JP2013077779A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成された抵抗体を設け、抵抗体の上に第2の絶縁膜を介して形成された遮光層を設け、遮光層の上に第3の絶縁膜を介して形成されたヒューズ素子のヒューズ部を有し、抵抗体と遮光層とヒューズ部を重畳した半導体装置とする。
【選択図】図3
Description
(1)主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面に形成された第1の絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された抵抗体と、前記抵抗体の上に形成された第2の絶縁層と、第2の絶縁層の上に形成された遮光層と、前記遮光層の上に形成された第3の絶縁層と、前記第3の絶縁層の上部に形成されたヒューズ素子と、を有し、前記抵抗体と前記遮光層との少なくとも一部、及び前記遮光層と前記ヒューズ素子のヒューズ部が、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に重なっていること、を特徴とする半導体装置とした。
(2)前記抵抗体が多結晶シリコン膜から成ることを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(3)前記遮光層がアルミニウムを含む第1の配線層からなることを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(4)前記ヒューズ素子が、前記第1の配線層よりも上部に形成される、アルミニウムを含む第2の配線層からなることを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(5)前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが、ある導電層によって並列に接続されていることを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(6)前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが複数存在し、前記抵抗体の少なくとも1つと前記ヒューズ素子1つとが、ある導電層によって並列に接続されていることを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(7)前記遮光層が、前記抵抗体と前記ヒューズ素子との間に、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に複数形成することを特徴とする(1)に記載の半導体装置とした。
(8)2個以上の抵抗体により構成され、各抵抗体にヒューズ素子が並列に接続されており、ヒューズ素子を切断することで抵抗体によって分割された電圧の出力を調整できる抵抗分圧回路を備えた半導体装置において、抵抗体とヒューズ素子とが並列に接続された素子が、(1)に記載の半導体装置によって構成されていることを特徴とする半導体装置とした。
本発明の実施例を示す半導体装置の透過構造平面図を図1に示す。また、図1の点線A−A' における構造断面図を図3に示す。
2 ヒューズ素子
3 半導体基板
4 フィールド絶縁膜
5 高抵抗半導体層
6 低抵抗半導体層
7 プラグ
8 メタル配線層
8a 遮光層
8b 第1層目のメタル配線
8c ヒューズ部
8d 第2層目のメタル配線
9 酸化膜
10 窒化膜
11 窒化膜開口領域
12 配線
Claims (7)
- 主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層の上に形成された抵抗体と、
前記抵抗体の上に形成された第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層の上に形成された遮光層と、
前記遮光層の上に形成された第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層の上部に形成された、レーザーにより切断可能なヒューズを有するヒューズ素子と、を有し、
前記抵抗体と前記遮光層との少なくとも一部、及び前記遮光層と前記ヒューズが、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に重なっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記抵抗体が多結晶シリコン膜から成ることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記遮光層がアルミニウムを含む第1の配線層からなることを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記ヒューズ素子が、前記第1の配線層よりも上部に形成される、アルミニウムを含む第2の配線層からなることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記抵抗体と前記ヒューズ素子とが、導電層によって並列に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ヒューズ素子に対しひとつあるいは組み合わされた複数の前記抵抗体が導電層によって並列に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記遮光層が、前記抵抗体と前記ヒューズ素子との間に、前記半導体基板の主表面に対して垂直な方向に複数形成されていることを特徴とする、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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Citations (4)
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JP2000114382A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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