JP2013113843A - Method for manufacturing round type probe top - Google Patents

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ヨン ユ，サン
Seung Kyung Kim
キュン キム，スン
Seok Kim
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Un Hwi Bon
フィ ボン，ウン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a round type probe top.SOLUTION: The method for manufacturing a round type probe top according to an embodiment of this invention includes the steps of: preparing a water tank 110 filled with an etching solution 120, immersing a portion of a first probe 10a and a second probe 10b into the etching solution 120, electrically connecting the first probe 10a and the second probe 10b, and working a top of the first probe 10a and a top of the second probe 10b into a round type by guiding the first probe 10a or the second probe 10b upward or downward according to a first condition.

Description

本発明は、ラウンド型プローブトップの製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a round probe top.

以下の特許文献１に開示されているように、プリント回路基板または半導体基板は、回路パターンを形成した後、回路パターンの電気的連結の信頼度を検証するためにプローブを用いて検査を行う。   As disclosed in Patent Document 1 below, a printed circuit board or a semiconductor substrate is inspected using a probe in order to verify the reliability of electrical connection of the circuit pattern after the circuit pattern is formed.

プリント回路基板または半導体基板のサイズが次第に縮小されるにつれて、これに使用する回路パターンのサイズも微細化している。   As the size of a printed circuit board or a semiconductor substrate is gradually reduced, the size of a circuit pattern used for this is also reduced.

これにより、回路パターンをはじめ、基板の構成を検査するためのプローブトップ（Ｐｒｏｂｅ ｔｏｐ）の直径も減少されている。理論上、プローブトップは、１原子（Ｏｎｅ ａｔｏｍ）からなるほど微細加工が可能であるが、実際の加工では数ｎｍ〜数百ｎｍの直径に加工されている。   As a result, the diameter of the probe top for inspecting the configuration of the substrate including the circuit pattern is also reduced. Theoretically, the probe top can be finely processed as it is composed of one atom, but in actual processing, it is processed to have a diameter of several nm to several hundred nm.

一方、プローブトップは、小型の検査対象に接触するためにシャープな形状に形成されるが、この場合、シャープな形状のプローブトップは、検査対象に損傷を負わせることがしばしばある。   On the other hand, the probe top is formed in a sharp shape so as to contact a small inspection object. In this case, the probe top having a sharp shape often causes damage to the inspection object.

韓国公開特許第２０１０−００８４７２８号公報Korean Published Patent No. 2010-0084728

本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためのものであり、本発明は、化学的エッチングによりプローブのトップをラウンド型に形成するためのラウンド型プローブトップの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention is intended to solve the above-described problems of the prior art, and the present invention provides a method for manufacturing a round probe top for forming the top of the probe in a round shape by chemical etching. Objective.

本発明の一実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法は、エッチング溶液で満たされた水槽を準備する段階と、前記エッチング溶液に第１プローブと第２プローブの一部を浸漬する段階と、前記第１プローブと第２プローブとが電気的に連結されるようにする段階と、前記第１プローブまたは第２プローブを第１条件に従って上昇または下降させて前記第１プローブのトップ及び第２プローブのトップをラウンド型に加工する段階と、を含むことができる。   A method of manufacturing a round probe top according to an embodiment of the present invention includes: preparing a water tank filled with an etching solution; immersing a part of the first probe and the second probe in the etching solution; A step of electrically connecting the first probe and the second probe; and raising or lowering the first probe or the second probe according to a first condition to cause the top of the first probe and the second probe to Processing the top into a round shape.

また、前記電気的に連結されるようにする段階において、前記第１プローブと前記第２プローブそれぞれに陽極（＋）または陰極（−）を印加するが、互いに反対極性を有するようにし、予め設定された周期に従って前記陽極または陰極を交互に印加するようにすることができる。   Further, in the step of electrically connecting, an anode (+) or a cathode (−) is applied to each of the first probe and the second probe, but they have opposite polarities and are preset. The anode or the cathode can be alternately applied according to the cycle.

