JP2012529953A - メモリスタを使用したｍｒｉｒｆコイル - Google Patents

Abstract

磁気共鳴システム（１０）にて使用される無線周波数（ＲＦ）コイルアセンブリ（１８、１８’）は、無線周波数コイル（４２）と、制御信号が除去された後にも、各々、選択された抵抗状態を保持する複数の記憶抵抗素子（４６、５６、６２、７２）とを含む。無線周波数コイルアセンブリの一部であるデチューニング回路（４４）は、同調状態と離調状態との間で無線周波数コイルを切り換える記憶抵抗素子（４６）を含む。無線周波数コイルと前置増幅器（５２）との間に接続されるブランキング回路（５４）は、前置増幅器の入力を回路短絡させる記憶抵抗素子（５６）を含む。マルチプレクサ回路（６０）は、無線周波数コイルの選択された出力を受信器（２６）に選択的に結合する複数の記憶抵抗素子（６２）を含む。バイアス回路（２７）は、記憶抵抗素子（４６、５６）を、送信モード中に第１抵抗状態、受信モード中に第２抵抗状態に設定する制御信号を生成する。

Description

本出願は磁気共鳴イメージング（撮像）に関する。本発明は特に、磁気共鳴スキャナの無線周波数コイル用のボード（基板）回路に関して適用される。

患者の検査及び治療のために、しばしば、磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）及び磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）システムが使用されている。このようなシステムにより、検査すべき身体組織（tissue）の核スピンが、静的な主磁場Ｂ_０によって整列され、無線周波数帯域で振動する横断磁場Ｂ_１によって励起される。撮像においては、緩和（リラクゼーション）信号を傾斜磁場に晒すことで、得られる共鳴が局在化される。緩和信号を受信し、既知の方法にて、１次元又は多次元の画像を形成する。スペクトロスコピーにおいては、共鳴信号の周波数成分にて、組織の組成に関する情報が担持される。

一般的に使用されている２種類のＭＲシステムとして、“オープン”ＭＲシステム（縦型システム）と“ボア型”システムとがある。前者では、患者は、Ｃ字型ユニットによって接続された２つの磁極の間に位置する検査ゾーンに導き入れられる。検査又は治療中に、実質的に全ての側から患者にアクセス可能である。後者は円筒形の検査空間（アクシャルシステム）を有し、そこに患者が導き入れられる。

ＲＦコイルシステムが、ＲＦ信号の送信と共鳴信号の受信とを実現する。撮像機器に恒久的に組み込まれたＲＦコイルシステムに加えて、検査すべき特定の領域の周り又は内部に、特殊用途のコイルを柔軟に配置することができる。特殊用途コイルは、特に、一様な励起及び高感度検出が要求される状況において、信号対雑音比（ＳＮＲ）を最適化するように設計される。さらに、複数チャンネルのアンテナ構成によって、特別なＲＦ信号シーケンス、より高い磁場強度、大きいフリップ角、又は実時間シーケンスを実現・生成することができ、また、多次元励起を加速することが可能である。

磁気共鳴手順の送信フェーズ（段階）において、送信されるＲＦ信号は、励起された原子核によって生成される共鳴信号より桁違いに大きい。患者の安全を維持し、且つ影響を受けやすい受信器回路をコイルとともに保護するため、受信器装置を保護する回路とともに半導体スイッチ、特にＰＩＮダイオード、を使用することが知られている。例えば、ＰＩＮダイオードを介してＬＣ回路を受信コイルに結合して、その共振周波数を変化させ且つ送信信号がコイル内に電流を誘起することを阻止することにより、受信コイルのデカップリング（減結合）又はデチューニング（離調）が達成される。ＰＩＮダイオードにより作動される短絡回路を前置増幅器の入力位置に生じさせて前置増幅器を隠す（ブランキングする）ことは、前置増幅器回路に更なる保護を提供する。ＰＩＮダイオードはまた、コイル選択・切換回路でも使用されている（例えば、ＭＲシステムと接続されるように選択されたコイル素子を制御信号がアクティブ化／非アクティブ化するＰＩＮダイオードマトリクスを含んだマルチプレクサ）。

