JP2013062277A - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having a structure suitable for a semiconductor element made of SiC.SOLUTION: A semiconductor device 2 comprises: a semiconductor element 20 made of SiC; a first mold resin 50 covering an outer periphery of the semiconductor element 20; a second mold resin 70 whose heat resistance is lower than heat resistance of the first mold resin 50 and which covers an outer periphery of the first mold resin 50; and a temperature sensor 60 disposed in the second mold resin 70. The temperature sensor 60 is in the second mold resin 70, is disposed in a position in contact with the first mold resin 50, and faces a surface of the semiconductor element 20.

Description

本発明は、半導体装置とその製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof.

特許文献１には、半導体素子と、温度センサと、半導体素子と温度センサとを被覆するモールド樹脂を備える半導体装置が開示されている。この半導体装置では、半導体素子と温度センサを放熱板上に配置し、半導体素子で発生した熱を放熱板を介して温度センサに伝達する。これによって、温度センサは半導体素子の温度を検出している。   Patent Document 1 discloses a semiconductor device including a semiconductor element, a temperature sensor, and a mold resin that covers the semiconductor element and the temperature sensor. In this semiconductor device, a semiconductor element and a temperature sensor are arranged on a heat sink, and heat generated in the semiconductor element is transmitted to the temperature sensor via the heat sink. Thereby, the temperature sensor detects the temperature of the semiconductor element.

特開２００９−２５２８８５号公報JP 2009-252885 A

近年、Ｓｉ（珪素）に代えてＳｉＣ（炭化珪素）を材料とする半導体素子が開発されている。ＳｉＣを材料とする半導体素子は、Ｓｉを材料とする半導体素子と比較して、耐熱性が高く、高温でも動作が可能であるという特徴を有する。特許文献１に示すような従来の半導体装置の構造は、Ｓｉを材料とする半導体素子のための構造であり、ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造とはなっていない。   In recent years, semiconductor elements using SiC (silicon carbide) as a material instead of Si (silicon) have been developed. A semiconductor element made of SiC has characteristics that it has higher heat resistance and can operate even at a higher temperature than a semiconductor element made of Si. The structure of a conventional semiconductor device as shown in Patent Document 1 is a structure for a semiconductor element made of Si, and is not a structure suitable for a semiconductor element made of SiC.

本明細書では、ＳｉＣを材料とする半導体素子に適した構造を有する半導体装置を開示する。   In this specification, a semiconductor device having a structure suitable for a semiconductor element made of SiC is disclosed.

本明細書で開示する半導体装置は、ＳｉＣを材料とする半導体素子と、半導体素子の外周を被覆する第１モールド樹脂と、第１モールド樹脂よりも耐熱性が低く、第１モールド樹脂の外周を被覆する第２モールド樹脂と、第２モールド樹脂内に配置される温度センサと、を備える。   The semiconductor device disclosed in this specification includes a semiconductor element made of SiC, a first mold resin that covers the outer periphery of the semiconductor element, heat resistance lower than the first mold resin, and the outer periphery of the first mold resin. A second mold resin to be coated; and a temperature sensor disposed in the second mold resin.