また、前記ラウンド型に加工する段階において、前記第１条件は、前記第１プローブまたは第２プローブの前記エッチング溶液に接触した表面直径が前記エッチング溶液に浸された該プローブの厚さ方向の長さと同一である場合、前記第１プローブまたは第２プローブの上昇または下降を始める条件であってもよい。   Further, in the step of processing into the round mold, the first condition is that the surface diameter of the first probe or the second probe in contact with the etching solution is a length in the thickness direction of the probe immersed in the etching solution. The first probe or the second probe may start to rise or fall.

また、前記第１プローブまたは第２プローブの上昇または下降は繰り返し行われることができる。   Further, the raising or lowering of the first probe or the second probe can be repeatedly performed.

また、前記電気的に連結されるようにする段階以降に、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に応じて前記第１プローブまたは第２プローブの上昇速度または下降速度を制御することができる。   In addition, after the electrical connection step, the ascending speed or descending speed of the first probe or the second probe is controlled according to the processed diameter of the first probe or the second probe. Can do.

また、前記第１プローブまたは第２プローブの上昇速度または下降速度は、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に比例して制御することができる。   The ascending speed or descending speed of the first probe or the second probe can be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe.

また、前記電気的に連結されるようにする段階以降に、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に応じて前記第１プローブまたは第２プローブに印加される電圧及び電流の強度を制御することができる。   In addition, the voltage and current strength applied to the first probe or the second probe in accordance with the processed diameter of the first probe or the second probe after the step of making the electrical connection is obtained. Can be controlled.

また、前記電気的に連結されるようにする段階以降に、前記第１プローブまたは第２プローブの電圧及び電流の強度は、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に比例して制御することができる。   In addition, after the electrical connection step, the voltage and current intensity of the first probe or the second probe is controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe. can do.

また、前記第１プローブと前記第２プローブはタングステン材質からなってもよい。   The first probe and the second probe may be made of a tungsten material.

また、前記エッチング溶液は水酸化溶液からなってもよい。   The etching solution may be a hydroxide solution.

また、前記水酸化溶液はＮａＯＨまたはＫＯＨからなってもよい。   The hydroxide solution may be made of NaOH or KOH.

本発明の他の実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法は、縁状の被膜形成部と前記被膜形成部に連結された支持部とを含む電極を準備する段階と、前記被膜形成部にエッチング溶液からなる被膜を形成する段階と、前記被膜を厚さ方向に貫通するようにプローブを配置する段階と、前記電極と前記プローブにそれぞれ陰極と陽極を印加して前記プローブのトップをラウンド型に加工する段階と、を含むことができる。   According to another embodiment of the present invention, there is provided a method for manufacturing a round type probe top, comprising: preparing an electrode including an edge-shaped film forming part and a support part connected to the film forming part; and etching the film forming part A step of forming a film made of a solution, a step of arranging a probe so as to penetrate the film in the thickness direction, and applying a cathode and an anode to the electrode and the probe, respectively, so that the top of the probe is rounded Processing.

ここで、前記電極は、前記支持部上に形成された含湿性材質からなるエッチング溶液供給部材をさらに含み、前記被膜を形成する段階以降に、前記エッチング溶液供給部材により前記被膜形成部にエッチング溶液を供給する段階と、をさらに含むことができる。   Here, the electrode further includes an etching solution supply member made of a moisture-containing material formed on the support portion, and after the step of forming the coating, the etching solution is supplied to the coating formation portion by the etching solution supply member. Can further comprise the step of providing

また、前記プローブのトップをラウンド型に加工する段階において、前記プローブの加工された直径に応じて電圧及び電流の強度を制御する段階をさらに含むことができる。   The step of processing the top of the probe into a round shape may further include a step of controlling voltage and current intensity according to the processed diameter of the probe.

