JP2013084354A - Plasma display panel and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power saving PDP in which electric power of address discharge is reduced.SOLUTION: A plasma display panel includes: a front substrate in which a plurality of display electrodes are disposed; and a rear substrate in which address electrodes are displayed so as to intersect with the display electrodes and an insulator layer is disposed on the address electrodes. The insulator layer includes a filler containing SiOas a main component. An average grain diameter of the filler and a film thickness T(μm) satisfy 0.2≤R/T≤1, and a relative permittivity of the insulator layer excluding the filler is 8 or more and a relative permittivity of the filler is 5 or less.

Description

本発明は表示デバイスとして知られるプラズマディスプレイパネルおよびその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a plasma display panel known as a display device and a manufacturing method thereof.

近年、双方向情報端末として大画面、壁掛けテレビへの期待が高まっており、そのための表示デバイスとして、液晶表示パネル、フィールドエミッションディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイなどの数多くのものがある。これらの表示デバイスの中でもプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」と記す)は、自発光型で美しい画像表示ができ、大画面化が容易であるなどの理由から、視認性に優れた薄型表示デバイスとして注目されており、高精細化および大画面化に向けた開発が進められている。   In recent years, expectations for large screens and wall-mounted televisions are increasing as interactive information terminals, and there are many display devices such as liquid crystal display panels, field emission displays, and electroluminescence displays. Among these display devices, a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”) is a thin display device with excellent visibility because it is self-luminous, can display beautiful images, and is easy to enlarge. Development for high definition and large screen is underway.

PDPは表示電極、誘電体層、MgOによる保護層などの構成物を形成した前面板と、電極、隔壁、絶縁体層、蛍光体層などの構成物を形成した背面板とを、内部にR・G・Bそれぞれの微小な放電セル(以下、単にセルとする)を形成するように対向配置されるとともに、周囲を封着部材により封止されている。そして、そのセルにネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などを混合してなる放電ガスを例えば所定の圧力で封入している。   The PDP has a front plate on which components such as a display electrode, a dielectric layer, and a protective layer made of MgO are formed, and a back plate on which components such as electrodes, partition walls, an insulator layer, and a phosphor layer are formed. -G and B are arranged opposite each other so as to form minute discharge cells (hereinafter simply referred to as cells), and the periphery is sealed with a sealing member. Then, a discharge gas obtained by mixing neon (Ne), xenon (Xe), and the like is sealed in the cell at a predetermined pressure, for example.

元来PDPは自発光型であるため各セルは非常に高い視野角を有するが、高精細化・大画面化に伴い全領域で均一なパネル特性が求められるため、材料物性・構造形成プロセスに対して対策が様々に施される。例えば、放電空間並びに蛍光体形状を定義して、同箇所に2回の塗布プロセスを用いてその構造を実現する方法を見出し、視野角の変化に対して蛍光体からの均一な発光を得る方法等が開示されている。   Originally, PDP is a self-luminous type, so each cell has a very high viewing angle. However, with high definition and large screen, uniform panel characteristics are required in all areas. Various measures are taken against it. For example, by defining the discharge space and the phosphor shape, finding a method for realizing the structure using two coating processes at the same location, and obtaining uniform light emission from the phosphor with respect to changes in viewing angle Etc. are disclosed.

なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1、特許文献2が知られている。   For example, Patent Document 1 and Patent Document 2 are known as prior art document information relating to the invention of this application.

特開2000−208057号公報JP 2000-208057 A 特開2006−040794号公報JP 2006-040794 A

ところで近年の省エネルギーへの関心の高揚に伴い、PDPの省電力化が求められている。PDPを発光させるためには各セルに放電を起こすための電圧・電流を印加する必要があり、その際に電力が消費される。PDPを省電力化するためには、放電を起こすために必要な電圧・電流を低減させることが必要である。   By the way, with increasing interest in energy saving in recent years, power saving of PDP is required. In order to cause the PDP to emit light, it is necessary to apply a voltage / current for causing discharge to each cell, and power is consumed at that time. In order to save power in the PDP, it is necessary to reduce the voltage and current necessary for causing discharge.

PDPに必要な放電は大きく分けて3種類ある。すなわち、(1)放電制御を安定化させるための「初期化放電」、(2)発光セルを選択するための「アドレス放電」、(3)映像を映し出すための「維持放電」、の3種類である。近年のPDPではアドレス放電に要する電力Wの比率が相対的に高まっているため、アドレス放電の電力Wすなわち電圧V・電流Iを低減させることが重要となってきている。   There are roughly three types of discharge required for the PDP. That is, (1) “initialization discharge” for stabilizing discharge control, (2) “address discharge” for selecting light emitting cells, and (3) “sustain discharge” for projecting an image. It is. In recent PDPs, since the ratio of the power W required for address discharge is relatively increased, it is important to reduce the power W of the address discharge, that is, the voltage V / current I.

