JP2013114069A - Liquid crystal display device - Google Patents

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陽一 浅川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device that can improve the display quality.SOLUTION: A liquid crystal display device comprises: a first substrate; a second substrate; and a liquid crystal layer. The first substrate includes: a switching element disposed for each of pixels; a common electrode formed across the plural pixels; an insulation film disposed on the common electrode and having a penetration hole penetrating to reach the common electrode; a pixel electrode which is electrically connected to the switching element, the pixel electrode being provided for each pixel to face the common electrode on the insulation film, and having a slit on the penetration hole; and a first alignment film covering the pixel electrode and the common electrode which is exposed from the insulation film at the penetration hole. The second substrate includes a second alignment film facing the first alignment film. The liquid crystal layer is held between the first alignment film of the first substrate and the second alignment film of the second substrate.

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。   Embodiments described herein relate generally to a liquid crystal display device.

液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのOA機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。   Liquid crystal display devices are utilized in various fields as display devices for OA equipment such as personal computers and televisions, taking advantage of features such as light weight, thinness, and low power consumption. In recent years, liquid crystal display devices are also used as mobile terminal devices such as mobile phones, display devices such as car navigation devices and game machines.

近年では、Fringe Field Switching(FFS)モードやIn−Plane Switching(IPS)モードの液晶表示パネルが実用化されている。このようなFFSモードやIPSモードの液晶表示パネルは、画素電極及び共通電極を備えたアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を保持した構成である。   In recent years, liquid crystal display panels in a fringe field switching (FFS) mode and an in-plane switching (IPS) mode have been put into practical use. Such an FFS mode or IPS mode liquid crystal display panel has a configuration in which a liquid crystal layer is held between an array substrate including a pixel electrode and a common electrode and a counter substrate.

このようなFFSモードやIPSモードの構成においては、画素電極と共通電極とで電極構造が液晶層に対して非対称である。このため、液晶層に含まれる不純物イオンなどがアレイ基板の表面に吸着したり、画素電極を覆っている(あるいは液晶層に接している)配向膜がチャージアップしたりした場合には、画素電極から配向膜への電荷の注入や、配向膜を介した画素電極への放電が生じやすく、画素電極側では電荷が減少する傾向を呈する。これに対して、共通電極側では、画素電極との間に介在する絶縁膜が電荷を通さないため、アレイ基板表面での不純物イオンの吸着や配向膜のチャージアップに起因して、電荷が蓄積される傾向を呈する。   In such an FFS mode or IPS mode configuration, the electrode structure of the pixel electrode and the common electrode is asymmetric with respect to the liquid crystal layer. Therefore, when the impurity ions contained in the liquid crystal layer are adsorbed on the surface of the array substrate, or the alignment film covering the pixel electrode (or in contact with the liquid crystal layer) is charged up, the pixel electrode The charge tends to be injected into the alignment film or discharged to the pixel electrode through the alignment film, and the charge tends to decrease on the pixel electrode side. On the other hand, on the common electrode side, since the insulating film interposed between the pixel electrodes does not pass charges, charges accumulate due to adsorption of impurity ions on the surface of the array substrate and charge up of the alignment film. Presents a tendency to be

これにより、画素電極−共通電極間に電位差を形成するような電圧が印加されていない状態であっても、電荷の非対称性によってDCが印加された状態となり、いわゆる焼き付きといった表示品位の低下を招くおそれがある。   As a result, even when a voltage that forms a potential difference between the pixel electrode and the common electrode is not applied, a DC is applied due to the asymmetry of the charge, resulting in a deterioration in display quality such as so-called burn-in. There is a fear.

特開2008−216858号公報JP 2008-216858 A

本実施形態の目的は、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することにある。   An object of the present embodiment is to provide a liquid crystal display device capable of improving display quality.

本実施形態によれば、
各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
Insulation in which a switching element disposed in each pixel, a common electrode formed over a plurality of pixels, and an insulating film disposed on the common electrode and having a through-hole penetrating to the common electrode A pixel electrode electrically connected to the switching element and formed on each of the pixels on the insulating film and facing the common electrode and having a slit formed on the through hole; A first substrate including a pixel electrode and a first alignment film covering the common electrode exposed from the insulating film by the through-hole, and a second substrate including a second alignment film facing the first alignment film And a liquid crystal layer held between the first alignment film of the first substrate and the second alignment film of the second substrate.

本実施形態によれば、
第1方向に沿って延出したゲート配線と、第1方向に直交する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記ゲート配線及び前記第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された共通電極と、前記第1層間絶縁膜及び前記共通電極の上に配置され第1ソース配線と前記第2ソース配線との間において前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記第2層間絶縁膜の上において前記共通電極と向かい合い前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記第2層間絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置が提供される。
According to this embodiment,
A gate line extending along the first direction, a first source line and a second source line extending along a second direction orthogonal to the first direction, the gate line and the first source line, An electrically connected switching element, a first interlayer insulating film covering the switching element, a common electrode formed on the first interlayer insulating film, and on the first interlayer insulating film and the common electrode A second interlayer insulating film having a through-hole formed between the first source wiring and the second source wiring and penetrating to the common electrode; and penetrating the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film A pixel electrode electrically connected to the switching element through a contact hole and facing the common electrode on the second interlayer insulating film and having a slit formed in the through hole; A first substrate including a pixel electrode and a first alignment film that covers the common electrode exposed from the second interlayer insulating film by the through-hole, and a second alignment film facing the first alignment film. A liquid crystal display device comprising: a second substrate; and a liquid crystal layer held between the first alignment film of the first substrate and the second alignment film of the second substrate. Provided.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの構成及び等価回路を概略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel constituting the liquid crystal display device of the present embodiment. 図2は、図1に示したアレイ基板における画素の構造を対向基板の側から見た概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of the pixel structure in the array substrate shown in FIG. 1 as viewed from the counter substrate side. 図3は、図1に示した液晶表示パネルの断面構造を概略的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel shown in FIG. 図4は、図3において共通電極から画素電極に至るまでの経路を図中のA−B線で展開した断面図である。4 is a cross-sectional view in which the path from the common electrode to the pixel electrode in FIG. 3 is developed along line AB in the drawing.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same reference numerals are given to components that exhibit the same or similar functions, and duplicate descriptions are omitted.