また、前記プローブの電圧及び電流の強度は、前記プローブの加工された直径に比例して制御することができる。   The intensity of the voltage and current of the probe can be controlled in proportion to the processed diameter of the probe.

また、前記プローブはタングステン材質からなってもよい。   The probe may be made of a tungsten material.

また、前記エッチング溶液は水酸化溶液からなってもよい。   The etching solution may be a hydroxide solution.

また、前記水酸化溶液はＮａＯＨまたはＫＯＨからなってもよい。   The hydroxide solution may be made of NaOH or KOH.

本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。   The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings.

本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。   Prior to the detailed description of the invention, the terms and words used in the specification and claims should not be construed in a normal and lexicographic sense, and the inventor best describes the invention. Therefore, it should be construed as meanings and concepts corresponding to the technical idea of the present invention in accordance with the principle that the concept of terms can be appropriately defined.

本発明の実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法は、化学的エッチングによりプローブトップをラウンド型に形成し、検査対象に接触するプローブトップの面が滑らかな曲線状であるため、検査対象の損傷を予防することができるという効果が期待できる。   In the manufacturing method of the round type probe top according to the embodiment of the present invention, the probe top is formed in a round shape by chemical etching, and the surface of the probe top that is in contact with the inspection target has a smooth curved shape. The effect that can be prevented can be expected.

本発明の第１実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面である。5 is a view for explaining a method of manufacturing a round probe top according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面である。5 is a view for explaining a method of manufacturing a round probe top according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施例により形成されたラウンド型プローブトップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the round type probe top formed by 1st Example of this invention. 本発明の第２実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面である。6 is a view for explaining a method of manufacturing a round type probe top according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第２実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面である。6 is a view for explaining a method of manufacturing a round type probe top according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第２実施例により形成されたラウンド型プローブトップを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the round type probe top formed by 2nd Example of this invention. 図４の電極にエッチング溶液を補充する方法を説明するための図面である。FIG. 5 is a view for explaining a method of replenishing the electrode of FIG.

本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明は省略する。本明細書において、第１、第２などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。   Objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments with reference to the accompanying drawings. In this specification, it should be noted that when adding reference numerals to the components of each drawing, the same components are given the same number as much as possible even if they are shown in different drawings. I must. Further, in describing the present invention, when it is determined that a specific description of the related art related to the present invention may obscure the gist of the present invention, a detailed description thereof will be omitted. In this specification, terms such as “first” and “second” are used to distinguish one component from other components, and the component is not limited by the terms.

以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

ラウンド型プローブトップの製造方法−第１実施例   Method for manufacturing round probe top-first embodiment

図１及び図２は、本発明の第１実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面であり、図３は、本発明の第１実施例により形成されたラウンド型プローブトップを示す断面図である。   1 and 2 are views for explaining a method of manufacturing a round probe top according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating a round probe top formed according to the first embodiment of the present invention. FIG.

先ず、図１に図示したように、エッチング溶液１２０で満たされた水槽１１０を準備することができる。   First, as shown in FIG. 1, a water tank 110 filled with an etching solution 120 can be prepared.

ここで、エッチング溶液１２０は、水酸化溶液からなってもよく、これに限定されない。   Here, the etching solution 120 may be formed of a hydroxide solution, but is not limited thereto.

例えば、水酸化溶液は、ＮａＯＨまたはＫＯＨからなってもよく、これに限定されない。   For example, the hydroxide solution may consist of NaOH or KOH, but is not limited thereto.

次に、エッチング溶液１２０に第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂの一部を浸漬することができる。   Next, part of the first probe 10 a and the second probe 10 b can be immersed in the etching solution 120.

ここで、第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂは、タングステン材質からなってもよく、これに限定されない。   Here, the first probe 10a and the second probe 10b may be made of a tungsten material, but are not limited thereto.

