KR101321183B1 - Method for manufacturing Round type Probe Top - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 라운드형 프로브 탑의 제조방법에 관한 것으로서, 에칭 용액이 담긴 수조를 준비하는 단계; 에칭 용액에 제1 프로브와 제2 프로브의 일부를 침지시키는 단계; 제1 프로브와 제2 프로브에 전기적 연결을 수행하는 단계; 및 제1 프로브 또는 제2 프로브를 제1 조건에 따라 상승 또는 하강시켜 제1 프로브의 탑 및 제2 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. An embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a round probe tower, comprising: preparing a bath containing an etching solution; Immersing a portion of the first probe and the second probe in the etching solution; Making an electrical connection to the first probe and the second probe; And processing the tower of the first probe and the tower of the second probe into round shapes by raising or lowering the first probe or the second probe according to the first condition.

Description

라운드형의 프로브 탑 제조방법{Method for manufacturing Round type Probe Top}Method for manufacturing Round probe tops {Method for manufacturing Round type Probe Top}

본 발명은 라운드형의 프로브 탑 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a round probe tower manufacturing method.

문헌 1에서 도시하는 바와 같이, 인쇄회로기판 또는 반도체 기판은 회로패턴을 형성한 후, 회로패턴의 전기적 연결 신뢰도를 검증하기 위해 프로브를 이용하여 검사를 수행한다.As shown in Document 1, the printed circuit board or the semiconductor substrate is formed by using a probe to verify the electrical connection reliability of the circuit pattern after forming the circuit pattern.

인쇄회로기판 또는 반도체 기판의 사이즈가 점차 축소됨에 따라 적용되는 회로패턴의 사이즈도 미세화되고 있는 추세이다.As the size of a printed circuit board or a semiconductor substrate is gradually reduced, the size of a circuit pattern to be applied is also becoming smaller.

이에 따라, 회로패턴을 비롯한 기판의 구성을 검사하기 위한 프로브 탑(Probe top)의 직경도 작아지고 있다. 이론적으로는 프로브 탑이 1 원자(One atom)로 이루어질 정도로 미세 가공이 가능하나, 실제적인 가공에서는 수nm 내지 수백 nm의 직경으로 가공되고 있다.Accordingly, the diameter of the probe top for inspecting the structure of the substrate including the circuit pattern is also decreasing. Theoretically, microfabrication is possible to the extent that the probe tower is composed of one atom, but in actual processing, it is processed to a diameter of several nm to several hundred nm.

한편, 프로브 탑은 작은 사이즈의 검사대상에 접촉시키기 위하여 날카로운 형상으로 형성되는 데, 이때, 날카로운 형상의 프로브 탑은 검사대상에 손상을 발생시키는 경우가 종종 있다.
On the other hand, the probe tower is formed in a sharp shape in order to contact the inspection object of a small size, at this time, the sharp shape of the probe tower often causes damage to the inspection object.

[문헌 1] KR 2010-0084728 A. 2010. 7. 28
[Document 1] KR 2010-0084728 A. 2010. 7. 28

본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 측면은 화학적 에칭을 통해 프로브의 탑을 라운드 형으로 형성하기 위한 라운드형의 프로브 탑 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
The present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, an aspect of the present invention is to provide a round probe tower manufacturing method for forming a round top of the probe through the chemical etching.

본 발명의 일 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법은, 에칭 용액이 담긴 수조를 준비하는 단계;Round probe tower manufacturing method according to an embodiment of the present invention, preparing a bath containing the etching solution;

상기 에칭 용액에 제1 프로브와 제2 프로브의 일부를 침지시키는 단계;Immersing a portion of a first probe and a second probe in the etching solution;

상기 제1 프로브와 제2 프로브에 전기적 연결을 수행하는 단계; 및Performing electrical connection to the first probe and the second probe; And

상기 제1 프로브 또는 제2 프로브를 제1 조건에 따라 상승 또는 하강시켜 상기 제1 프로브의 탑 및 제2 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;를 포함할 수 있다.
And processing the tower of the first probe and the tower of the second probe into a round shape by raising or lowering the first probe or the second probe according to a first condition.

