JP2013131607A - 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 50
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 8
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 206010010071 Coma Diseases 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 206010073261 Ovarian theca cell tumour Diseases 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 208000001644 thecoma Diseases 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Abstract
【解決手段】 本発明の位置検出装置は、光源からの光で2つの物体にそれぞれ形成された回折格子を照明し、前記回折格子の回折光を受光することで、前記2つの物体の相対位置を求める位置検出装置であって、前記回折格子の+1次回折光及び−1次回折光を干渉させる光学系と、受光部と、処理部と、を備え、前記受光部は、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子の+1次回折光及び−1次回折光の2光束干渉光を受光し、前記処理部は、前記受光部が受光した、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子からの回折光による2光束干渉光のうち、それぞれの回折格子からの回折光による2光束干渉光が重なっていない領域の2光束干渉光を用いて、前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
まず、本発明の第1実施形態について図1、図2を用いて説明する。図1は本発明の第1実施形態である位置検出装置100の構成を示す図であり、インプリント装置のアライメント検出装置に本発明を適用した例である。以下の実施形態では異なる2つの物体としてモールドとウエハとを用いて、相対位置を求める位置検出装置および位置検出方法について説明する。
φ=φm−φw (1)
dX=P×φ/4π (2)
φ=(φm1+φm2)/2−φw (3)
次に、第2実施形態について説明する。図3は第2実施形態の位置検出装置100の構成を示す図である。第2実施形態は、第1実施形態に対して、光源1からの照明波長帯域を制限するバンドパスフィルタ19と受光部としてカラーCCD20を使用していることが特徴である。第1実施形態と同じ符号の部分については詳細な説明を省略する。第1実施形態と異なる点を詳細に説明する。
φ=(φ1+φ2+φ3)/3 (4)
続いて、第3実施形態の位置検出装置を図3および図4(B)を用いて説明する。なお、本実施形態の位置検出装置は、第2実施形態で説明した図3の位置検出装置と同じ構成である。第3実施形態は信号処理部11で実行される信号の処理方法が第2実施形態と異なる。信号処理部11で実行される処理方法について詳細に説明する。
続いて、第4実施形態の位置検出装置を図3および図4(C)を用いて説明する。なお、本実施形態の位置検出装置は、第2実施形態で説明した図3の位置検出装置と同じ構成である。第4実施形態は信号処理部11で実行される信号の処理方法が第2実施形態と異なる。信号処理部11で実行される処理方法ついて詳細に説明する。
続いて、第5実施形態の位置検出装置を、図7を用いて説明する。第2実施形態の位置検出装置は、波長選択部にカラーCCDのカラーフィルタを使用しているのに対し、本実施形態の位置検出装置は、波長選択部にダイクロイックミラーを使用している点が特徴である。波長選択部について詳細に説明し、その他の構成については、第1実施形態と同様なものについては説明を省略する。
続いて、第6実施形態の位置検出装置100を、図8を用いて説明する。なお、上述の実施形態の位置検出装置が、モールドおよびウエハに対して、ほぼ垂直な方向から照明しているのに対し、本実施形態の位置検出装置では斜め方向から照明し、斜め方向で受光している点が特徴である。
Px=λc/(2sinθ) (5)
(5)式を満たす時、非計測方向に1次で、かつ、計測方向に±1次の回折光は、入射方向と逆方向に回折され、検出光学系5に入射する。照明波長帯域内の中心波長λc以外の波長の光は、非計測方向の回折角が異なるので、検出光学系5のNA(開口数)内に入る波長の光のみがカラーCCD20に入射する。カラーCCD20で回折格子MAおよび回折格子WAのそれぞれの回折格子からの±1次回折光の2光束干渉光(干渉縞)を受光する。受光部で受光した干渉光(受光データ)を信号処理することでモールド6とウエハ8の相対位置を求めることができる。信号処理の方法は、上述のいずれの実施形態を用いても良い。
続いて、第7実施形態の位置検出装置を、図9を用いて説明する。本実施形態は異なる層に形成された回折格子を用いて、異なる層の重ね合わせを検査する検査装置としての位置検出装置200について説明する。上述の実施形態はいずれもモールド6とウエハ8に回折格子を設けてモールドとウエハの異なる2つの物体の相対位置を検出する装置であった。これに対し、本実施形態の位置検出装置200は、ウエハ上に転写された2つのマークの相対位置ずれ量を求めて重ね合わせを検査する装置である。
図11は第8実施形態であるインプリント装置300の構成図である。インプリント装置300には上述の第1実施形態から第6実施形態のいずれかの位置検出装置100が備わっている。
デバイス(半導体集積回路素子、液晶表示素子等)の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板)にパターンを転写(形成)する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。
3 照明光学系
4 ミラー
5 検出光学系
6 モールド
8 ウエハ
9 遮光板
10、30、31、32 CCD(受光部)
11 信号処理部
Claims (14)
- 光源からの光で2つの物体にそれぞれ形成された回折格子を照明し、前記回折格子の回折光を受光することで、前記2つの物体の相対位置を求める位置検出装置であって、
前記回折格子の+1次回折光及び−1次回折光を干渉させる光学系と、
受光部と、
処理部と、を備え、
前記受光部は、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子の+1次回折光及び−1次回折光の2光束干渉光を受光し、
前記処理部は、前記受光部が受光した、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子からの回折光による2光束干渉光のうち、それぞれの回折格子からの回折光による2光束干渉光が重なっていない領域の2光束干渉光を用いて、前記2つの物体の相対位置を求める
ことを特徴とする位置検出装置。 - 前記処理部は、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子からの回折光による2光束干渉縞の位相差を用いて、前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
- 前記光源は複数の波長の光を照射し、
前記複数の波長の光を異なる波長毎に選択する波長選択部を有し、
前記処理部は、前記波長選択部によって選択された波長の回折光による2光束干渉光から、前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の位置検出装置。 - 前記処理部は、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子からの回折光による2光束干渉縞の位相差を前記異なる波長毎に求め、該異なる波長毎に求めた位相差に基づいて前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項3に記載の位置検出装置。