次に、第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂとが電気的に連結されるようにすることができる。   Next, the first probe 10a and the second probe 10b can be electrically connected.

ここで、第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂそれぞれに陽極（＋）または陰極（−）を印加するが、互いに反対極性を有するようにする。   Here, an anode (+) or a cathode (−) is applied to each of the first probe 10a and the second probe 10b, but they have opposite polarities.

また、第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂそれぞれに、予め設定された周期に従って陽極または陰極を交互に印加することができる。例えば、第１プローブ１０ａに、予め設定された周期に従って陽極または陰極を交互に印加することができ、これは第２プローブ１０ｂにも適用する。   Moreover, an anode or a cathode can be alternately applied to each of the first probe 10a and the second probe 10b according to a preset period. For example, an anode or a cathode can be alternately applied to the first probe 10a according to a preset cycle, and this also applies to the second probe 10b.

より詳細に説明すると、図１に図示したように、電源供給装置（Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ）１３０を用いて第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂに陽極または陰極を印加する。   More specifically, as illustrated in FIG. 1, an anode or a cathode is applied to the first probe 10 a and the second probe 10 b using a power supply device 130.

例えば、電源供給装置１３０は、第１プローブ１０ａに陽極を印加する場合、第２プローブ１０ｂが電極の機能をすることができるように、第２プローブ１０ｂに陰極を印加する。即ち、第１プローブ１０ａと第２プローブ１０ｂは、プローブと電極の機能を同時に行うことができる。これにより、プローブ生産能力の向上及び製造コスト低減の効果を期待することができる。   For example, when applying an anode to the first probe 10a, the power supply device 130 applies a cathode to the second probe 10b so that the second probe 10b can function as an electrode. That is, the first probe 10a and the second probe 10b can simultaneously perform the functions of the probe and the electrode. Thereby, the effect of improvement of probe production capacity and reduction of manufacturing cost can be expected.

次に、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂを第１条件に従って上昇または下降して第１プローブ１０ａのトップ及び第２プローブ１０ｂのトップをラウンド型（図３）に加工することができる。   Next, the top of the first probe 10a and the top of the second probe 10b can be processed into a round shape (FIG. 3) by raising or lowering the first probe 10a or the second probe 10b according to the first condition.

ここで、第１条件は、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂのエッチング溶液に接触した表面直径（図２のＢ）がエッチング溶液に浸された該プローブの厚さ方向の長さ（図２のＡ）と同一である場合、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの上昇または下降を始める条件であってもよい。   Here, the first condition is that the surface diameter (B in FIG. 2) in contact with the etching solution of the first probe 10a or the second probe 10b is immersed in the etching solution in the thickness direction of the probe (FIG. 2). In the case of the same as A), the condition may be such that the first probe 10a or the second probe 10b starts to rise or fall.

また、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの上昇または下降は繰り返し行われることができる。   Also, the raising or lowering of the first probe 10a or the second probe 10b can be repeated.

また、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの加工された直径（図２のＢ方向基準）に応じて第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの上昇速度または下降速度を制御することができる。   Further, the ascending speed or descending speed of the first probe 10a or the second probe 10b can be controlled in accordance with the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b (reference to the B direction in FIG. 2).

この際、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの上昇速度または下降速度は、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの加工された直径に比例して制御することができる。   At this time, the ascending speed or descending speed of the first probe 10a or the second probe 10b can be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

例えば、エッチング溶液に浸漬されて加工される第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの直径が減少されるにつれて、これに比例して該プローブの上昇または下降速度が遅くなるように調節して該プローブのトップがラウンド型に加工されることができるようにする。   For example, as the diameter of the first probe 10a or the second probe 10b processed by being immersed in an etching solution is decreased, the probe is adjusted so that the rising or lowering speed of the probe is proportionally decreased. The top of the can be processed into a round mold.

