JP2013077428A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
有機el素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013077428A JP2013077428A JP2011216311A JP2011216311A JP2013077428A JP 2013077428 A JP2013077428 A JP 2013077428A JP 2011216311 A JP2011216311 A JP 2011216311A JP 2011216311 A JP2011216311 A JP 2011216311A JP 2013077428 A JP2013077428 A JP 2013077428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- insulating layer
- light
- electrode
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 24
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 24
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】電極をパターニングすることなく、精度よく発光パターンをパターニング可能な有機EL素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板2に第1電極3を積層する第1電極積層工程S11と、第1電極3に対して基板2と反対側に、紫外光UVの照射により不溶化する絶縁層113を積層する絶縁層積層工程S13と、紫外光UVを遮光する遮光膜132により、一部の絶縁層115をマスキングした後に、遮光膜132越しに、絶縁層113に向けて紫外光UVを照射する露光工程S14と、一部の絶縁層115に向けて、紫外光UVが照射されていない絶縁層115を溶解する溶媒142及び有機EL材料141を供給するEL材料供給工程S15と、有機EL材料141を覆うように、第2電極4を積層する第2電極積層工程S16と、を有することを特徴とする。
【選択図】図5
【解決手段】
基板2に第1電極3を積層する第1電極積層工程S11と、第1電極3に対して基板2と反対側に、紫外光UVの照射により不溶化する絶縁層113を積層する絶縁層積層工程S13と、紫外光UVを遮光する遮光膜132により、一部の絶縁層115をマスキングした後に、遮光膜132越しに、絶縁層113に向けて紫外光UVを照射する露光工程S14と、一部の絶縁層115に向けて、紫外光UVが照射されていない絶縁層115を溶解する溶媒142及び有機EL材料141を供給するEL材料供給工程S15と、有機EL材料141を覆うように、第2電極4を積層する第2電極積層工程S16と、を有することを特徴とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、発光パターンのパターニング精度のよい有機EL素子の製造方法に関する。
特許文献1に、有機EL素子11の製造方法が開示されている。以下の(1)〜(8)の工程に従って、有機EL素子11を製造する(図9参照)。
(1)ガラス基板10上に、ITO11aからなる陽極を形成する(図9(a))。
(2)ITO11a上に露光用レジストをスピンコートにより塗布し、所望の電極パターンをマスク露光する。王水を用いたエッチングにより、露光されていない部分のレジスト及びITO11aを取り除き、所望の電極パターンを形成する(図9(b))。
(3)ITO11aの表面を、洗浄する。
(4)ガラス基板10上に、絶縁層11bを形成する(図9(c))。
(5)有機EL膜の成分及び溶媒から成るインク21を調製する。
(6)絶縁層11b上において、画素を形成するべき箇所に、インクジェットヘッドを用いて、調製したインク21を選択的に塗布する(図9(d))。
(7)インク21中の溶媒を蒸発させ、インク21がITO11aと電気的接合を持った状態で固化し、有機EL膜11cが形成される。インク21が塗布されなかった部分の絶縁層11bは、溶解されずに残り、有機EL膜11cを隔てる隔壁11dとなる(図9(e))。
(8)真空蒸着により、所定のパターンに従って、LiF/Alからなる陰極11eを形成する(図9(f))。
上記製造工程により、有機EL素子11をガラス基板10上に精度よく形成することができる。
(1)ガラス基板10上に、ITO11aからなる陽極を形成する(図9(a))。
(2)ITO11a上に露光用レジストをスピンコートにより塗布し、所望の電極パターンをマスク露光する。王水を用いたエッチングにより、露光されていない部分のレジスト及びITO11aを取り除き、所望の電極パターンを形成する(図9(b))。
(3)ITO11aの表面を、洗浄する。
(4)ガラス基板10上に、絶縁層11bを形成する(図9(c))。
(5)有機EL膜の成分及び溶媒から成るインク21を調製する。
(6)絶縁層11b上において、画素を形成するべき箇所に、インクジェットヘッドを用いて、調製したインク21を選択的に塗布する(図9(d))。
(7)インク21中の溶媒を蒸発させ、インク21がITO11aと電気的接合を持った状態で固化し、有機EL膜11cが形成される。インク21が塗布されなかった部分の絶縁層11bは、溶解されずに残り、有機EL膜11cを隔てる隔壁11dとなる(図9(e))。
(8)真空蒸着により、所定のパターンに従って、LiF/Alからなる陰極11eを形成する(図9(f))。
上記製造工程により、有機EL素子11をガラス基板10上に精度よく形成することができる。
(2)の工程において、発光側であるITO11aに電極パターンが形成される。ITO11aに電極パターンが形成されているために、非発光時において、観察者は、ガラス基板10越しに、ITO11aの電極パターンを、目で見て確認することができる。
