JP2013044319A - ハニカム構造体およびこれを用いたガス処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 筒状部5と、筒状部5の内側に、流体が流れる複数の流通孔が形成されるように格子状に配置された隔壁部2とを備え、流体が流れる方向に直交する断面において、第1の領域と、該第1の領域の外側に位置する第2の領域とを有しているとともに、複数の流通孔は、第1の流通孔と、第1の流通孔より開口径が大きい第2の流通孔とを交互に備えており、第2の領域における、隣接する第2の流通孔の間の隔壁部T2の平均厚みが、第1の領域における、隣接する第2の流通孔の間の隔壁部T1の平均厚みよりも厚いハニカム構造体11,12である。
【選択図】 図2
Description
する断面において、第1の領域と、第1の領域の外側に位置する第2の領域とを有しているとともに、複数の流通孔は、第1の流通孔と、第1の流通孔より開口径が大きい第2の流通孔とを交互に備えており、第2の領域における、隣接する第2の流通孔の間の隔壁部T2の平均厚みが、第1の領域における、隣接する第2の流通孔の間の隔壁部T1の平均厚みよりも厚いことから、筒状部に近づくほど隣接する第2の流通孔の間の隔壁部T1の機械的強度が高くなっているので、筒状部の外側から受ける外圧に対する機械的強度が高くなる。
CPSIとはCells Per Square Inchesのことである。
なりやすい。
しにくくなり、50%以下であるときには、流入側における隔壁部の厚みが厚くなっているので、微粒子の燃焼除去を繰り返しても流入側における機械的強度が低下しにくくなる。
昇しにくくなり、29%以下であるときには、流出側における隔壁部の厚みが厚くなっているので、微粒子の燃焼除去を繰り返しても流出側における機械的強度が低下しにくくなる。
止材9および流通孔の幅や長さを測定し、算出すればよい。
として測定すればよい。
の内燃機関(図示しない)が配置され、この内燃機関が作動すると、流体である排気ガスが発生し、この排気ガスは、図1(b)に示すようにハニカム構造体11の流入側の封止材9が形成されていない流入路3から導入されるが、流出側に形成された封止材9によってその流出が遮られる。流出が遮られた排気ガスは、通気性を有する隔壁部2を通過して、隣接する流出路4に導入される。排気ガスが隔壁部2を通過するとき、隔壁部2の壁面や隔壁部2の気孔の表面で排気ガス中の炭素を主成分とする微粒子,硫黄が酸化してできる硫酸塩を主成分とする微粒子および高分子からなる未燃の炭化水素等の微粒子(以下、これらを総称して単に微粒子という。)が捕集される。微粒子が捕集された排気ガスは、浄化された状態で、封止材9が形成されていない流出路4から外部に排出される。
れたISO4287,Geometrical Product Specifications(GPS)―Surface texture:Profile method―Terms,definitions and surface texture parametersを翻訳し、技術的内容および規格票の様式を変更することなく作成した日本工業規格である。)に準拠して測定すればよい。測定長さおよびカットオフ値をそれぞれ5mmおよび0.8mmとし、触針式の表
面粗さ計を用いて測定する場合であれば、例えば、軸方向Xに沿った隔壁部T1,T2の表面に、触針先端半径が2μmの触針を当て、触針の走査速度は0.5mm/秒とすればよ
い。算術平均高さRaは、それぞれの領域毎にこの測定で得られた5箇所の算術平均高さRaの平均値である。
することができる。
ある。),ムライト(3Al2O3・2SiO2),アルミン酸カルシウム(CaAl4O7),燐酸ジルコニウムカリウム(KZr2(PO4))およびチタン酸アルミニウム(Al2TiO5)の少なくともいずれか1種であることが好適である。
定はX線回折法によって行ない、また成分の含有量はICP発光分析法または蛍光X線分析法により求めることができる。
て90質量%以上であることが好適である。
の範囲であれば、硫酸塩に対して、隔壁部2,封止材9および筒状部5は、耐食性がほとんど損なわれないからである。
但し、d:気孔径(m)
P:水銀に加えられた圧力(Pa)
σ:水銀の表面張力(0.485N/m)
θ:水銀と気孔の表面との接触角(130°)
式(1)から各圧力Pに対する各気孔径dが求められ、各気孔径dの分布および累積気孔体積を導くことができる。そして、累積気孔体積の百分率が50%に相当する気孔径(D50)を平均気孔径とし、試料の体積に対する累積気孔体積の百分率を気孔率とすればよい。
流通孔と隔壁部2を介した他の流通孔の封止されていない他端を流出口として排気ガス(EG)を通過させることによって、排気ガス(EG)中の微粒子を隔壁部2で捕集するガス処理装置である。ハニカム構造体11は、その外周を断熱材層6に保持された状態でケース7に収容され、断熱材層6は、例えばセラミックファイバ,ガラスファイバ,カーボンファイバおよびセラミックウィスカーの少なくとも1種から形成されている。
らなり、その中央部が円筒状に、両端部が円錐台状にそれぞれ形成され、排気ガス(EG)が供給されるケース7の流入口7aおよび排気ガス(EG)が排出される流出口7bを有している。ケース7の流入口7aには排気管8aが連結され、排気ガス(EG)は排気管8aからケース7内に流入するように構成されている。