また、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの加工された直径に応じて第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂに印加される電圧及び電流の強度を制御することができる。   Further, the intensity of the voltage and current applied to the first probe 10a or the second probe 10b can be controlled according to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

この際、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの電圧及び電流の強度は、第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの加工された直径に比例して制御することができる。   At this time, the intensity of the voltage and current of the first probe 10a or the second probe 10b can be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

例えば、エッチング溶液に浸漬されて加工される第１プローブ１０ａまたは第２プローブ１０ｂの直径が減少されるにつれて、これに比例して該プローブに印加される電圧及び電流の強度が弱くなるように調節して該プローブのトップがラウンド型に加工されることができるようにする。   For example, as the diameter of the first probe 10a or the second probe 10b processed by being immersed in the etching solution is reduced, the intensity of the voltage and current applied to the probe is proportionally decreased. Thus, the top of the probe can be processed into a round shape.

ラウンド型プローブトップの製造方法−第２実施例   Method for manufacturing round probe top-second embodiment

図４及び図５は、本発明の第２実施例によるラウンド型プローブトップの製造方法を説明するための図面であり、図６は、本発明の第２実施例により形成されたラウンド型プローブトップを示す断面図であり、図７は、図４の電極にエッチング溶液を補充する方法を説明するための図面である。   4 and 5 are views for explaining a method of manufacturing a round type probe top according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 6 shows a round type probe top formed according to the second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a view for explaining a method of replenishing the electrode of FIG. 4 with an etching solution.

但し、第２実施例に対する構成のうち第１実施例の構成と同一の構成に対する説明は省略し、相違する部分についてのみ説明する。   However, the description of the same configuration as the configuration of the first embodiment among the configurations of the second embodiment is omitted, and only different portions will be described.

先ず、図４に図示したように、縁状の被膜形成部１４１と前記被膜形成部１４１に連結された支持部１４３を含む電極１４０とを準備することができる。   First, as shown in FIG. 4, an edge-shaped film forming part 141 and an electrode 140 including a support part 143 connected to the film forming part 141 can be prepared.

次に、被膜形成部１４１にエッチング溶液からなる被膜１５０を形成することができる。   Next, a film 150 made of an etching solution can be formed on the film forming part 141.

前記被膜１５０は、縁状の被膜形成部１４１に形成されたバブル状である。   The film 150 has a bubble shape formed on the edge-shaped film forming part 141.

ここで、エッチング溶液は水酸化溶液からなってもよく、これに限定されない。例えば、水酸化溶液はＮａＯＨまたはＫＯＨからなってもよく、これに限定されない。   Here, the etching solution may include a hydroxide solution, but is not limited thereto. For example, the hydroxide solution may consist of NaOH or KOH, but is not limited thereto.

次に、被膜１５０を厚さ方向に貫通するようにプローブ１０を配置することができる。   Next, the probe 10 can be disposed so as to penetrate the coating 150 in the thickness direction.

ここで、プローブ１０はタングステン材質からなってもよく、これに限定されない。   Here, the probe 10 may be made of a tungsten material, but is not limited thereto.

次に、電極１４０とプローブ１０にそれぞれ陰極と陽極を印加してプローブ１０のトップをラウンド型に加工することができる。   Next, the top of the probe 10 can be processed into a round shape by applying a cathode and an anode to the electrode 140 and the probe 10, respectively.

この際、電源供給装置（不図示）を用いて電極１４０とプローブ１０に、陰極と陽極を印加することができる。   At this time, a cathode and an anode can be applied to the electrode 140 and the probe 10 using a power supply device (not shown).

また、プローブ１０の加工された直径に応じて電圧及び電流の強度を制御することができる。   Further, the intensity of voltage and current can be controlled according to the processed diameter of the probe 10.

また、プローブ１０の電圧及び電流の強度は、プローブの加工された直径に比例して制御することができる。   Also, the voltage and current intensity of the probe 10 can be controlled in proportion to the processed diameter of the probe.

