JP2013135185A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光強度分布が均一で、かつ光出力が高められた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体発光素子は、積層体と、金属反射層と、金属パッド部と、基板と、を有する。積層体は、発光層を有しＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含む。金属反射層は、銀または銀合金を含み、網状構造および島状構造のいずれかを有する。金属パッド部は、網状構造および島状構造のいずれかに設けられた開口部に露出した積層体の前記第１の面と、金属反射面の表面と、を覆うように設けられる。基板は透光性を有する。放出光は、積層体の第２の面の側から放出される。金属反射層が網状構造を有する場合、網状構造における網状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ開口部の幅よりも大きい。金属反射層が島状構造を有する場合、島状構造における島状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ島状体の間の距離よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、半導体発光素子およびその製造方法に関する。

窒化物系半導体からなる半導体発光素子は、照明装置、表示装置、信号機などに広く用いられつつある。

半導体発光素子において、半導体層上に反射金属層を設けると、発光層からの放出光を反射することにより、光取り出し効率を高めることができる。

しかしながら、金、白金、チタンなどの材料は、紫色〜青色光のような短い波長において光反射率が低い。たとえば波長４００ｎｍの光に対して、金の光反射率は、約３９％であり、白金の反射率は約５３％である。

これに対して、たとえば、銀の光反射率は、波長４００ｎｍにおいて、約９４％と高い。ところが、銀と窒化物系半導体との間の密着性を高める熱処理工程において、銀と窒化物系積層体との間のコンタクト抵抗が高くなり注入電流が低下することがある。このため、光反射率を高くても、光出力が十分には高められない場合がある。

特許第４０５５５０３号公報

発光強度分布が均一で、かつ光出力が高められた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。

実施形態の半導体発光素子は、積層体と、金属反射層と、金属パッド部と、基板と、を有する。積層体は、発光層を有しＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含む。金属反射層は、銀または銀合金を含み、網状構造および島状構造のいずれかを有する。金属パッド部は、網状構造および島状構造のいずれかに設けられた開口部に露出した積層体の前記第１の面と、金属反射面の表面と、を覆うように設けられる。基板は、積層体の第２の面の側に設けられ、透光性を有する。発光層からの放出光は、積層体の第２の面の側から放出される。金属反射層が網状構造を有する場合、網状構造における網状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ開口部の幅よりも大きい。また、金属反射層が島状構造を有する場合、島状構造における島状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ島状体の間の距離よりも大きい。

図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。 図２（ａ）は、円形の島状構造を有する金属反射層の模式平面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図３（ａ）はエピタキシャル成長後の模式断面図、図３（ｂ）はメサ部形成後の模式断面図、図３（ｃ）は第１電極形成後の模式断面図、である。 図４（ａ）および（ｂ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図４（ａ）は金属反射層を形成した後の模式断面図、図４（ｂ）は金属パッド部を形成した後の模式断面図、である。 図５（ａ）は発光装置の模式平面図、図５（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。 図６（ａ）は比較例にかかる半導体発光素子の模式平面図、図６（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。 図７（ａ）は比較例にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真、図７（ｂ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真、である。 図８（ａ）は金属反射層の中央部における銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、図８（ｂ）は金属反射層の周辺部の銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、である。 図９（ａ）は第２の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図９（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った模式断面図、図９（ｃ）は基板の側の発光領域を示す模式底面図、である。 図１０（ａ）は、円形の開口部を有する網状構造を有する金属反射層の模式平面図、図１０（ｂ）はＦ−Ｆ線に沿った模式断面図、である。 第３の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
半導体発光素子１０は、基板２０と、基板２０の上に設けられＩｎＧａＡｌＮ系材料からなる積層体３０と、第１電極５０と、第２電極５２と、を有する。積層体３０は、第１の面３０ａと、第１の面３０ａとは反対となる第２の面３０ｂと、を有する。

基板２０は、たとえばサファイヤのような透光性材料からなり、積層体３０の第２の面３０ｂの側に設けられる。

積層体３０は、基板２０の上に、第１の層３３、第２の層３４、発光層３６、第３の層３８、をこの順序で含んでいる。第１の層３３および第２の層３４は、第１導電形を有する。第３の層３８は、第２導電形を有する。また、第２の層３４と、発光層３６と、第３の層３８と、は、基板２０よりもサイズの小さいメサ部３９を構成する。なお、第１の実施形態では、第１導電形をｎ形とし、第２導電形をｐ形とするが、本発明はこれに限定されず逆導電型であってもよい。

