JP6621950B1 - Wafer peeling and cleaning equipment - Google Patents

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Abstract

【課題】ウェーハを小さな力で1枚ずつ剥離すると共に、剥離したウェーハを受渡装置、あるいは枚葉洗浄部に確実に搬送する。【解決手段】ウェーハ剥離洗浄装置において、ウェーハ剥離枚葉部100は、熱水槽112内に設置されウェーハWを保持するワーク保持部122と、ウェーハWが保持された状態で、中心軸がウェーハWの中心軸と一致するように配置された第1剥離用吸着パッド200と、第1剥離用吸着パッド200より下側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッド201と、第1ガイドレール136に沿って第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を熱水槽112の長手方向に沿って移動させる第1送りモータ148と、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータ204と、を備える。【選択図】図7An object of the present invention is to peel off wafers one by one with a small force and to surely transport the peeled wafers to a delivery device or a single wafer cleaning unit. In a wafer peeling and cleaning apparatus, a wafer peeling single wafer unit (100) is installed in a hot water tank (112) and holds a wafer (W). A first peeling suction pad 200 arranged so as to coincide with the central axis of the first, a second peeling suction pad 201 arranged below the first peeling suction pad 200 and expanding and contracting in the axial direction, A first feed motor 148 that moves the first and second peeling suction pads 200 and 201 along the guide rail 136 along the longitudinal direction of the hot water tank 112; and a first and second peeling suction pads 200 and 201. A vertical rotary actuator 204 that moves vertically upward and downward. [Selection diagram] FIG.

Description

本発明はウェーハ剥離洗浄装置に係り、特にワイヤソーで多数枚に同時切断され、バッチ状態(束ねられた)とされたウェーハをスライスベースから剥離して枚葉化し、洗浄するウェーハ剥離洗浄装置に関する。   The present invention relates to a wafer peeling and cleaning apparatus, and more particularly to a wafer peeling and cleaning apparatus that peels wafers that have been simultaneously cut into a plurality of pieces with a wire saw into a batch state (bundled) from a slice base into single wafers and cleaned.

ワイヤソーでインゴットを切断すると、ウェーハは全てスライスベースに接着された状態で切り出される。このため、ウェーハはスライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。また、ワイヤソーで切断された直後のウェーハには、加工液等が付着しているため、洗浄して加工液を除去する必要がある。   When the ingot is cut with a wire saw, all the wafers are cut out in a state of being bonded to the slice base. For this reason, the wafer needs to be peeled off from the slice base into a single wafer. Further, since the processing liquid or the like is attached to the wafer immediately after being cut by the wire saw, it is necessary to clean the wafer to remove the processing liquid.

従来、このウェーハの剥離作業と洗浄作業は、一台のウェーハ剥離洗浄装置で行っていた。また、ウェーハ剥離洗浄装置は、粗洗浄部、ウェーハ剥離枚葉部、洗浄部及び回収部で構成されており、切断直後のウェーハは、まず、粗洗浄部に搬送されて粗洗浄される。そして、粗洗浄されたバッチ状態のウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部に搬送されて、そこで1枚ずつスライスベースから剥離されて枚葉化される。スライスベースから剥離されたウェーハは、受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送されて枚葉洗浄され、その後、回収部において1枚ずつ回収されてカセットに収納される。   Conventionally, this wafer peeling operation and cleaning operation have been performed by a single wafer peeling and cleaning apparatus. Further, the wafer peeling cleaning apparatus includes a rough cleaning unit, a wafer peeling single wafer unit, a cleaning unit, and a recovery unit. A wafer immediately after cutting is first transported to the rough cleaning unit and roughly cleaned. The roughly cleaned wafers in a batch state are transported to the wafer separation sheet unit, where the wafers are separated one by one from the slice base and separated into sheets. The wafers peeled off from the slice base are transported to the single wafer cleaning unit by the delivery device and single wafer cleaned, and then collected one by one in the recovery unit and stored in the cassette.

ウェーハ剥離枚葉部では、効率良くウェーハを剥離するため、所定の間隔をもって一対の剥離用吸着パッドを配設し、一対の剥離用吸着パッドによってウェーハを真空吸着して保持する。そして、剥離用吸着パットを前後方向に揺動し、昇降用ロータリーアクチュエータによって、昇降移動して所定の受渡位置で停止することが知られ、特許文献1に記載されている。   In the wafer peeling single wafer portion, in order to efficiently peel the wafer, a pair of peeling suction pads are arranged at a predetermined interval, and the wafer is vacuum-sucked and held by the pair of peeling suction pads. And it is known that the peeling suction pad is swung in the front-rear direction, moved up and down by a lifting rotary actuator and stopped at a predetermined delivery position, which is described in Patent Document 1.

特開平11−288902号公報JP 11-288902 A

特許文献1に記載のものでは、単に、一対の剥離用吸着パッドによってウェーハを真空吸着して前後方向に揺動し、昇降移動するので、効率良くウェーハを剥離する点では望ましいが、剥離されたウェーハを持ち上げてから受渡位置で受渡用吸着パッドに確実に受け渡すには十分でない。特に、効率向上のために昇降移動の速度を上げると、途中でウェーハを落下、あるいはウェーハの姿勢が不安定になって傷つける恐れがある。   In the thing of patent document 1, since a wafer is vacuum-sucked by a pair of peeling suction pads, it swings in the front-rear direction, and moves up and down, which is desirable in terms of efficiently peeling the wafer, but was peeled off It is not sufficient to reliably deliver the wafer to the delivery suction pad at the delivery position after lifting the wafer. In particular, if the speed of raising / lowering movement is increased to improve efficiency, there is a risk that the wafer may fall along the way, or the posture of the wafer may become unstable and be damaged.

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、ウェーハを小さな力で簡単に1枚ずつ剥離すると共に、剥離したウェーハを受渡装置、あるいは枚葉洗浄部に確実に搬送することで、不良率が小さく、時間を短縮して全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることにある。   The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to easily peel wafers one by one with a small force and to reliably transport the peeled wafers to a delivery device or a single wafer cleaning unit. The object is to obtain a wafer peeling and cleaning apparatus that has a low rate, shortens the time, and improves the efficiency as a whole.

上記課題を解決するため、本発明は、多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、前記ウェーハ剥離枚葉部は、矩形の箱型に形成され熱水が貯留される熱水槽と、前記熱水槽内に設置され前記ウェーハを保持するワーク保持部と、該ワーク保持部に前記ウェーハが保持された状態で、中心軸が前記ウェーハの中心軸と一致するように配置された第1剥離用吸着パッドと、該第1剥離用吸着パッドより下側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッドと、前記熱水槽の長手方向に沿って配設された第1ガイドレールと、前記第1ガイドレールに沿って前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記熱水槽の長手方向に沿って移動させる第1送りモータと、前記第1及び第2剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、を備えたものである。   In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a wafer separation unit in which a batch of wafers that have been cut simultaneously are separated from a slice base one by one in a wafer separation sheet unit, and the separated wafer is separated into single wafer cleaning units. In the wafer peeling and cleaning apparatus that transports the wafer to a single wafer and recovers the cassette in the cassette after the cleaning, the wafer peeling single wafer portion is formed in a rectangular box shape and a hot water tank in which hot water is stored, A work holding unit that is installed in the hot water tank and holds the wafer, and a first axis arranged so that a central axis coincides with a central axis of the wafer in a state where the wafer is held by the work holding unit. A peeling suction pad, a second peeling suction pad that is disposed below the first peeling suction pad and expands and contracts in the axial direction, and a first guide rail disposed along the longitudinal direction of the hot water tank And before A first feed motor that moves the first and second peeling suction pads along the longitudinal direction of the hot water tank along the first guide rail, and the first and second peeling suction pads vertically moved up and down. And a rotary actuator for moving up and down.

また、上記において、前記第2剥離用吸着パッドは、ベローズ型真空吸着パッドとされたことが望ましい。   In the above, it is preferable that the second peeling suction pad is a bellows type vacuum suction pad.

さらに、前記第1剥離用吸着パッドは、表面がフラットな平形真空パッドとされ、前記第2剥離用吸着パッドより吸着力が強いことが望ましい。   Further, it is desirable that the first peeling suction pad is a flat vacuum pad having a flat surface and has a stronger suction force than the second peeling suction pad.

さらに、バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際、前記ウェーハの吸着保持は、前記ウェーハの端面に前記第2剥離用吸着パッドが当接して引き寄せ、その後、前記第1剥離用吸着パッドにより前記ウェーハの中心軸を吸着することで行われることが望ましい。   Furthermore, when the wafers are peeled from the wafers in a batch state one by one, the wafers are sucked and held by the second peeling suction pads coming into contact with the end surfaces of the wafers, and then the first It is desirable that the separation be performed by adsorbing the central axis of the wafer with a peeling suction pad.

さらに、バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際に前記ウェーハが前方に倒れるのを防止する倒止板を有し、前記第2剥離用吸着パッドはバッチ状態の前記ウェーハの接着部近傍を中心として前記ウェーハを前記倒止板側へ引き寄せることが望ましい。   Furthermore, it has a detent plate for preventing the wafer from falling forward when the wafers are peeled from the batch wafers one by one, and the second peeling suction pad is used for the batch wafers. It is desirable to pull the wafer toward the end plate side in the vicinity of the vicinity of the bonding portion.

さらに、前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記ウェーハの軸線に沿った方向に揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータを設け、前記揺動用ロータリーアクチュエータを駆動して前記第1及び第2剥離用吸着パッドを揺動させることにより、前記ウェーハを前記スライスベースから剥離することが望ましい。   Further, a swing rotary actuator is provided for swinging the first and second stripping suction pads in a direction along the axis of the wafer, and the swing rotary actuator is driven to drive the first and second stripping suction. It is desirable that the wafer is peeled from the slice base by swinging a pad.

さらに、前記ウェーハの鉛直上方に水供給ノズルを設け、前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給することが望ましい。   Furthermore, it is desirable to provide a water supply nozzle vertically above the wafer and supply hot water or water from near the center vertically above the wafer when the wafers are peeled one by one.

さらに、前記ウェーハの両側面に設けられたエアノズルを有し、前記熱水槽にセットされた前記ウェーハの端面を前記第1及び第2剥離用吸着パッドで吸着保持して前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記エアノズルにより前記ウェーハの側面にエアーをブロー供給することが望ましい。   Further, the wafer has air nozzles provided on both side surfaces of the wafer, and the wafer end surfaces set in the hot water tank are sucked and held by the first and second peeling suction pads to peel the wafers one by one. In doing so, it is desirable to blow and supply air to the side surface of the wafer by the air nozzle.

さらに、前記エアノズルは、前記ウェーハの下側から上側に向かってエアーをブロー供給することが望ましい。   Further, it is preferable that the air nozzle blows and supplies air from the lower side to the upper side of the wafer.

さらに、前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、バッチ状態の複数枚に対してエアーをブロー供給することが望ましい。   Further, it is preferable that the air nozzle blows and supplies air to a plurality of batched sheets when peeling one wafer.