図1は、本実施形態の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルLPNの構成及び等価回路を概略的に示す図である。   FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration and an equivalent circuit of a liquid crystal display panel LPN constituting the liquid crystal display device of the present embodiment.

すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの透過型の液晶表示パネルLPNを備えている。液晶表示パネルLPNは、第1基板であるアレイ基板ARと、アレイ基板ARに対向して配置された第2基板である対向基板CTと、これらのアレイ基板ARと対向基板CTとの間に保持された液晶層LQと、を備えている。このような液晶表示パネルLPNは、画像を表示するアクティブエリアACTを備えている。このアクティブエリアACTは、m×n個のマトリクス状に配置された複数の画素PXによって構成されている(但し、m及びnは正の整数である)。   That is, the liquid crystal display device includes an active matrix transmissive liquid crystal display panel LPN. The liquid crystal display panel LPN is held between the array substrate AR, which is the first substrate, the counter substrate CT, which is the second substrate disposed to face the array substrate AR, and the array substrate AR and the counter substrate CT. Liquid crystal layer LQ. Such a liquid crystal display panel LPN includes an active area ACT for displaying an image. This active area ACT is composed of a plurality of pixels PX arranged in an m × n matrix (where m and n are positive integers).

アレイ基板ARは、アクティブエリアACTにおいて、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出したn本のゲート配線G(G1〜Gn)及びn本の容量線C(C1〜Cn)、第1方向Xに直交する第2方向Yに沿ってそれぞれ延出したm本のソース配線S(S1〜Sm)、各画素PXにおいてゲート配線G及びソース配線Sと電気的に接続されたスイッチング素子SW、各画素PXにおいてスイッチング素子SWに各々電気的に接続された画素電極PE、画素電極PEと向かい合う共通電極CEなどを備えている。   In the active area ACT, the array substrate AR includes n gate wirings G (G1 to Gn) and n capacitance lines C (C1 to Cn) that extend in the first direction X in the first direction X, respectively. M source lines S (S1 to Sm) extending along a second direction Y orthogonal to each other, the switching element SW electrically connected to the gate line G and the source line S in each pixel PX, and each pixel PX , The pixel electrode PE electrically connected to the switching element SW, the common electrode CE facing the pixel electrode PE, and the like are provided.

共通電極CEは、複数の画素PXに亘って共通に形成されている。画素電極PEは、各画素PXにおいて島状に形成されている。   The common electrode CE is formed in common across the plurality of pixels PX. The pixel electrode PE is formed in an island shape in each pixel PX.

各ゲート配線Gは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ゲートドライバGDに接続されている。各ソース配線Sは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、ソースドライバSDに接続されている。各容量線Cは、アクティブエリアACTの外側に引き出され、補助容量電圧が供給される電圧印加部VCSと電気的に接続されている。共通電極CEは、コモン電圧が供給される給電部VSと電気的に接続されている。ゲートドライバGD及びソースドライバSDは、例えばその少なくとも一部がアレイ基板ARに形成され、駆動ICチップ2と接続されている。図示した例では、液晶表示パネルLPNを駆動するのに必要な信号源としての駆動ICチップ2は、液晶表示パネルLPNのアクティブエリアACTの外側において、アレイ基板ARに実装されている。   Each gate line G is drawn outside the active area ACT and connected to the gate driver GD. Each source line S is drawn outside the active area ACT and connected to the source driver SD. Each capacitance line C is drawn out of the active area ACT and is electrically connected to a voltage application unit VCS to which an auxiliary capacitance voltage is supplied. The common electrode CE is electrically connected to a power supply unit VS to which a common voltage is supplied. For example, at least a part of the gate driver GD and the source driver SD is formed on the array substrate AR, and is connected to the driving IC chip 2. In the illustrated example, the driving IC chip 2 as a signal source necessary for driving the liquid crystal display panel LPN is mounted on the array substrate AR outside the active area ACT of the liquid crystal display panel LPN.

また、図示した例の液晶表示パネルLPNは、FFSモードあるいはIPSモードに適用可能な構成であり、アレイ基板ARに画素電極PE及び共通電極CEを備えている。このような構成の液晶表示パネルLPNでは、画素電極PE及び共通電極CEの間に形成される横電界(例えば、フリンジ電界のうちの基板の主面にほぼ平行な電界)を主に利用して液晶層LQを構成する液晶分子をスイッチングする。   Further, the liquid crystal display panel LPN of the illustrated example has a configuration applicable to the FFS mode or the IPS mode, and includes a pixel electrode PE and a common electrode CE on the array substrate AR. In the liquid crystal display panel LPN having such a configuration, a horizontal electric field (for example, an electric field substantially parallel to the main surface of the substrate in the fringe electric field) formed between the pixel electrode PE and the common electrode CE is mainly used. The liquid crystal molecules constituting the liquid crystal layer LQ are switched.

図2は、図1に示したアレイ基板ARにおける画素PXの構造を対向基板CTの側から見た概略平面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。   FIG. 2 is a schematic plan view of the structure of the pixel PX in the array substrate AR shown in FIG. 1 as viewed from the counter substrate CT side. Here, only main parts necessary for the description are shown.

