JP2013089692A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、まず、バックグラインド工程後、所定のステージ上に、半導体ウェハの表面に形成された凹凸パターンのうち、凸部の表面がステージに当接するように配置する。そして、凸部とステージとで囲まれた凹部の気圧をP4とし、外部雰囲気を矯正圧Pとしつつ、半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を行う。
そして、裏面加工工程においては、矯正圧Pが、バックグラインド工程後の半導体ウェハの抗折強度P3に対して、0<P−P4<P3の関係を満たすようにする。
【選択図】図7
Description
表面に凹部および凸部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハを、凸部の表面が吸着ステージに当接するように配置し、
凸部と、吸着ステージとで囲まれた凹部の気圧P1を、外部雰囲気の圧力P0に対して負圧(P1<P0)となるように減圧して、半導体ウェハを吸着ステージに吸着固定する吸着工程と、
吸着工程により吸着ステージに固定された半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハの表面と反対側の裏面を、所定の研削圧P2を以って、砥石により研削するバックグラインド工程と、
バックグラインド工程後、所定のステージ上に、凸部の表面がステージに当接するように配置して、凸部とステージとで囲まれた凹部の気圧をP4としつつ、半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を備える半導体装置の製造方法であって、
裏面加工工程においては、外部雰囲気を矯正圧Pとしつつ、半導体ウェハの裏面を加工し、
矯正圧Pが、バックグラインド工程後の半導体ウェハの抗折強度P3に対して、
0<P−P4<P3
の関係を満たすことを特徴としている。
最初に、図1および図2を参照して本実施形態に係る半導体装置10の構成について説明する。
第1実施形態では、裏面加工工程として、イオン注入などのマスキングに用いられるレジストの露光工程の例を示した。これに対して、本実施形態では、裏面加工工程として、イオン注入後の不純物の活性化方法のうちレーザーアニールを用いる例を示す。なお、吸着工程およびバックグラインド工程は、第1実施形態と同様であるため、その記載を省略する。
上記した各実施形態では、裏面加工工程において、矯正圧Pが、バックグラインド工程における外部雰囲気の圧力P0と、砥石15により半導体ウェハ11の裏面11bが受ける切削圧P2との和と同一の圧力となるように設定することにより、半導体ウェハ11の裏面11bに生じた裏面段差16をほぼ平坦に矯正する例を示した。これに対して、本実施形態では、矯正圧Pを、0<P−P4<P3の関係を満たす任意の圧力に設定する例を示す。ここで、P3は、本実施形態におけるバックグラインド工程後の半導体ウェハ11の抗折強度である。本実施形態では、P3は100μmの厚さを有するシリコンウェハの抗折強度であり、P3≒2.9×108Paである。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
11a・・・半導体ウェハの表面
11b・・・半導体ウェハの裏面
12・・・保護膜
18・・・ステージ
19・・・圧力チャンバ
20・・・真空ポンプ
21・・・ガラス窓
22・・・マスク
23・・・紫外光源
Claims (6)
- 表面に凹部および凸部を有する凹凸パターンが形成された半導体ウェハを、前記凸部の表面が吸着ステージに当接するように配置し、
前記凸部と、前記吸着ステージとで囲まれた凹部の気圧P1を、外部雰囲気の圧力P0に対して負圧(P1<P0)となるように減圧して、前記半導体ウェハを前記吸着ステージに吸着固定する吸着工程と、
前記吸着工程により前記吸着ステージに固定された前記半導体ウェハにおいて、該半導体ウェハの表面と反対側の裏面を、所定の研削圧P2を以って、研削するバックグラインド工程と、
バックグラインド工程後、所定のステージ上に、前記凸部の表面が前記ステージに当接するように配置して、前記凸部と前記ステージとで囲まれた凹部の気圧をP4としつつ、前記半導体ウェハの裏面を加工する裏面加工工程を備える半導体装置の製造方法であって、
前記裏面加工工程においては、前記外部雰囲気を矯正圧Pとしつつ、前記半導体ウェハの裏面を加工し、
前記矯正圧Pが、バックグラインド工程後の前記半導体ウェハの抗折強度P3に対して、
0<P−P4<P3
の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記P、前記P0、前記P1、前記P2および前記P4が、
P−P4=P2+P0−P1
の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記裏面加工工程は、露光工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載に半導体装置の製造方法。
- 前記露光工程は、プロキシミティ露光工程であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記裏面加工工程は、レーザーアニール工程であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記矯正圧Pは、前記半導体ウェハと、前記凹凸パターンおよび前記半導体ウェハの裏面に形成される裏面パターンに対して、不活性な気体により印加されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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