JP2013086975A - 単層カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】非磁性金属から成る触媒層を形成した基板の触媒層上に、プラズマCVD法により単層カーボンナノチューブを成長させる成長工程と、反応性イオンエッチングにより基板をエッチングするエッチング工程とを同時に行う。成長工程では、プラズマCVD法の原料ガスとして炭化水素ガスを使用し、プラズマCVD法で発生するプラズマシース電場を制御する。エッチング工程では、反応性イオンエッチングにおける化学的活性種は水素ラジカル、物理的作用を担うものはイオンであり、ラジカル密度とイオン入射エネルギーとを制御する。
【選択図】図1
Description
図1および図2は、本発明の実施の形態の単層カーボンナノチューブの製造方法を示している。
Claims (6)
- 触媒層を形成した基板の前記触媒層上に、プラズマCVD法により単層カーボンナノチューブを成長させる成長工程と、
反応性イオンエッチングにより前記基板をエッチングするエッチング工程とを、
有することを特徴とする単層カーボンナノチューブの製造方法。 - 前記成長工程と前記エッチング工程とを同時に行うことを特徴とする請求項1記載の単層カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記成長工程と前記エッチング工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項1記載の単層カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記成長工程は、前記プラズマCVD法で発生する電場を制御可能であり、
前記エッチング工程は、前記反応性イオンエッチングのラジカル密度とイオン入射エネルギーとを制御可能であることを
特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の単層カーボンナノチューブの製造方法。 - 前記反応性イオンエッチングは、前記成長工程により前記触媒層上に吸着された単層カーボンナノチューブ前駆体を、ラジカルによりエッチングすると共に、前記成長工程により前記触媒層上に成長した前記単層カーボンナノチューブを、その径に応じてイオンにより選択的にエッチングするよう構成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の単層カーボンナノチューブの製造方法。
- 前記プラズマCVD法は、原料ガスとして炭化水素ガスを使用することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の単層カーボンナノチューブの製造方法。
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