JP2013016372A - Electric optical device and electronic apparatus - Google Patents

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Taku Akagawa
卓 赤川
Takashi Fukagawa
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electric optical device achieving high sealing performance.SOLUTION: An electric optical device 1 of this invention includes: a substrate 10; a first electrode 12 formed on the substrate 10; a second electrode 13 formed facing the first electrode 12; a first inorganic sealing layer 14 formed covering the second electrode 13; an organic intermediate layer 15 formed on the first inorganic sealing layer 14; a sealing layer 16 formed contacting with an end part of the organic intermediate layer 15; and a second inorganic sealing layer 17 formed on the organic intermediate layer 15. The sealing layer 16 includes an inorganic material, and the second inorganic sealing layer 17 is in contact with the organic intermediate layer 15. An end part of the second inorganic sealing layer 17 is in contact with the sealing layer 16.

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.

水分や酸素の浸入から表示部を保護する薄膜封止構造を備えた電気光学装置として、特許文献1に記載の電気光学装置が知られている。特許文献1の電気光学装置は、表示部の表面に、第1無機封止層、有機中間層および第2無機封止層を順次積層し、水分や酸素の侵入から表示部を保護している。   As an electro-optical device provided with a thin-film sealing structure that protects a display unit from moisture and oxygen intrusion, an electro-optical device described in Patent Document 1 is known. In the electro-optical device disclosed in Patent Document 1, a first inorganic sealing layer, an organic intermediate layer, and a second inorganic sealing layer are sequentially stacked on the surface of the display unit to protect the display unit from intrusion of moisture and oxygen. .

ところで、表示部が形成される基板の外周部には、第2電極と接続されるドライバー回路や上下コンタクト配線等が引き回されており、凹凸が多い。そのため、第2無機封止層の外周部(第2無機封止層の基板の外周部に形成された部分)に剥離やクラック等が生じる場合がある。そのため、特許文献1の電気光学装置では、第2無機封止層の外周部にエポキシ樹脂からなる外殻補強層を形成し、第2無機封止層の外周部に剥離やクラック等が生じることを抑制している。   Meanwhile, a driver circuit connected to the second electrode, upper and lower contact wirings, and the like are routed around the outer peripheral portion of the substrate on which the display portion is formed, and there are many irregularities. For this reason, peeling or cracking may occur in the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer (the portion formed on the outer peripheral portion of the substrate of the second inorganic sealing layer). Therefore, in the electro-optical device disclosed in Patent Document 1, an outer shell reinforcing layer made of an epoxy resin is formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer, and peeling or cracking or the like occurs on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer. Is suppressed.

特開2006−222071号公報JP 2006-222071 A

外殻補強層は、有機中間層が熱変形により膨張、収縮した際に、第2無機封止層を外側から補強するものである。第2無機封止層は基板上に形成された大きな凹凸の上に形成されているので、外殻補強層によって外側から補強されたとしても、依然として、剥離やクラック等の生じやすい状態にある。第2無機封止層に剥離やクラック等が生じると、外殻補強層は有機材料で構成されているので、剥離やクラックなどが生じた部分から水分等が表示部に容易に浸入する惧れがある。   The outer shell reinforcing layer reinforces the second inorganic sealing layer from the outside when the organic intermediate layer expands and contracts due to thermal deformation. Since the second inorganic sealing layer is formed on the large unevenness formed on the substrate, even if the second inorganic sealing layer is reinforced from the outside by the outer shell reinforcing layer, it is still in a state where peeling or cracking is likely to occur. If peeling or cracking occurs in the second inorganic sealing layer, the outer shell reinforcing layer is made of an organic material, so that moisture or the like may easily enter the display portion from the part where peeling or cracking occurs. There is.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、高い封止性能を備えた電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus having high sealing performance.

上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、基板と、前記基板上に形成された第1電極と、前記第1電極と対向して形成された第2電極と、前記第2電極を覆って形成された第1無機封止層と、前記第1無機封止層上に形成された有機中間層と、前記有機中間層の端部に接して形成された封止層と、前記有機中間層上に形成された第2無機封止層と、を有し、前記封止層は無機材料を含み、前記第2無機封止層は前記有機中間層と接しており、前記第2無機封止層の端部は前記封止層と接していることを特徴とする。   In order to solve the above problem, an electro-optical device according to the present invention includes a substrate, a first electrode formed on the substrate, a second electrode formed to face the first electrode, and the second electrode. A first inorganic sealing layer formed over the electrode, an organic intermediate layer formed on the first inorganic sealing layer, a sealing layer formed in contact with an end of the organic intermediate layer, A second inorganic sealing layer formed on the organic intermediate layer, wherein the sealing layer contains an inorganic material, the second inorganic sealing layer is in contact with the organic intermediate layer, and The end of the two inorganic sealing layers is in contact with the sealing layer.

この構成によれば、第1無機封止層、封止層、及び第2無機封止層が、第2電極を封止するガスバリア層として機能する。本発明では、有機中間層の端部に接する封止層を設けている。基板においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分の上に、封止層を十分な厚みを持たせて形成することで、基板の凹凸を平坦化させることができる。そのため、当該封止層と接する第2無機封止層の端部に剥離やクラック等が生じることを抑制することができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を向上させることが可能な電気光学装置を提供することができる。   According to this configuration, the first inorganic sealing layer, the sealing layer, and the second inorganic sealing layer function as a gas barrier layer that seals the second electrode. In this invention, the sealing layer which contact | connects the edge part of an organic intermediate layer is provided. By forming the sealing layer with a sufficient thickness on a portion where the driver circuit or the like is drawn around the substrate and has a lot of unevenness, the unevenness of the substrate can be flattened. Therefore, it can suppress that peeling, a crack, etc. arise in the edge part of the 2nd inorganic sealing layer which contact | connects the said sealing layer. Therefore, an electro-optical device that can improve the coverage of the gas barrier layer can be provided.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、前記有機中間層の外側に形成されていてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the sealing layer may be formed outside the organic intermediate layer.

この構成によれば、基板の外周部(基板においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分が特に多い領域)の上に、封止層を形成することができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を確実に向上させることができる。   According to this configuration, the sealing layer can be formed on the outer peripheral portion of the substrate (a region where a driver circuit or the like is drawn around the substrate and a portion having a lot of unevenness is particularly large). Therefore, the coverage of the gas barrier layer can be reliably improved.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、前記有機中間層を囲んで形成されていてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the sealing layer may be formed so as to surround the organic intermediate layer.

この構成によれば、第2電極が封止層によって完全に密閉されるので、封止層から水分等が第2電極及び第1電極に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to this configuration, since the second electrode is completely sealed by the sealing layer, it is possible to prevent moisture and the like from entering the second electrode and the first electrode from the sealing layer. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電気光学装置は、前記封止層と、前記第2無機封止層の端部とが接する領域が、前記有機中間層を囲んでいてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a region where the sealing layer and an end of the second inorganic sealing layer are in contact may surround the organic intermediate layer.

