JP2013109763A - ソリッドステートディスク - Google Patents
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Abstract
【課題】異なる動作モードのメモリチップをサポートすることができるソリッドステートディスクを提供すること。
【解決手段】本発明に係るソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【選択図】図1
【解決手段】本発明に係るソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
【選択図】図1
Description
本発明は、ソリッドステートディスク(Solid State Disk)に関するものである。
現在、コンピュータの格納容量を拡大するため、ソリッドステートディスクが幅広く用いられている。しかし、従来の記憶チップは、様々なメーカーによって製造されているため、動作モードも異なる。従って、ソリッドステートディスク上の記憶チップが損傷して取り替えなければならなくなった場合、各々の記憶チップの動作モードは異なるため、当該ソリッドステートディスク上の回路を変更しなければならず、時間の浪費及び使用上の不便をもたらす。
以上の問題点に鑑みて、本発明は、異なる動作モードのメモリチップをサポートすることができるソリッドステートディスクを提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明に係るソリッドステートディスクは、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、当該コンピュータの格納容量を拡大するために用いられ且つメインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗及びメインチップと、に接続される複数のメモリチップを備える。メインチップは、メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に電気抵抗を介して接地され、第一スイッチ及び第二スイッチを選択的に開閉させて、メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、メモリチップの動作モードを変える。
従来の技術とは異なり、本発明のソリッドステートディスクは、第一スイッチ及び第二スイッチの開閉状態を制御することにより、メモリチップの動作モードを変えることができ、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
図1に示すように、本発明の実施形態に係るソリッドステートディスク1は、コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて使用される。例えば、ソリッドステートディスク1を、DDR3メモリスロットに挿入してデータを格納することで、コンピュータの記憶容量を拡大することができる。ソリッドステートディスク1は、メインチップ10と、第一スイッチS1と、第二スイッチS2と、電気抵抗30と、メインチップ10に接続されている複数のメモリチップ40と、を備える。また、ソリッドステートディスク1の他の部品は、既存のソリッドステートディスク1と同じであるので、ここでの詳しい説明は省略する。
第一スイッチS1の第一端は、メインチップ10の入出力ピンGPIO10に接続され、第二スイッチS2の第一端は、メインチップ10の入出力ピンGPIO11に接続される。また、第一スイッチS1及び第二スイッチS2の第二端は、共に電気抵抗30を介して接地される。
メインチップ10の入出力ピンGPIO10及び入出力ピンGPIO11のレベル信号を設定することによって、メモリチップ40の動作モードを変えることができる。例えば、入出力ピンGPIO10及び入出力ピンGPIO11が何れも低レベル信号を受信した場合、メモリチップ40は第一動作モード(例えば、Asyncモード)の下で作動する。また、入出力ピンGPIO10が高レベル信号を受信し、入出力ピンGPIO11が低レベル信号を受信した場合、メモリチップ40は第二動作モード(例えば、Toggleモード)の下で作動する。また、入出力ピンGPIO10が低レベル信号を受信し、入出力ピンGPIO11が高レベル信号を受信した場合、メモリチップ40は第三動作モード(例えば、ONF12モード)の下で作動する。また、入出力ピンGPIO10及び入出力ピンGPIO11が何れも高レベル信号を受信した場合、メモリチップ40は第四動作モード(例えば、Old asyncモード)の下で作動する。
ソリッドステートディスク1を使用する際、メモリチップ40が第一動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチS1及び第二スイッチS2をオフにすると、メインチップ10の入出力ピンGPIO10及びGPIO11は、共に低レベル信号を受信し、この際、メインチップ10は、メモリチップ40を制御して第一動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ40が第二動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチS1をオンにして、第二スイッチS2をオフにすると、メインチップ10の入出力ピンGPIO10は高レベル信号を受信し、入出力ピンGPIO11は低レベル信号を受信し、この際、メインチップ10は、メモリチップ40を制御して第二動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ40が第三動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチS1をオフにして、第二スイッチS2をオンにすると、メインチップ10の入出力ピンGPIO10は低レベル信号を受信し、入出力ピンGPIO11は高レベル信号を受信し、この際、メインチップ10は、メモリチップ40を制御して第三動作モードの下で作動させる。また、メモリチップ40が第四動作モードの下で作動する必要があれば、第一スイッチS1及び第二スイッチS2を同時にオンにすると、メインチップ10の入出力ピンGPIO10、GPIO11は、共に高レベル信号を受信し、この際、メインチップ10は、メモリチップ40を制御して第四動作モードの下で作動させる。
上記の実施形態から明らかなように、本発明のソリッドステートディスク1は、第一スイッチS1及び第二スイッチS2の開閉状態を制御することにより、メモリチップ40の動作モードを変えることができる。これにより、操作に便利で且つ時間を節約することができる。
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形又は修正が可能であり、該変形又は修正も又、本発明の特許請求の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもない。
1 ソリッドステートディスク
10 メインチップ
30 電気抵抗
40 メモリチップ
10 メインチップ
30 電気抵抗
40 メモリチップ
Claims (2)
- コンピュータのメモリスロット内に挿入接続されて、コンピュータの格納容量を拡大するために用いられるソリッドステートディスクであって、
該ソリッドステートディスクは、メインチップと、第一スイッチと、第二スイッチと、電気抵抗と、前記メインチップに接続される複数のメモリチップと、を備え、前記メインチップは、前記メモリチップの動作モードを変えるための第一入出力ピン及び第二入出力ピンを備え、第一スイッチの第一端は、前記メインチップの第一入出力ピンに接続され、第二スイッチの第一端は、前記メインチップの第二入出力ピンに接続され、第一スイッチ及び第二スイッチの第二端は、共に前記電気抵抗を介して接地され、
前記第一スイッチ及び前記第二スイッチを選択的に開閉させて、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンに入力されるレベル信号を変えると、前記メインチップは、受信したレベル信号に基づいて、前記メモリチップの動作モードを変えることを特徴とするソリッドステートディスク。 - 前記メモリチップの動作モードは、第一動作モードないし第四動作モードを備え、第一動作モードはAsyncモードであり、第二動作モードはToggleモードであり、第三動作モードはONF12モードであり、第四動作モードはOld asyncモードであり、
前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第一動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが高レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが低レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第二動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピンが低レベル信号を受信し且つ第二入出力ピンが高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第三動作モードの下で作動し、前記メインチップの第一入出力ピン及び第二入出力ピンが共に高レベル信号を受信した場合、前記メモリチップは第四動作モードの下で作動することを特徴とする請求項1に記載のソリッドステートディスク。
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