JP2013104682A - 計測装置および計測方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、計測装置は、電磁波照射手段と検出手段とデータ処理手段と膜構造変換手段と膜構造計測手段とを持つ。電磁波照射手段は電磁波を生成して前記基体へ照射する。検出手段は、前記基体で散乱されまたは反射した電磁波の強度を測定する。データ処理手段は、前記検出手段からの信号を処理して散乱プロファイルを作成して解析し、前記周期構造の表面形状を算出する。膜構造変換手段は、前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する。膜構造計測手段は、前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記周期構造について実測による反射率プロファイルを取得して解析し、前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する。
【選択図】図1
Description
(1)装置構成
図1は、実施の一形態によるパターン計測装置の概略構成を示すブロック図である。本実施形態の計測装置は、X線微小角入射小角散乱による測定(以下、「GISAXS測定」という)機能とX線反射率法による測定(以下、「XRR測定」という)機能の双方を有する。
図2は、X線の経路とパターンの方向との関係を示す平面図である。図2に示すように、ウェーハWの表面には、検査対象である周期構造PSが形成されている。周期構造としては、図2に示すライン・アンド・スペース構造の他、例えば一方向もしくは互いに直交する2方向に所定ピッチで配置された穴パターン構造、または穴パターンとラインパターンとが混在する構造などが含まれる。ウェーハWは、本実施形態において例えば基体に対応する。基体としては、ウェーハWに限ることなく、例えばガラス基板、化合物半導体基板、セラミック基板なども含まれる。
アッテネータ7は、X線Liが照射したパターンPで反射したX線Loを所望の強度に減衰させる。
図1に示す計測装置を用いて周期構造PSを計測する方法のいくつかについて、図5乃至図8を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する計測方法の特徴の一つは、GISAXS測定とXRR測定の両方を順次に行い、GISAXSからは表面パターンの形状を算出し、その算出結果に基づいてXRR測定を行い、得られた反射率プロファイルの解析により周期構造PSの表面構造および内部構造を再構築する点にある。以下、順を追って説明する。
図5に示す周期構造PS1は、ウェーハWの表面に成膜された膜34と、紙面垂直方向に延在するライン状のパターン33と、膜32と、紙面垂直方向に延在するライン状のパターン31とを有する。
実施の一形態による計測方法について図8のフローチャートを参照しながら説明する。
まず、GISAXS測定により計測対象である周期構造の表面形状を測定する(ステップS11)。
続いて、周期構造の設計データや断面TEMからの測定値などによる参照データを用いて周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出し(ステップS32)、シミュレーション反射率プロファイルを作成する(ステップS33)。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
Claims (6)
- 複数の膜を有する周期構造が形成された基体を支持するステージと、
前記ステージの位置と高さを制御するステージ制御手段と、
電磁波を生成し、前記基体へ照射する電磁波照射手段と、
前記電磁波の仰角を制御する角度制御手段と、
前記基体で散乱されまたは反射した電磁波を検出してその強度を測定する検出手段と、
前記検出手段からの信号を処理して第1の散乱プロファイルを作成し、前記周期構造についてシミュレーションにより予め得られた第2の散乱プロファイルと前記第1の散乱プロファイルとのフィッティングにより、前記周期構造の表面形状を算出するデータ処理手段と、
算出された前記表面形状から前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出し、前記周期構造に関する参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する膜構造変換手段と、
前記仮想的膜構造から測定条件を設定し、該測定条件に従って前記ステージ制御手段、前記電磁波照射手段、前記角度制御手段および前記検出手段を制御し、前記周期構造について実測による第1の反射率プロファイルを取得し、前記内部構造に関する仮想的膜構造を用いたシミュレーションにより得られた第2の反射率プロファイルとのフィッティングにより前記周期構造を構成する各層の膜厚を算出し、算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する膜構造計測手段と、
を備える計測装置。 - 前記膜構造変換手段は、
前記周期構造の表面構造を構成する各材料の材質データと、前記データ処理手段により算出された前記周期構造の表面形状と、に基づいて前記表面構造を高さ方向に複数の領域に分割し、 分割された前記領域のそれぞれについて、材質の体積比と各材料の電子密度から前記表面構造の各層での有効的な電子密度を算出し、密度勾配のある複数の層の膜厚と電子密度とを求めることにより前記内部構造に関する仮想的膜構造を算出する、
ことを特徴とする請求項1に記載の計測装置。 - 前記膜構造変換手段は、
前記周期構造の表面構造の断面積を前記周期構造の周期で除算することにより前記表面構造の仮想的な膜厚を求め、得られた膜厚の値と前記表面構造の各点との差分から前記表面構造の高さばらつきを求めることにより前記表面構造に関する仮想的膜構造を算出する、
ことを特徴とする請求項1に記載の計測装置。 - 複数の膜を有する周期構造が形成された基体に電磁波を照射し、散乱された電磁波の強度を測定して得られた信号を処理して前記周期構造の表面形状を算出する工程と、
算出された前記表面形状から前記周期構造の表面構造に関する仮想的膜構造を算出する工程と、
前記周期構造に関する参照データから前記周期構造の内部構造に関する仮想的膜構造を算出する工程と、
前記仮想的膜構造から光学条件を設定する工程と、
設定された光学条件に従って前記基体に前記電磁波を照射し、散乱された電磁波の強度を検出して得られた信号を処理して前記周期構造について実測による第1の反射率プロファイルを取得する工程と、
前記第1の反射率プロファイルと、前記内部構造に関する仮想的膜構造を用いたシミュレーションにより得られた第2の反射率プロファイルとのフィッティングにより前記周期構造の内部を構成する各層の膜厚を算出する工程と、
算出された前記膜厚と前記仮想的膜構造とを用いて前記周期構造の形状を再構築する工程と、
を備える計測方法。 - 前記内部構造に関する仮想的膜構造を算出する工程は、
算出された前記周期構造の表面形状と、前記周期構造の表面構造を構成する各材料の材質データと、に基づいて前記表面構造を高さ方向に複数の領域に分割する工程と、
分割された前記領域のそれぞれについて、材質の体積比と各材料の電子密度から前記表面構造の各層での有効的な電子密度を算出する工程と、
密度勾配のある複数の層の膜厚と電子密度とを求める工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の計測方法。 - 前記表面構造に関する仮想的膜構造を算出する工程は、
前記周期構造の表面構造の断面積を前記周期構造の周期で除算することにより前記表面構造の仮想的な膜厚を求める工程と、
得られた膜厚の値と前記表面構造の各点との差分から前記表面構造の高さばらつきを求める工程と、
を含むことを特徴とする請求項4に記載の計測方法。
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