KR101381632B1 - Apparatus to plate substrate - Google Patents
Apparatus to plate substrate Download PDFInfo
- Publication number
- KR101381632B1 KR101381632B1 KR1020120026423A KR20120026423A KR101381632B1 KR 101381632 B1 KR101381632 B1 KR 101381632B1 KR 1020120026423 A KR1020120026423 A KR 1020120026423A KR 20120026423 A KR20120026423 A KR 20120026423A KR 101381632 B1 KR101381632 B1 KR 101381632B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- loading
- pressing member
- pressing
- process chamber
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/028—Electroplating of selected surface areas one side electroplating, e.g. substrate conveyed in a bath with inhibited background plating
Abstract
본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 설치되는 프로세스 챔버; 및 프로세스 챔버의 상부에 배치되며, 프로세스 챔버에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부와, 승강부에 회전 가능하게 결합되며 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 기판을 파지하는 회전부를 구비하는 로딩 척;을 포함하며, 회전부는, 기판의 에지 부분이 접촉되어 로딩되는 로딩 부분을 포함하는 로딩몸체; 로딩몸체의 내측에서 상하 방향으로 이동 가능하게 구비되어 로딩 부분에 대해 기판을 가압하는 가압부재; 및 로딩몸체의 내측 상면 및 가압부재의 상면 사이에 개재되며, 탄성력을 구비하여 가압부재를 하방으로 미는 탄성부재;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 로딩 척이 간단한 구동 원리에 의해 기판의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있어 기판 도금 공정을 신뢰성 있게 완료한 후 도금 완료된 기판을 용이하게 언로딩할 수 있다.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a substrate plating apparatus, including: a process chamber in which an electrolyte is accommodated and a target part is installed at an inner lower part to generate positive metal ions when an anode voltage is applied; And a loading chuck disposed on an upper portion of the process chamber and having a lift portion rotatably provided relative to the process chamber, and a rotatable portion rotatably coupled to the lift portion and holding a substrate plated by plus metal ions. The rotating part includes: a loading body including a loading part in which an edge part of the substrate is loaded in contact with the loading part; A pressing member which is provided to be movable in the vertical direction in the loading body and presses the substrate against the loading portion; And an elastic member interposed between the inner upper surface of the loading body and the upper surface of the pressing member and having an elastic force to push the pressing member downward. According to the embodiment of the present invention, the loading chuck can smoothly perform loading and unloading of the substrate by a simple driving principle, so that the plated substrate can be easily unloaded after the substrate plating process is completed reliably.
Description
기판 도금 장치가 개시된다. 보다 상세하게는, 로딩 척이 간단한 구동 원리에 의해 기판의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있는 기판 도금 장치가 개시된다.
A substrate plating apparatus is disclosed. More specifically, a substrate plating apparatus is disclosed in which a loading chuck can smoothly load and unload a substrate by a simple driving principle.
일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.In general, a metal film is patterned on the entire surface of a substrate in order to form a metal wiring on a silicon wafer constituting a semiconductor device. At this time, the metal film formed on the entire surface of the substrate is formed of aluminum, copper, or the like.
이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.Among them, the metal film formed of copper has a high melting point compared to the metal film formed of aluminum, and thus may have a large resistance to electrical mobility. As a result, the reliability of the semiconductor device may be improved and the signal resistance is low. There is an advantage to increase the delivery speed. Therefore, a metal film formed of copper is mainly used.
박막을 증착하는 방법은 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용하는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition)으로 크게 분류된다. 물리기상증착방법으로는 스퍼터링(sputtering) 방법 등이 있고, 화학기상증착방법으로는 열을 이용한 열 화학기상증착방법(thermal CVD)과 플라즈마를 이용한 플라즈마 화학기상증착방법(plasma enhanced CVD) 등이 있다.The thin film deposition method is largely classified into physical vapor deposition (PVD) using physical collisions and chemical vapor deposition (CVD) using chemical reactions. Physical vapor deposition methods include sputtering methods, and chemical vapor deposition methods include thermal CVD using heat and plasma enhanced CVD using plasma. .
그러나 기판 상에 금속막을 패터닝하기 위해서는 증착 방법에 비해 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 전기도금 방법이 선호된다.However, in order to pattern a metal film on a substrate, an electroplating method, which is more resistant to electric mobility and relatively low in manufacturing cost, is preferred to the deposition method.
