JP2013011779A - Manufacturing process device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ワークピースのための製造工程装置に関し、より詳細には、ワークピース上に正確かつ迅速にナノメートル構造パターンを形成するために使用可能である製造工程装置に関する。 The present invention relates to a manufacturing process apparatus for a workpiece, and more particularly to a manufacturing process apparatus that can be used to accurately and quickly form a nanometer structural pattern on a workpiece.
一般的に、ワークピース上にナノメートル構造パターン又は複数のナノメートル穴を形成するために用いられる従来のリソグラフィ技術は、フォトリソグラフィ・プロセス、電子ビームリソグラフィ技術、レーザ干渉リソグラフィ技術及びレーザ露光リソグラフィ技術を含む。 In general, conventional lithography techniques used to form a nanometer structural pattern or a plurality of nanometer holes on a workpiece include photolithographic processes, electron beam lithography techniques, laser interference lithography techniques, and laser exposure lithography techniques. including.
しかし、前記した従来のリソグラフィ技術の作業スピードは遅く、また、前記従来のリソグラフィ技術のための装置又は装置群は高価である。加えて、プラットフォームの設計、プラットフォームの位置の精度、光学的位置決めシステム及び温度制御は、従来のリソグラフィ技術群の作業精度に影響を及ぼす。 However, the operation speed of the above-described conventional lithography technique is slow, and an apparatus or a group of apparatuses for the conventional lithography technique is expensive. In addition, platform design, platform position accuracy, optical positioning system, and temperature control affect the working accuracy of conventional lithographic techniques.
さらに、前記従来のレーザ露光リソグラフィ技術の位置特定プラットフォームがワークピースを運ぶために用いられており、これは長ストローク移動ステージと多軸短距離移動プラットフォームとを含む。前記従来の位置特定プラットフォームの長ストローク移動ステージは、駆動源として、ボールねじを有するサーボモータ、リニア・モータ又は音声コイルモータを使用し、また、前記長ストローク移動ステージの位置を検出するために光学定規及び光学的読み取りヘッドを使用する。前記光学定規の長さが1メートルより長いと、作業エラーが増大し、また、これが結果の検出に影響を与える。このため、前記従来の長ストローク移動ステージの精度はナノメートルレベルに到達することができない。前記従来の多軸短距離移動プラットフォームは、通常、圧電性物質製の可撓構造を有する。前記従来の多軸短距離移動プラットフォームの移動は約100ミクロンであり、また、これは、ワークピースに様々なナノメートル構造パターン又はナノメートル穴群を形成することができない。 In addition, the conventional laser exposure lithography technology localization platform is used to carry the workpiece, which includes a long stroke movement stage and a multi-axis short distance movement platform. The conventional long stroke moving stage of the positioning platform uses a servo motor having a ball screw, a linear motor or a voice coil motor as a driving source, and optically detects the position of the long stroke moving stage. Use a ruler and an optical readhead. If the length of the optical ruler is longer than 1 meter, work errors increase and this affects the detection of results. For this reason, the accuracy of the conventional long stroke moving stage cannot reach the nanometer level. The conventional multi-axis short-distance moving platform usually has a flexible structure made of a piezoelectric material. The movement of the conventional multi-axis short range moving platform is about 100 microns, and this cannot form various nanometer structural patterns or nanometer hole groups in the workpiece.
このような欠点を克服するため、本発明は、前記した問題を低減し又は除去するための製造工程装置を提供する。 In order to overcome such drawbacks, the present invention provides a manufacturing process apparatus for reducing or eliminating the problems described above.
本発明の主な目的は、製造工程装置を提供すること、より詳細には、ワークピース上に正確かつ迅速にナノメートル構造パターンを形成するために使用可能である製造工程装置を提供することにある。 The main objective of the present invention is to provide a manufacturing process apparatus, and more particularly to provide a manufacturing process apparatus that can be used to accurately and quickly form nanometer structural patterns on a workpiece. is there.
