JP2013100260A - 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクエラーファクター優れたレジストパターンレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物、この化合物に由来する構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。

［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、化合物、樹脂、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法に関する。

近年、半導体の微細加工技術として、ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）等の短波長光を露光源とする光リソグラフィ技術が活発に検討されている。このような光リソグラフィ技術に用いられるレジスト組成物は、酸の作用によってアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する樹脂と、酸発生剤とが含有されている。

例えば、特許文献１には、式（Ｘ）で表されるモノマー及び式（Ｘ）で表されるモノマーに由来する構造単位からなる樹脂が記載されている。

特開２００４−５９４３５号公報

従来の酸発生剤を含むレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター（ＭＥＦ）等が必ずしも満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
〔１〕式（Ｉ）で表される化合物。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか、又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。
Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。
Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−１）で表される基を表す。

（式（ａ−１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）
Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−２）で表される基を表す。

（式（ａ−２）中、
ｔは０又は１を表す。
Ｘ¹²及びＸ¹³は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹³及びＡ¹⁵は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ¹⁴は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）］
〔２〕前記式（Ｉ）のＲ^４は、以下の式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）、式（Ｒ^４−３）及び式（Ｒ^４−４）のいずれかで表される基である前記〔１〕記載の化合物。

（式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）、式（Ｒ^４−３）及び式（Ｒ^４−４）中、
Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。＊は、Ｔ^１との結合手を表す。）
〔３〕式（Ｉ）のＲ^１及びＲ^２が、共にメチル基である前記〔１〕又は〔２〕記載の化合物。
〔４〕式（Ｉ）のＲ^１及びＲ^２が、互いに結合してシクロヘキサン環を形成している構造単位を有する前記〔１〕又は〔２〕記載の化合物。
〔５〕前記式（Ｉ）のＲ^４が、式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）及び式（Ｒ^４−３）のいずれかで表される基である前記〔１〕〜〔３〕のいずれか記載の化合物。
〔６〕前記式（Ｉ）のＴ^１が、単結合である前記〔１〕〜〔４〕のいずれか記載の化合物。
〔７〕前記式（Ｉ）のＴ^２が、−ＣＯ−である前記〔１〕〜〔５〕のいずれか記載の化合物。
〔８〕前記式（Ｉ）のＷが、アダマンタン環である前記〔１〕〜〔６〕のいずれか記載の化合物。
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
〔１０〕さらに、酸に不安定な基を有するモノマー（但し、式（Ｉ）で表される化合物ではない）に由来する構造単位を有する前記〔９〕記載の樹脂。
〔１１〕酸に不安定な基を有するモノマーが、式（ａ１−１）で表されるモノマー及び式（ａ１−２）で表されるモノマーからなる群から選ばれる少なくとも一種である前記〔１０〕記載の樹脂。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
〔１２〕さらに、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する前記〔９〕〜〔１１〕のいずれか記載の樹脂。
〔１３〕前記ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが、式（ａ２−１）で表されるモノマーである前記〔１２〕記載の樹脂。

［式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。］
〔１４〕さらに、ラクトン環を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する前記〔９〕〜〔１３〕のいずれか記載の樹脂。
〔１５〕ラクトン環を有する酸安定モノマーが、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）及び式（ａ３−３）で表されるモノマーから選ばれる少なくとも１種である前記〔１４〕記載の樹脂。

［式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ３は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。
ｐ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a21は互いに同一又は相異なり、ｑ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a22は互いに同一又は相異なり、ｒ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a23は互いに同一又は相異なる。］
〔１６〕前記〔９〕〜〔１５〕のいずれか記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
〔１７〕さらに、フッ素原子を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する樹脂を含有する前記〔１６〕記載のレジスト組成物。
〔１８〕フッ素原子を有する酸安定モノマーが、式（ａ４−１）で表されるモノマーである前記〔１７〕記載のレジスト組成物。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^４１は、式（ａ４−ｇ１）で表される基を表す。

（式（ａ４−ｇ１）中、
ｓｓは０〜２の整数を表す。
Ａ^４０及びＡ^４３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＡ^４０は、互いに同一又は相異なる。
Ｘ^４０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＸ^４０は、互いに同一又は相異なる。）
Ｒ^4２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。］
〔１９〕酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩である前記〔１６〕〜〔１８〕のいずれか記載のレジスト組成物。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^b1は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
〔２０〕式（Ｂ１）におけるＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である前記〔１９〕記載のレジスト組成物。
〔２１〕さらに溶剤を含有する前記〔１６〕〜〔２０〕記載のレジスト組成物。
〔２２〕（１）前記〔２１〕記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。

本発明の式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位からなる樹脂を含むレジスト組成物を用いれば、マスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れたレジストパターンを製造できる。

本明細書では、特に断りのない限り、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの化学構造式においても適用される。脂肪族炭化水素基のうち、アルキル基のように直鎖状又は分岐状をとることができるものは、そのいずれをも含む。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。以下の置換基の例示において、「Ｃ」に付して記載した数値は、各々の基の炭素数を示すものである。
さらに、本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ₂＝Ｃ（ＣＨ₃）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」並びに「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。

炭化水素基とは、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含する。
脂肪族炭化水素基は、鎖式及び環式の双方を含み、特に定義しない限り、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられたものも包含する。また、これら脂肪族炭化水素基は、その一部に炭素−炭素二重結合を含んでいてもよいが、飽和の基（脂肪族飽和炭化水素基）が好ましい。
鎖式の脂肪族炭化水素基のうち１価のものとしては、典型的にはアルキル基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基（Ｃ_１）、エチル基（Ｃ_２）、プロピル基（Ｃ_３）、ブチル基（Ｃ_４）、ペンチル基（Ｃ_５）、ヘキシル基（Ｃ_６）、ヘプチル基（Ｃ_７）、オクチル基（Ｃ_８）、デシル基（Ｃ₁₀）、ドデシル基（Ｃ₁₂）、ヘキサデシル基（Ｃ₁₄）、ペンタデシル基（Ｃ₁₅）、ヘキシルデシル基（Ｃ₁₆）、ヘプタデシル基（Ｃ₁₇）及びオクタデシル基（Ｃ₁₈）などが挙げられる。
鎖式の脂肪族炭化水素基のうち２価のものとしては、アルキル基から水素原子を１個取り去ったアルカンジイル基が挙げられる。
アルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基及び２−メチルブタン−１，４−ジイル基等が挙げられる。

環式の脂肪族炭化水素基（以下、場合により「脂環式炭化水素基」という）は、典型的には、シクロアルキル基を意味し、以下に示す単環式及び多環式のいずれも包含する。

脂環式炭化水素基のうち１価のものとして、単環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式（ＫＡ−１）〜（ＫＡ−７）で表されるシクロアルカンの水素原子を１個取り去った基である。

多環式の脂肪族炭化水素基は、以下の式（ＫＡ−８）〜（ＫＡ−２２）で表されるシクロアルカンの水素原子を１個取り去った基である。

脂環式炭化水素基のうち２価のものとしては、式（ＫＡ−１）〜式（ＫＡ−２２）の脂環式炭化水素から水素原子を２個取り去った基が挙げられる。

脂肪族炭化水素基は置換基を有していてもよい。このような置換基としては、特に限定されない限り、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アラルキル基及びアリールオキシ基が挙げられる。
ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基（Ｃ_１）、エトキシ基（Ｃ_２）、プロポキシ基（Ｃ_３）、ブトキシ基（Ｃ_４）、ペンチルオキシ基（Ｃ_５）、ヘキシルオキシ基（Ｃ_６）、ヘプチルオキシ基（Ｃ₇）、オクチルオキシ基（Ｃ₈）、デシルオキシ基（Ｃ₁₀）及びドデシルオキシ基（Ｃ₁₂）などが挙げられる。
アルキルチオ基としては、メチルチオ基（Ｃ_１）、エチルチオ基（Ｃ_２）、プロピルチオ基（Ｃ_３）、ブチルチオ基（Ｃ_４）、ペンチルチオ基（Ｃ_５）、ヘキシルチオ基（Ｃ_６）、ヘプチルチオ基（Ｃ_７）、オクチルチオ基（Ｃ_８）、デシルチオ基（Ｃ₁₀）及びドデシルチオ基（Ｃ₁₂）などが挙げられる。
アシル基としては、アセチル基（Ｃ_２）、プロピオニル基（Ｃ_３）、ブチリル基、イソブチリル基（Ｃ_４）、バレイル基、イソバレイル基、ピバロイル基（Ｃ_５）、ヘキサノイル基（Ｃ_６）、ヘプタノイル基（Ｃ₇）、オクタノイル基（Ｃ₈）、デカノイル基（Ｃ₁₀）及びドデカノイル基（Ｃ₁₂）などのアルキル基とカルボニル基とが結合したもの並びにベンゾイル基（Ｃ₇）などのアリール基とカルボニル基とが結合したものが包含される。
アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基（Ｃ_６）、ナフチル基（Ｃ₁₀）、アントリル基（Ｃ₁₄）、ビフェニル基（Ｃ₁₂）、フェナントリル基（Ｃ₁₄）及びフルオレニル基（Ｃ₁₃）などが挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基（Ｃ₇）、フェネチル基（Ｃ₈）、フェニルプロピル基（Ｃ₉）、ナフチルメチル基（Ｃ₁₁）及びナフチルエチル基（Ｃ₁₂）などが挙げられる。
アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基（Ｃ_６）、ナフチルオキシ基（Ｃ₁₀）、アントリルオキシ基（Ｃ₁₄）、ビフェニルオキシ基（Ｃ₁₂）、フェナントリルオキシ基（Ｃ₁₄）及びフルオレニルオキシ基（Ｃ₁₃）などのアリール基と酸素原子とが結合したものが挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、典型的には、アリール基が挙げられる。
芳香族炭化水素基も置換基を有することがある。このような置換基はそのつど定義するが、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシル基、アルキル基及びアリールオキシ基を挙げることができる。これらのうち、アルキル基は、鎖式脂肪族炭化水素基として例示したものと同じであり、芳香族炭化水素基に任意に有する置換基のうち、アルキル基以外のものは、脂肪族炭化水素基の置換基として例示したものと同じものを含む。

