JP2013120385A - マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 208
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 132
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 96
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 95
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 95
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 93
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 128
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 29
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 151
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 26
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 16
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 14
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 12
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 9
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 9
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 7
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 molybdenum silicide compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 2
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004535 TaBN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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Abstract
【解決手段】 主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、準備された前記ガラス基板に対し、赤外域の波長を含んだ光を照射する光加熱処理を行う工程と、前記光加熱処理後の前記ガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
【選択図】 図1
Description
近年では、モリブデンシリサイド化合物を含む材料(MoSi系材料)を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している(特許文献1)。また、タンタル化合物を含む材料(タンタル系材料)を遮光膜として用いたArFエキシマレーザー用のバイナリマスクなども出現している(特許文献2)。特許文献3では、タンタル、ニオブ、バナジウム、またはタンタル、ニオブ、バナジウムの少なくとも2つを含む金属を用いた遮光膜からなるフォトマスクに対して、酸洗浄および水素プラズマによる洗浄を行った場合、遮光膜が水素脆性化し、遮光膜が変形することがあることについて開示されている。またその解決手段として、遮光膜にパターンを形成後、遮光膜の上面および側面を気密に覆う水素阻止膜を形成することが開示されている。
本発明者は、ガラス基板に成膜直後のタンタルを含有する薄膜が、時間の経過とともに、圧縮応力が増大する原因について鋭意研究を行った。まず、成膜後のマスクブランクの保管方法に原因がないかを確認するため、種々の保管ケースおよび保管方法で検証したが、いずれの場合も、マスクブランクの主表面の平坦度が悪化しており、明確な相関性は得られなかった。次に、主表面の平坦度が凸形状の方向に悪化したマスクブランクに対して、ホットプレートを用いて加熱処理を行ってみた。加熱処理の条件は、200℃で5分程度とした。この加熱処理を行うと、一時的には主表面の凸形状が多少良好な方向に変化した。しかし、加熱処理後、時間が経過するとマスクブランクの主表面の平坦度が再び悪化していき、根本的な解決には至らないことがわかった。
(実施例1)
[マスクブランクの製造]
従来から使用されている製造方法(スート法)で製造された合成石英インゴットに対し、1000℃以上で2時間以上、加熱処理を行った。次に、加熱処理後の合成石英インゴットから、縦および横の寸法が、約152mm×152mmで、厚さが6.85mmの合成石英からなるガラス基板を切り出し、面取り面を適宜形成した。
次に、得られたマスクブランクを用いて、以下の手順で実施例1の転写用マスクを作製した。
作製した転写用マスクセットを用い、ArFエキシマレーザーを露光光とする露光装置を用い、ダブルパターニング技術を適用し、半導体デバイス上のレジスト膜に22nmノードの微細パターンを露光転写した。露光後の半導体デバイス上のレジスト膜に所定の現像処理を行い、レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして、下層膜をドライエッチングし、回路パターンを形成した。半導体デバイスに形成した回路パターンを確認したところ、重ね合わせ精度不足に起因する回路パターンの配線短絡および断線はなかった。
[マスクブランクの製造]
実施例1と同様の手順により、最終研磨工程後のガラス基板を準備した。このガラス基板に対し、実施例1のような加熱処理は行わずに、洗剤による洗浄と、純水によるリンス洗浄とを行い、さらに、大気中でXeエキシマランプを照射し、紫外線と、その紫外線によって発生するO3とによって主表面の洗浄を行った。洗浄後のガラス基板に、実施例1と同様の成膜条件で、遮光膜30を成膜した。成膜直後の段階で、遮光膜30を備えるマスクブランクに対して、ガラス基板主表面上の遮光膜30の表面における平坦度を平坦度測定装置UltraFLAT 200M(Corning TOROPEL社製)で測定した。また、同条件で製造したマスクブランクに対して、HFS/RBS分析を行った結果、TaN膜中の水素含有量は検出下限値以下であった。