이러한 전기도금 방법이 적용되는 종래의 기판 도금 장치의 구성은 대한민국 특허 출원번호 2009-0123980호(발명의 명칭 : 기판 도금 장치) 및 대한민국 특허 출원번호 2007-0127891호(발명의 명칭 : 구리 전기도금 장치 및 구리 도금방법) 등에 기재되어 있다.
이러한 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압이 인가되는 경우 플러스 금속 이온, 예를 들면 구리 이온(Cu2+)을 배출하는 타겟부와, 프로세스 챔버의 내측 상부에서 승강 및 회전 가능하게 배치되며 기판을 파지할 수 있는 로딩척을 포함할 수 있다.The structure of the conventional substrate plating apparatus to which the electroplating method is applied is Korean Patent Application No. 2009-0123980 (Name of Invention: Substrate Plating Device) and Korean Patent Application No. 2007-0127891 (Invention: Copper Electroplating Apparatus) And copper plating method).
Such a substrate plating apparatus has a target portion for discharging positive metal ions, for example, copper ions (Cu 2+ ) when an electrolyte is received and an anode voltage is applied to an inner lower portion thereof, and a lowering and rotatable upper portion of a process chamber. And a loading chuck capable of gripping the substrate.
로딩척은, 기판의 로딩 및 언로딩을 위하여, 기판이 지지되는 지지 부분 및 기판을 지지 부분으로 가압하여 기판의 로딩 상태를 견고히 하는 가압 부분을 포함할 수 있다. The loading chuck may include a supporting portion on which the substrate is supported and a pressing portion for pressing the substrate to the supporting portion to secure the loading state of the substrate for loading and unloading the substrate.
부연 설명하면, 가압 부분이 기판을 지지 부분으로 가압한 상태에서 기판에 대한 도금이 이루어질 수 있으며, 기판에 대한 도금 공정이 완료된 후 지지 부분에 대해 가압 부분이 이격됨으로써 기판의 언로딩이 이루어질 수 있다.In detail, plating of the substrate may be performed while the pressing portion presses the substrate to the supporting portion, and after the plating process is completed, the pressing portion may be spaced apart from the supporting portion to unload the substrate. .
따라서, 기판의 로딩 및 언로딩을 신뢰성 있게 수행하기 위한 로딩척의 구조에 대한 개발이 요구된다.
Therefore, there is a need for development of a structure of a loading chuck to reliably perform loading and unloading of a substrate.
본 발명의 실시예에 따른 목적은, 로딩 척이 간단한 구동 원리에 의해 기판의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있어 기판 도금 공정을 신뢰성 있게 완료한 후 도금 완료된 기판을 용이하게 언로딩할 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.
An object according to an embodiment of the present invention is that the loading chuck can smoothly perform the loading and unloading of the substrate by a simple driving principle, so that the plated substrate can be easily unloaded after the substrate plating process is completed reliably. It is to provide a substrate plating apparatus.
본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 설치되는 프로세스 챔버; 및 상기 프로세스 챔버의 상부에 배치되며, 상기 프로세스 챔버에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부와, 상기 승강부에 회전 가능하게 결합되며 상기 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 상기 기판을 파지하는 회전부를 구비하는 로딩 척;을 포함하며, 상기 회전부는, 상기 기판의 에지 부분이 접촉되어 로딩되는 로딩 부분을 포함하는 로딩몸체; 상기 로딩몸체의 내측에서 상하 방향으로 이동 가능하게 구비되어 상기 로딩 부분에 대해 상기 기판을 가압하는 가압부재; 및 상기 로딩몸체의 내측 상면 및 상기 가압부재의 상면 사이에 개재되며, 탄성력을 구비하여 상기 가압부재를 하방으로 미는 탄성부재;를 포함할 수 있으며, 이러한 구성에 의해서, 로딩 척이 간단한 구동 원리에 의해 기판의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있어 기판 도금 공정을 신뢰성 있게 완료한 후 도금 완료된 기판을 용이하게 언로딩할 수 있다.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a substrate plating apparatus, including: a process chamber in which an electrolyte is accommodated and a target part is installed at an inner lower part to generate positive metal ions when an anode voltage is applied; And a lifting part disposed above the process chamber, the lifting part being provided to be liftable with respect to the process chamber, and a rotation part rotatably coupled to the lifting part and holding the substrate plated by the plus metal ion. A loading body including a loading part to be loaded in contact with an edge portion of the substrate; A pressing member which is provided to be movable in an up and down direction from the inside of the loading body to press the substrate against the loading portion; And an elastic member interposed between the inner upper surface of the loading body and the upper surface of the pressing member and having an elastic force to push the pressing member downward, thereby allowing the loading chuck to have a simple driving principle. As a result, the loading and unloading of the substrate can be performed smoothly, and thus the plating finished substrate can be easily unloaded after the substrate plating process is completed reliably.