＜式（Ｉ）で表される化合物（以下「化合物（Ｉ）」という場合がある）＞
本発明の化合物は、式（Ｉ）で表される。

［式（Ｉ）中、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか、又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。
Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。
Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。
Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−１）で表される基を表す。

（式（ａ−１）中、
ｓは０又は１を表す。
Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）
Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−２）で表される基を表す。

（式（ａ−２）中、
ｔは０又は１を表す。
Ｘ¹²及びＸ¹³は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ¹³及びＡ¹⁵は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ¹⁴は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）］

Ｒ^１及びＲ^２における脂肪族炭化水素基は典型的には、炭素数１〜６のアルキル基である。該アルキル基としては、炭素数が１〜６の範囲において、すでに例示したものを含む。
Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合し、これらが結合している炭素原子とともに環を形成している化合物（Ｉ）も、当該化合物（Ｉ）由来の構造単位を有する樹脂を含有するレジスト組成物が、一層優れたＭＥＦのレジストパターンを製造できる点で好ましいものである。Ｒ^１及びＲ^２が互いに結合して形成される環としては、好ましくは脂肪族環であり、該脂肪族環の中でも、シクロへプタン環、シクロへキサン環及びアダマンタン環などが好ましく、シクロヘキサン環がより好ましい。
Ｒ^１及びＲ^２としては、共にメチル基及び互いに結合してシクロヘキサン環を形成する基がさらに好ましい。

Ｒ^４のエチレン性二重結合を含む基としては、少なくとも１つのエチレン性二重結合を含む基、例えば、アルケニル基、アルカジエニル基及びこれらと芳香族炭化水素基とを組み合わせてなる基等が挙げられる。なかでも、アルケニル基又はアルカジエニル基と芳香族炭化水素基とを組み合わせた基が好ましい。これらの基に含まれる水素原子は、置換基（例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基等）を有していてもよく、エチレン性二重結合を含む基にメチレン基が含まれる場合、そのメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
アルケニル基、アルカジエニル基はいずれも、鎖状及び分岐のいずれでもよく、すでに例示したアルキル基の任意の位置に２重結合を１つ又は２つ有するものが挙げられる。
エチレン性二重結合を含む基は、好ましくは炭素数が１〜１６であり、より好ましくは炭素数が１〜１２であり、さらに好ましくは炭素数が４〜１２である。
また、エチレン性二重結合を含む基に含まれるメチレン基が、１〜４つ酸素原子及び／又はカルボニル基で置き換わった基であることが好ましく、２〜４つ酸素原子及び／又はカルボニル基で置き換わった基であることがより好ましい。さらに、エチレン性二重結合を含む基は、その末端に置換基Ｒ^３（ここで、Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。）を有するものが好ましい。
特に、エチレン性二重結合を含む基は、Ｔ^１側の末端に、−Ｏ−＊又は−ＣＯ−Ｏ−＊を有しているものが好ましく、−ＣＯ−Ｏ−＊を有しているものがより好ましい。ここでの＊はＴ^１との結合手を表す。

ハロゲン原子は、すでに例示したものを含む。
「ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基」のうち、アルキル基は、すでに例示したとおりである。アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がハロゲン原子に置換されたものが、ハロゲン原子を有する炭素数１〜６のアルキル基に該当する。ハロゲン原子を有するアルキル基の中では、フッ素原子を有するアルキル基が好ましく、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子に置換されたトリフルオロアルキル基がさらに好ましい。このペルフルオロアルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。

エチレン性二重結合を含む基としては、例えば、以下の式（Ｒ^４−Ａ）で表される基が挙げられる。

（式中、Ｒ１’、Ｒ２’及びＲ３’は、それぞれ独立に、０又は１を表す。＊は、Ｔ^１との結合手を表す。）

なかでも、エチレン性二重結合を含む基としては、例えば、以下の式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）、式（Ｒ^４−３）及び式（Ｒ^４−４）のいずれかで表される基が好ましい。

上記式において、＊は、Ｔ^１との結合手を表す。
特に、式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）又は式（Ｒ^４−３）で表される基が好ましい。

Ｗの脂環式炭化水素基はすでに例示したとおりである。特に、式（Ｗ−１）、式（Ｗ−２）、式（Ｗ−３）及び式（Ｗ−４）のいずれかで表される２価の基が好ましく、式（Ｗ−１）で表される２価の基がより好ましい。Ｗにおける２つの結合手は、任意の位置とすることができる。

Ｔ^１の２価の脂肪族炭化水素基は、典型的にはアルカンジイル基である。該アルカンジイル基は炭素数６以下の範囲において、すでに例示したとおりである。
Ｔ^１の２価の脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基などで置換されていてもよい。

基（ａ−１）は、Ｘ¹⁰及びＸ¹¹のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等の原子又は原子団を含む。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙げられる。

酸素原子を有する基（ａ−１）としては、

などが挙げられる。

カルボニル基を有する基（ａ−１）としては、

などが挙げられる。

カルボニルオキシ基を有する基（ａ−１）としては、

などが挙げられる。

オキシカルボニル基を有する基（ａ−１）としては、

などが挙げられる。

なかでも、Ｔ^１は、単結合であることが好ましい。

Ｔ^２の脂肪族炭化水素基としては、典型的にはアルカンジイル基である。該アルカンジイル基は炭素数６以下の範囲において、すでに例示したものが挙げられる。
Ｔ^２の脂肪族炭化水素基は、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基などで置換されていてもよい。

基（ａ−２）は、Ｘ¹²及びＸ¹³のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等の原子又は原子団を含む。
Ａ^１３、Ａ^１４及びＡ^１５の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。
Ａ^１３、Ａ^１４及びＡ^１５における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基などが挙げられる。

酸素原子を有する基（ａ−２）としては、

などが挙げられる。

カルボニル基を有する基（ａ−２）としては、

などが挙げられる。

カルボニルオキシ基を有する基（ａ−２）としては、

などが挙げられる。

オキシカルボニル基を有する基（ａ−２）としては、

などが挙げられる。

なかでも、Ｔ^２は、−ＣＯ−であることが好ましい。つまり、式（ａ−２）で表される基において、Ａ^１３及びＡ^１５が単結合であり、ｔが０であり、Ｘ^１３がカルボニル基であるものが好ましい。

式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、以下で表される化合物が挙げられる。

ここに示す式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−３８）で表される化合物（Ｉ）において、以下に示す部分構造Ｍを、以下に示す部分構造Ａに置き換えたもの、及び、以下に示す部分構造Ａを、以下に示す部分構造Ｍに置き換えたものも化合物（Ｉ）の具体例として挙げることができる。

化合物（Ｉ）は、以下の製造方法（１）または（２）などによって製造することができる。
（１）例えば、式（Ｉ）において、Ｔ^１が単結合、Ｗがアダマンタンジイル基、Ｔ^２が−ＣＯ−、Ｒ^４が式（Ｒ^４−１）で表される基である式（ｂ２）で表される化合物の製造方法を下記に示す。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ上記と同じ意味を表す。）

まず、式（ｂ２−ａ）で表される化合物と式（ｂ２−ｂ）で表される化合物とを溶剤中で反応させることにより、式（ｂ２−ｃ）で表される化合物を得る。溶剤としては、クロロホルムなどが挙げられる。

得られた式（ｂ２−ｃ）で表される化合物と式（ｂ２−ｄ）で表される化合物とを、溶剤中で反応させることにより、式（ｂ２−ｅ）で表される化合物を得ることができる。
ここでの溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。
式（ｂ２−ｄ）で表される化合物としては、以下で表される化合物等が挙げられる。

得られた式（ｂ２−ｅ）で表される化合物を、還元剤存在下、溶剤中で反応させることにより、式（ｂ２−ｆ）で表される化合物を得ることができる。
ここでの還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム等が挙げられる。
ここでの溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。

得られた式（ｂ２−ｆ）で表される化合物を、式（ｂ２−ｇ）で表される化合物と、触媒の存在下、溶剤中で反応させることにより式（ｂ２）で表される化合物を得ることができる。

［Ｘ^１は、ハロゲン原子又は（メタ）アクリロイルオキシ基を表す。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。］
触媒としては、例えば、Ｎ−メチルピロリジンなどが挙げられる。
溶剤としては、例えば、メチルイソブチルケトン、ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。
式（ｂ２−ｇ）で表される化合物としては、（メタ）アクリル酸クロライド、（メタ）アクリル酸無水物等が挙げられる。