(6)の工程において、インク21が絶縁層11bに塗布される。有機EL素子は、陽極、有機EL膜、及び陰極が電気的に接合され、積層された部位のみが、発光する。ゆえに、インクジェットによるインク21の塗布精度が悪く、有機EL膜11cがITO11aの電極パターン上において幅方向にはみ出してしまったとしても、はみ出した有機EL膜11cは発光しない。その結果、ITO11aの電極パターン内に発光パターンが収まり、電極パターンと発光パターンとがほぼ同一となる。電極パターンと発光パターンとがほぼ同一となるために、非発光時において、観察者がITO11aの電極パターンを見ることで、有機EL素子11の発光パターンが観察者に知られてしまう。このため、電極パターンを設けない方が望ましい。しかしながら、電極パターンを形成しないと、発光パターンのパターニング精度が有機EL膜のパターニング精度に依存するため、発光パターンを精度よく形成できないという問題点があった。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、電極をパターニングすることなく、精度よく発光パターンをパターニング可能な有機EL素子の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の有機EL素子の製造方法は、基板に第1電極を積層する第1電極積層工程と、前記第1電極積層工程にて積層された前記第1電極の積層方向に、前記第1電極に対して前記基板と反対側に、紫外光の照射により不溶化する絶縁層を積層する絶縁層積層工程と、紫外光を遮光する遮光膜により、前記絶縁層積層工程にて積層された前記絶縁層のうち一部の絶縁層をマスキングした後に、前記遮光膜越しに、前記絶縁層に向けて紫外光を照射する露光工程と、前記露光工程にてマスキングされた一部の絶縁層に向けて、前記紫外光が照射されていない絶縁層を溶解する溶媒及び有機EL材料を供給するEL材料供給工程と、前記積層方向に、前記EL材料供給工程にて供給された前記有機EL材料を覆うように、第2電極を積層する第2電極積層工程と、を有することを特徴とする。
請求項2に記載の有機EL素子の製造方法によれば、前記絶縁層積層工程において積層する前記絶縁層は、シクロオレフィンポリマーを含むことを特徴とする。
請求項3に記載の有機EL素子の製造方法によれば、前記EL材料供給工程において供給する前記溶媒は、テトラリンを含むことを特徴とする。
請求項1に記載の製造方法は、露光工程にて絶縁層を露光し溶媒に不溶化させた後、EL材料供給工程にて溶媒を含む有機EL材料を絶縁層に供給している。露光工程にて絶縁層を露光し溶媒に不溶化させた場合、露光工程にて絶縁層を露光せず、EL材料を供給した場合と比較して、電極パターンを形成することなく、発光パターンを精度よく形成することができる。
請求項2に記載の製造方法においては、請求項1に記載の発明に加え、絶縁層にシクロオレフィンポリマーを用いる。シクロオレフィンポリマーは、絶縁性が高く、透光性が高いため、一層精度のよい発光パターンを形成することができる。
請求項3に記載の製造方法においては、請求項2に記載の発明に加え、溶媒にテトラリンを用いる。シクロオレフィンポリマーに紫外光を照射することで、テトラリンは、シクロオレフィンポリマーを溶かすことができなくなる。シクロオレフィンポリマー、テトラリン、及び紫外光の組み合わせにより、有機ELの発光パターンのパターニングを精度よく行うことができる。
以下、本発明の一実施形態に係る有機EL素子1について、図1〜図5を参照して説明する。
〔実施形態に係る有機EL素子1の構造〕
図1に示すように、本発明の実施形態に係る有機EL素子1は、基板2と、素子本体100と、配線と、を備える。
図1に示すように、本発明の実施形態に係る有機EL素子1は、基板2と、素子本体100と、配線と、を備える。
有機EL素子1の方向について説明する。有機EL素子1は、陽極3を含む。陽極3は、基板2の表面において一方向に延設している。陽極3は、基板2の表面に積層されている。「積層」とは、所定の厚みを有する層を、層の厚み方向に積み上げることである。なお、以下の説明及び図1、図2、図4、図5では、陽極3の延設方向を前後方向とする。陽極3の積層方向を上下方向とする。前後方向及び上下方向に直交する方向を、左右方向とする。なお、図1は、説明の便宜上、後述する陰極4、絶縁層113、接着層123、及びバリアフィルム124が左右方向において破断されている。
基板2は、例えば長方形のフィルム状の板である。具体的には、基板2は、前後方向及び左右方向に延びて設けられる。後述する陽極3、陰極4等の素子本体100の各構成要素は、基板2上面に積層される。基板2は、絶縁性を有する。SiOx、SiN等の無機薄膜が基板2の上面又は両面に積層されるため、基板2はガスバリア性を有する。基板2の厚みは、5〜200μm程度が望ましい。基板2の幅は、1〜100mm程度が望ましい。基板2は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリスチレン(PS)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、又はポリエステル等の樹脂からなる。なお、基板2は、フィルム状でなくてもよく、例えばガラス板等の硬質性の材料から構成されていてもよい。
素子本体100は、基板2の上面に配置される。素子本体100は、後述する有機層111等の複数の層を含む。後述する陽極3と陰極4との間に電圧が印加されることで、素子本体100の発光領域ELFが発光する。図1は、説明の便宜上、素子本体100の前後方向、又は左右方向の幅と比較して、素子本体100の厚みが大きく描かれている。しかしながら、実際には、素子本体100の厚みは、素子本体100の前後方向及び左右方向の幅と比較して、非常に小さい。具体的には、素子本体100の厚みは、1μm〜100μm程度であり、素子本体100の幅は、1mm〜100mm程度である。
配線は、陽極3及び陰極4にそれぞれ接続される。配線は、後述するEL発光部110に駆動電力を図示しない電源から投入する。配線は、例えば銅からなる。
〔有機EL素子1の内部構造〕
図1、及び図2を用いて、有機EL素子1の素子本体100の内部構造について説明する。素子本体100は、EL発光部110と、封止部120と、を備える。