アドレス放電の電圧Vを低下させるためには、絶縁体層33の比誘電率を上げることが有効である。アドレス放電は前面板20に設けられた表示電極24と背面板30に設けられたアドレス電極32の間の電荷量Qが一定以上になると生じる。電荷量Qはアドレス放電の電圧Vと、表示電極24とアドレス電極32の間の静電容量Cverの積で決まるので、静電容量Cverを大きくする、すなわち絶縁体層33の比誘電率を上げることがアドレス放電の電圧Vを低下させることにつながるのである。   In order to reduce the voltage V of the address discharge, it is effective to increase the relative dielectric constant of the insulator layer 33. The address discharge is generated when the charge amount Q between the display electrode 24 provided on the front plate 20 and the address electrode 32 provided on the back plate 30 becomes a certain level or more. Since the charge amount Q is determined by the product of the address discharge voltage V and the capacitance Cver between the display electrode 24 and the address electrode 32, the capacitance Cver is increased, that is, the relative dielectric constant of the insulator layer 33 is increased. This leads to a decrease in the voltage V of the address discharge.

しかし、絶縁体層33の比誘電率を上げると、アドレス放電の電流Iが上昇してしまうという別の課題が発生する。これは絶縁体層33の比誘電率の上昇に伴って、隣どうしのアドレス電極32の間の静電容量Cinが大きくなることが原因である。静電容量Cinが大きくなると、アドレス放電の電圧Vの印加時にアドレス電極32の間に漏れる電流が大きくなる。よって結果的にアドレス放電の電流Iが上昇してしまうのである。   However, when the relative dielectric constant of the insulating layer 33 is increased, another problem that the current I of the address discharge increases occurs. This is because the capacitance Cin between the adjacent address electrodes 32 increases as the relative dielectric constant of the insulator layer 33 increases. When the capacitance Cin increases, the current leaked between the address electrodes 32 when the address discharge voltage V is applied increases. As a result, the current I for address discharge increases.

以上のように、絶縁体層33の比誘電率を変更すると、電流Vと電流Iに対して逆の作用をもたらす。よって絶縁体層33の誘電率を単純に変更するだけではアドレス放電に要する電力Wを低下させることは困難であり、Cverを大きくし、かつCinを小さくする技術が必要となる。   As described above, when the relative dielectric constant of the insulating layer 33 is changed, the current V and the current I are reversed. Therefore, it is difficult to reduce the power W required for address discharge by simply changing the dielectric constant of the insulator layer 33, and a technique for increasing Cver and reducing Cin is required.

このための1つの解決策として、前記アドレス電極上の前記絶縁体層の空隙率を、前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率よりも小さくすることが挙げられる。この解決策は次のような効果を狙った解決策である。すなわち、空隙率が大きな絶縁体は空隙部分の比誘電率が1と小さいため、その比誘電率が実効的に小さくなる。よって前記アドレス電極上の絶縁体層の空隙率を小さくすることによりCverを大きく保ちつつ、前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率を大きくすることによりCinを相対的に小さくできるのである。   One solution for this is to make the porosity of the insulator layer on the address electrode smaller than the porosity of the insulator layer other than on the address electrode. This solution aims to achieve the following effects. That is, an insulator having a large void ratio has a small relative dielectric constant of 1 in the void portion, and thus the relative dielectric constant is effectively reduced. Therefore, Cin can be relatively reduced by increasing the porosity of the insulator layer other than on the address electrode while keeping Cver large by decreasing the porosity of the insulator layer on the address electrode. .

しかしこの解決策には問題点がある。前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率を大きくすると、PDPの駆動時に絶縁体層が絶縁破壊を起こし、駆動回路が破壊したり背面基板のデータ電極が断線したりするためPDPの品質を著しく低下させるのである。これは空隙が多くなることにより絶縁体層の中に局所的に偏在する可能性が高まり、実効的に絶縁体膜厚が薄い箇所が生じ、そこを基点に絶縁破壊が起こるためである。空隙率を比較的小さく保ちつつ、Cverを大きくし、かつCinを小さくする別の解決策が必要となる。   However, there are problems with this solution. If the porosity of the insulator layer other than on the address electrodes is increased, the insulator layer will break down during driving of the PDP, and the drive circuit may be broken or the data electrode on the back substrate may be disconnected. Is significantly reduced. This is because the possibility of local uneven distribution in the insulator layer increases due to an increase in the voids, and a portion where the insulator film thickness is effectively generated is generated, and dielectric breakdown occurs from that point. Another solution is needed to increase Cver and decrease Cin while keeping the porosity relatively small.

