JP2013045015A - Display device and method of driving the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関し、特に、画素の発光時間に応じて表示輝度を制御するアクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法に関する。 The present invention relates to a display device and a driving method thereof, and more particularly to an active matrix display device that controls display luminance in accordance with a light emission time of a pixel and a driving method thereof.
表示装置の一つとして、有機材料を発光層に用いた有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を画素の構成要素とした表示パネルが、すでに商品化されている。有機EL素子を用いた表示装置としては、マトリクス状に配列された画素の各々に、例えば、TFT(Thin Film Transistor)などの点灯制御用素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置が知られている。 As one of display devices, a display panel using an organic EL (electroluminescence) element using an organic material for a light emitting layer as a pixel component has already been commercialized. As a display device using an organic EL element, an active matrix display device using a lighting control element such as a TFT (Thin Film Transistor) is known for each pixel arranged in a matrix.
アクティブマトリクス型表示装置では、階調表現方式として、アナログ駆動方式とデジタル駆動方式とが知られている。アナログ駆動方式は、TFTのゲート端子に接続されたコンデンサに、映像データに応じた電圧を保持させる。そして、1フレーム期間において、コンデンサに保持された電圧に応じた輝度で各画素の有機EL素子を発光させ続ける。このように、アナログ駆動方式では、映像データに応じてコンデンサに保持される電荷量を変化させ、各画素の有機EL素子の輝度を制御して階調を表現する。一方、デジタル駆動方式は、1フレーム期間を、それぞれ発光可能期間の異なる複数のサブフィールドに分割し、映像データに応じて、サブフィールドごとに各画素を発光させるか発光させないかを選択する。そして、1フィールド期間の発光時間の総和により、階調を表現する。 In an active matrix display device, an analog driving method and a digital driving method are known as gradation expression methods. In the analog drive method, a voltage corresponding to video data is held in a capacitor connected to the gate terminal of the TFT. Then, in one frame period, the organic EL element of each pixel continues to emit light with a luminance corresponding to the voltage held in the capacitor. As described above, in the analog driving method, the amount of electric charge held in the capacitor is changed according to the video data, and the luminance of the organic EL element of each pixel is controlled to express the gradation. On the other hand, in the digital driving method, one frame period is divided into a plurality of subfields having different light emission possible periods, and each pixel is selected to emit light or not to emit light for each subfield according to video data. The gradation is expressed by the sum of the light emission times in one field period.
図10は、特許文献1に記載された、デジタル駆動方式の表示パネルに配置された画素の回路図である。同図に記載の画素900において、映像信号に対応したデータドライバからのデータ信号が、表示パネルに配列されたデータ線914を介してデータ書き込み用トランジスタ901のソースに供給される。データ書き込み用トランジスタ901のゲートには、走査ドライバに接続された走査線913を介して走査信号が供給される。データ書き込み用トランジスタ901のドレインは、駆動トランジスタ902のゲートに接続されると共に、コンデンサ905の一方の端子に接続されている。また、駆動トランジスタ902のソースは、コンデンサ905の他方の端子に接続されると共に、電源線916を介して駆動電圧が供給される。駆動トランジスタ902のドレインは、有機EL素子904のアノード端子に接続され、有機EL素子904のカソード端子は、基準電位点に接続されている。さらに、消去用トランジスタ903のソース及びドレインが、コンデンサ905の各端部にそれぞれ接続されている。消去用トランジスタ903のゲートには、消去線915を介して消去ドライバより消去信号が供給される。
FIG. 10 is a circuit diagram of pixels arranged in a digital drive type display panel described in
上記構成は、一般的なアナログ駆動方式に対して、コンデンサ905の両端を接続する消去用トランジスタ903及び消去線915が設けられている点が異なる。消去線915に消去信号が印加されることにより、消去用トランジスタ903が短絡されてコンデンサ905に保持された電圧がキャンセルされる。コンデンサ905に電荷が蓄積されてから消去線915に電圧を印加されるまでの時間を、各サブフィールドで異ならせることにより、サブフィールドごとの発光可能期間を異ならせている。デジタル駆動方式では、点灯制御用素子に求められる機能がスイッチング機能のみであるため、点灯制御用素子での電力損失を低減することが可能となる。
The above configuration is different from the general analog driving method in that an
しかしながら、前述した特許文献1のデジタル駆動方式では、1画素ごとに、走査線及び消去線を配置する必要があるため、例えば、FHD(フル・ハイビジョン・ディスプレイ)や、SHD(4k2kディスプレイ)などの高精細ディスプレイにおいては、配線の設計が問題となる。すなわち、より高精細な画像を得るためには、配線幅を狭くする必要があり、そのため配線抵抗が大きくなってしまう。配線抵抗が大きくなると配線による損失が大きくなり、消費電力量も大きくなるといった課題が発生する。
However, since the digital drive method of
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、配線による損失を低減し、高精細化が可能な表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a display device capable of reducing loss due to wiring and achieving high definition and a driving method thereof.
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置は、行列状に配置された複数の画素と、2画素行ごとに配置された走査線と、画素列ごとに配置されたアドレス線とを備え、前記複数の画素のうち、一の前記走査線と一の前記アドレス線との交点に対応する2画素のうちの第1の画素は、前記走査線の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部と、前記第1スイッチ部が導通状態となることにより前記アドレス線及び前記走査線の電位に応じて定まる電圧を保持する第1コンデンサと、前記第1コンデンサに保持された電圧に応じて発光電流を流す第1スイッチトランジスタと、前記発光電流が流れることにより発光する第1発光素子とを備え、前記複数の画素のうち、前記交点に対応する2画素のうちの、前記第1の画素の属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素は、前記走査線の電位に応じて、前記第1スイッチ部とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部と、前記第2スイッチ部が導通状態となることにより前記アドレス線及び前記走査線の電位に応じて定まる電圧を保持する第2コンデンサと、前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて発光電流を流す第2スイッチトランジスタと、前記発光電流が流れることにより発光する第2発光素子とを備えることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a display device according to one embodiment of the present invention includes a plurality of pixels arranged in a matrix, a scanning line arranged every two pixel rows, and an address arranged every pixel column. A first pixel of two pixels corresponding to an intersection of one scanning line and one address line among the plurality of pixels is in a conductive state according to a potential of the scanning line The first switch unit, the first capacitor that holds the voltage determined according to the potential of the address line and the scanning line when the first switch unit becomes conductive, and the first capacitor A first switch transistor that causes a light-emitting current to flow according to a voltage; and a first light-emitting element that emits light when the light-emitting current flows, and of the plurality of pixels, of the two pixels corresponding to the intersection, First pixel genus A second pixel arranged in a pixel row different from the first pixel row includes a second switch portion that is in a conductive state exclusively with the first switch portion according to a potential of the scanning line; and the second switch A second capacitor that holds a voltage that is determined according to the potential of the address line and the scanning line when the unit is in a conductive state, and a second switch transistor that causes a light emission current to flow according to the voltage held in the second capacitor And a second light emitting element that emits light when the light emission current flows.
上記構成によれば、各画素への電圧書き込みのタイミングを制御するための走査線は、2画素行ごとに配置されればよく、配線数を削減することができる。よって、配線による損失を低減できる。また、高精細化も可能となる。 According to the above configuration, the scanning line for controlling the timing of voltage writing to each pixel only needs to be arranged for every two pixel rows, and the number of wirings can be reduced. Therefore, loss due to wiring can be reduced. Also, high definition can be achieved.
また、前記第1スイッチ部は、アノード電極が前記アドレス線に接続され、カソード電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続された第1のダイオード素子であり、前記第1コンデンサの他方の電極は前記走査線に接続され、前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記走査線に接続され、前記第1発光素子は、前記電源線と前記第1スイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に挿入されており、前記第2スイッチ部は、アノード電極が前記走査線に接続され、カソード電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続された第2のダイオード素子であり、前記第2コンデンサの他方の電極は、前記アドレス線に接続され、前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記アドレス線に接続され、前記第2発光素子は、前記電源線と前記第2スイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に挿入されていてもよい。 The first switch unit is a first diode element having an anode electrode connected to the address line and a cathode electrode connected to one electrode of the first capacitor, and the other electrode of the first capacitor. Is connected to the scanning line, the gate electrode of the first switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to a power supply line, the source electrode is connected to the scanning line, The one light emitting element is inserted in series between the power line and the drain electrode of the first switch transistor, and the second switch unit includes an anode electrode connected to the scan line and a cathode electrode connected to the first electrode. A second diode element connected to one electrode of two capacitors, and the other electrode of the second capacitor is connected to the address line; The gate electrode of the two switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor, the drain electrode is connected to the power line, the source electrode is connected to the address line, and the second light emitting element is connected to the power line and the power line. It may be inserted in series between the drain electrode of the second switch transistor.
また、さらに、前記走査線及び前記アドレス線の電位を制御する駆動部を備え、前記駆動部は、前記走査線の電位を低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記低電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第1のダイオードを導通状態にして前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、前記走査線の電位を高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記高電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い電位であるアドレス線低電位とすることにより、前記第2のダイオードを導通状態にして前記第2コンデンサに前記電圧を保持させ、前記走査線を前記低電位とし、前記アドレス線を前記アドレス線低電位とすることにより、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて前記第1スイッチトランジスタ及び前記第2スイッチトランジスタを導通状態にして前記第1発光素子及び前記第2発光素子を発光させることが好ましい。 The driving unit further controls a potential of the scanning line and the address line, the driving unit sets the scanning line potential to a low potential, sets the scanning lines other than the scanning line to a high impedance state, and By setting the potential of the address line to a high potential higher than the threshold voltage of the first switch transistor with respect to the low potential, the first diode is made conductive and the voltage is held in the first capacitor. The scanning line potential is set to a high potential, scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, and the potential of the address line is lower than the threshold voltage of the second switch transistor with respect to the high potential. By setting the address line as a low potential, the second diode is made conductive, the voltage is held in the second capacitor, and the scanning line is turned on. The first switch transistor and the second switch transistor are turned on according to the voltage held in the first capacitor and the second capacitor by setting the address line to a low potential and setting the address line to the address line low potential. It is preferable that the first light emitting element and the second light emitting element emit light.
これにより、走査線の電位を低電位としアドレス線の電位を高電位とすることにより、第1の画素への電圧書き込みが実行され、走査線の電位を高電位としアドレス線の電位を低電位とすることにより、第2の画素への電圧書き込みが実行される。 Accordingly, by setting the scanning line potential to a low potential and the address line potential to be a high potential, voltage writing to the first pixel is performed, and the scanning line potential is set to a high potential and the address line potential is set to a low potential. As a result, voltage writing to the second pixel is executed.
また、さらに、前記第1コンデンサ及び第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備え、前記第1画素は、さらに、アノード電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第3のダイオード素子を備え、前記第2画素は、さらに、アノード電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第4のダイオード素子を備えてもよい。 The first pixel further includes an erasing line for erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor, and the first pixel further has an anode electrode connected to one electrode of the first capacitor, The second pixel further includes a third diode element having a cathode electrode connected to the erasing line, the anode electrode being connected to one electrode of the second capacitor, and the cathode electrode being connected to the erasing line. Further, a fourth diode element may be provided.
また、前記駆動部は、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに電圧を保持させる場合には、前記消去線の電位を高電位とし、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する場合には、前記消去線の電位を、前記走査線に印加される低電位及び前記アドレス線に印加される低電位以下の低電位としてもよい。 In addition, when the driving unit causes the first capacitor and the second capacitor to hold a voltage, the potential of the erasing line is set to a high potential, and the voltage held in the first capacitor and the second capacitor is set. In the case of erasing, the potential of the erasing line may be a low potential applied to the scanning line and a low potential not more than a low potential applied to the address line.
これにより、全ての画素に対し、一斉にリセット動作を実行できるので、サブフィールドごとの発光可能期間を制御できる。よって、デジタル駆動方式による表示動作が可能となる。 Thereby, the reset operation can be executed for all the pixels at the same time, so that the light emission possible period for each subfield can be controlled. Therefore, a display operation by a digital driving method is possible.