図1、及び図2を用いて、有機EL素子1の素子本体100の内部構造について説明する。素子本体100は、EL発光部110と、封止部120と、を備える。
EL発光部110は、基板2の上面の中央に配置される。EL発光部110は、EL光を発する機能を有する。図2に示すように、EL発光部110は、陽極3と、正孔注入層112と、有機層111と、絶縁層113と、陰極4と、を含む。
陽極3は、基板2の上面の中央に積層される。陽極3は、前後方向及び左右方向に延びて設けられる。陽極3は、酸化インジウムスズ(ITO)、又は酸化インジウム亜鉛(IZO)等の透光性のある導電性酸化物からなる。陽極3の厚みは、150nm程度が望ましい。
正孔注入層112は、陽極3の上面の全面に積層される。正孔注入層112は、前後方向及び左右方向に延びて設けられる。正孔注入層112は、PEDOT/PSS等の透光性のある導電性酸化物からなる。正孔注入層112の厚みは、50nm程度が望ましい。
なお、本実施形態においては、図2に示すように、発光領域ELFから基板2の下方に光を照射させるため、正孔注入層112、陽極3、及び基板2は透光性を有する。
有機層111は、正孔注入層112の上面において、所定のパターンにパターニングされて積層される。本実施形態において、所定のパターンは、ドットマトリックス形状である。有機層111は、有機EL材料141を含む層である。有機EL材料141は、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体などの高分子発光材料、TPB(テトラフェニルブタジエン)、ペリレン、クマリン、ルブレン、ナイルレッド、DCM(4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−ジメチルアミノスチリル−4−ピラン)、DCJTB(4−ジシアノメチレン−6−シーピージュロリジノスチリル−2−ターシャルブチル−4H−ピラン)、スクアリリウム、アルミニウム錯体(例えばAlq3)、又はイリジウム錯体などの低分子〜中分子系材料を含む。有機層111の厚みは、20〜100nmであることが望ましい。
絶縁層113は、正孔注入層112の上面の全面において、有機層111の周囲に積層される。なお、図1において、説明の便宜上、絶縁層113は、前後方向の中ほどにおいて、左右方向に破断されている。絶縁層113の厚みは、20〜100nm程度である。絶縁層113は、後述する真空紫外光UVの照射により、溶媒142に不溶化する材料からなる。絶縁層113は、例えばシクロオレフィンポリマーを含む。溶媒142は、真空紫外光UVが照射されていない絶縁層113を溶解する。溶媒142は、例えばテトラリンを含む。「溶解」とは、絶縁層113が溶媒142と混合されて、均一な状態となることである。
陰極4は、有機層111の上面の全面に積層される。なお、図1において、説明の便宜上、陰極4は、前後方向の中ほどにおいて、左右方向に破断されている。陰極4は、前後方向及び左右方向に延びて設けられる。陰極4は、アルミニウム、フッ化リチウム(LiF)、MgAg合金、Al/LiF積層物、Al/Ca積層物、Al/Ba積層物、Al/MgAg積層物等からなる。陰極4の厚みは、100nm程度が望ましい。
また、本実施形態においては、陽極3及び陰極4は、封止部110の内側のみに配置されていたが、陽極3及び陰極4は、封止部110の外側に延びて配置されていてもよい。この場合、陽極3及び陰極4に直接電圧を印加可能なため、配線は必要ない。
発光領域ELFは、陽極3と、有機層111と、陰極4とが、順に積層されて3つの層が重なり合う領域であり、発光可能な領域である。具体的には、図2に示すように、発光領域ELFは、上下方向において、陽極3と、正孔注入層112と、有機層111と、陰極4との4つの層の厚さを有する領域であって、前後方向および左右方向において、4つの層が共に重なり合う領域である。発光領域ELFは、左右方向において、図2に両方向の矢印で示す幅を有する。
図1に示すように、封止部120は、EL発光部110の周囲を覆うように配置される。封止部120は、接着層123と、バリアフィルム124と、を備える。
接着層123は、発光領域ELFの前後左右の側面全面及び上面全面を覆うように基板2に積層される。なお、図1において、説明の便宜上、接着層123は、前後方向の後方において、左右方向に破断されている。接着層123は、硬化させるための重合開始剤を含む樹脂からなる。重合開始剤は、光照射によって重合を開始する光重合開始剤、又は熱を加えることによって重合を開始する熱重合開始剤を含む。接着層123は、光重合開始剤を含む光硬化性接着剤、又は熱重合開始剤を含む熱硬化性接着剤からなる。本実施形態においては、接着層123は、熱硬化性接着剤からなる。接着層123は、例えばエポキシ基、フェノキシ基、又はオキセタン基を含むメラミン、フェノール、アクリル、イソシアネート樹脂である。また、接着層123は、フィラーを含有していてもよい。
バリアフィルム124は、発光領域ELFに対して基板2と反対側に配置される。本実施形態においては、バリアフィルム124は、接着層123の上面の全面に配置されている。なお、図1においては、説明の便宜上、バリアフィルム124は、前後方向の後方において、左右方向に破断されている。バリアフィルム124は、発光領域ELFを封止するために形成される。バリアフィルム124は、例えば、PET、PEN、PS、PES、又はPI等のフィルムに、SiO2、Al2O3、SiNx等の無機薄膜、及び柔軟性のあるアクリル樹脂薄膜などを層状に複数層重ね合わせたものである。無機薄膜がバリアフィルム124の片面又は両面に積層されるために、バリアフィルム124はガスバリア性を有する。バリアフィルム124は、前後方向及び左右方向に延びて設けられる。バリアフィルム124の厚みは、50μm程度が望ましい。なお、本実施形態では、バリアフィルム124は薄膜状の可撓性を有する物質であった。しかしながら、バリアフィルム124の代わりに、例えばガラス板等の、所定の厚みを有し硬質材料からなる部材を用いてもよい。バリアフィルム124の代替物は、板状でなくてもよく、例えば球体、直方体等、ガスバリア性を有しているならば、何でも良い。
〔有機EL素子1の製造方法〕