本発明はこのような現状に鑑みなされたもので、アドレス放電の電力を低減した高品質で省電力なPDPを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a high-quality and power-saving PDP with reduced address discharge power.

上記の目的を達成するために本発明のPDPは、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板とを備え、前記絶縁体層にはSiO2を主成分とするフィラーを含み、前記フィラーの平均粒径R(μm)と、前記絶縁体層の膜厚T(μm)とが、0.2≦R/T≦1の関係であり、前記フィラーを除く前記絶縁体層の比誘電率が8以上であり、前記フィラーの比誘電率が5以下であることを特徴とする。 In order to achieve the above object, a PDP according to the present invention includes a front substrate on which a plurality of display electrodes are arranged, and a back surface on which address electrodes are arranged so as to intersect the display electrodes and an insulator layer is arranged on the address electrodes. The insulator layer includes a filler mainly composed of SiO 2 , and the average particle size R (μm) of the filler and the film thickness T (μm) of the insulator layer are set to 0. The relationship is 2 ≦ R / T ≦ 1, wherein the dielectric layer excluding the filler has a relative dielectric constant of 8 or more, and the filler has a relative dielectric constant of 5 or less.

このように本発明によれば、アドレス放電の電力を低減した高品質で省電力なPDPを提供することが可能となる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a high-quality and power-saving PDP with reduced address discharge power.

本発明の実施の形態におけるPDPの概略構成を示す断面斜視図Sectional perspective view which shows schematic structure of PDP in embodiment of this invention

以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて、図面を用いて説明する。   Hereinafter, a PDP according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態)
本実施の形態におけるPDPの構成および特徴について説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるPDPの概略構成を示す断面斜視図である。
(Embodiment)
The configuration and characteristics of the PDP in this embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional perspective view showing a schematic configuration of a PDP in an embodiment of the present invention.

図1において、PDP10は、前面板20と背面板30とから構成され、前面板20と背面板30とは放電空間40を形成するように対向配置されている。前面板20は、フロート法により形成された硼珪素ナトリウム系ガラスなどの前面ガラス基板21上に、走査電極22と維持電極23とで対をなすストライプ状の複数の表示電極24が形成されている。また、隣接する表示電極24の間には、光遮蔽部となるブラックストライプ25が形成されている。また、表示電極24とブラックストライプ25とを覆って誘電体層26が形成され、さらに誘電体層26を覆って酸化マグネシウム(MgO)からなる保護層27が形成されている。   In FIG. 1, the PDP 10 includes a front plate 20 and a back plate 30, and the front plate 20 and the back plate 30 are disposed to face each other so as to form a discharge space 40. The front plate 20 has a plurality of stripe-shaped display electrodes 24 that are paired with a scanning electrode 22 and a sustaining electrode 23 on a front glass substrate 21 such as sodium borosilicate glass formed by a float method. . Further, a black stripe 25 serving as a light shielding portion is formed between adjacent display electrodes 24. A dielectric layer 26 is formed so as to cover the display electrode 24 and the black stripe 25, and a protective layer 27 made of magnesium oxide (MgO) is further formed so as to cover the dielectric layer 26.

一方、背面板30は、背面ガラス基板31上に、前面板20の表示電極24と直交する方向にアドレス電極32が形成され、アドレス電極32を覆って絶縁体層33が設けられている。また、絶縁体層33上には、例えばストライプ状、井桁状の隔壁34が設けられ、隔壁34の側面と絶縁体層33の表面には蛍光体層35が設けられている。蛍光体層35は隣接する隔壁34によって仕切られた放電空間40に、それぞれ赤色に発光する赤色蛍光体層35R、緑色に発光する緑色蛍光体層35G、青色に発光する青色蛍光体層35Bが順に形成されている。   On the other hand, the back plate 30 has an address electrode 32 formed on the back glass substrate 31 in a direction orthogonal to the display electrode 24 of the front plate 20, and an insulating layer 33 is provided to cover the address electrode 32. In addition, on the insulator layer 33, for example, stripe-shaped and cross-beam-shaped barrier ribs 34 are provided, and phosphor layers 35 are provided on the side surfaces of the barrier ribs 34 and on the surface of the insulator layer 33. In the discharge space 40 partitioned by the adjacent barrier ribs 34, the phosphor layer 35 has a red phosphor layer 35R that emits red light, a green phosphor layer 35G that emits green light, and a blue phosphor layer 35B that emits blue light in order. Is formed.