상기 로딩 척은, 상기 기판의 언로딩(unloading)을 위해 상기 가압부재를 상기 기판과 이격되는 방향으로 이동시킨 후 상기 가압부재의 위치를 잠그는 잠금부를 더 포함할 수 있다.The loading chuck may further include a locking part for locking the position of the pressing member after moving the pressing member in a direction away from the substrate for unloading of the substrate.
상기 잠금부는, 상기 가압부재에 일단부가 연결되고 타단부는 상기 로딩몸체의 외부로 노출되는 연결부재; 및 상기 승강부에 결합되며 상기 연결부재를 잡아 상승시킴으로써 상기 기판에 대한 상기 가압부재의 가압력을 해제시키는 가압 해제부재를 포함할 수 있다.The locking unit may include a connecting member having one end connected to the pressing member and the other end exposed to the outside of the loading body; And a pressure release member coupled to the lifting unit to release the pressing force of the pressure member against the substrate by grasping the connection member.
상기 연결부재의 타단부에는 걸림 부분이 구비되어 상기 가압 해제부재의 상승 시 상기 가압 해제부에 래칭(latching)될 수 있다.The other end of the connection member may be provided with a latching portion and may be latched when the pressure release member rises.
상기 가압 해제부재에 의한 상기 연결부재의 래칭 해제(unlatching) 시 상기 탄성부재의 탄성력이 작용하는 방향으로 상기 가압부재는 이동할 수 있다.The pressure member may move in a direction in which an elastic force of the elastic member acts upon unlatching of the connection member by the pressure release member.
상기 탄성부재는 상기 로딩몸체의 내측 상면 및 상기 가압부재 사이에서 둘레 방향을 따라 규칙적으로 복수 개 배치될 수 있다.
The elastic member may be regularly arranged in a circumferential direction between the inner upper surface of the loading body and the pressing member.
본 발명의 실시예에 따르면, 로딩 척이 간단한 구동 원리에 의해 기판의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있어 기판 도금 공정을 신뢰성 있게 완료한 후 도금 완료된 기판을 용이하게 언로딩할 수 있다.
According to the embodiment of the present invention, the loading chuck can smoothly perform loading and unloading of the substrate by a simple driving principle, so that the plated substrate can be easily unloaded after the substrate plating process is completed reliably.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 로딩 척에 의한 기판의 로딩 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 로딩 척에 의한 기판의 언로딩 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 일부분을 확대한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a substrate plating apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a loading state of the substrate by the loading chuck shown in FIG.
3 is a diagram illustrating an unloading state of a substrate by the loading chuck illustrated in FIG. 2.
4 is an enlarged view of a portion of FIG. 3.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다. Hereinafter, configurations and applications according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The following description is one of many aspects of the claimed invention and the following description forms part of a detailed description of the present invention.
다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail for the sake of clarity and conciseness.