また、前記第1スイッチ部は、ゲート電極が前記走査線に接続され、ソース電極が第1電源線に接続された第3スイッチトランジスタと、ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第3スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第4スイッチトランジスタとを備え、前記第2スイッチ部は、ゲート電極が所定のバイアス電位を有するバイアス端子に接続され、ソース電極が前記走査線に接続された第5スイッチトランジスタと、ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第5スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第6スイッチトランジスタとを備え、前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は第2電源線に接続され、ソース電極は前記第1コンデンサの他方の電極に接続され、前記第1発光素子は、アノード電極が前記第1スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されており、前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は前記第2電源線に接続され、ソース電極は前記第2コンデンサの他方の電極に接続され、前記第2発光素子は、アノード電極が前記第2スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されていてもよい。 The first switch unit includes a third switch transistor having a gate electrode connected to the scan line, a source electrode connected to the first power supply line, a gate electrode connected to the address line, and a source electrode connected to the address line. A fourth switch transistor connected to one electrode of the first capacitor and having a drain electrode connected to the drain electrode of the third switch transistor; and the gate electrode of the second switch section has a predetermined bias potential A fifth switch transistor connected to a bias terminal, a source electrode connected to the scan line, a gate electrode connected to the address line, a source electrode connected to one electrode of the second capacitor, and a drain electrode A sixth switch transistor connected to a drain electrode of the fifth switch transistor; The gate electrode of the switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to the second power supply line, the source electrode is connected to the other electrode of the first capacitor, and the first light emitting element is The anode electrode is connected to the source electrode of the first switch transistor, the cathode electrode is grounded, the gate electrode of the second switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor, and the drain electrode is connected to the first electrode. Two power lines, a source electrode is connected to the other electrode of the second capacitor, and the second light emitting element has an anode electrode connected to the source electrode of the second switch transistor and a cathode electrode grounded. May be.
また、さらに、前記走査線及び前記アドレス線の電位を制御する駆動部を備え、前記駆動部は、前記走査線の電位を、前記第1電源線の電源電位に対して前記第3スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い走査線低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第3スイッチトランジスタ及び前記第4スイッチトランジスタを導通状態にして、前記第1電源線から前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、前記走査線の電位を、前記バイアス電位に対して前記第5スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第5スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを導通状態にして前記走査線から前記第2コンデンサに前記電圧を保持させることが好ましい。 The driving unit further controls a potential of the scanning line and the address line, and the driving unit sets the potential of the scanning line to the power supply potential of the first power supply line. The scanning line has a low potential lower than the threshold voltage, the scanning lines other than the scanning line are in a high impedance state, and the potential of the address line is higher than the threshold voltage of the first switch transistor with respect to the ground potential. By making the potential, the third switch transistor and the fourth switch transistor are turned on, the voltage is held from the first power supply line to the first capacitor, and the potential of the scanning line is changed to the bias potential. In contrast, the potential is higher than the threshold voltage of the fifth switch transistor, and the scanning lines other than the scanning line are in a high impedance state, The potential of the address line is set to a high potential higher than the threshold voltage of the second switch transistor with respect to the ground potential, thereby bringing the fifth switch transistor and the sixth switch transistor into a conductive state and the scanning line. It is preferable that the second capacitor holds the voltage.
これにより、各画素への電圧書き込みのタイミングを制御するための走査線は、2画素行ごとに配置されればよく、さらに、消去線が不要であるので、配線数を削減することができる。よって、配線による損失を低減できる。また、高精細化も可能となる。さらに、スイッチ部を、ダイオードを使用せずにTFTで構成しているので、製造工程が簡略化できる。 As a result, the scanning lines for controlling the timing of voltage writing to each pixel need only be arranged for every two pixel rows, and further, the number of wirings can be reduced because no erasing line is required. Therefore, loss due to wiring can be reduced. Also, high definition can be achieved. Furthermore, since the switch part is composed of TFTs without using a diode, the manufacturing process can be simplified.
また、さらに、前記第1コンデンサの一方の電極及び第2コンデンサの一方の電極に接続され、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備えてもよい。 Further, an erasing line connected to one electrode of the first capacitor and one electrode of the second capacitor for erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor may be provided. .
また、前記駆動部は、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する場合には、前記アドレス線の電位を、前記第4スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第4スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低く、かつ、前記第6スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第6スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低くすることにより前記第4スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを非導通とした状態で、前記消去線の電位を、前記アドレス線に印加される前記低電位以下の低電位としてもよい。 When the driving unit erases the voltage held in the first capacitor and the second capacitor, the driving unit sets the potential of the address line to the source potential of the fourth switch transistor. By lowering the threshold voltage of the sixth switch transistor than the threshold voltage of the sixth switch transistor, the fourth switch transistor and the sixth switch transistor are made non-conductive. In the conductive state, the potential of the erase line may be a low potential that is lower than the low potential applied to the address line.
これにより、全ての画素に対し、一斉にリセット動作を実行できるので、サブフィールドごとの発光可能期間を制御できる。よって、デジタル駆動方式による表示動作が可能となる。 Thereby, the reset operation can be executed for all the pixels at the same time, so that the light emission possible period for each subfield can be controlled. Therefore, a display operation by a digital driving method is possible.
また、前記第1発光素子及び前記第2発光素子は、有機EL素子であってもよい。 The first light emitting element and the second light emitting element may be organic EL elements.
また、前記第1発光素子及び前記第2発光素子は、無機EL素子であってもよい。 The first light emitting element and the second light emitting element may be inorganic EL elements.
また、本発明は、このような特徴的な手段を備える表示装置として実現することができるだけでなく、表示装置に含まれる特徴的な手段をステップとする表示装置の駆動方法として実現することができる。 Further, the present invention can be realized not only as a display device having such characteristic means, but also as a display device driving method using the characteristic means included in the display device as a step. .
本発明の表示装置及びその駆動方法によれば、配線数を削減することができるため、配線による損失を低減できる。また、高精細化も可能となる。 According to the display device and the driving method thereof of the present invention, since the number of wirings can be reduced, loss due to wirings can be reduced. Also, high definition can be achieved.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
<表示装置の構成>
図1は、本発明の実施の形態1に係る表示装置の機能ブロック図である。同図に記載された表示装置1は、サブフィールド処理回路2と、走査線制御回路5と、消去線制御回路6と、データ線制御回路7と、画素部10とを備える。
(Embodiment 1)
<Configuration of display device>
FIG. 1 is a functional block diagram of a display device according to
サブフィールド処理回路2は、入力された映像信号に応じて、画素部10の画素ごとに発光させるサブフィールドを割り当て、走査線制御回路5、消去線制御回路6及びデータ線制御回路7に制御信号を出力する。
The
走査線制御回路5は画素部10に走査電圧を印加し、データ線制御回路7は画素部10にアドレス電圧を印加し、消去線制御回路6は画素部10に消去電圧を印加する。以下、上述した表示装置1の構成要素について詳細に説明する。走査線制御回路5、データ線制御回路7及び消去線制御回路6は、それぞれ、走査線、アドレス線及び消去線の電位を制御する駆動部である。
The scanning
図2は、本発明の実施の形態1に係る表示装置が有する画素部の回路構成図である。画素部10は、ディスプレイの解像度(m×n)に応じたマトリクス状に配置された複数の画素が配置された表示部であるが、図2には、画素部10の一部である、隣接する4画素が記載されている。図2に記載された画素部10は、隣接する4つの画素11A、12A、21A及び22Aと、画素列ごとに配置されたアドレス線71及び72と、2画素行ごとに配置された走査線51と、各画素に対応して格子状に配置された電源線81及び消去線61とを備える。
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a pixel portion included in the display device according to
画素11Aは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線71との交点に対応する2画素のうちの第1の画素であり、画素12Aは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線72との交点に対応する2画素のうちの第1の画素である。また、画素21Aは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線71との交点に対応する2画素のうちの、画素11Aの属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素であり、画素22Aは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線72との交点に対応する2画素のうちの、画素12Aの属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素である。
The pixel 11A is the first pixel of the two pixels corresponding to the intersection of the
また、画素部10が有する複数の画素は、全て同じ回路素子を有しており、例えば、図2に記載された画素11Aは、有機EL素子111と、ダイオード112及び113と、TFTスイッチ114と、コンデンサ115と、定電流源116とを備える。
The plurality of pixels included in the
ここで、画素11A〜22Aの各構成要素及びそれらの接続関係を説明する。 Here, each component of the pixels 11A to 22A and their connection relationship will be described.
まず、画素11A〜22Aに共通した接続関係を、画素11Aを例にして説明する。有機EL素子111のアノード電極は、定電流源116を介して電源線81に接続され、カソード電極は、TFTスイッチ114のドレイン電極に接続されている。TFTスイッチ114のゲート電極は、ダイオード112のカソード電極、ダイオード113のアノード電極、及びコンデンサ115の一方の電極に接続されている。ダイオード113のカソード電極は、消去線61に接続されている。
First, a connection relationship common to the pixels 11A to 22A will be described using the pixel 11A as an example. The anode electrode of the
さらに、同一画素行に配置された画素11A及び12Aでは、TFTスイッチ114及び314のソース電極は走査線51に接続されている。一方、同一画素行に配置された画素21A及び22Aでは、TFTスイッチ214及び414のソース電極は、それぞれ、アドレス線71及び72に接続されている。
Further, the source electrodes of the TFT switches 114 and 314 are connected to the
また、画素11Aにおいては、アドレス線71は、ダイオード112のアノード電極に接続され、画素21Aにおいては、コンデンサ215の他方の電極に接続されている。
In the pixel 11A, the address line 71 is connected to the anode electrode of the
また、画素12Aにおいては、アドレス線72は、ダイオード312のアノード電極に接続され、画素22Aにおいては、コンデンサ415の他方の電極に接続されている。
In the
次に、画素11A〜22Aの各構成要素を説明する。 Next, each component of the pixels 11A to 22A will be described.