PDPの隔壁34は、表示電極24と平行な横隔壁と横隔壁に直交する縦隔壁とにより井桁状に形成されており、縦隔壁は横隔壁の高さよりも若干高くなるように形成される。本発明ではこの他に面一の井桁形状にも適応できるものである。また横隔壁を除いたストライプ状の隔壁にも適応できるものである。   The partition walls 34 of the PDP are formed in a grid pattern by a horizontal partition parallel to the display electrode 24 and a vertical partition perpendicular to the horizontal partition, and the vertical partition is formed to be slightly higher than the height of the horizontal partition. In addition to this, the present invention can also be applied to a flat cross-beam shape. The present invention can also be applied to a stripe-shaped partition excluding the horizontal partition.

前面板20に設けられた表示電極24を構成する走査電極22および維持電極23は、それぞれ透明電極およびバス電極により構成されている。バス電極Agなどの材料からなり、それぞれ透明電極に電気的に接続されている。   The scan electrode 22 and the sustain electrode 23 that constitute the display electrode 24 provided on the front plate 20 are each constituted by a transparent electrode and a bus electrode. It consists of materials, such as bus electrode Ag, and is each electrically connected to the transparent electrode.

以上の前面板20と背面板30とを、表示電極24とアドレス電極32とが直交し内部に微小な放電空間40を形成するように隔壁34を挟んで対向配置して、周囲を封着部材により封止する。その後、放電空間40に、NeおよびXeなどを混合した放電ガスを所定の圧力で封入してPDPを完成させ、表示電極24に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電ガスを放電させ、それによって発生した紫外線が各色の蛍光体層35を励起して、赤色、緑色、青色の各色を発光させることによりカラー画像を表示する。   The front plate 20 and the back plate 30 are arranged opposite to each other with the partition wall 34 interposed therebetween so that the display electrode 24 and the address electrode 32 are orthogonal to each other and form a minute discharge space 40 inside, and the periphery is a sealing member. Seal with. Thereafter, the discharge space 40 is filled with a discharge gas mixed with Ne and Xe at a predetermined pressure to complete the PDP, and the video gas voltage is selectively applied to the display electrode 24 to discharge the discharge gas. The ultraviolet rays generated thereby excite the phosphor layers 35 of the respective colors to emit red, green, and blue colors, thereby displaying a color image.

(PDPの製造方法について)
次に、背面板30の製造方法について説明する。まず背面ガラス基板31上に、銀(Ag)材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極32用の構成物となる材料層を形成し、それを所望の温度で焼成することによりアドレス電極32を形成する。次に、アドレス電極32が形成された背面ガラス基板31上にダイコート法などによりアドレス電極32を覆うように絶縁体ペーストを塗布して絶縁体ペースト層を形成する。その後、絶縁体ペースト層を焼成することにより絶縁体層33を形成する。なお、絶縁体ペーストはガラス粉末などの絶縁体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料である。
(PDP manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the back plate 30 will be described. First, a structure for the address electrode 32 by a method of screen printing a paste containing silver (Ag) material on the rear glass substrate 31 or a method of patterning using a photolithography method after forming a metal film on the entire surface. An address electrode 32 is formed by forming a material layer to be obtained and firing it at a desired temperature. Next, an insulating paste layer is formed by applying an insulating paste on the back glass substrate 31 on which the address electrodes 32 are formed by a die coating method or the like so as to cover the address electrodes 32. Thereafter, the insulator layer 33 is formed by firing the insulator paste layer. The insulator paste is a paint containing an insulator material such as glass powder, a binder, and a solvent.

具体的には、本発明の実施の形態において絶縁体ペーストは、ガラス成分20重量%〜45重量%、フィラー15重量%〜50重量%、バインダ10重量%〜20重量%、溶剤20重量%〜30重量%の配合比のものを用いた。   Specifically, in the embodiment of the present invention, the insulator paste is composed of 20% to 45% by weight of glass component, 15% to 50% by weight of filler, 10% to 20% by weight of binder, and 20% to 20% by weight of solvent. A blending ratio of 30% by weight was used.

また絶縁性フィラーとガラス成分の比率を変更することで、絶縁体層33の空隙率を変更できる。後述する実験結果においてはこれらの配合比を変更して試料を作成し検討した。特に、ガラス成分40重量%〜45重量%、フィラー15重量%〜20重量%とすることで良好な結果が得られた。   Moreover, the porosity of the insulator layer 33 can be changed by changing the ratio between the insulating filler and the glass component. In the experimental results described later, samples were prepared by changing these mixing ratios. In particular, good results were obtained by setting the glass components to 40 wt% to 45 wt% and fillers 15 wt% to 20 wt%.