本発明に係る製造工程装置は、プラットフォーム組立体と、測定フィードバック組立体と、レーザ作業組立体とを備える。前記プラットフォーム組立体は、ベースと、複合移動プラットフォームとを有する。前記ベースは据え付けフレームを有する。前記複合移動プラットフォームは前記ベース上に据えられ、また、長ストローク移動ステージと圧電被駆動マイクロ・ステージとを有する。前記長ストローク移動ステージは、基準セットと、駆動装置とを有する。前記圧電被駆動マイクロ・ステージは、前記長ストローク移動ステージに接続され、また作業プラットフォームを有する。前記測定フィードバック組立体は、前記プラットフォーム組立体に堅固に据え付けられ、また、レーザ干渉計と、反射装置と、信号受信装置とを有する。前記レーザ作業組立体は、前記プラットフォーム組立体上に据えられ、前記測定フィードバック組立体に電気的に接続され、また、レーザ直接書き込みヘッドと、制御インタフェース装置と、位置決めインタフェース装置とを有する。 The manufacturing process apparatus according to the present invention includes a platform assembly, a measurement feedback assembly, and a laser working assembly. The platform assembly has a base and a composite mobile platform. The base has a mounting frame. The composite moving platform is mounted on the base and has a long stroke moving stage and a piezoelectric driven microstage. The long stroke moving stage has a reference set and a driving device. The piezoelectric driven microstage is connected to the long stroke movement stage and has a work platform. The measurement feedback assembly is rigidly mounted on the platform assembly and includes a laser interferometer, a reflector, and a signal receiver. The laser working assembly is mounted on the platform assembly and electrically connected to the measurement feedback assembly, and includes a laser direct write head, a control interface device, and a positioning interface device.
本発明の他の目的、利点及び新規な特徴は、添付図面を併用して理解する以下の詳細な説明からさらに明らかとなろう。 Other objects, advantages and novel features of the invention will become more apparent from the following detailed description when taken in conjunction with the accompanying drawings.
図1ないし図4を参照すると、本発明に係る製造工程装置は、プラットフォーム組立体10と、測定フィードバック組立体20と、レーザ作業組立体30とを含む。
1 to 4, the manufacturing process apparatus according to the present invention includes a
プラットフォーム組立体10は、ベース11と、複合移動プラットフォームとを有する。ベース11は、頂部と、据え付けフレーム111とを有する。据え付けフレーム111は逆U字形状をなし、また、ベース11の頂部の中間に据えられ、また、頂部と底部とを有する。
The
前記複合移動プラットフォームは、据え付けフレーム111下においてベース11の頂部上に形成され、また、長ストローク移動ステージ12と、圧電被駆動マイクロ・ステージ13とを有する。
The composite moving platform is formed on the top of the
長ストローク移動ステージ12は据え付けフレーム111下においてベース11の頂面上に据えられ、また、基準セット14と、駆動装置15とを有する。基準セット14はH形を呈し、ベース11の頂面上に堅固に据え付けられ、また、花崗岩で形成されている。花崗岩の熱膨張係数は低く、また、研削精度は2マイクロメートル/メートルに達し得る。駆動装置15は、基準セット14上に据えられ、また、多数のリニア・モータ151を有する。各リニア・モータ151は基準セット14上に据えられ、また、上方側部と、下方側部と、多数のステータ152と、アクティブセル153と、接続ボード154とを有する。ステータ152は、磁気先導レールを形成するために間隔をおいてリニア・モータの側部に堅固に据え付けられている。前記磁気先導レールの直線精度は、0.4マイクロメートル/200ミリメートルに達し得る。アクティブセル153は、リニア・モータ151の側部に据えられたステータ152間においてリニア・モータ151の前記磁気先導レールに移動可能に据えられ、また、リニア・モータ151から伸びる外端部を有する。接続ボード154は、アクティブセル153の前記外端部に接続され、また、アクティブセル153と相対する接続側部を有する。