有機EL素子111、211、311及び411は、電流駆動型の発光素子である。有機EL素子111及び311は、それぞれ、TFTスイッチ114及び314が導通状態となることにより発光する第1発光素子である。また、有機EL素子211及び411は、それぞれ、TFTスイッチ214及び414が導通状態となることにより発光する第2発光素子である。具体的には、有機EL素子111及び311は、それぞれ、電源線81とTFTスイッチ114及び314のドレイン電極との間に直列に挿入されている。また、有機EL素子211及び411は、それぞれ、電源線81とTFTスイッチ214及び414のドレイン電極との間に直列に挿入されている。
The
TFTスイッチ114、214、314及び414は、例えば、n型のMOSFETであり、ゲート−ソース間電圧が閾値電圧より大きい場合にドレイン−ソース間を導通状態とするスイッチ素子である。TFTスイッチ114及び314は、それぞれ、コンデンサ115及び315に保持された電圧に応じて導通状態となる第1スイッチトランジスタである。また、TFTスイッチ214及び414は、それぞれ、コンデンサ215及び415に保持された電圧に応じて導通状態となる第2スイッチトランジスタである。
The TFT switches 114, 214, 314, and 414 are, for example, n-type MOSFETs, and are switch elements that make the drain-source conductive when the gate-source voltage is larger than the threshold voltage. The TFT switches 114 and 314 are first switch transistors that are turned on according to the voltages held in the
コンデンサ115、215、315及び415は、アドレス線と走査線との電位差に対応した電荷を、ダイオード112、212、312及び412を介して充電し、また、消去線61に消去電圧が印加された場合に、上記充電された電荷を、ダイオード113、213、313及び413を介して放電する。コンデンサ115及び315は、それぞれ、ダイオード112及び312が導通状態となることにより、アドレス線71及び72ならびに走査線51の電位に応じて定まる電圧を保持する第1コンデンサである。また、コンデンサ215及び415は、それぞれ、ダイオード212及び412が導通状態となることにより、アドレス線71及び72の電位ならびに走査線51の電位に応じて定まる電圧を保持する第2コンデンサである。
The
ダイオード112は、走査線51の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部であり、アノード電極がアドレス線71に接続され、カソード電極がコンデンサ115の一方の電極に接続された第1のダイオード素子である。ダイオード312は、走査線51の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部であり、アノード電極がアドレス線72に接続され、カソード電極がコンデンサ315の一方の電極に接続された第1のダイオード素子である。
The
ダイオード212は、走査線51の電位に応じて、ダイオード112とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部であり、アノード電極が走査線51に接続され、カソード電極がコンデンサ215の一方の電極に接続された第2のダイオード素子である。ダイオード412は、走査線51の電位に応じて、ダイオード312とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部であり、アノード電極が走査線51に接続され、カソード電極がコンデンサ415の一方の電極に接続された第2のダイオード素子である。
The
ダイオード113は、アノード電極がコンデンサ115の一方の電極に接続され、カソード電極が消去線61に接続された第3のダイオード素子であり、ダイオード313は、アノード電極がコンデンサ315の一方の電極に接続され、カソード電極が消去線61に接続された第3のダイオード素子である。
The
ダイオード213は、アノード電極がコンデンサ215の一方の電極に接続され、カソード電極が消去線61に接続された第4のダイオード素子であり、ダイオード413は、アノード電極がコンデンサ415の一方の電極に接続され、カソード電極が消去線61に接続された第4のダイオード素子である。
The
消去線61は、消去電圧が印加されることにより、コンデンサ115、215、315及び415に蓄積された電荷を放電する。言い換えると、消去線61は、コンデンサ115、215、315及び415に保持された電圧を消去するための制御線である。
The erase line 61 discharges the charges accumulated in the
なお、本実施の形態では、全ての画素に対し、一定の電源電圧が電源線81を介して印加される。また、消去電圧は、全ての画素に対し、消去線61を介して同じタイミングで印加される。よって、消去線61及び電源線81は、それぞれ、全画素にわたり共通線となっていてもよい。これにより、消去線制御回路6の駆動負荷が低減される。
In this embodiment, a constant power supply voltage is applied to all the pixels through the power supply line 81. The erase voltage is applied to all the pixels through the erase line 61 at the same timing. Therefore, the erase line 61 and the power supply line 81 may each be a common line across all pixels. Thereby, the driving load of the erase
上記接続関係及び構成要素により、アドレス線71及び72の電位が走査線51の電位に対してTFTスイッチ114及び314の閾値電圧分よりも高い場合、コンデンサ115及び315には、それぞれ、アドレス線71及び72と走査線51との電位差に対応する電圧が保持される。また、アドレス線71及び72の電位が走査線51の電位に対してTFTスイッチ214及び414の閾値電圧分よりも低い場合、コンデンサ215及び415には、走査線51とアドレス線71及び72との電位差に対応する電圧が保持される。このように、アドレス線の電位と走査線の電位とが、排他的に制御されることにより、奇数画素行への電圧書き込みの後、偶数画素行への電圧書き込みが実行される。上記書き込みが完了した後、走査線51を所定の電位(例えば、GND電位)に設定することにより、TFTスイッチの閾値電圧以上の電圧がコンデンサに保持されている画素の有機EL素子が一斉発光する。
When the potentials of the address lines 71 and 72 are higher than the threshold voltage of the TFT switches 114 and 314 with respect to the potential of the
上記構成によれば、電圧書き込みのタイミングを制御するための走査線は、2画素行ごとに配置されればよく、配線数を削減することができる。よって、配線による損失を低減できる。また、高精細化も可能となる。 According to the above configuration, the scanning lines for controlling the timing of voltage writing need only be arranged for every two pixel rows, and the number of wirings can be reduced. Therefore, loss due to wiring can be reduced. Also, high definition can be achieved.
次に、走査線制御回路5について説明する。走査線制御回路5は、サブフィールド処理回路2からの制御信号により、書き込み期間において発光画素行を選択するための走査信号を、走査線を介して画素部に出力する。
Next, the scanning
図3は、本発明の実施の形態1に係る表示装置が有する走査線制御回路の内部回路図である。走査線制御回路5は、出力ラインである走査線51〜5kに、それぞれ高電位パルスVscnまたは低電位パルスVGNDを供給するための2つのFETスイッチをライン毎に配置した回路構成となっている。画素行数がnである場合には、走査線制御回路5は、n/2本の走査線51〜5kを介して画素部10に接続されている。各走査線には、走査線制御回路5の信号に応じて、任意の順序で2画素行毎に走査線51〜5kに高電位パルスVscnまたは低電位パルスVGNDを供給することが可能である。高電位パルスまたは低電位パルスを印加するタイミングについては、後述する。
FIG. 3 is an internal circuit diagram of the scanning line control circuit included in the display device according to
図3に記載された回路において、例えば、走査線51に低電位パルスVGNDを印加する場合には、走査線制御回路5は、FET514をON状態とし、FET513をOFF状態とする。また、走査線51に高電位パルスVscnを印加する場合には、走査線制御回路5は、FET513をON状態とし、FET514をOFF状態とする。また、FET513及びFET514をともにOFF状態とした場合には、走査線51はハイインピーダンス状態となり、電流径路を構成しない。すなわち、走査線制御回路5は、走査線ごとに配置された2つのFETのON状態及びOFF状態を選択することにより、走査線を、低電位パルスVGND状態、高電位パルスVscn状態、及びハイインピーダンス状態の3形態のうちいずれかの形態とすることが可能である。
In the circuit shown in FIG. 3, for example, when the low potential pulse V GND is applied to the
次に、消去線制御回路6について説明する。消去線制御回路6は、サブフィールド処理回路2からの制御信号により、コンデンサ115、215、315及び415に保持された、信号電圧を消去するための消去電圧を、消去線を介してダイオード113、213、313及び413のカソード電極に出力する。
Next, the erase
消去線制御回路6は、消去線61に対し、走査線に印加される低電位パルス及びアドレス線に印加される低電位パルス以下の低電位、例えば、GND電位を消去電圧として供給する。これにより、信号電圧が保持されているコンデンサ115、215、315及び415の一方の電極から消去線61へ向かって順方向電流が流れ、コンデンサ115、215、315及び415がリセットされる。また、リセットしない場合には、消去線制御回路6は、消去線61に対し、例えば、走査線に印加される高電位パルスまたはアドレス線に印加される高電位パルス信号電圧よりも大きい正電圧を供給する。消去電圧パルスを印加するタイミングについては、後述する。
The erase
次に、データ線制御回路7について説明する。
Next, the data
図4は、本発明の表示装置が有するデータ線制御回路の内部回路図である。データ線制御回路7は、サブフィールド処理回路2からの制御信号により、書き込み期間において走査線制御回路5から出力される走査信号に同期して、TFTスイッチ114、214、314及び414の導通及び非導通を切り換えるためのアドレス電圧を、アドレス線71または72を介して、各画素に出力する。また、図4に示されるように、データ線制御回路7は、R画素、G画素、B画素に応じて、異なるアドレス電圧をアドレス線71または72を介して各画素に供給してもよい。例えば、画素11A及び画素21AがR画素である場合、データ線制御回路7は、画素11Aに対して、走査線51が低電位パルスVGND状態であるときに、スイッチSW3ARを導通させることによりアドレス電圧(VR)をアドレス線71に供給する。また、走査線51が高電位パルスVscn状態であるときに、スイッチSW3BRを導通させることによりアドレス電圧(−VR)をアドレス線71に供給する。アドレス電圧を印加するタイミングについては、後述する。また、データ線制御回路7は、画素部10の解像度に応じた画素列数m本のアドレス線を同時に制御可能とするためのメモリ機能を有している。
FIG. 4 is an internal circuit diagram of a data line control circuit included in the display device of the present invention. In response to the control signal from the
<表示装置の動作>
以下、図2、図5及び図6A〜図6Dを用いて、表示装置1の動作について述べる。図5は、本発明の実施の形態1に係る表示装置の駆動タイミングチャートである。同図には、図2における画素11A及び12Aを3行目の画素行に属する画素、また、画素21A及び22Aを4行目の画素行に属する画素と仮定し、これら4画素を、所定のサブフィールド期間において、全て発光させた場合を例示している。
<Operation of display device>
Hereinafter, the operation of the
[リセット動作]
まず、時刻t01〜時刻t02において、消去線制御回路6は、消去線61に対し消去電圧を供給し、全ての画素が有するコンデンサをリセットする。消去線制御回路6は、消去線61に対し、例えば、GND電位を消去電圧として供給する。これにより、信号電圧が保持されているコンデンサ115、215、315及び415の一方の電極から消去線61へ向かってダイオード113、213、313及び413に順方向電流が流れ、コンデンサ115、215、315及び415がリセットされる。
[Reset operation]
First, from time t01 to time t02, the erase
図6Aは、実施の形態1に係る画素のリセット動作を説明する状態遷移図である。すなわち、消去線61にLOW電位が印加された場合、図6Aに示されるように、コンデンサ115、215、315及び415→ダイオード113、213、313及び413→消去線61の順に放電電流が流れ、コンデンサ115、215、315及び415に保持された電圧が消去される。
FIG. 6A is a state transition diagram illustrating a reset operation of the pixel according to the first embodiment. That is, when a LOW potential is applied to the erasing line 61, as shown in FIG. 6A, a discharge current flows in the order of
上記時刻t01〜時刻t02における消去線制御回路6の動作は、書き込み動作の前に、消去線61の電位を、走査線51に印加される低電位及びアドレス線71及び72に印加される低電位以下の低電位とすることにより、コンデンサ115及びコンデンサ315に保持された電圧を消去する消去ステップに相当する。
In the operation of the erase
[書き込み動作]
時刻t03において、走査線制御回路5は、n型のFET514のゲート電位をLOW電位としてOFF状態とし、またp型のFET513のゲート電位が既にHIGH電位でありOFF状態であることから、走査線51は、ハイインピーダンス状態となる。これにより、画素が有するコンデンサへ信号を書き込むための準備が完了する。
[Write operation]
At time t03, the scanning
次に、奇数画素行への書き込み動作が、奇数行順次に実行される。 Next, the write operation to the odd-numbered pixel rows is executed sequentially in the odd-numbered rows.
例えば、時刻t04〜時刻t05において、走査線制御回路5は、3行目に属する画素への電圧書き込みを実行すべく、FET514のゲート電位をHIGH電位としてON状態とし、走査線51の電位をLOW(GND)電位とする。一方、データ線制御回路7は、走査線制御回路5の上記動作と同期して、3行目の画素に対応するHIGH電位、つまり、走査線51の電位に対してTFTスイッチ114及び314の閾値電圧分よりも高い高電位を、アドレス線71及び72に供給する。
For example, from time t04 to time t05, the scanning
これにより、コンデンサ115の一方の電極及び315の一方の電極には、それぞれ、アドレス線71及び72のHIGH電位が、導通状態となったダイオード112及び312を介して印加され、また、コンデンサ115及び315の他方の電極には、走査線51のLOW(GND)電位が印加されることから、コンデンサ115及び315には、アドレス線71及び72のHIGH電位に対応した電圧が保持される。つまり、画素11A及び21Aへの書き込み動作が実行される。
As a result, the HIGH potential of the address lines 71 and 72 is applied to one electrode of the
図6Bは、実施の形態1に係る奇数行画素の書き込み動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51にLOW電位が印加され、アドレス線71及び71にHIGH電位が印加された場合、図6Bに示されるように、アドレス線71及び72→ダイオード112及び312→コンデンサ115及び315の順に充電電流が流れ、コンデンサ115及び315に電圧が保持される。
FIG. 6B is a state transition diagram illustrating the write operation of the odd-numbered row pixels according to the first embodiment. That is, when a LOW potential is applied to the
上記時刻t04〜時刻t05における走査線制御回路5及びデータ線制御回路7の動作は、走査線51の電位を低電位とし、走査線51以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、アドレス線71及び72の電位を、走査線51の低電位に対してTFTスイッチ114及び314の閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、ダイオード112及び312を導通状態にしてコンデンサ115及び315に電圧を保持させる第1電圧保持ステップに相当する。
The operations of the scanning
時刻t05以降、上述した3行目の画素行における書き込み動作と同様に、奇数画素行への書き込み動作を奇数行順次に実行する。なお、この間、書き込み動作中でない画素行の走査線は、ハイインピーダンス状態に設定されている。従って、書き込みが完了した画素であっても、FETのソース電位が確定しないため、当該奇数画素行への書き込み期間中には、有機EL素子は発光動作を開始しない。 After time t05, the writing operation to the odd-numbered pixel row is sequentially executed in the odd-numbered row, similarly to the writing operation in the third pixel row described above. During this period, the scanning lines of the pixel rows that are not in the writing operation are set to the high impedance state. Therefore, even in a pixel for which writing has been completed, since the source potential of the FET is not fixed, the organic EL element does not start a light emitting operation during the writing period to the odd pixel row.