なお、本明細書において、積層体３０を構成するそれぞれの層は、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる組成式で表されるＩｎＧａＡｌＮ系材料からなり、アクセプタやドナーとなる元素を含んでもよい。発光層３６をこのような組成とすることにより、たとえば、青色光を含み、紫外〜緑色光波長範囲の光を放出することができる。

積層体３０の第１の面３０ａには、第２電極５２が設けられる。第２電極５２は、金属反射層４０と、金属パッド部４２と、を有する。図１（ａ）のように、金属反射層４０は、島状構造を有し、銀（Ａｇ）または銀合金などからなる。金属パッド部４２は、島状構造における島状体の間の開口部４０ａに露出した第１の面３０ａと、島状構造の金属反射層４０の表面４０ｄと、を覆うように設けられる。

第１電極５０は、メサ部３９に隣接したｎ形の第１の層３３の面３３ａの上に設けられる。また、第２電極５２は、積層体３０の第１の面３０ａ（ｐ形）に設けられる。図１（ｂ）のように、第２電極５２から注入されたキャリアは金属反射層４０の周辺部において密度が高い。すなわち、電流密度は金属反射層４０の周辺部近傍で高くなる。第１の実施形態では、複数の島状体に分割された金属反射層４０のそれぞれから均一にキャリアが注入される。このため、それぞれの島状体を通る電流強度を揃えることが容易となる。このため、発光層３６の面内において、発光強度分布を均一にできる。ドット線で表す電流Ｊは、第１電極５０と、第２電極５２と、の間を流れる。

なお、発光層３６から金属反射層４０へ向かった光ｇ１は、金属反射層４０により反射され発光層３６を通過したのち基板２０から放出される（Ｇ１）。このため、光出力を高めることができる。また、金属パッド部４２も、構成する金属材料の光反射率に応じて光を反射するので、光出力をさらに高めることができる。

図２（ａ）は、円形の島状体を有する金属反射層の模式平面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、である。
島状体の形状は、矩形、円、楕円、多角形、ストライプ形、などとすることができる。島状体の幅Ｗ１は、金属反射層の面内にみた島状体の幅のうちで最も大きい幅と定義する。また、開口部４０ａの幅Ｗ２は、２つの島状体のあいだの最短距離として定義する。島状体の大きさが異なってもよいが、複数の島状体を同一形状かつ規則的に配列とすると、反射金属層４０をより均一に動作することができるので好ましい。もし、島状体の大きさが異なる場合でも、島状体域の幅Ｗ１の内の最小値は、開口部４０ａの幅Ｗ２の最大値よりも大きくすることが好ましい。

図３（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態の半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図３（ａ）はエピタキシャル成長後の模式断面図、図３（ｂ）はメサ部形成後の模式断面図、図３（ｃ）は第１電極形成後の模式断面図、である。
図３（ａ）において、サファイヤなどからなり透光性を有する基板２０の上に、ｎ形を有する第１導電形層３２、発光層３６、ｐ形を有する第３の層３８、をこの順序で含む積層体３０を、たとえばＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy)法などを用いてエピタキシャル成長する。

続いて、フォトリソグラフィー法やＲＩＥ（Reactive Ion Etching)法などを用いて、積層体３０の上部をメサ部３９となるようにエッチング加工する。メサ部３９は、第１導電形層３２のうちの上方の一部である第２の層３４と、発光層３６と、ｐ形である第３の層３８と、を含む。第２の層３４は、たとえば、電流拡散層、クラッド層、および光ガイド層などを含むことができる。

発光層３６をＭＱＷ（Multi-Quantum Well)構造とすると、波長制御性を高め、発光効率を高めることが容易となる。なお、ＭＱＷ構造を構成する井戸層は、ノンドープでも導電性を有していてもよい。

第３の層３８は、たとえば、光ガイド層、クラッド層、電流拡散層、およびコンタクト層（ＧａＮ）などを含むことができる。

なお、第１導電形層３２のうち、エッチングされずに残る部分は第１の層３３となる。第１の層３３の表面がコンタクト層を含むようにすると、第１電極５０に対してオーミックコンタクトとすることができる。

続いて、第１の層３３の面３３ａに、リフトオフ法などを用いて第１電極５０を形成する。第１電極５０は、たとえば、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔａ／Ｔｉ／Ｐｔなどの金属多層膜とすることができる。

