JP2013004627A - Wafer separation unit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インゴットを短冊状にスライスして形成されるウエハを1枚ずつ分離するウエハの分離装置に関する。 The present invention relates to a wafer separating apparatus for separating wafers formed by slicing an ingot into strips one by one.
一般的に、ウエハは、支持台に接着剤により貼着されたインゴットをワイヤソーにより薄く短冊状にスライスして形成される。スライス直後のウエハは、まず粗洗浄工程にて洗浄される。粗洗浄工程では、ウエハは短冊状にスライスされて支持台にぶら下がった状態のまま、洗浄槽内に浸漬され、ウエハ表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等が洗浄除去される。 Generally, a wafer is formed by slicing an ingot attached to a support base with an adhesive into a thin strip shape with a wire saw. The wafer immediately after slicing is first cleaned in a rough cleaning process. In the rough cleaning step, the wafer is sliced in a strip shape and dipped in the cleaning tank while being hung on the support table, and the sliced powder, abrasive grains, coolant, and the like attached to the wafer surface are cleaned and removed.
次に、ウエハは支持台とともに剥離用浸漬槽に移載され、剥離槽内の薬液に浸漬され、加熱される。これにより、接着剤が溶け、ウエハは支持台から剥離し、剥離用浸漬槽の底部に自由落下する。落下後のウエハは、人手にて剥離槽の底部から拾い上げられた後、仮カセット等に方向を合わせて挿入され、姿勢保持が行われるか、落下時に受け取る仮カセット等が事前に投入されることもある。そして、仮カセットに収納されたウエハは、人手または分離取出機構にて1枚ずつ取り出され、洗浄用カセットへ1枚ずつ分離して収納され、仕上洗浄工程に送られる。 Next, the wafer is transferred together with the support table to the peeling immersion tank, immersed in a chemical solution in the peeling tank, and heated. As a result, the adhesive is melted, the wafer is peeled off from the support base, and freely falls to the bottom of the peeling immersion tank. The dropped wafer is manually picked up from the bottom of the peeling tank and then inserted into the temporary cassette, etc., in the correct orientation, and the posture is held, or the temporary cassette received at the time of dropping is inserted in advance. There is also. Then, the wafers stored in the temporary cassette are taken out one by one by hand or by a separation / extraction mechanism, separated one by one into the cleaning cassette, and sent to the finish cleaning process.
また、例えば特許文献1には、接着剤によって支持台に貼着されたウエハを第1カセット内に収容した状態で洗浄し、洗浄されたウエハを支持台から剥離させるが、このとき、支持台から剥離させたウエハは、第1カセット内に設けた両規制板によって倒伏しないように保持した状態で、保持ロッド上に支持することが記載されている。また、ウエハから剥離された支持台は公知のマニピュレータまたはロボットによって第1カセットから取り出し、支持台から剥離されたウエハは第1カセットに収容したままの状態で、その軸線が水平となるように支持台上に支持し、1枚ずつ分離して第2カセットに収容することが記載されている。 Further, for example, in Patent Document 1, a wafer attached to a support base by an adhesive is cleaned in a state of being accommodated in a first cassette, and the cleaned wafer is peeled off from the support base. It is described that the wafer peeled off is supported on a holding rod in a state where it is held so as not to fall down by both regulating plates provided in the first cassette. Further, the support base peeled off from the wafer is taken out from the first cassette by a known manipulator or robot, and the wafer peeled off from the support base is supported in such a manner that its axis is horizontal while being accommodated in the first cassette. It is described that it is supported on a table and separated one by one and accommodated in a second cassette.
ところで、昨今、ウエハの薄肉化への取り組みや固定砥粒スライス技術の導入が進んでおり、ワイヤソーのワイヤ径も細くなり、短冊状にスライスされて支持台にぶら下がった状態でのウエハ間の隙間は0.14mm程度にまで少なくなっている。一方で、ウエハの大きさは125〜155mm程度と長大であるため、従来のようにウエハが支持台にぶら下がったままの状態では、ウエハ間の隙間の洗浄は困難を極め、多大な時間と労力を要する割には品質が安定しないという問題がある。 Nowadays, efforts to reduce the thickness of wafers and the introduction of fixed abrasive slicing technology are progressing, and the wire diameter of the wire saw has become thinner, and the gap between wafers in the state of being sliced into strips and hanging on a support base Is reduced to about 0.14 mm. On the other hand, since the size of the wafer is as long as about 125 to 155 mm, it is extremely difficult to clean the gap between the wafers in a state where the wafer is hanging on the support base as in the past, and a great deal of time and labor are required. However, there is a problem that the quality is not stable despite the need for.