또한, 상기 전기적 연결을 수행하는 단계에서,Further, in the step of performing the electrical connection,

상기 제1 프로브와 상기 제2 프로브 각각에 양극(+) 또는 음극(-)을 인가하되, 서로 반대 극성을 가지도록 하며, 기 설정된 주기에 따라 상기 양극 또는 음극을 교대로 인가하도록 할 수 있다. A positive electrode (+) or a negative electrode (−) may be applied to each of the first probe and the second probe, and may have opposite polarities, and the positive or negative electrodes may be alternately applied according to a predetermined period.

또한, 상기 라운드형으로 가공하는 단계에서,In addition, in the step of processing into a round shape,

상기 제1 조건은 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상기 에칭 용액에 접촉된 표면 직경이 상기 에칭 용액에 담긴 해당 프로브의 두께방향 길이와 동일하면, 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 또는 하강을 시작하는 조건일 수 있다.The first condition is a rising or falling of the first probe or the second probe when the diameter of the surface contacting the etching solution of the first probe or the second probe is the same as the thickness length of the probe contained in the etching solution. It may be a condition to start.

또한, 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 또는 하강은 반복 수행할 수 있다.In addition, the rising or falling of the first probe or the second probe may be repeatedly performed.

또한, 상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,Further, after performing the electrical connection,

상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 따라 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 속도 또는 하강 속도를 제어할 수 있다.The rising or falling speed of the first probe or the second probe may be controlled according to the processed diameter of the first probe or the second probe.

또한, 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 속도 또는 하강 속도는 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.In addition, the rising speed or falling speed of the first probe or the second probe may be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe.

또한, 상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,Further, after performing the electrical connection,

상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 따라 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브에 인가되는 전압 및 전류의 세기를 제어할 수 있다.The intensity of voltage and current applied to the first probe or the second probe may be controlled according to the processed diameter of the first probe or the second probe.

또한, 상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,Further, after performing the electrical connection,

상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 전압 및 전류의 세기는 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.The intensity of the voltage and current of the first probe or the second probe may be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe.

또한, 상기 제1 프로브와 상기 제2 프로브는 텅스텐 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the first probe and the second probe may be made of a tungsten material.

또한, 상기 에칭 용액은 수산화 용액으로 이루어질 수 있다.In addition, the etching solution may be made of a hydroxide solution.

또한, 상기 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어질 수 있다.
In addition, the hydroxide solution may be made of NaOH or KOH.

본 발명의 다른 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법은, 테두리 형상의 피막 형성부와 상기 피막 형성부에 연결된 지지부를 포함하는 전극을 준비하는 단계;According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a round probe tower, including: preparing an electrode including an edge-shaped film forming portion and a support portion connected to the film forming portion;

상기 피막 형성부에 에칭 용액으로 이루어진 피막을 형성하는 단계;Forming a film made of an etching solution on the film forming portion;

상기 피막을 두께 방향으로 관통하도록 프로브를 배치하는 단계; 및Arranging a probe to penetrate the coating in a thickness direction; And

상기 전극과 상기 프로브에 각각 음극과 양극을 인가하여 상기 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;를 포함할 수 있다.
And applying a cathode and an anode to the electrode and the probe, respectively, to process the top of the probe in a round shape.

여기에서, 상기 전극은 상기 지지부 상에 형성된 함습성 재질로 이루어진 에칭 용액 공급부재를 더 포함하고, 상기 피막을 형성하는 단계 이후에, 상기 에칭 용액 공급부재를 통해 상기 피막 형성부에 에칭 용액을 공급하는 단계;를 더 포함할 수 있다.Here, the electrode further comprises an etching solution supply member made of a moisture-absorbing material formed on the support portion, after the step of forming the coating, through the etching solution supply member to supply the etching solution to the film forming portion It may further comprise a.