図４（ａ）および（ｂ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の製造方法を説明する模式図であり、図４（ａ）は金属反射層を形成した後の模式断面図、図４（ｂ）は金属パッド部を形成した後の模式断面図、である。
図１（ａ）のような島状構造を有する金属反射層４０を、リフトオフ法などにより形成すると図４（ａ）の構造とできる。さらに、たとえば、窒素と酸素との混合雰囲気中で、３００〜５００℃の温度で熱処理を行う。熱処理を行うことにより、銀と積層体３０との密着性を高めることができる。また、金属反射層４０の断面構造は、たとえば、Ａｇ（２００ｎｍ）／Ｎｉ（５０ｎｍ）などとすることができる。Ａｇの上にＮｉなどを設けると、たとえば、Ａｇの酸化や硫化を抑制できる。開口部４０ａには、積層体３０の第１の面３０ａが露出する。

続いて、図４（ｂ）のように、開口部４０ａに露出した積層体３０の第１の面３０ａと、金属反射層４０の表面４０ｃと、を覆うように、リフトオフ法などを用いて金属パッド部４２を形成する。金属パッド部４２の断面構造は、たとえば、Ｔｉ（２０ｎｍ）／Ｐｔ（５０ｎｍ）／Ａｕ（７００ｎｍ）などとする。このあと、スクライブにより、図１（ａ）、（ｂ）の半導体発光素子が完成する。

図５（ａ）は発光装置の模式平面図、図５（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、である。
第１の実施形態の半導体発光素子１０は、実装部材６５を構成する成型体６４の凹部６４ａの内部に設けられている。実装部材６５は、第１のリード６０、第２のリード６２、熱可塑性樹脂などからなり第１のリード６０および第２のリード６２と一体となった成型体６４を有している。半導体発光素子１０の第１電極５０と、第１のリード６０と、は、半田材や金属バンプなどで接着される。また、半導体発光素子１０の第２電極５２と、第２のリード６２と、は半田材やバンプなどで接着される。このようにして、実装部材６５の上方へ向けて光を放出できる。もし、凹部６４ａ内に設けられた封止樹脂層６６に黄色蛍光体などからなる蛍光体粒子６８を分散すると、白色光などの混合光を放出することができる。

図６（ａ）は比較例にかかる半導体発光素子の模式平面図、図６（ｂ）はＤ−Ｄ線に沿った模式断面図、である。
比較例にかかる半導体発光素子は、基板１２０と、基板１２０の上に設けられＩｎＧａＡｌＮ系材料からなる積層体１３０と、第１電極１５０と、第２電極１５２と、を有する。
積層体１３０は、第１の層１３３、第２の層１３４、発光層１３６、第３の層１３８、をこの順序で含んでいる。メサ部１３９は、第２の層１３４、発光層１３６、および第３の層１３８を有する。

第２電極１５２は、開口部を有しておらず、銀または銀合金を含む。この場合、第２電極１５２から、メサ部１３９へ注入される電流ＪＣの密度は、第２電極１５２の周辺部で高いが、中央部で低く、均一にすることが困難である。このため、放出光ＧＧは、第２電極１５２の周辺部から基板１２０の方向に向かう。

図７（ａ）は比較例にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真図、図７（ｂ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の近視野像を示す光学顕微鏡写真図、である。
図７（ａ）において、金属反射層１５２の厚さは、Ａｇ（２００ｎｍ）／Ｎｉ（５０ｎｍ）とする。また、Ｄ−Ｄ線に平行な辺の長さＬは、２８０μｍ、動作電流は２０ｍＡ、とする。

発明者らは、比較例の半導体発光素子の発光強度の最大値が金属反射層１５２の外縁１５２ａ近傍にあり、発光強度が最大値の２分の１と低下する位置が外縁１５２ａから内側に約１５μｍ、外側に約１５μｍ、となることを見出した。この結果、金属反射層１５２１５２の中央領域における発光強度は周辺部の最大発光強度の２分の１よりも低かった。

これに対して、図１に示す第１の実施形態の半導体発光素子において、Ａ−Ａ線に平行な辺の長さＬは２８０μｍとする。また、金属反射層４０を構成する複数の矩形島状体の幅Ｗ１を３０μｍとし、開口部４０ａの幅Ｗ２を３μｍとした第１の実施形態の発光強度分布は、図７（ｂ）のように、発光層３６の面内において均一にできた。また、順方向に同一電圧を加えた場合、第１の実施形態の半導体発光素子に流れる電流は、比較例の半導体発光素子に流れる電流よりも大きくできた。

なお、金属反射層４０から注入されたキャリアは、横方向に拡散される。このため、金属反射層４０が設けられていない開口部４０ａの下方でも発光を生じる。しかしながら、開口部４０ａの幅Ｗ２を広げ過ぎると、相対的にキャリアを注入できる面積の割合が低下するのでチップサイズが大きくなる。また、金属反射層４０により反射される光の割合が低下する。

