JP2013056796A - グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法及びグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。
【選択図】図1
Description
(1)本願発明のグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法は、単結晶絶縁性基板を用意し、
基板表面にグラフェンを固定し、
コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、
タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、
コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成することを特徴とする。
基板表面にグラフェンを固定し、
コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、
タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、
コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成したことを特徴とする。
用意する下地基板にはサファイア単結晶からなる基板を用い、寸法5mm×5mmの平面四角形の基板を使用した。更にr面{(1-102)面}をグラフェン固定表面とし、r面はステップ構造の無い完全平坦面とした。また、r面の表面粗さRa(JIS B 0601-2001(ISO4287-1997準拠))を1.0nmとした。
次に、スコッチテープ(登録商標)にグラファイトを貼り、グラファイトからグラフェンを剥がし(機械的剥離法)、そのグラフェンを下地基板のグラフェン固定表面の全面に押し付けて貼り付け、固定した。なお下地基板に固定するグラフェンは、厚み約0.34nmの一層で構成されたグラフェンとした。
フェリチンのコア粒子には、直径約7nmの酸化鉄(Fe2O3)粒子を使用した。溶液には純水を使用し、純水にフェリチンを加えてフェリチン溶液とした。
次にフェリチン溶液を、下地基板に固定したグラフェン上に滴下し、その後、スピンコート装置を用いてグラフェンごと下地基板を回転させ、フェリチンをグラフェン上の特にグラフェン周縁にスピンコートにより均一に散布させると共に、グラフェン上にフェリチンを配置、固定した。
次に、グラフェン固定基板を大気中でアニール装置により加熱して、フェリチンのタンパク質を分解、除去した。加熱温度は450℃に設定し、加熱時間は10分間とした。このようにして、図2のAFM(Atomic Force Microscope:原子間力顕微鏡)観察像に示すように、グラフェン周縁(図2中の楕円箇所)にコア粒子が配置され、後述のグラフェン加工プロセスの基点となる。
次に、グラフェン周縁にコア粒子が固定されたグラフェン固定基板を、アニール装置により加熱して、コア粒子(鉄粒子)によるエッチングでグラフェンに溝を形成してグラフェンを短冊状に切断し、グラフェンリボンを備えた固定基板の試料を得た。雰囲気には、水素とアルゴンの混合雰囲気(混合比率は、水素(H2)320sccm:アルゴン(Ar)600sccm)を用い、加熱温度を900℃、加熱時間を10分間とそれぞれ設定した。
得られた試料をAFM観察により評価した。試料のAFM観察像写真を図3示す。図3に示すように、固定基板の基板表面上にグラフェンリボンが形成されていることが確認された。更に、グラフェンに形成された各々の溝が数nmで平行に形成されていることが確認された。また、方向が揃い、リボン幅が一桁台のナノメーター(nm)サイズのグラフェンリボンが固定基板の基板表面上の全面に亘って形成されていることも確認された。
Claims (6)
- 単結晶絶縁性基板を用意し、
基板表面にグラフェンを固定し、
コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、
タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、
コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法。 - 前記単結晶絶縁性基板がサファイア単結晶から成る、請求項1記載のグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法。
- 前記コア粒子を内包するタンパク質が溶液中に分散され、
前記溶液を前記グラフェン上に滴下し、前記コア粒子を内包するタンパク質を、スピンコートにより前記グラフェン上に前記等間隔に配置し、
更に前記タンパク質を加熱して分解することにより除去する、請求項1又は2記載のグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法。 - 単結晶絶縁性基板を用意し、
基板表面にグラフェンを固定し、
コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、
タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、
コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成した、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板。 - 前記単結晶絶縁性基板がサファイア単結晶から成る、請求項4記載のグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板。
- 前記コア粒子を内包するタンパク質が溶液中に分散され、
前記溶液を前記グラフェン上に滴下し、前記コア粒子を内包するタンパク質を、スピンコートにより前記グラフェン上に前記等間隔に配置し、
更に前記タンパク質を加熱して分解することにより除去する、請求項4又は5記載のグラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9606095B2 (en) | 2014-06-11 | 2017-03-28 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Method of preparing graphene nanoribbon arrays and sensor comprising the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356317A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | グラファイトリボンおよびその製造方法 |
JP2005522340A (ja) * | 2002-04-05 | 2005-07-28 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 均一な長さのナノ構造体を準備する方法 |
JP2005263564A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2005350339A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブ複合材料及びその製造方法、並びに、磁性材料及びその製造方法 |
WO2011027585A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 並木精密宝石株式会社 | グラフェン基板、グラフェン電子デバイス及びそれらの製造方法 |
-
2011
- 2011-09-08 JP JP2011195681A patent/JP5773264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002356317A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Osaka Gas Co Ltd | グラファイトリボンおよびその製造方法 |
JP2005522340A (ja) * | 2002-04-05 | 2005-07-28 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 均一な長さのナノ構造体を準備する方法 |
JP2005263564A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2005350339A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | カーボンナノチューブ複合材料及びその製造方法、並びに、磁性材料及びその製造方法 |
WO2011027585A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 並木精密宝石株式会社 | グラフェン基板、グラフェン電子デバイス及びそれらの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9606095B2 (en) | 2014-06-11 | 2017-03-28 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Method of preparing graphene nanoribbon arrays and sensor comprising the same |
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