また、固定砥粒ワイヤによりスライスされたウエハは、表面の平滑性が高いことから、特許文献1に記載のように支持台から剥離してウエハの軸線が水平となるように支持台上に支持した際に、剥離したウエハがソーマークの影響を受けて、ウエハ同士が強固に密着する。このウエハ同士の密着は、ウエハを洗浄すればするほど、ウエハ表面の凹凸が無くなって、より強力に発生することになる。その結果、このウエハを1枚ずつ分離することが困難となり、歩留まり低下を招く。 Further, since the wafer sliced by the fixed abrasive wire has high surface smoothness, it is supported on the support base so that the axis of the wafer becomes horizontal by peeling from the support base as described in Patent Document 1. In this case, the peeled wafers are affected by the saw marks, and the wafers are firmly adhered to each other. The more closely the wafers are cleaned, the more the wafers adhere to each other. As a result, it becomes difficult to separate the wafers one by one, leading to a decrease in yield.
そこで、本発明においては、インゴットをスライスして形成されるウエハを1枚ずつ分離して、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄可能にするウエハの分離装置を提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer separation apparatus that separates wafers formed by slicing an ingot one by one and makes it possible to clean the front and back surfaces of the wafer easily and uniformly.
本発明のウエハの分離装置は、支持台に接着剤により貼着されたインゴットが支持台の一部まで含めて短冊状にスライスされて形成されたウエハを、当該ウエハが支持台にぶら下げられた状態で保持するホルダと、ウエハを1枚ずつ吸着して分離するための分離ハンドとを含むものである。 In the wafer separation apparatus of the present invention, a wafer formed by slicing a strip including an ingot attached to a support base with an adhesive up to a part of the support base is suspended from the support base. A holder for holding the wafer in a state and a separation hand for sucking and separating the wafers one by one.
本発明のウエハの分離装置によれば、支持台に接着剤により貼着されたインゴットを支持台の一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハを1枚ずつ吸着して支持台の部分で分離することにより、分離したウエハの表裏面を1枚ずつ洗浄することが可能となる。また、洗浄後のウエハには支持台の切片および接着剤が残ったままであるが、このウエハを剥離層内に浸漬して、ウエハから支持台の切片および接着剤を剥離することにより、除去することができる。 According to the wafer separation apparatus of the present invention, the wafer formed by slicing the strip formed in a strip shape including the ingot attached to the support table with an adhesive up to a part of the support table is supported one by one. By separating at this portion, it becomes possible to clean the front and back surfaces of the separated wafer one by one. Further, although the piece of the support base and the adhesive remain on the cleaned wafer, the wafer is removed by immersing the wafer in the release layer and peeling the piece of the support base and the adhesive from the wafer. be able to.
ここで、分離ハンドは、ウエハを吸着して支持台の部分で折り取るものであることが望ましい。これにより、ホルダに保持されたウエハを1枚ずつ分離ハンドに吸着して支持台の部分で1枚ずつ折り取って分離することができる。 Here, it is desirable that the separation hand is one that sucks the wafer and folds it at the support base. As a result, the wafers held by the holder can be attracted to the separation hand one by one, and can be broken and separated one by one at the support base.
また、分離ハンドは、ウエハを吸着した状態で回動して支持台の部分で折り取るものであることが望ましい。これにより、ホルダに保持されたウエハを1枚ずつ分離ハンドに吸着し、このウエハを吸着した状態で分離ハンドを回動することにより支持台の部分で1枚ずつ折り取って分離することができる。 In addition, it is desirable that the separation hand be rotated while the wafer is adsorbed and folded at the support base. As a result, the wafers held by the holder are attracted to the separation hand one by one, and the separation hand is rotated while the wafers are attracted, whereby the wafer can be broken and separated one by one at the support base. .
また、本発明のウエハの分離装置は、ホルダに保持されたウエハを水中に浸漬した状態で分離するものであることが望ましい。これにより、短冊状にスライスして形成されたウエハを1枚ずつ分離する間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができる。 In addition, the wafer separation apparatus of the present invention desirably separates the wafer held by the holder while immersed in water. Thereby, it is possible to prevent the front and back surfaces from drying while separating the wafers sliced into strips one by one.