ＰＩＮダイオードは典型的に、そのスピード、コンパクトさ、及び非磁気パッケージングにより、数多くの切換回路実装に使用されている。あいにく、技術が向上するにつれて、磁場強度とＲＦアレイ内のコイル素子の数との双方が増大してきている。このことは、より多数のデチューニング回路をコイルアレイ内にもたらす。各デチューニング回路は適切に機能するために一定量のバイアス電流を必要とするので、複数のデチューニング回路を駆動するための総電力量も増大している。故に、デチューニング回路があまり駆動電力を必要としないようにするソリューションを見出すことが望まれる。

本出願は、上述及びその他の問題を解決する改善された新たな切換回路を提供する。

一態様によれば、無線周波数コイルアセンブリは、無線周波数コイルと複数の記憶抵抗素子とを含む。各記憶抵抗素子は、制御信号が除去された後に、選択された抵抗状態を保持する。

他の一態様によれば、磁気共鳴撮像方法は、共鳴信号を誘起する無線周波数信号を送信することと、共鳴信号を受信することとを含む。記憶抵抗素子の抵抗状態が、ＲＦ信号の送信中にＲＦコイルを離調すること、ＲＦ信号の送信中に前置増幅器への入力を短絡させること、複数の出力のうちの１つを下流の処理に選択的に結合すること、及び情報を格納すること、のために設定される。

１つの利点は患者及び機器の安全性が高まることにある。他の１つの利点は信号対雑音比（ＳＮＲ）が増大されることにある。他の１つの利点はシステムの複雑性が低減されることことにある。他の１つの利点はコストが低減されることにある。他の１つの利点は、より低い電力消費にある。他の１つの利点は効率的な空間利用にある。

本発明の更なる利点が、以下の詳細な説明を読んで理解した当業者に認識されることになる。

本発明は、様々な構成要素及びその配置、並びに様々なステップ及びその編成の形態を取り得る。図面は、単に好適実施形態を例示するためのものであり、本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。
磁気共鳴撮像システムを例示する図である。 メモリスタデバイスを用いたＭＲコイルを例示する図である。

図１を参照するに、磁気共鳴（ＭＲ）撮像システム１０は、検査領域１４中に時間的に一様なＢ_０磁場を生成する主磁石１２を含んでいる。主磁石は、円形若しくはボア型の磁石、Ｃ字状のオープン磁石、その他の設計のオープン磁石、又はこれらに類するものとし得る。主磁石に隣接配置された傾斜磁場コイル１６が、磁気共鳴信号を空間エンコーディングすること、又は磁化スポイリング磁場勾配を生成することなどのために、Ｂ_０磁場に対して選択された軸に沿って磁場勾配を生成するよう機能する。傾斜磁場コイル１６は、３つの直交する方向（典型的に、軸方法すなわちｚ方向、横方向すなわちｘ方向、及び縦方向すなわちｙ方向）における磁場勾配を作り出すように構成された複数のコイルセグメントを含み得る。

例えば全身無線周波数コイルなどの無線周波数（ＲＦ）コイルアセンブリ（組立体）１８が、検査領域に隣接して配置される。ＲＦコイルアセンブリは、被検体の双極子に磁気共鳴を励起するための無線周波数パルスを生成する。無線周波数コイルアセンブリ１８はまた、撮像領域から生じる磁気共鳴信号を検出するよう機能する。必要に応じて、磁気共鳴信号の、より高感度で局在化された、空間エンコーディング、励起及び受信のため、全身ＲＦコイル１８に加えて、あるいは代えて、局部、表面又は体内（インビボ）ＲＦコイル１８’が配設される。