ゲート配線G1及びG2は、第1方向Xに沿ってそれぞれ延出している。このようなゲート配線G1及びG2は、第2方向Yに沿って第1ピッチで配置されている。ソース配線S1及びS2は、第2方向Yに沿ってそれぞれ延出している。このようなソース配線S1及びS2は、第1方向Xに沿って第1ピッチよりも小さい第2ピッチで配置されている。ゲート配線G1及びG2とソース配線S1及びS2とで規定された画素PXは、第1方向Xに沿った長さが第2方向Yに沿った長さよりも短い縦長の長方形状である。つまり、画素PXの第2方向Yに沿った長さはゲート配線間の第1ピッチに相当し、画素PXの第1方向Xに沿った長さはソース配線間の第2ピッチに相当する。   The gate lines G1 and G2 extend along the first direction X, respectively. Such gate lines G1 and G2 are arranged along the second direction Y at the first pitch. The source lines S1 and S2 extend along the second direction Y, respectively. Such source lines S1 and S2 are arranged along the first direction X at a second pitch smaller than the first pitch. The pixel PX defined by the gate lines G1 and G2 and the source lines S1 and S2 has a vertically long rectangular shape whose length along the first direction X is shorter than the length along the second direction Y. That is, the length of the pixel PX along the second direction Y corresponds to the first pitch between the gate lines, and the length of the pixel PX along the first direction X corresponds to the second pitch between the source lines.

なお、図中では、スイッチング素子の図示を省略しているが、図中の左側の画素PXにおいては、例えば、スイッチング素子は、ゲート配線G2とソース配線S1との交差部付近に配置され、ゲート配線G2及びソース配線S1と電気的に接続されている。   Although illustration of the switching element is omitted in the figure, in the pixel PX on the left side in the figure, for example, the switching element is arranged near the intersection of the gate wiring G2 and the source wiring S1, and the gate The wiring G2 and the source wiring S1 are electrically connected.

共通電極CEは、第1方向Xに沿って延在している。すなわち、共通電極CEは、各画素PXに配置されるとともにソース配線Sの上方を跨いで、第1方向Xに隣接する複数の画素PXに亘って共通に形成されている。   The common electrode CE extends along the first direction X. That is, the common electrode CE is disposed in each pixel PX and is formed in common over a plurality of pixels PX adjacent to each other in the first direction X across the source line S.

各画素PXの画素電極PEは、共通電極CEの上方に配置されている。各画素電極PEは、各画素PXにおいて長方形状の画素形状に対応した島状に形成されている。図示した例では、画素電極PEは、第1方向Xに沿った短辺と、第2方向Yに沿った長辺と、を有する概略長方形状に形成されている。このような各画素電極PEには、共通電極CEと向かい合う複数のスリットPSLが形成されている。図示した例では、スリットPSLのそれぞれは、第2方向Yに沿って延出しており、第2方向Yと平行な長軸を有している。画素電極PEとソース配線S1及びS2との位置関係に着目すると、画素電極PEのスリットPSLは、いずれもソース配線S1とソース配線S2との間に位置している。また、いずれのスリットPSLも共通電極CEの上方に位置している。   The pixel electrode PE of each pixel PX is disposed above the common electrode CE. Each pixel electrode PE is formed in an island shape corresponding to a rectangular pixel shape in each pixel PX. In the illustrated example, the pixel electrode PE is formed in a substantially rectangular shape having a short side along the first direction X and a long side along the second direction Y. Each pixel electrode PE has a plurality of slits PSL facing the common electrode CE. In the illustrated example, each of the slits PSL extends along the second direction Y and has a long axis parallel to the second direction Y. Focusing on the positional relationship between the pixel electrode PE and the source wirings S1 and S2, the slits PSL of the pixel electrode PE are both located between the source wiring S1 and the source wiring S2. Further, all the slits PSL are located above the common electrode CE.

図3は、図1に示した液晶表示パネルLPNの断面構造を概略的に示す図である。   FIG. 3 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of the liquid crystal display panel LPN shown in FIG.

すなわち、アレイ基板ARは、ガラス基板などの光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。このアレイ基板ARは、第1絶縁基板10の内面(すなわち対向基板CTに対向する側)10Aにスイッチング素子SW、共通電極CE、画素電極PEなどを備えている。   That is, the array substrate AR is formed by using a first insulating substrate 10 having light transparency such as a glass substrate. The array substrate AR includes a switching element SW, a common electrode CE, a pixel electrode PE, and the like on the inner surface 10A of the first insulating substrate 10 (that is, the side facing the counter substrate CT).

ここに示したスイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)である。このスイッチング素子SWは、ポリシリコンやアモルファスシリコンによって形成された半導体層を備えている。なお、スイッチング素子SWは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良いが、図示した例では、トップゲート型を採用している。   The switching element SW shown here is, for example, a thin film transistor (TFT). The switching element SW includes a semiconductor layer formed of polysilicon or amorphous silicon. The switching element SW may be either a top gate type or a bottom gate type, but the top gate type is adopted in the illustrated example.

すなわち、スイッチング素子SWは、第1絶縁基板10の上に配置されたポリシリコンからなる半導体層SCを備えている。なお、第1絶縁基板10と半導体層SCとの間に絶縁膜からなるアンダーコート層が介在していても良い。この半導体層SCは、第1絶縁膜11によって覆われている。また、この第1絶縁膜11は、第1絶縁基板10の上にも配置されている。   In other words, the switching element SW includes a semiconductor layer SC made of polysilicon disposed on the first insulating substrate 10. An undercoat layer made of an insulating film may be interposed between the first insulating substrate 10 and the semiconductor layer SC. The semiconductor layer SC is covered with the first insulating film 11. The first insulating film 11 is also disposed on the first insulating substrate 10.

スイッチング素子SWのゲート電極WGは、第1絶縁膜11の上に形成され、半導体層SCの直上に位置している。このゲート電極WGは、図示しないゲート配線に電気的に接続され、第2絶縁膜12によって覆われている。また、この第2絶縁膜12は、第1絶縁膜11の上にも配置されている。   The gate electrode WG of the switching element SW is formed on the first insulating film 11 and is located immediately above the semiconductor layer SC. The gate electrode WG is electrically connected to a gate wiring (not shown) and is covered with the second insulating film 12. The second insulating film 12 is also disposed on the first insulating film 11.