図3を用いて、有機EL素子1の製造方法について説明する。例えば以下に示す様な方法によって、有機EL素子1を製造することができる。
図3を用いて、有機EL素子1の製造方法について説明する。例えば以下に示す様な方法によって、有機EL素子1を製造することができる。
有機EL素子1の製造方法においては、基板2上にEL発光部110が形成された後(S10)、EL発光部110に配線が接続され(S17)、EL発光部110を覆うように封止部120が形成される(S18)。
まず、図3、図4、及び図5を用いて、EL発光部形成工程S10について説明する。
図4(a)に示すように、基板2に陽極3を積層する(S11)。具体的には、基板2上に陽極3の材料を一様に真空蒸着する。本実施形態においては、例えばITOが150nmの厚みで蒸着される。なお、陽極3は、真空環境下にて、スパッタリング法を用いて形成してもよい。
大気中にて、陽極3の表面が、中性洗剤洗浄、アセトン洗浄、イソプロピルアルコール洗浄、及びUVオゾン洗浄により順次洗浄される。なお、これらの洗浄の目的は、(1)陽極3の表面の汚れを除去すること、(2)陽極3の表面の酸素欠陥を減らし、正孔注入障壁を低下させること、である。UVオゾン洗浄は、湿式洗浄ではとれない有機物の汚れを除去することができる。
図4(b)に示すように、陽極3の上面に、正孔注入層112を積層する(S12)。正孔注入層112は、有機層111から正孔を受け取る層である。正孔注入層112は、正孔注入材料を含む。なお、本実施形態において、正孔注入材料は後述するインク140が塗布されるために、インク140の溶媒142に溶けない性質を有する必要がある。正孔注入材料は、例えばPSSをドープしたPEDOTからなる。具体的には、正孔注入材料は、スピンコート法によって陽極3の上面に被膜される。その後、真空中において、正孔注入材料を200℃で1時間ベークし、正孔注入層112が形成される。
図4(c)に示すように、陽極3の上面に積層される正孔注入層112の上面に、陽極3に対して基板2と反対側に、絶縁層113を積層する(S13)。絶縁層113は、後述する真空紫外光UVの照射により、溶媒142に不溶化する材料からなる。絶縁層113は、例えばシクロオレフィンポリマーを含む。具体的には、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、印刷法、又はインクジェット法を用いて、正孔注入層112の上面に、絶縁層113を積層する。絶縁層113の厚みは、陽極3と陰極4との間において絶縁性を保持できる厚みであればよい。また、絶縁層113は、後述する工程S15において溶解させるので、半キュアー状態(完全に硬化していない状態)が望ましい。
図5(a)に示すように、マスク130により、絶縁層113から離れた上方位置においてマスキングする。さらに、マスク130越しに、光源から絶縁層113に向けて真空紫外光UVを30秒間照射する(S14)。「マスキング」とは、紫外光UVの遮光のために、絶縁層113に対してマスク130を覆うことである。光源は、例えば、浜松ホトニクス(登録商標)製のMgF2窓付き高輝度重水素ランプ、OKI(登録商標)製の波長172nmのXe2エキシマランプ、又はクォークテクノロジー(登録商標)製の波長172nmのエキシマランプ等である。真空紫外光UVは、例えば波長172nmの紫外光である。なお、照射する光は、真空紫外光UVに限らず、比較的エネルギーの高い、波長が200nm以下の光であればよい。マスク130は、真空紫外光UVを透過する透光部131と、真空紫外光UVを遮光する遮光部132と、を備える。遮光部132は、例えばNikon(登録商標)製の厚さ1μm以下の薄膜Siからなる。また、遮光部132は、Crから形成されていても良い。なお、「遮光」とは、紫外光が遮光部132に対して絶縁層113がある側に、入射することを防ぐことである。透光部131は、例えばSiO2(石英)、CaF2、又はMgF2からなる。S14により、遮光部132に照射された真空紫外光UVは、遮光される。透光部131に照射された真空紫外光UVは、透過し、絶縁層113に照射される。真空紫外光UVが照射された絶縁層113は、溶媒142に不溶の性質を有する不溶部114となる。溶部115は、絶縁層113の不溶部114ではない箇所である。
マスク130の製造方法について説明する。支持体としての透光部131にスパッタリングによって遮光部132の原材料である遮光材料を蒸着する。さらに、遮光材料にフォトレジストを塗布し、例えばレーザ描画装置を用いてレーザを遮光材料に照射することで、パターンを描画する。その後、現像、乾燥、及びポストベークを行った後に、エッチングが行われ、不要な遮光材料が取り除かれる。エッチング後に洗浄と乾燥が行われ、遮光部131が形成され、マスク130が完成する。レーザ描画装置は、一般的に1μm以下のオーダーでパターンを描画可能である。ゆえに、マスク130によるパターニングは、従来のインクジェットの液滴によるパターニングと比較して、精度がよい。
S14において、絶縁層113の上方位置にあるマスク130を用いて、絶縁層113にフォトレジストを直接接触させず、露光を行う。このため、フォトレジストが絶縁層113へ接触するために、絶縁層113が損傷することを防ぐことができる。その結果、製造工程において、有機EL素子の歩留まりが低下することを防ぐことができる。
有機EL材料141及び溶媒142を含むインク140を調製する。溶媒142は、真空紫外光UVが照射されていない絶縁層113である溶部115を溶解する。溶媒142は、例えばテトラリンを含む。具体的には、以下の成分を、それぞれ対応する重量比で混合することにより、インク140を調製する。
正孔輸送性ポリマーである、カルバゾール誘導体を主鎖あるいは側鎖に有する高分子化合物(PVK):16重量比
電子輸送材料(BND):4重量比
有機EL材料141(TPB):1重量比
炭化水素系溶媒142(テトラリン):インク140において、PVK、BND、及びTPBの合計濃度が2%wtとなる重量比
電子輸送材料(BND):4重量比
有機EL材料141(TPB):1重量比
炭化水素系溶媒142(テトラリン):インク140において、PVK、BND、及びTPBの合計濃度が2%wtとなる重量比