또한, 이하에서는, 타겟부로부터 발생되는 금속 이온이 구리 이온(Cu2 +)이라고 설명할 것이나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 금속 이온에 의해 기판에 대한 도금 공정이 진행될 수 있음은 당연하다.Hereinafter, would be a metal ion which is generated from the target portion, described as a copper ion (Cu 2 +) is not limited to this, it is no wonder is that to proceed the plating process on the substrate by the different kinds of metal ions.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 로딩 척에 의한 기판의 로딩 상태를 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 로딩 척에 의한 기판의 언로딩 상태를 도시한 도면이며, 도 4는 도 3의 일부분을 확대한 도면이다.1 is a view showing the configuration of a substrate plating apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a view showing a loading state of the substrate by the loading chuck shown in Figure 1, Figure 3 is FIG. 4 is a view illustrating an unloading state of a substrate by the loading chuck shown in FIG. 4, and FIG. 4 is an enlarged view of a portion of FIG. 3.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 전해액(103)이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온, 즉 본 실시예의 구리 이온(Cu2 +)을 발생시키는 타겟부(120)가 배치되는 프로세스 챔버(110)와, 프로세스 챔버(110)의 내측 상부에 승강 및 회전 가능하게 마련되어 구리 이온(Cu2 +)에 의해 도금되는 기판(W)을 파지하는 로딩 척(150)을 포함할 수 있다. 여기서, 본 실시예의 로딩 척(150)은 기판(W)의 로딩(loading) 시 기판(W)을 견고히 지지할 수 있어 기판 도금 공정이 신뢰성 있게 진행될 수 있도록 하며, 아울러 도금 공정 완료 후 단순한 동작에 의해 기판(W)의 언로딩(unloading)을 수행할 수도 있다.1, the
또한, 본 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 프로세스 챔버(110) 내에 마련되어 전해액(103) 상에서 구리 이온(Cu2 +)을 여과시키는 여과부(130)를 더 포함할 수 있다.Moreover, copper ion (Cu 2 +) on the
각각의 구성에 대해 설명하면, 먼저 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상호 착탈 가능하게 조립될 수 있는 이너 챔버(111, inner chamber) 및 아우터 챔버(115, outer chamber)를 구비할 수 있다. 본 실시예의 이너 챔버(111)에는, 전해액(103)이 상단부까지 채워지며, 하단부에는 타겟부(120) 및 그를 감싸는 여과부(130)가 장착된다. Referring to each configuration, first, the
이러한 이너 챔버(111)는 아우터 챔버(115)의 내측에 착탈 가능하게 결합되며, 이러한 결합 구조에 의해 외부 환경으로부터 보다 확실하게 보호받을 수 있다.The
이와 같이, 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는 상호 조립 및 분리가 용이한 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)를 구비하며, 이로 인해 제작이 용이하다는 장점이 있다. 다만, 프로세스 챔버(110)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)가 일체로 형성될 수 있음은 당연하다.As such, the
한편, 이너 챔버(111)의 내부에는, 도 1에 도시된 바와 같이, 양극(anode)을 형성하는 타겟부(120)가 마련된다. 타겟부(120)는 전해액(103)에 완전히 침지되며 전원 공급부에 의해 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 플러스 금속 이온, 즉 본 실시예의 구리 이온(Cu2 +)을 발생시키는 부분이다.On the other hand, inside the
본 실시예에서 타겟부(120)의 상면은 불규칙하게 마련될 수 있다. 이는, 타겟부(120)에 양극 전압이 인가될 경우 많은 양의 구리 이온(Cu2 +)이 발생될 수 있도록, 타겟부(120)의 상면의 실질적인 면적을 확대하기 위함이다.In this embodiment, the upper surface of the
