構成、例えば、1つのコアに両方の巻線が巻回された構成としてもよい。更に、電源装置1は、チョークコイルL1,L2,Lcのすべてがカップリングされた構成としてもよい。
(g) 上記実施形態では、特に言及していないが、チョークコイルL1,L2,LcのL値(インダクタンス値)は、必ずしも同じ値としなくてもよい。昇圧型電力変換回路Pcは、交流電源Vacの正負の両方の極性で動作し続ける。当該昇圧型電力変換回路Pcの入力電流の経路には、二つのダイオード(ダイオードD1,D2)が接続されている。そのため、チョークコイルLcのL値をチョークコイルL1,L2のL値よりも大きくすることで、電流ILcを電流IL1,IL2よりも小さくすることができる。これにより、電源装置1の整流損失を効果的に低減することができる。
(h) 実施形態の第3の昇圧手段に代えて、交流電源Vacの一方の端子と他方の端子には、2つのチョークコイルLc1,Lc2(不図示)を接続し、これらチョークコイルLc1,Lc2に、それぞれダイオードD1,D2を順方向接続し、ダイオードD1,D2のカソード端子をFETQcのドレイン端子に接続して、新たな第3の昇圧手段を構成してもよい。これにより、実施形態の第3の昇圧手段と同様に、交流電源Vacの一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、交流電源Vacの他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力することができる。
(i) 実施形態の電源装置1のスイッチング制御部3は、交流電源Vacの一方の端子と他方の端子とが接続されて、交流電源Vacの極性に応じた制御信号Vs1,Vs2を出力している。しかし、これに限られず、スイッチング制御部3は、交流電源Vacの極性とは関係なく、所定の矩形波である制御信号Vs1,Vs2を出力してもよい。これにより、交流電源Vacからスイッチング制御部3への配線と、交流電源Vacの極性を判断するコンパレータとを省くことができる。
P1 昇圧型電力変換回路(第1の昇圧型電力変換回路)
P2 昇圧型電力変換回路(第2の昇圧型電力変換回路)
Pc 昇圧型電力変換回路(第3の昇圧型電力変換回路)
Vac 交流電源
D1 ダイオード(第1のダイオード)
D2 ダイオード(第2のダイオード)
C1 平滑コンデンサ(平滑手段)
L1,L2,Lc チョークコイル
D5,D6,Dc ダイオード
Q1,Q2,Qc FET(スイッチ素子)
Vs1〜Vs3 制御信号
1 電源装置
2 負荷
3 スイッチング制御部
P2 昇圧型電力変換回路(第2の昇圧型電力変換回路)
Pc 昇圧型電力変換回路(第3の昇圧型電力変換回路)
Vac 交流電源
D1 ダイオード(第1のダイオード)
D2 ダイオード(第2のダイオード)
C1 平滑コンデンサ(平滑手段)
L1,L2,Lc チョークコイル
D5,D6,Dc ダイオード
Q1,Q2,Qc FET(スイッチ素子)
Vs1〜Vs3 制御信号
1 電源装置
2 負荷
3 スイッチング制御部
Claims (7)
- 交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第1の昇圧手段と、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第2の昇圧手段と、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力すると共に、前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに昇圧した電圧を出力する第3の昇圧手段と、
前記第1の昇圧手段の出力電圧、前記第2の昇圧手段の出力電圧、および前記第3の昇圧手段の出力電圧を合成して平滑化する平滑手段と、
前記交流電源の出力電圧の極性に応じて、前記第1の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第2の昇圧手段による導通動作と、前記第2の昇圧手段と前記第3の昇圧手段とによるインターリーブ動作および前記第1の昇圧手段による導通動作とを交互に行わせるように、前記第1の昇圧手段の制御端子、前記第2の昇圧手段の制御端子、および、前記第3の昇圧手段の制御端子にそれぞれ制御信号を出力するスイッチング制御部と、
を備えていることを特徴とする電源装置。 - 前記第3の昇圧手段は、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のとき、順方向電流が流れる第1のダイオードと、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のとき、順方向電流が流れる第2のダイオードと、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときと前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときとに入力電流が流れるチョークコイルと、
前記チョークコイルとグランドとの間に電流を流すか否かを切り換えるスイッチ素子と、
前記チョークコイルが放出する電流を流して当該第3の昇圧手段の出力電圧とするダイオードと、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のときに導通して電流を流す前記第2の昇圧手段の第2のスイッチ素子および前記第2の昇圧手段の第2のチョークコイルの直列接続と、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のときに導通して電流を流す前記第1の昇圧手段の第1のスイッチ素子および前記第1の昇圧手段の第1のチョークコイルの直列接続と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の電源装置。 - 交流電源の一方の端子の出力端子に、入力端子が接続された第1の昇圧型電力変換回路と、