インクジェットヘッド143から吐出されるインク140の液滴径を制御するために、インク140の粘度は、5×10−3〜1.5×10−2Pa・sの範囲にあることが望ましい。インクジェットヘッド143からインク140を吐出させる際の飛行曲がりを抑えるために、インク140の表面張力は、20〜50mN/mの範囲にあることが好ましい。
図5(b)に示すように、有機EL材料141及び溶媒142を含むインク140を、溶媒142に溶解する溶部115に向けて、供給する(S15)。「供給」とは、絶縁層113の表面に、材料を付着させることであり、インクジェット法による吐出に限らない。本実施形態においては、インクジェットヘッド143から、絶縁層113において画素を形成するべき15カ所である溶部115の上面に向けて、インク140を吐出する。S15は、大気中、又は窒素雰囲気下にて行われる。インクジェットヘッド143は、圧電素子を備えた圧電方式のインクジェットヘッドである。インクジェットヘッド143は、ドライバからの駆動信号に応じて、インクジェットヘッド143本体の複数のオリフィスから、インク140の液滴を吐出する。インクジェットヘッド143の吐出の駆動周波数は1kHzである。インク140の液滴1個のインク量は50μlである。
図5(c)に示すように、インク140中に含まれる溶媒142により、絶縁層113の溶部115が溶解し、インク140は正孔注入層112に達する。インク140を130〜180℃で30分間乾燥させることにより、インク140中の溶媒142を蒸発させる。インク140の不揮発成分である有機EL材料141は、正孔注入層112及び陽極3と電気的接合を持った状態で固化する。固化した有機EL材料141を有機層111とする。
インクを絶縁層に吐出する際に、比較的液滴精度の低い安価なインクジェットを用いると、所望するインクの液滴径より大きく滴下されてしまうことがある。本実施形態においては、S14にて、絶縁層113を事前に真空紫外光UVを用いてパターニングする。ゆえに、本実施形態のS15において、所望するインクの液滴径より大きく滴下してしまったとしても、絶縁層113は不溶化されているために、絶縁層113は溶媒142に溶けず、発光領域ELFが広がることはない。100μm以下のパターンが形成されたマスク130は、インクジェット装置を用いて液滴精度の高いインクジェットの液滴により100μm以下のパターンを形成する場合と比較して、比較的安価に製造することができる。ゆえに、マスク130の100μm以下の微細な露光精度で、液滴精度の高い比較的高価なインクジェット装置を用いることなく、発光パターンのパターニングを行うことができる。その結果、有機EL素子1の製造コストの低減を図ることができる。
図5(d)に示すように、有機EL材料141からなる有機層111を覆うように、有機層111及び不溶部114の上面に陰極4を積層する(S16)。具体的には、予め形成された陰極4を、ラミネート法によって有機層111の上面及び不溶部114の上面に貼り付ける。この貼り付けは、フィルムラミネーターを用いて、130℃程度の温度下において,105Pa程度の押圧力で行われる。なお、ラミネート法に限らず、真空蒸着法を用いて、陰極4を有機層111上に積層してもよい。
S11〜S16により、EL発光部110が基板2上に形成される。
図示しない配線が、陽極3及び陰極4に接続される(S17)。
図2に示すように、EL発光部110の周囲を覆うように、封止部120が形成される(S18)。
図2に示すように、接着層123は、ガスグローブボックス内にて発光領域ELFの側面及び上面を覆うように、ディスペンサーを用いて充填される。なお、接着層123は、バーコート法を用いてもよい。また、接着層123がフィルム状である場合、接着層123はラミネート法を用いて貼り合わせてもよい。
バリアフィルム124が、ガスグローブボックス内にて、接着層123の上面に接し、発光領域ELFの上部を覆うように、ラミネート法を用いて貼り合わせる。バリアフィルム124は、接着層123が熱により硬化される前に、接着層123の接着力により、貼り合わされる。
有機EL素子1は、ガスグローブボックス内にて、有機EL素子1の接着層123を硬化させる。具体的には、有機EL素子1に熱を加え、有機EL素子1の温度を硬化時の温度にて、所定時間保たせる。硬化時の温度が80℃、100℃、120℃の場合、所定時間は、それぞれ2時間、1時間、30分であることが望ましい。
S11〜S18により、有機EL素子1が製造される。
〔有機EL素子1の使用方法〕
有機EL素子1は、陽極3と陰極4との間に、陽極3が陰極4より高電位になるように、直流電圧が印加されることで、発光する。以下、その過程を説明する。陽極3及び陰極4との間に電圧を印加すると、陽極3から正孔が有機層111に供給され、陰極4から電子が有機層111に供給される。陽極3から供給された正孔と、陰極4から供給された電子とが、有機層111で再結合する。電子は伝導帯を流れ、正孔は価電子帯を流れるので、正孔と電子との再結合によって、バンドギャップに相当するエネルギーを有する光子が放出される。即ち、有機層111が発光する。有機層111からの光は、陽極3及び基板2を透過して、有機EL素子1の下側に放出される。
有機EL素子1は、陽極3と陰極4との間に、陽極3が陰極4より高電位になるように、直流電圧が印加されることで、発光する。以下、その過程を説明する。陽極3及び陰極4との間に電圧を印加すると、陽極3から正孔が有機層111に供給され、陰極4から電子が有機層111に供給される。陽極3から供給された正孔と、陰極4から供給された電子とが、有機層111で再結合する。電子は伝導帯を流れ、正孔は価電子帯を流れるので、正孔と電子との再結合によって、バンドギャップに相当するエネルギーを有する光子が放出される。即ち、有機層111が発光する。有機層111からの光は、陽極3及び基板2を透過して、有機EL素子1の下側に放出される。
有機EL素子1は、各種電子機器の表示部及びバックライト等に使用される。また、例えば、スイッチを陽極3及び陰極4に接続し、有機EL素子1を筐体で覆うことで、周囲の暗闇を照らすライトとして使用することができる。また、例えば、グリーティングカード又はポスターにおいて使用する際は、文字や絵が表示された表示面の裏面に有機EL素子1を設置し、表示面を飾るための装飾品として使用することができる。本発明の有機EL素子1を用いたグリーティングカードは、有機EL素子1に電極パターンが形成されていないために、非発光時に発光パターンを観察者に知られる恐れがない。