이와 같이, 타겟부(120)로부터 구리 이온(Cu2 +)이 발생되면, 발생된 구리 이온(Cu2 +)을 도금 대상물인 기판(W)으로 이동시켜야 한다. 이러한 역할은 전술한 바와 같이 이너 챔버(111) 내에서 일정선까지 수용되는 전해액(103)에 의해서 이루어진다. 따라서 전해액(103)은 구리 이온(Cu2 +)을 전도하기에 적합한 황산구리 용액으로 적용된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 전해액(103)이 적용될 수 있음은 물론이다.Thus, when copper ions (Cu 2 + ) are generated from the
한편, 여과부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 이너 챔버(111)의 내측에 마련되어 전해액(103)을 통해 이동하는 구리 이온(Cu2 +)을 여과한다. 이러한 여과부(130)는 타겟부(120)의 상부에서 타겟부(120)와 실질적으로 평행하게 마련되며 1 내지 10 마이크로미터(μm)의 직경을 갖는 여과공(미도시)이 규칙적으로 관통 형성된 멤브레인 필터(membrane filter)로 마련될 수 있다.On the other hand,
따라서, 전해액(103) 상의 구리 이온(Cu2 +)을 제외한 물질, 예를 들면 기포 등이 기판(W)에 도달하는 것을 차단할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent such a matter, for example, except for copper ion (Cu + 2) on the
한편, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 전해액 공급부(미도시)와 연결되어 이너 챔버(111)의 내부로 전해액(103)을 공급할 뿐만 아니라 전해액(103)의 흐름을 형성시키는 전해액 공급라인(140)을 더 포함할 수 있다.On the other hand, the
전해액 공급라인(140)을 통해 이너 챔버(111)의 내측에 전해액(103)을 공급할 수 있을 뿐만 아니라 전해액(103)의 흐름을 형성할 수 있어 타겟부(120)로부터 기판(W)으로 전달되는 구리 이온(Cu2 +)의 움직임을 활성화시킬 수 있다.Not only the
한편, 전술한 바와 같이, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는 기판(W)을 파지할 수 있는 로딩 척(150)을 포함하며, 이러한 로딩 척(150)의 승강 및 회전 동작에 따라 기판(W)에 대한 도금 공정 및 로딩/언로딩 공정을 수행할 수 있다.On the other hand, as described above, the
본 실시예의 로딩 척(150)은, 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 외부의 승강 장치에 결합되어 프로세스 챔버(110)에 대해 높이 방향으로 승강 가능하게 마련되는 승강부(160)와, 승강부(160)에 대해 회전 가능하게 결합되며 기판(W)을 직접적으로 파지하는 회전부(151)를 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the
이러한 구성에 의해서, 승강 장치에 의한 승강부(160)의 승강 동작에 따라 회전부(151)에 파지된 기판(W)을 프로세스 챔버(110)의 전해액(103)에 침지되도록 하강시킬 수 있고, 또한 기판(W)에 대한 도금 공정 시 승강부(160)에 대해 회전부(151)를 상대 회전시킴으로써 기판(W)의 도금 공정을 수행할 수 있다.With this configuration, the substrate W held by the rotating
또한, 도시하지는 않았지만, 승강부(160) 및 회전부(151)에는 상호 연결된 음극 전원 인가부(미도시)가 구비된다. 음극 전압 인가부의 일부분은 승강부(160)의 축심을 따라 형성되고, 또한 음극 전압 인가부의 다른 일부분이 회전부(151)에서 양측으로 갈라지는 형상으로 마련됨으로써 기판(W)에 균일한 음극 전압을 인가할 수 있다.In addition, although not shown, the
여기서, 승강부(160) 내에 배치되는 음극 전압 인가부의 일부분과 회전부(151)에 배치되는 음극 전압 인가부의 다른 일부분은 슬립 링(미도시)으로 연결될 수 있으며, 따라서 승강부(160)에 대해 회전부(151)의 상대 회전이 가능하다.Here, a portion of the negative voltage applying unit disposed in the
한편, 본 실시예의 로딩 척(150)은 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 용이하게 할 수 있는 회전부(151)의 구조를 갖는다. 이러한 회전부(151)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 에지 부분이 접촉되어 로딩되는 로딩 부분(153)을 갖는 로딩몸체(152)와, 로딩몸체(152)의 내측에서 상하 방향으로 이동 가능하게 배치되어 로딩 부분(153)에 대해 기판(W)을 가압할 수 있는 가압부재(155)와, 로딩몸체(152)의 내측에 배치되며 탄성력을 구비하여 가압부재(155)를 하방으로 미는 탄성부재(157)를 포함할 수 있다. On the other hand, the
이러한 구성에 의해서, 기판(W)의 에지 부분을 로딩 부분(153)에 로딩한 상태에서 탄성부재(157)의 탄성력에 의해 가압부재(155)가 기판(W)을 누를 수 있어 기판(W)의 로딩 상태를 견고하게 유지할 수 있다.With this configuration, the pressing