The long
圧電被駆動マイクロ・ステージ13は、前記長ストローク移動ステージに接続され、また、負荷フレーム16と、微調整可能装置17と、多数の交差ローラ軸受装置18と、作業プラットフォーム19とを有する。
The piezoelectric driven
負荷フレーム16は、図3及び図4に示すように、駆動装置15の接続ボード154に接続され、また、長ストローク移動ステージ12によりX方向又はY方向へベース11に関して移動されることが可能であり、また、頂部を有する。微調整可能装置17は、負荷フレーム16の頂部上に据えられ、また、可撓性台座171と、多数の圧電アクチュエータ172とを有する。可撓性台座171は負荷フレーム16の頂部上に据えられ、また、周縁を有する。圧電アクチュエータ172は負荷フレーム16の頂部上に堅固に据え付けられ、また、可撓性台座171の周縁に隣接している。図4を参照すると、可撓性台座171の位置は調整されることが可能であり、あるいは、可撓性台座171は圧電アクチュエータ172の押圧力によりわずかに変形されることが可能である。
3 and 4, the
交差ローラ軸受装置18は微調整可能装置17のそばで負荷フレーム16の頂部に堅固に据え付けられ、また、各交差ローラ軸受装置18はX方向及びY方向に移動されることが可能であり、また、頂端部を有する。作業プラットフォーム19は、負荷フレーム16の上方において、可撓性台座171上と交差ローラ軸受装置18の頂端部上とに堅固に据え付けられ、また、頂面を有する。
Crossed roller bearing
図1及び図5を参照すると、測定フィードバック組立体20はプラットフォーム組立体10上に堅固に据え付けられ、また、レーザ干渉計21と、反射装置22と、信号受信装置23とを有する。
With reference to FIGS. 1 and 5, the
レーザ干渉計21は、ベース11の頂部上に据えられ、また、レーザ・ビーム211と、第1のビーム・スプリッタ212と、第2のビーム・スプリッタ213と、90度反射ミラー214と、第1の干渉ミラー215と、第2の干渉ミラー216と、第3の干渉ミラー217とを有する。レーザ・ビーム211は、レーザ干渉計21から放射される。ビーム・スプリッタ212,213は、間隔をおいて、ベース11の頂部上に堅固に据え付けられかつレーザ・ビーム211の放射路上に据えられている。好ましくは、第1のビーム・スプリッタ212は33%−67%スペクトル比ビーム・スプリッタからなり、また、第2のビーム・スプリッタ213は50%−50%スペクトル比ビーム・スプリッタからなる。
The
90度反射ミラー214は、ベース11の頂部上に堅固に据え付けられ、ビーム・スプリッタ212,213と整列しており、また、レーザ・ビーム211の放射方向を90度変えるために使用される。干渉ミラー215,216,217は、ベースの頂部上に据えられており、ビーム・スプリッタ212,213により分割されまた90度反射ミラー214により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用される。好ましくは、第1の干渉ミラー215は第1のビーム・スプリッタ212により分割されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用され、第2の干渉ミラー216は第2のビーム・スプリッタ213により分割されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用され、また、第3の干渉ミラー217は90度反射ミラー214により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用される。
The 90-
反射装置22は作業プラットフォーム19上に据えられ、また、第1の反射ミラー221と、第2の反射ミラー222とを有する。反射ミラー221,222は作業プラットフォーム19の頂面上に直角に堅固に据え付けられ、かつ、干渉ミラー215,216,217を通過するレーザ・ビーム211を反射させるために用いられる。好ましくは、第1の反射ミラー221は第1の干渉ミラー215及び第2の干渉ミラー216を通過するレーザ・ビーム211を反射させるために用いられ、また、第2の反射ミラー222は第3の干渉ミラー217を通過するレーザ・ビーム211を反射させるために用いられる。
The
信号受信装置23はベース11の頂部上に堅固に据え付けられ、また第1の受信機231と、第2の受信機232と、第3の受信機233とを有する。これらの受信機231,232,233は、反射装置22の反射ミラー221,222により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用される。好ましくは、第1の受信機231は、作業プラットフォーム19のX軸移動を検出するために第1の干渉ミラー215からの第1の反射ミラー221により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用され、第2の受信機232は、作業プラットフォーム19のX軸移動を検出するために第2の干渉ミラー216からの第1の反射ミラー221により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用され、また、第3の受信機233は、作業プラットフォーム19のY軸移動を検出するために第3の干渉ミラー217からの第2の反射ミラー222により反射されたレーザ・ビーム211を受け取るために使用される。さらに、第1の受信機231及び第2の受信機232により検出された前記X軸移動は、作業プラットフォーム19の回転角度の誤差(θz)を計算するために使用されるようにすることができる。
