JP2011228229A - Organic electroluminescent device - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 239
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 37
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 13
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 13
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 9
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。 The present invention relates to an organic electroluminescence device.
有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)は自発光型の発光素子であり、発光した際に全方向へ発散して射出を行うといった性質を有している。したがって、全方向へ発散してしまう光を観察面である一方向に取り出すことにより、光の取り出し効率を高め、輝度や材料の寿命を向上させることが可能になる。 An organic electroluminescence element (organic EL element) is a self-luminous light-emitting element, and has a property that it emits light in all directions when emitted. Therefore, by extracting light that diverges in all directions in one direction, which is the observation surface, it is possible to improve the light extraction efficiency and improve the luminance and the life of the material.
そこで、従来では、光取り出しの方向性を持たせるべく、有機EL素子に対して観察面と反対の側に反射層を形成し、観察面と反対の側に発散する光を観察面側から取り出す構造が採用されている(例えば、特許文献1参照)。 Therefore, conventionally, in order to provide the direction of light extraction, a reflective layer is formed on the side opposite to the observation surface with respect to the organic EL element, and light that diverges on the side opposite to the observation surface is extracted from the observation surface side. A structure is employed (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、有機EL素子を多数形成した有機ELディスプレイなどでは、有機EL素子側から観察面側に向かって直進せずに斜め方向に出射した光が、対応する単位画素領域とは別の(例えば隣の)単位画素領域を通って取り出されてしまうことがある。すると、コントラストの低下を招いてしまう。また、特に単位画素領域にカラーフィルターが設けられたフルカラー表示の場合には、斜め方向に出射した光が隣の異なる色のカラーフィルターを通過してしまうことにより、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまう。 However, in an organic EL display in which a large number of organic EL elements are formed, light emitted in an oblique direction without going straight from the organic EL element side toward the observation surface side is different from the corresponding unit pixel area (for example, adjacent to the pixel area). May be taken out through the unit pixel area. Then, the contrast is lowered. In particular, in the case of full-color display in which a color filter is provided in the unit pixel region, light emitted in an oblique direction passes through a color filter of a different color next to it, so that a color different from the original display is displayed. Display will be made.
その対策として、従来では、観察面側となる対向基板側のブラックマトリクスを拡げることや、有機EL素子の開口率を小さくすること、有機EL素子と対向基板とのギャップを狭くすることなどがなされている。しかし、近年では有機ELディスプレイにおいてもさらなる高精細化が要求されている。したがって、ブラックマトリクスを拡げたり、有機EL素子の開口率を小さくすると、有機ELディスプレイの輝度が低下し、高精細化を妨げる要因になってしまい、好ましくない。また、有機EL素子と対向基板とのギャップを現状よりさらに狭くするのは、製造プロセスが難しくなり、生産性が低下してしまう。 As countermeasures, conventionally, the black matrix on the counter substrate side that is the observation surface side is expanded, the aperture ratio of the organic EL element is reduced, and the gap between the organic EL element and the counter substrate is narrowed. ing. However, in recent years, there has been a demand for higher definition in organic EL displays. Therefore, if the black matrix is expanded or the aperture ratio of the organic EL element is reduced, the luminance of the organic EL display is lowered, which becomes a factor that hinders high definition, which is not preferable. Further, if the gap between the organic EL element and the counter substrate is made further narrower than the current state, the manufacturing process becomes difficult and the productivity is lowered.
なお、前記特許文献1では、有機EL素子を形成した素子基板側から光を出射する、いわゆるボトムエミッション方式の発光パネルについて開示されているが、素子基板に対向する対向基板側から光を出射する、いわゆるトップエミッション方式の有機EL装置においても、より光の取り出し効率を高めることが要望されている。
The above-mentioned
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、特にトップエミッション型の有機EL装置において、より光の取り出し効率を高め、高精細化を可能にした有機EL装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an organic EL device that can increase the light extraction efficiency and achieve high definition, particularly in a top emission type organic EL device. There is to do.
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、陽極と陰極との間に、少なくとも有機発光層を含む機能層を有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子を形成した素子基板を備える有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記陽極及び前記陰極が共に透光性を有して形成され、
前記陽極の、前記陰極と反対の側に設けられた下地層に、凹面を有する反射層が設けられていることを特徴としている。
The organic electroluminescence device of the present invention is an organic electroluminescence device comprising an element substrate formed with an organic electroluminescence element having a functional layer including at least an organic light emitting layer between an anode and a cathode,
The anode and the cathode are both formed with translucency,
The base layer provided on the opposite side of the anode from the anode is provided with a reflective layer having a concave surface.
この有機エレクトロルミネッセンス装置によれば、陽極の下地層に凹面を有する反射層が設けられているので、機能層で発光し、透光性の陽極を透過して下地層側に向かった光が反射層で反射し、透光性の陰極を通って観察面側に出射するようになる。その際、反射層が凹面を有していることから、この反射層を反射した光は観察面の所定領域、例えば対応する単位画素領域に集光され、射出される。したがって、特にトップエミッション型の装置において、より光の取り出し効率を高めることができ、これにより高精細化を図ることができる。 According to this organic electroluminescent device, since the reflective layer having a concave surface is provided on the anode underlayer, light is emitted from the functional layer, and the light transmitted through the translucent anode and directed toward the underlayer is reflected. The light is reflected by the layer and passes through the light-transmitting cathode and is emitted to the observation surface side. At this time, since the reflective layer has a concave surface, the light reflected by the reflective layer is condensed and emitted to a predetermined region of the observation surface, for example, a corresponding unit pixel region. Therefore, particularly in a top emission type device, the light extraction efficiency can be further increased, and thereby high definition can be achieved.
