JP2012522346A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 物体（２０）の３次元構造を製造するために３次元形状物体にミリングする方法であって，
   イオンビームの強度及び滞留時間により、ミリングされる材料のミリング量を決定するステップと，
   前記決定されたミリング量を基に，前記材料で作られた前記物体をイオンビームミリングによりミリングするステップとを含み，
   前記ミリングするステップは，様々な３次元形状を形成するために，前記物体の隣接領域を異なる深さでミリングし，
   前記ミリング方法は，
   ミリングされた構造内の実際のミリング深さを測定するステップと，
   測定されたミリング深さを基にミリング強度及び／又はミリング滞留時間を調整するステップと，を含むことを特徴とする，
   ミリング方法。
2. 前記ミリングステップは複数のミリングパスを含み，
   前記ミリング方法は，
   前記複数のパスの内，後続のパスの少なくとも一つが以前のパスでミリングした領域をミリングするステップを含む，請求項１に記載のミリング方法。
3. 前記後続のミリングパスは，以前にミリングされたパスの一部をミリングする，請求項２に記載のミリング方法。
4. 連続するミリングパスの少なくともいくつかは同心円上にミリングし，及び／又は連続するミリングパスの少なくともいくつかは非同心円上にミリングする，請求項２又は請求項３に記載のミリング方法。
5. 前記イオンビームの強度及び／又は前記ミリング滞留時間は，前記ミリングステップ内の前記複数のミリングパスを構成する個々のパスについて設定される，請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のミリング方法。
6. 前記ミリング深さは，原子間力顕微鏡（２６）により測定される，請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のミリング方法。
7. 前記ミリング深さは，前記ミリングステップ中に測定される，請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のミリング方法。
8. 前記ミリングされる領域の深さは，前記ミリングステップ内で後続の領域をミリングする前に測定される，請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のミリング方法。
9. 前記方法は，３次元物体をミリングする，請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のミリング方法。
10. 孔のアレイを生成するために前記物体上にエッチングパスを少なくとも一つもたらすステップ及び前記３次元構造のアレイを生成する前記孔をミリングするステップを含む，請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のミリング方法。
11. デバイス（２０）の３次元パターンにミリングする装置（１０）であって，
    オブジェクトをミリングするイオンビームを生成するイオンカラム（１２）と，
    イオンビームの強度及びイオンビームの滞留時間を基に，前記デバイスの材料のミリング量を決定又は取得する診断装置と，
    前記決定されたミリング量及びミリングされる前記３次元パターンを基に前記イオンカラム（１２）を制御する制御装置（２２）を含み，
    前記制御装置（２２）は，前記ミリングされる前記３次元パターンを形成するために，デバイス（２０）の隣接領域を異なる深さでミリングし，
    前記ミリング装置は，
    前記イオンカラム（１２）によってミリング深さを測定する測定装置（２６）を含み，
    前記測定装置（２６）は，フィードバックできる態様で前記制御装置（２２）に連結されており，
    前記制御装置（２２）は，測定されたミリング深さを基にミリング強度及び／又はミリング滞留時間を調整することを特徴とする，
    ミリング装置。
12. 前記制御装置（２２）は，複数のミリングパスで前記デバイス（２０）をミリングするために前記イオンカラム（１２）を制御する，請求項１１に記載の装置。
13. 一つ以上の材料に関するミリング深さ，ビーム強度，及びビーム滞留時間のデータベースを含み，
    前記データベースは，ルックアップテーブル形式である，請求項１１又は請求項１２に記載の装置。
14. 前記測定装置は，原子間力顕微鏡チップ（２８）を含む，請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の装置。
15. ＳＥＭカラム（１４），及び／又はミリングするためにデバイス（２０）を固定する真空チャンバ（１６），及び／又は前記３次元構造のアレイを生成する孔をミリングする前に前記孔（４８）のアレイを生成するための前記物体に少なくとも１つのエッチングパスをもたらすエッチングステーション及び少なくとも一つのエッチングマスク（４０）を含む，請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載の装置。
16. 請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載の装置によりミリングされた３次元パターン又は３次元構造を有するデバイス。