上述の通り、ＳｉＣを材料とする半導体素子は、Ｓｉを材料とする半導体素子と比べて高温下で動作することができる。このため、ＳｉＣを材料とする半導体素子をモールドする樹脂は、耐熱性を高くする必要がある。その一方、モールド樹脂の全てを耐熱性の高いものとすることは、過剰な耐熱性能となり好ましくない。上記の半導体装置では、半導体素子の外周を耐熱性の高い第１モールド樹脂で被覆する一方、その第１モールド樹脂の外周を耐熱性の低い第２モールド樹脂で被覆する。これにより、耐熱性を確保しながら、ＳｉＣを材料とする半導体素子をモールド樹脂で適切に被覆することができる。また、上記の半導体装置では、耐熱性の低い第２モールド樹脂を用いるため、第２モールド樹脂が最も耐熱性の低い要素となり得る。そこで、上記の半導体装置では、温度センサが第２モールド樹脂内に配置され、第２モールド樹脂の温度を検出する。このため、耐熱性の低い第２モールド樹脂を用いても、第２モールド樹脂が破損してしまうことを未然に防止することができる。   As described above, a semiconductor element made of SiC can operate at a higher temperature than a semiconductor element made of Si. For this reason, a resin for molding a semiconductor element made of SiC needs to have high heat resistance. On the other hand, making all of the mold resin highly heat-resistant is not preferable because of excessive heat resistance. In the above semiconductor device, the outer periphery of the semiconductor element is covered with the first mold resin having high heat resistance, while the outer periphery of the first mold resin is covered with the second mold resin having low heat resistance. Thereby, the semiconductor element made of SiC can be appropriately covered with the mold resin while ensuring heat resistance. In the semiconductor device, since the second mold resin having low heat resistance is used, the second mold resin can be an element having the lowest heat resistance. Therefore, in the semiconductor device described above, the temperature sensor is disposed in the second mold resin and detects the temperature of the second mold resin. For this reason, even if it uses 2nd mold resin with low heat resistance, it can prevent that 2nd mold resin will be damaged beforehand.

上記の半導体装置は、半導体素子の裏面側に配置された放熱板をさらに有していてもよい。温度センサは、第２モールド樹脂内であって、第１モールド樹脂と接する位置に配置され、半導体素子の表面と対向していてもよい。この構成によると、温度センサは、第２モールド樹脂のうち、最も高温になり易い部分の温度を検出することができる。従って、この構成によると、温度センサをより適切な位置に配置することができる。   The semiconductor device may further include a heat sink disposed on the back side of the semiconductor element. The temperature sensor may be disposed in a position in contact with the first mold resin in the second mold resin, and may be opposed to the surface of the semiconductor element. According to this configuration, the temperature sensor can detect the temperature of the portion of the second mold resin that is likely to become the highest temperature. Therefore, according to this configuration, the temperature sensor can be arranged at a more appropriate position.

本明細書は、新規な半導体装置の製造方法をも開示する。本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、ＳｉＣを材料とする半導体素子の外周を第１モールド樹脂で被覆する第１モールド工程と、第１モールド樹脂の外側に温度センサを配置する配置工程と、第１モールド樹脂の外周を第１モールド樹脂より耐熱性の低い第２モールド樹脂で被覆するとともに、温度センサを第２モールド樹脂で封止する第２モールド工程と、を備える。上記の方法によれば、本明細書に開示する新規な半導体装置を製造することができる。なお、上記配置工程では、温度センサを、第１モールド樹脂の外周面であって、半導体素子の表面と対向する位置に配置することが好ましい。   The present specification also discloses a method for manufacturing a novel semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device disclosed in the present specification includes a first molding step of covering the outer periphery of a semiconductor element made of SiC with a first mold resin, and an arrangement step of arranging a temperature sensor outside the first mold resin. And a second mold step of covering the outer periphery of the first mold resin with a second mold resin having lower heat resistance than the first mold resin and sealing the temperature sensor with the second mold resin. According to the above method, a novel semiconductor device disclosed in this specification can be manufactured. In the arrangement step, it is preferable that the temperature sensor is arranged at a position on the outer peripheral surface of the first mold resin and facing the surface of the semiconductor element.

実施例の半導体装置を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows the semiconductor device of an Example typically. 実施例の半導体装置を模式的に示す平面図。The top view which shows the semiconductor device of an Example typically. 半導体装置の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of a semiconductor device.