スイッチング素子SWのソース電極WS及びドレイン電極WDは、第2絶縁膜12の上に形成されている。また、ソース配線S1及びS2も同様に第2絶縁膜12の上に形成されている。ソース電極WSは、ソース配線S1に電気的に接続されている。これらのソース電極WS及びドレイン電極WDは、それぞれ第1絶縁膜11及び第2絶縁膜12を貫通するコンタクトホールを通して半導体層SCにコンタクトしている。このような構成のスイッチング素子SWは、ソース配線S1及びS2とともに第3絶縁膜13によって覆われている。この第3絶縁膜13は、第2絶縁膜12の上にも配置されている。この第3絶縁膜13には、ドレイン電極WDまで貫通した第1コンタクトホールCH1が形成されている。このような第3絶縁膜13は、スイッチング素子SWを覆う第1層間絶縁膜として機能する。なお、第3絶縁膜13は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。   The source electrode WS and the drain electrode WD of the switching element SW are formed on the second insulating film 12. Similarly, the source lines S1 and S2 are formed on the second insulating film 12. The source electrode WS is electrically connected to the source line S1. The source electrode WS and the drain electrode WD are in contact with the semiconductor layer SC through contact holes that penetrate the first insulating film 11 and the second insulating film 12, respectively. The switching element SW having such a configuration is covered with the third insulating film 13 together with the source lines S1 and S2. The third insulating film 13 is also disposed on the second insulating film 12. In the third insulating film 13, a first contact hole CH1 penetrating to the drain electrode WD is formed. Such a third insulating film 13 functions as a first interlayer insulating film that covers the switching element SW. The third insulating film 13 is made of, for example, a transparent resin material.

共通電極CEは、第3絶縁膜13の上に形成されている。なお、この共通電極CEは、第3絶縁膜13に形成された第1コンタクトホールCH1には延出していない。このような共通電極CEは、透明な導電材料、例えば、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などによって形成されている。この共通電極CEの上には、第4絶縁膜14が配置されている。また、この第4絶縁膜14は、第3絶縁膜13の上にも配置されている。   The common electrode CE is formed on the third insulating film 13. The common electrode CE does not extend to the first contact hole CH1 formed in the third insulating film 13. Such a common electrode CE is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). A fourth insulating film 14 is disposed on the common electrode CE. The fourth insulating film 14 is also disposed on the third insulating film 13.

このような第4絶縁膜14には、ソース配線S1とソース配線S2との間において、共通電極CEまで貫通した複数の貫通孔THが形成されている。この貫通孔THは、後述する画素電極PEのスリットPSLに対応して形成され、第2方向Yに沿って直線的に延出している。このような貫通孔THは、例えば、第4絶縁膜14の上面14Tから下方つまり共通電極CEに向かうにしたがって径あるいは幅が小さくなっている。換言すると、貫通孔THの間に位置する第4絶縁膜14は、共通電極CEに接している面から上面14Tに向かうにしたがって幅が小さくなるテーパー状に形成されている。なお、貫通孔THの間に位置する第4絶縁膜14の上面14Tは略平坦である。   In the fourth insulating film 14, a plurality of through holes TH penetrating to the common electrode CE are formed between the source wiring S <b> 1 and the source wiring S <b> 2. The through hole TH is formed corresponding to a slit PSL of the pixel electrode PE described later, and extends linearly along the second direction Y. Such a through hole TH has a diameter or width that decreases from the upper surface 14T of the fourth insulating film 14 downward, that is, toward the common electrode CE, for example. In other words, the fourth insulating film 14 located between the through holes TH is formed in a tapered shape whose width decreases from the surface in contact with the common electrode CE toward the upper surface 14T. Note that the upper surface 14T of the fourth insulating film 14 located between the through holes TH is substantially flat.

また、この第4絶縁膜14は、第1コンタクトホールCH1の一部を覆っている。この第4絶縁膜14の第1コンタクトホールCH1を覆っている部分においては、ドレイン電極WDまで貫通した第2コンタクトホールCH2が形成されている。このような第4絶縁膜14は、第2層間絶縁膜として機能する。なお、第4絶縁膜14は、例えば、シリコン窒化物(SiNx)によって形成されている。   The fourth insulating film 14 covers a part of the first contact hole CH1. In a portion of the fourth insulating film 14 covering the first contact hole CH1, a second contact hole CH2 penetrating to the drain electrode WD is formed. Such a fourth insulating film 14 functions as a second interlayer insulating film. The fourth insulating film 14 is made of, for example, silicon nitride (SiNx).

画素電極PEは、第4絶縁膜14の上に形成され、共通電極CEと向かい合っている。この画素電極PEは、第3絶縁膜13を貫通する第1コンタクトホールCH1及び第4絶縁膜14を貫通する第2コンタクトホールCH2を介してスイッチング素子SWのドレイン電極WDに電気的に接続されている。また、この画素電極PEには、第4絶縁膜14の貫通孔TH上にスリットPSLが形成されている。つまり、画素電極PEは、第4絶縁膜14の上面14Tに位置している一方で、貫通孔THには延在していない。このため、貫通孔THにおいては、共通電極CEは、第4絶縁膜14及び画素電極PEから露出している。この画素電極PEは、透明な導電材料、例えば、ITOやIZOなどによって形成されている。   The pixel electrode PE is formed on the fourth insulating film 14 and faces the common electrode CE. The pixel electrode PE is electrically connected to the drain electrode WD of the switching element SW through the first contact hole CH1 that penetrates the third insulating film 13 and the second contact hole CH2 that penetrates the fourth insulating film 14. Yes. In the pixel electrode PE, a slit PSL is formed on the through hole TH of the fourth insulating film 14. That is, the pixel electrode PE is located on the upper surface 14T of the fourth insulating film 14, but does not extend to the through hole TH. Therefore, in the through hole TH, the common electrode CE is exposed from the fourth insulating film 14 and the pixel electrode PE. The pixel electrode PE is formed of a transparent conductive material, for example, ITO or IZO.