- 前記異なる波長毎に求めた前記位相差の平均値に基づいて前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。
- 前記処理部は前記異なる波長毎に前記2光束干渉縞の振幅を求め、前記異なる波長毎に前記2光束干渉縞を前記振幅で正規化した2光束干渉縞を求め、前記正規化した2光束干渉縞を積算した2光束干渉縞の位相差に基づいて、前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。
- 前記処理部は前記異なる波長毎に前記2光束干渉縞の振幅と位相差を求め、前記2光束干渉縞の前記振幅を使用した重み付き平均値に基づいて前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする請求項4に記載の位置検出装置。
- 前記受光部はカラーCCDであり、
前記波長選択部は前記カラーCCDのカラーフィルタであることを特徴とする請求項3から7のいずれか一項に記載の位置検出装置。 - 前記波長選択部はダイクロイックミラーであることを特徴とする請求項3から7のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記回折格子は市松格子状であり、
前記回折格子の垂直方向に対して傾斜した方向から、前記光源からの光で前記回折格子を照明し、前記回折格子の+1次回折光及び−1次回折光の2光束干渉光を受光することを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の位置検出装置。 - 型に形成されたパターンを用いて、基板に供給されたインプリント材に前記パターンを転写するインプリント装置であって、
請求項1から10のいずれか一項に記載の位置検出装置を備え、
該位置検出装置は、前記型に形成された回折格子と前記基板に形成された回折格子の2光束干渉の像を用いて前記型と前記基板の相対位置を求めることを特徴とするインプリント装置。 - 請求項11に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。 - 光源からの光で複数の層が形成された基板上の互いに異なる層に形成された2つの回折格子を照明し、前記回折格子の回折光を受光することで、前記互いに異なる層の相対位置を求める位置検出装置であって、
前記回折格子の+1次回折光及び−1次回折光を干渉させる光学系と、
受光部と、
処理部と、を備え、
前記受光部は、前記互いに異なる層に形成された2つの回折格子の+1次回折光及び−1次回折光の2光束干渉光を受光し、
前記処理部は、前記受光部が受光した、前記互いに異なる層に形成された2つの回折格子からの回折光による2光束干渉光のうち、それぞれの回折格子からの回折光による2光束干渉光が重なっていない領域の2光束干渉光を用いて、前記互いに異なる層の相対位置を求める
ことを特徴とする位置検出装置。 - 光源からの光で2つの物体にそれぞれ形成された回折格子を照明し、前記回折格子の回折光を受光することで、前記2つの物体の相対位置を求める位置検出方法であって、
前記回折格子の+1次回折光及び−1次回折光を干渉させ、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子の+1次回折光及び−1次回折光の2光束干渉光を受光部が受光し、前記受光部が受光した、前記2つの物体にそれぞれ形成された回折格子からの回折光による2光束干渉光のうち、それぞれの回折格子からの回折光による2光束干渉光が重なっていない領域の2光束干渉光を用いて、前記2つの物体の相対位置を求めることを特徴とする位置検出方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279722A JP5967924B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
US13/719,061 US9689665B2 (en) | 2011-12-21 | 2012-12-18 | Position detection apparatus, imprint apparatus, and method for manufacturing device |
KR1020120149288A KR101632463B1 (ko) | 2011-12-21 | 2012-12-20 | 위치 검출 장치, 임프린트 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN201210559946.2A CN103175468B (zh) | 2011-12-21 | 2012-12-21 | 位置检测装置、压印装置和用于制造器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279722A JP5967924B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013131607A true JP2013131607A (ja) | 2013-07-04 |
JP5967924B2 JP5967924B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=48635502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011279722A Expired - Fee Related JP5967924B2 (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | 位置検出装置、インプリント装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9689665B2 (ja) |
JP (1) | JP5967924B2 (ja) |
KR (1) | KR101632463B1 (ja) |
CN (1) | CN103175468B (ja) |
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- 2011-12-21 JP JP2011279722A patent/JP5967924B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2012-12-20 KR KR1020120149288A patent/KR101632463B1/ko active IP Right Grant
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---|---|
CN103175468B (zh) | 2016-01-20 |
CN103175468A (zh) | 2013-06-26 |
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US20130163004A1 (en) | 2013-06-27 |
JP5967924B2 (ja) | 2016-08-10 |
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KR20130072160A (ko) | 2013-07-01 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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