（２）例えば、式（Ｉ）においてＴ^１が単結合、Ｗがアダマンタンジイル基、Ｔ^２が−ＣＯ−、Ｒ^４が式（Ｒ^４−２）で表される基である式（ｂ３）で表される化合物は、例えば、式（ｂ２−ｆ）で表される化合物と、式（ｂ３−ａ）で表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより製造することができる。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ上記と同じ意味を表す。）
この反応で用いる溶媒は例えば、アセトニトリルなどである。

式（ｂ３−ａ）で表される化合物は、式（ｂ３−ｂ）で表される化合物と、式（ｂ３−ｃ）で表される化合物とを、溶媒中で反応させることにより得ることができる。

この反応で用いる溶媒は例えば、アセトニトリルなどである。
式（ｂ３−ｂ）で表される化合物としては、例えば、以下で表される化合物などが挙げられる。

また、（Ｒ^４−Ａ）基を導入した化合物は、式（ｂ３−ｂ）で表される化合物を、以下の化合物に置き換えることにより、製造することができる。

（Ｒ４−Ａ）基を導入した化合物としては、例えば、以下で表される化合物などが挙げられる。

本発明の化合物（Ｉ）は、新規化合物であり、樹脂を合成するためのモノマー原料として使用することができる。
このような化合物（Ｉ）に由来する構造単位を含む樹脂は、例えば、レジスト組成物に用いることにより、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を向上させることができる。

＜樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）＞
本発明の樹脂（Ａ）は、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位を含む樹脂であり、上述したように新規な化合物（Ｉ）に由来する構造単位を含む樹脂（Ａ）も新規な物質である。
この樹脂（Ａ）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であることが好ましく、さらに、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることがより好ましい。
「酸の作用によりアルカリに溶解し得る」とは、「酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にはアルカリ水溶液に可溶となる」ことを意味する。
このような樹脂（Ａ）は、化合物（Ｉ）に由来する構造単位に加えて、さらに、酸に不安定な基を有するモノマー（以下「酸不安定モノマー（ａ１）という場合がある」）、特に、（メタ）アクリルモノマーに由来する構造単位を有することが好ましい。ただし、酸不安定モノマー（ａ１）は、式（Ｉ）で表される化合物ではない。
樹脂（Ａ）は、式（Ｉ）で表される化合物と、酸不安定モノマー（ａ１）とを重合することによって製造することができる。酸不安定モノマー（ａ１）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

樹脂（Ａ）における式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位の含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位において、通常１〜５０モル％であり、好ましくは３〜４０モル％であり、より好ましくは５〜３５モル％である。

〈酸不安定モノマー（ａ１）〉
「酸に不安定な基」とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離することにより、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基で保護された親水性基としては、例えば、式（１）で表される基（酸不安定基（１））又は式（２）で表される基（酸不安定基（２））などが挙げられる。

［式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表すか、Ｒ^a1及びＲ^a2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。＊は結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の複素環基を形成し、前記炭化水素基及び２価の複素環基に含まれるメチレン基は、酸素原子又は硫黄原子で置き換わっていてもよい。＊は結合手を表す。］

Ｒ^a1〜Ｒ^a3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。

式（１）における脂環式炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１６である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた合計炭素数が２０以下であることが好ましい。このような基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。

Ｒ^a1及びＲ^a2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^a1）（Ｒ^a2）（Ｒ^a3）基としては、下記の基が挙げられる。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

２価の炭化水素基の炭素数は、好ましくは３〜１２である。

酸不安定基（１）としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1〜Ｒ^a3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1、Ｒ^a2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^a3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^a1及びＲ^a2がアルキル基であり、Ｒ^a3がアダマンチル基である基）などが挙げられる。

Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’が結合して形成する２価の複素環基は、Ｒ^a1及びＲ^a2が結合して形成する２価の炭化水素基の１つの炭素原子が１つの酸素原子と置き換わったものが挙げられる。

好ましくは、Ｒ^ａ1’及びＲ^ａ２’のうち少なくとも１つが水素原子である。
酸不安定基（２）の具体例としては、以下の基が挙げられる。

酸不安定モノマー（ａ１）は、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストの解像度を向上させることができる。

酸不安定モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基（１）と炭素−炭素二重結合とを有するモノマーであり、より好ましくは酸不安定基（１）を有する（メタ）アクリル系モノマーである。ここで、（メタ）アクリルとは、アクリル及び／又はメタクリルを表す。

酸不安定モノマー（ａ１）として、好ましくは式（ａ１−１）で表されるモノマー及び式（ａ１−２）で表されるモノマーが挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基又はこれらを組み合わせた基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）においては、Ｌ^a1及びＬ^a2は、好ましくは、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_ｋ1−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒ^a4及びＲ^a5は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ｒ^a6及びＲ^a7のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^a6及びＲ^a7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。

脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合わせた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組み合わせた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。このような基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は、好ましくは０又は１である。

式（ａ１−１）で表されるモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８））のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４））のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

式（ａ１−２）で表されるモノマーとしては、例えば、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）及び式（ａ１−２−９）、式（ａ１−２−１０）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が式（ａ１−１）で表されるモノマー又は式（ａ１−２）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位において、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％であり、さらに好ましくは３０〜６０モル％である。
モノマー（ａ１）がアダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））を含む場合、モノマー（ａ１）の総量（１００モル％）に対して、アダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））の含有率は１５モル％以上である。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。

酸不安定基モノマー（ａ１）としては、例えば、式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある）を用いてもよい。

［式（ａ１−５）中、
Ｒ³¹は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−［ＣＨ₂］_k4−ＣＯ−Ｌ^a4−を表す。ここで、ｋ４は１〜４の整数を表す。＊は、Ｌ^a1との結合手を表す。
Ｌ^a1、Ｌ^a2、Ｌ^a3及びＬ^a4は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。］

式（ａ１−５）においては、Ｒ³¹は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ^a1は、酸素原子が好ましい。
Ｌ^a2及びＬ^a3は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ^a1は、単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。

モノマー（ａ１−５）としては、以下のモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、１〜９５モル％が好ましく、３〜９０モル％がより好ましく、５〜８５モル％がさらに好ましい。

〈酸安定モノマー〉
樹脂（Ａ）は、式（Ｉ）で表される化合物に由来する構造単位に加えて、酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という場合がある）に由来する構造単位を含有していることが好ましい。

酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「酸安定モノマー（ａ２）」という場合がある）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「酸安定モノマー（ａ３）」という場合がある）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。

〈酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物が、ＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）あるいは電子線又はＥＵＶ光などの高エネルギー線照射に用いられる場合、酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２−０）を使用する。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などに用いられる場合は、酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるアルコール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとして、式（ａ２−０）で表されるモノマーが挙げられる。

［式（ａ２−０）中、
Ｒ^a30は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^a31は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｍａは０〜４の整数を表す。ｍａが２以上の整数である場合、複数のＲ^a31は互いに同一又は相異なる。］

Ｒ^a30及びＲ^a31におけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ^a30のハロゲン原子を有してもよいアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルクロロメチル基、ペルブロモメチル基及びペルヨードメチル基等が挙げられる。
Ｒ^a30及びＲ^a31におけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒ^a30は、好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数１又は２のアルキル基であり、特に好ましくは、メチル基である。
また、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜４のアルコキシ基であり、より好ましくは、炭素数１又は２のアルコキシ基であり、特に好ましくは、メトキシ基である。
Ｒ^a31のアシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
Ｒ^a31のアシルオキシ基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基及びブチリルオキシ基などが挙げられる。
ｍａは、好ましくは、０〜２であり、より好ましくは、０又は１であり、特に好ましくは、０である。

このようなフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーに由来する構造単位を有する共重合樹脂は、フェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマー及び共重合させるモノマーをラジカル重合した後、酸又は塩基によって脱保護することによって製造することができる。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。
フェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−０−１）及び式（ａ２−０−２）で表されるモノマーが好ましい。

樹脂（Ａ）が式（ａ２−０）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常５〜９０モル％であり、好ましくは１０〜８５モル％であり、より好ましくは１５〜８０モル％である。

アルコール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。

式（ａ２−１）中、
Ｌ^a3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。

式（ａ２−１）では、Ｌ^a3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ₂）_f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒ^a14は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a15は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^a16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。

ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常３〜４５モル％であり、好ましくは５〜４０モル％であり、より好ましくは５〜３５モル％であり、さらに好ましくは５〜１５モル％である。

〈酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。

酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表されるモノマーである。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。
ｐ１が２以上のとき、複数のＲ^a21は、互いに同一又は相異なり、、ｑ１が２以上のとき、複数のＲ^a22は、互いに同一又は相異なり、ｒ１が２以上のとき、複数のＲ^a23は、互いに同一又は相異なる。

式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中の、Ｌ^a4〜Ｌ^a6としては、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、より好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＨ₂−ＣＯ−Ｏ−である。ｋ３は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｒ^a18〜Ｒ^a21は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１、ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

酸安定モノマー（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）、式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）のいずれかで表されるモノマーが好ましく式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−２）、式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、それぞれ通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
樹脂（Ａ）がラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位を含む場合、その合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位において、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。

