JP2012513688A - Long-life electronic devices - Google Patents

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Abstract

陽極と陰極とそれらの間の有機層とを有する有機発光ダイオードが提供される。有機活性層は重水素化合物を含み、そのデバイスは1000ニットでの計算半減期が少なくとも5000時間である。An organic light emitting diode is provided having an anode, a cathode, and an organic layer therebetween. The organic active layer comprises a deuterium compound and the device has a calculated half-life at 1000 nits of at least 5000 hours.

Description

関連出願情報
本出願は、35 U.S.C.§119(e)に基づき、2009年12月21日に出願された米国特許出願第12/643,459号明細書、2008年12月22日に出願された米国仮特許出願第61/139,834号明細書、2009年2月27日に出願された米国仮特許出願第61/156,181号明細書、2009年4月3日に出願された米国仮特許出願第61/166,400号明細書、2009年5月7日に出願された米国仮特許出願第61/176,141号明細書、2009年5月19日に出願された米国仮特許出願第61/179,407号明細書、2009年7月27日に出願された米国仮特許出願第61/228,689号明細書、2009年8月13日に出願された米国仮特許出願第61/233,592号明細書、2009年9月3日に出願された米国仮特許出願第61/239,574号明細書、2009年9月29日に出願された米国仮特許出願第61/246,563号明細書、2009年10月29日に出願された米国仮特許出願第61/256,012号明細書、および2009年12月3日に出願された米国仮特許出願第61/267,928号明細書の優先権を主張するものであり、上記のそれぞれの全体を本明細書に援用する。
Related Application Information S. C. Based on §119 (e), US patent application Ser. No. 12 / 643,459, filed Dec. 21, 2009, US provisional patent application No. 61/139, filed Dec. 22, 2008, No. 834, U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 156,181 filed on Feb. 27, 2009, U.S. Provisional Patent Application No. 61 / 166,400 filed on Apr. 3, 2009. Specification, US Provisional Patent Application No. 61 / 176,141, filed May 7, 2009, US Provisional Patent Application No. 61 / 179,407, filed May 19, 2009 US provisional patent application 61 / 228,689 filed on July 27, 2009, US provisional patent application 61 / 233,592 filed on August 13, 2009, 2009 On September 3, US Provisional Patent Application No. 61 / 239,574, filed September 29, 2009, US Provisional Patent Application No. 61 / 246,563, filed October 29, 2009 US Provisional Patent Application No. 61 / 256,012 and US Provisional Patent Application No. 61 / 267,928 filed on Dec. 3, 2009. Each of which is incorporated herein by reference.

本発明は、重水素化合物を含む少なくとも1つの層を有し、かつ活性寿命の長い電子デバイスに関する。   The present invention relates to an electronic device having at least one layer containing a deuterium compound and having a long active lifetime.

光を発する有機電子デバイス(ディスプレイを構成する発光ダイオードなど)は、多くの種類の電子機器の中に存在する。そのようなデバイスすべてにおいて、有機活性層が2つの電気接触層の間に挟まれている。電気接触層の少なくとも1つは、光が電気接触層を通過できるように光透過性である。電気接触層から電気接触層にかけて電気を流すと、有機活性層は光透過性の電気接触層を通して光を発する。   Organic electronic devices that emit light (such as light-emitting diodes that make up displays) exist in many types of electronic equipment. In all such devices, an organic active layer is sandwiched between two electrical contact layers. At least one of the electrical contact layers is light transmissive so that light can pass through the electrical contact layer. When electricity is passed from the electrical contact layer to the electrical contact layer, the organic active layer emits light through the light transmissive electrical contact layer.