この構成によれば、第2電極が封止層と第2無機封止層とによって完全に密閉されるので、封止層と第2無機封止層との界面から水分等が第2電極及び第1電極に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to this configuration, since the second electrode is completely sealed by the sealing layer and the second inorganic sealing layer, moisture or the like is transferred from the interface between the sealing layer and the second inorganic sealing layer. Intrusion into the first electrode can be suppressed. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、前記第1無機封止層上に、前記第1無機封止層と接して形成されていてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the sealing layer may be formed on the first inorganic sealing layer in contact with the first inorganic sealing layer.

この構成によれば、封止層及び第1無機封止層の双方が無機材料を含むため、封止層と第1無機封止層とがしっかりと密着する。このため、封止層と第1無機封止層との界面から水分等が第2電極及び第1電極に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to this configuration, since both the sealing layer and the first inorganic sealing layer contain an inorganic material, the sealing layer and the first inorganic sealing layer are firmly adhered. For this reason, it can suppress that a water | moisture content etc. permeate into a 2nd electrode and a 1st electrode from the interface of a sealing layer and a 1st inorganic sealing layer. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、前記第1無機封止層の端部と前記第2無機封止層の端部の間に位置することが望ましい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the sealing layer is located between an end portion of the first inorganic sealing layer and an end portion of the second inorganic sealing layer.

この構成によれば、封止層が第2無機封止層の外周部の上に形成された構成とは異なり、封止層が第1無機封止層と第2無機封止層17とで挟み込まれた構成となる。よって、パネル額縁を小さくすることができる。   According to this configuration, unlike the configuration in which the sealing layer is formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer, the sealing layer is composed of the first inorganic sealing layer and the second inorganic sealing layer 17. It becomes the structure inserted | pinched. Therefore, the panel frame can be reduced.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、前記基板に接していてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the sealing layer may be in contact with the substrate.

この構成によれば、基板(基板の表面部分)が無機材料を含む場合、封止層と基板とがしっかりと密着する。このため、封止層と基板との界面から水分等が第2電極及び第1電極に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to this structure, when a board | substrate (surface part of a board | substrate) contains an inorganic material, a sealing layer and a board | substrate adhere firmly. For this reason, it can suppress that a water | moisture content etc. permeate into a 2nd electrode and a 1st electrode from the interface of a sealing layer and a board | substrate. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電気光学装置は、前記第2無機封止層上にカラーフィルター層が形成されていてもよい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a color filter layer may be formed on the second inorganic sealing layer.

電気光学装置の小型化を図る方法として、ガスバリア層上に直接カラーフィルター層を形成する方法がある。特許文献1では、ガスバリア層の外周部に形成される外殻補強層が樹脂からなるため、カラーフィルター層を形成する際のフォトリソ工程で外殻補強層に吸湿、膨潤、溶解等の異常が発生する惧れがあった。これに対し、本発明では、封止層が無機材料を含み、第2無機封止層が封止層に接する構成である。また、第2無機封止層には樹脂からなる外殻補強層が形成されていない。このため、カラーフィルター層が第2無機封止層上に直接形成されても、上述した異常が発生することがない。よって、電気光学装置の小型化を図ることが容易となる。   As a method for reducing the size of the electro-optical device, there is a method in which a color filter layer is directly formed on a gas barrier layer. In Patent Document 1, since the outer shell reinforcing layer formed on the outer peripheral portion of the gas barrier layer is made of resin, abnormalities such as moisture absorption, swelling, and dissolution occur in the outer shell reinforcing layer in the photolithography process when forming the color filter layer. There was a fear. In contrast, in the present invention, the sealing layer includes an inorganic material, and the second inorganic sealing layer is in contact with the sealing layer. Moreover, the outer shell reinforcing layer made of resin is not formed on the second inorganic sealing layer. For this reason, even if the color filter layer is directly formed on the second inorganic sealing layer, the above-described abnormality does not occur. Therefore, it is easy to reduce the size of the electro-optical device.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、ポリシラザン、ポリシロキサンの少なくとも1つを含む材料からなることが望ましい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the sealing layer is made of a material containing at least one of polysilazane and polysiloxane.

この構成によれば、封止層から水分等が第2電極及び第1電極に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to this structure, it can suppress that a water | moisture content etc. permeate into a 2nd electrode and a 1st electrode from a sealing layer. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電気光学装置は、前記第1無機封止層と、前記第2無機封止層とが、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、アルミナの少なくとも1つを含む材料からなることが望ましい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the first inorganic sealing layer and the second inorganic sealing layer are made of a material containing at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and alumina. It is desirable.

この構成によれば、ガスバリア層の封止性を向上させることを実現することができる。   According to this configuration, it is possible to improve the sealing performance of the gas barrier layer.

本発明の電気光学装置は、前記封止層が、塗布によって形成されたことが望ましい。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, it is preferable that the sealing layer is formed by coating.

この構成によれば、スパッタやCVD等により形成される封止層に比べて、形成される封止層の厚みが大きい。そのため、基板の外周部においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分の上に、封止層を十分な厚みを持たせて形成することができる。これにより、封止層で基板の凹凸を平坦化させることができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を向上させることができる。   According to this configuration, the thickness of the sealing layer formed is larger than the sealing layer formed by sputtering, CVD, or the like. Therefore, the sealing layer can be formed with a sufficient thickness on a portion where the driver circuit or the like is routed around the outer peripheral portion of the substrate and has many irregularities. Thereby, the unevenness | corrugation of a board | substrate can be planarized with a sealing layer. Therefore, the coverage of the gas barrier layer can be improved.

本発明の電子機器は、前記電気光学装置を備えていることを特徴とする。   According to another aspect of the invention, an electronic apparatus includes the electro-optical device.

この電子機器によれば、上述した電気光学装置を備えているので、高品質な画像表示が可能な信頼性に優れた電子機器を提供することができる。   According to this electronic apparatus, since the above-described electro-optical device is provided, it is possible to provide a highly reliable electronic apparatus capable of displaying a high-quality image.

本発明の第1実施形態の有機EL装置の模式図である。1 is a schematic diagram of an organic EL device according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態の有機EL装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の有機EL装置の模式図である。It is a schematic diagram of the organic electroluminescent apparatus of 3rd Embodiment of this invention. 電子機器の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of an electronic device. 従来例の有機EL装置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the organic EL apparatus of a prior art example.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, an actual structure and a scale, a number, and the like in each structure are different.

(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL装置の模式図である。図1(a)は平面図であり、図1(b)は要部断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a schematic diagram of an organic EL device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view of the main part.