この中でフィラーは、SiO2やTiO2のような絶縁性をもった物質で構成されたフィラーであるが、後述する実験結果においてはフィラーの材料と粒径を変更して試料を作成し検討した。特にフィラーの材料の主成分をSiO2とし、その平均粒径R(μm)と絶縁体層33の膜厚T(μm)の関係を0.2≦R/T≦1とすることで良好な結果が得られた。ここで平均粒径R(μm)は、フィラーを粒度分布測定器で計測して算出されたD50の値を用いている。また、主成分がSiO2というのはフィラー全体に占めるSiO2の割合が概ね8割以上であることを示す。 Among them, the filler is a filler composed of an insulating material such as SiO 2 or TiO 2 , but in the experimental results described later, a sample is prepared by changing the filler material and particle size. did. In particular, the main component of the filler material is SiO 2, and the relationship between the average particle diameter R (μm) and the film thickness T (μm) of the insulator layer 33 is preferably 0.2 ≦ R / T ≦ 1. Results were obtained. Here, the average particle size R (μm) uses the value of D50 calculated by measuring the filler with a particle size distribution measuring instrument. The main component of SiO 2 indicates that the proportion of SiO 2 in the entire filler is approximately 80% or more.

ガラス成分の軟化点Tgは、後述する背面基板の焼成温度に近いことが望ましい。Tgが小さすぎると、焼成の初期段階からガラスの軟化が進むため、同時に焼成されているアドレス電極から発生するガスが絶縁体中に気泡として閉じ込められ易い。この気泡はアドレス電極上の絶縁体の空隙率を実効的に大きくするため、望ましくない。Tgを比較的大きくすれば、アドレス電極からのガスが出た後で絶縁体の緻密化が進むことになるためこの問題が解決される。後述する実験結果においては、ガラス成分の軟化点Tgを540℃〜570℃とし、焼成温度を585℃〜600℃とすることで良好な結果が得られた。   The softening point Tg of the glass component is preferably close to the firing temperature of the back substrate described later. If the Tg is too small, the glass is softened from the initial stage of firing, so that the gas generated from the simultaneously fired address electrodes is easily trapped as bubbles in the insulator. This bubble is undesirable because it effectively increases the porosity of the insulator on the address electrode. If Tg is made relatively large, this problem can be solved since the densification of the insulator proceeds after the gas from the address electrode is emitted. In the experimental results described later, good results were obtained by setting the softening point Tg of the glass component to 540 ° C. to 570 ° C. and the firing temperature to 585 ° C. to 600 ° C.

なお、このアドレス電極から生じる気泡は、ガラス成分の軟化点Tgを制御しなくても、アドレス電極を形成後に一度焼成を行い、その後絶縁体を形成して再度焼成を行うプロセスでも減らすことできる。しかしこの方法は焼成を複数回に分ける必要があり製造コストの上昇につながるため、本発明のように軟化点Tgを制御する方法がよりよいものである。   Note that the bubbles generated from the address electrode can be reduced even in the process of firing once after forming the address electrode, forming the insulator, and firing again without controlling the softening point Tg of the glass component. However, since this method requires firing to be divided into a plurality of times, leading to an increase in manufacturing cost, a method for controlling the softening point Tg as in the present invention is better.

次に、絶縁体層33上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成した後、背面基板全体を焼成することにより隔壁34を形成する。ここで、絶縁体層33上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁34間の絶縁体層33上および隔壁34の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層35が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板31上に所定の構成部材を有する背面板30が完成する。   Next, a partition wall forming paste containing a partition wall material is applied on the insulator layer 33 and patterned into a predetermined shape to form a partition wall material layer, and then the entire back substrate is baked to form the partition walls 34. To do. Here, as a method of patterning the partition wall paste applied on the insulator layer 33, a photolithography method or a sandblast method can be used. Next, the phosphor layer 35 is formed by applying and baking a phosphor paste containing a phosphor material on the insulator layer 33 between the adjacent partition walls 34 and on the side surfaces of the partition walls 34. Through the above steps, the back plate 30 having predetermined constituent members on the back glass substrate 31 is completed.