例えば、エッチング溶液に浸漬されて加工されるプローブ１０の直径が減少されるにつれて、これに比例して該プローブに印加される電圧及び電流の強度が弱くなるように調節して該プローブのトップがラウンド型に加工されることができるようにする。   For example, as the diameter of the probe 10 processed by being immersed in an etching solution is reduced, the intensity of the voltage and current applied to the probe is adjusted so that the top of the probe is adjusted proportionally. It can be processed into a round mold.

より詳細に説明すると、図５に図示したように、プローブ１０が被膜１５０を貫通すると、プローブ１０の接触面に沿って被膜１５０が浮き上がる形態になり、この際、被膜１５０が浮き上がった領域Ｉに表面張力が生じてプローブ１０がエッチングされる。   More specifically, as shown in FIG. 5, when the probe 10 penetrates the coating 150, the coating 150 is lifted along the contact surface of the probe 10, and at this time, the region 150 where the coating 150 is lifted is formed. Surface tension is generated and the probe 10 is etched.

また、本発明の第２実施例によるプローブトップの製造方法は、被膜１５０を基準に、上部と下部のプローブ１０を同時に加工することができる。   In addition, the method of manufacturing the probe top according to the second embodiment of the present invention can process the upper and lower probes 10 at the same time based on the coating 150.

即ち、図５及び図６に図示したように、被膜１５０を貫通した上部と下部それぞれに被膜１５０が浮き上がった領域Ｉが形成され、これにより、表面張力が生じて上部と下部を同時に加工（図６の１０）することができる。   That is, as shown in FIGS. 5 and 6, regions I where the coating 150 is lifted are formed in the upper and lower portions penetrating the coating 150, respectively, whereby surface tension is generated and the upper and lower portions are processed simultaneously (FIG. 5). 6) 10).

一方、図７に図示したように、電極１４０は、支持部１４３上に形成された含湿性材質からなるエッチング溶液供給部材１６０をさらに含むことができる。   Meanwhile, as illustrated in FIG. 7, the electrode 140 may further include an etching solution supply member 160 made of a moisture-containing material formed on the support part 143.

前記被膜を形成する段階以降に、エッチング溶液供給部材１６０により被膜形成部１４１にエッチング溶液を供給することができる。   After the step of forming the film, the etching solution can be supplied to the film forming unit 141 by the etching solution supply member 160.

この際、エッチング溶液供給部材１６０は、エッチング溶液で満たされた容器１７０などによりエッチング溶液を供給されることができる。   At this time, the etching solution supply member 160 can be supplied with the etching solution by a container 170 filled with the etching solution.

これにより、電極１４０にエッチング溶液を継続して供給することにより、プローブ１０の製造能力を向上させることができるという効果が期待できる。   Thereby, the effect that the manufacturing capability of the probe 10 can be improved by continuously supplying the etching solution to the electrode 140 can be expected.

上記本発明の第２実施例は、プローブ１０を加工する際、被膜１５０に接触した面のみにて反応が生じるため、プローブ１０の加工が容易であるという長所がある。   The second embodiment of the present invention has an advantage that the processing of the probe 10 is easy because the reaction occurs only on the surface in contact with the coating 150 when the probe 10 is processed.

以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明によるラウンド型プローブトップの製造方法はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。   As described above, the present invention has been described in detail based on the preferred embodiments, but this is for specifically describing the present invention, and the method for manufacturing the round type probe top according to the present invention is not limited thereto, It will be apparent to those having ordinary knowledge in the relevant field that modifications and improvements within the technical idea of the present invention are possible.

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。   All simple variations and modifications of the present invention belong to the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be apparent from the appended claims.