本発明によれば、ワーク保持部にウェーハが保持された状態で、中心軸がウェーハの中心軸と一致するように配置された第1剥離用吸着パッドと、該第1剥離用吸着パッドより下側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッドと、を設けたので、ウェーハを小さな力で簡単に1枚ずつ剥離すると共に、剥離したウェーハを受渡装置、あるいは枚葉洗浄部に確実に搬送することで、時間を短縮して全体として効率を向上できる。   According to the present invention, in a state where the wafer is held by the workpiece holding unit, the first peeling suction pad arranged so that the central axis coincides with the central axis of the wafer, and the first peeling suction pad below the first peeling suction pad. The second peeling suction pad that is disposed on the side and expands and contracts in the axial direction is provided, so that the wafers can be easily peeled one by one with a small force, and the peeled wafers can be transferred to a delivery device or a single wafer cleaning unit. By transporting reliably, the time can be shortened and the overall efficiency can be improved.

ウェーハ剥離洗浄装置の全体構成を示す平面図Plan view showing the entire configuration of the wafer peeling cleaning device ウェーハ剥離枚葉部の構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the wafer peeling sheet 剥離装置の構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the peeling device 受渡装置の構成を示す平面部分断面図Plane partial sectional view showing the configuration of the delivery device 剥離装置の構成を示す正面図Front view showing the configuration of the peeling device 剥離装置の構成を示す側面図Side view showing the configuration of the peeling device ウェーハ剥離枚葉部の構成を示す正面図Front view showing the configuration of the wafer peeling wafer 受渡装置の構成を示す正面図Front view showing the configuration of the delivery device 受渡装置の構成を示す側面部分断面図Side surface partial sectional view showing the configuration of the delivery device 剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大側面図Enlarged side view of the main part showing details of the adsorption part for peeling 剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大正面図Enlarged front view of the main part showing details of the adsorption part for peeling 剥離作業の作用の説明図Explanatory drawing of action of peeling work 枚葉洗浄部の構成を示す側面図Side view showing configuration of single wafer cleaning unit 搬送ユニットの構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the transport unit 回収部の構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the recovery unit

以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置1の構成を示す平面図、図2は、ウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図である。図1に示すように、本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、粗洗浄部10、ウェーハ剥離枚葉部100、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500を主要部として構成されている。各主要部の概要を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a wafer peeling cleaning apparatus 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a wafer peeling single wafer portion 100. As shown in FIG. 1, the wafer peeling and cleaning apparatus 1 according to the present embodiment mainly includes a rough cleaning unit 10, a wafer peeling sheet 100, a transfer unit 310, a sheet cleaning unit 350, a detection unit 400, and a recovery unit 500. It is configured as a part. An outline of each main part will be described.

粗洗浄部10は、ワイヤソーで切断された直後のバッチ状態のウェーハW(スライスベースSに接着されたウェーハW)をシャワー洗浄して切断時に付着したスラリを除去する。粗洗浄部10は、ウェーハWの洗浄を行う粗洗浄装置12を備えている。粗洗浄装置12では、マウンティングプレートMを上側にして、スライス溝を下側にして浸漬し、洗浄する洗浄工程を有する。洗浄する際に上下にゆすりながら、溝内に水流を起こして洗浄する。洗浄が終了すると、粗洗浄部10から搬出されたウェーハは、そのままリフターによって次のウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。   The rough cleaning unit 10 performs shower cleaning on the wafer W in a batch state immediately after being cut by the wire saw (wafer W bonded to the slice base S), and removes the slurry adhered at the time of cutting. The rough cleaning unit 10 includes a rough cleaning device 12 that cleans the wafer W. The rough cleaning device 12 has a cleaning step of immersing and cleaning with the mounting plate M facing upward and the slicing groove facing downward. Rinse up and down while washing to create a water flow in the groove. When the cleaning is completed, the wafer carried out from the rough cleaning unit 10 is directly transferred to the next wafer peeling sheet 100 by a lifter.

ウェーハ剥離枚葉部100は、バッチ状態のウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離して枚葉化する。そして、ウェーハ剥離枚葉部100は、図2に示すように熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。受渡装置118は、剥離装置114によってスライスベースSから剥離されたウェーハを受け取り、搬送部310のシャトルコンベア312に受け渡す装置である。


The wafer peeling single wafer portion 100 peels the wafers W in a batch state from the slice base S one by one to form a single wafer. And the wafer peeling sheet | seat part 100 is comprised by making the hot water tank 112, the peeling apparatus 114, and the delivery apparatus 118 into the main apparatus, as shown in FIG. The delivery device 118 is a device that receives the wafer peeled from the slice base S by the peeling device 114 and delivers it to the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310.


搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310に備えられたシャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。   The transfer unit 310 receives the wafer W peeled and separated by the wafer peeling sheet unit 100 and transfers the wafer W to the next sheet cleaning unit 350. Then, the wafer W is transferred to the single wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312 provided in the transfer unit 310.

枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。枚葉ブラシ洗浄部352は、搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液をかけながらブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、次工程の枚葉プレリンス部354に搬送される。   The single wafer cleaning unit 350 cleans the wafers W separated by the wafer separation single wafer unit 100 one by one. The single wafer cleaning unit 350 includes a single sheet brush cleaning unit 352, a single wafer pre-rinse unit 354, and a single wafer rinse unit 356. The single wafer brush cleaning unit 352 performs brush cleaning while applying a cleaning liquid to the back surface of the transferred wafer W. After cleaning, in order not to bring the cleaning liquid into the next process, the compressed air is sprayed to drain the liquid. Then, the wafer W after the brush cleaning is transferred to the single wafer pre-rinsing unit 354 in the next process.

枚葉プレリンス部354は、搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、次工程の枚葉リンス部356に搬送する。   The single wafer pre-rinsing unit 354 performs brush cleaning with a rotating brush while applying the pre-rinsing liquid from the pre-rinsing liquid nozzle to the back surface of the transferred wafer. After washing, the liquid is discharged by jetting compressed air. And it conveys to the single wafer rinse part 356 of the next process.

枚葉リンス部356は、ウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、液切りされたウェーハWは、検出部400の丸ベルトコンベア411上に移送され、検出部400の所定の受取位置に搬送される。   The single wafer rinse section 356 is brush-washed with a rotating brush while applying a rinse liquid from a rinse liquid nozzle to the back surface of the wafer. After the cleaning, the drained wafer W is transferred onto the round belt conveyor 411 of the detection unit 400 and transferred to a predetermined receiving position of the detection unit 400.

検出部400は、洗浄が終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。そして、検出が終了したウェーハWを回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡す。   The detection unit 400 detects the presence / absence of cracks, chips, and adhesive remaining for each wafer W that has been cleaned, and measures the thickness of each wafer. Then, the detected wafer W is delivered to the wafer transfer robot 508 of the collection unit 500.

ウェーハ搬送ロボット508は、多関節形のロボットであり、先端に、旋回自在なハンド部520が設けられ、ウェーハWは、そのハンド部520の先端に設けられた吸着パッド522で吸着保持されて搬送される。回収部500は、接着剤残りウェーハと不良ウェーハ(割れウェーハ、欠けウェーハ、厚さ不良ウェーハ、端材)を分別するため、正常なウェーハを回収する二つのウェーハ回収部502A、502Bと、不良ウェーハを回収する不良ウェーハ回収部504と、接着剤残りウェーハを回収する接着剤残りウェーハ回収部506とで構成される。   The wafer transfer robot 508 is an articulated robot, and a swivelable hand unit 520 is provided at the tip, and the wafer W is sucked and held by a suction pad 522 provided at the tip of the hand unit 520. Is done. The recovery unit 500 separates the adhesive remaining wafer and the defective wafer (cracked wafer, chipped wafer, defective thickness wafer, end material) into two wafer recovery units 502A and 502B that recover normal wafers, and the defective wafer. The defective wafer collecting unit 504 for collecting the adhesive remaining wafer and the adhesive remaining wafer collecting unit 506 for collecting the remaining adhesive wafer.

そして、ウェーハ搬送ロボット508は、検出部400からウェーハWを受け取り、その検出結果に基づいてウェーハWを各ウェーハ回収部502、504、506のカセットに分別して収納する。   Then, the wafer transfer robot 508 receives the wafer W from the detection unit 400, and sorts and stores the wafer W in the cassettes of the wafer collection units 502, 504, and 506 based on the detection result.

次に、ウェーハ剥離枚葉部100の詳細について説明する。図2はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図、図3は剥離装置114の構成を示す平面図、図4は受渡装置118の構成を示す平面部分断面図、図5は剥離装置114の構成を示す正面図、図6は剥離装置114の構成を示す側面図、図7はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す正面図、図8は受渡装置118の構成を示す正面図、図9は受渡装置118の構成を示す側面部分断面図である。ウェーハ剥離枚葉部100は、熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。   Next, details of the wafer separation sheet 100 will be described. 2 is a plan view showing the configuration of the wafer peeling sheet 100, FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the peeling device 114, FIG. 4 is a partial plan view of the plane showing the configuration of the delivery device 118, and FIG. FIG. 6 is a side view showing the configuration of the peeling device 114, FIG. 7 is a front view showing the configuration of the wafer peeling sheet 100, and FIG. 8 is a front view showing the configuration of the delivery device 118. 9 is a side partial sectional view showing the configuration of the delivery device 118. The wafer peeling sheet 100 is composed mainly of a hot water tank 112, a peeling device 114, and a delivery device 118.

熱水槽112の構成について説明する。熱水槽112は矩形の箱型に形成されており、その内部に熱水120が貯留されている。スライスベースSから剥離するウェーハWは、熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットされる。そして、ウェーハWがワーク保持部122にセットされることにより、ウェーハWに接着されたスライスベースSが熱水120中に浸漬される。   The configuration of the hot water tank 112 will be described. The hot water tank 112 is formed in a rectangular box shape, and hot water 120 is stored therein. The wafer W to be peeled from the slice base S is set on a work holding unit 122 provided in the hot water tank 112. Then, by setting the wafer W on the work holding unit 122, the slice base S bonded to the wafer W is immersed in the hot water 120.

剥離装置114の概略構成について、主に図3にしたがって説明する。剥離装置114は、熱水槽112内にセットされたウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離する装置である。図2及び図5示すように、熱水槽112の右側部近傍には、熱水槽112の長手方向に沿って一対の第1ガイドレール136、136が配設されている。この第1ガイドレール136、136上には、リニアガイド138、138(図5)を介して第1スライドテーブル(走行体)140がスライド自在に支持されている。   A schematic configuration of the peeling apparatus 114 will be described mainly with reference to FIG. The peeling device 114 is a device that peels the wafers W set in the hot water tank 112 from the slice base S one by one. As shown in FIGS. 2 and 5, a pair of first guide rails 136 and 136 are disposed in the vicinity of the right side of the hot water tank 112 along the longitudinal direction of the hot water tank 112. On the first guide rails 136 and 136, a first slide table (running body) 140 is slidably supported via linear guides 138 and 138 (FIG. 5).