〔実験結果〕
図6、図7、及び図8を用いて、絶縁層113の真空紫外露光時間と溶媒142の打ち込み量との関係について説明する。図6、及び図7は、真空紫外光UVが照射された絶縁層113に溶媒142をインクジェットから吐出し、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて、絶縁層113の高さと幅とを測定した結果である。図6、及び図7は、縦軸を絶縁層113の高さ、横軸を絶縁層113の幅とした説明図である。以下、実験条件を記す。真空紫外光UVの波長は、160nmである。遮光部132は、Crからなる。透光部131は、SiO2からなる。絶縁層113はシクロオレフィンポリマーからなるゼオノア(登録商標)である。溶媒142は、テトラリンを含む。図6、及び図7に示すように、H1は、インクジェットにより絶縁層113に吐出された液滴の中心の下端から液滴による波紋の上端までの高さである。H2は、絶縁層113の平面から液滴による波紋の上端までの高さである。H3は、絶縁層113の平面から液滴による波紋の上端までの高さのうち、H2とは反対側の高さである。
図6、図7、及び図8を用いて、絶縁層113の真空紫外露光時間と溶媒142の打ち込み量との関係について説明する。図6、及び図7は、真空紫外光UVが照射された絶縁層113に溶媒142をインクジェットから吐出し、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて、絶縁層113の高さと幅とを測定した結果である。図6、及び図7は、縦軸を絶縁層113の高さ、横軸を絶縁層113の幅とした説明図である。以下、実験条件を記す。真空紫外光UVの波長は、160nmである。遮光部132は、Crからなる。透光部131は、SiO2からなる。絶縁層113はシクロオレフィンポリマーからなるゼオノア(登録商標)である。溶媒142は、テトラリンを含む。図6、及び図7に示すように、H1は、インクジェットにより絶縁層113に吐出された液滴の中心の下端から液滴による波紋の上端までの高さである。H2は、絶縁層113の平面から液滴による波紋の上端までの高さである。H3は、絶縁層113の平面から液滴による波紋の上端までの高さのうち、H2とは反対側の高さである。
図7に示す真空紫外光UVを15秒照射した場合のH1は、図6に示す真空紫外光UVを1秒照射した場合のH1と比較して、小さい。即ち、真空紫外光UVを15秒照射した場合は、真空紫外光UVを1秒照射した場合と比較して、溶媒142により絶縁層113が溶解しにくく(不溶化)なっている。
また、図7に示すように、真空紫外光UVを15秒照射した場合のH1は、H2又はH3とほぼ同一である。さらに、図8に示すように、真空紫外露光時間が15秒、20秒、25秒、30秒の場合、H1−(H2+H3)/2は0、−8、―10、―6であった。即ち、真空紫外露光時間が15秒、20秒、25秒、30秒のいずれの場合においても、H1−(H2+H3)/2は0に近い値を示している。言い換えると、真空紫外光UVを15秒以上照射した場合、インクジェットにより絶縁層113の平面より下側に溶媒142を含むインクを打ち込めなくなると考えられる。このため、真空紫外光UVを15秒以上照射した場合は、仮に絶縁層113の下に電極があったとしても電極と溶媒113とが電気的に接続されることはない。本実験結果を通じて、本実施形態の製造工程において、絶縁層113を不溶化させるためには、真空紫外光UVは15秒以上照射する必要があることを確認できた。
〔変形例〕
本発明は、今までに述べた実施形態に限定されることはなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形・変更が可能である。以下に、その変形の一例を述べる。
本発明は、今までに述べた実施形態に限定されることはなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形・変更が可能である。以下に、その変形の一例を述べる。
本実施形態のS15においては、インクジェット法を用いて、溶媒142及び有機EL材料141を含むインク140を絶縁層113に吐出した。しかしながら、溶媒142と有機EL材料142とは、別々に塗布してもよい。具体的には、溶媒142を絶縁層113の所定のパターンに塗布した後に、現像液を絶縁層113に塗布し(現像工程)洗浄した後、有機EL材料141を絶縁層113に吐出してもよい。溶媒142及び有機EL材料141を含むインク140をインクジェット法により吐出する方法は、現像工程が必要ないため、製造工程の短縮化を行うことができる。また、S15においては、インクジェット法に限らず、スピンコート法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、又は印刷法を用いて有機EL材料を供給してもよい。
本実施形態においては、絶縁層113はシクロオレフィンポリマーを含むが、これに限らず、光を照射することで、溶媒に不溶化する性質を有する材料であるならば、何でもよい。また、本実施形態においては、溶媒142は、テトラリンを含むが、これに限らず、絶縁層を溶かし、光を照射することで、絶縁層を溶かさなくなる材料であるならば、何でも良い。
本実施形態においては、下から陽極3、有機層111、陰極4の順に、積層されていたが、これに限らず、下から陰極4、有機層111、陽極3の順に積層されていてもよい。有機層111の上部にスパッタ法を用いて、陽極3を積層する場合、陰極4を積層する場合と比較して、比較的大きなエネルギーを必要とするため、有機層111を損傷させる恐れがある。有機層111が損傷すると、発光特性が低下する可能性があるため、下から、陽極3、有機層111、陰極4の順に積層することが望ましい。