なお、以下に示す実施の形態において電気光学装置は、有機機能材料の一例である有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いた有機EL装置を挙げて説明する。   In the following embodiments, the electro-optical device will be described using an organic EL device using an organic electroluminescence (EL) material which is an example of an organic functional material.

図1に示すように、有機EL装置1は、TFT19等の各種配線が形成された基板10と、基板10上に形成された絶縁膜7と、平坦化層8と、平坦化層8上に形成された画素電極(第1電極)12と対向電極(第2電極)13の間に発光層11を挟持した発光素子と、発光素子を区切る画素隔壁9と、第1無機封止層14と、有機中間層15と、封止層16と、第2無機封止層17と、を含んで構成されている。なお、本実施形態において、第1無機封止層14、封止層16、及び第2無機封止層17は、ガスバリア層として機能する。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 includes a substrate 10 on which various wirings such as TFTs 19 are formed, an insulating film 7 formed on the substrate 10, a planarization layer 8, and a planarization layer 8. A light-emitting element having the light-emitting layer 11 sandwiched between the pixel electrode (first electrode) 12 and the counter electrode (second electrode) 13 formed; a pixel partition wall 9 that separates the light-emitting element; and a first inorganic sealing layer 14 The organic intermediate layer 15, the sealing layer 16, and the second inorganic sealing layer 17 are included. In the present embodiment, the first inorganic sealing layer 14, the sealing layer 16, and the second inorganic sealing layer 17 function as a gas barrier layer.

本実施形態の有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、TFT)を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線と、各走査線に対して略直角に交差する方向に延びる複数の信号線と、各信号線に並列に延びる複数の電源線とからなる配線構成を有する。なお、本発明においてはTFTなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて単純マトリクス駆動させてもよい。   The organic EL device 1 of the present embodiment is an active matrix type using thin film transistors (hereinafter referred to as TFTs) as switching elements, and intersects a plurality of scanning lines substantially at right angles to each scanning line. The wiring structure includes a plurality of signal lines extending in the direction and a plurality of power supply lines extending in parallel with each signal line. In the present invention, an active matrix using a TFT or the like is not essential, and simple matrix driving may be performed using an element substrate for a simple matrix.

基板10としては、いわゆるトップエミッション方式を採用する場合、基板の対向側であるガスバリア層側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。   When the so-called top emission method is adopted as the substrate 10, since the emitted light is extracted from the gas barrier layer side that is the opposite side of the substrate, either a transparent substrate or an opaque substrate can be used. Examples of opaque substrates include ceramics such as alumina, metal sheets such as stainless steel that have been subjected to insulation treatment such as surface oxidation, thermosetting resins and thermoplastic resins, and films thereof (plastic films). It is done.

また、いわゆるボトムエミッション方式を採用する場合、基板側から発光光を取り出す構成であるので、基板としては、透明あるいは半透明の基板が用いられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子(樹脂)を用いることができる。また、前記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本実施形態では、トップエミッション方式を採用し、基板10の材料として前述した不透明のプラスチックフィルムを用いる。   In addition, when the so-called bottom emission method is adopted, since the emitted light is extracted from the substrate side, a transparent or translucent substrate is used as the substrate. As the transparent substrate, for example, an inorganic substance such as glass, quartz glass, or silicon nitride, or an organic polymer (resin) such as an acrylic resin or a polycarbonate resin can be used. A composite material formed by laminating or mixing the materials can also be used. In this embodiment, the top emission method is adopted, and the above-described opaque plastic film is used as the material of the substrate 10.

基板10上には、有機EL装置1を駆動させるための各種配線やスイッチング用TFTや駆動用TFTなどの駆動素子19、及び無機材料または有機材料からなる絶縁膜7などが形成されている。各種配線や駆動素子19は、フォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いてパターニングすることで形成されている。絶縁膜7は、蒸着法やCVD法、スパッタ法などの公知の成膜法によって形成されている。   On the substrate 10, various wirings for driving the organic EL device 1, driving elements 19 such as switching TFTs and driving TFTs, an insulating film 7 made of an inorganic material or an organic material, and the like are formed. Various wirings and drive elements 19 are formed by patterning using a photolithography technique, an etching technique, or the like. The insulating film 7 is formed by a known film forming method such as a vapor deposition method, a CVD method, or a sputtering method.

絶縁膜7は、酸化シリコン(SiO)、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等の無機絶縁材料で形成されている。 Insulating film 7, a silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiN), it is formed of an inorganic insulating material such as silicon oxynitride (SiON).

画素電極12は、仕事関数が5eV以上の正孔注入効果が高い材料によって形成されたものである。このような材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)等の金属酸化物が用いられる。なお、本実施形態ではトップエミッション方式が採用されているため、画素電極12は透光性を備える必要がない。したがって、本実施形態では、前記ITOからなる透明導電層の下側に、Al等の光反射性金属層が形成されて積層構造とされ、この積層構造によって画素電極12が形成されている。   The pixel electrode 12 is formed of a material having a high hole injection effect having a work function of 5 eV or more. As such a material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) is used. In this embodiment, since the top emission method is adopted, the pixel electrode 12 does not need to have translucency. Therefore, in this embodiment, a light reflective metal layer such as Al is formed under the transparent conductive layer made of ITO to form a laminated structure, and the pixel electrode 12 is formed by this laminated structure.

有機機能層11は、本実施形態では低分子系の有機EL材料からなる有機発光層を含んで形成されたものである。このような有機機能層11としては、例えば画素電極側から正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層が順次積層された構造が知られており、さらに正孔輸送層や電子輸送層を省略した構造や、正孔注入層と正孔輸送層との両方の機能を備えた正孔注入・輸送層を用いたり、電子注入層と電子輸送層との両方の機能を備えた電子注入・輸送層を用いた構造などが知られている。本発明では、このような構造のうち適宜な構造が選択され、形成されている。   In this embodiment, the organic functional layer 11 is formed including an organic light emitting layer made of a low molecular organic EL material. As such an organic functional layer 11, for example, a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked from the pixel electrode side is known. A structure in which the hole transport layer and the electron transport layer are omitted, a hole injection / transport layer having both functions of the hole injection layer and the hole transport layer, or both the electron injection layer and the electron transport layer are used. A structure using an electron injecting / transporting layer having the above functions is known. In the present invention, an appropriate structure is selected and formed from such structures.

また、有機機能層11の材料としては、それぞれ公知のものを用いることができる。
例えば、有機発光層の材料としては、本実施形態では白色発光する有機発光材料として、スチリルアミン系発光材料などが用いられる。
さらに、正孔注入層の材料としては、トリアリールアミン(ATP)多量体などが用いられ、正孔輸送層の材料としては、TDP(トリフェニルジアミン)系のものなどが用いられ、電子注入・輸送層の材料としては、アルミニウムキノリノール(Alq3)などが用いられる。
Moreover, as a material of the organic functional layer 11, a well-known thing can be used, respectively.
For example, as the material for the organic light emitting layer, a styrylamine light emitting material or the like is used as the organic light emitting material that emits white light in the present embodiment.
Furthermore, as the material for the hole injection layer, triarylamine (ATP) multimers are used, and as the material for the hole transport layer, TDP (triphenyldiamine) -based materials are used. Aluminum quinolinol (Alq3) or the like is used as the material for the transport layer.