第1スライドテーブル140の下面にはナット部材142(図5)が固着されており、ナット部材142は、一対の第1ガイドレール136、136の間に配設されたネジ棒144に螺合されている。ネジ棒144の両端部は、軸受部材146、146によって回動自在に支持されており、また、ネジ棒144の一方端には、第1ガイドレール136、136の一方端に設置された第1送りモータ148(図6)が連結されている。ネジ棒144は、第1送りモータ148を駆動することにより回動し、この結果、第1スライドテーブル140が第1ガイドレール136、136に沿って移動する。   A nut member 142 (FIG. 5) is fixed to the lower surface of the first slide table 140, and the nut member 142 is screwed to a screw rod 144 disposed between the pair of first guide rails 136 and 136. ing. Both end portions of the screw rod 144 are rotatably supported by bearing members 146 and 146, and the first end of the first guide rails 136 and 136 is installed at one end of the screw rod 144. A feed motor 148 (FIG. 6) is connected. The screw rod 144 rotates by driving the first feed motor 148, and as a result, the first slide table 140 moves along the first guide rails 136 and 136.

第1スライドテーブル140上には、スライスベースSからウェーハWを剥離するための剥離ユニット150が設けられている。剥離ユニット150は、図3、5、6に示すように、第1スライドテーブル140上に軸受ブロック152が設けられている。軸受ブロック152には、揺動フレーム154の基端部に設けられた支軸156が揺動自在に支持されている。   On the first slide table 140, a peeling unit 150 for peeling the wafer W from the slice base S is provided. As shown in FIGS. 3, 5, and 6, the peeling unit 150 is provided with a bearing block 152 on the first slide table 140. A spindle 156 provided at the base end of the swing frame 154 is supported on the bearing block 152 so as to be swingable.

第1スライドテーブル140上にはブラケット158を介して揺動用ロータリーアクチュエータ160が設置されており、揺動用ロータリーアクチュエータ160の出力軸には駆動ギア162が固着されている。駆動ギア162には、従動ギア164が噛合されており、従動ギア164は回転軸168の先端部に固着されている。回転軸168は軸受部材170によって回動自在に支持されており、軸受部材170は、揺動用ロータリーアクチュエータ160に固定された支持プレート172に支持されている。   A swing rotary actuator 160 is installed on the first slide table 140 via a bracket 158, and a drive gear 162 is fixed to the output shaft of the swing rotary actuator 160. A driven gear 164 is engaged with the drive gear 162, and the driven gear 164 is fixed to the tip of the rotating shaft 168. The rotating shaft 168 is rotatably supported by a bearing member 170, and the bearing member 170 is supported by a support plate 172 fixed to the swinging rotary actuator 160.

従動ギア164には、円盤状に形成された回転プレート174(図5、6)が同軸上に固着されており、回転プレート174には、コネクティングロッド176の一方端がピン178によって連結されている。そして、コネクティングロッド176の他方端は、揺動フレーム154にピン180によって連結されている。   A rotating plate 174 (FIGS. 5 and 6) formed in a disk shape is coaxially fixed to the driven gear 164, and one end of a connecting rod 176 is connected to the rotating plate 174 by a pin 178. . The other end of the connecting rod 176 is connected to the swing frame 154 by a pin 180.

以上の構成により、揺動フレーム154は揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動することにより、その基端部に設けられた支軸156を中心に揺動する。すなわち、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動すると回転プレート174が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド176を介して揺動フレーム154に伝達され、揺動フレーム154が揺動する。   With the above configuration, the swing frame 154 swings around the support shaft 156 provided at the base end portion thereof by driving the swing rotary actuator 160. That is, when the swing rotary actuator 160 is driven, the rotary plate 174 reciprocates within a range of 180 °, and the reciprocating rotation is transmitted to the swing frame 154 via the connecting rod 176, so that the swing frame 154 swings.

揺動フレーム154の上端部には、軸受ユニット182が設けられており、軸受ユニット182には二本の回転軸186、188が回動自在に支持されている。回転軸186、188の先端部には、それぞれアーム190、192が固着されており、アーム190、192の先端は、互いにピン194、196を介してパッド支持プレート198に連結されている。パッド支持プレート198には、所定の間隔をもって一対の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が配設されており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201はウェーハWを真空吸着して保持する。   A bearing unit 182 is provided at the upper end of the swing frame 154, and two rotating shafts 186 and 188 are rotatably supported on the bearing unit 182. Arms 190 and 192 are fixed to the distal ends of the rotation shafts 186 and 188, respectively, and the distal ends of the arms 190 and 192 are connected to the pad support plate 198 via pins 194 and 196, respectively. A pair of first and second peeling suction pads 200 and 201 are disposed on the pad support plate 198 at a predetermined interval. The first and second peeling suction pads 200 and 201 vacuum-suck the wafer W. And hold.

揺動フレーム154の背面部には、支持プレート202が取り付けられており、支持プレート202には昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置されている。昇降用ロータリーアクチュエータ204の出力軸には、扇形状に形成された回転プレート206が固着されており、回転プレート206にはコネクティングロッド208の一方端がピン210によって連結されている。そして、コネクティングロッド208の他方端は、一方のアーム190にピン212によって連結されている。   A support plate 202 is attached to the back surface of the swing frame 154, and a lifting rotary actuator 204 is installed on the support plate 202. A fan-shaped rotating plate 206 is fixed to the output shaft of the lifting rotary actuator 204, and one end of a connecting rod 208 is connected to the rotating plate 206 by a pin 210. The other end of the connecting rod 208 is connected to one arm 190 by a pin 212.

以上の構成により、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動することにより鉛直上方に昇降移動する。すなわち、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動すると回転プレート206が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド208を介してアーム190に伝達され、一方のアーム190が上下方向に往復角運動を行う。アーム190が往復角運動を行うと、他方側のアーム192も搖動テコとなって往復角運動を行い、この結果、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が鉛直上方に持ち上げられる。   With the above configuration, the first and second peeling suction pads 200 and 201 provided on the pad support plate 198 are moved up and down vertically by driving the lifting rotary actuator 204. That is, when the rotary actuator 204 is driven, the rotary plate 206 reciprocates in the range of 180 °, and the reciprocating rotation is transmitted to the arm 190 via the connecting rod 208, and one arm 190 reciprocates in the vertical direction. I do. When the arm 190 reciprocates, the other arm 192 also reciprocates and reciprocates, and as a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 provided on the pad support plate 198. Is lifted vertically upward.

ウェーハWを吸着保持する第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が設けられているパッド支持プレート198は、アーム190、192を介して揺動フレーム154に接続されているので、揺動フレーム154が揺動することにより前後方向に揺動する。   The first and second peeling suction pads 200 and 201 for sucking and holding the wafer W are moved up and down by driving the lift rotary actuator 204. Further, since the pad support plate 198 provided with the first and second peeling suction pads 200 and 201 is connected to the swing frame 154 via the arms 190 and 192, the swing frame 154 swings. By doing so, it swings back and forth.

すなわち、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、揺動用ロータリーアクチュエータ160が駆動することにより前後方向に揺動し、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。そして、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201でスライスベースSからウェーハWを次のように剥離する。   That is, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing in the front-rear direction when the swing rotary actuator 160 is driven, and move up and down when the lift rotary actuator 204 is driven. Then, the wafer W is peeled from the slice base S by the first and second peeling suction pads 200 and 201 as follows.

熱水槽112内にセットされたウェーハWの端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で吸着保持する。次いで、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後方向(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。このため、ウェーハWは、複数回揺動が与えられることでスライスベースSから剥離される。   The end surface of the wafer W set in the hot water tank 112 is sucked and held by the first and second peeling suction pads 200 and 201. Next, the swing rotary actuator 160 is driven to swing the first and second peeling suction pads 200 and 201 in the front-rear direction (the direction along the axis of the wafer). Here, since the adhesive bonding the wafer W and the slice base S is immersed in the hot water 120, it is sufficiently softened by heat. For this reason, the wafer W is peeled from the slice base S by being swung a plurality of times.

ウェーハWがスライスベースSから剥離されると、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動され、剥離したウェーハWを保持した状態で第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が上方に向かって移動する。そして、所定の受渡位置で停止する。受渡位置に移送されたウェーハWは受渡装置118に受け渡されたのち、受渡装置118によってシャトルコンベア312に移送され、該シャトルコンベア312によって次工程に搬送されていく。   When the wafer W is peeled from the slice base S, the lifting rotary actuator 204 is driven, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 move upward while holding the peeled wafer W. And it stops at a predetermined delivery position. The wafer W transferred to the delivery position is delivered to the delivery device 118, then transferred to the shuttle conveyor 312 by the delivery device 118, and transferred to the next process by the shuttle conveyor 312.

一方、ウェーハWの受け渡しが終了した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204に駆動されて下方に移動し、元の剥離作業位置に復帰する。ウェーハWは、その端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって揺動を与えることによりスライスベースSから剥離されるが、ウェーハWの中には第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で揺動を与えられる前から、スライスベースSから剥離してしまっているものもある。   On the other hand, the first and second peeling suction pads 200 and 201 that have finished transferring the wafer W are driven by the lifting rotary actuator 204 to move downward and return to the original peeling work position. The wafer W is peeled from the slice base S by swinging the end surface thereof by the first and second peeling suction pads 200 and 201, but the first and second peeling suction pads are included in the wafer W. Some have peeled off from the slice base S before being given rocking at 200 and 201.

この場合、ウェーハWが前方に倒れて回収不能になるおそれがある。このため、剥離するウェーハWの前方位置には、ウェーハWが前方に倒れるのを防止するための倒止板214が配設されている。倒止板214は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置された支持プレート202に設けられており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201と共に揺動する。   In this case, the wafer W may fall forward and become uncollectable. For this reason, an anti-rotation plate 214 for preventing the wafer W from falling forward is disposed at the front position of the wafer W to be peeled. The retaining plate 214 is provided on the support plate 202 on which the lifting rotary actuator 204 is installed, and swings together with the first and second peeling suction pads 200 and 201.

第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、倒止板214に形成された通路214aを通って昇降移動する。また、倒止板214の上部には、2枚取り防止板216が固着されており、スライスベースSから剥離されたウェーハWは、2枚取り防止板216に形成されたスリット216aを通って所定の受渡位置まで移送される。スリット216aは、ウェーハWが丁度1枚通れる幅(例えば、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅)で形成されており、これにより、ウェーハが2枚同時に剥離されたような場合に、その2枚のウェーハが互いに貼りついて2枚同時に受渡位置まで移送されることを防止することができる。具体的には、スリット216aの幅は、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅とすることで、2枚同時の移送を防ぐと共に、表面の傷付き防止を図ることができる。   The first and second peeling suction pads 200 and 201 move up and down through a passage 214a formed in the retaining plate 214. In addition, a two-sheet prevention plate 216 is fixed to the upper portion of the retaining plate 214, and the wafer W peeled from the slice base S passes through a slit 216 a formed in the two-sheet prevention plate 216 and is predetermined. To the delivery position. The slit 216a is formed with a width that allows just one wafer W to pass through (for example, a width that is 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W). In this case, it is possible to prevent the two wafers from sticking to each other and being simultaneously transferred to the delivery position. Specifically, by making the width of the slit 216a 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W, it is possible to prevent the simultaneous transfer of two sheets and to prevent the surface from being scratched. it can.

