JP2013079442A - 金属系粒子集合体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が200〜1600nm、平均高さが55〜500nm、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。
【選択図】図2
Description
[1] 30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、
100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法。
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体(X)と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が30〜500nmの範囲で短波長側にシフトしている[1]または[2]に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体(Y)よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い[1]または[2]に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
本発明の金属系粒子集合体の製造方法は、所定温度に調整された基板上に、極めて低速で金属系粒子を成長させる工程(以下、粒子成長工程ともいう。)を含むものである。かかる粒子成長工程を含む製造方法によれば、30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されており、該金属系粒子が、所定範囲内の形状(平均粒径200〜1600nm、平均高さ55〜500nmおよびアスペクト比1〜8)、さらに好ましくは所定範囲内の平均粒子間距離(1〜150nm)を有する金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得ることができる。
金属系粒子の平均高さ/金属系粒子成長時間(金属系材料の供給時間)
で定義される。「金属系粒子の平均高さ」の定義は後述するとおりである。
金属系粒子の平均粒径/金属系粒子成長時間(金属系材料の供給時間)
で定義される。「金属系粒子の平均粒径」の定義は後述するとおりである。
上述のように、本発明に係る製造方法によれば、30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されており、該金属系粒子の平均粒径が200〜1600nmの範囲内、平均高さが55〜500nmの範囲内、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8の範囲内である金属系粒子集合体の薄膜を制御良く得ることができる。
〔ii〕金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、上記平均粒径と同じ粒径、上記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体(X)と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が30〜500nmの範囲で短波長側にシフトしている、
〔iii〕金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、上記平均粒径と同じ粒径、上記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体(Y)よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い。
上記〔i〕の特徴を有する金属系粒子集合体(金属系粒子集合体〔i〕)は、次の点において極めて有利である。
吸光度=−log10(I/I0)
で表される。
金属系粒子の平均粒径は200〜1600nmの範囲内であり、上記(1)〜(3)の効果を効果的に得るために、好ましくは200〜1200nm、より好ましくは250〜500nm、さらに好ましくは300〜500nmの範囲内である。金属系粒子の平均粒径は、金属系粒子集合体を増強要素として適用する光学素子の種類や金属系粒子を構成する材料の種類に応じて適切に選択されることが好ましい。
上記〔ii〕の特徴を有する金属系粒子集合体(金属系粒子集合体〔ii〕)は、次の点において極めて有利である。
上記〔iii〕の特徴を有する金属系粒子集合体(金属系粒子集合体〔iii〕)は、次の点において極めて有利である。
<実施例1>
直流マグネトロンスパッタリング装置を用いて、下記の条件で、ソーダガラス基板上に、銀粒子を極めてゆっくりと成長させ、基板表面の全面に金属系粒子集合体の薄膜を形成して、金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た。
チャンバ内圧力(スパッタガス圧):10Pa、
基板・ターゲット間距離:100mm、
スパッタ電力:4W、
平均粒径成長速度(平均粒径/スパッタ時間):0.9nm/分、
平均高さ成長速度(=平均堆積速度=平均高さ/スパッタ時間):0.25nm/分、
基板温度:300℃、
基板サイズおよび形状:一辺が5cmの正方形。
平均高さ成長速度(堆積速度)を60.6nm/分、処理時間(堆積時間)を2分としたこと以外は実施例1と同様にしてスパッタリングを行ない、銀からなる薄膜を形成した。図3は、得られた銀薄膜を示すAFM画像である。図3に示される画像のサイズは5μm×5μmである。
図4は、実施例1で得られた金属系粒子集合体薄膜および比較例1で得られた銀薄膜(ともに基板に積層された状態)の吸光光度法により測定された吸光スペクトルである。非特許文献(K. Lance Kelly, et al., "The Optical Properties of Metal Nanoparticles: The Influence of Size, Shape, and Dielectric Environment", The Journal of Physical Chemistry B, 2003, 107, 668)に示されているように、実施例1のような扁平形状の銀粒子は、平均粒径が200nmのとき約550nm付近に、平均粒径が300nmのときは650nm付近にプラズモンピークを持つことが一般的である(いずれも銀粒子単独の場合である)。
吸光度=−log10(I/I0)
で表される。
図5に示される方法に従って、参照金属系粒子集合体が積層された基板を作製した。まず、縦5cm、横5cmのソーダガラス基板100のおよそ全面にレジスト(日本ゼオン株式会社製 ZEP520A)をスピンコートした(図5(a))。レジスト400の厚みは約120nmとした。次に、電子ビームリソグラフィーによってレジスト400に円形開口401を形成した(図5(b))。円形開口401の直径は約350nmとした。また、隣り合う円形開口401の中心間距離は約1500nmとした。
<実施例2>
実施例1と同条件で銀粒子を成長させることにより、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、スピンオングラス(SOG)溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み80nmの絶縁層を積層した。SOG溶液には、有機系SOG材料である東京応化工業株式会社製「OCD T−7 5500T」をエタノールで希釈したものを用いた。
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例2と同様にして有機EL素子を作製した。
実施例1と同条件で銀粒子を成長させることにより、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、スピンオングラス(SOG)溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み30nmの絶縁層を積層した。SOG溶液には、有機系SOG材料である東京応化工業株式会社製「OCD T−7 5500T」をエタノールで希釈したものを用いた。
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。
<実施例4−1>