또한, 상기 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계에서,In addition, in the step of processing the top of the probe in a round shape,

상기 프로브의 가공된 직경에 따라 전압 및 전류의 세기를 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include controlling the strength of the voltage and the current according to the processed diameter of the probe.

또한, 상기 프로브의 전압 및 전류의 세기는 상기 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.In addition, the strength of the voltage and current of the probe can be controlled in proportion to the processed diameter of the probe.

또한, 상기 프로브는 텅스텐 재질로 이루어질 수 있다.In addition, the probe may be made of a tungsten material.

또한, 상기 에칭 용액은 수산화 용액으로 이루어질 수 있다.In addition, the etching solution may be made of a hydroxide solution.

또한, 상기 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어질 수 있다.
In addition, the hydroxide solution may be made of NaOH or KOH.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
Prior to that, terms and words used in the present specification and claims should not be construed in a conventional and dictionary sense, and the inventor may properly define the concept of the term in order to best explain its invention It should be construed as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

본 발명의 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법은 화학적 에칭을 통해 프로브 탑을 라운드형으로 형성하기 때문에, 검사대상에 접촉되는 프로브 탑의 면이 부드러운 곡선 형상으로 검사대상의 손상을 미연에 방지할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.
In the method of manufacturing a round probe tower according to an embodiment of the present invention, since the probe tower is formed in a round shape through chemical etching, the surface of the probe tower that is in contact with the inspection object may have a smooth curved shape to prevent damage to the inspection object. You can expect the effect to prevent.

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법을 설명하기 위한 도면,
도 3은 본 발명의 제1 실시예를 통해 형성된 라운드형의 프로브 탑을 나타내는 단면도,
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법을 설명하기 위한 도면,
도 6은 본 발명의 제2 실시예를 통해 형성된 라운드형의 프로브 탑을 나타내는 단면도,
도 7은 도 4의 전극에 에칭 용액을 보충하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 and 2 are views for explaining a round probe tower manufacturing method according to a first embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view showing a round probe tower formed through a first embodiment of the present invention;
4 and 5 are views for explaining a round probe tower manufacturing method according to a second embodiment of the present invention,
Figure 6 is a cross-sectional view showing a round probe tower formed through a second embodiment of the present invention,
7 is a view for explaining a method of replenishing an etching solution to the electrode of FIG.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서에서, 제1, 제2 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위해 사용되는 것으로, 구성요소가 상기 용어들에 의해 제한되는 것은 아니다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The objectives, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. It should be noted that, in the present specification, the reference numerals are added to the constituent elements of the drawings, and the same constituent elements are assigned the same number as much as possible even if they are displayed on different drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. In this specification, the terms first, second, etc. are used to distinguish one element from another, and the element is not limited by the terms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 상세히 설명하기로 한다.
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

라운드형의 Round 프로브Probe 탑 제조방법-제1  Tower manufacturing method-first 실시예Example

도 1 및 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예를 통해 형성된 라운드형의 프로브 탑을 나타내는 단면도이다.
1 and 2 are views for explaining a method for manufacturing a round probe tower according to a first embodiment of the present invention, Figure 3 is a cross-sectional view showing a round probe tower formed through a first embodiment of the present invention to be.

먼저, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 에칭 용액(120)이 담긴 수조(110)를 준비할 수 있다.First, as shown in FIG. 1, a bath 110 containing an etching solution 120 may be prepared.

여기에서, 에칭 용액(120)은 수산화 용액으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Here, the etching solution 120 may be made of a hydroxide solution, but is not limited thereto.

예를 들어, 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
For example, the hydroxide solution may consist of NaOH or KOH, but is not limited thereto.

다음, 에칭 용액(120)에 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b)의 일부를 침지시킬 수 있다.Next, a portion of the first probe 10a and the second probe 10b may be immersed in the etching solution 120.

여기에서, 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b)는 텅스텐 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
Here, the first probe 10a and the second probe 10b may be made of a tungsten material, but are not limited thereto.