これにより、スライスベースから2枚のウェーハが同時に剥離され、互いに貼りついた場合であっても、2枚取り防止板216のスリット216aを通過する際に、その1枚目のウェーハに貼りついた2枚目のウェーハが、スリット216aを通過できずに落下するので、常に1枚ずつ受渡位置に移送することができる。なお、この場合、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収することができる。   As a result, even when the two wafers were peeled from the slice base at the same time and adhered to each other, they adhered to the first wafer when passing through the slit 216a of the two-sheet prevention plate 216. Since the second wafer falls without passing through the slit 216a, it can always be transferred to the delivery position one by one. In this case, since the wafer that has fallen without passing through the slit 216a is prevented from falling forward by the retaining plate 214, it can be reliably recovered at the next peeling.

次に、受渡装置118の概略構成について説明する。受渡装置118は、剥離装置114の第1剥離用吸着パッド200によってスライスベースSから剥離されたウェーハWを第1剥離用吸着パッド200から受け取り、シャトルコンベア312に受け渡す装置である。受渡装置118は、図2、4及び図7、8、9に示すように、駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上に設けられており、第2送りモータ248を駆動することにより、第2ガイドレール236、236に沿って移動する。   Next, a schematic configuration of the delivery device 118 will be described. The delivery device 118 is a device that receives the wafer W peeled from the slice base S by the first peeling suction pad 200 of the peeling device 114 from the first peeling suction pad 200 and delivers it to the shuttle conveyor 312. As shown in FIGS. 2, 4 and 7, 8, and 9, the delivery device 118 is provided on the second slide table 240 of the drive unit 222. It moves along the guide rails 236, 236.

駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上には、支柱274が垂直に立設されている。この支柱274の頂部には、支持フレーム276が垂直に立設されており、支持フレーム276には旋回用ロータリーアクチュエータ278が水平に設置されている。旋回用ロータリーアクチュエータ278の出力軸には駆動ギア280が噛合されており、駆動ギア280には旋回軸284に固着された従動ギア282が噛合されている。旋回軸284は、支持フレーム276の頂部に設置された軸受ユニット286に回動自在に支持されており、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより180°の範囲で回動する。   On the second slide table 240 of the drive unit 222, a support column 274 is erected vertically. A support frame 276 is erected vertically on the top of the support column 274, and a turning rotary actuator 278 is horizontally installed on the support frame 276. A drive gear 280 is engaged with the output shaft of the turning rotary actuator 278, and a driven gear 282 fixed to the turning shaft 284 is engaged with the drive gear 280. The turning shaft 284 is rotatably supported by a bearing unit 286 installed on the top of the support frame 276, and rotates within a range of 180 ° by driving the turning rotary actuator 278.

旋回軸284の基端部には、旋回フレーム288が固着されており、旋回フレーム288には回転軸290が回動自在に支持されている。回転軸290の基端部には、旋回フレーム288に設置された方向転換用ロータリーアクチュエータ292の出力軸が固着されており、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、90°の範囲で回動する。   A turning frame 288 is fixed to a base end portion of the turning shaft 284, and a rotating shaft 290 is rotatably supported by the turning frame 288. An output shaft of a direction changing rotary actuator 292 installed on the revolving frame 288 is fixed to the base end portion of the rotating shaft 290. By rotating the direction changing rotary actuator 292, the output shaft can be rotated within a range of 90 °. Move.

回転軸290の先端部には、L字状に形成された旋回アーム294が固着されており、旋回アーム294の先端部には支持プレート296が固着されている。支持プレート296にはパッド進退用シリンダ298が設けられており、パッド進退用シリンダ298のロッド先端部には、受渡用吸着パッド300が設けられている。剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって剥離されたウェーハWは、所定の受渡位置まで搬送されたのち、受渡用吸着パッド300に受け渡される。   A turning arm 294 formed in an L shape is fixed to the tip of the rotating shaft 290, and a support plate 296 is fixed to the tip of the turning arm 294. The support plate 296 is provided with a pad advancing / retreating cylinder 298, and a delivery suction pad 300 is provided at the rod tip of the pad advancing / retreating cylinder 298. The wafer W peeled by the first and second peeling suction pads 200 and 201 of the peeling device 114 is transferred to a predetermined delivery position and then delivered to the delivery suction pad 300.

受渡装置118において、受渡用吸着パッド300に吸着保持されたウェーハWは、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより、垂直面上を180°の範囲で旋回し、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、垂直状態から水平状態に方向転換される。   In the delivery device 118, the wafer W sucked and held by the delivery suction pad 300 is rotated within a range of 180 ° on the vertical plane by driving the turning rotary actuator 278 to drive the direction changing rotary actuator 292. By doing so, the direction is changed from the vertical state to the horizontal state.

剥離装置114で剥離したウェーハWの受け取り、及び、その受け取ったウェーハWのシャトルコンベア312上への受け渡しは、次のように行う。スライスベースSから剥離されたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201に吸着保持された状態で上昇して所定の受渡位置に移送される。受渡位置には、すでに受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。   Reception of the wafer W peeled by the peeling device 114 and delivery of the received wafer W onto the shuttle conveyor 312 are performed as follows. The wafer W peeled from the slice base S rises while being sucked and held by the first and second peeling suction pads 200 and 201 and is transferred to a predetermined delivery position. The delivery suction pad 300 is already waiting at the delivery position, and the wafer W is positioned coaxially with the axis of the delivery suction pad 300.

ウェーハWが受渡位置に移送されると、次いで、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がウェーハWに向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWの端面に受渡用吸着パッド300が密着する。次に、受渡用吸着パッド300が駆動され、受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられたタッチセンサ(図示せず)によって検知される。そして、この検知信号によって、第1剥離用吸着パッド200の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。これにより、ウェーハWが第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡される。なお、第2剥離用吸着パッド201の真空吸着の解除は、第1剥離用吸着パッド200の解除と同時でも良い。ただし、ウェーハWが上昇する前、あるいは受渡位置に移送される前に解除しても良く、その方がウェーハWの姿勢が安定する。   When the wafer W is transferred to the delivery position, the pad advancing / retreating cylinder 298 is driven to advance the delivery suction pad 300 by a predetermined amount toward the wafer W. As a result, the delivery suction pad 300 comes into close contact with the end surface of the wafer W. Next, the delivery suction pad 300 is driven, and the wafer W is sucked and held by the delivery suction pad 300. The fact that the wafer W is sucked and held on the delivery suction pad 300 is detected by a touch sensor (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side. Then, by this detection signal, the vacuum suction of the first peeling suction pad 200 is released, that is, air is introduced. As a result, the wafer W is delivered from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300. The release of the vacuum suction of the second peeling suction pad 201 may be performed simultaneously with the release of the first peeling suction pad 200. However, it may be released before the wafer W rises or before it is transferred to the delivery position, which stabilizes the posture of the wafer W.

ウェーハWを受け取った受渡用吸着パッド300は、タッチセンサによる検知信号によってパッド進退用シリンダ298の駆動を開始し、第1剥離用吸着パッド200から後退する。同様に、ウェーハWを受け渡した第1剥離用吸着パッド200は、タッチセンサによる検知信号によって下降を開始して元の剥離作業位置に復帰する。受渡用吸着パッド300が後退すると、次いで、旋回用ロータリーアクチュエータ278が駆動されて、旋回アーム294が180°旋回する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312の上方位置に移送される。   The delivery suction pad 300 that has received the wafer W starts to drive the pad advancing / retreating cylinder 298 in response to a detection signal from the touch sensor, and retreats from the first peeling suction pad 200. Similarly, the first peeling suction pad 200 that has transferred the wafer W starts to descend by a detection signal from the touch sensor and returns to the original peeling work position. When the delivery suction pad 300 moves backward, the turning rotary actuator 278 is then driven, and the turning arm 294 turns 180 °. As a result, the wafer W is transferred to a position above the shuttle conveyor 312.

シャトルコンベア312の上方に移送されたウェーハWは、シャトルコンベア312に対して直交した状態にあるので、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292が駆動されて、旋回アーム294が回転軸290を中心に90°回転する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312から所定高さの位置に水平な状態で位置する。   Since the wafer W transferred above the shuttle conveyor 312 is in a state orthogonal to the shuttle conveyor 312, after the transfer, the direction changing rotary actuator 292 is driven and the turning arm 294 is centered on the rotation axis 290. Rotate 90 °. As a result, the wafer W is positioned horizontally from the shuttle conveyor 312 at a predetermined height.

方向転換用ロータリーアクチュエータ292の駆動後、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312に向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置されると、受渡用吸着パッド300の駆動が停止される。そして、パッド進退用シリンダ298が駆動されて受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312から後退する。   After the direction changing rotary actuator 292 is driven, the pad advancing / retreating cylinder 298 is driven, and the delivery suction pad 300 moves forward by a predetermined amount toward the shuttle conveyor 312. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. When the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312, the driving of the delivery suction pad 300 is stopped. Then, the pad advancing / retreating cylinder 298 is driven and the delivery suction pad 300 is retracted from the shuttle conveyor 312.

ウェーハWの受渡作業の終了後、受渡用吸着パッド300は、上記と逆の動作で元の受渡位置に復帰する。一方、ウェーハWが受け渡されたシャトルコンベア312は、図示しない駆動手段に駆動されて、その受け渡されたウェーハWを次工程に搬送する。なお、このウェーハ剥離枚葉部100の駆動は、全て図示しない制御装置によって自動制御されており、この制御装置から出力される駆動信号に基づいて各構成装置が作動する。   After completion of the wafer W delivery operation, the delivery suction pad 300 returns to the original delivery position by the reverse operation to that described above. On the other hand, the shuttle conveyor 312 to which the wafer W has been transferred is driven by a driving means (not shown) and transports the transferred wafer W to the next process. The driving of the wafer separation sheet 100 is automatically controlled by a control device (not shown), and each component device operates based on a drive signal output from the control device.

次に、ウェーハ剥離枚葉部100におけるウェーハの剥離方法の詳細について説明する。始動前の状態において、剥離ユニット150が設置された第1スライドテーブル140は、第1ガイドレール136の一方端(図2において下端)に位置している(この位置を剥離作業開始位置という。)。一方、受渡装置118が設置された第2スライドテーブル240は、第2ガイドレール236の他方端(図2において上端)に位置している。   Next, details of the wafer peeling method in the wafer peeling sheet 100 will be described. In the state before the start, the first slide table 140 on which the peeling unit 150 is installed is located at one end (the lower end in FIG. 2) of the first guide rail 136 (this position is referred to as a peeling work start position). . On the other hand, the second slide table 240 on which the delivery device 118 is installed is located at the other end (the upper end in FIG. 2) of the second guide rail 236.