次に、得られたマスクブランクを用いて、実施例1と同様の手順で比較例1の転写用マスクを作製した。作製した比較例1の転写用マスクに対し、マスクブランクに対して行ったのと同条件(炉内の気体を窒素に置換し、加熱温度300℃、1時間の加熱処理)で加速試験を行った。なお、加速試験の前後で、転写用マスクの面内所定部分におけるパターン幅およびスペース幅をそれぞれ測定していた。加速試験の前後における、パターン幅およびスペース幅の変動幅は、いずれも大きく、少なくとも22nmノード用のダブルパターニング技術が適用される転写用マスクでは明らかに許容範囲外であった。このため、同様の手順で、ダブルパターニング技術を用いて22nmノードの微細なパターンを2つの比較的疎な転写パターンに分割したもののうちのもう一方の転写パターンを有する転写用マスクを作製して転写用マスクセットを作製したとしても、重ね合わせ精度が低く、ダブルパターニング用の転写用マスクセットとしては使用できない。
2 下層(TaN層)
2a 下層パターン
3 上層(TaO層)
3a 上層パターン
4,4a,4b,4c タンタル高酸化層
5 レジスト膜
11 処理室
12 光源ユニット
14 載置台
15 ユニットフレーム
16 ハロゲンヒーター
17,18 反射板
30 遮光膜
30a 遮光部
30b 透光部
Claims (10)
- 主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、
準備された前記ガラス基板に対し、赤外域の波長を含んだ光を照射する光加熱処理を行う工程と、
前記光加熱処理後の前記ガラス基板の主表面上にタンタルを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなる薄膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 主表面に対して鏡面研磨を行ったガラス基板を準備する工程と、
準備された前記ガラス基板に対し、赤外域の波長を含んだ光を照射する光加熱処理を行う工程と、
前記光加熱処理後の前記ガラス基板を成膜室内に設置し、タンタルを含有するターゲットを用い、水素を含有しないスパッタリングガスを成膜室内に導入し、前記ガラス基板の主表面上にスパッタリング法によって薄膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記光加熱処理で前記ガラス基板に照射する光は、1.3μm以上の波長を含んでいることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記光加熱処理で前記ガラス基板に照射する光は、1.38μm、2.22μm、および2.72μmのうち、少なくともいずれかの波長を含んでいることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記光加熱処理は、ハロゲンヒーターから発する光を前記ガラス基板に照射する処理であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、前記ガラス基板の主表面に接して形成されることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜は、前記ガラス基板側から下層と上層とが積層する構造を有し、前記下層は、タンタルと窒素とを含有し、かつ水素を実質的に含有しない材料からなり、前記上層は、タンタルと酸素とを含有する材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクを用い、前記マスクブランクの前記薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- 請求項9に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体基板上のレジスト膜に前記転写パターンを露光転写することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269792A JP5896402B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
KR1020120141905A KR102067290B1 (ko) | 2011-12-09 | 2012-12-07 | 마스크 블랭크의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269792A JP5896402B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013120385A true JP2013120385A (ja) | 2013-06-17 |
JP5896402B2 JP5896402B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=48773029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269792A Active JP5896402B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5896402B2 (ja) |
KR (1) | KR102067290B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113311660A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-08-27 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3528042B2 (ja) | 2000-01-24 | 2004-05-17 | ウシオ電機株式会社 | 光加熱装置 |
JP4213412B2 (ja) | 2002-06-26 | 2009-01-21 | 東ソー株式会社 | 真空紫外光用合成石英ガラス、その製造方法及びこれを用いた真空紫外光用マスク基板 |
JP4407815B2 (ja) | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
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JP4845978B2 (ja) | 2008-02-27 | 2011-12-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスク並びにフォトマスクの製造方法 |
-
2011
- 2011-12-09 JP JP2011269792A patent/JP5896402B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-07 KR KR1020120141905A patent/KR102067290B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5896402B2 (ja) | 2016-03-30 |
KR20130065616A (ko) | 2013-06-19 |
KR102067290B1 (ko) | 2020-01-16 |
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