다만, 기판(W)의 도금 공정 완료 후 기판(W)을 언로딩하기 위해, 가압부재(155)를 상방으로 이동시킨 후 가압부재(155)의 위치를 고정시켜야 하는데, 이를 위해서 본 실시예의 로딩 척(150)은 가압부재(155)의 위치를 조절하는 잠금부(170)를 더 포함할 수 있다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.However, in order to unload the substrate W after the plating process of the substrate W is completed, the pressing
각 구성에 대해 설명하면, 먼저 본 실시예의 로딩몸체(152)는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 회전부(151)의 기본 틀을 형성하며, 하방이 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 이러한 로딩몸체(152)의 하단부에는 기판(W)의 에지 부분이 부분적으로 로딩되는 로딩 부분(153)이 구비됨으로써, 기판(W)을 로딩몸체(152)에 로딩시킬 수 있다. Referring to each configuration, first, the
한편, 가압부재(155)는, 로딩몸체(152)의 내측에서 상하 방향으로 이동 가능하게 배치되며 기판(W)을 가압할 수 있도록 개략적으로 원판 형상을 갖는다. 이러한 가압부재는 기판(W)을 가압하여 기판(W)과 로딩 부분(153)이 밀착될 수 있도록 하며, 따라서 기판(W)의 도금 공정이 원활하게 이루어질 수 있다. 또한 기판(W)과 로딩 부분(153)의 밀착으로 인해 그 내측으로 전해액(103)이 들어오는 것을 방지할 수도 있다.On the other hand, the pressing
여기서, 가압부재(155)가 기판(W)을 소정의 힘으로 가압할 수 있도록 가압부재(155)의 상면과 로딩몸체(152)의 내측 상면 사이에는 복수 개의 탄성부재(157)가 구비된다. 즉, 스프링 형상을 갖는 탄성부재(157)가 로딩몸체(152)의 내측에서 둘레 방향을 따라 복수 개 배치됨으로써 가압부재(155)를 하방으로 가압할 수 있으며, 이로 인해 기판(W)의 에지 부분을 로딩몸체(152)의 로딩 부분(153)에 밀착시킬 수 있는 것이다.Here, a plurality of
한편, 기판(W)의 도금 공정 완료 후 기판(W)을 로딩몸체(152)의 로딩 부분(153)으로부터 언로딩하여야 하는데, 이를 위해서는 가압부재(155)의 가압을 해제해야 한다.Meanwhile, after the plating process of the substrate W is completed, the substrate W should be unloaded from the
이에, 전술한 것처럼, 본 실시예의 로딩 척(150)은 가압부재(155)의 위치를 조절하는 잠금부(170)를 구비하는데, 이하에서는 이에 대해 설명하기로 한다.Thus, as described above, the
본 실시예의 잠금부(170)는, 도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 길이 방향을 갖는 바아 형상으로 마련되어 로딩몸체(152)의 상단벽을 관통하도록 배치되며, 일단부는 가압부재(155)에 결합되고 타단부는 로딩몸체(152)의 상측으로 노출되는 복수 개의 연결부재(171)와, 승강부(160)에 결합되며 연결부재(171)를 잡아 상승시킴으로써 기판(W)에 대한 가압부재(155)의 가압력을 해제시키는 가압 해제부재(175)를 포함할 수 있다.2 to 4, the
여기서, 연결부재(171)의 타단부에는 연결부재(171)의 길이 방향과 가로 방향을 갖는 걸림 부분(172)이 구비되며, 따라서 연결부재(171)의 걸림 부분(172)이 가압 해제부재(175)의 승강 동작에 따라 선택적으로 래칭(latching)되거나 래칭 해제(unlatching)될 수 있다.Here, the other end of the connecting
도 2는 연결부재(171)의 걸림 부분(172)에 대한 가압 해제부재(175)의 래칭이 해제된 상태로, 이 경우 가압부재(155)는 탄성부재(157)의 탄성력에 의해 하방으로 이동된 상태를 유지할 수 있으며 따라서 기판(W)을 하방으로 가압함으로써 기판(W)과 로딩 부분(153)의 밀착 상태를 견고하게 유지할 수 있도록 한다.2 is the latching state of the
반면에, 도 3 및 도 4는 연결부재(171)의 걸림 부분(172)이 가압 해제부재(175)에 의해 래칭된 상태를 도시한 도면으로서, 가압 해제부재(175)를 상승시키는 경우 연결부재(171)들의 걸림 부분(172)들이 가압 해제부재(175)에 걸리게 되고, 계속적인 가압 해제부재(175)의 상승에 의해 연결부재(171)는 상승되면서 아울러 가압부재(155) 역시 상승할 수 있다. On the other hand, Figures 3 and 4 is a view showing a state in which the engaging
이에 따라 기판(W)에 대한 가압부재(155)의 가압력이 해제될 수 있으며 따라서 기판(W)의 도금 공정 완료 후 기판(W)의 언로딩 공정을 수행할 수 있다.Accordingly, the pressing force of the
이처럼 잠금부(170)에 의해 기판(W)을 가압하는 가압부재(155)의 위치를 조절할 수 있어, 가령 기판(W)의 언로딩 시 가압부재(155)를 상승시킴으로써 기판(W)의 언로딩이 원활하게 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 기판(W)의 로딩 시 가압부재(155)의 잠금을 해제함으로써 기판(W)을 균일하게 가압할 수 있어 기판(W)의 도금 공정이 신뢰성 있게 이루어질 수 있다.As such, the position of the