このようにして所定の構成部材を備えた前面板20と背面板30とを走査電極22とアドレス電極32とが直交するように対向配置して、その周囲をガラスフリットで封着し、放電空間40にNe、Xeなどを含む放電ガスを封入することによりPDP10が完成する。   In this way, the front plate 20 and the back plate 30 provided with predetermined constituent members are arranged to face each other so that the scanning electrodes 22 and the address electrodes 32 are orthogonal to each other, and the periphery thereof is sealed with a glass frit, so that a discharge space is obtained. The PDP 10 is completed by enclosing a discharge gas containing Ne, Xe or the like in 40.

(本発明の絶縁体層について)
以下、本発明の絶縁体の作成方法を説明する。絶縁体は、図1に示すように背面ガラス基板31とアドレス電極32の上にシート状に塗布される。塗布にはダイコート法を用いており、ペーストを塗布した後、乾燥工程、焼成工程を経てシート化される。
(Insulator layer of the present invention)
Hereinafter, a method for producing an insulator according to the present invention will be described. The insulator is applied in the form of a sheet on the rear glass substrate 31 and the address electrode 32 as shown in FIG. A die coating method is used for coating, and after applying the paste, it is formed into a sheet through a drying step and a firing step.

先に述べたように、従来技術のPDPにおいてはアドレス放電の電力が大きいという課題があった。   As described above, the conventional PDP has a problem that the power of address discharge is large.

これに対し発明者等は、前記絶縁体層に低誘電率フィラーが含まれており、その平均粒径R(μm)と膜厚T(μm)の関係が0.2≦R/T≦1の関係で表されることで、上記課題を解決することを見出した。   In contrast, the inventors have included a low dielectric constant filler in the insulator layer, and the relationship between the average particle size R (μm) and the film thickness T (μm) is 0.2 ≦ R / T ≦ 1. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by being expressed by the relationship.

ここで平均粒径R(μm)と膜厚T(μm)の比であるR/Tの値は、アドレス放電の電力に密接に関わっている。ここで表示電極24とアドレス電極32間の静電容量をCver、隣接するアドレス電極32間の静電容量をCinとする。   Here, the value of R / T, which is the ratio of the average particle size R (μm) to the film thickness T (μm), is closely related to the power of the address discharge. Here, the capacitance between the display electrode 24 and the address electrode 32 is Cver, and the capacitance between the adjacent address electrodes 32 is Cin.

R/Tの値を大きくすると、表示電極24とアドレス電極32の間の静電容量Cverが隣どうしのアドレス電極32の間の静電容量Cinに対して大きくなるという「サイズ効果」が現れてくる。これはCverに対しては低誘電率フィラーがそれ以外の材料と並列に作用するのに対し、Cinに対しては直列に作用することに起因する。   When the value of R / T is increased, a “size effect” that the electrostatic capacity Cver between the display electrode 24 and the address electrode 32 becomes larger than the electrostatic capacity Cin between the adjacent address electrodes 32 appears. come. This is because the low dielectric filler acts on Cver in parallel with other materials, whereas it acts on Cin in series.

この効果は前述のとおりアドレス放電時の電流Vと電流Iの両方を低減するのに効果的であり、アドレス放電の電力低減につながる。R/Tの値が小さくなると低誘電率フィラーのサイズ効果が失われていき、CverとCinが同じ値に近づいていく。   As described above, this effect is effective in reducing both the current V and the current I during address discharge, and leads to a reduction in address discharge power. As the value of R / T decreases, the size effect of the low dielectric constant filler is lost, and Cver and Cin approach the same value.

ただしR/Tの値を1以上にすると、絶縁体層の表面にフィラーが露出することになるため、隔壁34の形成に支障をきたすこととなる。具体的には隔壁の幅にムラができたり、隔壁が倒れたりしてPDPの品質を著しく低下させることとなる。   However, when the value of R / T is set to 1 or more, the filler is exposed on the surface of the insulating layer, which hinders the formation of the partition wall 34. More specifically, the width of the partition wall may be uneven or the partition wall may fall down, thereby significantly reducing the quality of the PDP.

この低誘電率フィラーのサイズ効果を十分に出すためには、低誘電率フィラーとその他の材料の比誘電率との差が大きくなければいけない。低誘電率フィラーの比誘電率が5以下であり、その他の材料の比誘電率が8以上であればよい。発明者等の検討ではSiO2を低誘電率フィラーの材料として用いた。 In order to sufficiently obtain the size effect of the low dielectric constant filler, the difference between the low dielectric constant filler and the relative dielectric constant of other materials must be large. The relative dielectric constant of the low dielectric constant filler may be 5 or less, and the relative dielectric constant of other materials may be 8 or more. In the study by the inventors, SiO 2 was used as a material for the low dielectric constant filler.