封止されたEL発光部110内の湿度を取り除くため、有機EL素子1が、フィルム状の調湿剤を含んで構成されていても良い。調湿剤は、例えばフィルム素材に、CaO,BaO等のアルカリ金属酸化物をペースト化したもの、又は調湿性の有機物を塗布乾燥することで形成される。封止されたEL発光部110内の湿度を効率的に取り除くため、調湿剤は例えば陰極4とバリアフィルム124との間に配置されることが望ましい。
本実施形態において、接着層123は熱硬化性接着剤からなり、接着層123を硬化させるために熱を加えた。しかしながら、これに限らず、接着層123は、国際公開第2003/106582号に記載の光照射により硬化反応が開始する光硬化性接着剤を用いてもよい。
本実施形態においては、基板2の下側に向かって光を照射する構成であったが、これに限らず、基板2の上側に向かって光を照射する構成であってもよい。このために、少なくとも陰極4、接着層123、及びバリアフィルム124は、透光性を有する必要がある。透光性を有する材料として、例えば陰極4は金、バリアフィルム124はポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリスチレン(PS)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド(PI)、又はポリエステル等の樹脂が望ましい。しかしながら、基板2の上側から光を照射する場合は、基板2の下側から光を照射する場合と比較して、通過する層が多いために、いくつかの光が反射され、光のエネルギーが減損される。光のエネルギーが減損されることで、結果として基板2の上側に向かって照射される光の輝度が小さくなってしまうため、基板2の下側から光を照射することが望ましい。
また、EL光の輝度を大きくするために、陽極3と有機層111との間に、α−NPD等の正孔輸送層が配置されていてもよい。同様に、EL光の輝度を大きくするために、陰極4と有機層111との間に、Ca、LiF等の電子注入層、又はBCP等の電子輸送層が配置されていてもよい。
また、上述した説明では、実施形態および変形例について別々の例として説明したが、これに限ることはない。即ち、それぞれを組み合わせた構成として、実施形態および一部の変形例を適宜組み合わせて利用してもよい。
〔発明と実施例との対応関係〕
本実施形態における有機EL素子1は、本発明における有機EL素子の一例である。
本実施形態における基板2は、本発明における基板の一例である。
本実施形態における陽極3は、本発明における第1電極の一例である。
本実施形態における陰極4は、本発明における第2電極の一例である。
本実施形態における上下方向は、本発明における積層方向の一例である。
本実施形態における絶縁層113は、本発明における絶縁層の一例である。
本実施形態における真空紫外光UVは、本発明における紫外光の一例である。
本実施形態におけるマスク130の遮光部131は、本発明における遮光膜の一例である。
本実施形態における溶部114は、本発明における「一部の絶縁層」の一例である。
本実施形態における溶媒142は、本発明における溶媒の一例である。
本実施形態における有機EL材料141、又は有機層111は、本発明における有機EL材料の一例である。
本実施形態におけるS11は、本発明における第1電極積層工程の一例である。
本実施形態におけるS13は、本発明における絶縁層積層工程の一例である。
本実施形態におけるS14は、本発明における露光工程の一例である。
本実施形態におけるS15は、本発明におけるEL材料供給工程の一例である。
本実施形態におけるS16は、本発明における第2電極積層工程の一例である。
本実施形態における有機EL素子1は、本発明における有機EL素子の一例である。
本実施形態における基板2は、本発明における基板の一例である。
本実施形態における陽極3は、本発明における第1電極の一例である。
本実施形態における陰極4は、本発明における第2電極の一例である。
本実施形態における上下方向は、本発明における積層方向の一例である。
本実施形態における絶縁層113は、本発明における絶縁層の一例である。
本実施形態における真空紫外光UVは、本発明における紫外光の一例である。
本実施形態におけるマスク130の遮光部131は、本発明における遮光膜の一例である。
本実施形態における溶部114は、本発明における「一部の絶縁層」の一例である。
本実施形態における溶媒142は、本発明における溶媒の一例である。
本実施形態における有機EL材料141、又は有機層111は、本発明における有機EL材料の一例である。
本実施形態におけるS11は、本発明における第1電極積層工程の一例である。
本実施形態におけるS13は、本発明における絶縁層積層工程の一例である。
本実施形態におけるS14は、本発明における露光工程の一例である。
本実施形態におけるS15は、本発明におけるEL材料供給工程の一例である。
本実施形態におけるS16は、本発明における第2電極積層工程の一例である。
1 有機EL素子
2 基板
3 陽極
4 陰極
111 有機層
113 絶縁層
114 不溶部
115 溶部
130 マスク
131 透光部
132 遮光部
140 インク
141 有機EL材料
142 溶媒
UV 真空紫外光
2 基板
3 陽極
4 陰極
111 有機層
113 絶縁層
114 不溶部
115 溶部
130 マスク
131 透光部
132 遮光部
140 インク
141 有機EL材料
142 溶媒
UV 真空紫外光
Claims (3)
- 基板に第1電極を積層する第1電極積層工程と、
前記第1電極積層工程にて積層された前記第1電極の積層方向に、前記第1電極に対して前記基板と反対側に、紫外光の照射により不溶化する絶縁層を積層する絶縁層積層工程と、
紫外光を遮光する遮光膜により、前記絶縁層積層工程にて積層された前記絶縁層のうち一部の絶縁層をマスキングした後に、前記遮光膜越しに、前記絶縁層に向けて紫外光を照射する露光工程と、
前記露光工程にてマスキングされた一部の絶縁層に向けて、前記紫外光が照射されていない絶縁層を溶解する溶媒及び有機EL材料を供給するEL材料供給工程と、
前記積層方向に、前記EL材料供給工程にて供給された前記有機EL材料を覆うように、第2電極を積層する第2電極積層工程と、