다음, 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b)에 전기적 연결을 수행할 수 있다.Next, an electrical connection may be performed between the first probe 10a and the second probe 10b.

여기에서, 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b) 각각에 양극(+) 또는 음극(-)을 인가하되, 서로 반대 극성을 가지도록 한다. Herein, a positive electrode (+) or a negative electrode (−) is applied to each of the first probe 10a and the second probe 10b, but the polarities are opposite to each other.

또한, 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b) 각각에 기 설정된 주기에 따라 양극 또는 음극을 교대로 인가할 수 있다. 예를 들어, 제1 프로브(10a)에 기 설정된 주기에 따라 양극 또는 음극을 번갈아 인가할 수 있으며, 이는 제2 프로브(10b)에도 적용된다.In addition, the positive electrode or the negative electrode may be alternately applied to each of the first probe 10a and the second probe 10b. For example, the positive electrode or the negative electrode may be alternately applied to the first probe 10a in a predetermined cycle, and this may be applied to the second probe 10b.

보다 상세히 설명하면, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 전원 공급장치(Power Supply)(130)를 이용하여 제1 프로브(10a)와 제2 프로브(10b)에 양극 또는 음극을 인가하는 것이다.In more detail, as shown in FIG. 1, a positive electrode or a negative electrode is applied to the first probe 10a and the second probe 10b by using a power supply 130.

예를 들어, 전원 공급장치(130)는 제1 프로브(10a)에 양극을 인가하는 경우, 제2 프로브(10b)가 전극 역할을 수행할 수 있도록 제2 프로브(10b)에 음극을 인가한다. 즉, 제1 프로브(10b)와 제2 프로브(10b)는 프로브와 전극의 역할을 동시에 수행할 수 있는 것이다. 이로 인해, 프로브 생산 능력 향상 및 제조 비용 절감 효과를 기대할 수 있다.
For example, when the positive electrode is applied to the first probe 10a, the power supply 130 applies the negative electrode to the second probe 10b so that the second probe 10b may serve as an electrode. That is, the first probe 10b and the second probe 10b may simultaneously perform the roles of the probe and the electrode. As a result, it is possible to improve the production capacity of the probe and reduce the manufacturing cost.

다음, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)를 제1 조건에 따라 상승 또는 하강시켜 제1 프로브(10a)의 탑 및 제2 프로브(10b)의 탑을 라운드형(도 3)으로 가공할 수 있다.Next, the first probe 10a or the second probe 10b is raised or lowered according to the first condition so that the top of the first probe 10a and the top of the second probe 10b are rounded (FIG. 3). It can be processed.

여기에서, 제1 조건은 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 에칭 용액에 접촉된 표면 직경(도 2의 B)이 에칭 용액에 담긴 해당 프로브의 두께방향 길이(도 2의 A)와 동일하면, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 상승 또는 하강을 시작하는 조건일 수 있다.Here, the first condition is that the surface diameter (B of FIG. 2) in contact with the etching solution of the first probe 10a or the second probe 10b is the thickness direction length of the corresponding probe (A in FIG. 2) contained in the etching solution. If the same as), it may be a condition to start the rising or falling of the first probe 10a or the second probe 10b.

또한, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 상승 또는 하강은 반복 수행할 수 있다.
In addition, the rising or falling of the first probe 10a or the second probe 10b may be repeatedly performed.

또한, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 가공된 직경(도 2의 B 방향 기준)에 따라 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 상승 속도 또는 하강 속도를 제어할 수 있다.In addition, the rising speed or falling speed of the first probe 10a or the second probe 10b is controlled according to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b (based on the direction B of FIG. 2). can do.

이때, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 상승 속도 또는 하강 속도는 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.In this case, the rising speed or falling speed of the first probe 10a or the second probe 10b may be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

예를 들어, 에칭 용액에 침지되어 가공되는 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 직경이 작아짐에 따라, 이에 비례하게 해당 프로브의 상승 또는 하강 속도를 느리게 조절하여 해당 프로브의 탑이 라운드형으로 가공될 수 있도록 하는 것이다.
For example, as the diameter of the first probe 10a or the second probe 10b that is immersed in the etching solution and processed becomes small, the top of the probe is adjusted by slowly adjusting the rising or falling rate of the corresponding probe. It is to be processed in a round shape.