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 로딩 척(150)이 간단한 구동 원리에 의해 기판(W)의 로딩 및 언로딩을 원활하게 수행할 수 있어 기판 도금 공정을 신뢰성 있게 완료한 후 도금 완료된 기판(W)을 용이하게 언로딩할 수 있는 장점이 있다.As such, according to an embodiment of the present invention, the
한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, such modifications or variations are intended to fall within the scope of the appended claims.
100 : 기판 도금 장치 103 : 전해액
110 : 프로세스 챔버 120 : 타겟부
130 : 여과부 140 : 전해액 공급라인
150 : 로딩 척 151 : 회전부
152 : 로딩몸체 155 : 가압부재
157 : 탄성부재 160 : 승강부
170 : 잠금부 100: substrate plating apparatus 103: electrolyte solution
110: process chamber 120: target portion
130: filtration unit 140: electrolyte solution supply line
150: loading chuck 151: rotating part
152: loading body 155: pressure member
157: elastic member 160: lifting portion
170: locking part
Claims (6)
상기 프로세스 챔버의 상부에 배치되며, 상기 프로세스 챔버에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부와, 상기 승강부에 회전 가능하게 결합되며 상기 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 기판을 파지하는 회전부를 구비하는 로딩 척;
을 포함하며,
상기 회전부는,
상기 기판의 에지 부분이 접촉되어 로딩되는 로딩 부분을 포함하는 로딩몸체;
상기 로딩몸체의 내측에서 상하 방향으로 이동 가능하게 구비되어 상기 로딩 부분에 대해 상기 기판을 가압하는 가압부재; 및
상기 로딩몸체의 내측 상면 및 상기 가압부재의 상면 사이에 개재되며, 탄성력을 구비하여 상기 가압부재를 하방으로 미는 탄성부재;
를 포함하는 기판 도금 장치.
A process chamber in which an electrolyte is accommodated and a target part is installed at an inner lower part to generate positive metal ions when an anode voltage is applied; And
A loading chuck disposed on an upper portion of the process chamber, the lifting part being provided to be liftable with respect to the process chamber, and a rotating part rotatably coupled to the lifting part and holding a substrate plated by the plus metal ion; ;
/ RTI >
The rotation unit includes:
A loading body including a loading portion in which an edge portion of the substrate is loaded in contact with the loading portion;
A pressing member which is provided to be movable in an up and down direction from the inside of the loading body to press the substrate against the loading portion; And
An elastic member interposed between the inner upper surface of the loading body and the upper surface of the pressing member and having an elastic force to push the pressing member downward;
Substrate plating apparatus comprising a.
상기 로딩 척은,
상기 기판의 언로딩(unloading)을 위해 상기 가압부재를 상기 기판과 이격되는 방향으로 이동시킨 후 상기 가압부재의 위치를 잠그는 잠금부를 더 포함하는 기판 도금 장치.
The method of claim 1,
The loading chuck is
And a locking part for locking the position of the pressing member after moving the pressing member in a direction away from the substrate for unloading the substrate.
상기 잠금부는,
상기 가압부재에 일단부가 연결되고 타단부는 상기 로딩몸체의 외부로 노출되는 연결부재; 및
상기 승강부에 결합되며 상기 연결부재를 잡아 상승시킴으로써 상기 기판에 대한 상기 가압부재의 가압력을 해제시키는 가압 해제부재를 포함하는 기판 도금 장치.