（実施例）
図１に示すように、本実施例の半導体装置２は、放熱板１０と、半導体素子２０と、第１モールド樹脂５０と、温度センサ６０と、第２モールド樹脂７０とを備えている。半導体素子２０の外周は、第１モールド樹脂５０によって被覆されている。第１モールド樹脂５０の外周は、第２モールド樹脂７０によって被覆されている。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０の外周面の上部（上面）と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。 (Example)
As shown in FIG. 1, the semiconductor device 2 of the present embodiment includes a heat radiating plate 10, a semiconductor element 20, a first mold resin 50, a temperature sensor 60, and a second mold resin 70. The outer periphery of the semiconductor element 20 is covered with the first mold resin 50. The outer periphery of the first mold resin 50 is covered with the second mold resin 70. The temperature sensor 60 is disposed in the second mold resin 70 at a position in contact with the upper portion (upper surface) of the outer peripheral surface of the first mold resin 50 and faces the surface of the semiconductor element 20.

放熱板１０は、熱伝導率の高い材料によって形成されている。放熱板１０は、半導体素子２０が発生する熱を放熱する。放熱板１０は、半導体素子２０の裏面（詳細には、裏面電極（図示省略））に、ハンダ１２を介して接合されている。   The heat sink 10 is formed of a material having high thermal conductivity. The heat radiating plate 10 radiates heat generated by the semiconductor element 20. The heat sink 10 is joined to the back surface (specifically, back electrode (not shown)) of the semiconductor element 20 via the solder 12.

半導体素子２０は、電力用のスイッチング素子であり、本実施例では、縦型のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が用いられている。本実施例では、半導体素子２０は、ＳｉＣを材料としている。そのため、半導体素子２０は、Ｓｉを材料とする半導体素子と比較して、耐熱性が高く、高温でも動作が可能である。図２に示すように、半導体素子２０は、平面視すると略矩形状となるように形成されており、その表面には、メインパッド３０と信号パッド３２とが形成されている。なお、図２は、本実施例の半導体装置２の平面図であるが、第１モールド樹脂５０、温度センサ６０及び第２モールド樹脂７０の図示を省略している。メインパッド３０及び信号パッド３２は、Ａｌ等の導電材料によって形成されている。信号パッド３２は、半導体素子２０の非セル領域（ＩＧＢＴが形成されていない領域）の上方に配置されている。本実施例では、信号パッド３２は、外部の駆動回路から出力されるゲート信号（小電流の信号）の入力のために用いられる。信号パッド３２は、半導体素子２０の表面の１箇所に形成されている。信号パッド３２は、図示しないボンディングワイヤの一端をボンディングするためのボンディング領域を備える。   The semiconductor element 20 is a power switching element, and in this embodiment, a vertical IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is used. In this embodiment, the semiconductor element 20 is made of SiC. Therefore, the semiconductor element 20 has higher heat resistance than a semiconductor element made of Si, and can operate at a high temperature. As shown in FIG. 2, the semiconductor element 20 is formed to have a substantially rectangular shape in plan view, and a main pad 30 and a signal pad 32 are formed on the surface thereof. FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device 2 of the present embodiment, but the illustration of the first mold resin 50, the temperature sensor 60, and the second mold resin 70 is omitted. The main pad 30 and the signal pad 32 are made of a conductive material such as Al. The signal pad 32 is disposed above the non-cell region (region where the IGBT is not formed) of the semiconductor element 20. In this embodiment, the signal pad 32 is used for inputting a gate signal (small current signal) output from an external drive circuit. The signal pad 32 is formed at one place on the surface of the semiconductor element 20. The signal pad 32 includes a bonding region for bonding one end of a bonding wire (not shown).

一方、メインパッド３０は、半導体素子２０のセル領域（ＩＧＢＴが形成されている領域）の上方に配置されている。本実施例では、メインパッド３０は、半導体素子２０の表面の３箇所に形成されている。各メインパッド３０は、図示しないボンディングワイヤの一端をボンディングするためのボンディング領域を備える。   On the other hand, the main pad 30 is arranged above the cell region (region where the IGBT is formed) of the semiconductor element 20. In the present embodiment, the main pad 30 is formed at three locations on the surface of the semiconductor element 20. Each main pad 30 includes a bonding region for bonding one end of a bonding wire (not shown).