また、低誘電率フィラーのサイズ効果を十分に出すために、低誘電率フィラーの配合比は少なくとも15重量%は必要である。ただし配合比が30重量%を超えると絶縁体層の焼結性が大幅に低下してしまうため、15〜30重量%の間にすることが妥当である。   Further, in order to sufficiently obtain the size effect of the low dielectric constant filler, the blending ratio of the low dielectric constant filler is required to be at least 15% by weight. However, if the blending ratio exceeds 30% by weight, the sinterability of the insulator layer is significantly reduced.

また、本発明においてはアドレス電極上空隙率の前記絶縁体層の空隙率と前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率がいずれも0.1〜5%の範囲となることが重要である。空隙率が5%を超えるとPDPパネルの放電中に絶縁体層が絶縁破壊を起こし、PDPの品質を損ねることにつながる。空隙率が0.1%を下回ると前記絶縁体層の反射率が著しく小さくなるためPDPの発光輝度が下がることになり、やはりPDPの品質を損ねることにつながる。これは、空隙率が小さくなったことによって前記絶縁体層の空隙の界面において反射する光が少なくなり、前記全面基板から取り出される光の量が少なくなることに起因する。この0.1〜5%という空隙率は前述のガラス成分とフィラーの配合比に調整することによって実現できた。   In the present invention, it is important that both the porosity of the insulator layer on the address electrode and the porosity of the insulator layer other than on the address electrode are in the range of 0.1 to 5%. is there. If the porosity exceeds 5%, the dielectric layer breaks down during the discharge of the PDP panel, leading to the deterioration of the quality of the PDP. When the porosity is less than 0.1%, the reflectance of the insulator layer is remarkably reduced, so that the light emission luminance of the PDP is lowered, and the quality of the PDP is also deteriorated. This is due to the fact that, since the porosity is reduced, the amount of light reflected at the interface of the gap of the insulator layer is reduced, and the amount of light extracted from the entire substrate is reduced. This porosity of 0.1 to 5% could be realized by adjusting the mixing ratio of the glass component and the filler.

ここで空隙率とは、絶縁体層33の中で絶縁体層33が存在していない部分の体積の割合であって、以下の方法で測定される。
(1)背面板30を割断し、絶縁体層33の断面が露出したサンプルを切り出す。
(2)絶縁体層33を二次電子走査型電子顕微鏡(SEM)にて撮像する。
(3)撮像された誘電体断面の画像から、空隙率を算出する。
Here, the porosity is a volume ratio of a portion of the insulator layer 33 where the insulator layer 33 does not exist, and is measured by the following method.
(1) The back plate 30 is cut and a sample in which the cross section of the insulator layer 33 is exposed is cut out.
(2) The insulator layer 33 is imaged with a secondary electron scanning electron microscope (SEM).
(3) The porosity is calculated from the captured image of the dielectric cross section.

また誘電体の断面は、SEM撮像時のコントラストを上げ、かつ割断時の割れ具合による測定ばらつきを防止するため、空隙部や周辺を樹脂でコートすることが望ましい。本測定は、日立製作所製走査型電子顕微鏡S−3000を用いて行った。算出に用いた撮像は反射電子計測モードで、加速電圧15kV、ワークディスタンス15mmにて行った。   In addition, it is desirable that the dielectric cross section is coated with a resin in the gap and the periphery in order to increase the contrast during SEM imaging and to prevent measurement variations due to cracking during cleaving. This measurement was performed using a scanning electron microscope S-3000 manufactured by Hitachi. The imaging used for the calculation was performed in the reflected electron measurement mode with an acceleration voltage of 15 kV and a work distance of 15 mm.

以上の検討を行った結果、本発明の実施の形態では、アドレス放電電力を低減させながらPDPの品質を保つことができていることが判明した。   As a result of the above examination, it has been found that the quality of the PDP can be maintained while the address discharge power is reduced in the embodiment of the present invention.

以上のように、本発明の実施の形態におけるPDPは、複数の表示電極を配置した前面基板と、表示電極に交差するようにアドレス電極を配置しアドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板との間に、放電空間が形成されるように対向配置したPDPであって、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板を持ったプラズマディスプレイパネルにおいて、前記絶縁体層に低誘電率フィラーが含まれており、その平均粒径R(μm)と膜厚T(μm)の関係が0.2≦R/T≦1の関係で表されることを特徴とする。   As described above, the PDP in the embodiment of the present invention includes a front substrate on which a plurality of display electrodes are arranged, and a rear substrate on which address electrodes are arranged so as to intersect the display electrodes and an insulating layer is arranged on the address electrodes. Between the front substrate, a plurality of display electrodes, and address electrodes arranged so as to intersect the display electrodes. In a plasma display panel having a back substrate on which an insulator layer is disposed, the insulator layer contains a low dielectric constant filler, and the relationship between the average particle diameter R (μm) and the film thickness T (μm) is 0. .. 2 ≦ R / T ≦ 1

また、前記絶縁体層全体の比誘電率が8以上であり、低誘電率フィラーの比誘電率εが5以下であることを特徴とする。   Further, the relative dielectric constant of the whole insulator layer is 8 or more, and the relative dielectric constant ε of the low dielectric constant filler is 5 or less.