The
図1及び図2を参照すると、レーザ作業組立体30がプラットフォーム組立体10上に据えられ、測定フィードバック組立体20に電気的に接続され、また、レーザ直接書き込みヘッド31と、制御インタフェース装置32と、位置決めインタフェース装置33とを有する。レーザ直接書き込みヘッド31は、作業プラットフォーム19の上方においてベース11の据え付けフレーム111に堅固に据え付けられている。レーザ直接書き込みヘッド31によりワークピースにナノメートル構造パターンを形成するために、作業プラットフォーム19上にワークピースを据えることができる。制御インタフェース装置32は、据え付けフレーム111の底面に堅固に据え付けられ、レーザ直接書き込みヘッド31に電気的に接続され、また、レーザ直接書き込みヘッド31の動作力及び自動焦点制御を管理するためのソフトウエアを有する。位置決めインタフェース装置33は、制御インタフェース装置32の上方において据え付けフレーム111の頂部に据え付けられ、測定フィードバック組立体20とレーザ直接書き込みヘッド31とに電気的に接続され、また、測定フィードバック組立体20により検出されるプラットフォーム組立体10の移動信号を受信するために使用される。好ましくは、位置決めインタフェース装置33は、レーザ直接書き込みヘッド31の所望位置と測定フィードバック組立体20により検出された運動信号とを比較するためにデジタル集積回路チップを有する。
Referring to FIGS. 1 and 2, a
本発明に係る前記製造工程装置がワークピースにナノメートル構造パターン又はナノメートル穴群を形成するために使用されるとき、前記ワークピースは作業プラットフォーム19の頂面上に置かれる。次に、図3及び図4を参照すると、プラットフォーム組立体10の複合移動プラットフォームが2つのステップで移動される。第1のステップは、駆動装置15のリニア・モータ151により長ストローク移動ステージ12を長距離移動させることである。本発明において、長ストローク移動ステージ12の移動範囲は、200ミリメートル×200ミリメートル(X,Y)である。加えて、リニア・モータ151の前記磁気先導レールは、アクティブセル153とステータ152との間の磁力によりステータ152とアクティブセル153との間の摩擦抵抗を低減することができ、また、これは、長ストローク移動ステージ12の移動速度と感度とを改善し、さらに、長ストローク移動ステージ12の有用寿命を増大させることができる。
When the manufacturing process apparatus according to the present invention is used to form a nanometer structural pattern or nanometer hole group in a workpiece, the workpiece is placed on the top surface of the
前記第1のステップの後、前記複合移動プラットフォームの第2のステップは、可撓性台座171を押して又は引いてX軸方向に移動させるか、又は、圧電アクチュエータ172によりZ軸方向の周りに回転させることである。さらに、交差ローラ軸受装置18は、可撓性台座171と共に、Z軸方向の周りに上方向又は下方向に回転し、また、X方向及びY方向に移動するように、駆動されることが可能である。次に、圧電被駆動マイクロ・ステージ13の微調整可能装置17と多数の交差ローラ軸受装置18とが、作業プラットフォーム19がX軸に沿って微小距離を正確に移動しまたZ軸に沿って微小角度を正確に回転することを可能にする。
After the first step, the second step of the compound movement platform is to push or pull the
圧電被駆動マイクロ・ステージ13の微調整可能装置17及び交差ローラ軸受装置18によるプラットフォーム組立体10の作業プラットフォーム19の位置調整後、図5を参照すると、レーザ・ビーム211がレーザ干渉計21から放射される。レーザ・ビーム211が第1のビーム・スプリッタ212に放射されると、レーザ・ビーム211の強度が33%スペクトル比レーザ・ビーム(L1)と、67%スペクトル比レーザ・ビームとに分割される。前記33%スペクトル比レーザ・ビーム(L1)は第1の干渉ミラー215と第1の反射ミラー221とに直接に放射され、第1の反射ミラー221により第1の干渉ミラー215に跳ね返され、また、作業プラットフォーム19のX軸移動を得るために第1の受信機231により受け取られる。前記67%スペクトル比レーザ・ビームは第2のビーム・スプリッタ213に放射され、前記67%スペクトル比レーザ・ビームは50%スペクトル比レーザ・ビーム(L2)と50%スペクトル比レーザ・ビーム(L3)とに分割される。前記50%スペクトル比レーザ・ビーム(L2)は、90度反射ミラー214及び第3の干渉ミラー217に放射されまたこれらにより反射され、第2の反射ミラー222により第3の干渉ミラー217に跳ね返され、また作業プラットフォーム19のY軸移動を得るために第3の受信機233により受け取られる。