半導体素子２０に電流を流す場合には、メインパッド３０を接地線に接続し、半導体素子２０の裏面電極（図示省略）を電源線に接続する。この状態で半導体素子２０をオンすると半導体素子２０を電流が流れ、半導体素子２０をオフすると半導体素子２０を流れていた電流が遮断される。なお、半導体素子２０の表面のうち、メインパッド３０と信号パッド３２の周囲には絶縁層４０が形成されている。   When a current is passed through the semiconductor element 20, the main pad 30 is connected to the ground line, and the back electrode (not shown) of the semiconductor element 20 is connected to the power supply line. When the semiconductor element 20 is turned on in this state, a current flows through the semiconductor element 20, and when the semiconductor element 20 is turned off, the current flowing through the semiconductor element 20 is interrupted. An insulating layer 40 is formed around the main pad 30 and the signal pad 32 on the surface of the semiconductor element 20.

図１に示すように、第１モールド樹脂５０は、絶縁樹脂により形成され、半導体素子２０と、その表面のメインパッド３０及び信号パッド３２の外周を被覆している。なお、以下、第１モールド樹脂５０によって半導体素子２０とメインパッド３０と信号パッド３２の外周を被覆することを「第１モールド樹脂５０によって半導体素子２０を被覆する」と呼ぶ場合がある。第１モールド樹脂５０には、ポリイミドが用いられている。ポリイミドは、エポキシ等の他の絶縁樹脂と比較して耐熱性が高い。耐熱性の高い第１モールド樹脂５０によって半導体素子２０の外周を被覆することにより、半導体素子２０が発する熱が第１モールド樹脂５０の外側に伝わり難くなる。   As shown in FIG. 1, the first mold resin 50 is formed of an insulating resin and covers the outer periphery of the semiconductor element 20 and the main pad 30 and signal pad 32 on the surface thereof. Hereinafter, covering the outer periphery of the semiconductor element 20, the main pad 30, and the signal pad 32 with the first mold resin 50 may be referred to as “covering the semiconductor element 20 with the first mold resin 50”. Polyimide is used for the first mold resin 50. Polyimide has higher heat resistance than other insulating resins such as epoxy. By covering the outer periphery of the semiconductor element 20 with the first mold resin 50 having high heat resistance, the heat generated by the semiconductor element 20 is not easily transmitted to the outside of the first mold resin 50.

第２モールド樹脂７０は、第１モールド樹脂５０と温度センサ６０とを被覆する絶縁樹脂により形成されている。第２モールド樹脂７０には、例えばエポキシ等、第１モールド樹脂５０よりも耐熱性の低い絶縁樹脂を用いることができる。   The second mold resin 70 is formed of an insulating resin that covers the first mold resin 50 and the temperature sensor 60. For the second mold resin 70, for example, an insulating resin having lower heat resistance than the first mold resin 50, such as epoxy, can be used.

温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内に配置されている。さらに、温度センサ６０は、第１モールド樹脂５０の上面と接する位置に、半導体素子２０の表面と対向して配置されている。温度センサ６０には、例えば、温度センスダイオード、サーミスタ等を用いることができる。温度センサ６０の端子６２、６４の端部は、それぞれ、第２モールド樹脂７０の外側に突出している。温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０の温度を検出する。   The temperature sensor 60 is disposed in the second mold resin 70. Furthermore, the temperature sensor 60 is disposed at a position in contact with the upper surface of the first mold resin 50 so as to face the surface of the semiconductor element 20. As the temperature sensor 60, for example, a temperature sense diode, a thermistor, or the like can be used. The ends of the terminals 62 and 64 of the temperature sensor 60 protrude to the outside of the second mold resin 70, respectively. The temperature sensor 60 detects the temperature of the second mold resin 70.