次に、奇数画素行への書き込み動作が終了すると、偶数画素行への書き込み動作が実行される。 Next, when the write operation to the odd pixel row is completed, the write operation to the even pixel row is executed.
例えば、時刻t06〜時刻t07において、走査線制御回路5は、4行目に属する画素への信号電圧書き込みを実行すべく、FET513のゲート電位をLOW電位としてON状態とし、走査線51の電位をHIGH(Vscn)電位とする。一方、データ線制御回路7は、走査線制御回路5の上記動作と同期して、4行目の画素に対応するLOW(GND)電位、つまり、走査線51のHIGH電位に対してTFTスイッチ214及び414の閾値電圧分よりも低い低電位を、アドレス線71及び72に供給する。
For example, from time t06 to time t07, the scanning
これにより、コンデンサ215の一方の電極及び415の一方の電極には、それぞれ、走査線51のHIGH(Vscn)電位が、導通状態となったダイオード212及び412を介して印加され、また、コンデンサ215及び415の他方の電極には、アドレス線71及び72のLOW(GND)電位が印加されることから、コンデンサ215及び415には、走査線のHIGH電位に対応した電圧が保持される。つまり、画素11A及び21Aへの書き込み動作が実行される。
Accordingly, the HIGH (Vscn) potential of the
図6Cは、実施の形態1に係る偶数行画素の書き込み動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51にHIGH電位が印加され、アドレス線71及び71にLOW電位が印加された場合、図6Cに示されるように、走査線51→ダイオード212及び412→コンデンサ215及び415の順に充電電流が流れ、コンデンサ215及び415に電圧が保持される。
FIG. 6C is a state transition diagram illustrating the write operation of even-numbered rows pixels according to the first embodiment. That is, when a HIGH potential is applied to the
上記時刻t06〜時刻t07における走査線制御回路5及びデータ線制御回路7の動作は、走査線51の電位を高電位とし、走査線51以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、アドレス線71及び72の電位を、走査線51の高電位に対してTFTスイッチ214及び414の閾値電圧分よりも低い低電位とすることにより、ダイオード212及び412を導通状態にしてコンデンサ215及び415に電圧を保持させる第2電圧保持ステップに相当する。
The operation of the scanning
時刻t07以降、上述した4行目の画素行における書き込み動作と同様に、偶数画素行への書き込み動作を偶数行順次に実行する。なお、この間、書き込み動作中でない画素行の走査線は、ハイインピーダンス状態に設定されている。従って、書き込みが完了した画素であっても、TFTスイッチのゲート電位が確定しないため、当該偶数画素行への書き込み期間中には、有機EL素子は発光動作を開始しない。 After time t07, the writing operation to the even-numbered pixel rows is sequentially performed in the same manner as the writing operation in the fourth pixel row described above. During this period, the scanning lines of the pixel rows that are not in the writing operation are set to the high impedance state. Accordingly, the gate potential of the TFT switch is not fixed even in a pixel for which writing has been completed, and thus the organic EL element does not start a light emitting operation during the writing period to the even pixel row.
なお、奇数行への書き込み時に印加されるアドレス線71及び72のHIGH電位とGND電位との電位差、及び、偶数行への書き込み時に印加される走査線のHIGH電位(Vscn)とGND電位との電位差は、TFTスイッチの閾値電圧よりも大きいことが条件である。 Note that the potential difference between the HIGH potential and the GND potential of the address lines 71 and 72 applied when writing to the odd-numbered rows, and the HIGH potential (Vscn) and the GND potential of the scanning lines applied when writing to the even-numbered rows. The condition is that the potential difference is larger than the threshold voltage of the TFT switch.
[発光動作]
次に、時刻t08において、走査線制御回路5は、全画素を一斉に発光させるべく、FET514のゲート電位をHIGH電位としてON状態とし、走査線51の電位をLOW(GND)電位とする。同様にして、他の走査線の電位もLOW電位とする。また、全てのアドレス線をLOW電位とする。
[Light emission operation]
Next, at time t08, the scanning
これにより、奇数画素行の画素が有するTFTスイッチのソース電位、及び、偶数画素行の画素が有するTFTスイッチのゲート電位が確定し、閾値電圧以上の電圧が保持されているコンデンサを有する画素のTFTスイッチはオン状態となる。よって、奇数画素行においては、電源線81→定電流源→有機EL素子→オン状態のTFTスイッチ→LOW電位である走査線という経路で発光電流が流れる。また、偶数画素行においては、電源線81→定電流源→有機EL素子→オン状態のTFTスイッチ→LOW電位であるアドレス線という経路で発光電流が流れる。 Thereby, the source potential of the TFT switch included in the pixels of the odd pixel row and the gate potential of the TFT switch included in the pixels of the even pixel row are determined, and the TFT of the pixel having a capacitor holding a voltage higher than the threshold voltage. The switch is turned on. Therefore, in the odd-numbered pixel row, the light emission current flows through a path of the power supply line 81 → the constant current source → the organic EL element → the on-state TFT switch → the scanning line having the LOW potential. In the even-numbered pixel row, the light emission current flows through a path of the power supply line 81 → the constant current source → the organic EL element → the on-state TFT switch → the address line having the LOW potential.
図6Dは、実施の形態1に係る画素の発光動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51、アドレス線71及び72にLOW電位が印加された場合、図6Dに示されるように、電源線81→定電流源116、216、316及び416→有機EL素子111、211、311及び411→TFTスイッチ114、214、314及び414→走査線51またはアドレス線71及び72の順に発光電流が流れ、有機EL素子111、211、311及び411が一斉発光する。
FIG. 6D is a state transition diagram illustrating the light emitting operation of the pixel according to
上記時刻t08〜時刻t09における走査線制御回路5及びデータ線制御回路7の動作は、上記書き込み動作の後、走査線51及びアドレス線71及び72を低電位とすることにより、コンデンサ115、215、315及び415に保持された電圧に応じてTFTスイッチ114、214、314及び414を導通状態にして有機EL素子111、211、311及び411を一斉発光させる発光ステップに相当する。
The operations of the scanning
上述した時刻t01〜時刻t09におけるリセット期間、書き込み動作及び発光動作の期間は、サブフィールド期間であり、デジタル階調制御は、上記サブフィールド期間を複数繰り返すことにより実行される。すなわち、例えば、第1サブフィールドの発光期間を1μ秒、第2サブフィールドの発光期間を2μ秒、第3サブフィールドの発光期間を4μ秒、第4サブフィールドの発光期間を8μ秒、・・・、第9サブフィールドの発光期間を256μ秒とし、第1〜9サブフィールドを組み合わせることにより、階調表示を行う。具体的には、以下の通りである。0階調は、すべてのサブフィールドにおいて発光させない。1階調は第1サブフィールド(1μ秒)のみ発光させる。2階調は第2サブフィールド(2μ秒)のみ発光させる。3階調は(第1+第2)サブフィールド(1μ秒+2μ秒=3μ秒)を発光させる。4階調は第3サブフィールド(4μ秒)のみ発光させる。5階調は(第1+第3)サブフィールド(1μ秒+4μ秒=5μ秒)を発光させる。6階調は(第2+第3)サブフィールド(2μ秒+4μ秒=6μ秒)を発光させる。7階調は(第1+第2+第3)サブフィールド(1μ秒+2μ秒+4μ秒=7μ秒)を発光させる。8階調は第4サブフィールド(8μ秒)のみ発光させる。このようにして、各0〜511階調を表示する。 The reset period, the write operation, and the light emission operation period from time t01 to time t09 described above are subfield periods, and digital gradation control is performed by repeating the subfield period a plurality of times. That is, for example, the light emission period of the first subfield is 1 μs, the light emission period of the second subfield is 2 μs, the light emission period of the third subfield is 4 μs, the light emission period of the fourth subfield is 8 μs, The gradation display is performed by combining the first to ninth subfields with a light emission period of the ninth subfield of 256 μsec. Specifically, it is as follows. In the case of 0 gradation, no light is emitted in all subfields. In one gradation, light is emitted only in the first subfield (1 μsec). In the second gradation, light is emitted only in the second subfield (2 μsec). For the 3 gradations, the (first + second) subfield (1 μsec + 2 μsec = 3 μsec) is emitted. In the 4 gradations, only the third subfield (4 μs) is emitted. For the 5 gradations, the (first + third) subfield (1 μsec + 4 μsec = 5 μsec) is emitted. Six gradations cause (second + third) subfields (2 μs + 4 μs = 6 μs) to emit light. Seven gradations emit (first + second + third) subfields (1 μsec + 2 μsec + 4 μsec = 7 μsec). Eight gradations emit light only in the fourth subfield (8 μsec). In this way, 0 to 511 gradations are displayed.
上記サブフィールド期間を組み合わせた階調表示を、1フレームの間に実行して画像を作り出す。なお、奇数画素行及び偶数画素行の書き込み順序は、逆でも構わない。 The gradation display combining the subfield periods is executed during one frame to create an image. Note that the writing order of the odd pixel rows and the even pixel rows may be reversed.
以上のように、本発明の表示装置の駆動方法によれば、1本の走査線で2画素行分の画素を駆動することにより、1画素行ごとに走査線が配置された従来の表示装置に比べて、配線数及び配線に必要な面積を削減することができる。また、電極抵抗及び電極浮遊容量を削減できるので、配線による損失を低減できる。また、高精細化が容易になる。 As described above, according to the driving method of the display device of the present invention, a conventional display device in which scanning lines are arranged for each pixel row by driving pixels for two pixel rows by one scanning line. Compared to the above, the number of wires and the area required for the wires can be reduced. In addition, since the electrode resistance and the electrode stray capacitance can be reduced, loss due to wiring can be reduced. In addition, high definition is facilitated.
(実施の形態2)
本実施の形態に係る表示装置の画素回路は、実施の形態1に係る表示装置の画素回路と比較して、スイッチ部の構成要素としてダイオードを使用せずにTFTスイッチを使用した点が回路構成として異なるが、走査線電位を奇数画素行と偶数画素行とで排他的に制御し、アドレス線及び走査線の電位に応じて定まる電圧を保持することにより書き込みを実行する基本動作は同じである。以下、実施の形態1と同じ点は説明を省略し、異なる点のみ説明する。
(Embodiment 2)
Compared with the pixel circuit of the display device according to the first embodiment, the pixel circuit of the display device according to the present embodiment uses a TFT switch without using a diode as a component of the switch unit. However, the scanning line potential is controlled exclusively between the odd-numbered pixel row and the even-numbered pixel row, and the basic operation for executing writing is the same by holding the voltage determined according to the potential of the address line and the scanning line. . Hereinafter, description of the same points as in the first embodiment will be omitted, and only different points will be described.