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、前記単位画素領域間に遮光層が設けられ、前記遮光層の前記陰極側に、該遮光層に隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射凸部が、設けられているのが好ましい。
このようにすれば、対向基板側に出射した光の一部が、対応する単位画素領域に向かって直進せずに斜め方向に進み、遮光層に向かっても、反射凸部の反射面により反射層に向かって反射させられる。したがって、反射層でさらに反射されることにより、この反射光は対応する単位画素領域を通って出射するようになり、より光の取り出し効率が高まる。
Further, in the organic electroluminescence device, the element substrate is provided with a plurality of organic electroluminescence elements, and a counter substrate in which a unit pixel region corresponding to the organic electroluminescence element is formed on the cathode side of the element substrate. A reflection surface disposed between the unit pixel regions, the light-shielding layer being provided between the unit pixel regions, and facing the reflection layer of the organic electroluminescence element corresponding to the unit pixel region adjacent to the light-shielding layer on the cathode side of the light-shielding layer It is preferable that the reflective convex part which has is provided.
In this way, a part of the light emitted to the counter substrate side proceeds in an oblique direction without going straight toward the corresponding unit pixel region, and is reflected by the reflecting surface of the reflecting convex portion toward the light shielding layer. Reflected towards the layer. Accordingly, when the light is further reflected by the reflective layer, the reflected light is emitted through the corresponding unit pixel region, and the light extraction efficiency is further increased.
なお、前記反射凸部の反射面は、凹面になっているのが好ましい。
このようにすれば、この反射面を反射した光がより確実に反射層に向かうようになり、したがって光の取り出し効率がさらに高まる。
In addition, it is preferable that the reflective surface of the said reflective convex part is a concave surface.
In this way, the light reflected from the reflecting surface is more reliably directed to the reflecting layer, and thus the light extraction efficiency is further increased.
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記素子基板には有機エレクトロルミネッセンス素子が複数設けられ、前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、前記単位画素領域間の前記陰極側に、隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射体が、設けられているのが好ましい。
このようにすれば、対向基板側に出射した光の一部が、対応する単位画素領域に向かって直進せずに斜め方向に進み、単位画素領域間に向かっても、反射体の反射面により反射層に向かって反射させられる。したがって、反射層でさらに反射されることにより、この反射光は対応する単位画素領域を通って出射するようになり、より光の取り出し効率が高まる。
Further, in the organic electroluminescence device, the element substrate is provided with a plurality of organic electroluminescence elements, and a counter substrate in which a unit pixel region corresponding to the organic electroluminescence element is formed on the cathode side of the element substrate. Preferably, a reflector having a reflective surface facing the reflective layer of the organic electroluminescence element corresponding to each adjacent unit pixel region is provided on the cathode side between the unit pixel regions. .
In this way, a part of the light emitted to the counter substrate side proceeds in an oblique direction without going straight toward the corresponding unit pixel region, and also between the unit pixel regions, due to the reflecting surface of the reflector. Reflected toward the reflective layer. Accordingly, when the light is further reflected by the reflective layer, the reflected light is emitted through the corresponding unit pixel region, and the light extraction efficiency is further increased.
なお、前記反射体の反射面は、凹面になっているのが好ましい。
このようにすれば、この反射面を反射した光がより確実に反射層に向かうようになり、したがって光の取り出し効率がさらに高まる。
In addition, it is preferable that the reflective surface of the said reflector is a concave surface.
In this way, the light reflected from the reflecting surface is more reliably directed to the reflecting layer, and thus the light extraction efficiency is further increased.
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記単位画素領域に、カラーフィルターが設けられていてもよい。
このようにすれば、各有機エレクトロルミネッセンス素子から発光した光が対応する単位画素領域をより確実に通過するようになるため、異なる単位画素領域を通過し、したがって異なる色のカラーフィルターを通過してしまうことにより、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまうことが防止される。
In the organic electroluminescence device, a color filter may be provided in the unit pixel region.
In this way, the light emitted from each organic electroluminescence element passes through the corresponding unit pixel region more reliably, so that it passes through the different unit pixel region, and thus passes through the color filters of different colors. As a result, display of a color different from the original display is prevented.
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記下地層が、平坦化層からなっているのが好ましい。
このようにすれば、下地層が凹凸のない平坦化層となっているので、これの上に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子を均一な厚さに形成することができる。したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子間の厚さのばらつきを抑え、素子間での輝度の均一化を図ることができる。
Moreover, in the said organic electroluminescent apparatus, it is preferable that the said base layer consists of a planarization layer.
By doing so, since the underlayer is a flattened layer without unevenness, the organic electroluminescence element formed thereon can be formed with a uniform thickness. Therefore, variation in thickness between organic electroluminescence elements can be suppressed, and luminance can be made uniform between elements.
また、前記有機エレクトロルミネッセンス装置においては、前記陽極は、平面視した状態で前記反射層から外に出ることなく、該反射層の内側に位置しているのが好ましい。
このようにすれば、陽極を斜め方向に通って陽極の外側に抜けて下地層側に出射した光も、反射層で反射し、対応する単位画素領域に向かうようになる。
In the organic electroluminescence device, it is preferable that the anode is located inside the reflective layer without coming out of the reflective layer in a plan view.
In this way, the light that passes through the anode in the oblique direction and passes through the outside of the anode and is emitted to the base layer side is also reflected by the reflective layer and travels toward the corresponding unit pixel region.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
図1は、本発明の有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)の第1実施形態の概略構成を示す側断面図であり、図1中符号1は有機EL装置である。この有機EL装置1は、いわゆる「トップエミッション方式」の有機EL装置である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each figure, the scale is different for each member in order to make each member recognizable on the drawing.
FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a first embodiment of an organic EL device (organic electroluminescence device) according to the present invention, and
有機EL装置1は、複数の有機EL素子21が配置された素子基板20と、複数の有機EL素子21を覆って積層して形成された電極保護層17、有機緩衝層18、ガスバリア層19の各層と、この素子基板20の複数の有機EL素子21が配置された面に対向配置された対向基板30と、を備えている。これら素子基板20と対向基板30とは、シール材33および接着層34とを介して貼り合わされている。
The
有機EL素子21は、単色の発光色の光を発生するもので、本例では白色の光を発生する機能層12を有している。素子基板20上では、これら複数の有機EL素子21がマトリクス状に規則的に配列され、表示領域Lを形成している。なお、表示領域L外に相当する領域を非表示領域Mとする。
The
素子基板20は、素子基板本体20aと、素子基板本体20aの対向基板30側の面を覆う無機絶縁層14と、を備えている。素子基板本体20aは、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、また熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム(プラスチックフィルム)などが挙げられる。透明基板としては、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の有機高分子(樹脂)を用いることができる。また、光透過性を備えるならば、上記の材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。本例では、素子基板本体20aの材料としてガラスを用いる。
The
素子基板本体20a上には、複数の有機EL素子21に1対1で対応する複数の薄膜トランジスタ(TFT)123及び各種の配線(図示略)が形成されており、これらを覆うように前記無機絶縁層14が形成されている。無機絶縁層14は、例えば酸化珪素(SiO2)や窒化珪素(SiN)等の珪素化合物から形成されている。
A plurality of thin film transistors (TFTs) 123 and various wirings (not shown) corresponding to the plurality of
素子基板20上には、素子基板20が備える配線やTFT素子等に由来する表面の凹凸を緩和するための平坦化層16が形成されている。この平坦化層16は、絶縁性の樹脂材料、例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂等により形成されたもので、後述する陽極に対して、陰極と反対の側に設けられる下地層となっている。
A
また、この平坦化層16中には、有機EL素子21で発光し、対向基板30側に向かうことなく、その下地層である平坦下層16側に向かう光を対向基板30側に反射する、反射層15が形成されている。
この反射層15は、前記表示領域Lを模式的に示す図2に示すように、有機EL素子21に対向する凹面15aを有して形成されたもので、この凹面15a上に反射性の金属膜15bが設けられて形成されたものである。金属膜15bは、配線と製造工程を兼ねるため、配線材料と同じAl(アルミニウム)からなっている。また、Al以外にも、例えばTi(チタン)、Mo(モリブデン)、Ag(銀)、Cu(銅)などの金属、またはそれらを組み合わせた合金材料によって形成されていてもよい。
In addition, in the
As shown in FIG. 2 schematically showing the display region L, the
平坦化層16上には、前記反射層15に平面視した状態で重なる領域に、有機EL素子21の陽極10が形成されている。陽極10は、図1に示すように平坦化層16及び無機絶縁層14を貫通するコンタクトホール(図示せず)を介して、素子基板本体20a上のTFT123に接続されている。また、陽極10は透光性を有するもので、仕事関数が5eV以上の正孔注入効果の高い材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)等の金属酸化物を挙げることができる。本例ではITOが用いられている。
On the
また、平坦化層16上には、有機EL素子21を区画する絶縁性の隔壁層13が形成されている。隔壁層13は、陽極10の上部を露出させる複数の開口部を備えている。隔壁層13は平坦化層16と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。
An insulating
この開口部と隔壁層13による凹凸形状に沿って、隔壁層13及び陽極10の上面を覆って機能層12が形成されている。機能層12は、電界により注入された正孔と電子との再結合により励起して発光する有機発光層を含み、さらに有機発光層以外の層も含んだ多層膜からなっている。有機発光層以外の層としては、正孔を注入し易くするための正孔注入層や、注入された正孔を発光層へ輸送し易くするための正孔輸送層、電子を注入し易くするための電子注入層、注入された電子を発光層へ輸送し易くするための電子輸送層などの、上記の再結合に寄与する層がある。なお、電子注入層は、例えばCa等の電子注入効果の大きい(仕事関数が4eV以下)材料によって形成される。
A
機能層12の有機発光層は、低分子系有機EL材料あるいは高分子系有機EL材料から形成されている。低分子系有機EL材料は、正孔と電子との再結合により励起して発光する有機化合物のうち、分子量が比較的に低いものである。また、高分子系有機EL材料は、正孔と電子との再結合により励起して発光する有機化合物のうち、分子量が比較的に高いものである。有機EL素子21を形成している低分子系有機EL材料あるいは高分子系有機EL材料は、有機EL素子21の発する単色の発光色の光(白色光)に応じた物質となっている。発光層における再結合に寄与する層の材料は、この層に接する層の材料に応じた物質となっている。
The organic light emitting layer of the
機能層12上には、これの凹凸形状に沿うように機能層12を覆って、最外周(素子基板20の外周部に近い側)に配置された平坦化層16の側壁部に至るまで延在して、透光性の陰極11が形成されている。陰極11としては、電子注入効果の大きい(仕事関数が4eV以下)材料により形成された薄膜が好適に用いられる。陰極11は、例えば機能層12へ電子を注入し易くするための電子注入バッファ層と、電子注入バッファ層上にITOやAl等の金属から形成された電気抵抗の小さい層とを有して構成される。電子注入バッファ層は、例えば、LiF(フッ化リチウム)やCa(カルシウム)、MgAg(マグネシウム‐銀合金)から形成されている。
On the
素子基板20上であって、非表示領域Mにおける素子基板20の外周部近傍の平坦化層16が形成されていない領域には、陰極配線22が形成されている。陰極配線22と陰極11とは、電気的に接続している。
A
陰極配線22は、陰極11を不図示の電源まで通電させることを目的として形成されており、主に素子基板20の外周部付近に設けられる。陰極配線22の形成材料には、電気伝導性の高いアルミニウムやチタン、モリブデン、タンタル、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金が用いられ、これらの材料を単層もしくは多層に積層して形成したものが用いられる。本例では、チタン、アルミニウム、チタンを三層積層して形成したもの用いる。また、陰極配線22の最表層には、陽極10と同じ材料であるITOが形成されている。