次いで、図３〜図５を参照して、本実施例に係る半導体装置２の製造方法について説明する。まず、図３に示すように、裏面に放熱板１０を接合した半導体素子２０を用意する。半導体素子２０のメインパッド３０及び信号パッド３２には、図示しないボンディングワイヤの一端がボンディングされている。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device 2 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 3, a semiconductor element 20 having a heat sink 10 bonded to the back surface is prepared. One end of a bonding wire (not shown) is bonded to the main pad 30 and the signal pad 32 of the semiconductor element 20.

次いで、第１モールド樹脂によるモールドを行う。本実施例では、トランスファーモールド法によるモールドを行う。まず、図示しない型を用意し、その成形空間内に半導体素子２０を収容する。次いで、その成形空間内に硬化前の第１モールド樹脂（ポリイミド）の液体を供給する。成形空間内に液体が充填されたら、その充填した液体を加熱して硬化させる。液体が硬化することにより、図４に示すように、成形空間内の半導体素子２０の外周が、硬化した第１モールド樹脂５０によって被覆される。その後、成形品を型から抜く。   Next, the first mold resin is used for molding. In this embodiment, molding is performed by a transfer molding method. First, a mold (not shown) is prepared, and the semiconductor element 20 is accommodated in the molding space. Subsequently, the liquid of the 1st mold resin (polyimide) before hardening is supplied in the molding space. When the liquid is filled in the molding space, the filled liquid is heated and cured. As the liquid hardens, as shown in FIG. 4, the outer periphery of the semiconductor element 20 in the molding space is covered with the hardened first mold resin 50. Thereafter, the molded product is removed from the mold.

次いで、図５に示すように、温度センサ６０を配置する。温度センサ６０は、第１モールド樹脂５０の上面であって、半導体素子２０の表面と対向する位置に配置する。次いで、温度センサ６０を配置した状態を維持したまま、第２モールド樹脂によるモールドを行う。この場合も、上述の第１モールド樹脂５０によるモールドと同様に、トランスファーモールド法によるモールドを行う。具体的には、図示しない型を用意し、その成形空間内に、第１モールド樹脂５０と温度センサ６０を収容する。次いで、その成形空間内に硬化前の第２モールド樹脂（エポキシ等の絶縁樹脂）の液体を充填し、加熱して硬化させる。液体が硬化することにより、図１に示すように、第１モールド樹脂５０の外周が、硬化した第２モールド樹脂７０によって被覆される。同時に、温度センサ６０が、硬化した第２モールド樹脂７０で封止される。その後、成形品を型から抜くと、本実施例の半導体装置２が完成する。   Next, as shown in FIG. 5, the temperature sensor 60 is disposed. The temperature sensor 60 is disposed on the upper surface of the first mold resin 50 at a position facing the surface of the semiconductor element 20. Next, molding with the second molding resin is performed while maintaining the state where the temperature sensor 60 is disposed. Also in this case, the mold by the transfer mold method is performed in the same manner as the mold using the first mold resin 50 described above. Specifically, a mold (not shown) is prepared, and the first mold resin 50 and the temperature sensor 60 are accommodated in the molding space. Next, the molding space is filled with a liquid of a second mold resin (insulating resin such as epoxy) before curing, and is cured by heating. When the liquid is cured, the outer periphery of the first mold resin 50 is covered with the cured second mold resin 70 as shown in FIG. At the same time, the temperature sensor 60 is sealed with the cured second mold resin 70. Thereafter, when the molded product is removed from the mold, the semiconductor device 2 of this example is completed.