〈その他のモノマー（ａ４）〉
樹脂（Ａ）は、上記のモノマー以外のその他のモノマー（以下「モノマー（ａ４）」という場合がある）に由来する構造単位を有していてもよい。モノマー（ａ４）としては、当該分野で公知のモノマーを用いることができる。例えば、フッ素原子を有する式（ａ４−１）で表される化合物などが挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^４１は、式（ａ４−ｇ１）で表される基を表す。

（式（ａ４−ｇ１）中、
ｓｓは０〜２の整数を表す。
Ａ^４０及びＡ^４３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＡ^４０は、互いに同一又は相異なる。
Ｘ^４０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
ｓｓが２のとき、複数存在するＸ^４０は、互いに同一又は相異なる。）
Ｒ^4２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

基（ａ４−ｇ１）は、Ｘ⁴⁰のように、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基等の原子又は原子団を含むことがある２価の基である。ただし、基（ａ４−ｇ１）において、ｓｓ＝０である場合、この基（ａ４−ｇ１）はＡ^４３となる。
Ａ^４０及びＡ^４３の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状であっても、分岐していてもよい。例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基及びペンタンジイル基などのアルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^４０及びＡ^４３としては、炭素数１〜５のアルカンジイル基が好ましく、炭素数１〜４のアルカンジイル基がさらに好ましく、エチレン基が特に好ましい。

酸素原子を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニル基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

カルボニルオキシ基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。

オキシカルボニル基を有する基（ａ４−ｇ１）としては、

などが挙げられる（＊は結合手を表す）。
Ａ^４１としては、式（ａ４−ｇ１）においてｓｓ＝０であるものが好ましく、さらに、Ａ^４３が炭素数１〜５のアルカンジイル基であるものがより好ましく、炭素数１〜４のアルカンジイル基がさらに好ましく、エチレン基が特に好ましい。

Ｒ^4２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基のうちの脂肪族炭化水素基は、部分的に炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、炭素−炭素不飽和結合を有さない飽和の脂肪族炭化水素基（脂肪族飽和炭化水素基）が好ましい。脂肪族飽和炭化水素基としては、アルキル基（直鎖及び分岐状）及び脂環式炭化水素基並びにアルキル基及び脂環式炭化水素基を組み合わせた脂肪族炭化水素基などが挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基及びオクチル基などが挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記に示す基などが挙げられる。

Ｒ^4２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基とは、フッ素原子を有するアルキル基及びフッ素原子を有する脂環式炭化水素基（好ましくは、フッ素原子を有するシクロアルキル基）並びにフッ素原子を有し、アルキル基及び脂環式炭化水素基が組み合わせられた基などが挙げられが挙げられる。フッ素原子を有するアルキル基は、アルキル基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものであり、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基とは、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたものである。

Ｒ^４２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基は、アルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロアルキル基（例えば、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基など）、シクロアルキル基に含まれる水素原子の全部がフッ素原子で置換されたペルフルオロシクロアルキル基がより好ましい。
なかでも、Ｒ^4２は、好ましくはフッ素原子を有する炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはフッ素原子を有する炭素数１〜１２のアルキル基及びフッ素原子を有する炭素数１〜１２のシクロアルキル基であり、さらに好ましくは、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基及びフッ素原子を有する炭素数１〜１０のシクロアルキル基であり、一層好ましくは、フッ素原子を有する炭素数１〜８のアルキル基及びフッ素原子を有する炭素数１〜８のシクロアルキル基である。
特に、Ｒ⁴²としては、ペルフルオロアルキル基が好ましい。さらに好ましくは、炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは、炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。

Ａ^４１がエチレン基であり、Ｒ^４２がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基である化合物（ａ４−１）は、以下の式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−２２）で表される化合物が挙げられる。

なかでも、式（ａ４−１−３）、式（ａ４−１−４）、式（ａ４−１−７）、式（ａ４−１−８）、式（ａ４−１−１１）、式（ａ４−１−１２）、式（ａ４−１−１５）、式（ａ４−１−１６）、式（ａ４−１−１９）、式（ａ４−１−２０）、式（ａ４−１−２１）及び式（ａ４−１−２２）のいずれかで表される化合物が好ましい。

Ｒ^4２のフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、以下の式（ａ−ｇ２）で表される基が挙げられる。

（式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^13’は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^12’は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^14’は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
）
Ａ¹³及びＡ¹⁴の合計炭素数は好ましくは１８以下、より好ましくは１６以下である。また、Ａ¹³及びＡ¹⁴のうち少なくとも一方がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であることが好ましい。

＊−Ａ^13’−Ｘ^12’−Ａ^14’（＊はカルボニル基との結合手である）としては、好ましくは、以下の構造が挙げられる。

Ｒ⁴²が、式（ａ−ｇ２）で表される基である化合物（ａ）としては、以下の式（ａ４−１’）で表されるもの（以下、場合により「化合物（ａ４−１’）」という）が挙げられる。

［式（ａ４−１’）中、
Ａ^13’は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^12’は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^14’は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
その他の符号はいずれも、前記と同義である。］

化合物（ａ４−１’）において、Ａ^13’及びＡ^14’はともにフッ素原子を有することもあるが、Ａ^13’がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるか、または、Ａ^14’がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるものが好ましい。さらに、Ａ^13’がフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であるものが好ましく、なかでも、Ａ^13’はフッ素原子を有するアルカンジイル基であるものがより好ましく、ペルフルオロアルカンジイル基であるものがさらに好ましい。「ペルフルオロアルカンジイル基」とは、水素原子の全部がフッ素原子に置換されたアルカンジイル基をいう。

Ａ^１３’がペルフルオロアルカンジイル基であり、Ａ⁴¹がエチレン基である化合物（ａ４−１’）としては、以下の式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−２２）で表される化合物が挙げられる。

Ａ^13’の炭素数は１〜６が好ましく、１〜３がより好ましい。Ａ^14’の炭素数は４〜１５が好ましく、５〜１２がより好ましい。さらに好ましいＡ^14’は、炭素数６〜１２の脂環式炭化水素基であり、シクロヘキシル基及びアダマンチル基が特に好ましい。

樹脂（Ａ）が化合物（ａ４−１）に由来する構造単位を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位に対して、通常、１〜２０モル％であり、２〜１５モル％が好ましく、３〜１０モル％がより好ましい。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、化合物（Ｉ）に加えて、酸不安定モノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとの共重合体である。酸不安定モノマー（ａ１）、酸安定モノマーは、それぞれ、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ａ）は、より好ましくは、化合物（Ｉ）に由来する構造単位、酸不安定モノマー（ａ１）、酸安定モノマー（ａ２）及び／又は酸安定モノマー（ａ３）を重合させた共重合体である。該共重合体において、酸不安定モノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びシクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１））であり、酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはアルコール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。
樹脂（Ａ）は、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造できる。

樹脂（Ａ）が、化合物（Ｉ）に由来する構造単位（以下「（Ｉ）」）、モノマー（ａ１）に由来する構造単位（以下「（ａ１）」）、酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位及び／又は酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位（以下「（ａ２）／（ａ３）」）、並びに、モノマー（ａ４）に由来する構造単位（以下「（ａ４）」）からなる樹脂である場合、これらの構成比は、好ましくは、
（Ｉ）：１〜５０モル％
（ａ１）：２０〜６０モル％
（ａ２）／（ａ３）：３０〜７０モル％
（ａ４）：１〜２０モル％
であり、より好ましくは、
（Ｉ）：３〜４０モル％
（ａ１）：２５〜５５モル％
（ａ２）／（ａ３）：３５〜６５モル％
（ａ４）：２〜１５モル％
であり、さらに好ましくは、
（Ｉ）：５〜３５モル％
（ａ１）：２５〜５０モル％
（ａ２）／（ａ３）：３５〜６５モル％
（ａ４）：３〜１０モル％である。

樹脂（Ａ）が、化合物（Ｉ）、酸不安定モノマー（ａ１）及び酸安定モノマーの共重合体である場合、酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位は、樹脂（Ａ）の全構造単位において、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。より具体的には、化合物（Ｉ）に由来する構造単位、モノマー（ａ１）に由来する構造単位、並びに、酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位及び／又は酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位からなる樹脂である場合、これらの構成比は、好ましくは、
（Ｉ）：１〜５０モル％
（ａ１）：２０〜６０モル％
（ａ２）／（ａ３）：３０〜７０モル％
であり、より好ましくは、
（Ｉ）：３〜４０モル％
（ａ１）：２５〜５５モル％
（ａ２）／（ａ３）：３５〜６５モル％
であり、さらに好ましくは、
（Ｉ）：５〜３５モル％
（ａ１）：２５〜５０モル％
（ａ２）／（ａ３）：３５〜６５モル％である。

樹脂（Ａ）が、化合物（Ｉ）に由来する構造単位、モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位、及び、酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位からなる樹脂である場合、これらの構成比は、好ましくは、
（Ｉ）：１〜５０モル％
（ａ１）：２０〜６０モル％
（ａ２）：３〜３５モル％
（ａ３）：２５〜６５モル％
であり、より好ましくは、
（Ｉ）：３〜４０モル％
（ａ１）：２５〜５５モル％
（ａ２）：４〜３０モル％
（ａ３）：３０〜６５モル％
であり、さらに好ましくは、
（Ｉ）：５〜３５モル％
（ａ１）：２５〜５０モル％
（ａ２）：５〜２５モル％
（ａ３）：３５〜６０モル％である。