有機機能層11上には、該有機機能層11を覆って、対向電極13が形成されている。対向電極13は、本実施形態ではトップエミッション方式であり、光取り出し側となることから、透明導電材料により形成されている。透明導電材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)が好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜(Indium Zinc Oxide:IZO/アイ・ゼット・オー(登録商標))等を用いることができる。なお、本実施形態ではITOを用いる。   A counter electrode 13 is formed on the organic functional layer 11 so as to cover the organic functional layer 11. In the present embodiment, the counter electrode 13 is a top emission method and is formed of a transparent conductive material because it is on the light extraction side. As the transparent conductive material, for example, ITO (Indium Tin Oxide: Indium Tin Oxide) is suitable, but other than this, for example, indium oxide / zinc oxide based amorphous transparent conductive film (Indium Zinc Oxide: IZO / I Zet O (registered trademark)) or the like can be used. In this embodiment, ITO is used.

また、対向電極13は、電子注入効果の大きい材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。また、透明なITO、酸化錫などの金属酸化物導電層を積層することで電気抵抗の低減を行うことが好ましい。なお、本実施形態では、フッ化リチウムとマグネシウム−銀合金、ITOの積層体を、透明性が得られる膜厚に調整して用いるものとする。   The counter electrode 13 is preferably made of a material having a large electron injection effect. For example, calcium, magnesium, sodium, lithium metal, or a metal compound thereof. Examples of the metal compound include metal fluorides such as calcium fluoride, metal oxides such as lithium oxide, and organometallic complexes such as acetylacetonato calcium. Moreover, it is preferable to reduce electrical resistance by laminating transparent metal oxide conductive layers such as ITO and tin oxide. In the present embodiment, a laminate of lithium fluoride, magnesium-silver alloy, and ITO is used by adjusting the film thickness to obtain transparency.

なお、対向電極13は、基板10上に形成された図示しないコンタクト部に接続されている。コンタクト部は、基板10の一辺に沿って設けられた図1(a)に示す端子部18に接続されている。   The counter electrode 13 is connected to a contact portion (not shown) formed on the substrate 10. The contact portion is connected to a terminal portion 18 shown in FIG. 1A provided along one side of the substrate 10.

本実施形態の有機EL装置1では、前記の画素電極12と機能層11と対向電極13とにより、有機EL素子が形成されている。すなわち、画素電極12と対向電極13との間に電圧が印加されると、画素電極12から正孔注入層に正孔が注入され、正孔輸送層を介して有機発光層に輸送される。また、対向電極13から電子注入層に電子が注入され、電子輸送層を介して有機発光層に輸送される。すると、有機発光層に輸送された正孔と電子とが再結合することにより、有機発光層が発光するようになっている。   In the organic EL device 1 of the present embodiment, an organic EL element is formed by the pixel electrode 12, the functional layer 11, and the counter electrode 13. That is, when a voltage is applied between the pixel electrode 12 and the counter electrode 13, holes are injected from the pixel electrode 12 into the hole injection layer and transported to the organic light emitting layer through the hole transport layer. Further, electrons are injected from the counter electrode 13 into the electron injection layer and transported to the organic light emitting layer through the electron transport layer. Then, the holes and electrons transported to the organic light emitting layer are recombined, so that the organic light emitting layer emits light.

有機発光層から画素電極側に出射した光は、前記した透明導電層を透過して光反射性金属層に反射され、再度有機発光層側に入射するようになっている。なお、対向電極13は半透過反射膜として機能するので、所定範囲の波長以外の光は光反射性金属層側に反射され対向電極13と光反射性金属層との間で往復する。このようにして、対向電極13と光反射性金属層との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。すなわち、対向電極13と光反射性金属層とを含んだこれらの間が共振器として機能するようになっており、発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光を射出させることが可能になっている。ここで、前記光学的距離は、対向電極13と光反射性金属層との間に含まれる層の光学的距離の和によって求められ、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。   The light emitted from the organic light emitting layer to the pixel electrode side passes through the transparent conductive layer, is reflected by the light reflective metal layer, and enters the organic light emitting layer side again. Since the counter electrode 13 functions as a transflective film, light other than a wavelength in a predetermined range is reflected to the light reflective metal layer side and reciprocates between the counter electrode 13 and the light reflective metal layer. In this way, only light having a resonance wavelength corresponding to the optical distance between the counter electrode 13 and the light reflective metal layer is amplified and extracted. That is, the space between the counter electrode 13 and the light-reflective metal layer that functions as a resonator can emit light having a high emission luminance and a sharp spectrum. . Here, the optical distance is obtained by the sum of the optical distances of the layers included between the counter electrode 13 and the light-reflecting metal layer, and the optical distance of each layer is determined by the film thickness and the refractive index. Calculated by product.

第1無機封止層14は、対向電極13の基板10上で露出する部位全体を覆って形成されている。第1無機封止層14は、酸素や水分が浸入するのを遮断するためのものである。本実施形態において、第1無機封止層14は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、アルミナの少なくとも1つを含む材料によって形成されている。第1無機封止層14は、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成することが好ましい。   The first inorganic sealing layer 14 is formed so as to cover the entire portion of the counter electrode 13 exposed on the substrate 10. The first inorganic sealing layer 14 is for blocking oxygen and moisture from entering. In the present embodiment, the first inorganic sealing layer 14 is formed of a material containing at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and alumina. The first inorganic sealing layer 14 needs to be a dense and defect-free film to block gas such as water vapor, and can be formed using a high-density plasma film forming method that can form a dense film at a low temperature. preferable.

有機中間層15は、第1無機封止層14上において少なくとも対向電極13と対向する領域を覆って形成されている。有機中間層15は、画素部11(有機機能層)の形状の影響により、凹凸状に形成された対向電極13の凹凸部分を埋めるように配置される。有機中間層15は、基板10の反りや体積膨張により発生する応力を緩和する機能を有する。また、有機中間層15の上面は略平坦化されている。有機中間層15は、例えばスクリーン印刷方やディスペンス法などを用いて形成することができる。   The organic intermediate layer 15 is formed on the first inorganic sealing layer 14 so as to cover at least a region facing the counter electrode 13. The organic intermediate layer 15 is disposed so as to fill the uneven portion of the counter electrode 13 formed in an uneven shape due to the influence of the shape of the pixel portion 11 (organic functional layer). The organic intermediate layer 15 has a function of relieving stress generated by warping or volume expansion of the substrate 10. Further, the upper surface of the organic intermediate layer 15 is substantially flattened. The organic intermediate layer 15 can be formed using, for example, a screen printing method or a dispensing method.