発光ダイオードの活性成分として有機エレクトロルミネセンス化合物を使用することはよく知られている。アントラセン、チアジアゾール誘導体、およびクマリン誘導体などの単純な有機分子は、エレクトロルミネセンスを示すことで知られている。半導体共役ポリマー(semiconductive conjugated polymers)もエレクトロルミネセンス成分として使用されてきたが、そのことは、例えば、米国特許第5,247,190号明細書、米国特許第5,408,109号明細書、および欧州特許出願公開第443861号明細書に開示されている。多くの場合、エレクトロルミネセンス化合物はホスト物質中にドーパントとして存在する。多くのデバイスでは、有機電荷注入層及び/または電荷輸送層が、発光層と陽極及び/または陰極との間に存在する。   The use of organic electroluminescent compounds as the active component of light emitting diodes is well known. Simple organic molecules such as anthracene, thiadiazole derivatives, and coumarin derivatives are known to exhibit electroluminescence. Semiconducting conjugated polymers have also been used as electroluminescent components, for example, US Pat. No. 5,247,190, US Pat. No. 5,408,109, And EP-A-443861. In many cases, the electroluminescent compound is present as a dopant in the host material. In many devices, an organic charge injection layer and / or a charge transport layer is present between the light emitting layer and the anode and / or cathode.

寿命のいっそう長い電子デバイスが引き続き必要とされている。   There is a continuing need for electronic devices with longer lifetimes.

陽極と陰極とそれらの間の有機活性層とを含む有機発光ダイオードであって、有機活性層が重水素化合物を含み、そのデバイスの1000ニットでの計算半減期が少なくとも5000時間である、有機発光ダイオードが提供される。   Organic light emitting diode comprising an anode and a cathode and an organic active layer therebetween, wherein the organic active layer comprises a deuterium compound and the calculated half-life at 1000 nits of the device is at least 5000 hours A diode is provided.

有機活性層が重水素化導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。   There is also provided an organic light emitting diode as described above, wherein the organic active layer comprises a deuterated conductive polymer and a fluorinated acid polymer.

また、少なくとも2つのジアリールアミノ部分を有する正孔輸送重水素化合物を有機活性層が含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。   There is also provided the organic light emitting diode as described above, wherein the organic active layer comprises a hole transport deuterium compound having at least two diarylamino moieties.

また、有機活性層が、重水素化アミノアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化金属キノレート(deuterated metal quinolate)錯体、および重水素化イリジウム錯体よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。   The organic active layer is also an electroluminescent compound selected from the group consisting of deuterated aminoanthracenes, deuterated aminocricenes, deuterated metal quinolate complexes, and deuterated iridium complexes. An organic light emitting diode as described above is also provided.

有機活性層が、(a)重水素化アリールアントラセン類、重水素化アリールピレン類、重水素化アリールクリセン類、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、およびそれらの組合せよりなる群から選択されるホスト物質および(b)380から750nmの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な電気的活性ドーパントを含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。   The organic active layer comprises (a) deuterated arylanthracenes, deuterated arylpyrenes, deuterated arylchrysene, deuterated phenanthrolines, deuterated indolocarbazoles, and combinations thereof There is also provided an organic light emitting diode as described above, comprising a host material selected from: (b) an electroactive capable electroluminescent dopant having an emission maximum between 380 and 750 nm.

有機活性層が、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、および重水素化金属キノレート類よりなる群から選択される電子輸送物質を含む、上記の有機発光ダイオードも提供される。   Also provided is the above organic light emitting diode, wherein the organic active layer comprises an electron transport material selected from the group consisting of deuterated phenanthrolines, deuterated indolocarbazoles, and deuterated metal quinolates.

本明細書で提示する概念がいっそう理解されるように添付図で実施形態を説明する。   The embodiments are described in the accompanying drawings so that the concepts presented herein may be better understood.

有機電子デバイスの一例の説明図を含む。An explanatory view of an example of an organic electronic device is included. 有機電子デバイスの別の説明図を含む。It includes another illustration of an organic electronic device.

図中の物体は、簡単にするためまた明快にするために例示されているのであり、必ずしも縮尺通り描かれてはいないことは、当業者なら理解することである。例えば、図中の一部の物体の大きさは、実施形態をいっそう理解するのを助けるために、他の物体との関係で誇張されていることがある。   Those skilled in the art will appreciate that the objects in the figures are illustrated for simplicity and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, the size of some objects in the figures may be exaggerated in relation to other objects to help better understand the embodiments.

多くの態様および実施形態が本明細書に開示されているが、それらは例示的なものであり、限定するものではない。本明細書を読むならば、本発明の範囲の中で他の態様および実施形態が可能であることは、当業者なら理解することである。   Many aspects and embodiments are disclosed herein and are exemplary and not limiting. After reading this specification, skilled artisans will appreciate that other aspects and embodiments are possible within the scope of the invention.