前記50%スペクトル比レーザ・ビーム(L3)は、第2の干渉ミラー216と第1の反射ミラー221とに放射され、第1の反射ミラー221により第2の干渉ミラー216に跳ね返され、また、作業プラットフォーム19のX軸移動を得るために第2の受信機232により受け取られる。第1の受信機231及び第2の受信機232により受け取られる作業プラットフォーム19の前記X軸移動は、作業プラットフォーム19の回転角度の誤差(θz)を計算するために使用されるようにすることができる。レーザ干渉計21のレーザ・ビーム211は長距離において微細なビームに保つことができかつ消失せず、また、これが高い輝度、安定性及び精密さを有する波長を提供することができ、また、干渉現象がレーザ干渉計21により容易に観察されることが可能である。このことから、測定フィードバック組立体20は、作業プラットフォーム19のX軸移動、Y軸移動及び回転角度の誤差(θz)を正確に検出することができる。
After adjusting the position of the
作業プラットフォーム19の位置が測定フィードバック組立体20により確認されると、位置決めインタフェース装置33の前記デジタル集積回路が、レーザ直接書き込みヘッド31の所望位置と、測定フィードバック組立体20により検出された作業プラットフォーム19の実際の位置とを比較するために使用されるようにすることができる。次いで、レーザ直接書き込みヘッド31が前記ワークピースに広い範囲のナノメートルパターン又はナノメートル穴群を迅速かつ正確に形成することができる。
When the position of the
本発明に係る前記製造工程装置は、プラットフォーム組立体10の2つのステップの操作を用いて、作業プラットフォーム19のための長ストローク及びナノメートル距離効果を実現する。第1のステップでは、H形状の長ストローク移動ステージ12により作業プラットフォーム19が200ミリメートル×200ミリメートル(X,Y)で移動することが可能であり、また、レーザ作業組立体30が作業プラットフォーム19上の前記ワークピースに広範囲のナノメートル構造パターン又はナノメートル穴群を形成することが可能である。第2のステップでは、圧電被駆動マイクロ・ステージ13により、作業プラットフォーム19が微小距離を移動して作業プラットフォーム19の実際の位置を修正し、プラットフォーム組立体10の位置決めの正確性がナノレベルを達成し、また、本発明に係る前記製造工程装置が前記ワークピースにナノメートル構造パターン又はナノメートル穴群を形成することが可能である。
The manufacturing process apparatus according to the present invention uses a two-step operation of the
さらに、測定フィードバック組立体20のレーザ・ビーム211は長距離において微細なビームに保つことができかつ消失せず、また、これが高い輝度、安定性及び精密さを有する波長を提供することができ、また、干渉現象がレーザ干渉計21により容易に観察されることが可能である。このことから、測定フィードバック組立体20は、作業プラットフォーム19のX軸移動、Y軸移動及び回転角度の誤差(θz)を正確に検出することができる。加えて、レーザ作業組立体30の位置決めインタフェース装置33は、レーザ直接書き込みヘッド31の所望位置と、測定フィードバック組立体20により検出された作業プラットフォーム19の実際の位置とを比較するために使用されるようにすることができる。
Furthermore, the
したがって、本発明に係る前記製造工程装置は、前記ワークピースに広範囲のナノメートル構造パターン又はナノメートル穴群を迅速かつ正確に形成することができ、これが、前記ワークピースへのナノメートル構造パターンの形成コストを低減させ、競争力を引き上げることを可能にする。加えて、本発明に係る製造工程装置のプラットフォーム組立体10と、測定フィードバック組立体20と、レーザ作業組立体30とは、モジュール式で組み立てられ、前記製造工程装置を維持するための時間を低減することが可能である。
Therefore, the manufacturing process apparatus according to the present invention can quickly and accurately form a wide range of nanometer structure patterns or nanometer hole groups on the workpiece, and this is the process of forming the nanometer structure pattern on the workpiece. Reduce formation costs and increase competitiveness. In addition, the
本発明の多くの特徴及び利点が、本発明の構造及び特徴の詳細と共に前述の説明において述べられたが、その開示は説明だけのためにあり、変形、特に、部分の形状、サイズ及び配列の事項においては添付の特許請求の範囲が表されている用語の広い一般的な意味によって示される限り本発明の原理内において、詳細になされる。 While many features and advantages of the present invention have been set forth in the foregoing description, together with details of the structure and features of the invention, the disclosure is illustrative only, and variations, particularly in the form, size and arrangement of parts, In the following detailed description, the appended claims will be made within the principles of the invention as long as indicated by the broad general meaning of the terms presented.