The
また、素子基板20上には、無機絶縁層14、平坦化層16、及び有機EL素子21の陰極11を覆って、電極保護層17が形成されている。電極保護層17は、例えば、珪素酸窒化物(SiON)等の珪素化合物により形成されている。
An electrode
電極保護層17上には、電極保護層17を覆うように有機緩衝層18が形成されている。有機緩衝層18は、隔壁層13とその開口部による凹凸形状を埋めるように形成され、素子基板20上を平坦化している。有機緩衝層18の形成材料としては、例えばエポキシ化合物等を用いることができる。
An
有機緩衝層18上には、有機緩衝層18を覆い、さらに電極保護層17の終端部までを覆うガスバリア層19が形成されている。ガスバリア層19は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えばSiON等によって形成されている。
A
また、電極保護層17およびガスバリア層19は、陰極配線22の一部を覆って形成されている。陰極配線22の表面には、上述のように陽極10に用いられるITO(酸化物導電膜)が形成されている。また、ガスバリア層19は、有機緩衝層18を完全に被覆するように有機緩衝層18よりも広く形成されており、このガスバリア層19上にシール材33が配置されている。
The electrode
素子基板20のガスバリア層19が形成された面側、すなわち陰極11側には、対向基板30が対向して配置されている。対向基板30は、接着層34とシール材33とを介して、素子基板20上のガスバリア層19に接着されたものである。この対向基板30は、ガラスや透明プラスチック等の光透過性(透光性)材料で構成された対向基板本体31を備えている。
On the surface side of the
この対向基板本体31には、図2に示すように前記複数の有機EL素子21にそれぞれ対応する複数のサブ画素領域(単位画素領域)35が形成されている。これらサブ画素領域35には、素子基板20と対向する側の面(内面)に、カラーフィルター層37として、赤色着色層(カラーフィルター)37R、緑色着色層(カラーフィルター)37G、青色着色層(カラーフィルター)37Bがマトリクス状に規則的に配列されている。これら赤色着色層37R、緑色着色層37G、青色着色層37Bをそれぞれ形成した3つのサブ画素領域35により、1つの画素が形成されている。また、このような画素を縦横に多数有したことで、表示領域Lが形成されている。
A plurality of sub-pixel regions (unit pixel regions) 35 respectively corresponding to the plurality of
隣り合うサブ画素領域35間には、着色層37R(37G,37B)を囲ってブラックマトリクス層(遮光層)32が形成されている。ブラックマトリクス層(遮光層)32は、素子基板20の隔壁層13に対向する領域に形成されたもので、Cr(クロム)等の遮光材料によって形成されたものである。
A black matrix layer (light-shielding layer) 32 is formed between the
各着色層37R,37G,37Bは、陽極10上に形成された白色発光の機能層12に対向して、平面視した状態で重なるように配置されている。これにより、機能層12で発光した白色光が、着色層37R,37G,37Bの各々を通過(透過)し、赤色光、緑色光、青色光の各色光として観察者側に射出されるようになっている。
The colored layers 37R, 37G, and 37B are arranged so as to face the white light emitting
また、対向基板本体31の内面側には、表示領域Lに形成されたカラーフィルター層37及びブラックマトリクス層32上を覆って、オーバーコート層(平坦化層)38が形成されている。オーバーコート層38は、表示領域Lの内側から非表示領域Mのシール材33の形成領域まで延設されている。オーバーコート層38は、例えばアクリルやポリイミド等の樹脂材料、又はSiO2等の透光性無機絶縁材料によって形成されている。
オーバーコート層38上には、オーバーコート層38を覆うガスバリア層39が形成されている。ガスバリア層39は、透光性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、例えばSiON等によって形成されている。
Further, an overcoat layer (planarization layer) 38 is formed on the inner surface side of the
A
また、素子基板20と対向基板30との間の外周部には、シール材33が形成されている。シール材33の形成材料は、例えばエポキシ系樹脂にフィラーとしてシリカ、アルミナ等を添加した低透湿性樹脂構成としたものを用いることができる。なお、シール材33の内部には、例えば樹脂やガラス等から形成されたギャップ剤(図示略)が配置されている。なお、シール材33としては、ギャップ剤を含まない構成としてもよい。
A sealing
このような構成からなる有機EL装置1を製造するに際し、特に反射層15を形成するには、まず、図3(a)に示すように下地層としての平坦化層16を、従来と同様にしてアクリル樹脂等で形成する。なお、図3(a)では、無機絶縁膜14の記載を省略している。
In manufacturing the
次に、図3(b)に示すように平坦化層16上に、有機EL素子21の形成領域に開口50を有したレジストパターン51を形成する。続いて、このレジストパターン51を用いて例えばウエットエッチングにより、前記開口50内に略球面状の凹部を形成する。これにより、この凹部内に露出する、球の内面状の凹面15aが形成される。なお、凹部(凹面15a)の形成には、ウエットエッチング以外にも、凸状のネガパターンを有する押し型を用いたナノインプリントや、レジストパターンを用いたドライエッチングなどが採用可能である。
Next, as shown in FIG. 3B, a resist
続いて、図3(c)に示すように平坦化層16上の全面に、スパッタ法等によって反射性の金属材料としてのAlを成膜する。これにより、前記凹面15a上にAlからなる金属膜15bが形成される。なお、この金属膜15bの形成は、前述したように配線(図示せず)の製造工程と同一の工程にて行うのが好ましい。
次いで、図3(d)に示すようにレジストパターン51を除去し、これによってレジストパターン51上の金属膜15bも除去することにより、凹面15a上にのみ金属膜15bを選択的に残す。ただし、金属膜15bによって配線(図示せず)も同時に形成した場合には、この配線もそのまま残すのはもちろんである。
Subsequently, as shown in FIG. 3C, Al as a reflective metal material is formed on the entire surface of the
Next, as shown in FIG. 3D, the resist
その後、図3(e)中実線で示すように、前記凹部内にアクリル樹脂等の透光性材料を埋め込み、硬化させるとともに、その表面を平坦化層16の表面と面一にする。これにより、平坦化層16中に凹面15aとこれを覆う金属膜15bとからなる、反射層15を形成する。また、図3(e)中二点鎖線で示すように、凹部内を埋め込むとともに平坦化層16表面をも覆って透光性材料を配し、さらにその表面全体を平坦化することで、新たな平坦化層16aを形成してもよい。このように平坦化層16aを形成しても、凹面15aと金属膜15bとからなる反射層15が得られる。