<表示装置の構成>
図7は、本発明の実施の形態2に係る表示装置が有する画素部の回路構成図である。図7に記載された画素部は、隣接する4つの画素11B、12B、21B及び22Bと、画素列ごとに配置されたアドレス線91及び92と、2画素行ごとに配置された走査線51と、各画素に対応して格子状に配置された電源線81及び消去線62とを備える。
<Configuration of display device>
FIG. 7 is a circuit configuration diagram of a pixel portion included in the display device according to
画素11Bは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線91との交点に対応する2画素のうちの第1の画素であり、画素12Bは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線92との交点に対応する2画素のうちの第1の画素である。また、画素21Bは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線91との交点に対応する2画素のうちの、画素11Bの属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素であり、画素22Bは、上記複数の画素のうち、走査線51とアドレス線92との交点に対応する2画素のうちの、画素12Bの属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素である。
The pixel 11B is the first pixel of the two pixels corresponding to the intersection of the
また、画素部が有する複数の画素は、全て同じ回路素子を有しており、例えば、図7に記載された画素11Bは、有機EL素子121と、TFTスイッチ122、123及び124と、コンデンサ125と、定電流源126とを備える。
The plurality of pixels included in the pixel portion all have the same circuit element. For example, the pixel 11B illustrated in FIG. 7 includes the
ここで、画素11B〜22Bの各構成要素及びそれらの接続関係を説明する。 Here, each component of the pixels 11B to 22B and their connection relationship will be described.
まず、画素11B〜22Bに共通した接続関係を、画素11Bを例にして説明する。 First, a connection relationship common to the pixels 11B to 22B will be described using the pixel 11B as an example.
有機EL素子121のアノード電極は、n型のTFTスイッチ124のソース電極に接続され、カソード電極は接地されている。
The anode electrode of the
TFTスイッチ124のドレイン電極は定電流源126を介して電源線82に接続され、ゲート電極はn型のTFTスイッチ123のソース電極に接続されている。
The drain electrode of the
TFTスイッチ123のドレイン電極はp型のTFTスイッチ122のドレイン電極に接続され、ゲート電極はアドレス線91に接続されている。
The drain electrode of the
コンデンサ125は、TFTスイッチ124のゲート電極及びソース電極に接続され、さらに、全画素共通の消去線62に接続されている。
The
さらに、同一の奇数画素行に配置された画素11B及び12Bでは、TFTスイッチ122及び322のソース電極は電源線82に接続され、ゲート電極は走査線51に接続されている。
Further, in the pixels 11B and 12B arranged in the same odd pixel row, the source electrodes of the TFT switches 122 and 322 are connected to the power supply line 82, and the gate electrodes are connected to the
一方、同一の偶数画素行に配置された画素21B及び22Bでは、TFTスイッチ222及び422のソース電極は走査線51に接続され、ゲート電極はバイアス電位Vbを有するバイアス端子に接続されている。
On the other hand, in the pixels 21B and 22B arranged in the same even pixel row, the source electrodes of the TFT switches 222 and 422 are connected to the
次に、画素11B〜22Bの各構成要素を説明する。 Next, each component of the pixels 11B to 22B will be described.
有機EL素子121及び321は、それぞれ、アノード電極がTFTスイッチ124及び324のソース電極に接続され、カソード電極が接地された第1発光素子である。有機EL素子221及び421は、それぞれ、アノード電極がTFTスイッチ224及び424のソース電極に接続され、カソード電極が接地された第2発光素子である。
The
TFTスイッチ122、222、322及び422は、例えば、p型のMOSFETであり、ソース電位に対するゲート電位が閾値電圧分より小さい場合にドレイン−ソース間を導通状態とするローアクティブ素子である。 The TFT switches 122, 222, 322, and 422 are, for example, p-type MOSFETs, and are low active elements that conduct between the drain and the source when the gate potential with respect to the source potential is smaller than the threshold voltage.
TFTスイッチ123、223、323及び423は、例えば、n型のMOSFETであり、ソース電位に対するゲート電位が閾値電圧分より大きい場合にドレイン−ソース間を導通状態とするハイアクティブ素子である。 The TFT switches 123, 223, 323, and 423 are, for example, n-type MOSFETs, and are high active elements that conduct between the drain and the source when the gate potential with respect to the source potential is larger than the threshold voltage.
TFTスイッチ122及び322は、ゲート電極が走査線51に接続され、ソース電極が第1電源線である電源線82に接続された第3スイッチトランジスタである。
The TFT switches 122 and 322 are third switch transistors having a gate electrode connected to the
TFTスイッチ123及び323は、それぞれ、ゲート電極がアドレス線91及び92に接続され、ソース電極がコンデンサ125及び325の一方の電極に接続され、ドレイン電極がTFTスイッチ122及び322のドレイン電極と接続された第4スイッチトランジスタである。
The TFT switches 123 and 323 have gate electrodes connected to the address lines 91 and 92, source electrodes connected to one electrodes of
TFTスイッチ122とTFTスイッチ123とは、走査線51の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部を構成する。また、TFTスイッチ322とTFTスイッチ323とは、走査線51の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部を構成する。
The
TFTスイッチ222及び422は、ゲート電極がバイアス電位Vbを有するバイアス端子に接続され、ソース電極が走査線51に接続された第5スイッチトランジスタである。
The TFT switches 222 and 422 are fifth switch transistors in which the gate electrode is connected to the bias terminal having the bias potential Vb, and the source electrode is connected to the
TFTスイッチ223及び423は、それぞれ、ゲート電極がアドレス線91及び92に接続され、ソース電極がコンデンサ225及び425の一方の電極に接続され、ドレイン電極がTFTスイッチ222及び422のドレイン電極と接続された第6スイッチトランジスタである。
The TFT switches 223 and 423 have a gate electrode connected to the address lines 91 and 92, a source electrode connected to one electrode of the
TFTスイッチ222と223とは、走査線51の電位に応じて、上記第1スイッチ部とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部を構成する。また、TFTスイッチ422と423とは、走査線51の電位に応じて、上記第1スイッチ部とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部を構成する。
The TFT switches 222 and 223 constitute a second switch portion that is in a conductive state exclusively with the first switch portion, depending on the potential of the
TFTスイッチ124及び324のゲート電極は、それぞれ、コンデンサ125及び325の一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源VDDに接続され、ソース電極はコンデンサ125及び325の他方の電極に接続された第1スイッチトランジスタである。
The gate electrodes of the TFT switches 124 and 324 are connected to one electrode of the
TFTスイッチ224及び424のゲート電極は、それぞれ、コンデンサ225及び425の一方の電極に接続され、ドレイン電極は第2電源線VDDに接続され、ソース電極はコンデンサ225及び425の他方の電極に接続された第2スイッチトランジスタである。
The gate electrodes of the TFT switches 224 and 424 are connected to one electrode of the
コンデンサ125及び325は、電源線82の電位(例えば10V)に対応した電荷を、TFTスイッチ122及び123ならびに322及び323を介して充電し、また、消去線62を介して放電する。
コンデンサ225及び425は、走査線51のHIGH電位(例えば10V)に対応した電荷を、TFTスイッチ222及び223ならびに422及び423を介して充電し、また、消去線62を介して放電する。
The
コンデンサ125及び325は、それぞれ、第1スイッチ部が導通状態となることにより、アドレス線91及び92、走査線51ならびに電源線82の電位に応じて定まる電圧を保持する第1コンデンサである。また、コンデンサ225及び425は、それぞれ、第2スイッチ部が導通状態となることにより、アドレス線91及び92、ならびに走査線51の電位に応じて定まる電圧を保持する第2コンデンサである。
消去線62は、通常はハイインピーダンス状態に設定されており、消去動作時のみLOW電位(例えば0V)が印加されることにより、コンデンサ125、225、325及び425に蓄積された電荷を放電する。
The erasing line 62 is normally set to a high impedance state, and the charge accumulated in the
また、定電流源126、226、326及び426が接続されている電源VDDと電源線82とが共有されていてもよい。
Further, the power supply V DD to which the constant
上記接続関係及び構成要素により、走査線51の電位が電源線82の電源電位に対してTFTスイッチ122及び322の閾値電圧分よりも十分低いLOW電位の場合、ローアクティブ動作するTFTスイッチ122及び322がソース→ドレインへと導通する。この状態でアドレス線91及び92の電位が接地電位に対してTFTスイッチ124及び324の閾値電圧分よりも高い高電位である場合、TFTスイッチ123及び323の導通により、コンデンサ125及び325には、それぞれ、電源線82の電源電位に対応する電圧が保持される。
When the potential of the
また、走査線51の電位がバイアス電位Vbに対してTFTスイッチ222及び422の閾値電圧分よりも十分高い高電位の場合、ローアクティブ動作するTFTスイッチ222及び422がソース→ドレインへと導通する。この状態でアドレス線91及び92の電位が接地電位に対してTFTスイッチ224及び424の閾値電圧分よりも高い高電位である場合、TFTスイッチ223及び423の導通により、コンデンサ225及び425には、それぞれ、走査線51のHIGH電位に対応する電圧が保持される。
Further, when the potential of the
このように、走査線の電位が、奇数画素行と偶数画素行とで排他的に制御されることにより、奇数画素行への電圧書き込みの後、偶数画素行への電圧書き込みが行順次に実行される。上記書き込みが完了した後、走査線51、アドレス線91及び92をLOW電位に設定することにより、TFTスイッチの閾値電圧以上の電圧がコンデンサに保持されている画素の有機EL素子が一斉発光する。
In this way, the potential of the scanning line is exclusively controlled in the odd-numbered pixel row and the even-numbered pixel row, so that the voltage writing to the even-numbered pixel row is sequentially performed after the voltage is written to the odd-numbered pixel row. Is done. After the writing is completed, the
上記構成によれば、信号電圧の書き込みタイミングを制御するための走査線は、2画素行ごとに配置されればよいので、配線数を削減することができる。よって、配線による損失を低減できる。また、高精細化も可能となる。また、実施の形態1と比較して、スイッチ部を、ダイオードを使用せずにTFTで構成しているので、製造工程が簡略化できる。 According to the above configuration, since the scanning line for controlling the writing timing of the signal voltage only needs to be arranged every two pixel rows, the number of wirings can be reduced. Therefore, loss due to wiring can be reduced. Also, high definition can be achieved. Further, as compared with the first embodiment, since the switch portion is composed of TFTs without using a diode, the manufacturing process can be simplified.
<表示装置の動作>
以下、図7、図8及び図9A〜図9Dを用いて、本実施の形態に係る表示装置の動作について述べる。図8は、本発明の実施の形態2に係る表示装置の駆動タイミングチャートである。同図には、図7における画素11B及び12Bを3行目の画素行に属する画素、また、画素21B及び22Bを4行目の画素行に属する画素と仮定し、これら4画素を、所定のサブフィールド期間において、全て発光させた場合を例示している。
<Operation of display device>
Hereinafter, the operation of the display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 7, 8 and 9A to 9D. FIG. 8 is a drive timing chart of the display device according to
[リセット動作]
まず、時刻t21〜時刻t22において、消去線制御回路6は、消去線62に対し消去電圧を供給し、全ての画素が有するコンデンサをリセットする。消去線制御回路6は、消去線62に対し、例えば、GND電位を消去電圧として供給する。これにより、信号電圧が保持されているコンデンサ125、225、325及び425の一方の電極から消去線62を介して消去線制御回路6の方向へ放電電流が流れ、コンデンサ125、225、325及び425がリセットされる。
[Reset operation]
First, at time t21 to time t22, the erasing
また、この期間において、データ線制御回路7は、アドレス線91及び92に対し、LOW電位を供給する。これにより、TFTスイッチ123、223、323及び423のゲート−ソース間には、閾値電圧よりも小さい電圧が印加されているので、ドレイン−ソースは非導通状態となる。
In this period, the data
図9Aは、実施の形態2に係る画素のリセット動作を説明する状態遷移図である。すなわち、消去線62にLOW電位が印加された場合、図9Aに示されるように、コンデンサ125、225、325及び425→消去線62の順に放電電流が流れ、コンデンサ125、225、325及び425に保持された電圧が消去される。
FIG. 9A is a state transition diagram illustrating a reset operation of the pixel according to the second embodiment. That is, when a LOW potential is applied to the erase line 62, as shown in FIG. 9A, a discharge current flows in the order of the
上記時刻t21〜時刻t22における消去線制御回路6の動作は、書き込み動作の前に、アドレス線91及び92の電位を、TFTスイッチ123、223、323及び423のソース電位に対してTFTスイッチ123、223、323及び423の閾値電圧よりも低くすることによりTFTスイッチ123、223、323及び423を非導通とした状態で、消去線62の電位を、アドレス線91及び92の低電位以下の低電位とすることによりコンデンサ125、225、325及び425に保持された電圧を消去する消去ステップに相当する。
The operation of the erase
なお、上述したリセット期間以外の期間では、消去線制御回路6は、消去線62の電位を、ハイインピーダンス状態としている。
In the period other than the reset period described above, the erase
[書き込み動作]
時刻t23において、走査線制御回路5は、n型のFET514のゲート電位をLOW電位としてOFF状態とし、またp型のFET513のゲート電位が既にHIGH電位でありOFF状態であることから、走査線51は、ハイインピーダンス状態となる。これにより、画素が有するコンデンサへ信号を書き込むための準備が完了する。
[Write operation]
At time t23, the scanning
次に、奇数画素行への書き込み動作が、奇数行順次に実行される。 Next, the write operation to the odd-numbered pixel rows is executed sequentially in the odd-numbered rows.