또한, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 가공된 직경에 따라 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)에 인가되는 전압 및 전류의 세기를 제어할 수 있다.In addition, the intensity of the voltage and current applied to the first probe 10a or the second probe 10b may be controlled according to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

이때, 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 전압 및 전류의 세기는 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.In this case, the intensity of the voltage and current of the first probe 10a or the second probe 10b may be controlled in proportion to the processed diameter of the first probe 10a or the second probe 10b.

예를 들어, 에칭 용액에 침지되어 가공되는 제1 프로브(10a) 또는 제2 프로브(10b)의 직경이 작아짐에 따라, 이에 비례하게 해당 프로브에 인가되는 전압 및 전류의 세기를 약하게 조절하여 해당 프로브의 탑이 라운드형으로 가공될 수 있도록 하는 것이다.
For example, as the diameter of the first probe 10a or the second probe 10b that is immersed in the etching solution and processed is decreased, the intensity of the voltage and current applied to the probe is slightly adjusted in proportion thereto. It is to be able to process the tower of the round shape.

라운드형의 Round 프로브Probe 탑 제조방법-제2  Tower manufacturing method-second 실시예Example

도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 라운드형의 프로브 탑 제조방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 제2 실시예를 통해 형성된 라운드형의 프로브 탑을 나타내는 단면도, 도 7은 도 4의 전극에 에칭 용액을 보충하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.4 and 5 are views for explaining a method for manufacturing a round probe tower according to a second embodiment of the present invention, Figure 6 is a cross-sectional view showing a round probe tower formed through a second embodiment of the present invention. 7 is a view for explaining a method of replenishing an etching solution to the electrode of FIG.

다만, 제2 실시예에 대한 구성 중 제1 실시예의 구성과 동일한 구성에 대한 설명은 생략하고, 상이한 부분에 대해서만 설명하기로 한다.
However, a description of the same configuration as the configuration of the first embodiment out of the configurations of the second embodiment will be omitted, and only different parts will be described.

먼저, 도 4에서 도시하는 바와 같이, 테두리 형상의 피막 형성부(141)와 상기 피막 형성부(141)에 연결된 지지부(143)를 포함하는 전극(140)을 준비할 수 있다.
First, as shown in FIG. 4, an electrode 140 including an edge-shaped film forming part 141 and a support part 143 connected to the film forming part 141 may be prepared.

다음, 피막 형성부(141)에 에칭 용액으로 이루어진 피막(150)을 형성할 수 있다.Next, a film 150 made of an etching solution may be formed on the film forming part 141.

상기 피막(150)은 테두리 형상의 피막 형성부(141)에 형성된 버블 형태이다.The film 150 is in the form of a bubble formed in the film forming portion 141 of the edge shape.

여기에서, 에칭 용액은 수산화 용액으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
Here, the etching solution may be made of a hydroxide solution, but is not limited thereto. For example, the hydroxide solution may consist of NaOH or KOH, but is not limited thereto.

다음, 피막(150)을 두께 방향으로 관통하도록 프로브(10)를 배치할 수 있다.Next, the probe 10 may be disposed to penetrate the coating 150 in the thickness direction.

여기에서, 프로브(10)는 텅스텐 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
Here, the probe 10 may be made of a tungsten material, but is not limited thereto.

다음, 전극(140)과 프로브(10)에 각각 음극과 양극을 인가하여 프로브(10)의 탑을 라운드형으로 가공할 수 있다.Next, the top of the probe 10 may be rounded by applying a cathode and an anode to the electrode 140 and the probe 10, respectively.