有機中間層15の形成材料としては、親油性で低吸水性を有する高分子材料、例えば、ポリオレフィン系またはポリエーテル系が好ましい。また、メチルトリメトキシシランやテトラエトキシシランなどのアルコキシシランを加水分解させて縮合させた有機珪素ポリマーでもよい。また、アクリルポリオールやメタクリポリオール、ポリエステルポリオール、ポリエーテルポリオール、ポリウレタンポリオール、を主成分とし、トリレンジイソシアネートやキシリレンジイソシアネート等のイソシアネート化合物を重合した高分子誘導体や、ビスフェノール系エポキシ化合物にジカルボン酸無水物化合物やアミン化合物などを重合した高分子誘導体等を採用してもよい。更に、3−アミノプロピルトリメトキシシランや3 − グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤等の珪素化合物を含んだ高分子を用いることにより、第1無機封止層14や第2無機封止層17等の無機材料との界面の接着性を向上させることができる。   As a forming material of the organic intermediate layer 15, a polymer material having lipophilicity and low water absorption, for example, polyolefin or polyether is preferable. Alternatively, an organosilicon polymer obtained by hydrolyzing and condensing alkoxysilane such as methyltrimethoxysilane or tetraethoxysilane may be used. In addition, dicarboxylic acid anhydrides can be used for polymer derivatives and acrylic polymers such as tolylene diisocyanate and xylylene diisocyanate, which are mainly composed of acrylic polyol, methacryl polyol, polyester polyol, polyether polyol and polyurethane polyol. A polymer derivative obtained by polymerizing a physical compound or an amine compound may be employed. Furthermore, by using a polymer containing a silicon compound such as a silane coupling agent such as 3-aminopropyltrimethoxysilane and 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, the first inorganic sealing layer 14 and the second inorganic sealing layer 14 The adhesiveness of the interface with the inorganic material such as the sealing layer 17 can be improved.

また、有機中間層15の形成材料としては、低温で硬化する材料が好ましく、メタクリレート樹脂やエポキシ樹脂などを主成分とする紫外線硬化型樹脂を用いることもできる。紫外線硬化型樹脂を用いることにより、加熱処理を行うことなく有機中間層15が成膜されるので、加熱による発光層への悪影響を抑えることができる。   Further, as the material for forming the organic intermediate layer 15, a material that cures at a low temperature is preferable, and an ultraviolet curable resin mainly composed of a methacrylate resin, an epoxy resin, or the like can also be used. By using the ultraviolet curable resin, the organic intermediate layer 15 is formed without performing heat treatment, so that the adverse effect on the light emitting layer due to heating can be suppressed.

図5は、従来例の有機EL装置100の模式図である。図5(a)は平面図であり、図5(b)は要部断面図である。   FIG. 5 is a schematic diagram of a conventional organic EL device 100. FIG. 5A is a plan view, and FIG. 5B is a cross-sectional view of the main part.

表示部が形成される基板の外周部には、対向電極と接続されるドライバー回路や上下コンタクト配線等が引き回されており、凹凸が多い。そのため、第2無機封止層117の外周部(第2無機封止層の基板の外周部に形成された部分)に剥離やクラック等が生じる場合がある。   A driver circuit connected to the counter electrode, upper and lower contact wirings and the like are routed around the outer periphery of the substrate on which the display portion is formed, and there are many irregularities. For this reason, peeling or cracking may occur in the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer 117 (the portion formed on the outer peripheral portion of the substrate of the second inorganic sealing layer).

図5に示すように、従来例の有機EL装置100では、第2無機封止層117の外周部にエポキシ樹脂からなる外殻補強層116を形成している。これにより、第2無機封止層117の外周部に剥離やクラック等が生じることを抑制している。   As shown in FIG. 5, in the organic EL device 100 of the conventional example, an outer shell reinforcing layer 116 made of an epoxy resin is formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer 117. Thereby, it is suppressed that peeling, a crack, etc. arise in the outer peripheral part of the 2nd inorganic sealing layer 117. FIG.

しかしながら、外殻補強層116は、有機中間層115が熱変形により膨張、収縮した際に、第2無機封止層117を外側から補強するものである。第2無機封止層117は基板110上に形成された大きな凹凸の上に形成されているので、外殻補強層116によって外側から補強されたとしても、依然として、剥離やクラック等の生じやすい状態にある。第2無機封止層117に剥離やクラック等が生じると、外殻補強層116は有機材料で構成されているので、剥離やクラックなどが生じた部分から水分等が対向電極113及び画素電極112に容易に浸入する惧れがある。   However, the outer shell reinforcing layer 116 reinforces the second inorganic sealing layer 117 from the outside when the organic intermediate layer 115 expands and contracts due to thermal deformation. Since the second inorganic sealing layer 117 is formed on the large irregularities formed on the substrate 110, even if it is reinforced from the outside by the outer shell reinforcing layer 116, it still remains prone to peeling or cracking. It is in. When peeling or cracking occurs in the second inorganic sealing layer 117, the outer shell reinforcing layer 116 is made of an organic material, so that moisture or the like is transferred from the portion where peeling or cracking occurs to the counter electrode 113 and the pixel electrode 112. There is a risk of intrusion.

また、従来例の有機EL装置100では、第2無機封止層117の外周部の上に外殻補強層116が形成されているため、パネル額縁が大きくなってしまう。   Further, in the organic EL device 100 of the conventional example, since the outer shell reinforcing layer 116 is formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer 117, the panel frame becomes large.

そこで、本実施形態の有機EL装置1においては、少なくとも無機材料を含む封止材料を塗布して形成された封止層16が、有機中間層15の外周を覆って形成されている。封止層16は、基板10の外周部におけるガスバリア層(第2無機封止層17)の破壊(クラックの発生)を抑制するものである。   Therefore, in the organic EL device 1 of the present embodiment, the sealing layer 16 formed by applying a sealing material containing at least an inorganic material is formed so as to cover the outer periphery of the organic intermediate layer 15. The sealing layer 16 suppresses destruction (generation of cracks) of the gas barrier layer (second inorganic sealing layer 17) in the outer peripheral portion of the substrate 10.

本実施形態においては、封止層16が第1無機封止層14に接している。本実施形態の封止層16は、基板10上に形成されたドライバー回路や上下コンタクト配線等の凹凸部分を埋めるように配置される。つまり、封止層16は、第1無機封止層14の上に十分な厚みで形成される。このため、封止層16の上面は平坦化される。   In the present embodiment, the sealing layer 16 is in contact with the first inorganic sealing layer 14. The sealing layer 16 of the present embodiment is disposed so as to fill in uneven portions such as a driver circuit and upper and lower contact wirings formed on the substrate 10. That is, the sealing layer 16 is formed on the first inorganic sealing layer 14 with a sufficient thickness. For this reason, the upper surface of the sealing layer 16 is planarized.