以上、本実施例の半導体装置２とその製造方法について説明した。上記の通り、本実施例の半導体装置２では、半導体素子２０の外周を耐熱性の高い第１モールド樹脂５０で被覆する一方、その第１モールド樹脂５０の外周を耐熱性の低い第２モールド樹脂７０で被覆する。これにより、耐熱性を確保しながら、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０をモールド樹脂で適切に被覆することができる。即ち、ＳｉＣを材料とする半導体素子２０を耐熱性の高いモールド樹脂７０で被覆する一方で、その第１モールド樹脂５０の外周を耐熱性の低い第２モールド樹脂７０で被覆することにより、半導体素子２０を被覆するモールド樹脂が過剰な耐熱性能を備えることを抑制することができる。また、本実施例の半導体装置２では、温度センサ６０が第２モールド樹脂７０内に配置され、第２モールド樹脂７０の温度を検出する。このため、耐熱性の低い第２モールド樹脂７０を用いても、第２モールド樹脂７０が破損してしまうことを未然に防止することができる。   The semiconductor device 2 and the manufacturing method thereof according to the present embodiment have been described above. As described above, in the semiconductor device 2 of the present embodiment, the outer periphery of the semiconductor element 20 is covered with the first mold resin 50 having high heat resistance, while the outer periphery of the first mold resin 50 is covered with the second mold resin having low heat resistance. Cover with 70. Thereby, the semiconductor element 20 made of SiC can be appropriately covered with the mold resin while ensuring heat resistance. That is, the semiconductor element 20 made of SiC is covered with the mold resin 70 having high heat resistance, while the outer periphery of the first mold resin 50 is covered with the second mold resin 70 having low heat resistance. It can suppress that the mold resin which coat | covers 20 is equipped with excess heat resistance. In the semiconductor device 2 of the present embodiment, the temperature sensor 60 is disposed in the second mold resin 70 and detects the temperature of the second mold resin 70. For this reason, even if it uses the 2nd mold resin 70 with low heat resistance, it can prevent beforehand that the 2nd mold resin 70 will be damaged.

また、本実施例の半導体装置２では、温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０内であって、第１モールド樹脂５０と接する位置に配置され、半導体素子２０の表面と対向している。そのため、温度センサ６０は、第２モールド樹脂７０のうち、最も高温になり易い部分の温度を検出することができる。従って、本実施例の半導体装置２では、温度センサ６０が適切な位置に配置されている。   In the semiconductor device 2 of this embodiment, the temperature sensor 60 is disposed in the second mold resin 70 at a position in contact with the first mold resin 50 and faces the surface of the semiconductor element 20. Therefore, the temperature sensor 60 can detect the temperature of the portion of the second mold resin 70 that is likely to be the highest temperature. Therefore, in the semiconductor device 2 of the present embodiment, the temperature sensor 60 is disposed at an appropriate position.

また、本実施例の半導体装置２では、半導体素子２０と別体の温度センサ６０によって温度を検出するため、半導体素子２０に温度検出のためのセンス領域を設ける必要がない。その結果、ＳｉＣを材料とする半導体基板を有効に使うことができ、半導体素子２０を小型化することができる。   Further, in the semiconductor device 2 of the present embodiment, since the temperature is detected by the temperature sensor 60 that is separate from the semiconductor element 20, it is not necessary to provide a sense region for temperature detection in the semiconductor element 20. As a result, a semiconductor substrate made of SiC can be used effectively, and the semiconductor element 20 can be reduced in size.

