JP2013115760A5 - - Google Patents

Description

上記の目的を達成するため、本発明のドハティ増幅器は、入力信号を第１及び第２の入力信号に分配する分配回路と、同一のパッケージ内に、第１のトランジスタと、第1の内部変換回路とが設けられた構成を備え、前記第１の入力信号を増幅するキャリアアンプと、前記同一のパッケージ内に、前記第１のトランジスタと異なる飽和出力をなす第２のトランジスタと、前記第１の内部変換回路の出力インピーダンスとは異なる出力インピーダンスに変換する第２の内部変換回路とが設けられた構成を備え、前記第２の入力信号を増幅するピークアンプと、前記キャリアアンプから出力された第１の出力信号と、前記ピークアンプから出力された第２の出力信号とを合成する合成回路と、を備える。

また、本発明のドハティ増幅器は、入力信号を第１及び第２の入力信号に分配する分配回路と、前記第１の入力信号を増幅し、所定の出力インピーダンスを有し、半導体デバイスと、前記半導体デバイスの出力インピーダンスを単一段で前記所定の出力インピーダンスに変換する第1の内部変換回路とを備えるキャリアアンプと、前記第２の入力信号を増幅し、前記キャリアアンプとは異なる所定の出力インピーダンスを有し、半導体デバイスと、前記半導体デバイスの出力インピーダンスを単一段で前記所定の出力インピーダンスに変換する第２の内部変換回路とを備えるピークアンプと、前記キャリアアンプから出力された第１の出力信号と、前記ピークアンプから出力された第２の出力信号とを合成する合成回路と、前記キャリアアンプと前記合成回路の間に接続された第１の外部変換回路と、前記ピークアンプと前記合成回路の間に接続され、前記第１の外部変換回路と同じ回路構成を有する第２の外部変換回路と、を備える。

Claims (6)

1. 入力信号を第１及び第２の入力信号に分配する分配回路と、
   同一のパッケージ内に、第１のトランジスタと、第1の内部変換回路とが設けられた構成を備え、前記第１の入力信号を増幅するキャリアアンプと、
   前記同一のパッケージ内に、前記第１のトランジスタと異なる飽和出力をなす第２のトランジスタと、前記第１の内部変換回路の出力インピーダンスとは異なる出力インピーダンスに変換する第２の内部変換回路とが設けられた構成を備え、前記第２の入力信号を増幅するピークアンプと、
   前記キャリアアンプから出力された第１の出力信号と、前記ピークアンプから出力された第２の出力信号とを合成する合成回路と、を備えることを特徴とするドハティ増幅器。
2. 前記キャリアアンプと前記合成回路の間に接続された第１の外部変換回路と、前記ピークアンプと前記合成回路の間に接続され、前記第１の外部変換回路と同じ回路構成を有する第２の外部変換回路と、を備えることを特徴とする請求項１に記載のドハティ増幅器。
3. 前記第１の外部変換回路に接続され、前記第１の外部変換回路の出力インピーダンスを補正する第１の補正線路と、
   前記第２の外部変換回路に接続され、前記第２の外部変換回路の出力インピーダンスを補正する第２の補正線路と、をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のドハティ増幅器。
4. 前記第１及び第２のトランジスタは、同一の基板上に設けられた単一の半導体チップで構成されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のドハティ増幅器。
5. 前記第１及び第２の内部変換回路が、同一の誘電体基板に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のドハティ増幅器。
6. 入力信号を第１及び第２の入力信号に分配する分配回路と、
   前記第１の入力信号を増幅し、所定の出力インピーダンスを有し、半導体デバイスと、前記半導体デバイスの出力インピーダンスを単一段で前記所定の出力インピーダンスに変換する第1の内部変換回路とを備えるキャリアアンプと、
   前記第２の入力信号を増幅し、前記キャリアアンプとは異なる所定の出力インピーダンスを有し、半導体デバイスと、前記半導体デバイスの出力インピーダンスを単一段で前記所定の出力インピーダンスに変換する第２の内部変換回路とを備えるピークアンプと、
   前記キャリアアンプから出力された第１の出力信号と、前記ピークアンプから出力された第２の出力信号とを合成する合成回路と、
   前記キャリアアンプと前記合成回路の間に接続された第１の外部変換回路と、前記ピークアンプと前記合成回路の間に接続され、前記第１の外部変換回路と同じ回路構成を有する第２の外部変換回路と、を備えることを特徴とするドハティ増幅器。