ワイヤソーでマルチ切断されたウェーハWを熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットする。これにより、ウェーハWが接着されたスライスベースSが熱水槽112内に貯留された熱水120中に浸漬される。なお、ウェーハWのセッティングは、オペレータが手動で行ってもよいし、図示しないマニピュレータによって自動でワーク保持部122に搬送して、自動でセットするようにしてもよい。   The wafer W that has been multi-cut with a wire saw is set in a work holding unit 122 provided in the hot water tank 112. Thereby, the slice base S to which the wafer W is bonded is immersed in the hot water 120 stored in the hot water tank 112. The wafer W may be set manually by an operator, or may be automatically transferred to the workpiece holding unit 122 by a manipulator (not shown) and set automatically.

ウェーハWが熱水槽112内にセットされると、制御装置は、まず、第2送りモータ248を駆動して第2スライドテーブル240を図2中で下側に向けて移動させる。次に、その第2スライドテーブル240を所定の受渡作業の開始位置に位置させる。そして、第2スライドテーブル240が受渡作業の開始位置に位置したところで、ウェーハWの剥離作業が開始される。   When the wafer W is set in the hot water tank 112, the control device first drives the second feed motor 248 to move the second slide table 240 downward in FIG. Next, the second slide table 240 is positioned at a predetermined delivery work start position. Then, when the second slide table 240 is positioned at the start position of the delivery work, the wafer W peeling work is started.

次に、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を前進させる(図2中上方向に移動させる)。第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114のパッド支持プレート198には、非接触式の位置センサ214Sが設けられており、位置センサ214Sは、ウェーハWの端面までの距離が所定距離に達すると作動する。   Next, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization, and advances the first slide table 140 and the second slide table 240 (moves them upward in FIG. 2). The pad support plate 198 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140 is provided with a non-contact type position sensor 214S. The position sensor 214S has a predetermined distance from the end surface of the wafer W. Activates when reached.

制御装置は、位置センサ214Sの作動信号を入力することにより、第1送りモータ148と第2送りモータ248の駆動を停止し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240とを停止させる。この結果、第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201がウェーハWの端面に当接する。制御装置は、ウェーハWの端面に当接した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を駆動し、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201にウェーハWを吸着保持させる。   The control device stops driving of the first feed motor 148 and the second feed motor 248 by inputting an operation signal of the position sensor 214S, and stops the first slide table 140 and the second slide table 240. As a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140 come into contact with the end surface of the wafer W. The control device drives the first and second peeling suction pads 200 and 201 that are in contact with the end surface of the wafer W, and causes the first and second peeling suction pads 200 and 201 to hold the wafer W by suction.

図10は、剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大側面図、図11は、拡大正面図である。倒止板214は、ウェーハWの端面側が基準面となり、表面を保護する樹脂製の押し当て板214−1、反対側が押し当て板214−1の平面度を確保するためステンレス製のステンレスプレート214−2となっている。また、第1剥離用吸着パッド200は、その中心軸がウェーハWの中心軸と一致するように配置され、第2剥離用吸着パッド201は第1剥離用吸着パッド200より下側に配置される。なお、第1剥離用吸着パッド200は、表面がフラットなワークの搬送に適した平形真空パッドであり、第2剥離用吸着パッド201より吸着力が強くなっている。また、第2剥離用吸着パッド201は、軸方向に伸縮するじゃばら形状のベローズ型真空吸着パッドである。   FIG. 10 is an enlarged side view of the main part showing details of the peeling adsorption part, and FIG. 11 is an enlarged front view. The end plate 214 has a reference surface on the end face side of the wafer W, a resin-made pressing plate 214-1 for protecting the surface, and the opposite side for ensuring the flatness of the pressing plate 214-1. -2. Further, the first peeling suction pad 200 is arranged so that the central axis thereof coincides with the central axis of the wafer W, and the second peeling suction pad 201 is arranged below the first peeling suction pad 200. . The first peeling suction pad 200 is a flat vacuum pad suitable for transporting a workpiece having a flat surface, and has a stronger suction force than the second peeling suction pad 201. The second peeling suction pad 201 is a bellows-type vacuum suction pad having a loose shape that expands and contracts in the axial direction.

ウェーハWは、接着剤によりスライスベースSと接着され、マウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち、熱水槽112のワーク保持部122にセットされている。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。スライスベースSの横にはエアー供給機構が設けられ、エアノズル80、81がウェーハWの下側両側面に設けられている。そして、エアノズル80、81は、ウェーハWの側面2方向より下側から上側に向かってエアーをブロー供給する、つまりエアーを勢いよく吹き付けるように設置されている。また、ウェーハWの鉛直上方でウェーハ中央部付近には水供給ノズル(図示せず)が設けられる。   The wafer W is bonded to the slice base S with an adhesive and is disposed so as to be on the upper side with respect to the mounting plate M. Then, the wafer W is set on the work holding unit 122 of the hot water tank 112. Here, since the adhesive bonding the wafer W and the slice base S is immersed in the hot water 120, it is sufficiently softened by heat. Next to the slice base S, an air supply mechanism is provided, and air nozzles 80 and 81 are provided on both lower side surfaces of the wafer W. The air nozzles 80 and 81 are installed so as to blow air from the lower side to the upper side of the side surface 2 of the wafer W, that is, blow air vigorously. A water supply nozzle (not shown) is provided in the vicinity of the center of the wafer vertically above the wafer W.

第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によるウェーハWの吸着保持は、次のように行われる。まず、ウェーハWの端面に第2剥離用吸着パッド201が当接する。第2剥離用吸着パッド201は、ウェーハWの中心軸より下側でベローズ型真空吸着パッドとされているので、接着部近傍を中心としてウェーハWの根本を倒止板214側へ引き寄せる。これにより、剥離作業が確実に、かつ効率良く開始される。   The suction holding of the wafer W by the first and second peeling suction pads 200 and 201 is performed as follows. First, the second peeling suction pad 201 comes into contact with the end surface of the wafer W. Since the second peeling suction pad 201 is a bellows type vacuum suction pad below the center axis of the wafer W, the base of the wafer W is drawn toward the end plate 214 side around the vicinity of the bonding portion. Thereby, the peeling work is started reliably and efficiently.

図12は、剥離作業の作用の説明図であり、ウェーハWを1枚剥離する際に、複数枚に対してエアノズル80、81から矢印F、Gに示すようにウェーハWの両側面において、下側から上側に向かってエアーをブロー供給する。   FIG. 12 is an explanatory diagram of the action of the peeling operation. When peeling one wafer W, air nozzles 80 and 81 are used to remove a plurality of wafers on both side surfaces of the wafer W as indicated by arrows F and G. Air is blown from the side toward the upper side.

具体的には図12で剥離する最左端の1枚目となるウェーハWに対して、少なくとも1枚目と2枚目との間にエアーをブロー供給する。なお、さらに2枚目と3枚目との間、3枚目と4枚目との間にもエアーをブロー供給することが効率良く剥離する上で望ましい。ただし、数枚の剥離作業を行っている内にウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化して行くので、剥離作業の進行と共に、同時にブロー供給する枚数を減らしても良い。   Specifically, air is blown and supplied between at least the first and second wafers W, which is the leftmost first wafer W separated in FIG. In addition, it is desirable to blow and supply air between the second and third sheets and between the third and fourth sheets in order to efficiently peel off. However, the adhesive that bonds the wafer W and the slice base S while performing several peeling operations is sufficiently softened because it is immersed in the hot water 120. As the process proceeds, the number of blows supplied may be reduced at the same time.

一方、ウェーハWの鉛直上方で中心付近から矢印Hに示すように熱水又は水を供給することで、中央から水が供給され、中央は必ず一定の隙間を確保するようにできる。そして、ウェーハWの両側面からエアーを流すことで両サイドの隙間をバランス良く保つことができ、ウェーハ間をきれいに縁切りできる。   On the other hand, by supplying hot water or water from the vicinity of the center in the vertical direction above the wafer W as indicated by an arrow H, water is supplied from the center, and a constant gap can be ensured at the center. Then, by flowing air from both sides of the wafer W, the gaps on both sides can be maintained in a well-balanced manner, and the wafers can be neatly cut.

つまり、エアーを供給することで水膜が除去され、ウェーハW間が水の表面張力で貼りつくことを防いで縁切りし、1枚のウェーハWを持ち上げた際に次のウェーハが連れ立って持ち上げられることを防止することができる。また、複数枚に対してエアーをブロー供給、特に、1枚目と2枚目との間及び2枚目と3枚目との間にエアーをブロー供給することで、持ち上げたウェーハWの次の待機ウェーハW(2枚目)とその次にある待機ウェーハW(3枚目)の密着も回避できる。これにより、剥離作業を順次継続する上で、効率を向上することができる。   That is, the water film is removed by supplying air, the wafer W is prevented from sticking with the surface tension of the water, the edge is cut, and when one wafer W is lifted, the next wafer is lifted together. This can be prevented. In addition, air is blown to a plurality of wafers, and in particular, air is blown between the first and second wafers and between the second and third wafers. The standby wafer W (second wafer) and the next standby wafer W (third wafer) can also be avoided. Thereby, the efficiency can be improved when the peeling operation is successively continued.

第2剥離用吸着パッド201により、ウェーハWを倒止板214側へ引き寄せた後は、表面がフラットな平形真空パッドである第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態、短時間でウェーハWのハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。   After pulling the wafer W to the end plate 214 side by the second peeling suction pad 201, the central axis of the wafer W is firmly sucked by the first peeling suction pad 200 which is a flat vacuum pad having a flat surface. To do. Therefore, the wafer W can be handled in a state suitable for transporting the wafer W in a short time, and the possibility of dropping or the like during the process can be eliminated.

次に、制御装置は、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して揺動フレーム154を前後に揺動させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、ウェーハWとスライスベースSとの接着部近傍を揺動中心として揺動している。このため、ウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって複数回揺動が与えられ、簡単にスライスベースSから剥離される。また、引きはがし時に前後の揺動により、ウェーハWを根元から剥離し、全体として効率良く剥離することが可能となる。   Next, the control device drives the swing rotary actuator 160 to swing the swing frame 154 back and forth, and moves the first and second peeling suction pads 200 and 201 back and forth (in the direction along the axis of the wafer). Rocks. Further, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing around the vicinity of the bonding portion between the wafer W and the slice base S. For this reason, the wafer W is given a plurality of swings by the first and second peeling suction pads 200 and 201 and is easily peeled from the slice base S. Further, the wafer W can be peeled off from the base by swinging back and forth during peeling, and can be peeled off efficiently as a whole.

制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を所定回数揺動させたところで揺動用ロータリーアクチュエータ160の駆動を停止する。次いで、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を上方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を上方に移動させる。この際、第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸がしっかりと固定されている。   The control device stops driving the swing rotary actuator 160 when the first and second peeling suction pads 200 and 201 are swung a predetermined number of times. Next, the lifting rotary actuator 204 is driven to turn the arms 190 and 192 upward, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 are moved upward. At this time, the central axis of the wafer W is firmly fixed by the first peeling suction pad 200.

第1剥離用吸着パッド200に吸着保持されたウェーハWは、摺動性が良い樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1にガイドされて、倒止板214の上部に固着された2枚取り防止板216のスリット216a(図3)を通過する。これにより、2枚取りが防止される。   The wafer W sucked and held by the first peeling suction pad 200 is guided by a pressing plate 214-1 made of resin (for example, fluororesin) having good slidability and fixed to the upper portion of the retaining plate 214. Further, it passes through the slit 216a (FIG. 3) of the two-sheet prevention plate 216. This prevents two sheets from being taken.