実施形態のいずれか1つまたはそれ以上における他の特徴および利点は、以下の詳細な説明および請求項から明らかであろう。詳細な説明では、最初に用語の定義と説明を扱い、その後、有機発光デバイス、正孔注入層、正孔輸送層、電気的活性層、電子輸送層、閉じ込め層、他のデバイス層、重水素化物質の合成、そして最後に実施例を扱う。   Other features and advantages of any one or more of the embodiments will be apparent from the following detailed description and from the claims. The detailed description first deals with definitions and explanations of terms, then organic light emitting devices, hole injection layers, hole transport layers, electrically active layers, electron transport layers, confinement layers, other device layers, deuterium Synthesis of chemicals, and finally examples.

1.用語の定義と説明
以下に説明する実施形態の詳細を扱う前に、一部の用語について定義し説明する。
1. Definition and Explanation of Terms Before addressing details of embodiments described below, some terms are defined and explained.

「脂肪族環(aliphatic ring)」という用語は、非局在パイ電子を持たない環状基(cyclic group)を意味することを意図する。実施形態によっては、脂肪族環に不飽和はない。実施形態によっては、その環は1個の二重結合または三重結合を有する。   The term “aliphatic ring” is intended to mean a cyclic group having no delocalized pi electrons. In some embodiments, the aliphatic ring is not unsaturated. In some embodiments, the ring has one double or triple bond.

「アルコキシ」という用語は、RO−基[ここで、Rはアルキルである]を表す。   The term “alkoxy” refers to a RO— group, wherein R is alkyl.

「アルキル」という用語は、結合点が1つある脂肪族炭化水素に由来する基を意味することを意図しており、直鎖状基、分枝状基、または環状基(cyclic group)を含む。この用語はヘテロアルキルを含むことを意図する。「炭化水素アルキル」という用語は、ヘテロ原子を持たないアルキル基を表す。「重水素化アルキル」という用語は、少なくとも1個の利用可能なHがDと置換されている炭化水素アルキルである。実施形態によっては、アルキル基は1〜20個の炭素原子を有する。「分枝状アルキル」という用語は、少なくとも1個の第二級または第三級炭素を有するアルキル基を表す。「第二級アルキル」という用語は、第二級炭素原子を有する分枝状アルキル基を表す。「第三級アルキル」という用語は、第三級炭素原子を有する分枝状アルキル基を表す。実施形態によっては、分枝状アルキル基は第二級または第三級炭素を介して結合する。   The term “alkyl” is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having one point of attachment, and includes a linear group, a branched group, or a cyclic group. . This term is intended to include heteroalkyl. The term “hydrocarbon alkyl” refers to an alkyl group having no heteroatoms. The term “deuterated alkyl” is a hydrocarbon alkyl in which at least one available H is replaced with D. In some embodiments, the alkyl group has 1-20 carbon atoms. The term “branched alkyl” refers to an alkyl group having at least one secondary or tertiary carbon. The term “secondary alkyl” refers to a branched alkyl group having a secondary carbon atom. The term “tertiary alkyl” refers to a branched alkyl group having a tertiary carbon atom. In some embodiments, the branched alkyl group is attached via a secondary or tertiary carbon.

「アリール」という用語は、結合点が1つある芳香族炭化水素に由来する基を意味することを意図する。「芳香族化合物」という用語は、非局在パイ電子を有する少なくとも1個の不飽和環状基を含む有機化合物を意味することを意図する。この用語は、ヘテロアリールを含むことを意図する。「炭化水素アリール」という用語は、環の中にヘテロ原子を持たない芳香族化合物を意味することを意図する。アリールという用語は、1つの環を有する基、および縮合できるかまたは単結合で結合できる複数の環を有する基を含む。「重水素化アリール」という用語は、アリールに直接結合している少なくとも1個の利用可能なHがDと置換しているアリール基を表す。「アリーレン」という用語は、結合点が2つある芳香族炭化水素に由来する基を意味することを意図する。実施形態によっては、アリール基は3〜60個の炭素原子を有する。   The term “aryl” is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having one point of attachment. The term “aromatic compound” is intended to mean an organic compound comprising at least one unsaturated cyclic group having delocalized pi electrons. This term is intended to include heteroaryl. The term “hydrocarbon aryl” is intended to mean an aromatic compound having no heteroatoms in the ring. The term aryl includes groups having one ring and groups having multiple rings that can be fused or joined with a single bond. The term “deuterated aryl” refers to an aryl group in which at least one available H directly attached to aryl is substituted with D. The term “arylene” is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having two points of attachment. In some embodiments, the aryl group has 3 to 60 carbon atoms.