(1)支持台に接着剤により貼着されたインゴットが支持台の一部まで含めて短冊状にスライスされて形成されたウエハを、当該ウエハが支持台にぶら下げられた状態で保持するホルダと、ウエハを1枚ずつ吸着して、支持台の部分で分離するための分離ハンドとを含む構成により、インゴットをスライスして形成されるウエハを1枚ずつ分離して、ウエハの表裏面を容易かつ均一に洗浄することができ、高品質なウエハを安定的に得ることが可能となる。 (1) A holder for holding a wafer formed by slicing a strip including an ingot attached to a support base with an adhesive up to a part of the support base in a state where the wafer is suspended from the support base;・ Each wafer is separated one by one by the structure that includes a separation hand for picking up wafers one by one and separating them at the support base part, making it easy to separate the front and back surfaces of the wafers one by one In addition, uniform cleaning can be performed, and a high-quality wafer can be stably obtained.
(2)分離ハンドがウエハを吸着して支持台の部分で折り取るものであることにより、ホルダに保持されたウエハを1枚ずつ分離ハンドに吸着して支持台の部分で1枚ずつ折り取って分離することが可能となり、複雑なシンギュレーションを用いることなく、ウエハを分離することが可能となる。 (2) Since the separation hand sucks the wafers and folds them at the support table, the wafers held by the holder are sucked by the separation hands one by one and broken at the support table one by one. The wafer can be separated without using complicated singulation.
(3)分離ハンドがウエハを吸着した状態で回動して支持台の部分で折り取るものであることにより、ホルダに保持されたウエハを1枚ずつ分離ハンドに吸着し、このウエハを吸着した状態で分離ハンドを回動することにより支持台の部分で1枚ずつ折り取って分離することが可能となり、簡単な回動機構によりウエハを分離することが可能となる。 (3) Since the separation hand rotates with the wafer adsorbed and is folded at the support base, the wafer held by the holder is adsorbed to the separation hand one by one, and this wafer is adsorbed. By rotating the separation hand in this state, it is possible to break up and separate one by one at the support base, and it is possible to separate the wafers by a simple rotation mechanism.
(4)ホルダに保持されたウエハを水中に浸漬した状態で分離する水槽を含む構成により、短冊状にスライスして形成されたウエハを1枚ずつ分離する間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができるので、スライスによりウエハ表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等を乾燥させることなく、ウエハ1枚ずつ表裏面を洗浄することが可能となる。 (4) The structure including the water tank that separates the wafer held in the holder while being immersed in water allows the front and back surfaces to dry while separating the wafers sliced into strips one by one. Therefore, the front and back surfaces of each wafer can be cleaned one by one without drying the slicing powder, abrasive grains, coolant, etc. adhering to the wafer surface by slicing.
図1は本発明の実施の形態におけるウエハ製造装置の一部を示す概略構成図である。図1において、本発明の実施の形態におけるウエハ製造装置1は、単結晶シリコンからなるインゴットSがスライスマシンM1によって短冊状にスライスされて形成されたウエハWを1枚ずつ分離する分離装置2と、分離されたウエハWを1枚ずつ洗浄する洗浄装置3と、洗浄されたウエハWをカセットに収容するウエハ詰め込み装置4と、1枚ずつ分離したウエハWに残ったカーボン等を剥離する剥離槽5と、ウエハWの追加洗浄を行う洗浄槽群6とを有する。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a part of a wafer manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a wafer manufacturing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a
インゴットSは、カーボン製の板からなる支持台C(図6参照。)を介して支持板Pに支持されて、スライスマシンM1によって短冊状にスライスされる。インゴットSは支持台Cに接着剤(図示せず。)により貼着されており、支持台Cの一部まで含めて短冊状にスライスされ、ウエハWが支持台Cにぶら下げられた状態のまま、スライスマシンM1からスライス取出機M2によって取り出され、分離装置2にセットされる。