上記の実施例の変形例を以下に列挙する。
（１）上記の実施例では、温度センサ６０は、第１モールド樹脂５０と接する位置で、半導体素子２０の表面と対向する位置に配されている。温度センサ６０の位置は、これには限られず、第２モールド樹脂７０内であれば、任意の位置に配置することができる。
（２）上記の実施例では、モールド樹脂５０、７０は、トランスファーモールド法によって成形されている。これに限られず、モールド樹脂５０、７０は、コンプレッションモールド法によって成形してもよい。
（３）半導体素子２０には、ＩＧＢＴに限らず、ＭＯＳＦＥＴやダイオード等の他のパワー半導体素子が用いられていてもよい。 The modifications of the above embodiment are listed below.
(1) In the above embodiment, the temperature sensor 60 is disposed at a position facing the first mold resin 50 and facing the surface of the semiconductor element 20. The position of the temperature sensor 60 is not limited to this, and the temperature sensor 60 can be disposed at any position within the second mold resin 70.
(2) In the above embodiment, the mold resins 50 and 70 are molded by the transfer molding method. However, the present invention is not limited to this, and the mold resins 50 and 70 may be formed by a compression molding method.
(3) The semiconductor element 20 is not limited to the IGBT, and other power semiconductor elements such as a MOSFET and a diode may be used.

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。   Specific examples of the present invention have been described in detail above, but these are merely examples and do not limit the scope of the claims. The technology described in the claims includes various modifications and changes of the specific examples illustrated above. The technical elements described in this specification or the drawings exhibit technical usefulness alone or in various combinations, and are not limited to the combinations described in the claims at the time of filing. In addition, the technology exemplified in this specification or the drawings can achieve a plurality of objects at the same time, and has technical usefulness by achieving one of the objects.

２：半導体装置
１０：放熱板
１２：ハンダ
２０：半導体素子
３０：メインパッド
４２：信号パッド
４０：絶縁層
５０：第１モールド樹脂
６０：温度センサ
６２、６４：端子
７０：第２モールド樹脂 2: Semiconductor device 10: Heat sink 12: Solder 20: Semiconductor element 30: Main pad 42: Signal pad 40: Insulating layer 50: First mold resin 60: Temperature sensor 62, 64: Terminal 70: Second mold resin

Claims (4)

ＳｉＣを材料とする半導体素子と、
前記半導体素子の外周を被覆する第１モールド樹脂と、
前記第１モールド樹脂よりも耐熱性が低く、前記第１モールド樹脂の外周を被覆する第２モールド樹脂と、
前記第２モールド樹脂内に配置される温度センサと、を備える、
半導体装置。 A semiconductor element made of SiC;
A first mold resin covering the outer periphery of the semiconductor element;
A second mold resin having lower heat resistance than the first mold resin and covering an outer periphery of the first mold resin;
A temperature sensor disposed in the second mold resin.
Semiconductor device. 半導体素子の裏面側に配置された放熱板をさらに有しており、
前記温度センサは、前記第２モールド樹脂内であって、前記第１モールド樹脂と接する位置に配置され、前記半導体素子の表面と対向している、
請求項１記載の半導体装置。 It further has a heat sink disposed on the back side of the semiconductor element,
The temperature sensor is disposed in a position in contact with the first mold resin in the second mold resin, and faces the surface of the semiconductor element.
The semiconductor device according to claim 1. ＳｉＣを材料とする半導体素子の外周を第１モールド樹脂で被覆する第１モールド工程と、
前記第１モールド樹脂の外側に温度センサを配置する配置工程と、
前記第１モールド樹脂の外周を前記第１モールド樹脂より耐熱性の低い第２モールド樹脂で被覆するとともに、前記温度センサを前記第２モールド樹脂で封止する第２モールド工程と、を備える、
半導体装置の製造方法。 A first molding step of coating the outer periphery of a semiconductor element made of SiC with a first molding resin;
An arrangement step of arranging a temperature sensor outside the first mold resin;
A second mold step of covering the outer periphery of the first mold resin with a second mold resin having a lower heat resistance than the first mold resin and sealing the temperature sensor with the second mold resin.
A method for manufacturing a semiconductor device. 前記配置工程では、前記温度センサを、前記第１モールド樹脂の外周面であって、前記半導体素子の表面と対向する位置に配置する、
請求項３記載の半導体装置の製造方法。 In the arranging step, the temperature sensor is arranged on the outer peripheral surface of the first mold resin at a position facing the surface of the semiconductor element.
A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3.
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