磁気共鳴データを収集するため、被検体は検査領域内、好ましくは、主磁場のアイソセンター又はその付近に配置される。スキャンコントローラ２０が勾配コントローラ２２を制御する。勾配コントローラ２２は、傾斜磁場コイルに、選択された磁気共鳴イメージング又はスペクトロスコピーのシーケンスに適当な選択傾斜磁場パルスを、撮像領域に印加させる。スキャンコントローラ２０はまたＲＦ送信器２４を制御し、ＲＦ送信器２４は、ＲＦコイルアセンブリに、磁気共鳴励起・操作Ｂ_１パルスを生成させる。スキャンコントローラ２０はまた、生成された磁気共鳴信号をＲＦコイルアセンブリから受信するために、ＲＦコイルアセンブリに接続されたＲＦ受信器２６を制御する。スキャンコントローラ２０はまた、ＤＣ電圧源２７を含み、あるいはＤＣ電圧源２７を制御する。ＤＣ電圧源２７は、より詳細に後述するように、受信コイル１８、１８’上の記憶抵抗素子（メモリスタ（memristor））（図１には図示せず）の抵抗を増大あるいは低減させるよう、正又は負のＤＣ制御電圧を供給する。ＤＣ電圧源２７に沿って、記憶抵抗素子の抵抗を測定する抵抗ユニット２８がある。

受信器２６からの受信データは、データバッファ２９に一時的に格納され、磁気共鳴データプロセッサ３０によって処理される。磁気共鳴データプロセッサは、画像再構成（ＭＲＩ）、磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）、及びカテーテル若しくは介入機器の位置特定などを含む技術的に知られた様々な機能を実行することができる。再構成された磁気共鳴画像、スペクトロスコピーの読み出し結果、介入機器の位置情報、及びその他の処理されたＭＲデータは、例えば医療施設の患者アーカイブなどの記憶装置に格納される。グラフィックユーザインタフェース又は表示装置３２は、スキャンのシーケンス及びプロトコルを選択すること、及びＭＲデータを表示することなどのためにスキャンコントローラ２０を制御するよう臨床医が使用可能なユーザ入力装置を含んでいる。

ＲＦコイルアセンブリ１８、１８’は、各々がそれぞれＲＦ送信器２４及びＲＦ受信器２６に接続された、幾つかの専用送信コイル及び受信コイルを含む。ＲＦ送信器は、各々が少なくとも１つの送信コイルに接続された複数のチャンネルを含み、これらが共同で送信コイル群に共鳴励起・操作Ｂ_１パルスを生成する。同様に、ＲＦ受信器は、各々が少なくとも１つの受信コイルに接続された複数のチャンネルを含み、これらが、生成された磁気共鳴信号を受信する。認識されるように、単一の送信コイル及び受信コイルも意図される。理想的には、送信コイル及び受信コイルは完全に隔離されるべきであるが、送信フェーズにおいて、受信コイル内に電流が誘起され、ひいては、該電流が、局所的に受信コイル付近で、所望の送信操作Ｂ_１パルスと対抗するＲＦ磁場を生成する。さらに、誘起された電流は、影響を受けやすい受信コイルを損傷し得るのみでなく、被検体の安全性を脅かし得る。

図２を参照するに、ＲＦコイルアセンブリ１８、１８’は、模式的に図示した複数の受信コイル４０_１、４０_２、・・・、４０_Ｎを含んでいる。各受信コイルは、デチューニング回路４４に直列接続されたコイルセグメント４２を含んでいる。デチューニング回路は、撮像手順の送信フェーズにおいて受信コイルをデカップリングする。この回路は、コイルセグメントと直列接続された記憶抵抗素子若しくはスイッチ４６又はスイッチングメモリスタを含んでいる。記憶抵抗スイッチは、メモリスタに基づくスイッチであり、これは、それを通る制御信号に従って制御可能な抵抗を提供し、且つ制御信号が除去された後にも抵抗状態を記憶する。伝統的なデチューニング回路はＰＩＮダイオードスイッチを用いるが、ＰＩＮダイオードは、適切にシールド（遮蔽）されない限り制御信号伝送線に沿って場の歪みを生じさせ得る継続的な制御信号を必要とする。従って、より高電力の送信ＲＦパルスでは、コイルセグメントがデカップリングされたままであることを確保するために、ＰＩＮダイオードをバイアスする一層高い制御信号が必要とされる。