１０ プローブ
１０ａ 第１プローブ
１０ｂ 第２プローブ
１１０ 水槽
１２０ エッチング溶液
１３０ 電源供給装置
１４０ 電極
１４１ 被膜形成部
１４３ 支持部
１５０ 被膜
１６０ エッチング溶液供給部材
１７０ 容器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Probe 10a 1st probe 10b 2nd probe 110 Water tank 120 Etching solution 130 Power supply apparatus 140 Electrode 141 Coating formation part 143 Support part 150 Coating 160 Etching solution supply member 170 Container

Claims (18)

エッチング溶液で満たされた水槽を準備する段階と、
前記エッチング溶液に第１プローブと第２プローブの一部を浸漬する段階と、
前記第１プローブと第２プローブとが電気的に連結されるようにする段階と、
前記第１プローブまたは第２プローブを第１条件に従って上昇または下降させて前記第１プローブのトップ及び第２プローブのトップをラウンド型に加工する段階と、
を含むラウンド型プローブトップの製造方法。 Preparing a water tank filled with an etching solution;
Immersing a part of the first probe and the second probe in the etching solution;
Allowing the first probe and the second probe to be electrically coupled; and
Processing the top of the first probe and the top of the second probe in a round shape by raising or lowering the first probe or the second probe according to a first condition;
A method for manufacturing a round type probe top. 前記電気的に連結されるようにする段階において、
前記第１プローブと前記第２プローブそれぞれに陽極（＋）または陰極（−）を印加するが、互いに反対極性を有するようにし、
予め設定された周期に従って前記陽極または陰極を交互に印加する請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 In the step of causing the electrical connection,
An anode (+) or a cathode (−) is applied to each of the first probe and the second probe, but having opposite polarities,
The manufacturing method of the round type probe top of Claim 1 which applies the said anode or cathode alternately according to the preset period. 前記ラウンド型に加工する段階において、
前記第１条件は、前記第１プローブまたは第２プローブの前記エッチング溶液に接触した表面直径が、前記エッチング溶液に浸された該プローブの厚さ方向の長さと同一である場合、前記第１プローブまたは第２プローブの上昇または下降を始める条件である請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 In the step of processing into the round mold,
The first condition is that when the surface diameter of the first probe or the second probe in contact with the etching solution is the same as the length in the thickness direction of the probe immersed in the etching solution, the first probe Or the manufacturing method of the round type probe top of Claim 1 which is the conditions which start the raise or fall of a 2nd probe. 前記第１プローブまたは第２プローブの上昇または下降は繰り返し行われる請求項３に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round probe top according to claim 3, wherein the raising or lowering of the first probe or the second probe is repeatedly performed. 前記電気的に連結されるようにする段階以降に、
前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に応じて前記第１プローブまたは第２プローブの上昇速度または下降速度を制御する請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 After the step of making the electrical connection,
2. The method of manufacturing a round probe top according to claim 1, wherein a rising speed or a falling speed of the first probe or the second probe is controlled in accordance with a processed diameter of the first probe or the second probe. 前記第１プローブまたは第２プローブの上昇速度または下降速度は、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に比例して制御する請求項５に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   6. The method of manufacturing a round probe top according to claim 5, wherein the ascending speed or descending speed of the first probe or the second probe is controlled in proportion to a processed diameter of the first probe or the second probe. 前記電気的に連結されるようにする段階以降に、
前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に応じて前記第１プローブまたは第２プローブに印加される電圧及び電流の強度を制御する請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 After the step of making the electrical connection,
The method of manufacturing a round type probe top according to claim 1, wherein intensity of voltage and current applied to the first probe or the second probe is controlled according to a processed diameter of the first probe or the second probe. 前記電気的に連結されるようにする段階以降に、
前記第１プローブまたは第２プローブの電圧及び電流の強度は、前記第１プローブまたは第２プローブの加工された直径に比例して制御する請求項７に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 After the step of making the electrical connection,