実施例1とほぼ同じ条件で銀粒子を成長させることにより、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例1と同様の金属系粒子集合体薄膜を形成した。この金属系粒子集合体薄膜は、金属系粒子の平均高さが66.1nmであること以外は実施例1と同じ粒子形状および平均粒子間距離を有するものであった。
実施例4−1と同条件で銀粒子を成長させることにより、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、SOG溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み10nmの絶縁層を積層した。SOG溶液には、有機系SOG材料である東京応化工業株式会社製「OCD T−7 5500T」をエタノールで希釈したものを用いた。「平均厚み」とは、表面凹凸を有する金属系粒子集合体薄膜上に形成されたときの平均厚みを意味しており、SOG溶液をソーダガラス基板上に直接スピンコートしたときの厚みとして測定した(以下の実施例、比較例についても同様)。平均厚みが比較的小さい値のときは金属系粒子集合体薄膜の谷部分にのみ絶縁層が形成され、金属系粒子集合体薄膜の最表面全体を被覆できないことがある。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は実施例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを80nmとしたこと以外は実施例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを150nmとしたこと以外は実施例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを350nmとしたこと以外は実施例4−2と同様にして、発光素子を得た。
銀ナノ粒子水分散物(三菱製紙社製、銀ナノ粒子濃度:25重量%)を純水で、銀ナノ粒子濃度が6重量%となるように希釈した。次いで、この銀ナノ粒子水分散物に対して1体積%の界面活性剤を添加して良く攪拌した後、得られた銀ナノ粒子水分散物に対して80体積%のアセトンを添加して常温で十分振り混ぜ、銀ナノ粒子塗工液を調製した。
比較例4−1と同じ方法で、1mm厚のソーダガラス基板上に比較例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、SOG溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み10nmの絶縁層を積層した。SOG溶液には、有機系SOG材料である東京応化工業株式会社製「OCD T−7 5500T」をエタノールで希釈したものを用いた。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は比較例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを80nmとしたこと以外は比較例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを150nmとしたこと以外は比較例4−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを350nmとしたこと以外は比較例4−2と同様にして、発光素子を得た。
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例4−1と同様にして発光素子を得た。
実施例4−1と同じ方法で、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。
実施例4−2と同じ方法で、平均厚み10nmの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例5−1と同じ方法で平均厚み30nmのAlq3発光層を形成して、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は実施例5−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを80nmとしたこと以外は実施例5−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを150nmとしたこと以外は実施例5−2と同様にして、発光素子を得た。
比較例4−1と同じ方法で、1mm厚のソーダガラス基板上に比較例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例5−1と同じ方法で平均厚み30nmのAlq3発光層を形成して、発光素子を得た。
比較例4−2と同じ方法で、平均厚み10nmの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例5−1と同じ方法で平均厚み30nmのAlq3発光層を形成して、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は比較例6−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを80nmとしたこと以外は比較例6−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを150nmとしたこと以外は比較例6−2と同様にして、発光素子を得た。
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例5−1と同様にして発光素子を得た。
実施例4−1と同じ方法で、0.5mm厚のソーダガラス基板上に実施例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。
実施例4−2と同じ方法で、平均厚み10nmの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例6−1と同じ方法で平均厚み30nmのF8BT発光層を形成して、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は実施例6−2と同様にして、発光素子を得た。
比較例4−1と同じ方法で、1mm厚のソーダガラス基板上に比較例4−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した後、実施例6−1と同じ方法で平均厚み30nmのF8BT発光層を形成して、発光素子を得た。
比較例4−2と同じ方法で、平均厚み10nmの絶縁層を有する金属系粒子集合体薄膜積層基板を形成した後、実施例6−1と同じ方法で平均厚み30nmのF8BT発光層を形成して、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は比較例8−2と同様にして、発光素子を得た。
金属系粒子集合体薄膜を形成しないこと以外は実施例6−1と同様にして発光素子を得た。
1mm厚のソーダガラス基板上に、真空蒸着法によって膜厚13nmの導電性銀薄膜を成膜した。成膜の際のチャンバ内圧力は3×10-3Paとした。次に、導電性銀薄膜が成膜された基板を400℃の電気炉内で10分間焼成し、金属系粒子集合体薄膜積層基板を得た。
比較例10−1と同じ方法で、1mm厚のソーダガラス基板上に比較例10−1に記載の金属系粒子集合体薄膜を形成した。その後直ちに、SOG溶液を金属系粒子集合体薄膜上にスピンコートして、平均厚み10nmの絶縁層を積層した。SOG溶液には、有機系SOG材料である東京応化工業株式会社製「OCD T−7 5500T」をエタノールで希釈したものを用いた。その後、実施例5−1と同じ方法で平均厚み30nmのAlq3発光層を形成して、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを30nmとしたこと以外は比較例10−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを80nmとしたこと以外は比較例10−2と同様にして、発光素子を得た。
絶縁層の平均厚みを150nmとしたこと以外は比較例10−2と同様にして、発光素子を得た。
Claims (13)
- 30個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、