10 プラットフォーム組立体
11 ベース
12 長ストローク移動ステージ
13 圧電被駆動マイクロ・ステージ
14 基準セット
15 駆動装置
16 負荷フレーム
17 微調整可能装置
18 交差ローラ軸受装置
19 作業プラットフォーム
20 測定フィードバック組立体
21 レーザ干渉計
22 反射装置
23 信号受信装置
30 レーザ作業組立体
31 レーザ直接書き込みヘッド
32 制御インタフェース装置
33 位置決めインタフェース装置
10
Claims (5)
前記プラットフォーム組立体に堅固に据え付けられた測定フィードバック組立体であって、レーザ・ビームを放射するために前記ベースの頂部に堅固に据え付けられたレーザ干渉計と、前記作業プラットフォームの頂面に据えられた反射装置と、前記ベースの頂部に堅固に据え付けられた信号受信装置であって該受信装置により反射される前記レーザ・ビームを受け取る信号受信装置とを備える測定フィードバック組立体と、
前記プラットフォーム組立体上に据えられ、前記測定フィードバック組立体に電気的に接続されたレーザ作業組立体であって、前記作業プラットフォームの上方において前記ベースの据え付けフレーム上に堅固に据え付けられたレーザ直接書き込みヘッドと、前記据え付けフレームの底部に堅固に据え付けられ、前記レーザ直接書き込みヘッドに電気的に接続され、前記レーザ直接書き込みヘッドの作業電力と自動焦点制御を管理する制御インタフェース装置と、前記制御インタフェース装置の上方において前記据え付けフレームの頂部上に据えられ、前記測定フィードバック組立体と前記レーザ直接書き込みヘッドとに電気的に接続され、前記レーザ直接書き込みヘッドの所望位置と前記測定フィードバック組立体により検出された移動信号とを比較するために前記測定フィードバック組立体により検出された前記プラットフォームの移動信号を受け取る位置決めインタフェース装置とを含む、製造工程装置。 A base comprising a top and a mounting frame mounted on the top of the base and having a top and a bottom; and a combined movement mounted on the top surface of the base below the mounting frame A reference set of H-shaped and rigidly mounted on top of the base, mounted on the top of the base below the mounting frame, and a drive mounted on the reference set A long stroke moving stage comprising a drive device having a number of linear motors mounted on the reference set, and a piezoelectric substrate comprising a work platform having a top surface connected to the long stroke moving stage. A platform assembly comprising a drive microstage;
A measurement feedback assembly rigidly mounted on the platform assembly, wherein the laser interferometer is firmly mounted on the top of the base for emitting a laser beam, and is mounted on the top surface of the working platform. A measurement feedback assembly comprising: a reflecting device; and a signal receiving device rigidly mounted on top of the base for receiving the laser beam reflected by the receiving device;