なお、第4絶縁膜14の貫通孔TH及び画素電極PEのスリットPSLは、エッチングなどの手法により一括して形成することが可能である。   Note that the through hole TH of the fourth insulating film 14 and the slit PSL of the pixel electrode PE can be collectively formed by a technique such as etching.

このような画素電極PEは、第1配向膜AL1によって覆われている。この第1配向膜AL1は、貫通孔THにおいて第4絶縁膜14から露出した共通電極CEも覆っている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成され、アレイ基板ARの液晶層LQに接する面に配置されている。   Such a pixel electrode PE is covered with the first alignment film AL1. The first alignment film AL1 also covers the common electrode CE exposed from the fourth insulating film 14 in the through hole TH. Such a first alignment film AL1 is formed of a material exhibiting horizontal alignment and is disposed on a surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the array substrate AR.

一方、対向基板CTは、ガラス基板などの光透過性を有する第2絶縁基板30を用いて形成されている。この対向基板CTは、第2絶縁基板30の内面(すなわちアレイ基板ARに対向する側)30Aに、各画素PXを区画するブラックマトリクス31、カラーフィルタ32、オーバーコート層33などを備えている。   On the other hand, the counter substrate CT is formed using a second insulating substrate 30 having optical transparency such as a glass substrate. The counter substrate CT includes a black matrix 31, a color filter 32, an overcoat layer 33, and the like that partition each pixel PX on the inner surface 30A of the second insulating substrate 30 (that is, the side facing the array substrate AR).

ブラックマトリクス31は、第2絶縁基板30の内面30Aにおいて、アレイ基板ARに設けられたゲート配線Gやソース配線S、さらにはスイッチング素子SWなどの配線部に対向するように形成されている。   The black matrix 31 is formed on the inner surface 30 </ b> A of the second insulating substrate 30 so as to face the gate wiring G and the source wiring S provided on the array substrate AR, and further to the wiring section such as the switching element SW.

カラーフィルタ32は、第2絶縁基板30の内面30Aに形成され、ブラックマトリクス31の上にも延在している。このカラーフィルタ32は、互いに異なる複数の色、例えば赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。異なる色のカラーフィルタ32間の境界は、ブラックマトリクス31上に位置している。   The color filter 32 is formed on the inner surface 30 </ b> A of the second insulating substrate 30 and extends also on the black matrix 31. The color filter 32 is formed of a resin material colored in a plurality of different colors, for example, three primary colors such as red, blue, and green. The boundary between the color filters 32 of different colors is located on the black matrix 31.

オーバーコート層33は、カラーフィルタ32を覆っている。このオーバーコート層33は、ブラックマトリクス31やカラーフィルタ32の表面の凹凸を平坦化する。このようなオーバーコート層33は、透明な樹脂材料によって形成されている。また、オーバーコート層33は、第2配向膜AL2によって覆われている。この第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成され、対向基板CTの液晶層LQに接する面に配置されている。   The overcoat layer 33 covers the color filter 32. The overcoat layer 33 flattens the surface irregularities of the black matrix 31 and the color filter 32. Such an overcoat layer 33 is formed of a transparent resin material. The overcoat layer 33 is covered with the second alignment film AL2. The second alignment film AL2 is formed of a material exhibiting horizontal alignment, and is disposed on the surface in contact with the liquid crystal layer LQ of the counter substrate CT.

上述したようなアレイ基板ARと対向基板CTとは、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が向かい合うように配置されている。このとき、アレイ基板ARと対向基板CTの間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ARと対向基板CTとは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層LQは、これらのアレイ基板ARの第1配向膜AL1と対向基板CTの第2配向膜AL2との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子LMを含む液晶組成物によって構成されている。   The array substrate AR and the counter substrate CT as described above are arranged so that the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 face each other. At this time, a predetermined cell gap is formed between the array substrate AR and the counter substrate CT by columnar spacers formed on one substrate. The array substrate AR and the counter substrate CT are bonded together with a sealing material in a state where a cell gap is formed. The liquid crystal layer LQ is composed of a liquid crystal composition including liquid crystal molecules LM sealed in a cell gap formed between the first alignment film AL1 of the array substrate AR and the second alignment film AL2 of the counter substrate CT. ing.

このような構成の液晶表示パネルLPNに対して、その背面側には、バックライトBLが配置されている。バックライトBLとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード(LED)を利用したものや冷陰極管(CCFL)を利用したものなどのいずれでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。   A backlight BL is arranged on the back side of the liquid crystal display panel LPN having such a configuration. As the backlight BL, various forms are applicable, and any of those using a light emitting diode (LED) or a cold cathode tube (CCFL) as a light source can be applied. The description of the structure is omitted.

アレイ基板ARの外面、すなわち第1絶縁基板10の外面10Bには、第1偏光板PL1を含む第1光学素子OD1が配置されている。また、対向基板CTの外面、すなわち第2絶縁基板30の外面30Bには、第2偏光板PL2を含む第2光学素子OD2が配置されている。第1偏光板PL1の第1偏光軸(あるいは第1吸収軸)と第2偏光板PL2の第2偏光軸(あるいは第2吸収軸)とは、例えば、クロスニコルの位置関係にある。   On the outer surface of the array substrate AR, that is, the outer surface 10B of the first insulating substrate 10, the first optical element OD1 including the first polarizing plate PL1 is disposed. The second optical element OD2 including the second polarizing plate PL2 is disposed on the outer surface of the counter substrate CT, that is, the outer surface 30B of the second insulating substrate 30. The first polarizing axis (or first absorption axis) of the first polarizing plate PL1 and the second polarizing axis (or second absorption axis) of the second polarizing plate PL2 are in a crossed Nicols positional relationship, for example.