送信フェーズに先立ち、スキャンコントローラ２０によって生成される制御信号が、記憶抵抗素子をアクティブにバイアスし、一実施形態において、これを導通状態にバイアスして、並列共振トラップ４８、バラン又はこれらに類するものを、対応するコイルセグメントに動作的に結合させる。共振トラップは、高インピーダンスとして作用し、コイルセグメント内の電流を実質的に阻止する。従って、共振トラップは磁気共鳴周波数すなわちラーモア周波数に同調される。多核（multi-nuclear）磁気共鳴システムにおいては、各共振トラップが例えば^１Ｈ、^３１Ｐ又は^１９Ｆなどといった所望の核種に合わせて同調された２つ以上のデチューニング回路を用いることができる。他の一実施形態において、デチューニング回路４４は、コイルセグメントと直列に、受信コイルをデカップリングする高抵抗として作用する単一の記憶抵抗スイッチを含む。そのような構成においては、デチューニング回路は本質的に広帯域であり、同調を必要としない。これは多核磁気共鳴システムにおいて有利である。さらに、共振トラップを同調することは関連コスト及び信頼性ファクタを有する。なお、認識されるように、２つ以上の共振トラップを多核磁気共鳴システムで使用することも意図される。

他の一実施形態において、制御信号の存在なしで記憶抵抗スイッチ４６を高抵抗（又は低抵抗）状態にバイアスするようにＤＣバイアス電圧を誘起するために、送信パルスが使用される。この構成は、記憶抵抗スイッチに受動的（パッシブ）な制御回路を付加することによって実現され得る。受動制御回路は、ＲＦ信号自体から、必要な制御信号を生成する（例えば、出願人を共通とする国際公開第２００８／０７８２７０号パンフレットを参照）。これは、低電流ではなく高電流が、コイルセグメントをデカップリングする並列共振回路に出会うことを可能にする。また、認識されるように、アクティブ及びパッシブ双方のデカップリングも用いられ得る。

引き続き図２を参照するに、受信コイル４０_１、４０_２、・・・、４０_Ｎは、対応するコイルセグメント４２の特性インピーダンスを単チャンネルＲＦ前置増幅器（プリアンプ）５２に整合させるマッチング回路５０を含んでいる。マッチング回路は、整合インピーダンスを調整することで、被検体のサイズに適応し、ひいては、受信コイルの変化する性能指数Ｑを補償する、ことを可能にする調整可能なマッチングネットワークとし得る。例えば、対象物が大きいほどＱ値が低くなって、インピーダンスの不整合が生じ、ひいては、画質に影響が及ぶ。コイルセグメント４２と前置増幅器５２との間に、ブランキング回路５４が並列接続される。送信フェーズに先立ってスキャンコントローラ２０によって生成されるＤＣバイアス信号に応答して、ブランキング回路内に含まれる記憶抵抗スイッチ５６が、前置増幅器の入力を回路短絡させる導通状態にバイアスされる。ブランキング回路５４は、前置増幅器５２及びその他の下流の電子装置を、撮像シーケンスの送信フェーズ中に誘起される過大なＲＦ電流から保護するよう作用する。また、ブランキング回路は、誘起された電流を監視するバイアス回路５８を含んでいる。特定の最大電力レベルが検出された場合、バイアス回路は制御信号を生成し、それにより、記憶抵抗スイッチがバイアスされ、ひいては、前置増幅器の入力が回路短絡される。