「アリールオキシ」という用語は、RO−基[ここで、Rはアリールである]を表す。   The term “aryloxy” refers to the RO— group, where R is aryl.

「化合物」という用語は、分子で構成される帯電していない物質(分子は、原子からさらに構成され、物理的手段では原子を分離できない)を意味することを意図する。「隣接した」という語句は、デバイス中の層を表すのに用いられる場合、1つの層が別の層のすぐ隣にあることを必ずしも意味しない。その一方で、「隣接したR基」という語句は、化学式において隣同士のR基(すなわち、1つの結合でつながれた原子にあるR基)を表すのに用いられる。   The term “compound” is intended to mean an uncharged substance composed of molecules (molecules are further composed of atoms and cannot be separated by physical means). The phrase “adjacent” when used to describe a layer in a device does not necessarily mean that one layer is immediately adjacent to another layer. On the other hand, the phrase “adjacent R groups” is used to represent adjacent R groups in a chemical formula (ie, an R group in an atom connected by a single bond).

物質に関連している場合の「導電」または「導電性の」という用語は、カーボンブラックまたは導電金属粒子を添加しなくても本質的に(またはもともと)導電性のある物質を意味することを意図する。   The term “conductive” or “conductive” when referring to a substance means that the substance is essentially (or originally) conductive without the addition of carbon black or conductive metal particles. Intended.

「重水素化」という用語は、少なくとも1個のHがDと置換されていることを意味することを意図する。重水素は、自然存在レベルの少なくとも100倍存在する。化合物Xの「重水素化誘導体」は、化合物Xと同じ構造を有するが、Hと置き換わっている少なくとも1個のDを含む。「重水素化された%」および「重水素化%」という用語は、重陽子と陽子および重陽子の合計との(百分率で表した)比率を表す。したがって、化合物C642の場合、重水素化%は以下のようになる:
2/(4+2)×100=33%の重水素化。
The term “deuterated” is intended to mean that at least one H is replaced with D. Deuterium is present at least 100 times its natural level. A “deuterated derivative” of Compound X has the same structure as Compound X, but includes at least one D that replaces H. The terms “% deuterated” and “% deuterated” refer to the ratio of deuterons to the sum of protons and deuterons (expressed as a percentage). Thus, in the case of compound C 6 H 4 D 2 , the deuteration% is as follows:
2 / (4 + 2) × 100 = 33% deuteration.

「ドーパント」という用語は、ホスト物質を含む層の中の物質であって、そうした物質の非存在下での層の放射線の放出、受容、またはフィルタリングの電子的特性または波長と比べて、層の放射線の放出、受容、またはフィルタリングの電子的特性または目標波長が異なるようにする層の中の物質を意味することを意図する。   The term “dopant” refers to a material in a layer that contains a host material, compared to the electronic properties or wavelength of the radiation emission, acceptance, or filtering of the layer in the absence of such material. It is intended to mean a substance in a layer that causes the electronic properties or target wavelengths of radiation emission, acceptance or filtering to be different.

接頭語の「フルオロ」および「フッ素化」という用語は、少なくとも1個の利用可能なHがFと置換されている物質を表す。   The terms “fluoro” and “fluorinated” prefixes refer to materials in which at least one available H is replaced with F.