に通すことによって、例えば、粒径が61μm以下に分級された仮焼粉末を得る。そして、この分級された仮焼粉末に、例えば、平均粒径が1μm以上3μm以下であって、添加量が仮焼粉末100質量%に対して、0.4質量%以上1.2質量%以下である酸化珪素の粉末と、
添加量が仮焼粉末100質量%に対して、1質量%以上13質量%以下であるグラファイト,
澱粉またはポリエチレン樹脂等の造孔剤とを添加した後、さらに可塑剤,増粘剤,滑り剤および水等を加えて、万能攪拌機,回転ミルまたはV型攪拌機等を使って混練物を作製する。そして、この混練物の一部を残し、この混練物をさらに三本ロールミルや混練機等を用いて混練し、可塑化した坏土を得る。
、このスリットは、ハニカム構造体11,12を形成する隔壁部T2の平均厚みが隔壁部T1
の平均厚みよりも厚くなるように形成されている。
ジャサイト,フェリエライトおよびゼオライトベータの少なくとも1種を隔壁部2の壁面および隔壁部2の気孔の表面の少なくともいずれかに担持させる場合には、白金族金属に加え、アルカリ金属,アルカリ土類金属,希土類金属から選択される少なくともいずれかをスラリーに添加しておけばよい。
各粉末の純度は、いずれも99.5質量%とした。
に通すことによって、粒径が61μm以下に分級された仮焼粉末を得た。そして、この分級された仮焼粉末に、平均粒径が2μmであって、添加量が仮焼粉末100質量%に対して、0.8質量部である酸化珪素の粉末と、添加量が仮焼粉末100質量%に対して、7質量%以下
であるグラファイトを添加した後、さらに可塑剤,増粘剤,滑り剤および水等を加えて、万能攪拌機を使って混練物を作製した。そして、この混練物の一部を残し、さらに混練機を用いて混練し、可塑化した坏土を得た。
mmとなるように調整した後、流出側で流通孔に浸入したスラリーを常温にて乾燥させることによって、成形体の流出側の封止材9をそれぞれ形成した。そして、ピンを抜き、上述の作業と同じ作業を成形体の流入側でも行ない、流入側の封止材9をそれぞれ形成した。
さLが156mmであって、軸方向Xに対して垂直な断面における流通孔の単位面積当たり
の個数を300CPSIとした。また、成形体の作製で用いる押出成形機は、ハニカム構造
体11,12における隔壁部T1,T2,T3,T4のそれぞれの平均厚みが、表1に示す値となるように、成形体の隔壁部を形成するためのスリットを有する成形型をそれぞれ装着して用いた。
厚みを求め、その値を表1に示した。
の各試料は、内径および高さがそれぞれ175mm,640mmであるゴム製の容器の内部に個別に収容し、容器の内部を充填する媒体は水とし、圧力上昇速度を0.3MPa/分として
加圧した。
A2の隔壁部T2の平均厚みと第1の領域A1の隔壁部T1の平均厚みとの差が、第2の領域A2の隔壁部T4の平均厚みと第1の領域A1の隔壁部T3の平均厚みとの差が等しい試料No.10よりもアイソスタティック強度が高く、筒状部5の外側から受ける外圧に対する機械的強度が高くなっていることがわかる。
Lが156mmであって、軸方向Aに対して垂直な断面における流通孔の単位面積当たりの
個数が300CPSIとした。また、成形体の作製で用いる押出成形機は、ハニカム構造体12における隔壁部T1,T2,T3,T4のそれぞれの厚みが、表2に示す値となるよう
に、成形体の隔壁部を形成するためのスリットを有する成形型をそれぞれ装着して用いた。
均厚みを求め、その値を表2に示した。
。
、再生した後に、隔壁部T1,T2,T3,T4を目視で観察し、クラックが初めて観察されたサイクル数を表2に示した。
2:隔壁部
3:流入路
4:流出路
5:筒状部
6:断熱材層
7:ケース
8:排気管
9:封止材
10:ガス処理装置
Claims (5)
- 筒状部と、
該筒状部の内側に、流体が流れる複数の流通孔が形成されるように格子状に配置された隔壁部とを備え、前記流体が流れる方向に直交する断面において、第1の領域と、該第1の領域の外側に位置する第2の領域とを有しているとともに、
前記複数の流通孔は、第1の流通孔と、該第1の流通孔より開口径が大きい第2の流通孔とを交互に備えており、前記第2の領域における、隣接する前記第2の流通孔の間の隔壁部T2の平均厚みが、前記第1の領域における、隣接する前記第2の流通孔の間の隔壁部T1の平均厚みよりも厚いことを特徴とするハニカム構造体。 - 前記第2の領域における、隣接する前記第1の流通孔と前記第2の流通孔との間の隔壁部T4の平均厚みが、前記第1の領域における、隣接する前記第1の流通孔と前記第2の流通孔との間の隔壁部T3の平均厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1に記載のハニカム構造体。
- 前記第2の領域の隔壁部T2の平均厚みと前記第1の領域の隔壁部T1の平均厚みとの差が、前記第2の領域の隔壁部T4の平均厚みと前記第1の領域の隔壁部T3の平均厚みとの差より大きいことを特徴とする請求項2に記載のハニカム構造体。
- 前記隔壁部T1,T2,T3,T4のそれぞれの厚みが、前記筒状部に向けて漸次厚くなっていることを特徴とする請求項3に記載のハニカム構造体。
- 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のハニカム構造体を備えていることを特徴とするガス処理装置。
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