一実施形態において、前置増幅器５２の出力は、各チャンネルが受信コイル４０_１、４０_２、・・・、４０_Ｎの１つの出力に対応する多チャンネル（又は、複数の単チャンネル）マルチプレクサ回路６０に接続される。このマルチプレクサは、各々が該マルチプレクサの１つのチャンネルひいては１つの受信コイルに対応する複数の記憶抵抗素子又はスイッチ６２_１、６２_２、・・・、６２_Ｎを含んでいる。スキャナコントローラ２０によって供給される制御信号が、これら記憶抵抗スイッチのうちの１つ又はサブセット（部分集合）を導通状態にバイアスし、１つ以上の受信コイルを下流の処理に結合する。斯くして、受信コイルは、例えばＲＦ受信器２６といった下流の処理回路より多くのチャンネルを有することができる。

受信コイル上の記憶抵抗素子はまた、メモリ機能を果たすことができる。一例として、コイルアセンブリは、複数の記憶抵抗素子７２を含んだメモリ７０を含む。二値の一実施形態において、例えばコイルＩＤ、特性又は使用統計などの情報を二値の１及び０として記憶するよう、各素子が高抵抗状態又は低抵抗状態にバイアスされる。メモリスタは多様な抵抗値に設定されることが可能であるので、メモリは、例えば基数８、基数１０又は基数３２などといった、二値メモリ以外のものにすることも可能である。

より複雑な一実施形態において、マルチプレクサ６０がＲＦ受信器２６に接続しない受信コイルチャンネルは、該マルチプレクサの別バンクの記憶抵抗スイッチ群によって、メモリ７０に接続され得る。受信チャンネル情報がデジタル化されて記憶抵抗素子７２の抵抗状態にて記憶される一方で、受信器がマルチプレクサ６０からのその他の共鳴信号チャンネルを復調する。その後、マルチプレクサは、メモリ７０に記憶された受信チャンネル信号をＲＦ受信器２６に転送する。

引き続き図１を参照するに、受信器２６からの受信データは、一時的にデータバッファ２９に格納され、磁気共鳴データプロセッサ３０によって処理される。認識されるように、メモリ機能を実行する複数の記憶抵抗素子を含むデータバッファも意図される。磁気共鳴データプロセッサは、画像再構成（ＭＲＩ）、磁気共鳴スペクトロスコピー（ＭＲＳ）、及びカテーテル若しくは介入機器の位置特定などを含む技術的に知られた様々な機能を実行することができる。再構成された磁気共鳴画像、スペクトロスコピーの読み出し結果、介入機器の位置情報、及びその他の処理されたＭＲデータは、例えば医療施設の患者アーカイブなどの記憶装置に格納される。グラフィックユーザインタフェース又は表示装置３２は、スキャンのシーケンス及びプロトコルを選択すること、及びＭＲデータを表示することなどのためにスキャンコントローラ２０を制御するよう臨床医が使用可能なユーザ入力装置を含んでいる。

好適実施形態を参照して本発明を説明した。以上の詳細な説明を読んで理解した当業者は、変更及び変形に気付くであろう。本発明は、添付の請求項の範囲又はその均等範囲に入る限りにおいて、そのような全ての変更及び変形を含むものとして解されるものである。

Claims (20)