「電気的活性」という用語は、層または物質に言及している場合、電子的または電気的放射性(electronic or electro−radiative properties)を示す層または物質を意味することを意図する。電子デバイスでは、電気的活性物質によりデバイスの動作が電子的に促進される。電気的活性物質の例としては、電荷の伝導、注入、輸送または遮断を行う物質(電荷は電子または正孔のいずれかであってよい)、および放射線を発するかまたは電子−正孔ペアの濃度の変化を示す(放射線を受けたとき)物質があるが、これらに限定されない。不活性物質の例としては、平坦化物質、絶縁物質、および環境障壁物質があるが、これらに限定されない。有機電気的活性層は、電気的活性物質として有機化合物を含む。本明細書で使用される「有機」という用語は、有機金属物質を包含する。   The term “electrically active” when referring to a layer or material is intended to mean a layer or material that exhibits electronic or electro-radiative properties. In electronic devices, the operation of the device is electronically facilitated by the electrically active material. Examples of electroactive materials include materials that conduct, inject, transport or block charge (the charge can be either an electron or a hole), and emit radiation or the concentration of electron-hole pairs. Although there is a substance that shows a change of (when receiving radiation), it is not limited to these. Examples of inert materials include, but are not limited to, planarizing materials, insulating materials, and environmental barrier materials. The organic electroactive layer includes an organic compound as an electroactive material. As used herein, the term “organic” includes organometallic materials.

「半減期」という用語は、デバイスの輝度が初期値の半分になるのに必要な時間を意味することを意図する。「観測半減期」という用語は、7mAの定電流で測定したデバイスの半減期である。「計算半減期」は、観測半減期から得られ、かつ1000ニットの初期輝度について計算された半減期である。半減期の測定単位は時間である。   The term “half-life” is intended to mean the time required for the brightness of the device to be half its initial value. The term “observed half-life” is the half-life of the device measured at a constant current of 7 mA. “Calculated half-life” is the half-life obtained from the observed half-life and calculated for an initial luminance of 1000 nits. The unit of measurement for half-life is time.

接頭語の「ヘテロ」は、1つまたは複数個の炭素原子が異なる原子で置換されていることを示す。実施形態によっては、異なる原子は、N、O、またはSである。   The prefix “hetero” indicates that one or more carbon atoms have been replaced with a different atom. In some embodiments, the different atom is N, O, or S.

「ホスト物質」という用語は、ドーパントを加える物質を意味することを意図する。ホスト物質は、放射線の放出、受容、またはフィルタリングを行う電子的特性またはその能力があってもなくても構わない。実施形態によっては、ホスト物質は高い濃度で存在する。   The term “host material” is intended to mean a material to which a dopant is added. The host material may or may not have electronic properties or its ability to emit, accept, or filter radiation. In some embodiments, the host material is present at a high concentration.

「層」という用語は、「膜」という用語と同義語的に使用され、目的の領域を覆うコーティングを表す。この用語は大きさによって限定されるものではない。この領域は、デバイス全体と同じくらい大きくても、あるいは実際の表示装置など特定の機能領域と同じくらい小さくても、あるいは単一のサブピクセルと同じくらい小さくても構わない。層および膜は、蒸着、液体付着(連続技法および不連続技法)、および熱転写を含め、従来の任意の付着技法で形成できる。連続付着技法としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬被覆、スロットダイコーティング(slot−die coating)、吹付け塗り、および連続ノズルコーティングがあるが、これらに限定されない。不連続付着技法としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷があるが、これらに限定されない。   The term “layer” is used synonymously with the term “film” and refers to a coating covering an area of interest. The term is not limited by size. This area may be as large as the entire device, as small as a specific functional area such as an actual display device, or as small as a single subpixel. Layers and films can be formed by any conventional deposition technique, including vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer. Continuous deposition techniques include, but are not limited to, spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot-die coating, spray coating, and continuous nozzle coating. Discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing.

「有機電子デバイス」またはときにはただの「電子デバイス」という用語は、1種または複数種の有機半導体層または有機半導体物質を含むデバイスを意味することを意図する。   The term “organic electronic device” or sometimes just “electronic device” is intended to mean a device comprising one or more organic semiconductor layers or organic semiconductor materials.

すべての基は、特に記載のない限り、置換されていても非置換であってよい。実施形態によっては、置換基は、D、ハロゲン化物、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シアノ、およびNR2[ここで、Rはアルキルまたはアリールである]よりなる群から選択される。 All groups may be substituted or unsubstituted unless otherwise specified. In some embodiments, the substituent is selected from the group consisting of D, halide, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, cyano, and NR 2, where R is alkyl or aryl.