이때, 전원 공급장치(미도시)를 이용하여 전극(140)과 프로브(10)에 음극과 양극을 인가할 수 있다.
In this case, a cathode and an anode may be applied to the electrode 140 and the probe 10 by using a power supply device (not shown).

또한, 프로브(10)의 가공된 직경에 따라 전압 및 전류의 세기를 제어할 수 있다.In addition, it is possible to control the strength of the voltage and current according to the processed diameter of the probe 10.

또한, 프로브(10)의 전압 및 전류의 세기는 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어할 수 있다.In addition, the strength of the voltage and current of the probe 10 can be controlled in proportion to the processed diameter of the probe.

예를 들어, 에칭 용액에 침지되어 가공되는 프로브(10)의 직경이 작아짐에 따라, 이에 비례하게 해당 프로브에 인가되는 전압 및 전류의 세기를 약하게 조절하여 해당 프로브의 탑이 라운드형으로 가공될 수 있도록 하는 것이다.
For example, as the diameter of the probe 10 immersed in the etching solution is reduced, the top of the probe may be rounded by slightly adjusting the intensity of voltage and current applied to the probe in proportion thereto. To ensure that

보다 상세히 설명하면, 도 5에서 도시하는 바와 같이, 프로브(10)가 피막(150)을 관통하면, 프로브(10)의 접촉면을 따라 피막(150)이 들려 올려지는 형태가 되며, 이때 피막(150)이 들어 올려진 영역(I)에 표면장력이 발생하여 프로브(10)가 식각되는 것이다.
In more detail, as shown in FIG. 5, when the probe 10 penetrates the coating 150, the coating 150 is lifted up along the contact surface of the probe 10. Surface tension is generated in the raised region (I) is to etch the probe 10.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 의한 프로브 탑 제조방법은 피막(150)을 기준으로 상부와 하부의 프로브(10)를 동시에 가공하는 것이 가능하다.In addition, the probe tower manufacturing method according to the second exemplary embodiment of the present invention may simultaneously process the upper and lower probes 10 based on the coating 150.

즉, 도 5 및 도 6에서 도시하는 바와 같이, 피막(150)을 관통한 상부와 하부 각각에 피막(150)이 들어 올려진 영역(I)이 형성되고, 이에 표면 장력이 발생하여 상부와 하부를 동시에 가공(도 6의 10)할 수 있는 것이다.
That is, as shown in FIG. 5 and FIG. 6, the region I in which the coating 150 is lifted is formed in each of the upper part and the lower part penetrating the coating 150, and thus surface tension is generated so that the upper part and the lower part are formed. Can be processed simultaneously (10 in Fig. 6).

한편, 도 7에서 도시하는 바와 같이, 전극(140)은 지지부(143) 상에 형성된 함습성 재질로 이루어진 에칭 용액 공급부재(160)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 7, the electrode 140 may further include an etching solution supply member 160 made of a moisture-containing material formed on the support part 143.

상기 피막을 형성하는 단계 이후에, 에칭 용액 공급부재(160)를 통해 피막 형성부(141)에 에칭 용액을 공급할 수 있다.After the forming of the film, the etching solution may be supplied to the film forming part 141 through the etching solution supply member 160.

이때, 에칭 용액 공급부재(160)는 에칭 용액이 담긴 형태의 용기(170) 등을 통해 에칭 용액을 공급받을 수 있다. In this case, the etching solution supply member 160 may receive the etching solution through the container 170 having the etching solution.

이로 인해, 전극(140)에 에칭 용액을 지속적으로 공급하여 프로브(10)의 제조 능력을 향상시킬 수 있다는 효과를 기대할 수 있다.
For this reason, the effect that the manufacturing ability of the probe 10 can be improved by continuously supplying the etching solution to the electrode 140.