The method of manufacturing a round type probe top according to claim 7, wherein the intensity of the voltage and current of the first probe or the second probe is controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe. 前記第１プローブと前記第２プローブはタングステン材質からなる請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round type probe top according to claim 1, wherein the first probe and the second probe are made of a tungsten material. 前記エッチング溶液は水酸化溶液からなる請求項１に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round type probe top according to claim 1, wherein the etching solution comprises a hydroxide solution. 前記水酸化溶液はＮａＯＨまたはＫＯＨからなる請求項１０に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round type probe top according to claim 10, wherein the hydroxide solution is made of NaOH or KOH. 縁状の被膜形成部と前記被膜形成部に連結された支持部とを含む電極を準備する段階と、
前記被膜形成部にエッチング溶液からなる被膜を形成する段階と、
前記被膜を厚さ方向に貫通するようにプローブを配置する段階と、
前記電極と前記プローブにそれぞれ陰極と陽極を印加して前記プローブのトップをラウンド型に加工する段階と、
を含むラウンド型プローブトップの製造方法。 Preparing an electrode including an edge-shaped film forming part and a support part connected to the film forming part;
Forming a film made of an etching solution on the film forming part;
Arranging the probe so as to penetrate the coating in the thickness direction;
Applying a cathode and an anode to the electrode and the probe, respectively, and processing the top of the probe into a round shape;
A method for manufacturing a round type probe top. 前記電極は、前記支持部上に形成された含湿性材質からなるエッチング溶液供給部材をさらに含み、
前記被膜を形成する段階以降に、
前記エッチング溶液供給部材により前記被膜形成部にエッチング溶液を供給する段階と、
をさらに含む請求項１２に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 The electrode further includes an etching solution supply member made of a moisture-containing material formed on the support portion,
After the step of forming the coating,
Supplying an etching solution to the film forming portion by the etching solution supply member;
The manufacturing method of the round type probe top of Claim 12 which further contains these. 前記プローブのトップをラウンド型に加工する段階において、
前記プローブの加工された直径に応じて電圧及び電流の強度を制御する段階をさらに含む請求項１２に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。 In the step of processing the top of the probe into a round shape,
The method of manufacturing a round type probe top according to claim 12, further comprising controlling a voltage and current intensity according to a processed diameter of the probe. 前記プローブの電圧及び電流の強度は、前記プローブの加工された直径に比例して制御する請求項１４に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   15. The method of manufacturing a round probe top according to claim 14, wherein the intensity of the voltage and current of the probe is controlled in proportion to the processed diameter of the probe. 前記プローブはタングステン材質からなる請求項１２に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method according to claim 12, wherein the probe is made of a tungsten material. 前記エッチング溶液は水酸化溶液からなる請求項１２に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round type probe top according to claim 12, wherein the etching solution comprises a hydroxide solution. 前記水酸化溶液はＮａＯＨまたはＫＯＨからなる請求項１７に記載のラウンド型プローブトップの製造方法。   The method of manufacturing a round probe top according to claim 17, wherein the hydroxide solution is made of NaOH or KOH.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010076680A (en) * 2000-01-27 2001-08-16 이억기 Method for manufacturing a probe using electrolytic processing
JP2002273627A (en) * 2001-03-14 2002-09-25 Naotake Mori Method and device for forming extra fine shaft
JP2007271631A (en) * 2007-06-04 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp Probe card for wafer test
JP2010276428A (en) * 2009-05-27 2010-12-09 Nidec-Read Corp Probe pin for board inspection device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08115956A (en) * 1994-10-14 1996-05-07 Kobe Steel Ltd Production of probe pin for checking semiconductor element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010076680A (en) * 2000-01-27 2001-08-16 이억기 Method for manufacturing a probe using electrolytic processing
JP2002273627A (en) * 2001-03-14 2002-09-25 Naotake Mori Method and device for forming extra fine shaft
JP2007271631A (en) * 2007-06-04 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp Probe card for wafer test
JP2010276428A (en) * 2009-05-27 2010-12-09 Nidec-Read Corp Probe pin for board inspection device

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