Thereafter, as indicated by a solid line in FIG. 3E, a light-transmitting material such as an acrylic resin is embedded in the recess and cured, and the surface thereof is flush with the surface of the
このように反射層15、平坦化層16(16a)を形成した後、反射層15の直上に従来と同様にして陽極10を形成する。さらに、陽極10及び隔壁層13を覆って従来と同様に機能層12、陰極11を形成し、有機EL素子21を形成する。
After forming the
なお、反射層15の形成にあたっては、図3(e)に示したように凹部内を埋め込むことなく、したがって平坦化層16を再度平坦化することなくそのままとし、この凹部上、すなわち反射層15上に直接有機EL素子21を形成してもよい。ただし、凹部上(反射層15上)に直接有機EL素子21を形成すると、有機EL素子21を構成する陽極10、機能層12、陰極11も凹面15aの形状に倣って曲面形状になるため、それぞれを均一な厚さに形成するのが難しくなり、結果として多数の有機EL素子21間で輝度のバラツキが生じるおそれがある。これに対して、図3(e)に示したように凹部内を埋め込んだり平坦化層16を再度平坦化し、これによって有機EL素子21の下地層を実質的な平坦化層とした後、有機EL素子21を形成すれば、有機EL素子21間の厚さのばらつきを抑え、素子21間での輝度の均一化を図ることができる。
In forming the
このような反射層15を備えた本実施形態の有機EL装置1にあっては、陽極10の下地層である平坦化層16に凹面15aを有する反射層15を形成しているので、図2に示すように機能層12で発光し、透光性の陽極10を透過して下地層(平坦化層16)側に向かった光が反射層15で反射し、透光性の陰極11を通って観察面側である対向基板30側に出射するようになる。その際、反射層15が凹面15aを有していることから、この反射層15を反射した光は観察面の所定領域、すなわちサブ画素領域(単位画素領域)35の各着色層37R、37G、37Bに集光され、対向基板30の外側に射出される。したがって、反射光が別の(例えば隣の)サブ画素領域35(着色層)を通って取り出されてしまうことにより、コントラストが低下したり、本来の表示とは異なる色の表示がなされてしまうといった不都合が防止される。
よって、本実施形態の有機EL装置1によれば、特にトップエミッション型の装置において、より光の取り出し効率を高めることができ、これにより高精細化を図ることができる。
In the
Therefore, according to the
次に、本発明の有機EL装置の第2実施形態を説明する。
図4は、図1の表示領域Lを模式的に示す図であって、第2実施形態の有機EL装置の概略構成を説明するための図である。
図4に示した有機EL装置が図1、図2に示した有機EL装置1と異なるところは、図4に示した有機EL装置では、ブラックスマトリクス層(遮光層)32上に反射凸部60が設けられている点である。
Next, a second embodiment of the organic EL device of the present invention will be described.
FIG. 4 is a diagram schematically showing the display region L of FIG. 1 and is a diagram for explaining a schematic configuration of the organic EL device of the second embodiment.
The organic EL device shown in FIG. 4 is different from the
すなわち、前記の第1実施形態の有機EL装置1では、凹面15aを有する反射層15を設けたことで、陽極10を透過して下地層(平坦化層16)側に向かう光をサブ画素領域(単位画素領域)35の各着色層37R(37)に集光させるようにしたが、有機EL素子21から直接対向基板30側に向かう光については、図2中破線の矢印で示すように一部がブラックマトリクス層32に向かってしまう。すると、この光はブラックマトリクス層32で吸収されてしまうことから、その分光の取り出し効率が低下することになる。
That is, in the
そこで、本実施形態では、図4に示すようにブラックスマトリクス層(遮光層)32上に反射凸部60を設けることで、ブラックマトリクス層32に向かった光をこの反射凸部60で反射し、対応する位置にある反射層15に戻し、この反射層15で再度反射させることにより、サブ画素領域(単位画素領域)35の各着色層37R(37)に向けて射出させるようにしたものである。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the reflective
この反射凸部60は、ブラックスマトリクス層32上に直接形成されていてもよいが、図1に示したオーバーコート層38上に形成されていてもよく、さらにはガスバリア層39上に形成されていてもよい。本実施形態では、特に無機材料(例えばSiO2)からなるオーバーコート層38(図4では省略)上に形成されているものとする。
The
また、この反射凸部60は、これが設けられたブラックスマトリクス層(遮光層)32に隣接するサブ画素領域35、35にそれぞれ対応した有機EL素子21の直下に位置する反射層15に、向くように形成されている。すなわち、反射凸部60は、これが設けられたブラックスマトリクス層(遮光層)32の一方の側に隣接するサブ画素領域35R側には、このサブ画素領域35Rに対応する有機EL素子21Rの直下に位置する反射層15Rに向く反射面60aが形成され、他方の側に隣接するサブ画素領域35G側には、このサブ画素領域35Gに対応する有機EL素子21Gの直下に位置する反射層15Gに向く反射面60bが形成されている。
In addition, the reflective
これら各反射面60a、60bの境界は、例えばブラックマトリクス層32の中心線(二等分線)上とされる。また、これら反射面60a、60bは、本実施形態では凹面になっており、ここで反射した光が対応する反射層15により良好に集光できるようになっている。
また、反射凸部60は、例えばアクリル樹脂からなる基部(図示せず)と、その外面に設けられた反射膜とによって形成されている。すなわち、アクリル樹脂等によって凹面からなる反射面の形状が付与された基部が形成され、さらにその外面にAl等の反射性材料が成膜されたことにより、形成されている。
The boundary between the reflecting
Moreover, the reflective
このような反射凸部60の形成にあたっては、対向基板本体31に対して着色層37R、37G、37B及びブラックマトリクス層32を形成し、さらにその上にオーバーコート層38を形成した後、このオーバーコート層38上に例えばアクリル樹脂を配する。続いて、レジストパターンを用いたドライエッチング(又はウエットエッチング)や、ナノインプリントにより、反射面となる所望の凹面形状を有する基部を形成する。その後、例えばレジストパターンを用いることにより、反射面となる面上にAl等の反射性材料を選択的に成膜する。これにより、反射凸部60が得られる。