第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、図2に示したように、基板主面(あるいは、X−Y平面)と平行な面内において、互いに平行な方位に配向処理(例えば、光配向処理)されている。第1配向膜AL1は、スリットPSLの長軸(図2に示した例では第2方向Y)に対して45°以下の鋭角に交差する方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1は、例えば、スリットPSLが延出した第2方向Yに対して5°〜15°の角度をもって交差する方向である。また、第2配向膜AL2は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方向に沿って配向処理されている。第1配向膜AL1の配向処理方向R1と第2配向膜AL2の配向処理方向R2とは互いに逆向きである。   As shown in FIG. 2, the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are aligned in directions parallel to each other in a plane parallel to the main surface of the substrate (or the XY plane) (for example, light Orientation treatment). The first alignment film AL1 is subjected to an alignment process along a direction intersecting an acute angle of 45 ° or less with respect to the major axis of the slit PSL (second direction Y in the example shown in FIG. 2). The alignment treatment direction R1 of the first alignment film AL1 is, for example, a direction that intersects the second direction Y in which the slits PSL extend with an angle of 5 ° to 15 °. Further, the second alignment film AL2 is subjected to an alignment process along a direction parallel to the alignment processing direction R1 of the first alignment film AL1. The alignment treatment direction R1 of the first alignment film AL1 and the alignment treatment direction R2 of the second alignment film AL2 are opposite to each other.

なお、このとき、第1偏光板PL1の第1偏光軸は、例えば、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と平行な方位に設定され、第2偏光板PL2の第2偏光軸は、第1配向膜AL1の配向処理方向R1と直交する方位に設定されている。   At this time, the first polarizing axis of the first polarizing plate PL1 is set, for example, in an orientation parallel to the alignment processing direction R1 of the first alignment film AL1, and the second polarizing axis of the second polarizing plate PL2 is The orientation is set to be orthogonal to the alignment treatment direction R1 of the one alignment film AL1.

第2配向膜AL2は、アクティブエリアACTの略全域に亘って略平坦であり、ラビング処理により略均一な配向処理が可能である。一方、第1配向膜AL1については、第4絶縁膜14の上面14Tに位置する画素電極PEに積層された部分と、第4絶縁膜14の貫通孔THで露出した共通電極CEに積層された部分とで段差が生じており、ラビング処理では均一に配向処理できないおそれがあるため、配向処理の手法として光配向処理を適用することが望ましい。   The second alignment film AL2 is substantially flat over substantially the entire area of the active area ACT, and a substantially uniform alignment process is possible by a rubbing process. On the other hand, the first alignment film AL1 is stacked on the portion stacked on the pixel electrode PE located on the upper surface 14T of the fourth insulating film 14 and the common electrode CE exposed in the through hole TH of the fourth insulating film 14. Since there is a difference in level between the portions and there is a possibility that the alignment treatment cannot be uniformly performed by the rubbing treatment, it is desirable to apply a photo-alignment treatment as a method of the alignment treatment.

図4は、図3において共通電極CEから画素電極PEに至るまでの経路を図中のA−B線で展開した断面図である。図中の(A)は、本実施形態に相当し、共通電極CEから貫通孔TH及びスリットPSLを通り画素電極PEに至るまでの経路の断面図に相当し、図中の(B)は、スリットPSLの直下に位置する第4絶縁膜14に共通電極CEに至る貫通孔を形成しなかった比較例に相当し、共通電極CEから第4絶縁膜14及びスリットPSLを通り画素電極PEに至るまでの経路の断面図に相当する。   4 is a cross-sectional view in which the path from the common electrode CE to the pixel electrode PE in FIG. 3 is developed along the line AB in the drawing. (A) in the figure corresponds to this embodiment, and corresponds to a cross-sectional view of a path from the common electrode CE to the pixel electrode PE through the through hole TH and the slit PSL, and (B) in the figure is This corresponds to a comparative example in which a through hole reaching the common electrode CE is not formed in the fourth insulating film 14 positioned immediately below the slit PSL, and reaches the pixel electrode PE from the common electrode CE through the fourth insulating film 14 and the slit PSL. It corresponds to a cross-sectional view of the route up to.

(A)で示した本実施形態においては、液晶層LQと画素電極PEとの間には第1配向膜AL1のみが介在し、液晶層LQと共通電極CEとの間にも第1配向膜AL1のみが介在している。つまり、液晶層LQに対して共通電極CE及び画素電極PEは、対称の電極構造となる。   In the present embodiment shown in (A), only the first alignment film AL1 is interposed between the liquid crystal layer LQ and the pixel electrode PE, and the first alignment film is also interposed between the liquid crystal layer LQ and the common electrode CE. Only AL1 is present. That is, the common electrode CE and the pixel electrode PE have a symmetrical electrode structure with respect to the liquid crystal layer LQ.

このため、液晶層LQに含まれる不純物イオンなどが第1配向膜AL1の表面に吸着したり、第1配向膜AL1がチャージアップしたりしたとしても、画素電極側及び共通電極側の双方で同様の電荷の注入あるいは放電を生じることになる。これにより、画素電極−共通電極間に電圧が印加されていない状態では、電荷の非対称性に起因したDCの印加を抑制することが可能となる。   For this reason, even if the impurity ions contained in the liquid crystal layer LQ are adsorbed on the surface of the first alignment film AL1 or the first alignment film AL1 is charged up, both the pixel electrode side and the common electrode side are the same. This causes the injection or discharge of electric charges. Thereby, in a state where no voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode, it is possible to suppress the application of DC due to the asymmetry of charges.