1. 磁気共鳴にて使用される無線周波数（ＲＦ）コイルアセンブリであって：
   無線周波数コイル；及び
   各々が、制御信号が除去された後に、選択された抵抗状態を保持する、複数の記憶抵抗素子；
   を含むＲＦコイルアセンブリ。
2. 前記記憶抵抗素子を複数の抵抗状態のうちの１つに設定する制御信号を生成するバイアス回路、
   を更に含む請求項１に記載のＲＦコイルアセンブリ。
3. 前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも１つは、共鳴周波数に同調された同調状態と離調状態との間で前記無線周波数コイルを切り換えるデチューニング回路の一部である、請求項１又は２に記載のＲＦコイルアセンブリ。
4. 前記デチューニング回路は：
   前記ＲＦコイルと直列の前記記憶抵抗素子であり、該記憶抵抗素子の抵抗が前記制御信号によって高抵抗状態と低抵抗状態との間で切り換えられる前記記憶抵抗素子、
   を含む、請求項３に記載のＲＦコイルアセンブリ。
5. 前記デチューニング回路は：
   共振トラップであり、該共振トラップを前記ＲＦコイルと直列接続するように前記記憶抵抗素子が前記制御信号によって切り換えられる、共振トラップ、
   を含む、請求項３に記載のＲＦコイルアセンブリ。
6. 前記ＲＦコイルと前置増幅器とに接続され、前記記憶抵抗素子を含むブランキング回路であり、前記記憶抵抗素子は、導通状態へとバイアスされるときに、前記ＲＦコイルに接続された前記前置増幅器の入力を回路短絡させるように構成される、ブランキング回路、
   を更に含む請求項１乃至５の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
7. 前記記憶抵抗素子は前記ＲＦコイルと前記前置増幅器との間に並列に接続される、請求項６に記載のＲＦコイルアセンブリ。
8. 前記記憶抵抗素子を、前記無線周波数コイルが送信モードにあるときに第１の抵抗状態に設定し、前記無線周波数コイルが受信モードにあるときに第２の抵抗状態に設定する制御信号を生成するバイアス回路、
   を更に含む請求項１乃至７の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
9. 当該ＲＦコイルアセンブリの出力にて、選択されたＲＦコイルを受信器に結合するように構成された複数の記憶抵抗素子を含むマルチプレクサ回路、
   を更に含む請求項１乃至８の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
10. 情報を記憶するように構成された複数の記憶抵抗素子を用いて構成されたメモリ、
    を更に含む請求項１乃至９の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
11. 前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも１つを用いて構成され、前記無線周波数コイル上に誘起される選択されたＲＦ周波数を阻止するように構成されたデチューニング回路；
    前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも１つを用いて構成され、前置増幅器の入力を選択的に回路短絡させるように構成されたブランキング回路；及び
    複数の記憶抵抗素子を用いて構成され、前記ＲＦコイルの選択された出力を下流の処理回路に選択的に結合するように構成されたマルチプレクサ回路；
    のうちの少なくとも１つを更に含む請求項１乃至１０の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
12. 前記記憶抵抗素子は、ＤＣバイアスによって或る抵抗状態にバイアスされ且つ前記ＤＣ電圧が除去されたときにも該抵抗状態を保持するメモリスタを含む、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
13. 前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも１つの抵抗を測定する装置、
    を更に含む請求項１乃至１２の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ。
14. 検査領域内に静磁場を生成する磁石；
    前記検査領域からの磁気共鳴データを収集するように構成された、少なくとも１つの、請求項１乃至１３の何れか一項に記載のＲＦコイルアセンブリ；
    前記少なくとも１つのＲＦコイルアセンブリに接続されるＲＦ送信器；
    前記少なくとも１つのＲＦコイルアセンブリに接続されるＲＦ受信器；
    前記ＲＦ送信器と、前記ＲＦ受信器と、前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも１つの抵抗状態を調整するよう前記制御信号を生成する制御回路と、を制御するように構成されたスキャンコントローラ；