前記交流電源の他方の端子の出力端子に、入力端子が接続された第2の昇圧型電力変換回路と、
前記交流電源の一方の端子の出力端子にアノード端子が接続された第1のダイオードと、
前記交流電源の他方の端子の出力端子にアノード端子が接続された第2のダイオードと、
前記第1のダイオードのカソード端子および前記第2のダイオードのカソード端子が、入力端子に接続された第3の昇圧型電力変換回路と、
前記第1の昇圧型電力変換回路の出力端子、前記第2の昇圧型電力変換回路の出力端子、および前記第3の昇圧型電力変換回路の出力端子が一端に接続され、他端がグランドに接続され、かつ、負荷に並列に接続される平滑コンデンサと、
前記交流電源の出力電圧の極性に応じて、前記第1の昇圧型電力変換回路と前記第3の昇圧型電力変換回路とによるインターリーブ動作および前記第2の昇圧型電力変換回路による導通動作と、前記第2の昇圧型電力変換回路と前記第3の昇圧型電力変換回路とによるインターリーブ動作および前記第1の昇圧型電力変換回路による導通動作とを交互に行わせるように、前記第1の昇圧型電力変換回路の制御端子、前記第2の昇圧型電力変換回路の制御端子、前記第3の昇圧型電力変換回路の制御端子にそれぞれ制御信号を出力するスイッチング制御部と、
を備えていることを特徴とする電源装置。 - 前記第1の昇圧型電力変換回路、前記第2の昇圧型電力変換回路、前記第3の昇圧型電力変換回路は、それぞれが、
チョークコイルと、
アノード端子が前記チョークコイルの一端に接続されたダイオードと、
一方の端子が前記チョークコイルの一端および前記ダイオードのアノード端子に接続され、他方の端子がグランドに接続されたスイッチ素子と、
を備え、
出力端子は、前記ダイオードのカソード端子であり、
入力端子は、前記チョークコイルの他端であり、
制御端子は、前記スイッチ素子の制御端子である、
ことを特徴とする請求項3に記載の電源装置。 - 前記スイッチング制御部は、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のとき、前記第2の昇圧型電力変換回路の制御端子に前記スイッチ素子をオンさせる制御信号を出力し、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のとき、前記第1の昇圧型電力変換回路の制御端子に前記スイッチ素子をオンさせる制御信号を出力する、
ことを特徴とする請求項4に記載の電源装置。 - 前記スイッチング制御部は、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のとき、インターリーブ動作を行う前記第1の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する制御信号の位相とは異なる位相を有する制御信号を、前記第3の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力し、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のとき、インターリーブ動作を行う前記第2の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する制御信号の位相とは異なる位相を有する制御信号を、前記第3の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する、
ことを特徴とする請求項3ないし請求項5のいずれか1項に記載の電源装置。 - 前記スイッチング制御部は、
前記交流電源の一方の端子の出力電圧が正のとき、インターリーブ動作を行う前記第1の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する制御信号がオフの期間にオンする制御信号を、前記第3の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力し、
前記交流電源の他方の端子の出力電圧が正のとき、インターリーブ動作を行う前記第2の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する制御信号がオフの期間にオンする制御信号を、前記第3の昇圧型電力変換回路の制御端子に出力する、
ことを特徴とする請求項6に記載の電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012002715A JP2013143828A (ja) | 2012-01-11 | 2012-01-11 | 電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012002715A JP2013143828A (ja) | 2012-01-11 | 2012-01-11 | 電源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013143828A true JP2013143828A (ja) | 2013-07-22 |
Family
ID=49040109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012002715A Pending JP2013143828A (ja) | 2012-01-11 | 2012-01-11 | 電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013143828A (ja) |
-
2012
- 2012-01-11 JP JP2012002715A patent/JP2013143828A/ja active Pending
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