樹脂（Ａ）としては、下記（Ａ−１）〜（Ａ-３６）の樹脂がより好ましい。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上、さらに好ましくは３，５００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１０，０００以下）である。この重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、ポリスチレン標準で求めた値であり、その分析条件は本願の実施例に記載する。

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は、上述した樹脂（Ａ）と、酸発生剤とを含む。
また、本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物および溶剤を含むことが好ましい。

本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）の含有量は、組成物の固形分中８０質量％以上９９質量％以下であることが好ましい。「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤（Ｄ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有率は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）以外に、さらに、フッ素原子を有するモノマーに由来する構造単位を有する樹脂（Ｘ）を含有していてもよい。ここで、フッ素原子を有するモノマーとしては、上述したフッ素原子を有する式（ａ４−１）で表される化合物が挙げられる。樹脂（Ｘ）は、レジスト組成物において、添加剤樹脂として使用することができる。
樹脂（Ｘ）における、モノマー（ａ４−１）に由来する構造単位の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位に対して、７０〜１００モル％が好ましく、８０〜１００モル％がより好ましく、９０〜１００モル％がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）が化合物（ａ４−１）に由来する構造単位以外に有していてもよい構造単位としては、上述の酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマー（ａ２）に由来する構造単位及び酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位等を挙げることができる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、８，０００以上８０，０００以下が好ましく、１０，０００以上６０，０００以下がさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）の含有率は、組成物の固形分中、好ましくは０．１〜１０質量％であり、より好ましくは０．３〜５質量％であり、さらに好ましくは０．５〜３質量％である。

＜酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある）＞
酸発生剤（Ｂ）は、非イオン系とイオン系とに分類される。非イオン系酸発生剤としては、有機ハロゲン化物、スルホネートエステル類（例えば２−ニトロベンジルエステル、芳香族スルホネート、オキシムスルホネート、Ｎ−スルホニルオキシイミド、Ｎ−スルホニルオキシイミド、スルホニルオキシケトン、ジアゾナフトキノン４−スルホネート）、スルホン類（例えばジスルホン、ケトスルホン、スルホニルジアゾメタン）等が挙げられる。イオン系酸発生剤としては、オニウムカチオンを含むオニウム塩（例えばジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩）等が挙げられる。オニウム塩のアニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、レジスト分野で使用される酸発生剤（特に光酸発生剤）だけでなく、光カチオン重合の光開始剤、色素類の光消色剤又は光変色剤等の放射線（光）によって酸を発生する公知化合物及びそれらの混合物も、適宜、使用できる。例えば特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号、米国特許第３，７７９，７７８号、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の放射線によって酸を発生する化合物を使用できる。

酸発生剤（Ｂ）は、好ましくはフッ素含有酸発生剤であり、より好ましくは式（Ｂ１）で表されるスルホン酸塩である。

［式（Ｂ１）中、
Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^b1は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］

Ｑ¹及びＱ²のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
式（Ｂ１）では、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｌ^b1の２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、直鎖状アルカンジイル基、分岐状アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組み合わせたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基、ヘプタデカン−１，１７−ジイル基、エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
直鎖状アルカンジイルに、アルキル基（特に、炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）の側鎖を有したもの、例えば、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、１，３−シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基シレン基、シクロオクタン−１，５−ジイル基、等のシクロアルカンジイル基等のアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、１，５−アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^b1における前記２価の脂肪族飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）が挙げられる。式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（Ｂ１）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｑ¹）（Ｑ²）−と結合し、右側で−Ｙと結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。

式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）中、
Ｌ^b2は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b3は、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b4は、炭素数１〜１３の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b3及びＬ^b4の炭素数上限は１３である。
Ｌ^b5は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b6及びＬ^b7は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^b6及びＬ^b7の炭素数上限は１６である。
Ｌ^b8は、炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^b9及びＬ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１１の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。但しＬ^ｂ９及びＬ^ｂ１０の炭素数上限は１２である。
中でも、Ｌ^b1は、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれかで表される２価の基が好ましく、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）で表される２価の基がより好ましく、式（ｂ１−１）で表される２価の基がさらに好ましく、Ｌ^b2が単結合又は−ＣＨ_２−である式（ｂ１−１）で表される２価の基が特に好ましい。

式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。

Ｙのアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
Ｙの脂環式炭化水素基としては、例えば、以下の式（Ｙ１）〜式（Ｙ１１）で表される基が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、アルキル基に含まれるメチレン基が酸素原子、カルボニル基又は酸素原子とカルボニル基とに置き換わった基、以下の式（Ｙ１２）〜式（Ｙ２６）で表される基等が挙げられる。

なかでも、好ましくは式（Ｙ１）〜式（Ｙ１９）のいずれかで表される基であり、より好ましくは式（Ｙ１１）、式（Ｙ１４）、式（Ｙ１５）又は式（Ｙ１９）のいずれかで表される基であり、さらに好ましくは式（Ｙ１１）又は式（Ｙ１４）で表される基である。

アルキル基及び脂環式炭化水素基の置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、ヒドロキシ基含有炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基、炭素数７〜２１のアラルキル基、炭素数２〜４のアシル基、グリシジルオキシ基又は−（ＣＨ₂）_j2−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^b1基（式中、Ｒ^b1は、炭素数１〜１６のアルキル基、炭素数３〜１６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。ｊ２は、０〜４の整数を表す。）などが挙げられる。Ｙの置換基であるアルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びアラルキル基等は、さらに置換基を有していてもよい。ここでの置換基は、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
ヒドロキシ基含有アルキル基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基などが挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、アントリル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。

Ｙとしては、例えば以下のものが挙げられる。

なお、Ｙがアルキル基であり、かつＬ^b1が炭素数１〜１７の２価の直鎖状又は分岐状の脂肪族飽和炭化水素基である場合、Ｙとの結合位置にある２価の脂肪族飽和炭化水素基の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていることが好ましい。この場合、Ｙのアルキル基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わらない。Ｙのアルキル基及び／又はＬ^b1の２価の直鎖状又は分岐状の脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子が置換基で置換されている場合も同様である。

Ｙは、好ましくは置換基を有していてもよいアダマンチル基であり、より好ましくはアダマンチル基、ヒドロキシアダマンチル基又はオキソアダマンチル基である。

式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、好ましくは、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）で表されるアニオンが挙げられる。以下の式においては、置換基の定義は上記と同じ意味であり、置換基Ｒ^ｂ２及びＲ^ｂ３は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキル基（好ましくは、メチル基）を表す。
式（Ｂ１）で表される塩におけるスルホン酸アニオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたアニオンが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）に含まれるカチオンは、有機オニウムカチオン、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン、有機ホスホニウムカチオンなどが挙げられ、好ましくは、有機スルホニウムカチオン又は有機ヨードニウムカチオンであり、より好ましくは、アリールスルホニウムカチオンである。

式（Ｂ１）中のＺ⁺は、好ましくは式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）のいずれかで表されるカチオンである。

これらの式（ｂ２−１）〜式（ｂ２−４）において、
Ｒ^b4〜Ｒ^b6は、それぞれ独立に、炭素数１〜３０のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^b4とＲ^b５が一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。該アルキル基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。

Ｒ^b7及びＲ^b8は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
ｍ２及びｎ２は、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。ｍ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b7は互いに同一又は相異なり、ｎ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b8は互いに同一又は相異なる。

Ｒ^b9及びＲ^b10は、それぞれ独立に、炭素数１〜１８のアルキル基又は炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表す。Ｒ^b9とＲ^b10とは、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して硫黄原子を含む３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）の脂環式炭化水素環を形成していてもよく、該脂環式炭化水素環に含まれるメチレン基が、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
Ｒ^b11は、水素原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^b12は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。前記アルキル基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｒ^b11とＲ^b12は、それらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに互いに結合して硫黄原子を含む３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよく、これらの環に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。

Ｒ^b13〜Ｒ^b18は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｌ^b11は、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｏ２、ｐ２、ｓ２、及びｔ２は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑ２及びｒ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｕ２は０又は１を表す。
ｏ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b13は互いに同一又は相異なり、、ｐ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b14は互いに同一又は相異なり、ｓ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b17は互いに同一又は相異なり、ｕ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b18は互いに同一又は相異なる。ｑ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b15は互いに同一又は相異なり、ｒ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b16は互いに同一又は相異なる。

Ｒ^b4とＲ^b５が一緒になって形成してもよい硫黄原子を含む環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、硫黄原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上の硫黄原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。該環としては、炭素数３〜１８の環が好ましく、炭素数４〜１３の環がより好ましい。

アルキル基としては、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b11のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜１２である。 水素原子が脂環式炭化水素基及びアルキル基で置換されたアルキル基としては、例えば１−（アダマンタン−１−イル）１−アルキルアルカン−１−イル基等が挙げられる。 脂環式炭化水素基としては、好ましくは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロデシル基が挙げられる。特に、Ｒ^b9〜Ｒ^b11の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２である。
水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、メチルノルボルニル基、イソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、好ましくは、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−シクロへキシルフェニル基、４−メトキシフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基が挙げられる。
置換基が芳香族炭化水素基であるアルキル基（アラルキル基）としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。
なお、芳香族炭化水素基に、アルキル基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜１８のアルキル基及び炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましい。

アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基及びブチリル基などが挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

Ｒ^b9及びＲ^b10が硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環、１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｒ^b11及びＲ^b12が−ＣＨ−ＣＯ−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環、オキソアダマンタン環などが挙げられる。

カチオン（ｂ２−１）〜カチオン（ｂ２−４）の中でも、好ましくは、カチオン（ｂ２−１）であり、より好ましくは、式（ｂ２−１−１）で表されるカチオンであり、さらに好ましくは、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝０）、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝０、ｘ２＝１であり、Ｒ^b21がメチル基である）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（ｂ２−１−１）中、ｖ２＝ｗ２＝ｘ２＝１であり、Ｒ^b19、Ｒ^b20及びＲ^b21がいずれもメチル基である。）である。

式（ｂ２−１−１）中、
Ｒ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、Ｒ^b19〜Ｒ^b21から選ばれる２つが一緒になって硫黄原子を含む環を形成してもよい。
ｖ２、ｗ２及びｘ２は、それぞれ独立に０〜５の整数（好ましくは０又は１）を表す。
ｖ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b19は互いに又は相異なり、ｗ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b20は互いに同一又は相異なり、ｘ２が２以上の整数である場合、複数のＲ^b21は互いに同一又は相異なる。

式（ｂ２−１−１）において、アルキル基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数４〜１８である。
Ｒ^b19〜Ｒ^b21は、それぞれ独立に、好ましくは、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基であることが好ましく、ヒドロキシ基又は炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。

カチオンとしては、具体的には、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたカチオンが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）は、上述のスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。上述のアニオンとカチオンとは任意に組み合わせることができ、好ましくは、式（ｂ１−１−１）〜式（ｂ１−１−９）のいずれかで表されるスルホン酸アニオンのいずれかとカチオン（ｂ２−１−１）との組合せ、並びに式（ｂ１−１−３）〜式（ｂ１−１−５）のいずれかで表されるスルホン酸アニオンのいずれかとカチオン（ｂ２−３）との組合せが挙げられる。

酸発生剤（Ｂ１）としては、例えば、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２４）のいずれかで表される塩が挙げられる。中でもトリアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−２１）、式（Ｂ１−２２）、式（Ｂ１−２３）及び式（Ｂ１−２４）のいずれかで表される塩がより好ましい。

酸発生剤（Ｂ）の含有率は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１質量％以上（より好ましくは３質量％以上）、好ましくは４０質量％以下（より好ましくは３５質量％以下）である。
酸発生剤（Ｂ）は、上述したように、酸発生剤（Ｂ１）とは異なる酸発生剤を含んでいてもよく、この場合は、酸発生剤（Ｂ）の総量における酸発生剤（Ｂ１）の含有割合は、７０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。ただし、本発明のレジスト組成物における酸発生剤（Ｂ）は、実質的に酸発生剤（Ｂ１）のみであることがさらに好ましい。

＜塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、さらに、塩基性化合物（Ｃ）を含むことが好ましい。塩基性化合物（Ｃ）はクエンチャーとして作用する。

塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）で表される化合物〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられる。

［式（Ｃ１）中、Ｒ^c1、Ｒ^c2及びＲ^c3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

［式（Ｃ１−１）中、Ｒ^c2及びＲ^c3は、上記と同じ意味を表す。
Ｒ^c4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲ^c4は、互いに同一又は相異なる。］

［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、Ｒ^c5、Ｒ^c6、Ｒ^c7及びＲ^c8は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアシル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲ^c9は、互いに同一又は相異なる。］

［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、Ｒ^c10、Ｒ^c11、Ｒ^c12、Ｒ^c13及びＲ^c16は、それぞれ独立に、Ｒ^c1と同じ意味を表す。
Ｒ^c14、Ｒ^c15及びＲ^c17は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｏ３又はｐ３が２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^c14及びＲ^c15は互いに同一又は相異なる。
Ｌ^c1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、Ｒ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は、それぞれ独立に、Ｒ^c4と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｑ３、ｒ３及びｓ３が２以上であるとき、それぞれ、複数のＲ^c18、Ｒ^c19及びＲ^c20は互いに同一又は相異なる。
Ｌ^c2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］

式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基及びアシル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。

式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

塩基性化合物（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、０．０１〜５質量％程度であり、より好ましく０．０１〜３質量％程度であり、特に好ましく０．０１〜１質量％程度である。

＜溶剤（以下「溶剤（Ｄ）」という場合がある＞
本発明のレジスト組成物は、溶剤（Ｄ）を含有する。溶剤（Ｄ）の含有率は、例えばレジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、例えば９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。
溶剤（Ｄ）の含有率は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｄ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｄ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

＜その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）＞
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

＜本レジスト組成物の調製方法＞
本レジスト組成物は、樹脂（好ましくは、樹脂（Ａ）、又は樹脂（Ａ）と樹脂（Ｘ）との混合物）及び酸発生剤（Ｂ）ならびに必要に応じて用いられる溶剤（Ｄ）、塩基性化合物（Ｃ）又はその他の成分（Ｆ）を混合することで調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤（Ｄ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選べばよく、０．５〜２４時間が好ましい。なお、混合手段は特に限定されず、攪拌混合などを用いることができる。

このように、各成分を各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

＜レジストパターンの製造方法＞
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

工程（１）において、本発明のレジスト組成物の基板上への塗布は、スピンコーター等、半導体の微細加工のレジスト材料塗布用として広く用いられている塗布装置によって行うことができる。塗布装置の条件（塗布条件）を種々調節することで、塗布膜の膜厚は調整可能であり、適切な予備実験等を行うことにより、所望の膜厚の塗布膜になるように塗布条件を選ぶことができる。本発明のレジスト組成物を塗布する前の基板は、微細加工を実施しようとする種々のもの（例えば、シリコンウェハ等）を選ぶことができる。なお、本発明のレジスト組成物を塗布する前に、基板を洗浄したり、反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜の形成には例えば、市販の有機反射防止膜用組成物を用いることができる。これによって基板上にレジスト組成物からなる塗布膜が形成される。

工程（２）において、基板上に塗布された本発明のレジスト組成物、すなわち塗布膜を乾燥させて、溶剤（Ｅ）を除去して、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いた加熱装置を用いた加熱手段（いわゆるプリベーク）又は減圧装置を用いた減圧手段により、或いはこれらの手段を組み合わせて、塗布膜から溶剤を蒸発させて除去することにより行う。乾燥条件は、本発明のレジスト組成物に含まれる溶剤（Ｅ）の種類等に応じて選択でき、例えばホットプレートを用いる場合、ホットプレートの表面温度を５０〜２００℃程度の範囲にして行うことが好ましい。また、減圧手段では、適当な減圧機の中に、塗布膜が形成された基板を封入した後、減圧機の内部圧力を１〜１．０×１０^５Ｐａ程度にして行うことが好ましい。

工程（３）において、得られた組成物層を露光する。露光は、露光機を用いて行うことができ、液浸露光機を用いてもよい。露光は、通常、微細加工を実施しようとする所望のパターンが形成されたマスク（フォトマスク）を介して行われる。露光機の露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域又は真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。露光機は、電子線、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光光源が電子線の場合は、フォトマスクを使用せずに、所望のパターンを直接描画してもよい。
マスクを介して露光することにより、組成物層には露光された部分（露光部）及び露光されていない部分（未露光部）が生じる。露光部の組成物層では組成物層に含まれる酸発生剤（Ｂ）が露光エネルギーを受けて酸を発生し、さらに発生した酸との作用により、樹脂（Ａ）にある酸不安定基が脱保護反応により親水性基を生じるため、露光部の組成物層にある樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に可溶なものとなる。一方、未露光部では露光エネルギーを受けないため、樹脂（Ａ）はアルカリ水溶液に対して不溶又は難溶のままである。露光部にある組成物層と未露光部にある組成物層とは、アルカリ水溶液に対する溶解性が著しく相違するものとなる。

工程（４）において、露光部で生じうる脱保護基反応の進行を促進するために、加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱処理は前記工程（２）で示したホットプレート等の加熱手段等を用いて行うことが好ましい。ホットプレートを用いて加熱を行う場合、ホットプレートの表面温度は５０〜２００℃程度が好ましく、７０〜１５０℃程度がより好ましい。

工程（５）において、加熱後の組成物層を現像する。組成物層の現像は、通常、現像装置を用いて行う。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃が好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間が好ましい。現像装置において、加熱後の組成物層をアルカリ水溶液と接触させると、露光部の組成物層はアルカリ水溶液に溶解して除去され、未露光部の組成物層は基板上に残るため、基板上にレジストパターンが形成される。
アルカリ水溶液としては、「アルカリ現像液」と称される本技術分野で公知のものを用いることができる。アルカリ水溶液としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液や（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。

現像によって形成されたレジストパターンは、超純水等でリンス処理することが好ましい。また、基板及びレジストパターン上に残存している水分を除去することが好ましい。

＜用途＞
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）照射用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に利用できる。

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。実施例及び比較例中、含有量及び使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり質量基準である。
実施例において、化合物の構造は、質量分析（ＬＣ；Ａｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳ；Ａｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）で確認した。
重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより下記の条件で求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー株式会社製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μｌ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ−１）で表される化合物の合成