すなわち、主に第1剥離用吸着パッド200で吸着保持したウェーハWに、次に剥離するウェーハWが貼りついてきた場合であっても、スリット216aを通過する際に、貼りついてきたウェーハWがスリット216aを通過する際に剥がされるので、常に第1剥離用吸着パッド200で吸着しているウェーハW1枚のみを取り出すことができる。   That is, even when the wafer W to be peeled next adheres to the wafer W sucked and held mainly by the first peeling suction pad 200, the attached wafer W is slit when passing through the slit 216a. Since it is peeled off when passing through 216a, it is possible to always take out only one wafer W1 sucked by the first peeling suction pad 200.

また、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収される。このとき、ウェーハWの端面側は、非常に高い表面潤滑性を持った樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1に当接するので、傷付きが防止される。   In addition, since the wafer that has fallen without passing through the slit 216a is prevented from falling forward by the fall-off plate 214, it is reliably recovered at the next peeling. At this time, the end face side of the wafer W comes into contact with a pressing plate 214-1 made of resin (for example, fluororesin) having a very high surface lubricity, so that damage is prevented.

上方に移動した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、図8の鎖線位置を受渡位置として停止する。受渡位置には、受渡装置118の受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着した第1剥離用吸着パッド200に端面が吸着保持されたウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。   The first and second peeling suction pads 200 and 201 that have moved upward stop with the chain line position in FIG. 8 as the delivery position. At the delivery position, the delivery suction pad 300 of the delivery device 118 is waiting, and the wafer W whose end face is attracted and held by the first peeling suction pad 200 that firmly attracts the central axis of the wafer W is used for delivery. It is located on the same axis as the axis of the suction pad 300.

受渡位置は、受渡用吸着パッド300が略水平(図8で旋回アーム294が水平となる位置)となる位置であり、かつウェーハWは鉛直状態のままであるので、重力によるウェーハたわみの影響を受け難い位置である。また、受け渡した後、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作にすぐ戻ることが可能で効率良い剥離作業が順次継続できる。   The delivery position is a position where the delivery suction pad 300 is substantially horizontal (position where the swivel arm 294 is horizontal in FIG. 8) and the wafer W remains in a vertical state. It is a difficult position. In addition, after the delivery, the suction pads 200 and 201 can immediately return to the next wafer W peeling operation, and efficient peeling work can be continued successively.

制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が所定の受渡位置で停止すると、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をウェーハWに向かって所定量前進させる。この結果、第1剥離用吸着パッド200に吸着されたウェーハWの端面に対して裏面に受渡用吸着パッド300が密着する。そして、ウェーハWは、第1剥離用吸着パッド200側の端面と共に裏面も受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。   When the first and second peeling suction pads 200 and 201 stop at a predetermined delivery position, the control device drives the pad advance / retreat cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 by a predetermined amount toward the wafer W. . As a result, the delivery suction pad 300 is in close contact with the back surface of the wafer W sucked by the first peeling suction pad 200. The wafer W is sucked and held by the delivery suction pad 300 on the back surface as well as the end surface on the first peeling suction pad 200 side.

受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられたタッチセンサ(図示せず)によって検知される。そしてこの検知信号によって、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。受渡用吸着パッド300は、第1剥離用吸着パッド200と同様に表面がフラットな平形真空パッドであり、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。これにより、ウェーハWは第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡され、受渡用吸着パッド300でウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態でハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。   The fact that the wafer W is sucked and held on the delivery suction pad 300 is detected by a touch sensor (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side. Then, by this detection signal, the vacuum suction of the first and second peeling suction pads 200 and 201 is released, that is, air is introduced. The delivery suction pad 300 is a flat vacuum pad having a flat surface like the first peeling suction pad 200, and firmly sucks the central axis of the wafer W. As a result, the wafer W is transferred from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300, and the central axis of the wafer W is firmly sucked by the delivery suction pad 300. Therefore, handling is possible in a state suitable for transporting the wafer W, and the possibility of dropping or the like during the process can be eliminated.

次いで、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300を第1剥離用吸着パッド200から後退させる。受渡用吸着パッド300の後退と共に、制御装置は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を下方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を下方に移動させて、元の剥離作業位置に復帰させる。   Next, the control device drives the pad advancing / retreating cylinder 298 to retract the delivery suction pad 300 from the first peeling suction pad 200. As the delivery suction pad 300 moves backward, the controller drives the lifting rotary actuator 204 to turn the arms 190 and 192 downward, and moves the first and second peeling suction pads 200 and 201 downward. Return to the original peeling work position.

一方、制御装置はパッド進退用シリンダ298の駆動後、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して、旋回アーム294を180°旋回させ、ウェーハWをシャトルコンベア312の上方位置に移送する。そして、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動する。旋回アーム294は、回転軸290を中心に90°回転する。   On the other hand, after driving the pad advancing / retreating cylinder 298, the control device drives the turning rotary actuator 278 to turn the turning arm 294 by 180 °, thereby transferring the wafer W to a position above the shuttle conveyor 312. After the transfer, the direction changing rotary actuator 292 is driven. The swivel arm 294 rotates 90 ° about the rotation shaft 290.

これにより、ウェーハWの両端面がシャトルコンベア312に対して平行な状態になる。制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312に向けて前進させる。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。次いで、制御装置は、受渡用吸着パッド300の駆動を停止して、ウェーハWをシャトルコンベア312に受け渡す。   As a result, both end surfaces of the wafer W are parallel to the shuttle conveyor 312. The control device drives the pad advancing / retreating cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 toward the shuttle conveyor 312. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. Next, the controller stops driving the delivery suction pad 300 and delivers the wafer W to the shuttle conveyor 312.

受渡用吸着パッド300の駆動を停止したのち、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312から後退させると共に、シャトルコンベア312を駆動してウェーハWを次工程に搬送する。また、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292及び旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して受渡用吸着パッド300を元の受渡位置に復帰させる。   After stopping the delivery suction pad 300, the controller drives the pad advancing / retreating cylinder 298 to retract the delivery suction pad 300 from the shuttle conveyor 312, and drives the shuttle conveyor 312 to move the wafer W next. Transport to process. Further, the controller drives the pad advance / retreat cylinder 298 and then drives the direction changing rotary actuator 292 and the turning rotary actuator 278 to return the delivery suction pad 300 to the original delivery position.

受渡用吸着パッド300が受渡位置に復帰するまでに、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作を行っているので、2枚目のウェーハWの剥離作業が完了している。したがって、無駄な時間を少なくして効率良い剥離作業が順次継続される。   Until the delivery suction pad 300 returns to the delivery position, the suction pads 200 and 201 perform the peeling operation of the next wafer W, so that the second wafer W peeling operation is completed. Therefore, efficient stripping work is sequentially continued while reducing wasted time.

つまり、一連の工程で1枚目のウェーハWの受け渡しが終了し、受渡用吸着パッド300の後退と共に、吸着パッド200、201を元の剥離作業位置に復帰させる。そして、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を所定量前進させる。これにより、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が、2枚目に剥離するウェーハWの端面に当接する。制御装置は、2枚目のウェーハWを上記同様の方法で剥離する。   That is, the delivery of the first wafer W is completed in a series of steps, and the suction pads 200 and 201 are returned to the original peeling work position as the delivery suction pad 300 is retracted. Then, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization to advance the first slide table 140 and the second slide table 240 by a predetermined amount. As a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 come into contact with the end face of the wafer W to be peeled second. The control device peels the second wafer W by the same method as described above.

以上のようにしてスライスベースSに接着されているウェーハWを順次剥離し、次工程に搬送して行き、1サイクルの剥離作業が終了する。次に、搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310には、シャトルコンベア312が備えられており、シャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。   As described above, the wafers W bonded to the slice base S are sequentially peeled and transferred to the next process, and one cycle of peeling work is completed. Next, the transfer unit 310 receives the wafer W peeled and separated by the wafer peeling sheet unit 100 and transfers it to the next sheet cleaning unit 350. The transfer unit 310 includes a shuttle conveyor 312, and the wafer W is transferred to the single wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312.

枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。この枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。   The single wafer cleaning unit 350 cleans the wafers W separated by the wafer separation single wafer unit 100 one by one. The single wafer cleaning unit 350 includes a single sheet brush cleaning unit 352, a single wafer pre-rinse unit 354, and a single wafer rinse unit 356.

図13は枚葉洗浄部350の構成を示す側面図であり、枚葉ブラシ洗浄部352は、チャンバー構造の洗浄槽を有しており(図示せず)、洗浄槽内には、図13に示すように、一対の回転ブラシ378、378と、洗浄液を流す一対の洗浄液ノズル380、380と、二対のウェーハ搬送用のローラコンベア382、382、382、382と、液切り用の一対のエアーナイフノズル384、384が配設されている。   FIG. 13 is a side view showing the configuration of the single wafer cleaning section 350, and the single wafer brush cleaning section 352 has a chamber-structured cleaning tank (not shown). As shown, a pair of rotating brushes 378 and 378, a pair of cleaning liquid nozzles 380 and 380 for flowing a cleaning liquid, two pairs of roller conveyors 382, 382, 382 and 382 for transferring wafers, and a pair of air for cutting liquids Knife nozzles 384 and 384 are provided.

枚葉ブラシ洗浄部352では、搬送部310のシャトルコンベア312によって搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液ノズル380、380から洗浄液をかけながら回転ブラシ378、378によってブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、エアーナイフノズル384、384から圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベア382によって次工程の枚葉プレリンス部354に搬送する。   In the single wafer brush cleaning unit 352, brush cleaning is performed by the rotating brushes 378 and 378 while applying cleaning liquid from the cleaning liquid nozzles 380 and 380 to the back surface of the wafer W transferred by the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310. After cleaning, in order not to bring the cleaning liquid into the next process, compressed air is ejected from the air knife nozzles 384 and 384 to drain the liquid. Then, the wafer W that has been subjected to brush cleaning is transferred to the single wafer pre-rinsing unit 354 of the next process by the roller conveyor 382.

枚葉プレリンス部354は、枚葉ブラシ洗浄部352と同様の構成を有している。枚葉プレリンス部354では、枚葉ブラシ洗浄部352のローラコンベア382によって搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベアによって次工程の枚葉リンス部356に搬送される。   The single wafer pre-rinse section 354 has the same configuration as the single wafer brush cleaning section 352. In the single wafer pre-rinsing unit 354, brush cleaning is performed with a rotating brush while a pre-rinsing liquid is applied from the pre-rinsing liquid nozzle to the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor 382 of the single wafer brush cleaning unit 352. After washing, the liquid is discharged by jetting compressed air. Then, the wafer W that has been subjected to the brush cleaning is transferred to the single wafer rinse section 356 of the next process by the roller conveyor.