また、低誘電率フィラーがSiO2を主成分とする材料であることを特徴とする。 Further, the low dielectric constant filler is a material mainly composed of SiO 2 .

また、前記絶縁体層の膜厚T(μm)が5〜15μm、前記低誘電率フィラーの平均粒径R(μm)が1〜5μmであることを特徴とする。   The insulator layer has a thickness T (μm) of 5 to 15 μm, and the low dielectric constant filler has an average particle size R (μm) of 1 to 5 μm.

また、複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置し、前記絶縁体層の上に隔壁を形成した背面基板との間に、放電空間が形成されるように対向配置したプラズマディスプレイパネルであって、アドレス電極上空隙率の前記絶縁体層の空隙率と前記アドレス電極上以外の前記絶縁体層の空隙率がいずれも0.1〜5%の範囲であることを特徴とする。   Also, a front substrate on which a plurality of display electrodes are arranged, and a back surface in which address electrodes are arranged so as to intersect the display electrodes, an insulator layer is arranged on the address electrodes, and a partition is formed on the insulator layer A plasma display panel disposed opposite to a substrate so as to form a discharge space, wherein the void ratio of the insulator layer on the address electrode and the void of the insulator layer other than on the address electrode All the rates are in the range of 0.1 to 5%.

また、背面基板の作成時、アドレス電極と絶縁体層を個別に焼成するのではなく、両者をパターニングした後に同時に焼成を行うというプロセスを経ることを特徴とする。   In addition, when the back substrate is formed, the address electrodes and the insulating layer are not baked separately, but a process is performed in which both are patterned and then baked at the same time.

これによって、アドレス放電の電力を低減した、高品質な省電力PDPを提供することが可能となる。   This makes it possible to provide a high-quality power-saving PDP with reduced address discharge power.

本発明のPDPによれば、アドレス放電の電力を低減した省電力PDPを提供することを可能とする点で有用である。   According to the PDP of the present invention, it is useful in that it is possible to provide a power-saving PDP with reduced address discharge power.

30 背面板
31 背面ガラス基板
32 アドレス電極
33 絶縁体層
34 隔壁
35 蛍光体層
30 Back plate 31 Back glass substrate 32 Address electrode 33 Insulator layer 34 Partition 35 Phosphor layer

Claims (3)

複数の表示電極を配置した前面基板と、前記表示電極に交差するようにアドレス電極を配置し前記アドレス電極上に絶縁体層を配置した背面基板とを備え、
前記絶縁体層にはSiO2を主成分とするフィラーを含み、
前記フィラーの平均粒径R(μm)と、前記絶縁体層の膜厚T(μm)とが、0.2≦R/T≦1の関係であり、
前記フィラーを除く前記絶縁体層の比誘電率が8以上であり、前記フィラーの比誘電率が5以下である、プラズマディスプレイパネル。
A front substrate on which a plurality of display electrodes are arranged, and a rear substrate on which address electrodes are arranged so as to intersect the display electrodes and an insulating layer is arranged on the address electrodes,
Wherein the insulating layer comprises a filler mainly composed of SiO 2,
The average particle diameter R (μm) of the filler and the film thickness T (μm) of the insulator layer have a relationship of 0.2 ≦ R / T ≦ 1,
The plasma display panel, wherein a dielectric constant of the insulator layer excluding the filler is 8 or more, and a dielectric constant of the filler is 5 or less.
前記絶縁体層の膜厚T(μm)が5μm〜15μm、前記低誘電率フィラーの平均粒径R(μm)が1μm〜5μmである、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 2. The plasma display panel according to claim 1, wherein a film thickness T (μm) of the insulator layer is 5 μm to 15 μm, and an average particle diameter R (μm) of the low dielectric constant filler is 1 μm to 5 μm. 請求項1のプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記アドレス電極と前記絶縁層を同一工程において焼成する、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
A method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1,
A method for manufacturing a plasma display panel, wherein the address electrodes and the insulating layer are baked in the same step.
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