3. The method of claim 2,
The locking portion
A connecting member having one end connected to the pressing member and the other end exposed to the outside of the loading body; And
And a pressing release member coupled to the lifting unit to release the pressing force of the pressing member against the substrate by grasping and connecting the connecting member.
상기 연결부재의 타단부에는 걸림 부분이 구비되어 상기 가압 해제부재의 상승 시 상기 가압 해제부에 래칭(latching)되는 기판 도금 장치.
The method of claim 3,
The other end of the connecting member is provided with a latching portion is plated apparatus for latching (latching) on the pressure release portion when the pressure release member is raised.
상기 가압 해제부재에 의한 상기 연결부재의 래칭 해제(unlatching) 시 상기 탄성부재의 탄성력이 작용하는 방향으로 상기 가압부재는 이동하는 기판 도금 장치.
5. The method of claim 4,
And the pressing member moves in a direction in which an elastic force of the elastic member acts upon unlatching of the connection member by the pressing release member.
상기 탄성부재는 상기 로딩몸체의 내측 상면 및 상기 가압부재 사이에서 둘레 방향을 따라 규칙적으로 복수 개 배치되는 기판 도금 장치.The method of claim 1,
The elastic member is a substrate plating apparatus which is regularly arranged in the circumferential direction between the inner upper surface of the loading body and the pressing member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120026423A KR101381632B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Apparatus to plate substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120026423A KR101381632B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Apparatus to plate substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130104695A KR20130104695A (en) | 2013-09-25 |
KR101381632B1 true KR101381632B1 (en) | 2014-04-07 |
Family
ID=49453482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020120026423A KR101381632B1 (en) | 2012-03-15 | 2012-03-15 | Apparatus to plate substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101381632B1 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101698531B1 (en) * | 2016-03-08 | 2017-01-20 | 재단법인대구경북과학기술원 | anodizing apparatus |
JP6899040B1 (en) * | 2020-12-09 | 2021-07-07 | 株式会社荏原製作所 | Plating equipment and substrate holder operation method |
KR102466975B1 (en) * | 2021-11-09 | 2022-11-16 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | plating device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090060903A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 주식회사 동부하이텍 | Cu electrochemical plating apparatus and plating method |
KR20110067402A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus to plate substrate |
-
2012
- 2012-03-15 KR KR1020120026423A patent/KR101381632B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090060903A (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-15 | 주식회사 동부하이텍 | Cu electrochemical plating apparatus and plating method |
KR20110067402A (en) * | 2009-12-14 | 2011-06-22 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus to plate substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130104695A (en) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10837119B2 (en) | Microelectronic substrate electro processing system | |
US10174437B2 (en) | Wafer electroplating chuck assembly | |
TWI555121B (en) | Method and apparatus for filling interconnect structures | |
KR102551975B1 (en) | Systems and methods for providing multiple nanowires | |
CN103426831B (en) | Sealing ring in electrochemical treater | |
JP2007525595A (en) | Plating apparatus and method | |
KR101381632B1 (en) | Apparatus to plate substrate | |
US11608566B2 (en) | High resistance virtual anode for electroplating cell | |
US20150090584A1 (en) | Plating apparatus and cleaning device used in the plating apparatus | |
US20080121526A1 (en) | Adjustable anode assembly for a substrate wet processing apparatus | |
US20160247765A1 (en) | Semiconductor device, plating method, plating system and recording medium | |
TW201201322A (en) | Seed layer deposition in microscale features | |
JP4423359B2 (en) | Plating method | |
CN108330518A (en) | Method and apparatus for filling interconnection structure | |
KR101283732B1 (en) | Apparatus to plate substrate | |
KR101103450B1 (en) | Apparatus to plate substrate | |
US20160190040A1 (en) | Wiring layer forming method, wiring layer forming system and recording medium | |
KR101242272B1 (en) | Unit to Supply Cathode Voltage and Apparatus to Plate Substrate Having the Same | |
KR101191543B1 (en) | Apparatus to Plate Substrate | |
KR20230089907A (en) | Plating apparatus having conductive liquid and plating method | |
KR20120057223A (en) | Apparatus to Plate Substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170125 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190103 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200121 Year of fee payment: 7 |