JP2013046063A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. エッチング処理中はバルク窒化アルミニウム基板をエッチング液にさらすように構成されているチャンバと、
   前記バルク窒化アルミニウム基板の厚さを示す信号を生成するように構成されている計測ユニットと、
   を含む装置であって、
   前記バルク窒化アルミニウム基板は、前記バルク窒化アルミニウム基板の上に成長させた１層以上のエピタキシャル層を含むサブアセンブリの基板であり、
   前記計測ユニットは、
   前記バルク窒化アルミニウム基板によって吸収されるが前記１層以上のエピタキシャル層によって吸収されない波長の光を生成するように構成されている光源と、
   前記サブアセンブリを透過した光を検出するように配置されている検出器と、
   を含み、
   前記検出器は、前記検出された光の波長範囲にわたって前記サブアセンブリのスペクトル応答を特徴づけるように構成されている、
   装置。
2. 前記計測ユニットは、前記サブアセンブリと電気接触するように構成されている電気コンタクトを含み、
   前記計測ユニットは、前記電気コンタクトを介して前記サブアセンブリの１つ以上の電気的特性を測定するように構成されている、
   請求項１に記載の装置。
3. 前記計測ユニットは、前記サブアセンブリの近傍の前記チャンバの中のイオン濃度を感知するように構成されている化学センサを含み、
   前記計測ユニットは、前記イオン濃度に基づいて前記信号を生成するように構成されている、
   請求項１に記載の装置。
4. 前記信号は、前記バルク窒化アルミニウム基板の前記厚さを示すアナログ信号である、
   請求項１に記載の装置。
5. 前記信号は、前記バルク窒化アルミニウム基板が前記サブアセンブリの領域において除去されていることを示す、請求項１に記載の装置。