例えば、時刻t24〜時刻t25において、走査線制御回路5は、3行目に属する画素への電圧書き込みを実行すべく、FET514のゲート電位をHIGH電位としてON状態とし、走査線51の電位をLOW(GND)電位とする。これにより、TFTスイッチ122及び322のゲート電極には当該LOW電位(GND)が印加される。また、TFTスイッチ122及び322のソース電極には電源電位(10V)が印加される。そうすると、TFTスイッチ122及び322のゲート−ソース間には、絶対値が閾値電圧よりも十分大きな負電圧が印加されているので、ソース→ドレインへと電流が流れ得る状態となる。
For example, from time t24 to time t25, the scanning
一方、データ線制御回路7は、走査線制御回路5の上記動作と同期して、3行目の画素に対応するHIGH電位、つまり、GND電位に対してTFTスイッチ124及び324の閾値電圧分よりも高い電位を、アドレス線91及び92に供給する。これにより、TFTスイッチ123及び323のゲート電極には当該HIGH電位が印加される。そうすると、TFTスイッチ123及び323のゲート−ソース間には、閾値電圧よりも十分大きな正電圧が印加されているので、ドレイン−ソースが導通状態となる。
On the other hand, the data
上記TFTスイッチ122及び322ならびにTFTスイッチ123及び323の導通状態により、コンデンサ125及び325には、アドレス線91及び92のHIGH電位、走査線51のLOW電位ならびに電源線82の電源電位に応じて定まる電圧が保持される。つまり、画素11B及び12Bへの書き込み動作が実行される。
Depending on the conductive state of the TFT switches 122 and 322 and the TFT switches 123 and 323, the
図9Bは、実施の形態2に係る奇数行画素の書き込み動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51にLOW電位が印加され、アドレス線91及び91にHIGH電位が印加された場合、図9Bに示されるように、電源線82→TFTスイッチ122及び322→TFTスイッチ123及び323→コンデンサ125及び325の順に充電電流が流れ、コンデンサ125及び325に電圧が保持される。
FIG. 9B is a state transition diagram illustrating the write operation of the odd-numbered row pixels according to the second embodiment. That is, when a LOW potential is applied to the
上記時刻t24〜時刻t25におけるデータ線制御回路7及び走査線制御回路5の動作は、走査線51の電位を、電源線82の電源電位に対してTFTスイッチ122及び322の閾値電圧分よりも低い走査線低電位とし、走査線51以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、アドレス線91及び92の電位を、接地電位に対してTFTスイッチ124及び324の閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、TFTスイッチ122、123、322及び323を導通状態にして、電源線82からコンデンサ125及び325に電圧を保持させる第1電圧保持ステップに相当する。
The operation of the data
時刻t25以降、上述した3行目の画素行における書き込み動作と同様に、奇数画素行への書き込み動作を奇数行順次に実行する。 After time t25, the writing operation to the odd-numbered pixel row is sequentially executed in the odd-numbered row, similarly to the writing operation in the third pixel row described above.
次に、奇数画素行への書き込み動作が終了すると、偶数画素行への書き込み動作が実行される。 Next, when the write operation to the odd pixel row is completed, the write operation to the even pixel row is executed.
例えば、時刻t26〜時刻t27において、走査線制御回路5は、4行目に属する画素への信号電圧書き込みを実行すべく、FET513のゲート電位をLOW電位としてON状態とし、走査線51の電位をHIGH(Vscn)電位とする。これにより、TFTスイッチ222及び422のソース電極には当該HIGH電位(Vscn、例えば10V)が印加される。また、TFTスイッチ222及び422のゲート電極にはバイアス電位(例えば、5V)が印加される。そうすると、TFTスイッチ222及び422のゲート−ソース間には、絶対値が閾値電圧よりも十分大きな負電圧が印加されているので、ソース→ドレインへと電流が流れ得る状態となる。
For example, from time t26 to time t27, the scanning
一方、データ線制御回路7は、走査線制御回路5の上記動作と同期して、4行目の画素に対応するHIGH電位、つまり、GND電位に対してTFTスイッチ224及び424の閾値電圧分よりも高い電位を、アドレス線91及び92に供給する。これにより、TFTスイッチ223及び423のゲート電極には当該HIGH電位が印加される。そうすると、TFTスイッチ223及び423のゲート−ソース間には、閾値電圧よりも十分大きな正電圧が印加されているので、ドレイン−ソースが導通状態となる。
On the other hand, the data
上記TFTスイッチ222及び422ならびにTFTスイッチ223及び423の導通状態により、コンデンサ225及び425には、アドレス線91及び92のHIGH電位ならびに走査線51のHIGH電位に応じて定まる電圧が保持される。つまり、画素21B及び22Bへの書き込み動作が実行される。
Due to the conductive state of the TFT switches 222 and 422 and the TFT switches 223 and 423, the
図9Cは、実施の形態2に係る偶数行画素の書き込み動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51にHIGH電位が印加され、アドレス線91及び91にHIGH電位が印加された場合、図9Cに示されるように、走査線51→TFTスイッチ222及び422→TFTスイッチ223及び423→コンデンサ225及び425の順に充電電流が流れ、コンデンサ225及び425に電圧が保持される。
FIG. 9C is a state transition diagram illustrating the write operation of even-numbered rows pixels according to the second embodiment. That is, when a HIGH potential is applied to the
上記時刻t26〜時刻t27におけるデータ線制御回路7及び走査線制御回路5の動作は、走査線51の電位を、バイアス電位Vbに対してTFTスイッチ222及び422の閾値電圧分よりも高い高電位とし、走査線51以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、アドレス線91及び92の電位を、接地電位に対してTFTスイッチ224及び424の閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、TFTスイッチ222、223、422及び423を導通状態にして走査線51からコンデンサ225及び425に電圧を保持させる第2電圧保持ステップに相当する。
The operation of the data
時刻t27以降、上述した4行目の画素行における書き込み動作と同様に、偶数画素行への書き込み動作を偶数行順次に実行する。 After time t27, the writing operation to the even-numbered pixel row is sequentially executed in the same manner as the writing operation in the fourth pixel row described above.
[発光動作]
次に、時刻t28において、走査線制御回路5は、全画素を一斉に発光させるべく、FET514のゲート電位をHIGH電位としてON状態とし、走査線51の電位をLOW(GND)電位とする。同様にして、他の走査線の電位もLOW電位とする。
[Light emission operation]
Next, at time t <b> 28, the scanning
これにより、全画素において、電源VDD→定電流源→オン状態のTFTスイッチ→有機EL素子→接地端子という経路で発光電流が流れる。 Thereby, in all the pixels, a light emission current flows through a path of power supply V DD → constant current source → on-state TFT switch → organic EL element → ground terminal.
図9Dは、実施の形態2に係る画素の発光動作を説明する状態遷移図である。すなわち、走査線51、アドレス線91及び92にLOW電位が印加された場合、図9Dに示されるように、電源VDD→定電流源126、226、326及び426→TFTスイッチ124、224、324及び424→有機EL素子121、221、321及び421→接地端子の順に発光電流が流れ、有機EL素子121、221、321及び421が一斉発光する。
FIG. 9D is a state transition diagram illustrating the light emitting operation of the pixel according to
上述した時刻t21〜時刻t29における書き込み動作及び発光動作の期間は、サブフィールド期間であり、デジタル階調制御は、上記サブフィールド期間を複数繰り返すことにより実行される。上記サブフィールド期間を組み合わせた階調表示を、1フレームの間に実行して画像を作り出す。なお、奇数画素行及び偶数画素行の書き込み順序は、逆でも構わない。 The period of the writing operation and the light emitting operation from the time t21 to the time t29 described above is a subfield period, and the digital gradation control is executed by repeating the subfield period a plurality of times. The gradation display combining the subfield periods is executed during one frame to create an image. Note that the writing order of the odd pixel rows and the even pixel rows may be reversed.
以上のように、本実施の形態に係る表示装置の駆動方法によれば、1本の走査線で2行の画素を駆動することにより、1行ごとに走査線が配置された従来の表示装置に比べて、配線数及び配線に必要な面積を削減することができる。また、電極抵抗及び電極浮遊容量を削減できるので、配線による損失を低減できる。また、高精細化が容易になる。さらに、実施の形態1と比較して、スイッチ部を、ダイオードを使用せずにTFTで構成しているので、製造工程が簡略化できる。 As described above, according to the driving method of the display device according to the present embodiment, the conventional display device in which the scanning lines are arranged for each row by driving the pixels in two rows by one scanning line. Compared to the above, the number of wires and the area required for the wires can be reduced. In addition, since the electrode resistance and the electrode stray capacitance can be reduced, loss due to wiring can be reduced. In addition, high definition is facilitated. Furthermore, as compared with the first embodiment, since the switch portion is composed of TFTs without using a diode, the manufacturing process can be simplified.
以上、本発明に係る表示装置及びその駆動方法について実施に形態1及び2に基づき説明したが、本発明に係る表示装置及びその駆動方法は、上述した実施の形態1及び2に限定されるものではない。実施の形態1及び2に対して、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
The display device and the driving method thereof according to the present invention have been described based on the first and second embodiments. However, the display device and the driving method thereof according to the present invention are limited to the above-described first and second embodiments. is not. The present invention includes modifications obtained by making various modifications conceivable by those skilled in the art to
なお、実施の形態1及び2では、発光素子として有機EL素子を用いているが、当該発光素子は電流駆動型の発光素子であればよく、例えば、無機EL素子であってもよい。
In
本発明の表示装置及びその駆動方法は、特に、デジタル階調制御方式で輝度を変動させるアクティブ型ディスプレイに有用であり、壁掛けテレビや大型モニタ等に有用である。 The display device and the driving method thereof according to the present invention are particularly useful for an active display that changes the luminance by a digital gradation control method, and useful for a wall-mounted television, a large monitor, and the like.