100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法。 - 金属系粒子を成長させる工程において、金属系粒子は、100〜450℃の範囲内に温度調整された基板上に、1nm/分未満の平均高さ成長速度、かつ、5nm/分未満の平均粒径成長速度で成長される請求項1に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が200〜1600nmの範囲内、平均高さが55〜500nmの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8の範囲内にあり、かつ、その隣り合う金属系粒子との平均距離が1〜150nmの範囲内となるように配置されている請求項1または2に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が200〜1600nmの範囲内、平均高さが55〜500nmの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8の範囲内にあり、
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体と比べて、最も長波長側にあるピークの極大波長が30〜500nmの範囲で短波長側にシフトしている請求項1または2に記載の金属系粒子集合体の製造方法。 - 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子は、その平均粒径が200〜1600nmの範囲内、平均高さが55〜500nmの範囲内、前記平均高さに対する前記平均粒径の比で定義されるアスペクト比が1〜8の範囲内にあり、
前記金属系粒子集合体は、可視光領域における吸光スペクトルにおいて、前記平均粒径と同じ粒径、前記平均高さと同じ高さおよび同じ材質からなる金属系粒子を、金属系粒子間の距離がすべて1〜2μmの範囲内となるように配置した参照金属系粒子集合体よりも、同じ金属系粒子数での比較において、最も長波長側にあるピークの極大波長における吸光度が高い請求項1または2に記載の金属系粒子集合体の製造方法。 - 金属系粒子を成長させる工程における基板の温度が250〜350℃の範囲内である請求項1〜5のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 金属系粒子を成長させる工程が6Pa以上の圧力下で行なわれる請求項1〜6のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 金属系粒子を成長させる工程が10Pa以上の圧力下で行なわれる請求項7に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 金属系粒子を成長させる工程がスパッタリング法により行なわれる請求項1〜8のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 金属系粒子を成長させる工程が直流スパッタリング法により行なわれる請求項9に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 金属系粒子を成長させる工程が直流アルゴンイオンスパッタリング法により行なわれる請求項10に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が貴金属からなる請求項1〜11のいずれかに記載の金属系粒子集合体の製造方法。
- 前記金属系粒子集合体を構成する金属系粒子が銀からなる請求項12に記載の金属系粒子集合体の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05142605A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料およびその製造方法 |
JP2004279359A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 近接場赤外顕微分光用ナノプローブ |
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Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05259163A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Ricoh Co Ltd | アルミニウム薄膜 |
AT403961B (de) | 1995-03-17 | 1998-07-27 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Optochemisches messsystem mit einem fluoreszenzsensor |
JP3916454B2 (ja) * | 2001-12-19 | 2007-05-16 | 独立行政法人科学技術振興機構 | β−FeSi2薄膜の作製方法 |
FR2860872A1 (fr) | 2003-10-09 | 2005-04-15 | Commissariat Energie Atomique | Micro-capteurs et nano-capteurs d'especes chimiques et biologiques a plasmons de surface |
KR20080104605A (ko) * | 2007-05-28 | 2008-12-03 | 삼성코닝 주식회사 | 유로퓸 도핑된 이트리아 나노 코팅층 및 그 제조 방법 |
JP5697085B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2015-04-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP2010241638A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Riichi Murakami | 金属ナノ粒子層を挟んだ薄膜積層体 |
KR20110045256A (ko) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 삼성전자주식회사 | 나노형광체, 이를 포함하는 발광소자 및 나노형광체 제조방법 |
-
2012
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- 2012-09-20 TW TW101134561A patent/TWI599767B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05142605A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 非線形光学材料およびその製造方法 |
JP2004279359A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Konica Minolta Holdings Inc | 近接場赤外顕微分光用ナノプローブ |
US20050244977A1 (en) * | 2004-03-24 | 2005-11-03 | Drachev Vladimir P | Adaptive metal films for detection of biomolecules |
JP2007139540A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Kyoto Univ | 蛍光増強素子、蛍光素子、及び蛍光増強方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015051360; Fukuura, T. et al.: 'Long Range Enhancement of Molecular Fluorescence by Closely Packed Submicro-scale ag Islands' e-J. Surf. Sci. Nanotech. Vol.7, 2009, p.653-659 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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