封止層16は、例えばスクリーン印刷方やディスペンス法などを用いて形成することができる。なお、本実施形態では、封止層16が、有機中間層15の外周を平面視で閉じた枠状で覆って形成されている。   The sealing layer 16 can be formed using, for example, a screen printing method or a dispensing method. In the present embodiment, the sealing layer 16 is formed so as to cover the outer periphery of the organic intermediate layer 15 with a frame shape closed in a plan view.

本実施形態において、封止層16は、ポリシラザン、ポリシロキサンの少なくとも1つを含む材料によって形成されている。   In the present embodiment, the sealing layer 16 is formed of a material containing at least one of polysilazane and polysiloxane.

第2無機封止層17は、有機中間層15の基板上で露出する部位全体を覆うとともに封止層16と接して形成されている。これにより、有機中間層15は、第1無機封止層14と封止層16と第2無機封止層17とにより挟み込まれる構成となっている。第2無機封止層17は、有機中間層15の形状に倣って形成される。有機中間層15の上面は平坦化されているので、有機中間層15の上面に形成される第2無機封止層17も平坦化されている。   The second inorganic sealing layer 17 is formed in contact with the sealing layer 16 while covering the entire portion of the organic intermediate layer 15 exposed on the substrate. Thereby, the organic intermediate layer 15 is configured to be sandwiched between the first inorganic sealing layer 14, the sealing layer 16, and the second inorganic sealing layer 17. The second inorganic sealing layer 17 is formed following the shape of the organic intermediate layer 15. Since the upper surface of the organic intermediate layer 15 is flattened, the second inorganic sealing layer 17 formed on the upper surface of the organic intermediate layer 15 is also flattened.

本実施形態において、第2無機封止層17は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、アルミナの少なくとも1つを含む材料によって形成される。第2無機封止層17は、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法を用いて形成することが好ましい。なお、本実施形態では、第2無機封止層17が封止層16と接する部分が、平面視で閉じた枠状になっている。   In the present embodiment, the second inorganic sealing layer 17 is formed of a material containing at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and alumina. The second inorganic sealing layer 17 needs to be a dense and defect-free film to block gas such as water vapor, and can be formed using a high-density plasma film forming method that can form a dense film at low temperatures. preferable. In the present embodiment, the portion where the second inorganic sealing layer 17 is in contact with the sealing layer 16 has a frame shape closed in plan view.

本実施形態の有機EL装置1によれば、第1無機封止層14、封止層16、及び第2無機封止層17が、対向電極13を封止するガスバリア層として機能する。本発明では、有機中間層15の端部に接する封止層16を設けている。基板10においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分の上に、封止層16を十分な厚みを持たせて形成することで、基板10の凹凸を平坦化させることができる。そのため、当該封止層16と接する第2無機封止層17の端部に剥離やクラック等が生じることを抑制することができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を向上させることが可能な有機EL装置1を提供することができる。   According to the organic EL device 1 of the present embodiment, the first inorganic sealing layer 14, the sealing layer 16, and the second inorganic sealing layer 17 function as a gas barrier layer that seals the counter electrode 13. In the present invention, the sealing layer 16 in contact with the end of the organic intermediate layer 15 is provided. By forming the sealing layer 16 with a sufficient thickness on a portion where the driver circuit or the like is drawn around the substrate 10 and has many irregularities, the irregularities of the substrate 10 can be flattened. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of peeling or cracking at the end of the second inorganic sealing layer 17 in contact with the sealing layer 16. Therefore, the organic EL device 1 capable of improving the coverage of the gas barrier layer can be provided.

また、この構成によれば、封止層16が有機中間層15の外側に形成されているので、基板10の外周部(基板10においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分が特に多い領域)の上に、封止層16を形成することができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を確実に向上させることができる。   In addition, according to this configuration, since the sealing layer 16 is formed outside the organic intermediate layer 15, the outer peripheral part of the substrate 10 (particularly, the driver circuit or the like is drawn around the substrate 10 and there are many irregularities). The sealing layer 16 can be formed on the region. Therefore, the coverage of the gas barrier layer can be reliably improved.

また、この構成によれば、対向電極13が封止層16によって完全に密閉されるので、封止層16から水分等が対向電極13に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   Further, according to this configuration, since the counter electrode 13 is completely sealed by the sealing layer 16, it is possible to suppress moisture and the like from entering the counter electrode 13 from the sealing layer 16. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

また、この構成によれば、対向電極13が封止層16と第2無機封止層17とによって完全に密閉されるので、封止層16と第2無機封止層17との界面から水分等が対向電極13に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   In addition, according to this configuration, the counter electrode 13 is completely sealed by the sealing layer 16 and the second inorganic sealing layer 17, so that moisture is introduced from the interface between the sealing layer 16 and the second inorganic sealing layer 17. Or the like can be prevented from entering the counter electrode 13. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

また、この構成によれば、封止層16及び第1無機封止層14の双方が無機材料を含むため、封止層16と第1無機封止層14とがしっかりと密着する。このため、封止層16と第1無機封止層14との界面から水分等が対向電極13及び画素電極11に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   Moreover, according to this structure, since both the sealing layer 16 and the 1st inorganic sealing layer 14 contain an inorganic material, the sealing layer 16 and the 1st inorganic sealing layer 14 adhere firmly. For this reason, it is possible to prevent moisture and the like from entering the counter electrode 13 and the pixel electrode 11 from the interface between the sealing layer 16 and the first inorganic sealing layer 14. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

また、この構成によれば、封止層が第2無機封止層の外周部の上に形成された構成とは異なり、封止層16が第1無機封止層14と第2無機封止層17とで挟み込まれた構成となる。よって、パネル額縁を小さくすることができる。   Further, according to this configuration, unlike the configuration in which the sealing layer is formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer, the sealing layer 16 includes the first inorganic sealing layer 14 and the second inorganic sealing layer. The structure is sandwiched between the layers 17. Therefore, the panel frame can be reduced.

また、この構成によれば、封止層16が、ポリシラザン、ポリシロキサンの少なくとも1つを含む材料からなるので、封止層16から水分等が対向電極13及び画素電極11に浸入することを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   Further, according to this configuration, since the sealing layer 16 is made of a material containing at least one of polysilazane and polysiloxane, it is possible to prevent moisture and the like from entering the counter electrode 13 and the pixel electrode 11 from the sealing layer 16. can do. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

また、この構成によれば、第1無機封止層14と、第2無機封止層17とが、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、アルミナの少なくとも1つを含む材料からなるので、ガスバリア層の封止性を向上させることを実現することができる。   Further, according to this configuration, the first inorganic sealing layer 14 and the second inorganic sealing layer 17 are made of a material containing at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and alumina. Therefore, it is possible to improve the sealing performance of the gas barrier layer.