枚葉リンス部356も枚葉ブラシ洗浄部352とほぼ同様の構成を有している。枚葉リンス部356では、枚葉リンス洗浄部のローラコンベアによって搬送されてきたウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、ウェーハWは、ローラコンベアによって次の検出部400に搬送される。   The single wafer rinse section 356 also has substantially the same configuration as the single wafer brush cleaning section 352. In the single wafer rinse section 356, brush cleaning is performed with a rotating brush while rinsing liquid is applied from the rinse liquid nozzle to the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor of the single wafer rinse cleaning section. After cleaning, the wafer W is transferred to the next detection unit 400 by a roller conveyor.

検出部400は、洗浄の終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。検出部400は、枚葉洗浄部350で洗浄が終了したウェーハWを所定の受取位置まで搬送するための搬送ユニット402と、その受取位置に搬送されてきたウェーハWを所定の検出位置まで持ち上げて回転させる回転駆動ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの厚さを測定する厚さ測定ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの割れ、欠け、接着剤残りを検出する不良ウェーハ検出ユニットと、検出が終了したウェーハWを次の回収部500のウェーハ搬送ロボットに受け渡すための受渡ユニットとから構成されている。   The detection unit 400 detects the presence / absence of cracks, chips, and adhesive remaining for each wafer W that has been cleaned, and measures the thickness of each wafer. The detection unit 400 lifts the wafer W, which has been cleaned by the single wafer cleaning unit 350, to the predetermined receiving position and the wafer W transferred to the receiving position to the predetermined detection position. A rotation drive unit that rotates, a thickness measurement unit that measures the thickness of the wafer W rotated by the rotation drive unit, and cracks, chips, and adhesive remaining in the wafer W rotated by the rotation drive unit are detected. A defective wafer detection unit and a delivery unit for delivering the detected wafer W to the wafer transfer robot of the next collection unit 500 are configured.

図14は、搬送ユニット402の構成を示す平面図であり、搬送ユニット402は、丸ベルトコンベア411を備えている。丸ベルトコンベア411は、枚葉洗浄部350の終端部に連設されている。この丸ベルトコンベア411の両側部には、一対のガイド部材411a、411aが配設されており、このガイド部材411a、411aによってウェーハWが直進するようにガイドされる。   FIG. 14 is a plan view showing the configuration of the transport unit 402, and the transport unit 402 includes a round belt conveyor 411. The round belt conveyor 411 is connected to the terminal portion of the single wafer cleaning unit 350. A pair of guide members 411a and 411a are disposed on both side portions of the round belt conveyor 411, and the wafer W is guided by the guide members 411a and 411a so as to advance straight.

丸ベルトコンベア411の終端位置には、図14に示すように、5本の位置決めピン412、412、…が円弧をなすように配設されており、位置決めピン412、412、…に丸ベルトコンベア411によって搬送されてきたウェーハWが当接することにより、ウェーハWが所定の受取位置に位置決めされる。また、位置決めピン412、412…にウェーハWが当接すると、図示しないセンサが作動し、このセンサが作動することにより、丸ベルトコンベア411の駆動が停止される。そして、検出が終了したウェーハWは、回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡される。   As shown in FIG. 14, five positioning pins 412, 412,... Are arranged in a circular arc at the end position of the round belt conveyor 411, and the round belt conveyor is arranged on the positioning pins 412, 412,. When the wafer W conveyed by 411 contacts, the wafer W is positioned at a predetermined receiving position. Further, when the wafer W comes into contact with the positioning pins 412, 412,..., A sensor (not shown) is activated, and the driving of the round belt conveyor 411 is stopped by actuating this sensor. Then, the detected wafer W is delivered to the wafer transfer robot 508 of the collection unit 500.

図15は、回収部500の構成を示す平面図であり、ウェーハ回収部502A、502Bには、それぞれ上下二段式のカセットホルダーが備えられている(図示せず)。カセットホルダーは図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されており、ウェーハWを回収するウェーハ回収カセット510A、510Bは、このカセットホルダーに二台ずつセットされる。   FIG. 15 is a plan view showing the configuration of the collection unit 500. Each of the wafer collection units 502A and 502B is provided with a two-stage cassette holder (not shown). The cassette holder is supported by a cassette positioning mechanism (not shown) so as to be movable up and down. Two wafer collection cassettes 510A and 510B for collecting wafers W are set in the cassette holder.

不良ウェーハ回収部504及び接着剤残りウェーハ回収部506もウェーハ回収部502A、502Bと同様に、それぞれ図示しないカセットホルダーを備えており、カセットホルダーは、図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されている。そして、このカセットホルダーに不良ウェーハWを回収する不良ウェーハ回収カセット512と、接着剤残りウェーハWを回収する接着剤残りウェーハ回収カセット514がセットされる。   Like the wafer collection units 502A and 502B, the defective wafer collection unit 504 and the adhesive remaining wafer collection unit 506 are each provided with a cassette holder (not shown), and the cassette holder is supported by a cassette positioning mechanism (not shown) so as to be movable up and down. ing. Then, the defective wafer collection cassette 512 for collecting the defective wafer W and the adhesive remaining wafer collection cassette 514 for collecting the adhesive remaining wafer W are set in the cassette holder.

また、ウェーハWが1枚収納されると、図示しないカセット位置決め機構が駆動されて、仕切一段分ウェーハ回収カセット510Aが上昇する。本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、以上のように構成される。なお、このウェーハ剥離洗浄装置1を構成する各機器は、全て図示しない制御装置に駆動制御されており、この制御装置が出力する駆動信号に基づいて作動する。   When one wafer W is stored, a cassette positioning mechanism (not shown) is driven to raise the wafer collection cassette 510A by one partition. The wafer peeling and cleaning apparatus 1 of the present embodiment is configured as described above. Note that each device constituting the wafer peeling and cleaning apparatus 1 is driven and controlled by a control device (not shown), and operates based on a drive signal output from the control device.

以上説明したウェーハ剥離洗浄装置1は、通常の切断方式(一回の切断に対して一本のインゴットのみを切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行う場合である。ワイヤソーで切断されたバッチ状態のウェーハWは、図示しない搬送装置によって、ウェーハ剥離洗浄装置1まで搬送される。   The wafer peeling and cleaning apparatus 1 described above is a case where a sliced wafer cut by a normal cutting method (a method of cutting only one ingot for one cutting) is peeled and cleaned. The batch-state wafers W cut by the wire saw are transferred to the wafer peeling and cleaning apparatus 1 by a transfer apparatus (not shown).

そして、ウェーハ剥離洗浄装置1に備えられた図示しないリフターに搭載される。リフターに搭載されたウェーハWは、まず、リフターによって粗洗浄部10に搬送される。そして、そこでシャワー洗浄され、切断時に付着したスラリが除去される。粗洗浄部10におけるシャワー洗浄は、リフターに搭載されたまま行われ、シャワー洗浄が終了すると、ウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。   And it mounts in the lifter which the wafer peeling cleaning apparatus 1 was equipped with which is not shown in figure. The wafer W mounted on the lifter is first transported to the rough cleaning unit 10 by the lifter. And it is shower-washed there and the slurry adhering at the time of a cutting | disconnection is removed. The shower cleaning in the rough cleaning unit 10 is performed while being mounted on the lifter. When the shower cleaning is completed, the wafer is transferred to the wafer peeling sheet 100.

ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されたウェーハWは、まず、リフターに備えられた反転機構によって上下が反転させられたのち(ウェーハWがマウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち)、熱水槽112のワーク保持部122にセットされる。ワーク保持部122にセットされたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって1枚ずつスライスベースSから剥離され、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312に移送される。そして、このシャトルコンベア312によって枚葉洗浄部350に搬送される。   The wafer W transported to the wafer separation sheet 100 is first turned upside down by a reversing mechanism provided in the lifter (the wafer W is placed so as to be on the upper side with respect to the mounting plate M). After that, it is set in the work holding part 122 of the hot water tank 112. The wafers W set on the work holding unit 122 are peeled from the slice base S one by one by the first and second peeling suction pads 200 and 201, and the peeled wafers W are sequentially transferred to the shuttle conveyor of the transfer unit 310. 312 is transferred. Then, it is conveyed to the single wafer cleaning section 350 by the shuttle conveyor 312.

上記の作業をスライスベースSから剥離したウェーハW1枚1枚に対して行い、全てのウェーハWがカセットに収納された時点で作業が終了する。終了後、各装置は、始動前の状態に復帰する。   The above operation is performed for each wafer W separated from the slice base S, and the operation is completed when all the wafers W are stored in the cassette. After completion, each device returns to the state before starting.

ウェーハ剥離洗浄装置1は、マルチ切断方式(一回の切断に対して種類の異なるインゴットを同時に切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行うことができる。マルチ切断方式によって切断されたウェーハの剥離、洗浄を行う場合について説明する。   The wafer peeling cleaning apparatus 1 can peel and clean a sliced wafer cut by a multi-cutting method (a method of simultaneously cutting different types of ingots for one cutting). A case where the wafer cut by the multi-cutting method is peeled off and cleaned will be described.

マルチ切断方式によって切断されたウェーハは、ウェーハの種類ごとに回収する必要があるので、次のように処理される。なお、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されるまでの工程は、上述した通常の切断方式によって切断されたウェーハと同じである。   Since the wafer cut by the multi-cutting method needs to be collected for each type of wafer, it is processed as follows. In addition, the process until it is conveyed to the wafer peeling sheet | seat part 100 is the same as the wafer cut | disconnected by the normal cutting system mentioned above.

マルチ切断されたウェーハWが、ウェーハ剥離枚葉部100のワーク保持部122にセットされると、各ウェーハWのロット間に仕切装置の仕切板(図示せず)がセットされる。そして、仕切板がセットされたところで、第1剥離用吸着パッド200による剥離作業が開始される。剥離作業は、まず、第1ロットのウェーハWから行われ、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312上に移送される。   When the multi-cut wafer W is set on the workpiece holding part 122 of the wafer separation sheet 100, a partition plate (not shown) of the partition device is set between the lots of the wafers W. Then, when the partition plate is set, the peeling operation by the first peeling suction pad 200 is started. The peeling operation is first performed from the wafers W of the first lot, and the peeled wafers W are sequentially transferred onto the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310.

第1ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第1ロットと第2ロット間に挿入された第1仕切板(図示せず)が検出される。第1仕切板が検出されると、制御装置は、以後剥離されるウェーハは、第2ロットのウェーハWと判断する。これにより、ロットごとにウェーハを分別することができ、種類の異なるウェーハを混入させることなくウェーハを回収することができる。   When all the wafers W in the first lot have been peeled off, a first partition plate (not shown) inserted between the first lot and the second lot is detected. When the first partition plate is detected, the control device determines that the wafer to be peeled thereafter is the wafer W of the second lot. Thereby, wafers can be sorted for each lot, and the wafers can be collected without mixing different types of wafers.

また、第2ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第2ロットと第3ロット間に挿入された第2仕切板(図示せず)が検出され、制御装置は、第2仕切板を検出する。以後、剥離されるウェーハは、第3ロットのウェーハWと判断する。   When all the wafers W in the second lot have been peeled off, a second partition plate (not shown) inserted between the second lot and the third lot is detected, and the control device detects the second partition plate. To do. Thereafter, the wafer to be peeled is determined as the wafer W of the third lot.