一方、(B)で示した比較例においては、液晶層LQと画素電極PEとの間には第1配向膜AL1のみが介在するのに対して、液晶層LQと共通電極CEとの間には第4絶縁膜14及び第1配向膜AL1が介在している。つまり、液晶層LQに対して共通電極CE及び画素電極PEは、非対称の電極構造となる。   On the other hand, in the comparative example shown in (B), only the first alignment film AL1 is interposed between the liquid crystal layer LQ and the pixel electrode PE, whereas between the liquid crystal layer LQ and the common electrode CE. Is interposed by the fourth insulating film 14 and the first alignment film AL1. That is, the common electrode CE and the pixel electrode PE have an asymmetric electrode structure with respect to the liquid crystal layer LQ.

このため、上記したように、画素電極側では電荷が減少する傾向を呈する一方で、共通電極側では電荷が蓄積される傾向を呈する。これにより、画素電極−共通電極間に電圧が印加されていない状態であっても、電荷の非対称性に起因したDCが印加された状態を形成してしまう。   For this reason, as described above, the charge tends to decrease on the pixel electrode side, while the charge tends to accumulate on the common electrode side. As a result, even when no voltage is applied between the pixel electrode and the common electrode, a state in which DC is applied due to charge asymmetry is formed.

つまり、共通電極CEと画素電極PEとの間に層間絶縁膜として第4絶縁膜が介在し、画素電極PE及びそのスリットPSLが共通電極CEの直上に位置する構成においては、第4絶縁膜14に、スリットPSLに対応した貫通孔THを設けないと、画素電極PEと共通電極CEとが非対称な電極構造となってしまい、この構造固有の課題(DCの印加)が生じてしまう。したがって、第4絶縁膜14にはスリットPSLに対応した貫通孔THを形成し、画素電極PEと共通電極とが対称な電極構造となることで、固有の課題を解消することが可能となる。   That is, in a configuration in which the fourth insulating film is interposed as an interlayer insulating film between the common electrode CE and the pixel electrode PE, and the pixel electrode PE and its slit PSL are located immediately above the common electrode CE, the fourth insulating film 14 In addition, if the through hole TH corresponding to the slit PSL is not provided, the pixel electrode PE and the common electrode CE have an asymmetric electrode structure, which causes a problem inherent to this structure (application of DC). Therefore, the through hole TH corresponding to the slit PSL is formed in the fourth insulating film 14, and the pixel electrode PE and the common electrode have a symmetrical electrode structure, so that the inherent problem can be solved.

以下に、上記構成の液晶表示装置における動作について説明する。   The operation of the liquid crystal display device having the above configuration will be described below.

画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されていないOFF時においては、液晶層LQに電圧が印加されていない状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間に電界が形成されていない。このため、液晶層LQに含まれる液晶分子LMは、図2に実線で示したように、X−Y平面内において、第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2の配向処理方向(R1及びR2)に初期配向する(液晶分子LMが初期配向する方向を初期配向方向と称する)。   When the voltage that forms a potential difference is not applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the voltage is not applied to the liquid crystal layer LQ when the voltage is not applied, and the pixel electrode PE and the common electrode CE No electric field is formed between the two. Therefore, the liquid crystal molecules LM included in the liquid crystal layer LQ are aligned in the alignment treatment directions (R1 and R2) of the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 in the XY plane as shown by the solid line in FIG. (The direction in which the liquid crystal molecules LM are initially aligned is referred to as the initial alignment direction).

OFF時には、バックライトBLからのバックライト光の一部は、第1偏光板PL1を透過し、液晶表示パネルLPNに入射する。液晶表示パネルLPNに入射した光は、第1偏光板PL1の第1偏光軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、OFF時の液晶表示パネルLPNを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルLPNを透過した直線偏光は、第1偏光板PL1に対してクロスニコルの位置関係にある第2偏光板PL2によって吸収される(黒表示)。   When OFF, a part of the backlight light from the backlight BL is transmitted through the first polarizing plate PL1 and enters the liquid crystal display panel LPN. The light incident on the liquid crystal display panel LPN is linearly polarized light orthogonal to the first polarization axis of the first polarizing plate PL1. Such a polarization state of linearly polarized light hardly changes when it passes through the liquid crystal display panel LPN in the OFF state. Therefore, the linearly polarized light transmitted through the liquid crystal display panel LPN is absorbed by the second polarizing plate PL2 having a crossed Nicol positional relationship with the first polarizing plate PL1 (black display).

また、このOFF時には、画素電極−共通電極間において、電荷の非対称性に起因したDCの印加が抑制されるため、いわゆる焼き付きといった表示不良の発生を抑制することができ、十分に透過率あるいは輝度が低下した黒表示を実現することが可能となる。また、黒表示の際の輝度を十分に低下することができるため、コントラスト比を向上することが可能となる。   In addition, during this OFF, the application of DC due to charge asymmetry is suppressed between the pixel electrode and the common electrode, so that it is possible to suppress the occurrence of display defects such as so-called burn-in, and sufficient transmittance or luminance It is possible to realize a black display in which the decrease is caused. In addition, since the luminance during black display can be sufficiently reduced, the contrast ratio can be improved.

一方、画素電極PEと共通電極CEとの間に電位差を形成するような電圧が印加されたON時においては、液晶層LQに電圧が印加された状態であり、画素電極PEと共通電極CEとの間にフリンジ電界が形成される。このため、液晶分子LMは、図2に破線で示したように、X−Y平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。ポジ型の液晶材料においては、液晶分子LMは、電界と略平行な方向(つまり、スリットPSLの長軸と略直交する方向)に配向する。   On the other hand, when a voltage that forms a potential difference is applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the voltage is applied to the liquid crystal layer LQ, and the pixel electrode PE and the common electrode CE A fringe electric field is formed in between. For this reason, the liquid crystal molecules LM are aligned in an azimuth different from the initial alignment direction in the XY plane, as indicated by a broken line in FIG. In the positive type liquid crystal material, the liquid crystal molecules LM are aligned in a direction substantially parallel to the electric field (that is, a direction substantially orthogonal to the major axis of the slit PSL).