상술한 본 발명의 제2 실시예는 프로브(10) 가공 시, 피막(150)과 접촉된 면에서만 반응이 일어나기 때문에, 프로브(10)의 가공이 용이하다는 장점이 있다.
The second embodiment of the present invention described above has an advantage that the processing of the probe 10 is easy because the reaction occurs only at the surface in contact with the coating 150 when the probe 10 is processed.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 라운드형의 프로브 탑 제조방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
Although the present invention has been described in detail through specific examples, it is intended to describe the present invention in detail, and the method of manufacturing a round probe tower according to the present invention is not limited thereto, and the technical field of the present invention is not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

10: 프로브
10a: 제1 프로브
10b: 제2 프로브
110 : 수조
120 : 에칭 용액
130 : 전원 공급장치
140 : 전극
141 : 피막 형성부
143 : 지지부
150 : 피막
160 : 에칭 용액 공급부재
170 : 용기10: Probe
10a: first probe
10b: second probe
110: tank
120: etching solution
130: power supply
140: electrode
141: film forming portion
143: support
150: film
160: etching solution supply member
170: container

Claims (18)

삭제delete 에칭 용액이 담긴 수조를 준비하는 단계;
상기 에칭 용액에 제1 프로브와 제2 프로브의 일부를 침지시키는 단계;
상기 제1 프로브와 제2 프로브에 전기적 연결을 수행하는 단계; 및
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브를 제1 조건에 따라 상승 또는 하강시켜 상기 제1 프로브의 탑 및 제2 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;
를 포함하며,
상기 전기적 연결을 수행하는 단계에서,
상기 제1 프로브와 상기 제2 프로브 각각에 양극(+) 또는 음극(-)을 인가하되, 서로 반대 극성을 가지도록 하며,
기 설정된 주기에 따라 상기 양극 또는 음극을 교대로 인가하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
Preparing a bath containing an etching solution;
Immersing a portion of a first probe and a second probe in the etching solution;
Performing electrical connection to the first probe and the second probe; And
Processing the tower of the first probe and the tower of the second probe into a round shape by raising or lowering the first probe or the second probe according to a first condition;
Including;
In the step of performing the electrical connection,
A positive electrode (+) or a negative electrode (-) is applied to each of the first probe and the second probe, and the polarities are opposite to each other.
Round probe tower manufacturing method for alternately applying the positive or negative electrode according to a predetermined period.
에칭 용액이 담긴 수조를 준비하는 단계;
상기 에칭 용액에 제1 프로브와 제2 프로브의 일부를 침지시키는 단계;
상기 제1 프로브와 제2 프로브에 전기적 연결을 수행하는 단계; 및
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브를 제1 조건에 따라 상승 또는 하강시켜 상기 제1 프로브의 탑 및 제2 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;
를 포함하며,
상기 라운드형으로 가공하는 단계에서,
상기 제1 조건은 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상기 에칭 용액에 접촉된 표면 직경이 상기 에칭 용액에 담긴 해당 프로브의 두께방향 길이와 동일하면, 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 또는 하강을 시작하는 조건인 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
Preparing a bath containing an etching solution;
Immersing a portion of a first probe and a second probe in the etching solution;
Performing electrical connection to the first probe and the second probe; And
Processing the tower of the first probe and the tower of the second probe into a round shape by raising or lowering the first probe or the second probe according to a first condition;
Including;
In the step of processing into a round shape,
The first condition is a rising or falling of the first probe or the second probe when the diameter of the surface contacting the etching solution of the first probe or the second probe is the same as the thickness length of the probe contained in the etching solution. Round probe tower manufacturing method that is a condition to start.
청구항 3에 있어서,
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 또는 하강은 반복 수행하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 3,
The rising or falling of the first probe or the second probe is repeated round probe tower manufacturing method.
청구항 2항 또는 3항에 있어서,
상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 따라 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 속도 또는 하강 속도를 제어하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 2 or 3,
After performing the electrical connection,
The method of claim 1, wherein the rising or falling speed of the first probe or the second probe is controlled according to the processed diameter of the first probe or the second probe.