Ingot S is the support base C (see FIG. 6.) Made of carbon steel plate supported by a support plate P via, it is sliced in a strip shape by slicing machine M 1. The ingot S is adhered to the support base C with an adhesive (not shown), is sliced into a strip shape including part of the support base C, and the wafer W remains suspended from the support base C. , taken out from the slice machine M 1 by the slice unloader M 2, it is set to the
分離装置2は、図2〜図4に示すように、スライスされたウエハWを支持台Cにぶら下げられた状態で保持するホルダ20と、ホルダ20に保持されたウエハWを水中に浸漬した状態で分離するための水槽21と、ウエハWを1枚ずつ分離する分離ハンド22とを有する。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
分離ハンド22は、ウエハWを吸着する吸着パッド23と、吸着パッド23を回動させる略L字形の回動アーム24と、回動アーム24を回動可能に支持する支持ベース25と、分離ハンド22を前後進させるための前後進アクチュエータ26と、分離ハンド22をホルダ20に保持されたウエハWのピッチで移動するためのピッチ送りアクチュエータ27と、分離ハンド22を回動させるための回動アクチュエータ28とを有する。
The separation hand 22 includes a
なお、本実施形態においては、支持ベース25は前後進アクチュエータ26に保持され、前後進アクチュエータ26はピッチ送りアクチュエータ27に保持されている。回動アクチュエータ28は回動アーム24を回動させることにより分離ハンド22を回動させる。すなわち、分離ハンド22は、ウエハWの吸着面(図2の左側面および図4の正面)に対して垂直方向(図2および図3の左右方向)およびウエハWの吸着面と平行な面内で前後方向(図3の上下方向および図4の左右方向)に移動可能であり、かつウエハWを吸着した状態で上方向(図2参照。)に回動可能となっている。
In the present embodiment, the
洗浄装置3は、ウエハWを1枚ずつ搬送するコンベア装置30と、コンベア装置30の上下に配置されたシャワー装置31a,31bとを備えている。コンベア装置30は、図2に示すように、コンベア前後進アクチュエータ32によって、分離ハンド22に吸着されたウエハWの下方へ向かって前後進するように構成されている。分離ハンド22からコンベア装置30上へ載置されたウエハWは、コンベア装置30によってウエハ詰め込み装置4へ搬送される際に、その表裏面に対してシャワー装置31a,31bから噴射される洗浄水によって1枚ずつ洗浄される。
The
ここで、分離装置2の動作について、図5のフロー図に従って説明する。まず、前後進アクチュエータ26、ピッチ送りアクチュエータ27、回動アクチュエータ28およびコンベア前後進アクチュエータ32を作動させ、分離ハンド22およびコンベア装置30を開始位置で待機させる(ステップS101)。このとき、分離ハンド22は、図2および図3の最も左側(後述するコンベア装置30側)のウエハWの後方位置(図4参照。)に配置され、コンベア装置30は、図2に実線で示すように分離ハンド22の回動動作に干渉しない位置に配置されている。
Here, the operation of the
次に、回動アクチュエータ28により回動アーム24(分離ハンド22)を上方へ微回動させた状態で、前後進アクチュエータ26により分離ハンド22を前進させ、ホルダ20内のウエハWを吸着可能な位置へ配置する(ステップS102)。続いて、回動アクチュエータ28により回動アーム24を下方へ微回動させ、分離ハンド22の吸着パッド23の吸着面をウエハWの吸着面に対して平行とし(ステップS103)、吸着パッド23によりウエハWの1枚を吸着する(ステップS104)。
Next, in a state where the rotating arm 24 (separation hand 22) is slightly rotated upward by the
次いで、回動アクチュエータ28により回動アーム24を上方の中間位置まで回動させると、ウエハWが支持台Cの部分で分離される(ステップS105)。次に、ウエハWを吸着したまま前後進アクチュエータ26により分離ハンド22を後進させ(ステップS106)、回動アクチュエータ28により分離ハンド22をコンベア装置30よりも上の位置まで回動させる(ステップS107)。
Next, when the
次いで、コンベア前後進アクチュエータ32によって、コンベア装置30を分離ハンド22に吸着されたウエハWの下方の受け取り位置まで前進させる(ステップS108)。次に、吸着パッド23に吸着しているウエハWが離され、コンベア装置30上へ載置され、コンベア装置30により搬送される(ステップS109)。ここで、ウエハWはコンベア装置30により搬送されながら、シャワー装置31a,31bから噴射される洗浄水によって1枚ずつ表裏面が洗浄される。
Next, the conveyor forward /
次いで、コンベア装置30をコンベア前後進アクチュエータ32によって待機位置まで後進させる(ステップS110)。その後、回動アクチュエータ28により分離ハンド22を下方へ回動させる(ステップS111)。そして、分離ハンド22はピッチ送りアクチュエータ27により次のウエハWの位置までピッチ送りされ(ステップS112)、ステップS102へ戻って繰り返しウエハWの分離動作が行われる。
Next, the
ウエハ詰め込み装置4は、コンベア装置30によって1枚ずつ搬送された洗浄後のウエハWを1枚ずつカセット40に収容するものである。カセット40は、ウエハWが1枚ずつ収容されるごとに水槽41内に徐々に下降し、水槽41内の水に浸漬されるようになっている。ウエハWの収容が完了したカセット40は、カセット移載機7によって剥離槽5へ移載されるようになっている。
The wafer stuffing device 4 stores the wafers W after cleaning, which are conveyed one by one by the