発明者らの実験によれば、開口部４０ａの幅Ｗ２は、金属反射層４０の幅Ｗ１よりも狭いことが好ましく、金属反射層４０から注入されるキャリアの横方向広がりを減少できる５μｍ以下とするとさらに好ましいことが判明した。

図８（ａ）は金属反射層の中央部における銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、図８（ｂ）は金属反射層の周辺部の銀とガリウムとの分布を示すグラフ図、である。
それぞれの元素の原子百分率（％）は、透過型電子顕微鏡に付加されたエネルギー分散型Ｘ線元素分析装置（ＥＤＸ：Energy Dispersive X-ray Spectrometry)を用いて測定した。縦軸は原子百分率（％）、横軸は金属反射層４０と積層体（ＧａＮ）３０との界面近傍の深さ方向位置（ｎｍ）、である。

図８（ａ）では、第２電極５２の側における銀の原子百分率はおよそ７０〜８０％の間であり、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率は約３％以下である。他方、図８（ｂ）では、銀（Ａｇ）の原子百分率は５２〜６３％であり、ガリウムの原子百分率は２０〜３０％である。すなわち、周辺部におけるガリウムの原子百分率は、中央部における原子百分率よりも約１０倍と高い。

また、図８（ａ）に表す電極中央部では、金属反射層４０および積層体３０内の酸素（Ｏ）の原子百分率は、略同一であり、５％近傍である。他方、図８（ｂ）に示す周辺部では、酸素の元素百分率が、金属反射層４０の側で５〜１０％の間であるのに対し、積層体３０の側では０〜３％の間と低い。

すなわち、開口部の近傍では、ＧａＮを含む積層体３０との界面の側の金属反射層４０の領域には酸素が多く取り込まれており、かつＧａがより多く拡散されていることが明らかとなった。すなわち、図１（ａ）、（ｂ）において、ガリウムが、それぞれの島状体へ同じ程度に拡散できることを示している。このような金属反射層４０の島状体から積層体３０へ注入される電流は、それぞれの島状体の間における電流分布の不均一を低減できる。この結果、図７（ｂ）のように発光強度がより均一な近視野像とすることができるものと考えられる。

図９（ａ）は第２の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図９（ｂ）はＥ−Ｅ線に沿った模式断面図、図９（ｃ）は基板の側の発光領域を示す模式底面図、である。
金属反射層４０は、網状構造を有する。網状構造には、開口部４０ｂが設けられている。開口部４０ｂには、積層体３０の第１の面３０ａが露出する。金属反射層４０が網状である場合、金属パッド部４２は、開口部４０ｂの少なくとも一部を埋めるように設けることができる。

また、金属パッド部４２を半田層や金属バンプからなるものとし、実装部材を構成するリードに接着することができる。図９（ｃ）において、基板２０の側の発光領域を斜線部で示す。開口部４０ｂが設けられた小さい領域を除いて、発光層３６から均一に発光し、光Ｇ２を放出することができる。

図１０（ａ）は、円形の開口部を有する網状構造を有する金属反射層の模式平面図、図１０（ｂ）はＦ−Ｆ線に沿った模式断面図、である。
開口部４０ｂの形状は、矩形、円、楕円、多角形、ストライプ形、などとすることができる。開口部４０ｂの幅Ｗ２は、１つの開口部４０ｂ内で最も長い距離とする。また、網状構造における網状体の幅Ｗ１は、２つの開口部４０ｂの間の最短距離として定義する。開口部４０ｂの大きさが異なってもよいが、開口部４０ｂを同一形状かつ規則的に設けると、発光強度分布をより均一にできるので好ましい。もし、開口部４０ｂの大きさが異なる場合でも、網状構造における網状体の幅Ｗ１の内の最小値は、開口部４０ｂの幅Ｗ２の最大値よりも大きくすることが好ましい。金属パッド部４２に対する金属反射層４０の面積比率は、網状構造とした方が島状構造とするよりも高くできる。このため、たとえば、光出力を高めることが容易である。

図１１は、第３の実施形態にかかる半導体発光素子の模式断面図である。
積層体３１は、ｐ形である第２の層３４と、発光層３６と、ｎ形である第３の層３８と、を有する。積層体３１の第１の面３１ａには、金属反射層４０が設けられる。金属反射層４０は、たとえば網状構造または島状構造とすることができる。たとえば、島状構造の場合、島状体の間に設けられた開口部と、島状体の表面と、を覆うようにバリア金属層４１が設けられる。バリア金属層４１は、たとえば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕなどとすることができる。他方、支持基板８０にもＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどからなるバリア金属層４４が設けられる。