このようなON時には、第1偏光板PL1の第1偏光軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルLPNに入射し、その偏光状態は、液晶層LQを通過する際に液晶分子LMの配向状態に応じて変化する。このため、ON時においては、液晶層LQを通過した少なくとも一部の光は、第2偏光板PL2を透過する(白表示)。   At such ON time, linearly polarized light orthogonal to the first polarization axis of the first polarizing plate PL1 is incident on the liquid crystal display panel LPN, and the polarization state is the alignment state of the liquid crystal molecules LM when passing through the liquid crystal layer LQ. It changes according to. For this reason, at the time of ON, at least a part of light that has passed through the liquid crystal layer LQ is transmitted through the second polarizing plate PL2 (white display).

以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位を改善することが可能な液晶表示装置を提供することができる。   As described above, according to this embodiment, a liquid crystal display device capable of improving display quality can be provided.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   In addition, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

例えば、上記の実施形態においては、画素電極PEのスリットPSLは第2方向Yに平行な長軸を有するように形成したが、第1方向Xに平行な長軸を有するように形成しても良いし、第1方向X及び第2方向Yに交差する方向に平行な長軸を有するように形成しても良いし、くの字形に屈曲した形状に形成しても良い。   For example, in the above embodiment, the slit PSL of the pixel electrode PE is formed to have a long axis parallel to the second direction Y, but may be formed to have a long axis parallel to the first direction X. It may be formed so as to have a long axis parallel to a direction intersecting the first direction X and the second direction Y, or may be formed in a shape bent in a dogleg shape.

LPN…液晶表示パネル AR…アレイ基板 CT…対向基板
PE…画素電極 PSL…スリット
CE…共通電極
LQ…液晶層 LM…液晶分子
14…第4絶縁膜 TH…貫通孔
LPN ... Liquid crystal display panel AR ... Array substrate CT ... Counter substrate PE ... Pixel electrode PSL ... Slit CE ... Common electrode LQ ... Liquid crystal layer LM ... Liquid crystal molecule 14 ... Fourth insulating film TH ... Through-hole

Claims (5)

各画素に配置されたスイッチング素子と、複数の画素に亘って形成された共通電極と、前記共通電極の上に配置された絶縁膜であって前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された絶縁膜と、前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記絶縁膜の上において各画素に形成され前記共通電極と向かい合う画素電極であって前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、
前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、
前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
Insulation in which a switching element disposed in each pixel, a common electrode formed over a plurality of pixels, and an insulating film disposed on the common electrode and having a through-hole penetrating to the common electrode A pixel electrode electrically connected to the switching element and formed on each of the pixels on the insulating film and facing the common electrode and having a slit formed on the through hole; A first substrate that includes a pixel electrode and a first alignment film that covers the common electrode exposed from the insulating film through the through hole;
A second substrate comprising a second alignment film facing the first alignment film;
A liquid crystal layer held between the first alignment film of the first substrate and the second alignment film of the second substrate;
A liquid crystal display device comprising:
前記第1配向膜は前記スリットの長軸に対して交差する方向に配向処理され、前記第2配向膜は前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理されたことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。   The first alignment film is aligned in a direction intersecting the major axis of the slit, and the second alignment film is aligned in a direction opposite to and parallel to the alignment direction of the first alignment film. The liquid crystal display device according to claim 1. 第1方向に沿って延出したゲート配線と、第1方向に直交する第2方向に沿ってそれぞれ延出した第1ソース配線及び第2ソース配線と、前記ゲート配線及び前記第1ソース配線と電気的に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子を覆う第1層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜上に形成された共通電極と、前記第1層間絶縁膜及び前記共通電極の上に配置され第1ソース配線と前記第2ソース配線との間において前記共通電極まで貫通した貫通孔が形成された第2層間絶縁膜と、前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されるとともに前記第2層間絶縁膜の上において前記共通電極と向かい合い前記貫通孔上にスリットが形成された画素電極と、前記画素電極及び前記貫通孔で前記第2層間絶縁膜から露出した前記共通電極を覆う第1配向膜と、を備えた第1基板と、
前記第1配向膜と対向する第2配向膜を備えた第2基板と、
前記第1基板の前記第1配向膜と前記第2基板の前記第2配向膜との間に保持された液晶層と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
A gate line extending along the first direction, a first source line and a second source line extending along a second direction orthogonal to the first direction, the gate line and the first source line, An electrically connected switching element, a first interlayer insulating film covering the switching element, a common electrode formed on the first interlayer insulating film, and on the first interlayer insulating film and the common electrode A second interlayer insulating film having a through-hole formed between the first source wiring and the second source wiring and penetrating to the common electrode; and penetrating the first interlayer insulating film and the second interlayer insulating film A pixel electrode electrically connected to the switching element through a contact hole and facing the common electrode on the second interlayer insulating film and having a slit formed in the through hole; A first alignment film in serial pixel electrodes and the through-hole covering the common electrode exposed from the second interlayer insulating film, a first substrate having a
A second substrate comprising a second alignment film facing the first alignment film;
A liquid crystal layer held between the first alignment film of the first substrate and the second alignment film of the second substrate;
A liquid crystal display device comprising:
前記スリットの長軸は、第2方向に平行であり、
前記第1配向膜は第2方向に対して交差する方向に配向処理され、前記第2配向膜は前記第1配向膜の配向処理方向と平行かつ逆向きに配向処理されたことを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置。
The long axis of the slit is parallel to the second direction,
The first alignment film is subjected to an alignment process in a direction crossing a second direction, and the second alignment film is subjected to an alignment process in a direction parallel to and opposite to the alignment process direction of the first alignment film. The liquid crystal display device according to claim 3.
前記第1配向膜は、光配向処理されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the first alignment film is subjected to a photo-alignment process.
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JP2017161920A (en) * 2017-04-26 2017-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ Display device

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