特に定義されていない限り、本明細書に用いられている技術用語および科学用語はすべて、本発明が関係する技術分野の当業者が一般的に理解するのと同じ意味を有する。本明細書に記載する方法および物質と同様または同等の方法および物質を本発明の実施または試験に使用できるが、好適な方法および物質を以下に記載しておく。本明細書で挙げる刊行物、特許出願、特許、および他の文献はすべて、その全体を援用する。矛盾がある場合には、定義を含んでいる本明細書で調整されるであろう。さらに、そうした物質、方法、および実施例は例示にすぎず、限定することを意図するものではない。   Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention relates. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control. In addition, such materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.

全体を通してIUPAC番号付け方式(IUPAC numbering system)が使用されており、その方式では、周期律表の族は左から右に1〜18の番号が付けられる(CRC Handbook of Chemistry and Physics,81st Edition,2000)。 The IUPAC numbering system is used throughout, in which the periodic table families are numbered from 1 to 18 from left to right (CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81 st Edition). 2000).

2.有機発光ダイオード
有機発光ダイオード(「OLED」)デバイス構造の1つの説明図を図1に示す。デバイス100は、第1電気接触層である陽極層110と、第2電気接触層である陰極層160と、それらの間にあるエレクトロルミネセンス層140とを有する。陽極の隣には、正孔注入物質を含む正孔注入層120があってもよい。正孔注入層の隣には、正孔輸送物質を含む正孔輸送層130があってもよい。陰極の隣には、電子輸送物質を含む電子輸送層150があってもよい。デバイスでは、陽極110の隣の1つまたは複数の更なる正孔注入層または正孔輸送層(図示せず)及び/または陰極160の隣の1つまたは複数の更なる電子注入または電子輸送層(図示せず)を使用してよい。
2. Organic Light Emitting Diode One illustration of an organic light emitting diode (“OLED”) device structure is shown in FIG. The device 100 has an anode layer 110 that is a first electrical contact layer, a cathode layer 160 that is a second electrical contact layer, and an electroluminescent layer 140 therebetween. Next to the anode, there may be a hole injection layer 120 containing a hole injection material. Next to the hole injection layer, there may be a hole transport layer 130 containing a hole transport material. Next to the cathode, there may be an electron transport layer 150 containing an electron transport material. In the device, one or more further hole injection layers or hole transport layers (not shown) next to the anode 110 and / or one or more further electron injection or electron transport layers next to the cathode 160. (Not shown) may be used.

実施形態によっては、フルカラーを実現するためにするために、発光層はピクセル化(pixellated)されており、異なる各色のサブピクセル単位がある。ピクセル化されたデバイスの説明図を図2に示す。デバイス200は、陽極210、正孔注入層220、正孔輸送層230、エレクトロルミネセンス層240、電子輸送層250、および陰極260を有する。エレクトロルミネセンス層はサブピクセル241、242、243に分割されており、それらは層の端から端まで繰り返されている。実施形態によっては、サブピクセルは赤色、青色および緑色の発光を表す。3種類の異なるサブピクセル単位を図2に示しているが、2種類のサブピクセル単位または3種類より多くのサブピクセル単位を使用してもよい。   In some embodiments, in order to achieve full color, the light emitting layer is pixelated and there are sub-pixel units of different colors. An illustration of a pixelated device is shown in FIG. Device 200 has an anode 210, a hole injection layer 220, a hole transport layer 230, an electroluminescent layer 240, an electron transport layer 250, and a cathode 260. The electroluminescent layer is divided into sub-pixels 241, 242, 243 which are repeated from end to end of the layer. In some embodiments, the subpixels emit red, blue, and green light. Although three different subpixel units are shown in FIG. 2, two types of subpixel units or more than three types of subpixel units may be used.

種々の層については、図1を参照しながら本明細書でさらに説明する。ただし、その説明は図2および他の構成にも当てはまる。   The various layers are further described herein with reference to FIG. However, the description also applies to FIG. 2 and other configurations.