In forming such a reflective
なお、各着色層37R、37G、37B上に無機材料からなるオーバーコート層38を形成した後、このオーバーコート層38上に反射凸部60を形成することから、このオーバーコート層38により、各工程で着色層37R、37G、37Bにダメージが与えられてしまうことが防止されている。
In addition, after forming the
このような反射凸部60を形成した有機EL装置にあっては、有機EL素子21で発光した光のうち、対向基板30側に出射した光の一部が、対応するサブ画素領域35に向かって直進せずに斜め方向に進み、ブラックマトリクス層32に向かっても、反射凸部60の反射面60a(60b)によって対応する反射層15に向けて反射することができる。したがって、反射層15でさらに反射することにより、この反射光を対応するサブ画素領域35から出射させることができ、光の取り出し効率をより一層高めることができる。
In the organic EL device in which such a reflective
また、反射凸部60の反射面60a、60bを、対応する反射層15に集光可能となる凹面にしているので、これら反射面60a、60bで反射した光を、それぞれ対応する反射層15により良好に反射し、集光させることができ、これによって光の取り出し効率をさらに高めることができる。
Moreover, since the
次に、本発明の有機EL装置の第3実施形態を説明する。
図5は、図1の表示領域Lを模式的に示す図であって、第3実施形態の有機EL装置の概略構成を説明するための図である。
図5に示した有機EL装置が図4に示した有機EL装置と異なるところは、図5に示した有機EL装置では、対向基板30にブラックスマトリクス層(遮光層)32が形成されずに、隣り合うサブ画素領域(単位画素領域)35、35間に直接、あるいは間接的に反射体65が設けられている点である。
Next, a third embodiment of the organic EL device of the present invention will be described.
FIG. 5 is a diagram schematically illustrating the display region L of FIG. 1 and is a diagram for explaining a schematic configuration of the organic EL device of the third embodiment.
The organic EL device shown in FIG. 5 differs from the organic EL device shown in FIG. 4 in that the black EL matrix layer (light shielding layer) 32 is not formed on the
すなわち、この反射体65は、対向基板本体31上に直接形成されていてもよいが、図1に示したオーバーコート層38上に形成されていてもよく、さらにはガスバリア層39上に形成されていてもよい。本実施形態では、無機材料からなるオーバーコート層38(図5では省略)を形成した後、このオーバーコート層38上に形成されているものとする。
That is, the
反射体65は、図4に示した反射凸部60と同様に、これが設けられた位置に隣接するサブ画素領域35、35にそれぞれ対応した有機EL素子21の直下に位置する反射層15に、向くように形成されている。すなわち、反射体65は、これが設けられたサブ画素領域35、35間における一方の側に隣接するサブ画素領域35R側には、このサブ画素領域35Rに対応する有機EL素子21Rの直下に位置する反射層15Rに向く反射面65aが形成され、他方の側に隣接するサブ画素領域35G側には、このサブ画素領域35Gに対応する有機EL素子21Gの直下に位置する反射層15Gに向く反射面65bが形成されている。
Similar to the reflective
これら各反射面65a、65bの境界は、例えばこれが設けられたサブ画素領域35、35間の中心線(二等分線)上とされる。また、これら反射面65a、65bは、本実施形態でも凹面になっており、ここで反射した光が対応する反射層15により良好に集光できるようになっている。
また、反射体65は、Al等の反射性金属によって形成されている。あるいは、前記反射凸部60と同様に、例えばアクリル樹脂からなる基部(図示せず)と、その外面に設けられた反射膜とによって形成されていてもよい。
The boundary between these reflecting
The
このような反射体65を、Al等の反射性金属によって形成する場合には、対向基板本体31に対して着色層37R、37G、37Bを形成し、さらにこれを覆って対向基板本体31上にオーバーコート層38を形成した後、このオーバーコート層38上に例えばスパッタ法等によってAlを成膜する。その後、レジストパターンを用いたドライエッチングにより、凹面形状の反射面65a、65bを有する反射体65を形成する。なお、を基部と反射膜とによって形成する場合には、図4に示した反射凸部60と同じ工程によって形成することができる。
When such a
このようにして反射体65を形成しても、第2実施形態と同様に無機材料からなるオーバーコート層38上に反射体65を形成することから、このオーバーコート層38によって各工程で着色層37R、37G、37Bにダメージが与えられてしまうことが防止されている。
Even when the
このような反射体65を形成した有機EL装置にあっても、有機EL素子21で発光した光のうち、対向基板30側に出射した光の一部が、対応するサブ画素領域35に向かって直進せずに斜め方向に進み、サブ画素領域35、35間に向かっても、反射体65の反射面65a(65b)によって対応する反射層15に向けて反射することができる。したがって、反射層15でさらに反射することにより、この反射光を対応するサブ画素領域35から出射させることができ、光の取り出し効率をより一層高めることができる。
Even in the organic EL device in which such a
また、反射体65の反射面65a、65bを、対応する反射層15に集光可能となる凹面にしているので、これら反射面65a、65bで反射した光を、それぞれ対応する反射層15により良好に反射し、集光させることができ、これによって光の取り出し効率をさらに高めることができる。
さらに、この有機EL装置にあっては、反射体65でブラックマトリクス層(遮光層)を兼ねることができ、対向基板30の製造工程を簡略化することができる。
Further, since the reflecting
Furthermore, in this organic EL device, the
なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
例えば、前記実施形態では、図2、図4、図5中実線で示したように陽極10を、平面視した状態で反射層15に重なるように形成したが、図2、図4、図5中二点鎖線で示すように陽極10を、平面視した状態で反射層15より小さくし、したがって反射層15から外に出ることなく、該反射層15の内側に位置しているように形成してもよい。
このようにすれば、陽極10を斜め方向に通って陽極10の外側に抜けて平坦化層(下地層)16側に射出した光も、反射層15で反射させ、対応するサブ画素領域35に向かわせることができる。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.