1 表示装置
2 サブフィールド処理回路
3 電源線制御回路
5 走査線制御回路
6 消去線制御回路
7 データ線制御回路
10 画素部
11A、11B、12A、12B、21A、21B、22A、22B、900 画素
51、913 走査線
61、62、915 消去線
71、72、91、92 アドレス線
81、82、916 電源線
111、121、211、221、311、321、411、421、904 有機EL素子
112、113、212、213、312、313、412、413 ダイオード
114、122、123、124、214、222、223、224、314、322、323、324、414、422、423、424 TFTスイッチ
115、125、215、225、315、325、415、425、905 コンデンサ
116、126、216、226、316、326、416、426 定電流源
513、514 FET
901 データ書き込み用トランジスタ
902 駆動トランジスタ
903 消去用トランジスタ
914 データ線
DESCRIPTION OF
901
Claims (17)
2画素行ごとに配置された走査線と、
画素列ごとに配置されたアドレス線とを備え、
前記複数の画素のうち、一の前記走査線と一の前記アドレス線との交点に対応する2画素のうちの第1の画素は、
前記走査線の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部と、
前記第1スイッチ部が導通状態となることにより前記アドレス線及び前記走査線の電位に応じて定まる電圧を保持する第1コンデンサと、
前記第1コンデンサに保持された電圧に応じて発光電流を流す第1スイッチトランジスタと、
前記発光電流が流れることにより発光する第1発光素子とを備え、
前記複数の画素のうち、前記交点に対応する2画素のうちの、前記第1の画素の属する画素行と異なる画素行に配置された第2の画素は、
前記走査線の電位に応じて、前記第1スイッチ部とは排他的に導通状態となる第2スイッチ部と、
前記第2スイッチ部が導通状態となることにより前記アドレス線及び前記走査線の電位に応じて定まる電圧を保持する第2コンデンサと、
前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて発光電流を流す第2スイッチトランジスタと、
前記発光電流が流れることにより発光する第2発光素子とを備える
表示装置。 A plurality of pixels arranged in a matrix;
A scanning line arranged every two pixel rows;
An address line arranged for each pixel column,
Of the plurality of pixels, a first pixel of two pixels corresponding to an intersection of one scanning line and one address line is:
A first switch unit that is conductive according to the potential of the scanning line;
A first capacitor that holds a voltage determined according to the potential of the address line and the scanning line when the first switch unit is turned on;
A first switch transistor for causing a light emission current to flow in accordance with a voltage held in the first capacitor;
A first light emitting element that emits light when the light emission current flows;
Of the plurality of pixels, of the two pixels corresponding to the intersection, the second pixel arranged in a pixel row different from the pixel row to which the first pixel belongs is
A second switch unit that is electrically connected to the first switch unit in accordance with the potential of the scanning line;
A second capacitor that holds a voltage determined according to the potential of the address line and the scanning line when the second switch unit is in a conductive state;
A second switch transistor for causing a light emission current to flow in accordance with the voltage held in the second capacitor;
And a second light emitting element that emits light when the light emission current flows.
前記第1コンデンサの他方の電極は前記走査線に接続され、
前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記走査線に接続され、
前記第1発光素子は、前記電源線と前記第1スイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に挿入されており、
前記第2スイッチ部は、アノード電極が前記走査線に接続され、カソード電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続された第2のダイオード素子であり、
前記第2コンデンサの他方の電極は、前記アドレス線に接続され、
前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記アドレス線に接続され、
前記第2発光素子は、前記電源線と前記第2スイッチトランジスタのドレイン電極との間に直列に挿入されている
請求項1に記載の表示装置。 The first switch unit is a first diode element having an anode electrode connected to the address line and a cathode electrode connected to one electrode of the first capacitor;
The other electrode of the first capacitor is connected to the scanning line;
The gate electrode of the first switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to a power supply line, the source electrode is connected to the scanning line,
The first light emitting element is inserted in series between the power line and the drain electrode of the first switch transistor,
The second switch unit is a second diode element having an anode electrode connected to the scanning line and a cathode electrode connected to one electrode of the second capacitor;
The other electrode of the second capacitor is connected to the address line;
The gate electrode of the second switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor, the drain electrode is connected to a power supply line, the source electrode is connected to the address line,
The display device according to claim 1, wherein the second light emitting element is inserted in series between the power line and a drain electrode of the second switch transistor.
前記駆動部は、
前記走査線の電位を低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記低電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第1のダイオードを導通状態にして前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、
前記走査線の電位を高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記高電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い電位であるアドレス線低電位とすることにより、前記第2のダイオードを導通状態にして前記第2コンデンサに前記電圧を保持させ、
前記走査線を前記低電位とし、前記アドレス線を前記アドレス線低電位とすることにより、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて前記第1スイッチトランジスタ及び前記第2スイッチトランジスタを導通状態にして前記第1発光素子及び前記第2発光素子を発光させる
請求項2に記載の表示装置。 Furthermore, a drive unit for controlling the potential of the scanning line and the address line is provided,
The drive unit is
The scanning line potential is set to a low potential, scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, and the address line potential is set to a high potential higher than the threshold voltage of the first switch transistor with respect to the low potential. By making the first diode conductive, the first capacitor holds the voltage,
The scanning line potential is set to a high potential, scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, and the address line potential is set to a potential lower than the threshold voltage of the second switch transistor with respect to the high potential. By making a certain address line low potential, the second diode is made conductive and the second capacitor holds the voltage,
By setting the scanning line to the low potential and the address line to the address line low potential, the first switch transistor and the second switch according to the voltage held in the first capacitor and the second capacitor. The display device according to claim 2, wherein a transistor is turned on to cause the first light emitting element and the second light emitting element to emit light.
前記第1コンデンサ及び第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備え、
前記第1画素は、さらに、
アノード電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第3のダイオード素子を備え、
前記第2画素は、さらに、
アノード電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第4のダイオード素子を備える
請求項2または3に記載の表示装置。 further,
An erasing line for erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor;
The first pixel further includes
A third diode element having an anode electrode connected to one electrode of the first capacitor and a cathode electrode connected to the erase line;
The second pixel further includes:
The display device according to claim 2, further comprising a fourth diode element having an anode electrode connected to one electrode of the second capacitor and a cathode electrode connected to the erase line.
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに電圧を保持させる場合には、前記消去線の電位を高電位とし、
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する場合には、前記消去線の電位を、前記走査線に印加される低電位及び前記アドレス線に印加される低電位以下の低電位とする
請求項4に記載の表示装置。 The drive unit is
When the voltage is held in the first capacitor and the second capacitor, the potential of the erase line is set to a high potential,
When erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor, the potential of the erase line is set to a low potential lower than a low potential applied to the scan line and a low potential applied to the address line. It is set as an electric potential. The display apparatus of Claim 4.
ゲート電極が前記走査線に接続され、ソース電極が第1電源線に接続された第3スイッチトランジスタと、
ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第3スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第4スイッチトランジスタとを備え、
前記第2スイッチ部は、
ゲート電極が所定のバイアス電位を有するバイアス端子に接続され、ソース電極が前記走査線に接続された第5スイッチトランジスタと、
ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第5スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第6スイッチトランジスタとを備え、
前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は第2電源線に接続され、ソース電極は前記第1コンデンサの他方の電極に接続され、
前記第1発光素子は、アノード電極が前記第1スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されており、
前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は前記第2電源線に接続され、ソース電極は前記第2コンデンサの他方の電極に接続され、
前記第2発光素子は、アノード電極が前記第2スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されている
請求項1に記載の表示装置。 The first switch unit includes:
A third switch transistor having a gate electrode connected to the scan line and a source electrode connected to the first power line;
A fourth switch transistor having a gate electrode connected to the address line, a source electrode connected to one electrode of the first capacitor, and a drain electrode connected to the drain electrode of the third switch transistor;
The second switch unit is
A fifth switch transistor having a gate electrode connected to a bias terminal having a predetermined bias potential and a source electrode connected to the scan line;
A sixth switch transistor having a gate electrode connected to the address line, a source electrode connected to one electrode of the second capacitor, and a drain electrode connected to the drain electrode of the fifth switch transistor;
The gate electrode of the first switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to a second power supply line, the source electrode is connected to the other electrode of the first capacitor,
The first light emitting element has an anode electrode connected to a source electrode of the first switch transistor and a cathode electrode grounded.
A gate electrode of the second switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor; a drain electrode is connected to the second power line; a source electrode is connected to the other electrode of the second capacitor;
The display device according to claim 1, wherein the second light emitting element has an anode electrode connected to a source electrode of the second switch transistor and a cathode electrode grounded.
前記駆動部は、
前記走査線の電位を、前記第1電源線の電源電位に対して前記第3スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い走査線低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第3スイッチトランジスタ及び前記第4スイッチトランジスタを導通状態にして、前記第1電源線から前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、
前記走査線の電位を、前記バイアス電位に対して前記第5スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第5スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを導通状態にして前記走査線から前記第2コンデンサに前記電圧を保持させる
請求項6に記載の表示装置。 Furthermore, a drive unit for controlling the potential of the scanning line and the address line is provided,
The drive unit is
The scanning line potential is set to a scanning line low potential lower than the threshold voltage of the third switch transistor with respect to the power supply potential of the first power supply line, the scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, and By setting the potential of the address line to a higher potential than the threshold voltage of the first switch transistor with respect to the ground potential, the third switch transistor and the fourth switch transistor are turned on, and the first switch transistor is turned on. Holding the voltage from the power line to the first capacitor;
The potential of the scanning line is set to a high potential higher than the threshold voltage of the fifth switch transistor with respect to the bias potential, the scanning lines other than the scanning line are set in a high impedance state, and the potential of the address line is grounded. By making the potential higher than the threshold voltage of the second switch transistor with respect to the potential, the fifth switch transistor and the sixth switch transistor are made conductive, and the voltage is applied from the scanning line to the second capacitor. The display device according to claim 6.
前記第1コンデンサの一方の電極及び第2コンデンサの一方の電極に接続され、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備える
請求項6または7に記載の表示装置。 further,
The erasing line for erasing the voltage hold | maintained at the said 1st capacitor | condenser and the said 2nd capacitor | condenser connected to one electrode of the said 1st capacitor | condenser and the 2nd capacitor | condenser is provided. Display device.
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する場合には、前記アドレス線の電位を、前記第4スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第4スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低く、かつ、前記第6スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第6スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低くすることにより前記第4スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを非導通とした状態で、前記消去線の電位を、前記アドレス線に印加される前記低電位以下の低電位とする
請求項8に記載の表示装置。 The drive unit is
When erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor, the potential of the address line is set to be higher than the threshold voltage of the fourth switch transistor with respect to the source potential of the fourth switch transistor. In a state in which the fourth switch transistor and the sixth switch transistor are made non-conductive by being lower and lower than the threshold voltage of the sixth switch transistor with respect to the source potential of the sixth switch transistor, The display device according to claim 8, wherein the potential of the erasing line is set to a low potential equal to or lower than the low potential applied to the address line.
請求項1〜9のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the first light emitting element and the second light emitting element are organic EL elements.
請求項1〜9のうちいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the first light emitting element and the second light emitting element are inorganic EL elements.