を有することを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記絶縁層積層工程において積層する前記絶縁層は、シクロオレフィンポリマーを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記EL材料供給工程において供給する前記溶媒は、テトラリンを含むことを特徴とする請求項2に記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216311A JP2013077428A (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011216311A JP2013077428A (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013077428A true JP2013077428A (ja) | 2013-04-25 |
Family
ID=48480754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011216311A Withdrawn JP2013077428A (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013077428A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102667236B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2024-05-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011216311A patent/JP2013077428A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102667236B1 (ko) * | 2017-12-26 | 2024-05-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7535164B2 (en) | Self-emission panel and method of manufacturing same | |
KR100702022B1 (ko) | 유기 일렉트로루미네선스 장치, 유기 일렉트로루미네선스장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
JP6751459B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス照明パネル、その製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
EP2858137B1 (en) | Organic light-emitting device | |
JP4489682B2 (ja) | レーザー熱転写装置,有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子 | |
JP4069639B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2006332019A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2007214066A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 | |
JP2006147528A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2008226859A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP5691167B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2007103164A (ja) | 自発光パネル、および自発光パネルの製造方法。 | |
JP2007273400A (ja) | 光デバイスの製造方法、および光デバイス | |
JP2003332070A (ja) | 電気光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器 | |
KR20110126608A (ko) | 표시 장치용 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP2003243161A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び製造装置、電気光学装置、電子機器 | |
JP2009146734A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
JP2006004743A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2012204202A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 | |
JP2007026684A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 | |
JP2013077428A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2003208976A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP4893839B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2006236791A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
JP4843953B2 (ja) | 表示装置、その製造方法、及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20141202 |