また、この構成によれば、封止層16が塗布によって形成されているので、スパッタやCVD等により形成される封止層に比べて、形成される封止層16の厚みが大きい。そのため、基板10の外周部においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分の上に、封止層16を十分な厚みを持たせて形成することができる。これにより、封止層16で基板10の凹凸を平坦化させることができる。よって、ガスバリア層のカバレッジ性を向上させることができる。   Further, according to this configuration, since the sealing layer 16 is formed by coating, the formed sealing layer 16 is thicker than a sealing layer formed by sputtering, CVD, or the like. Therefore, the sealing layer 16 can be formed with a sufficient thickness on a portion where the driver circuit or the like is drawn around the outer peripheral portion of the substrate 10 and has many irregularities. Thereby, the unevenness of the substrate 10 can be flattened by the sealing layer 16. Therefore, the coverage of the gas barrier layer can be improved.

なお、本実施形態においては、電気光学装置として、有機EL装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば電気光学装置として、無機エレクトロルミネッセンス装置を用いた場合においても本発明を適用することが可能である。   In the present embodiment, an organic EL device has been described as an example of an electro-optical device, but the present invention is not limited to this. For example, the present invention can be applied even when an inorganic electroluminescence device is used as the electro-optical device.

(第2実施形態)
図2は、本発明の第2実施形態の有機EL装置2の要部断面図である。
図2に示すように、本実施形態の有機EL装置2は、封止層26が基板10に接している点が上述の第1実施形態に係る有機EL装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part of the organic EL device 2 according to the second embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 2, the organic EL device 2 of the present embodiment is different from the organic EL device 1 according to the first embodiment described above in that the sealing layer 26 is in contact with the substrate 10. Since the other points are the same as the above-described configuration, the same elements as those in FIG.

第1実施形態の有機EL装置1では、封止層16が第1無機封止層14に接していた。これに対して、本実施形態の有機EL装置2では、封止層26が第1無機封止層24に接しておらず、基板10に直に接している。   In the organic EL device 1 of the first embodiment, the sealing layer 16 is in contact with the first inorganic sealing layer 14. On the other hand, in the organic EL device 2 of the present embodiment, the sealing layer 26 does not contact the first inorganic sealing layer 24 but directly contacts the substrate 10.

また、本実施形態の有機EL装置2では、中間封止層25が、第1無機封止層24の基板10上で露出する部位全体を覆って形成されている。   In the organic EL device 2 of the present embodiment, the intermediate sealing layer 25 is formed so as to cover the entire portion of the first inorganic sealing layer 24 exposed on the substrate 10.

本実施形態の有機EL装置2によれば、基板10(基板の表面部分)が無機材料を含む場合、封止層26と基板10とがしっかりと密着する。このため、封止層26と基板10との界面から水分等が対向電極13及び画素電極11に浸入することを抑制することができる。また、基板10の外周部においてドライバー回路等が引き回されて凹凸が多い部分の上に、封止層16が十分な厚みを持たせて形成されているため、封止層16で基板の凹凸を平坦化させることができ、当該封止層16と接する第2無機封止層17に剥離やクラック等が生じることを抑制することができる。よって、ガスバリア層の封止性を向上させることができる。   According to the organic EL device 2 of the present embodiment, when the substrate 10 (surface portion of the substrate) contains an inorganic material, the sealing layer 26 and the substrate 10 are firmly adhered. For this reason, it is possible to prevent moisture and the like from entering the counter electrode 13 and the pixel electrode 11 from the interface between the sealing layer 26 and the substrate 10. In addition, since the sealing layer 16 is formed with a sufficient thickness on a portion where the driver circuit or the like is routed around the outer peripheral portion of the substrate 10 and has a lot of unevenness, the sealing layer 16 has unevenness on the substrate. Can be flattened, and the second inorganic sealing layer 17 in contact with the sealing layer 16 can be prevented from peeling or cracking. Therefore, the sealing property of the gas barrier layer can be improved.

(第3実施形態)
図3は、本発明の第3実施形態の有機EL装置3の模式図である。図3(a)は平面図であり、図3(b)は要部断面図である。
図3に示すように、本実施形態の有機EL装置3は、第2無機封止層17上にカラーフィルター層30が形成されている点が上述の第1実施形態に係る有機EL装置1と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図1と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
(Third embodiment)
FIG. 3 is a schematic diagram of an organic EL device 3 according to the third embodiment of the present invention. 3A is a plan view, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the main part.
As shown in FIG. 3, the organic EL device 3 of the present embodiment is different from the organic EL device 1 according to the first embodiment described above in that the color filter layer 30 is formed on the second inorganic sealing layer 17. Is different. Since the other points are the same as the above-described configuration, the same elements as those in FIG.

本実施形態の有機EL装置3において、画素部11にはサブ画素がマトリクス状に配置されている。各々のサブ画素が備える有機機能層は、白色光を発光するように構成されている。各々のサブ画素は、R、G、Bに対応するカラーフィルター(赤色用カラーフィルター層30R、緑色用カラーフィルター層30G、青色用カラーフィルター層30B)により、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の各色の光を出射するようになっている。   In the organic EL device 3 of the present embodiment, the pixel unit 11 has sub-pixels arranged in a matrix. The organic functional layer provided in each subpixel is configured to emit white light. Each sub-pixel has red (R), green (G), and red (R), green (G), and color filters corresponding to R, G, and B (red color filter layer 30R, green color filter layer 30G, and blue color filter layer 30B). The light of each color of blue (B) is emitted.

表示領域においては、一方向に同一色のサブ画素が配列しており、いわゆるストライプ配置を構成している。そして、表示領域では、マトリクス状に配置されたサブ画素から出射し、カラーフィルター層30によってRGBの各色とされた光を混色させることにより、フルカラー表示を可能にしている。   In the display area, sub-pixels of the same color are arranged in one direction, forming a so-called stripe arrangement. In the display area, full-color display is enabled by mixing the light emitted from the sub-pixels arranged in a matrix and converted into RGB colors by the color filter layer 30.

このように、本実施形態においては、第2無機封止層17上に直接カラーフィルター層30を形成することにより、有機EL装置3の小型化を図ることができる。   Thus, in this embodiment, the organic EL device 3 can be reduced in size by forming the color filter layer 30 directly on the second inorganic sealing layer 17.

ところで、特許文献1では、図5に示すように、第2無機封止層117の外周部に形成される外殻補強層116が樹脂からなるため、カラーフィルター層を形成する際のフォトリソ工程で外殻補強層116に吸湿、膨潤、溶解等の異常が発生する惧れがあった。   Incidentally, in Patent Document 1, as shown in FIG. 5, the outer shell reinforcing layer 116 formed on the outer peripheral portion of the second inorganic sealing layer 117 is made of a resin, and therefore, in the photolithography process when forming the color filter layer. There was a possibility that abnormalities such as moisture absorption, swelling, and dissolution occurred in the outer shell reinforcing layer 116.