式（Ｉ１−ａ）で表される化合物６．００部及びクロロホルム３０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、式（Ｉ１−ｂ）で表される化合物５．５１部を仕込み、６０℃で１時間攪拌することにより、式（Ｉ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。
２３℃まで冷却し、得られた式（Ｉ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、式（Ｉ１−ｄ）で表される化合物３．６７部及びクロロホルム３．６７部の混合溶液を３０分かけて滴下し、さらに２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水１５部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層をろ過し、回収されたろ液を濃縮することにより、式（Ｉ１−ｅ）で表される塩６．１２部を得た。

式（Ｉ１−ｅ）で表される化合物５．００部及びアセトニトリル２７．８５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。これを０℃まで冷却し、水素化ホウ素ナトリウム０．３１部及びイオン交換水３．０７部の混合溶液を１０分かけて滴下し、更に、０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液に、１Ｎ塩酸８．１１部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮マスに、クロロホルム４４．５６部及びイオン交換水１１．１４部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層をろ過し、回収されたろ液を濃縮した。得られた濃縮マスに、Ｎ−ヘプタン３７．７０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ１-ｆ）で表される化合物３．２７部を得た。

式（Ｉ１−ｆ）で表される化合物１．９０部、Ｎ−メチルピロリジン１．８３部、メチルイソブチルケトン２０部を仕込み、攪拌下、式（Ｉ１−ｇ）で表される化合物１．２８部を添加し、６０℃で２４時間攪拌した。その後、反応マスにイオン交換水１０部、メチルイソブチルケトン２０部を添加、攪拌し、分液水洗を行った。この水洗の操作を３回行った。回収された有機層を濃縮し、カラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ、展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘプタン＝１／１）分取することにより、式（Ｉ−１）で表される化合物１．４２部を得た。
ＭＳ：３７８．２

実施例２：式（Ｉ−２）で表される塩の合成

式（Ｉ２−ａ）で表される化合物６．００部及びクロロホルム３０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、式（Ｉ２−ｂ）で表される化合物５．５１部を仕込み、６０℃で１時間攪拌することにより、式（Ｉ２−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。
２３℃まで冷却し、得られた式（Ｉ２−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、式（Ｉ２−ｄ）で表される化合物４．７８部及びクロロホルム４．７８部の混合溶液を３０分かけて滴下し、さらに２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応マスに、イオン交換水１５部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層をろ過し、回収されたろ液を濃縮することにより、式（Ｉ２−ｅ）で表される塩６．２８部を得た。

式（Ｉ２−ｅ）で表される化合物５．６５部及びアセトニトリル３１．４７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。これを０℃まで冷却し、水素化ホウ素ナトリウム０．３１部及びイオン交換水３．０７部の混合溶液を１０分かけて滴下し、更に、０℃で２時間攪拌した。得られた反応溶液に、１Ｎ塩酸８．１１部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、濃縮した。得られた濃縮マスに、クロロホルム４８．３２部及びイオン交換水１２．０８部を仕込み、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層をろ過し、回収されたろ液を濃縮した。得られた濃縮マスに、Ｎ−ヘプタン３９．１２部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮することにより、式（Ｉ２-ｆ）で表される化合物３．８５部を得た。

式（Ｉ２−ｆ）で表される化合物２．１５部、Ｎ−メチルピロリジン１．８３部、メチルイソブチルケトン２０部を仕込み、攪拌下、式（Ｉ２−ｇ）で表される化合物１．２８部を添加し、６０℃で２４時間攪拌した。その後、反応マスにイオン交換水１０部、メチルイソブチルケトン２０部を添加、攪拌し、分液水洗を行った。この水洗の操作を３回行った。回収された有機層を濃縮し、カラム（メルク シリカゲル６０−２００メッシュ、展開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘプタン＝１／２）分取することにより、式（Ｉ−２）で表される化合物１．７９部を得た。
ＭＳ：４１８．２

実施例３：式（Ｉ−１１）で表される化合物の合成

式（Ｉ１１−ａ）で表される化合物０．８４部及びクロロホルム１０部を、反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、式（Ｉ１１−ｂ）で表される化合物０．９２部を添加した。その後、６０℃程度まで昇温し、同温度で１時間攪拌することにより、式（Ｉ１１−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。２３℃程度まで冷却し、得られた式（Ｉ１１−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、式（Ｉ１−ｆ）で表される化合物１．７５部を仕込み、２３℃程度で１２時間攪拌した。得られた反応混合物に、イオン交換水５部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。このような水洗操作を３回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−１１）で表される化合物１．６２部を得た。
ＭＳ：４４０．２

実施例４：式（Ｉ−１２）で表される化合物の合成

式（Ｉ１２−ａ）で表される化合物０．８４部及びクロロホルム１０部を、反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、式（Ｉ１２−ｂ）で表される化合物０．９２部を添加した。その後、６０℃程度まで昇温し、同温度で１時間攪拌することにより、式（Ｉ１２−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。２３℃程度まで冷却し、得られた式（Ｉ１２−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、式（Ｉ２−ｆ）で表される化合物１．９８部を仕込み、２３℃程度で１２時間攪拌した。得られた反応混合物に、イオン交換水５部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。このような水洗操作を３回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−１２）で表される化合物１．６６部を得た。
ＭＳ：４８０．３

樹脂の合成
樹脂［樹脂（Ａ）など］の合成において使用した化合物（モノマー）を下記に示す。

以下、これらのモノマーを、それぞれ「モノマー（ａ１−１−１）」、「モノマー（ａ１−１−２）」、「モノマー（ａ２−１−１）」、「モノマー（ａ３−１−１）」、「モノマー（ａ３−２−３）」、「モノマー（ａ１−２−３）」、「モノマー（ａ１−５−１）」、「モノマー（Ｉ−１）」、「モノマー（Ｉ−２）」、「モノマー（Ｉ−１１）」、「モノマー（Ｉ−１２）」、「モノマー（ａ４−１−７）」及び「モノマー（Ｘ）」という。

実施例５〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｉ−１）を用い、そのモル比（モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（Ｉ−１））が３０：５：５：２０：３０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．９×１０^３の樹脂Ａ１（共重合体）を収率７８％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

実施例６〔樹脂Ａ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｉ−２）を用い、そのモル比（モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（Ｉ−２））が３０：５：５：２０：３０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．２×１０^３の樹脂Ａ２（共重合体）を収率８４％で得た。この樹脂Ａ２は、以下の構造単位を有するものである。

合成例１〔樹脂Ａ３の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｘ）を用い、そのモル比（モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（Ｘ））が３０：５：５：２０：３０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．７×１０^３の樹脂Ａ３（共重合体）を収率８４％で得た。この樹脂Ａ３は、以下の構造単位を有するものである。

実施例７〔樹脂Ａ４の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）８．２１部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）３．５５部、モノマー（Ｉ−１１）４．４１部に１，４−ジオキサン３０．７７部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３００部とイオン交換水１２５部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が３．６×１０^３の共重合体２５．２１部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（Ｉ−１１）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ４とする。

合成例２〔樹脂Ａ５の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）８．２１部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）３．５５部、モノマー（Ｘ）２．２６部に１，４−ジオキサン２８．６２部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３００部とイオン交換水１２５部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が３．４×１０^３の共重合体２１．２９部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（Ｘ）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ５とする。

実施例８〔樹脂Ａ６の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（１−５−１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（Ｉ−２）を用い、そのモル比（モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ１−５−１）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（Ｉ−２））が３０：５：５：２０：３０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．８×１０^３の樹脂Ａ６（共重合体）を収率８１％で得た。この樹脂Ａ６は、以下の構造単位を有するものである。

実施例９〔樹脂Ａ７の合成〕
モノマー（ａ１−１−１）８．２１部、ｐ−アセトキシスチレン１４．６０部、モノマー（ａ２−１−１）３．５５部、モノマー（Ｉ−１２）４．８１部に１，４−ジオキサン３１．１７部を加えて溶液とし、８７℃まで昇温した。得られた溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル２．９６部を添加し、８７℃で６時間保温した。冷却後反応液をメタノール３００部とイオン交換水１２５部の混合液に注いで重合物を沈殿ろ過した。得られたろ過物及び４−ジメチルアミノピリジン２．９３部を、得られたろ過物と同量のメタノールに加えて１５時間加熱還流した。冷却し、得られた反応液に氷酢酸２．１６部を加え中和し、大量の水に注いで沈殿させた。析出した重合物をろ別し、アセトンに溶解させ、大量の水に注いで沈殿させる操作を３回繰り返して精製し、重量平均分子量が３．５×１０^３の共重合体２５．６８部を得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−１）、ｐ−ヒドロキシスチレン、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（Ｉ−１２）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ４とする。

合成例３〔樹脂Ｄ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ４−１−７）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。
得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量１．８×１０^４の樹脂Ｄ１（共重合体）を収率７７％で得た。この樹脂Ｄ１は、以下の構造単位を有するものである。