剥離槽5では、分離ハンド22によって支持台Cの部分で分離されたウエハWから、この支持台Cの切片および支持台CとウエハWとの間に介在する接着剤を剥離するものである。本実施形態においては、支持台Cはカーボン製の板であり、カーボンおよび接着剤を剥離可能な薬剤にカセット40ごとウエハWを浸漬することにより、ウエハWからカーボン等を剥離する。カーボン等の剥離が完了したカセット40は、カセット搬送機8によって洗浄槽群6を順次搬送され、追加洗浄が行われる。
In the
上記構成のウエハ製造装置1では、支持台Cに接着剤により貼着されたインゴットSを支持台Cの一部まで含めて短冊状にスライスして形成されたウエハWを、従来のように支持台Cにぶら下がった状態のまま粗洗浄するのではなく、支持台Cの部分で分離装置2により1枚ずつ分離し、この分離されたウエハWの表裏面を洗浄装置3により1枚ずつ洗浄する。したがって、このウエハ製造装置1では、短冊状にスライスされて支持台Cにぶら下がった状態でのウエハW間の隙間(ピッチ)およびウエハWの大きさに関係なく、ウエハWの表裏面を容易かつ均一に洗浄することができ、高品質なウエハを安定的に得ることが可能である。
In the wafer manufacturing apparatus 1 having the above-described configuration, the wafer W formed by slicing in a strip shape including the ingot S adhered to the support base C with an adhesive up to a part of the support base C is supported as in the past. Rather than performing rough cleaning while hanging on the table C, the support table C is separated one by one by the
また、このウエハ製造装置1では、分離装置2において、ウエハWを吸着パッド23に吸着し、ウエハWと吸着パッド23とを一体化して剛性を高めて、スライスマシンM1による支持台Cの切断終端を基点にして分離ハンド22を回動することで、支持台Cの既切断部を支持台の未切断部から分離している。そのため、支持台Cは、支持台Cの強度≦(吸着パッド23+ウエハW)の強度の条件が成立するものが好ましく、本実施形態においてはカーボン板を用いているが、樹脂板やアルミナ板等を用いることも可能である。
Further, in the wafer manufacturing apparatus 1, the
また、本実施形態における分離装置2では、ホルダ20に保持されたウエハWを水槽21により水中に浸漬した状態で分離ハンド22により吸着して分離するため、ウエハWを支持台Cから1枚ずつ分離している間に、その表裏面が乾燥するのを防止することができ、スライスによりウエハW表面に付着したスライス粉、砥粒やクーラント等を乾燥させることなく、洗浄装置3によりウエハWの1枚ずつ表裏面を洗浄することが可能となっている。
Further, in the
また、洗浄後のウエハWについても、1枚ずつ洗浄されたウエハWをウエハ詰め込み装置4によりカセット40に収容し、カセット40をウエハWが1枚ずつ収容されるごとに水槽41内に徐々に下降させて、水槽41内の水に浸漬させており、ウエハWを1枚ずつ収容している間にウエハWの表裏面を乾燥させることなく、次の剥離槽5でのカーボン等の剥離を行うことが可能となっている。
As for the cleaned wafers W, the wafers W, which have been cleaned one by one, are stored in the
さらに、本実施形態におけるウエハ製造装置1では、ウエハWが収容されたカセット40を剥離槽5内に浸漬して、ウエハWから支持台Cの切片および接着剤を剥離する構成であるため、1枚ずつ分離したウエハW同士が後工程で接触することがなく、ウエハWの取り扱い不良による品質低下を防止することができ、歩留まりを向上させることが可能となっている。
Furthermore, in the wafer manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment, since the
なお、本実施形態における分離装置2では、分離ハンド22はウエハWの吸着面と平行な面内で前後方向に移動可能としたが、前後方向に限定されるものではない。要するに、分離ハンド22をホルダ20に対してウエハWの吸着面と平行な面内で進退方向に移動可能であれば良い。
In the
また、本実施形態における分離装置2では、分離ハンド22がウエハWを1枚ずつ吸着して回動することにより折り取るものであるが、ウエハWの分離は、折り取る以外の方法で行う構成とすることも可能である。その他の分離手段の例としては、図6〜図11に示すものが挙げられる。
Further, in the
図6は超音波カッターにより切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、超音波カッター50により1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、超音波カッター50のカッター刃50aの先端を、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させて移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。なお、ウエハWに残った支持台Cの切片および接着剤は、前述のように剥離層5で分離する。
FIG. 6 shows a configuration for cutting with an ultrasonic cutter. As shown in FIG. 6A, the
図7は高速ウォータージェットにより切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、高圧水ノズルガン51から高圧水51aを噴射することにより1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、高圧水ノズルガン51から噴射される高圧水51aの先端を、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させて移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。