層120〜150は、個別にも集合的にも電気的活性層と呼ばれる。電気的活性層の少なくとも1つは、重水素化物質を含む有機電気的活性層である。重水素化物質は、単独で、あるいは他の重水素化物質または非重水素化物質と組み合わせて使用してよい。実施形態によっては、重水素化物質は少なくとも10%が重水素化されている。これは、少なくとも10%のHがDで置換されていることを意味する。実施形態によっては、重水素化物質は少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%重水素化されている。実施形態によっては、重水素化物質は100%が重水素化されている。   Layers 120-150 are referred to as electrically active layers, both individually and collectively. At least one of the electrically active layers is an organic electrically active layer that includes a deuterated material. The deuterated material may be used alone or in combination with other deuterated or non-deuterated materials. In some embodiments, the deuterated material is at least 10% deuterated. This means that at least 10% of H is replaced by D. In some embodiments, the deuterated material is at least 20% deuterated, in some embodiments, at least 30% is deuterated, and in some embodiments, at least 40% is deuterated. And in some embodiments, at least 50% is deuterated, in some embodiments, at least 60% is deuterated, and in some embodiments, at least 70% is deuterated. , In some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the deuterated material is 100% deuterated.

実施形態によっては、重水素化物質は層120の正孔注入物質である。実施形態によっては、少なくとも1つの更なる層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層130である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層140である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層150である。   In some embodiments, the deuterated material is the hole injection material of layer 120. In some embodiments, at least one additional layer includes a deuterated material. In some embodiments, the additional layer is a hole transport layer 130. In some embodiments, the further layer is an electrically active layer 140. In some embodiments, the additional layer is an electron transport layer 150.

実施形態によっては、重水素化物質は層130の正孔輸送物質である。実施形態によっては、少なくとも1つの更なる層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層120である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層140である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層150である。   In some embodiments, the deuterated material is the hole transport material of layer 130. In some embodiments, at least one further layer includes a deuterated material. In some embodiments, the additional layer is a hole injection layer 120. In some embodiments, the further layer is an electrically active layer 140. In some embodiments, the additional layer is an electron transport layer 150.

実施形態によっては、重水素化重水素化物質は、電気的活性層140中のドーパント物質のホスト物質である。実施形態によっては、ドーパント物質も重水素化されている。実施形態によっては、少なくとも1つの更なる層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層120である。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層130である。実施形態によっては、更なる層は電子輸送層150である。   In some embodiments, the deuterated deuterated material is a host material for the dopant material in the electrically active layer 140. In some embodiments, the dopant material is also deuterated. In some embodiments, at least one additional layer includes a deuterated material. In some embodiments, the additional layer is a hole injection layer 120. In some embodiments, the additional layer is a hole transport layer 130. In some embodiments, the additional layer is an electron transport layer 150.

実施形態によっては、重水素化物質は層150中の電子輸送物質である。実施形態によっては、少なくとも1つの更なる層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、更なる層は正孔注入層120である。実施形態によっては、更なる層は正孔輸送層130である。実施形態によっては、更なる層は電気的活性層140である。   In some embodiments, the deuterated material is an electron transport material in layer 150. In some embodiments, at least one further layer includes a deuterated material. In some embodiments, the additional layer is a hole injection layer 120. In some embodiments, the additional layer is a hole transport layer 130. In some embodiments, the further layer is an electrically active layer 140.

実施形態によっては、電子デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、電気的活性層、および電子輸送層よりなる群から選択される層の任意の組合せに重水素化物質を有する。実施形態によっては、デバイスのすべての有機活性層が重水素化物質を含む。   In some embodiments, the electronic device has a deuterated material in any combination of layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electrically active layer, and an electron transport layer. In some embodiments, all organic active layers of the device include a deuterated material.

実施形態によっては、デバイスは、処理に役立つようにまたは機能を向上させるために、更なる層を有する。そうした層の一部または全部が重水素化物質を含むことができる。実施形態によっては、有機デバイスの層すべてが重水素化物質を含む。実施形態によっては、有機デバイスの層すべてが重水素化物質から本質的になる。   In some embodiments, the device has additional layers to aid in processing or to enhance functionality. Some or all of such layers can include deuterated materials. In some embodiments, all layers of the organic device include a deuterated material. In some embodiments, all layers of the organic device consist essentially of deuterated material.