これに対し、本実施形態では、封止層16が少なくとも無機材料を含み、第2無機封止層17が封止層16に接する構成である。また、第2無機封止層17に樹脂からなる外殻補強層が形成された構成とはなっていない。このため、カラーフィルター層30が第2無機封止層17上に直接形成されても、上述した異常が発生することがない。よって、有機EL装置3の小型化を図ることが容易となる。   In contrast, in the present embodiment, the sealing layer 16 includes at least an inorganic material, and the second inorganic sealing layer 17 is in contact with the sealing layer 16. Moreover, it is not the structure by which the outer shell reinforcement layer which consists of resin was formed in the 2nd inorganic sealing layer 17. FIG. For this reason, even if the color filter layer 30 is directly formed on the second inorganic sealing layer 17, the above-described abnormality does not occur. Therefore, it becomes easy to reduce the size of the organic EL device 3.

(電子機器)
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機EL装置を表示部として有したものであり、具体的には図4 に示すものが挙げられる。
図4(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図4(a)において、携帯電話1000は、上述した有機EL装置3を用いた表示部1001を備える。
図4(b) は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図4(b)において、時計1100は、上述した有機EL装置3を用いた表示部1101を備える。
図4(c) は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図4(c) において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1202、上述した有機EL装置3を用いた表示部1206、情報処理装置本体(筐体)1204を備える。
(Electronics)
Next, the electronic apparatus of the present invention will be described.
The electronic device has the above-described organic EL device as a display unit, and specifically, the one shown in FIG.
FIG. 4A is a perspective view showing an example of a mobile phone. 4A, the mobile phone 1000 includes a display unit 1001 using the organic EL device 3 described above.
FIG. 4B is a perspective view showing an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 4B, the timepiece 1100 includes a display unit 1101 using the organic EL device 3 described above.
FIG. 4C is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. 4C, the information processing apparatus 1200 includes an input unit 1202 such as a keyboard, a display unit 1206 using the organic EL device 3 described above, and an information processing apparatus body (housing) 1204.

このように、図4(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機EL装置3を有した表示部1001,1101,1206を備えているので、高品質な画像表示が可能な信頼性に優れたものとなる。   As described above, each of the electronic devices shown in FIGS. 4A to 4C includes the display units 1001, 1101, and 1206 having the organic EL device 3 described above, so that high-quality image display is possible. Excellent reliability.

なお、電子機器としては、上記以外にも、エンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネル、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)などを挙げることができる。   In addition to the above, the electronic equipment includes an engineering workstation (EWS), a pager, a television, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, an electronic notebook, an electronic desk calculator, a car navigation device, a POS terminal, A touch panel, a head mounted display (HMD), etc. can be mentioned.

1,2,3…有機EL装置(電気光学装置)、10…基板、12…画素電極(第1電極)、13…対向電極(第2電極)、14,24…第1無機封止層、15,25…有機中間層、16,26…封止層、17…第2無機封止層、30…カラーフィルター層、1000…携帯電話(電子機器)、1100…時計(電子機器)、1200…情報処理装置(電子機器) 1, 2, 3 ... Organic EL device (electro-optical device), 10 ... substrate, 12 ... pixel electrode (first electrode), 13 ... counter electrode (second electrode), 14, 24 ... first inorganic sealing layer, DESCRIPTION OF SYMBOLS 15, 25 ... Organic intermediate layer, 16, 26 ... Sealing layer, 17 ... 2nd inorganic sealing layer, 30 ... Color filter layer, 1000 ... Cell-phone (electronic device), 1100 ... Clock (electronic device), 1200 ... Information processing equipment (electronic equipment)

Claims (12)

基板と、
前記基板上に形成された第1電極と、
前記第1電極と対向して形成された第2電極と、
前記第2電極を覆って形成された第1無機封止層と、
前記第1無機封止層上に形成された有機中間層と、
前記有機中間層の端部に接して形成された封止層と、
前記有機中間層上に形成された第2無機封止層と、を有し、
前記封止層は無機材料を含み、前記第2無機封止層は前記有機中間層と接しており、前記第2無機封止層の端部は前記封止層と接していることを特徴とする、電気光学装置。
A substrate,
A first electrode formed on the substrate;
A second electrode formed to face the first electrode;
A first inorganic sealing layer formed to cover the second electrode;
An organic intermediate layer formed on the first inorganic sealing layer;
A sealing layer formed in contact with an end of the organic intermediate layer;
A second inorganic sealing layer formed on the organic intermediate layer,
The sealing layer contains an inorganic material, the second inorganic sealing layer is in contact with the organic intermediate layer, and an end of the second inorganic sealing layer is in contact with the sealing layer, An electro-optical device.
前記封止層が、前記有機中間層の外側に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the sealing layer is formed outside the organic intermediate layer. 前記封止層が、前記有機中間層を囲んで形成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the sealing layer is formed so as to surround the organic intermediate layer. 前記封止層と、前記第2無機封止層の端部とが接する領域が、前記有機中間層を囲んでいることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electric field according to any one of claims 1 to 3, wherein a region where the sealing layer and an end of the second inorganic sealing layer are in contact surrounds the organic intermediate layer. Optical device. 前記封止層が、前記第1無機封止層上に、前記第1無機封止層と接して形成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の電気光学装置。   5. The electricity according to claim 1, wherein the sealing layer is formed on the first inorganic sealing layer in contact with the first inorganic sealing layer. 6. Optical device. 前記封止層が、前記第1無機封止層の端部と前記第2無機封止層の端部の間に位置することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The said sealing layer is located between the edge part of the said 1st inorganic sealing layer, and the edge part of the said 2nd inorganic sealing layer, It is any one of Claims 1-5 characterized by the above-mentioned. Electro-optic device. 前記封止層が、前記基板に接していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the sealing layer is in contact with the substrate. 前記第2無機封止層上にカラーフィルター層が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein a color filter layer is formed on the second inorganic sealing layer. 前記封止層が、ポリシラザン、ポリシロキサンの少なくとも1つを含む材料からなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the sealing layer is made of a material containing at least one of polysilazane and polysiloxane. 前記第1無機封止層と、前記第2無機封止層とが、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化窒化物、アルミナの少なくとも1つを含む材料からなることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の電気光学装置。   2. The first inorganic sealing layer and the second inorganic sealing layer are made of a material containing at least one of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, and alumina. The electro-optical device according to any one of? 前記封止層が、塗布によって形成されたことを特徴とする、請求項1〜10にいずれか一項に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the sealing layer is formed by coating. 請求項1〜11のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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