FIG. 7 shows a configuration for cutting with a high-speed water jet. As shown in FIG. 6A, the high-pressure
図8はレーザ光により切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、レーザ照射ヘッド52からレーザビームを照射することにより1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、レーザ照射ヘッド52から照射されるレーザビーム52aの先端を、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させて移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。
FIG. 8 shows a configuration for cutting with laser light. As shown in FIG. 6A, the
図9はワイヤソーにより切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、ワイヤソー53により1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、ワイヤソー53の固定砥粒ワイヤ53aを、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させ、ウエハWの吸着面に沿って往復移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。
FIG. 9 shows a configuration for cutting with a wire saw. As shown in FIG. 6A, the wafer W suspended by the support base C is attracted by the wire saw 53 while being attracted by the separation hand 22 (not shown). Cut and separate one by one. At this time, as shown in FIG. 5B, the fixed
図10は帯のこにより切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、帯のこ54により1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、帯のこ54ののこ刃54aを、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させ、ウエハWの吸着面に沿って往復移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。
FIG. 10 shows a configuration for cutting with a band saw. As shown in FIG. 6A, the band saw 54 is in a state where the suction surface (front side of FIG. 5A) of the wafer W hung on the support base C is sucked by the separation hand 22 (not shown). To cut and separate one by one. At this time, as shown in FIG. 4B, the
図11は丸のこにより切断する構成を示している。同図(a)に示すように、支持台Cにぶら下げられた状態のウエハWの吸着面(同図(a)の正面)を、図示しない分離ハンド22により吸着した状態で、丸のこ55により1枚ずつ切断して分離する。このとき、同図(b)に示すように、丸のこ55の回転カッター55aを、ウエハWを支持する支持台Cの部分に接触させ、ウエハWの吸着面に沿って移動させ、支持台Cの部分を切断する。これにより、ウエハWは分離ハンド22に吸着した状態で1枚ずつ分離される。ダイシングソーやグラインダにより切断する場合も同様の構成である。
FIG. 11 shows a configuration for cutting with a circular saw. As shown in FIG. 6A, the
本発明のウエハの分離装置は、インゴットをスライスして形成されるウエハを1枚ずつ分離する装置として有用である。 The wafer separation apparatus of the present invention is useful as an apparatus for separating wafers formed by slicing ingots one by one.
1 ウエハ製造装置
2 分離装置
3 洗浄装置
4 ウエハ詰め込み装置
5 剥離槽
6 洗浄槽群
20 ホルダ
21 水槽
22 分離ハンド
23 吸着パッド
24 回動アーム
25 支持ベース
26 前後進アクチュエータ
27 ピッチ送りアクチュエータ
28 回動アクチュエータ
30 コンベア装置
31a,31b シャワー装置
32 コンベア前後進アクチュエータ
40 カセット
41 水槽
50 超音波カッター
51 高圧水ノズルガン
52 レーザ照射ヘッド
53 ワイヤソー
54 帯のこ
55 丸のこ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (4)
前記ウエハを1枚ずつ吸着して分離するための分離ハンドと
を含むウエハの分離装置。 A holder for holding a wafer formed by slicing a strip including an ingot attached to a support base with an adhesive up to a part of the support base in a state where the wafer is suspended from the support base;
A wafer separation apparatus including a separation hand for sucking and separating the wafers one by one.
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