以上によれば、ウェーハ剥離枚葉部100において、ウェーハの端面を剥離用吸着パッドで吸着保持して1枚ずつ剥離する際に、エアノズルによりエアーをブロー供給するので、バッチ状態のウェーハの隙間をバランス良く確保し、ウェーハへのダメージをなくして、1枚だけを効率的に持ち上げることができる。そして、その後、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500の工程を円滑に進行でき、効率の良いウェーハ剥離洗浄装置1を提供できる。   According to the above, when the wafer separation sheet 100 is sucked and held by the separation suction pad and separated one by one, air is blown and supplied by the air nozzle. It is possible to secure a good balance and to efficiently lift only one wafer without damaging the wafer. Then, the steps of the transfer unit 310, the single wafer cleaning unit 350, the detection unit 400, and the recovery unit 500 can be smoothly advanced, and the efficient wafer peeling and cleaning apparatus 1 can be provided.

1…ウェーハ剥離洗浄装置、10…粗洗浄部、12…粗洗浄装置、100…ウェーハ剥離枚葉部、310…搬送部、350…枚葉洗浄部、400…検出部、500…回収部
112…熱水槽、114…剥離装置、118…受渡装置、120 熱水、
122…ワーク保持部、312…シャトルコンベア、352…枚葉ブラシ洗浄部、354…枚葉プレリンス部、356…枚葉リンス部、402…搬送ユニット、508…ウェーハ搬送ロボット、
136…第1ガイドレール、138…リニアガイド、140…第1スライドテーブル、142…ナット部材、144…ネジ棒、148…第1送りモータ、
150…剥離ユニット
152…軸受ブロック、154…揺動フレーム、160…揺動用ロータリーアクチュエータ、162…駆動ギア、164…従動ギア、168…回転軸、170…軸受部材、172…支持プレート、174…回転プレート、176…コネクティングロッド、178、180、194、196、210,212…ピン、182…軸受ユニット、186、188…回転軸、190、192…アーム、198…パッド支持プレート、200…第1剥離用吸着パッド、201…第2剥離用吸着パッド、202…支持プレート、204…昇降用ロータリーアクチュエータ、206…回転プレート、208…コネクティングロッド、214…倒止板、214a…通路、214S…位置センサ、214−1…押し当て板、214−2…ステンレスプレート、80、81…エアノズル、216…2枚取り防止板、216a…スリット、
222…駆動ユニット、240…第2スライドテーブル、248…第2送りモータ、236…第2ガイドレール、274…支柱、276…支持フレーム、278…旋回用ロータリーアクチュエータ、280…駆動ギア、284…旋回軸、282…従動ギア、286…軸受ユニット、288…旋回フレーム、290…回転軸、292…方向転換用ロータリーアクチュエータ、294…旋回アーム、296…支持プレート、298…パッド進退用シリンダ、300…受渡用吸着パッド、
378…回転ブラシ、380…洗浄液ノズル、382…ローラコンベア、384…エアーナイフノズル、
402…搬送ユニット
411…丸ベルトコンベア、411a…ガイド部材、412…位置決めピン、
502,502A、502B…ウェーハ回収部、510A、510B…ウェーハ回収カセット、504…不良ウェーハ回収部、506…接着剤残りウェーハ回収部、514…接着剤残りウェーハ回収カセット、
M…マウンティングプレート、S…スライスベース、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer peeling cleaning apparatus, 10 ... Rough cleaning part, 12 ... Rough cleaning apparatus, 100 ... Wafer peeling single wafer part, 310 ... Conveyance part, 350 ... Single wafer cleaning part, 400 ... Detection part, 500 ... Recovery part 112 ... Hot water tank, 114 ... peeling device, 118 ... delivery device, 120 hot water,
122 ... Work holding unit, 312 ... Shuttle conveyor, 352 ... Single wafer brush cleaning unit, 354 ... Single wafer pre-rinse unit, 356 ... Single wafer rinse unit, 402 ... Transfer unit, 508 ... Wafer transfer robot,
136: First guide rail, 138: Linear guide, 140: First slide table, 142: Nut member, 144: Screw rod, 148: First feed motor,
DESCRIPTION OF SYMBOLS 150 ... Stripping unit 152 ... Bearing block, 154 ... Swing frame, 160 ... Swing rotary actuator, 162 ... Drive gear, 164 ... Drive gear, 168 ... Rotating shaft, 170 ... Bearing member, 172 ... Support plate, 174 ... Rotation Plate, 176 ... Connecting rod, 178, 180, 194, 196, 210, 212 ... Pin, 182 ... Bearing unit, 186, 188 ... Rotating shaft, 190, 192 ... Arm, 198 ... Pad support plate, 200 ... First peel Suction pad, 201 ... second peeling suction pad, 202 ... support plate, 204 ... rotary lift actuator, 206 ... rotating plate, 208 ... connecting rod, 214 ... stop plate, 214a ... passage, 214S ... position sensor, 214-1 ... Pressing plate, 214-2 ... Down less plate, 80, 81 ... air nozzle, 216 ... two up prevention plate, 216a ... slit,
222 ... Drive unit, 240 ... Second slide table, 248 ... Second feed motor, 236 ... Second guide rail, 274 ... Pole, 276 ... Support frame, 278 ... Rotary rotary actuator, 280 ... Drive gear, 284 ... Swivel Shaft, 282 ... driven gear, 286 ... bearing unit, 288 ... swivel frame, 290 ... rotating shaft, 292 ... direction change rotary actuator, 294 ... swivel arm, 296 ... support plate, 298 ... pad advance / retreat cylinder, 300 ... delivery For suction pad,
378 ... Rotating brush, 380 ... Cleaning liquid nozzle, 382 ... Roller conveyor, 384 ... Air knife nozzle,
402 ... Conveying unit 411 ... Round belt conveyor, 411a ... Guide member, 412 ... Positioning pin,
502, 502A, 502B ... wafer recovery unit, 510A, 510B ... wafer recovery cassette, 504 ... defective wafer recovery unit, 506 ... residual adhesive wafer recovery unit, 514 ... adhesive residual wafer recovery cassette,
M ... Mounting plate, S ... Slice base, W ... Wafer

Claims (9)

多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、
前記ウェーハ剥離枚葉部は、
矩形の箱型に形成され熱水が貯留される熱水槽と、
前記熱水槽中に前記ウェーハが縦置きに保持された状態で、中心軸が前記ウェーハの中心軸と一致するように配置された、表面がフラットな平形真空パッドである第1剥離用吸着パッドと、
該第1剥離用吸着パッドより下側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッドと、
前記熱水槽の長手方向に沿って配設された第1ガイドレールと、
前記第1ガイドレールに沿って前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記熱水槽の長手方向に沿って移動させる第1送りモータと、
前記第1及び第2剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、
を備え
バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際、前記第2剥離用吸着パッドが、前記ウェーハの中心部よりも下部の端面に当接して当該ウェーハを吸着し引き寄せ、その後、前記第1剥離用吸着パッドにより前記ウェーハの中心軸を吸着することを特徴とするウェーハ剥離洗浄装置。
Batch-cut wafers that have been cut at the same time are peeled off from the slice base one by one at the wafer peeling single-wafer portion, and separated into single wafers. In the wafer peeling and cleaning device that collects in the cassette at the collection unit,
The wafer peeling single wafer portion is
A hot water tank formed in a rectangular box shape and storing hot water;
A first peeling suction pad, which is a flat vacuum pad with a flat surface, disposed so that a central axis thereof coincides with a central axis of the wafer in a state where the wafer is held vertically in the hot water tank; ,
A second peeling suction pad disposed below the first peeling suction pad and extending and contracting in the axial direction;
A first guide rail disposed along the longitudinal direction of the hot water tank;
A first feed motor for moving the first and second peeling suction pads along the longitudinal direction of the hot water tank along the first guide rail;
A lifting rotary actuator that moves the first and second peeling suction pads vertically up and down;
Equipped with a,
When separating the wafers one by one from the wafer in a batch state, the second peeling suction pad is in contact with the lower end surface of the wafer to attract and draw the wafer, A wafer peeling cleaning apparatus, wherein the central axis of the wafer is sucked by the first peeling suction pad .
前記第2剥離用吸着パッドは、ベローズ型真空吸着パッドとされたことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ剥離洗浄装置。   The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 1, wherein the second peeling suction pad is a bellows vacuum suction pad. 前記第1剥離用吸着パッドは、前記第2剥離用吸着パッドより吸着力が強いことを特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハ剥離洗浄装置。   The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 1, wherein the first peeling suction pad has a stronger suction force than the second peeling suction pad. バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際に前記ウェーハが前方に倒れるのを防止する倒止板を有し、前記第2剥離用吸着パッドはバッチ状態の前記ウェーハの接着部近傍を中心として前記ウェーハを前記倒止板側へ引き寄せることを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 A detent plate is provided to prevent the wafer from falling forward when the wafers are separated from the batch wafers one by one, and the second peeling suction pad is attached to the batch wafers. wafer stripping and cleaning device according to any one of the wafers section near the center of claim 1, wherein the pulling into the倒止plate side 3. 前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記ウェーハの軸線に沿った方向に揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータを設け、前記揺動用ロータリーアクチュエータを駆動して前記第1及び第2剥離用吸着パッドを揺動させることにより、前記ウェーハを前記スライスベースから剥離することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 A swing rotary actuator is provided for swinging the first and second peeling suction pads in a direction along the axis of the wafer, and the swing rotary actuator is driven to move the first and second peel suction pads. by swinging the wafer peeling cleaning apparatus according to any one of claims 1 4, characterized by separating the wafer from the slice base. 前記ウェーハの鉛直上方に水供給ノズルを設け、前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 Vertically upward to provide a water supply nozzle of the wafer, upon the release one by one the wafer, according to claim 1 to 5, characterized in that to supply hot water or water from the vicinity of the center in the vertical above the wafer The wafer peeling cleaning apparatus of any one of Claims. 前記ウェーハの両側面に設けられたエアノズルを有し、前記熱水槽にセットされた前記ウェーハの端面を前記第1及び第2剥離用吸着パッドで吸着保持して前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記エアノズルにより前記ウェーハの側面にエアーをブロー供給することを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 When the wafer is peeled one by one by having air nozzles provided on both side surfaces of the wafer and sucking and holding the end surfaces of the wafer set in the hot water tank with the first and second peeling suction pads the wafer peeling cleaning device according to any one of claims 1 to 6, characterized by blowing supply air to the side surface of the wafer by the air nozzle. 前記エアノズルは、前記ウェーハの下側から上側に向かってエアーをブロー供給することを特徴とする請求項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 The wafer peeling and cleaning apparatus according to claim 7 , wherein the air nozzle blows and supplies air from the lower side to the upper side of the wafer. 前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、バッチ状態の複数枚に対してエアーをブロー供給することを特徴とする請求項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 8. The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 7 , wherein the air nozzle blows and supplies air to a plurality of batched sheets when peeling one wafer.
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