    前記ＲＦ受信器からの共鳴データを処理して、磁気共鳴撮像データ又は磁気共鳴スペクトロスコピーデータのうちの一方を作り出すデータプロセッサ；及び
    共鳴信号処理の結果を表示するディスプレイ；
    を含む磁気共鳴システム。
15. 検査領域内に共鳴信号を誘起するＲＦ信号を送信するステップ；
    前記共鳴信号を受信するステップ；及び
    少なくとも１つの記憶抵抗素子の抵抗状態を：
    前記共鳴信号を受信するＲＦコイルを、前記ＲＦ信号の送信中に離調すること、
    受信された前記共鳴信号を増幅する前置増幅器への入力を、前記ＲＦ信号の送信中に短絡させること、
    複数の出力のうちの１つを下流の処理に選択的に結合すること、及び
    情報を格納すること、
    のうちの少なくとも１つのために設定するステップ；
    を含む磁気共鳴方法。
16. 前記少なくとも１つの記憶抵抗素子の抵抗状態を設定するステップは：
    第１極性のバイアス電圧を該記憶抵抗素子に印加して、その抵抗を増大させ；
    第１の選択された抵抗にて、前記第１極性のバイアス電圧を印加することを停止し、該記憶抵抗素子は、該バイアス電圧を印加することが停止した後にも、前記第１の選択された抵抗を保持し、
    第２極性のバイアス電圧を該記憶抵抗素子に印加して、その抵抗を低減させ；
    第２の選択された抵抗にて、前記第２極性のバイアス電圧を印加することを停止し、該記憶抵抗素子は、該バイアス電圧を印加することが停止した後にも、前記第２の選択された抵抗を保持する、
    ことを含む、請求項１５に記載の方法。
17. 前記少なくとも１つの記憶抵抗素子は、前記ＲＦコイルと直列接続され、且つ前記ＲＦコイルを共振トラップと接続し、前記抵抗状態を設定するステップは：
    前記ＲＦ信号を送信する前に、前記記憶抵抗素子を第１抵抗状態にバイアスする第１極性のバイアス電圧を前記記憶抵抗素子に印加し、且つ該第１極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記第１抵抗状態を保持させ；且つ
    前記共鳴信号を受信する前に、第２極性のバイアス電圧を前記記憶抵抗素子に印加して前記記憶抵抗素子を第２抵抗状態にバイアスし、且つ該第２極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記第２抵抗状態を保持させる；
    ことを含む、請求項１５又は１６に記載の方法。
18. 前記少なくとも１つの記憶抵抗素子は、前記ＲＦコイルと接続された前置増幅器の入力間に接続され、前記抵抗状態を設定するステップは：
    前記ＲＦ信号を送信する前に、前記記憶抵抗素子を高導通状態にバイアスする第１極性のバイアス電圧を前記記憶抵抗素子に印加し、且つ該第１極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記高導通状態を保持させ；且つ
    前記共鳴信号を受信する前に、第２極性のバイアス電圧を前記記憶抵抗素子に印加して前記記憶抵抗素子を高抵抗状態にバイアスし、且つ該第２極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記高抵抗状態を保持させる；
    ことを含む、請求項１５乃至１７の何れか一項に記載の方法。
19. 複数のＲＦコイルが、複数の記憶抵抗素子を含んだマルチプレクサによってＲＦ受信器に接続され、前記抵抗状態を設定するステップは：
    前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも第１の記憶抵抗素子に、該記憶抵抗素子を高抵抗状態にバイアスする第１極性のバイアス電圧を印加し、且つ該第１極性のバイアス電圧を印加することを停止して、該記憶抵抗素子に前記高抵抗状態を保持させ；且つ
    前記記憶抵抗素子のうちの少なくとも第２の記憶抵抗素子に第２極性のバイアス電圧を印加して、該記憶抵抗素子を高導通状態にバイアスし、且つ該第２極性のバイアス電圧を印加することを停止して、該記憶抵抗素子に前記高導通状態を保持させる；
    ことを含む、請求項１５乃至１８の何れか一項に記載の方法。
20. 複数の記憶抵抗素子がメモリに含められ、前記抵抗状態を設定するステップは：
    該記憶抵抗素子を高抵抗状態にバイアスする第１極性のバイアス電圧を前記記憶抵抗素子に印加し、且つ該第１極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記高抵抗状態を保持させ；且つ
    前記記憶抵抗素子に第２極性のバイアス電圧を印加して、前記記憶抵抗素子を高導通状態にバイアスし、且つ該第２極性のバイアス電圧を印加することを停止して、前記記憶抵抗素子に前記高導通状態を保持させる；
    ことを含む、請求項１５乃至１９の何れか一項に記載の方法。

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