前記複数の画素のうち、2画素行ごとに配置された走査線のうち一の走査線と画素列ごとに配置されたアドレス線のうち一のアドレス線との交点に配置された第1画素は、
前記走査線の電位に応じて導通状態となる第1スイッチ部と、
前記アドレス線の電位に対応した電圧を保持する第1コンデンサと、
前記第1コンデンサに保持された電圧に応じて導通状態となる第1スイッチトランジスタと、
前記第1スイッチトランジスタが導通状態となることにより発光する第1発光素子とを備え、
前記複数の画素のうち、前記交点であって前記第1画素の属する画素行と異なる画素行に配置された第2画素は、
前記走査線の電位に応じて導通状態となる第2スイッチ部と、
前記アドレス線の電位に対応した電圧を保持する第2コンデンサと、
前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて導通状態となる第2スイッチトランジスタと、
前記第2スイッチトランジスタが導通状態となることにより発光する第2発光素子とを備え、
前記走査線の電位を低電位とすることにより、前記第1スイッチ部を導通状態にして前記第1コンデンサに前記電圧を保持させる第1電圧保持ステップと、
前記走査線の電位を高電位とすることにより、前記第2スイッチ部を導通状態にして前記第2コンデンサに前記電圧を保持させる第2電圧保持ステップと、
前記第1電圧保持ステップ及び前記第2電圧保持ステップの後、前記走査線及び前記アドレス線を低電位とすることにより、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧に応じて前記第1スイッチトランジスタ及び前記第2スイッチトランジスタを導通状態にして前記第1発光素子及び前記第2発光素子を一斉発光させる発光ステップとを含む
表示装置の駆動方法。 A driving method of a display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix,
Among the plurality of pixels, a first pixel arranged at an intersection of one scanning line among the scanning lines arranged every two pixel rows and one address line among the address lines arranged every pixel column is: ,
A first switch unit that is conductive according to the potential of the scanning line;
A first capacitor that holds a voltage corresponding to the potential of the address line;
A first switch transistor that becomes conductive in response to a voltage held in the first capacitor;
A first light emitting element that emits light when the first switch transistor is turned on;
Among the plurality of pixels, the second pixel arranged in a pixel row different from the pixel row to which the first pixel belongs at the intersection point,
A second switch unit that is conductive according to the potential of the scanning line;
A second capacitor for holding a voltage corresponding to the potential of the address line;
A second switch transistor that becomes conductive in response to a voltage held in the second capacitor;
A second light emitting element that emits light when the second switch transistor becomes conductive,
A first voltage holding step of setting the first switch unit to a conductive state and holding the voltage in the first capacitor by setting the potential of the scanning line to a low potential;
A second voltage holding step of setting the second switch unit in a conductive state and holding the voltage in the second capacitor by setting the potential of the scanning line to a high potential;
After the first voltage holding step and the second voltage holding step, the scanning line and the address line are set to a low potential, so that the first voltage and the second capacitor are set according to the voltage held in the first capacitor and the second capacitor. A light-emitting step of bringing the first light-emitting element and the second light-emitting element into simultaneous light emission by bringing the first switch transistor and the second switch transistor into a conductive state.
前記第1コンデンサの他方の電極は前記走査線に接続され、
前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記走査線に接続され、
前記第1発光素子は、前記電源線と前記第1スイッチトランジスタのドレイン電極との間、または、前記第1スイッチトランジスタのドレイン電極と前記走査線との間に直列に挿入されており、
前記第2スイッチ部は、アノード電極が前記走査線に接続され、カソード電極が前記第2コンデンサの一方の電極の接続された第2のダイオード素子であり、
前記第2コンデンサの他方の電極は前記アドレス線に接続され、
前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は電源線に接続され、ソース電極は前記アドレス線に接続され、
前記第2発光素子は、前記電源線と前記第2スイッチトランジスタのドレイン電極との間、または、前記第2スイッチトランジスタのドレイン電極と前記アドレス線との間に直列に挿入されており、
前記第1電圧保持ステップでは、前記走査線の電位を低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記低電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第1のダイオードを導通状態にして前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、
前記第2電圧保持ステップでは、前記走査線の電位を高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、前記高電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い低電位とすることにより、前記第2のダイオードを導通状態にして前記第2コンデンサに前記電圧を保持させる
請求項12に記載の表示装置の駆動方法。 The first switch unit is a first diode element having an anode electrode connected to the address line and a cathode electrode connected to one electrode of the first capacitor;
The other electrode of the first capacitor is connected to the scanning line;
The gate electrode of the first switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to a power supply line, the source electrode is connected to the scanning line,
The first light emitting element is inserted in series between the power line and the drain electrode of the first switch transistor, or between the drain electrode of the first switch transistor and the scanning line.
The second switch unit is a second diode element having an anode electrode connected to the scanning line and a cathode electrode connected to one electrode of the second capacitor;
The other electrode of the second capacitor is connected to the address line;
The gate electrode of the second switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor, the drain electrode is connected to a power supply line, the source electrode is connected to the address line,
The second light emitting element is inserted in series between the power line and the drain electrode of the second switch transistor, or between the drain electrode of the second switch transistor and the address line,
In the first voltage holding step, the potential of the scanning line is set to a low potential, the scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, and the potential of the address line is set to be lower than that of the first switch transistor. By setting the potential higher than the threshold voltage, the first diode is turned on to hold the voltage in the first capacitor,
In the second voltage holding step, a potential of the scanning line is set to a high potential, a scanning line other than the scanning line is set to a high impedance state, and the potential of the address line is set to be higher than the potential of the second switch transistor. The method for driving a display device according to claim 12, wherein the second diode is made conductive by setting the potential lower than a threshold voltage, and the second capacitor holds the voltage.
前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備え、
前記第1画素は、さらに、
アノード電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第3のダイオード素子を備え、
前記第2画素は、さらに、
アノード電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、カソード電極が前記消去線に接続された第4のダイオード素子を備え、
さらに、前記第1電圧保持ステップ及び前記第2電圧保持ステップの前に、前記消去線の電位を、前記走査線に印加される低電位及び前記アドレス線に印加される低電位以下の低電位とすることにより、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する消去ステップを含む
請求項13に記載の表示装置の駆動方法。 further,
An erasing line for erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor;
The first pixel further includes
A third diode element having an anode electrode connected to one electrode of the first capacitor and a cathode electrode connected to the erase line;
The second pixel further includes:
A fourth diode element having an anode electrode connected to one electrode of the second capacitor and a cathode electrode connected to the erase line;
Further, before the first voltage holding step and the second voltage holding step, the potential of the erase line is set to a low potential applied to the scanning line and a low potential equal to or lower than a low potential applied to the address line. The display device driving method according to claim 13, further comprising: an erasing step of erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor.
ゲート電極が前記走査線に接続され、ソース電極が第1電源線に接続された第3スイッチトランジスタと、
ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第3スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第4スイッチトランジスタとを備え、
前記第2スイッチ部は、
ゲート電極が所定のバイアス電位を有するバイアス端子に接続され、ソース電極が前記走査線に接続された第5スイッチトランジスタと、
ゲート電極が前記アドレス線に接続され、ソース電極が前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極が前記第5スイッチトランジスタのドレイン電極と接続された第6スイッチトランジスタとを備え、
前記第1スイッチトランジスタのゲート電極は前記第1コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は第2電源線に接続され、ソース電極は前記第1コンデンサの他方の電極に接続され、
前記第1発光素子は、アノード電極が前記第1スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されており、
前記第2スイッチトランジスタのゲート電極は前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、ドレイン電極は前記第2電源線に接続され、ソース電極は前記第2コンデンサの他方の電極に接続され、
前記第2発光素子は、アノード電極が前記第2スイッチトランジスタのソース電極に接続され、カソード電極が接地されており、
前記第1電圧保持ステップでは、前記走査線の電位を、前記第1電源線の電源電位に対して前記第3スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも低い走査線低電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第1スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第3スイッチトランジスタ及び前記第4スイッチトランジスタを導通状態にして、前記第1電源線から前記第1コンデンサに前記電圧を保持させ、
前記第2電圧保持ステップでは、前記走査線の電位を、前記バイアス電位に対して前記第5スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とし、前記走査線以外の走査線をハイインピーダンス状態とし、前記アドレス線の電位を、接地電位に対して前記第2スイッチトランジスタの閾値電圧分よりも高い高電位とすることにより、前記第5スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを導通状態にして前記走査線から前記第2コンデンサに前記電圧を保持させる
請求項12に記載の表示装置の駆動方法。 The first switch unit includes:
A third switch transistor having a gate electrode connected to the scan line and a source electrode connected to the first power line;
A fourth switch transistor having a gate electrode connected to the address line, a source electrode connected to one electrode of the first capacitor, and a drain electrode connected to the drain electrode of the third switch transistor;
The second switch unit is
A fifth switch transistor having a gate electrode connected to a bias terminal having a predetermined bias potential and a source electrode connected to the scan line;
A sixth switch transistor having a gate electrode connected to the address line, a source electrode connected to one electrode of the second capacitor, and a drain electrode connected to the drain electrode of the fifth switch transistor;
The gate electrode of the first switch transistor is connected to one electrode of the first capacitor, the drain electrode is connected to a second power supply line, the source electrode is connected to the other electrode of the first capacitor,
The first light emitting element has an anode electrode connected to a source electrode of the first switch transistor and a cathode electrode grounded.
A gate electrode of the second switch transistor is connected to one electrode of the second capacitor; a drain electrode is connected to the second power line; a source electrode is connected to the other electrode of the second capacitor;
The second light emitting element has an anode electrode connected to a source electrode of the second switch transistor and a cathode electrode grounded,
In the first voltage holding step, the scanning line potential is set to a scanning line low potential lower than the threshold voltage of the third switch transistor with respect to the power supply potential of the first power supply line, and scanning other than the scanning line is performed. The line is set to a high impedance state, and the potential of the address line is set to a high potential higher than the threshold voltage of the first switch transistor with respect to the ground potential, so that the third switch transistor and the fourth switch transistor are In a conducting state, the voltage is held from the first power line to the first capacitor,
In the second voltage holding step, the potential of the scanning line is set to a high potential higher than a threshold voltage of the fifth switch transistor with respect to the bias potential, and the scanning lines other than the scanning line are set to a high impedance state, By making the potential of the address line higher than the threshold voltage of the second switch transistor with respect to the ground potential, the fifth switch transistor and the sixth switch transistor are made conductive, and the scanning line The display device driving method according to claim 12, wherein the second capacitor holds the voltage.
前記第1コンデンサの一方の電極及び前記第2コンデンサの一方の電極に接続され、前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去するための消去線を備え、
さらに、前記第1電圧保持ステップ及び前記第2電圧保持ステップの前に、前記アドレス線の電位を、前記第4スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第4スイッチトランジスタの閾値電圧よりも低く、かつ、前記第6スイッチトランジスタのソース電位に対して前記第6スイッチトランジスタの閾値電圧よりも低くすることにより前記第4スイッチトランジスタ及び前記第6スイッチトランジスタを非導通とした状態で、前記消去線の電位を、前記走査線低電位とすることにより前記第1コンデンサ及び前記第2コンデンサに保持された電圧を消去する消去ステップを含む
請求項15に記載の表示装置の駆動方法。 further,
An erasing line connected to one electrode of the first capacitor and one electrode of the second capacitor, for erasing the voltage held in the first capacitor and the second capacitor;
Further, before the first voltage holding step and the second voltage holding step, the potential of the address line is lower than the threshold voltage of the fourth switch transistor with respect to the source potential of the fourth switch transistor, and The potential of the erase line in a state in which the fourth switch transistor and the sixth switch transistor are made non-conductive by lowering the source voltage of the sixth switch transistor below the threshold voltage of the sixth switch transistor. The display device driving method according to claim 15, further comprising: an erasing step of erasing a voltage held in the first capacitor and the second capacitor by setting the scanning line to a low potential.
請求項16に記載の表示装置の駆動方法。 The display device driving method according to claim 16, wherein in the first voltage holding step, the second voltage holding step, and the light emission step, the potential of the erasing line is set to a high impedance state.
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Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2002175048A (en) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | Drive method for optoelectronic device, optoelectronic device, and electronic equipment |
JP2003108070A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
JP2007108366A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tohoku Pioneer Corp | Drive device and method for light emitting display panel |
JP2008268437A (en) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display |
JP2012163787A (en) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Panasonic Corp | Display device and driving method thereof |
JP2012163632A (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Panasonic Corp | Display device and its driving method |
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---|---|---|---|---|
JP2002175048A (en) * | 2000-09-29 | 2002-06-21 | Seiko Epson Corp | Drive method for optoelectronic device, optoelectronic device, and electronic equipment |
JP2003108070A (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sanyo Electric Co Ltd | Display device |
JP2007108366A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tohoku Pioneer Corp | Drive device and method for light emitting display panel |
JP2008268437A (en) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Hitachi Displays Ltd | Organic el display |
JP2012163632A (en) * | 2011-02-03 | 2012-08-30 | Panasonic Corp | Display device and its driving method |
JP2012163787A (en) * | 2011-02-07 | 2012-08-30 | Panasonic Corp | Display device and driving method thereof |
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