A laser working assembly mounted on the platform assembly and electrically connected to the measurement feedback assembly, wherein the laser direct writing is rigidly mounted on the mounting frame of the base above the working platform. A control interface device that is firmly installed at the bottom of the mounting frame and is electrically connected to the laser direct write head, and manages the working power and automatic focus control of the laser direct write head; and the control interface device Above the top of the mounting frame and electrically connected to the measurement feedback assembly and the laser direct write head and detected by the desired position of the laser direct write head and the measurement feedback assembly Mobile signal And a positioning interface device for receiving a movement signal of the detected said platform by said measuring feedback assembly to compare bets, manufacturing process equipment.
上方側部と、
下方側部と、
磁気先導レールを形成するために間隔をおいて前記リニア・モータの前記側部に堅固に据え付けられた多数のステータと、
前記リニア・モータの前記側部に据えられた前記ステータ間の前記リニア・モータの磁気先導レールに移動可能に据えられた、前記リニア・モータから伸びる外端部を有するアクティブセルと、
前記アクティブセルの外端部に接続された、前記アクティブセルに相対する接続側部を有する接続ボードとを備える、請求項1に記載の製造工程装置。 Each linear motor
An upper side,
The lower side,
A number of stators rigidly mounted on the sides of the linear motor at intervals to form a magnetic leading rail;
An active cell having an outer end extending from the linear motor movably mounted on a magnetic leading rail of the linear motor between the stators mounted on the side of the linear motor;
The manufacturing process apparatus of Claim 1 provided with the connection board which has the connection side part opposite to the said active cell connected to the outer end part of the said active cell.
前記駆動装置の接続ボードに接続された、頂部を有する負荷フレームと、
前記負荷フレームの頂部に据えられた微調整可能装置であって、前記負荷フレームの頂部に据えられ周縁を有する可撓性台座と、前記負荷フレームの頂部に堅固に据え付けられ前記可撓性台座の周縁に隣接する多数の圧電アクチュエータとを備える微調整可能装置と、
前記微調整可能装置のそばにおいて前記負荷フレームの頂部に堅固に据え付けられた、頂端部を有する多数の交差ローラ軸受装置とを備え、また、
前記作業プラットフォームは、前記負荷フレームの上方において、前記可撓性台座と前記交差ローラ軸受装置の頂端部とに堅固に据え付けられている、請求項2に記載の製造工程装置。 The piezoelectric driven microstage is:
A load frame having a top connected to a connection board of the drive unit;
A finely adjustable device installed at the top of the load frame, comprising: a flexible pedestal installed at the top of the load frame and having a peripheral edge; A fine-tunable device comprising a number of piezoelectric actuators adjacent to the periphery;
A number of crossed roller bearing devices having a top end rigidly mounted on the top of the load frame by the fine-tunable device; and
The manufacturing process device according to claim 2, wherein the work platform is firmly installed on the flexible base and a top end portion of the cross roller bearing device above the load frame.