청구항 5에 있어서,
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 상승 속도 또는 하강 속도는 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 5,
The rising or falling speed of the first probe or the second probe is a round probe tower manufacturing method of controlling in proportion to the processed diameter of the first or second probe.
청구항 2항 또는 3항에 있어서,
상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 따라 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브에 인가되는 전압 및 전류의 세기를 제어하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 2 or 3,
After performing the electrical connection,
A method of manufacturing a round probe tower for controlling the intensity of the voltage and current applied to the first probe or the second probe according to the processed diameter of the first probe or the second probe.
청구항 7에 있어서,
상기 전기적 연결을 수행하는 단계 이후에,
상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 전압 및 전류의 세기는 상기 제1 프로브 또는 제2 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 7,
After performing the electrical connection,
The method of claim 1, wherein the intensity of the voltage and current of the first probe or the second probe is controlled in proportion to the processed diameter of the first probe or the second probe.
청구항 2항 또는 3항에 있어서,
상기 제1 프로브와 상기 제2 프로브는 텅스텐 재질로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 2 or 3,
The first probe and the second probe is a round probe tower manufacturing method made of a tungsten material.
청구항 2항 또는 3항에 있어서,
상기 에칭 용액은 수산화 용액으로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 2 or 3,
The etching solution is a round probe tower manufacturing method consisting of a hydroxide solution.
청구항 10에 있어서,
상기 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 10,
The hydroxide solution is a round probe tower manufacturing method consisting of NaOH or KOH.
테두리 형상의 피막 형성부와 상기 피막 형성부에 연결된 지지부를 포함하는 전극을 준비하는 단계;
상기 피막 형성부에 에칭 용액으로 이루어진 피막을 형성하는 단계;
상기 피막을 두께 방향으로 관통하도록 프로브를 배치하는 단계; 및
상기 전극과 상기 프로브에 각각 음극과 양극을 인가하여 상기 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계;
를 포함하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
Preparing an electrode including an edge-shaped film forming portion and a support portion connected to the film forming portion;
Forming a film made of an etching solution on the film forming portion;
Arranging a probe to penetrate the coating in a thickness direction; And
Applying a cathode and an anode to the electrode and the probe, respectively, to process the top of the probe in a round shape;
Round probe tower manufacturing method comprising a.
청구항 12에 있어서,
상기 전극은 상기 지지부 상에 형성된 함습성 재질로 이루어진 에칭 용액 공급부재를 더 포함하고,
상기 피막을 형성하는 단계 이후에,
상기 에칭 용액 공급부재를 통해 상기 피막 형성부에 에칭 용액을 공급하는 단계;
를 더 포함하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 12,
The electrode further includes an etching solution supply member made of a moisture-containing material formed on the support,
After the forming of the film,
Supplying an etching solution to the film forming portion through the etching solution supply member;
Round probe tower manufacturing method further comprising a.
청구항 12에 있어서,
상기 프로브의 탑을 라운드형으로 가공하는 단계에서,
상기 프로브의 가공된 직경에 따라 전압 및 전류의 세기를 제어하는 단계를 더 포함하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 12,
In the step of processing the top of the probe in a round shape,
The method of claim 1 further comprising the step of controlling the strength of the voltage and current according to the processed diameter of the probe.
청구항 14에 있어서,
상기 프로브의 전압 및 전류의 세기는 상기 프로브의 가공된 직경에 비례하게 제어하는 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method according to claim 14,
Method of manufacturing a round probe tower of the voltage and current of the probe is controlled in proportion to the processed diameter of the probe.
청구항 12에 있어서,
상기 프로브는 텅스텐 재질로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 12,
The probe is a round probe tower manufacturing method made of a tungsten material.
청구항 12에 있어서,
상기 에칭 용액은 수산화 용액으로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.
The method of claim 12,
The etching solution is a round probe tower manufacturing method consisting of a hydroxide solution.
청구항 17에 있어서,
상기 수산화 용액은 NaOH 또는 KOH로 이루어진 라운드형의 프로브 탑 제조방법.18. The method of claim 17,
The hydroxide solution is a round probe tower manufacturing method consisting of NaOH or KOH.
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