For example, in the above embodiment, the
In this way, light that passes through the
また、前記実施形態では、反射層15の凹面形状を、球の内面状に形成したが、例えばこの反射層の周辺部のみを凹面形状にし、中央部は平坦に形成してもよい。
また、第2実施形態、第3実施形態では、例えばサブ画素領域35、35間の幅をサブ画素領域35の幅(径)より大きく(広く)し、有機EL素子21からの発光光の取り出し効率をより高めるようにしてもよい。
さらに、反射凸部60の凹面(反射面60a、60b)や反射体65の凹面(反射面65a、65b)の径を、反射層15の凹面の径より大きくし、有機EL素子21からの発光光の取り出し効率をより高めるようにしてもよい。
また、反射凸部60の反射面60a、60bや反射体65の反射面65a、65bを、凹面に形成することなく、平面に形成してもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the concave shape of the
In the second embodiment and the third embodiment, for example, the width between the
Further, the diameter of the concave surface of the reflective convex portion 60 (
Further, the reflection surfaces 60a and 60b of the reflection
次に、本発明における有機EL装置の応用例としての電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。図6は、携帯電話600の全体構成を示す斜視図である。携帯電話600は、筺体601、複数の操作ボタンが設けられた操作部602、画像や動画、文字等を表示する表示部603を有する。表示部603は、本発明の有機EL装置からなっている。
このように、表示部603として光取り出し効率が高められた有機EL装置を備えているので、電子機器(携帯電話)600の表示性能を向上することができる。
Next, an electronic apparatus as an application example of the organic EL device in the present invention will be described by taking a mobile phone as an example. FIG. 6 is a perspective view showing the overall configuration of the
In this manner, since the
なお、電子機器としては、前記携帯電話600以外にも、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ(PC)、およびエンジニアリング・ワークステーション(EWS)、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
As electronic devices, in addition to the
1…有機EL装置(有機エレクトロルミネッセンス装置)、10…陽極、11…陰極、12…機能層、15…反射層、15a…凹面、16…平坦化層(下地層)、20…素子基板、21…有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)、30…対向基板、32…ブラックマトリクス層(遮光層)、35…サブ画素領域(単位画素領域)、37…カラーフィルター層、37R、37G、37B…着色層、60…反射凸部、60a、60b…反射面、65…反射体、65a、65b…反射面
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記陽極及び前記陰極が共に透光性を有して形成され、
前記陽極の、前記陰極と反対の側に設けられた下地層に、凹面を有する反射層が前記陽極に向けられて設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 An organic electroluminescence device comprising an element substrate formed with an organic electroluminescence element having a functional layer including at least an organic light emitting layer between an anode and a cathode,
The anode and the cathode are both formed with translucency,
An organic electroluminescence device, wherein a reflective layer having a concave surface is provided on a base layer provided on a side of the anode opposite to the cathode so as to face the anode.
前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、
前記単位画素領域間に遮光層が設けられ、
前記遮光層の前記陰極側に、該遮光層に隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射凸部が、設けられていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The element substrate is provided with a plurality of organic electroluminescence elements,
A counter substrate in which a unit pixel region corresponding to the organic electroluminescence element is formed on the cathode side of the element substrate is disposed,
A light shielding layer is provided between the unit pixel regions;
A reflection convex portion having a reflection surface facing the reflection layer of the organic electroluminescence element corresponding to each unit pixel region adjacent to the light shielding layer is provided on the cathode side of the light shielding layer. The organic electroluminescence device according to claim 1.