基板８０と積層体３１の側とは、たとえば、ＡｕＳｎなどの半田層４３により接着される。また、支持基板８０をシリコンなどとすると、積層体３１を成長するための基板（サファイヤなど）を除去してもチップの強度を保つことができる。このようにして、積層体３１の厚さは、たとえば、１０μｍ以下と薄くすることができる。また、支持基板８０を導電性とすることにより、支持基板８０の裏面側に裏面電極５４を設けることができる。

第３の実施形態において、積層体３１の第２の面に微小凹凸３１ｃを設けると、光取り出し効率をさらに高めることができる。この場合、第１電極５１は、積層体３１の第２の面３１ｂに設けることができる。なお、第２の層３４をｎ形とし、第３の層３８をｐ形としてもよい。

第１〜３の実施形態によれば、発光強度分布が均一で、かつ光出力が高められた半導体発光素子およびその製造方法が提供される。このような半導体発光素子は、照明装置、表示装置、信号機などに広く用いることができる。また、この製造方法によれば、窒化物系積層体とのコンタクト抵抗を低減するためＩＴＯ（Indium Tin Oxide)などの透明導電膜を形成する工程が不要である。このため、量産性に富む半導体発光素子の製造が可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 半導体発光素子、２０ 基板、３０ 積層体、３０ａ 第１の面、３０ｂ 第２の面、３１ 積層体、３６ 発光層、４０ 金属反射層、４０ａ 開口部、４０ｂ 開口部、４２ 金属パッド部、５０、５１ 第１電極、５２ 第２電極、８０ 支持基板

Claims (7)

1. 第１の面と前記第１の面とは反対の側の第２の面とを有し、発光層を有しＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含む積層体と、
   前記積層体の前記第１の面の上に設けられ、銀または銀合金を含む金属反射層であって、網状構造および島状構造のいずれかを有する金属反射層と、
   前記網状構造および前記島状構造の前記いずれかに設けられた開口部に露出した前記積層体の前記第１の面と、前記金属反射面の表面と、を覆うように設けられた金属パッド部と、
   前記積層体の前記第２の面の側に設けられ、透光性を有する基板と、
   を備え、
   前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第２の面の側から放出され、
   前記金属反射層が前記網状構造を有する場合、前記網状構造における網状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ前記開口部の幅よりも大きく、
   前記金属反射層が前記島状構造を有する場合、前記島状構造における島状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ前記島状体の間の距離よりも大きい半導体発光素子。
2. 第１の面と前記第１の面とは反対の側の第２の面とを有し、発光層を有しＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含む積層体と、
   前記積層体の前記第１の面の上に設けられ、銀または銀合金を含む金属反射層であって、網状構造および島状構造のいずれかを有する金属反射層と、
   前記網状構造および前記島状構造の前記いずれかに設けられた開口部に露出した前記積層体の前記第１の面と、前記金属反射面の表面と、を覆うように設けられた金属パッド部と、
   を備え、
   前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第２の面の側から放出される半導体発光素子。
3. 前記金属反射層が前記網状構造を有する場合、前記網状構造における網状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ前記開口部の幅よりも大きく、
   前記金属反射層が前記島状構造を有する場合、前記島状構造における島状体の幅は、３０μｍ以下でありかつ前記島状体の間の距離よりも大きい請求項２記載の半導体発光素子。
4. 前記積層体の前記第２の面の側に設けられ、透光性を有する基板をさらに備えた請求項２記載の半導体発光素子。
5. 半田層を介して前記金属パッド部と接着された基板をさらに備えた請求項２または３に記載の半導体発光素子。
6. 発光層を有しＩｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含む積層体を結晶成長基板の上に形成する工程と、
   前記積層体の表面に銀または銀合金を含む金属膜を形成する工程と、
   前記金属膜に開口部を形成することにより前記積層体の表面を露出させ、網状構造または島状構造を有する金属反射層を形成したのち酸素を含む雰囲気で熱処理する工程と、
   前記積層体の前記表面のうち、前記開口部に露出した領域の一部と、前記金属反射層の表面の一部と、覆うように金属パッド部を形成する工程と、
   を備えた半導体発光素子の製造方法。
7. 前記金属パッド部の表面の側と、導電性を有する基板と、を接着し、さらに前記結晶成長基板を除去する工程をさらに備えた請求項６記載の半導体発光素子の製造方法。