実施例１０〜１４及び参考例１
＜レジスト組成物の調製＞
実施例５、６、合成例１、実施例８で得られた樹脂Ａ１〜樹脂Ａ３、樹脂Ａ６；
合成例３で得られた樹脂Ｄ１；
以下に示す酸発生剤Ｂ１；
以下に示す塩基性化合物Ｃ１；
の各々を表１に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１〜Ａ３、Ａ６：樹脂Ａ１〜樹脂Ａ３、樹脂Ａ６
Ｄ１：樹脂Ｄ１
＜酸発生剤＞
Ｂ１：特開２０１０−１５２３４１号公報の実施例に従って合成

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０．０部
２−ヘプタノン ２０．０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジストパターンの製造＞
１２インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を、乾燥後の膜厚が１１０ｎｍとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表１の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。このようにレジスト組成物膜（すなわち組成物層）を形成したウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマレーザステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、２−ｐｏｌｅｓ ｏｎ ａｘｉｓ照明（σout＝０．９７、σin＝０．７７、Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。尚、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表１の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行った。
さらに、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、５０ｎｍのラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした。

＜マスクエラーファクター評価（ＭＥＦ）＞
実効感度において、マスクサイズが４８ｎｍ、５０ｎｍ、５２ｎｍ（ピッチはともに１００ｎｍ）のマスクを用いて、レジストパターンをそれぞれ形成した。マスクサイズを横軸に、各マスクサイズのマスクを用いて形成されたレジストパターン（ラインパターン）の線幅を縦軸にプロットした。該プロットから求めた回帰直線の傾きを、ＭＥＦとした。
ここでマスクサイズとは、露光によって基板に転写されるパターンのサイズを意味し、マスク上に形成されている透光部のサイズを意味しない。
これらの結果を表２に示す。

本発明のレジスト組成物（実施例１０〜実施例１４）を用いて得られるレジストパターンは、参考例１のレジスト組成物よりも、マスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れる。

実施例１５、１６、参考例２
＜レジスト組成物の調製＞
表３に示す成分を、表３に示す質量部で、以下に示す溶剤と混合して溶解させ、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ４：実施例７で得られた樹脂Ａ４
Ａ５：合成例２で得られた樹脂Ａ５
Ａ７：実施例９で得られた樹脂Ａ７
＜酸発生剤＞
Ｂ２：特開２００８−７４８４３号公報に記載の化合物

＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ２：東京化成工業（株）製

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ４００部
プロピレングリコールモノメチルエーテル １００部
γ−ブチロラクトン ５部

＜電子線照射によるレジストパターンの製造＞
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理し、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が０．０６μｍとなるようにスピンコートした。その後、ダイレクトホットプレート上にて、表３の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして、組成物層を形成した。このように組成物層を形成したそれぞれのウェハに、電子線描画機〔（株）日立製作所製の「ＨＬ−８００Ｄ ５０ｋｅＶ」を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表３の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、６０ｎｍのラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした。

＜解像度評価＞
実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、５０ｎｍを解像しているものを○、５０ｎｍを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。

＜ＥＵＶ露光によるレジストパターンの製造＞
シリコンウェハを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて９０℃で６０秒処理した上で、表３のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が０．０５μｍとなるようにスピンコートした。
その後、ダイレクトホットプレート上にて、表３の「PB」欄に示す温度で６０秒間プリベークして、組成物層を形成した。このように組成物層を形成したウェハに、ＥＵＶ露光機を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後、ホットプレート上にて表３の「PEB」欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

各レジスト組成物からのレジストパターン形成において、４０ｎｍのラインアンドスペースパターンの線幅が１：１となる露光量を実効感度とした。

＜解像度評価＞
実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、３８ｎｍを解像しているものを○、３８ｎｍを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。

本発明のレジスト組成物は、半導体の微細加工に利用できる。

Claims (22)

1. 式（Ｉ）で表される化合物。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表すか又はＲ^１及びＲ^２が互いに結合し、それらが結合している炭素原子とともに炭素数５〜２０の環を形成する。
   Ｒ^４は、エチレン性二重結合を含む基を表す。
   Ｗは、炭素数６〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表す。
   Ｔ^１は、単結合、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−１）で表される基を表す。
   

   

   （式（ａ−１）中、
   ｓは０又は１を表す。
   Ｘ¹⁰及びＸ^1１は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
   Ａ¹⁰、Ａ^1１及びＡ¹²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）
   Ｔ^２は、炭素数１〜６の２価の脂肪族炭化水素基又は式（ａ−２）で表される基を表す。
   

   

   （式（ａ−２）中、
   ｔは０又は１を表す。
   Ｘ¹²及びＸ¹³は、それぞれ独立に、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
   Ａ¹³及びＡ¹⁵は、それぞれ独立に、単結合又は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。
   Ａ¹⁴は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６の脂肪族炭化水素基を表す。）］
2. 前記式（Ｉ）のＲ^４は、以下の式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）、式（Ｒ^４−３）及び式（Ｒ^４−４）のいずれかで表される基である請求項１記載の化合物。
   

   

   （式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）、式（Ｒ^４−３）及び式（Ｒ^４−４）中、
   Ｒ^３は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。＊は、Ｔ^１との結合手を表す。）
3. 式（Ｉ）のＲ^１及びＲ^２が、共にメチル基である請求項１又は２記載の化合物。
4. 式（Ｉ）のＲ^１及びＲ^２が、互いに結合してシクロヘキサン環を形成する請求項１又は２記載の化合物。
5. 前記式（Ｉ）のＲ^４が、式（Ｒ^４−１）、式（Ｒ^４−２）及び式（Ｒ^４−３）のいずれかで表される基である請求項２〜４のいずれか記載の化合物。
6. 前記式（Ｉ）のＴ^１が、単結合である請求項１〜５のいずれか記載の化合物。
7. 前記式（Ｉ）のＴ^２が、−ＣＯ−である請求項１〜６のいずれか記載の化合物。
8. 前記式（Ｉ）のＷが、アダマンタン環である請求項１〜７のいずれか記載の化合物。
9. 請求項１〜８のいずれか記載の化合物に由来する構造単位を有する樹脂。
10. さらに、酸に不安定な基を有するモノマー（但し、式（Ｉ）で表される化合物ではない）に由来する構造単位を有する請求項９記載の樹脂。
11. 酸に不安定な基を有するモノマーが、式（ａ１−１）で表されるモノマー及び式（ａ１−２）で表されるモノマーからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１０記載の樹脂。
    

    

    ［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
    Ｌ^a1及びＬ^a2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
    Ｒ^a4及びＲ^a5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
    Ｒ^a6及びＲ^a7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
    ｍ１は０〜１４の整数を表す。
    ｎ１は０〜１０の整数を表す。
    ｎ１’は０〜３の整数を表す。］
12. さらに、ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する請求項９〜１１のいずれか記載の樹脂。
13. 前記ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーが、式（ａ２−１）で表されるモノマーである請求項１２記載の樹脂。
    

    

    ［式（ａ２−１）中、
    Ｌ^a3は、−Ｏ−又は^＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
    ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
    Ｒ^a14は、水素原子又はメチル基を表す。
    Ｒ^a15及びＲ^a16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
    ｏ１は、０〜１０の整数を表す。］
14. さらに、ラクトン環を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する請求項９〜１３のいずれか記載の樹脂。
15. ラクトン環を有する酸安定モノマーが、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）及び式（ａ３−３）で表されるモノマーから選ばれる少なくとも１種である請求項１４記載の樹脂。
    

    

    ［式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
    Ｌ^a4〜Ｌ^a6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ₂）_k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。ここで、ｋ３は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
    Ｒ^a18〜Ｒ^a20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
    Ｒ^a21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
    ｐ１は０〜５の整数を表す。
    Ｒ^a22及びＲ^a23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
    ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。
    ｐ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a21は互いに同一又は相異なり、ｑ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a22は互いに同一又は相異なり、ｒ１が２以上のとき、複数存在するＲ^a23は互いに同一又は相異なる。］
16. 請求項９〜１５のいずれか記載の樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。
17. さらに、フッ素原子を有する酸安定モノマーに由来する構造単位を有する樹脂を含有する請求項１６記載のレジスト組成物。
18. フッ素原子を有する酸安定モノマーが、式（ａ４−１）で表されるモノマーである請求項１７記載のレジスト組成物。
    

    

    ［式（ａ４−１）中、
    Ｒ^４１は、水素原子又はメチル基を表す。
    Ａ^４１は、式（ａ４−ｇ１）で表される基を表す。
    

    

    （式（ａ４−ｇ１）中、
    ｓｓは０〜２の整数を表す。
    Ａ^４０及びＡ^４３は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
    ｓｓが２のとき、複数存在するＡ^４０は、互いに同一又は相異なる。
    Ｘ^４０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
    ｓｓが２のとき、複数存在するＸ^４０は、互いに同一又は相異なる。）
    Ｒ^4２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。］
19. 酸発生剤が、式（Ｂ１）で表される塩である請求項１６〜１８のいずれか記載のレジスト組成物。
    

    

    ［式（Ｂ１）中、
    Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
    Ｌ^b1は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
    Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。
    Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］
20. 式（Ｂ１）におけるＹが、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基である請求項１９記載のレジスト組成物。
21. さらに溶剤を含有する請求項１６〜２０のいずれか記載のレジスト組成物。
22. （１）請求項２１記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
    （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
    （３）組成物層に露光する工程、
    （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
    （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
    を含むレジストパターンの製造方法。