前記素子基板の前記陰極側に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に対応する単位画素領域を形成した対向基板が配置され、
前記単位画素領域間の前記陰極側に、隣接する単位画素領域にそれぞれ対応した前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記反射層に向く反射面を有した反射体が、設けられていることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 The element substrate is provided with a plurality of organic electroluminescence elements,
A counter substrate in which a unit pixel region corresponding to the organic electroluminescence element is formed on the cathode side of the element substrate is disposed,
A reflector having a reflective surface facing the reflective layer of the organic electroluminescence element corresponding to each adjacent unit pixel region is provided on the cathode side between the unit pixel regions. Item 2. The organic electroluminescence device according to Item 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099525A JP2011228229A (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Organic electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010099525A JP2011228229A (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Organic electroluminescent device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011228229A true JP2011228229A (en) | 2011-11-10 |
Family
ID=45043342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010099525A Withdrawn JP2011228229A (en) | 2010-04-23 | 2010-04-23 | Organic electroluminescent device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2011228229A (en) |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104241535A (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 上海和辉光电有限公司 | Organic lighting structure |
KR20150039112A (en) | 2013-10-01 | 2015-04-09 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | Organic el display device |
KR20150067587A (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof |
JP2015118761A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic el display device and manufacturing method of the same |
JP2015207545A (en) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | Oled light emission device and manufacturing method for the same |
WO2016043175A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device and method for producing electroluminescent device |
WO2016084759A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
JP2016167400A (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and manufacturing method for the same |
WO2017043243A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence device manufacturing method, lighting device and display device |
WO2017043242A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, lighting device and display device |
WO2017043529A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
WO2017043245A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device manufacturing method, lighting device and display device |
WO2017086306A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-26 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence device production method, illumination device, and display device |
WO2017094760A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, illuminating device and display device |
WO2017169268A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | Display device and electronic apparatus |
JP2018092873A (en) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | Display device and method for manufacturing the same |
JP2018128683A (en) * | 2018-02-28 | 2018-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optic device and electronic apparatus |
CN109148727A (en) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled display substrate and preparation method, display device |
GB2570802A (en) * | 2017-12-22 | 2019-08-07 | Lg Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
WO2019159641A1 (en) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and manufacturing method for same |
WO2020224139A1 (en) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and fabrication method therefor |
WO2023062759A1 (en) * | 2021-10-13 | 2023-04-20 | シャープ株式会社 | Light-emitting element and light-emitting device |
-
2010
- 2010-04-23 JP JP2010099525A patent/JP2011228229A/en not_active Withdrawn
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9379357B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-06-28 | Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | Organic light emitting structure |
CN104241535A (en) * | 2013-06-06 | 2014-12-24 | 上海和辉光电有限公司 | Organic lighting structure |
KR20150039112A (en) | 2013-10-01 | 2015-04-09 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | Organic el display device |
US9287526B2 (en) | 2013-10-01 | 2016-03-15 | Japan Display Inc. | Organic EL display device |
KR20150067587A (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof |
KR102132883B1 (en) * | 2013-12-10 | 2020-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and method of manufacturing thereof |
JP2015118761A (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Organic el display device and manufacturing method of the same |
JP2015207545A (en) * | 2014-04-17 | 2015-11-19 | 上海和輝光電有限公司Everdisplay Optronics (Shanghai) Limited | Oled light emission device and manufacturing method for the same |
WO2016043175A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device and method for producing electroluminescent device |
US10224512B2 (en) | 2014-09-18 | 2019-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device and method for producing organic electroluminescent device |
WO2016084759A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
US10157967B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-12-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
JP2016167400A (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Display device and manufacturing method for the same |
WO2017043529A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, method for manufacturing organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
US20180269428A1 (en) * | 2015-09-10 | 2018-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
WO2017043245A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device manufacturing method, lighting device and display device |
US10826021B2 (en) | 2015-09-10 | 2020-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device including a plurality of unit regions each including a light emitting area and a transmissive area |
CN108029178A (en) * | 2015-09-10 | 2018-05-11 | 夏普株式会社 | Organnic electroluminescent device, the manufacture method of Organnic electroluminescent device, lighting device and display device |
CN108029162A (en) * | 2015-09-10 | 2018-05-11 | 夏普株式会社 | Organnic electroluminescent device, lighting device and display device |
CN108029163A (en) * | 2015-09-10 | 2018-05-11 | 夏普株式会社 | Organnic electroluminescent device, the manufacture method of Organnic electroluminescent device, lighting device and display device |
WO2017043243A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence device manufacturing method, lighting device and display device |
US10431634B2 (en) | 2015-09-10 | 2019-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device with recesses filled with a phosphor filling layer in the base material |
US10381600B2 (en) | 2015-09-10 | 2019-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
WO2017043242A1 (en) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, lighting device and display device |
US20190067379A1 (en) * | 2015-09-10 | 2019-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device, manufacturing method of organic electroluminescence device, illumination device, and display device |
WO2017086306A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-26 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescence device, organic electroluminescence device production method, illumination device, and display device |
JPWO2017094760A1 (en) * | 2015-12-03 | 2018-08-16 | シャープ株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE |
CN108370621B (en) * | 2015-12-03 | 2019-09-06 | 夏普株式会社 | Organnic electroluminescent device and its manufacturing method, lighting device and display device |
CN108370621A (en) * | 2015-12-03 | 2018-08-03 | 夏普株式会社 | Organnic electroluminescent device and its manufacturing method, lighting device and display device |
WO2017094760A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | Organic electroluminescent device, method of manufacturing organic electroluminescent device, illuminating device and display device |
CN108885847B (en) * | 2016-03-31 | 2021-09-17 | 索尼公司 | Display device and electronic apparatus |
US10826022B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-03 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus including pixels having relative misalignments of corresponding reflectors and color filters change with respect to center of display surface |
US11545649B2 (en) | 2016-03-31 | 2023-01-03 | Sony Group Corporation | Display device and electronic apparatus with relative misalignment between pixel and color filter |
CN113437131A (en) * | 2016-03-31 | 2021-09-24 | 索尼公司 | Display device |
CN108885847A (en) * | 2016-03-31 | 2018-11-23 | 索尼公司 | Display device and electronic equipment |
WO2017169268A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | Display device and electronic apparatus |
JP2018092873A (en) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | キヤノン株式会社 | Display device and method for manufacturing the same |
US10770530B2 (en) | 2017-12-22 | 2020-09-08 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
GB2570802B (en) * | 2017-12-22 | 2020-12-30 | Lg Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
GB2570802A (en) * | 2017-12-22 | 2019-08-07 | Lg Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
JPWO2019159641A1 (en) * | 2018-02-16 | 2021-03-11 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and its manufacturing method |
WO2019159641A1 (en) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and manufacturing method for same |
JP7245220B2 (en) | 2018-02-16 | 2023-03-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | Display device and manufacturing method thereof |
JP2018128683A (en) * | 2018-02-28 | 2018-08-16 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optic device and electronic apparatus |
CN109148727A (en) * | 2018-08-31 | 2019-01-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled display substrate and preparation method, display device |
US11233214B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display device and method of fabricating display substrate |
WO2020224139A1 (en) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and fabrication method therefor |
US11271188B2 (en) * | 2019-05-07 | 2022-03-08 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Display panel and manufacturing method thereof |
WO2023062759A1 (en) * | 2021-10-13 | 2023-04-20 | シャープ株式会社 | Light-emitting element and light-emitting device |
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