前記ベースの頂部に堅固に据え付けられかつ前記レーザ・ビームの放射路上に据えられた第1のビーム・スプリッタと、
前記第1のビーム・スプリッタの近くにおいて前記ベースの頂部に堅固に据え付けられかつ前記レーザ・ビームの放射路上に据えられた第2のビーム・スプリッタと、
前記レーザ・ビームの放射方向を直角に変更するために前記ベースの頂部に堅固に据え付けられ、両ビームス・プリッタと整列する90度反射ミラーと、
前記ベースの頂部に据えられ、前記第1のビーム・スプリッタにより分割された前記レーザ・ビームを受け取る第1の干渉ミラーと、
前記ベースの頂部に据えられ、前記第2のビーム・スプリッタにより分割された前記レーザ・ビームを受け取る第2の干渉ミラーと、
前記ベースの頂部に据えられ、前記90度反射ミラーにより反射された前記レーザ・ビームを受け取る第3の干渉ミラーとを備える、請求項1又は3に記載の製造工程装置。 The laser interferometer is
A first beam splitter rigidly mounted on top of the base and mounted on the radiation path of the laser beam;
A second beam splitter rigidly mounted on the top of the base near the first beam splitter and mounted on the radiation path of the laser beam;
A 90 degree reflecting mirror that is rigidly mounted on top of the base to change the radiation direction of the laser beam to a right angle and is aligned with both beam splitters;
A first interference mirror placed on top of the base and receiving the laser beam split by the first beam splitter;
A second interference mirror placed on top of the base and receiving the laser beam split by the second beam splitter;
The manufacturing process apparatus according to claim 1, further comprising a third interference mirror that is placed on top of the base and receives the laser beam reflected by the 90-degree reflection mirror.
前記作業プラットフォームの頂面上に堅固に据え付けられ、前記第1の干渉ミラー及び前記第2の干渉ミラーにより放射されたレーザ・ビームを反射する第1の反射ミラーと、
前記第3の干渉ミラーにより放射された前記レーザ・ビームを反射させるために前記第1の反射ミラーに対して直角に前記作業プラットフォームの頂面に堅固に据え付けられた第2の反射ミラーとを備え、また、
前記信号受信装置は、
前記第1の反射ミラーにより反射された前記第1の干渉ミラーからの前記レーザ・ビームを受け取るために前記ベースの頂部に堅固に据え付けられた第1の受信機と、
前記第1の反射ミラーにより反射された前記第2の干渉ミラーからの前記レーザ・ビームを受け取るために前記ベースの頂部に堅固に据え付けられた第2の受信機と、
前記第2の反射ミラーにより反射された前記第3の干渉ミラーからの前記レーザ・ビームを受け取るために前記ベースの頂部に堅固に据え付けられた第3の受信機とを備える、請求項4に記載の製造工程装置。 The reflector is
A first reflecting mirror rigidly mounted on the top surface of the work platform and reflecting the laser beam emitted by the first and second interference mirrors;
A second reflecting mirror rigidly mounted on the top surface of the work platform at a right angle to the first reflecting mirror to reflect the laser beam emitted by the third interference mirror; ,Also,
The signal receiving device is:
A first receiver rigidly mounted on top of the base to receive the laser beam from the first interference mirror reflected by the first reflecting mirror;
A second receiver rigidly mounted on top of the base to receive the laser beam from the second interference mirror reflected by the first reflecting mirror;
5. A third receiver rigidly mounted on top of the base to receive the laser beam from the third interference mirror reflected by the second reflecting mirror. Manufacturing process equipment.
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