実施形態によっては、有機発光ダイオードは、陽極および陰極を含み、さらにそれらの間に有機層を有するものであって、有機層は正孔注入層、正孔輸送層、エレクトロルミネセンス層、電子輸送層、および陰極であり、有機層の少なくとも2つが重水素化物質から本質的になる。実施形態によっては、有機層すべてが本質的に重水素化物質からなる。   In some embodiments, the organic light emitting diode includes an anode and a cathode, and further has an organic layer therebetween, the organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, an electroluminescent layer, an electron transport. A layer, and a cathode, wherein at least two of the organic layers consist essentially of deuterated material. In some embodiments, all of the organic layer consists essentially of deuterated material.

1つの実施形態では、種々の層の厚さの範囲は以下の通りである:陽極110は500〜5000Åで、1つの実施形態では1000〜2000Åであり;正孔注入層120は50〜2000Åで、1つの実施形態では200〜1000Åであり;正孔輸送層130は50〜2000Åで、1つの実施形態では200〜1000Åであり;電気的活性層140は10〜2000Åで、1つの実施形態では100〜1000Åであり;層150は50〜2000Åで、1つの実施形態では100〜1000Åであり;陰極160は200〜10000Åで、1つの実施形態では300〜5000Åである。デバイス中の電子−正孔再結合域の場所(したがってデバイスの発光スペクトル)は、各層の相対的厚さによって影響されうる。層の厚さの所望の比率は、使用する物質のまさにその性質によって異なるであろう。   In one embodiment, the thickness ranges of the various layers are as follows: the anode 110 is 500-5000 inches, and in one embodiment 1000-2000 inches; the hole injection layer 120 is 50-2000 inches. In one embodiment, it is 200-1000 ;; the hole transport layer 130 is 50-2000 Å, in one embodiment 200-1000 ;; the electrically active layer 140 is 10-2000 で は, in one embodiment Layer 150 is 50 to 2000 inches, in one embodiment 100 to 1000 inches; cathode 160 is 200 to 10,000 inches, and in one embodiment 300 to 5000 inches. The location of the electron-hole recombination zone in the device (and thus the emission spectrum of the device) can be affected by the relative thickness of each layer. The desired ratio of layer thickness will depend on the exact nature of the materials used.

本明細書で説明するデバイスの観測半減期は、少なくとも200時間である。実施形態によっては、観測半減期は少なくとも400時間であり、実施形態によっては、少なくとも1000時間である。   The observed half-life of the devices described herein is at least 200 hours. In some embodiments, the observed half-life is at least 400 hours, and in some embodiments, at least 1000 hours.

本明細書で説明するデバイスの計算半減期は、少なくとも5000時間である。所与の初期輝度での半減期の計算方法はよく知られている。その方法は、例えば、Chu et.al.,Appl.Phys.Lett.89,053503(2006)およびWellmann et.al.,SID Int.Symp.Digest Tech.Papers 2005,393に記載されている。実施形態によっては、計算半減期は少なくとも10,000時間、実施形態によっては、少なくとも20,000時間、実施形態によっては、少なくとも50,000時間である。   The calculated half-life of the devices described herein is at least 5000 hours. Methods for calculating the half-life at a given initial luminance are well known. The method is described, for example, by Chu et. al. , Appl. Phys. Lett. 89, 053503 (2006) and Wellmann et. al. , SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 2005, 393. In some embodiments, the calculated half-life is at least 10,000 hours, in some embodiments, at least 20,000 hours, and in some embodiments, at least 50,000 hours.

2.正孔注入層
正孔注入層120は正孔注入物質を含み、有機電子デバイスにおいて1つまたは複数の役割を有しうる。その役割としては、下にある層の平坦化、電荷輸送特性及び/または電荷注入特性、不純物(酸素または金属イオンなど)の除去、および有機電子デバイスの性能を円滑化または向上させる他の側面があるが、それらに限定されない。正孔注入物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。
2. Hole Injection Layer The hole injection layer 120 includes a hole injection material and may have one or more roles in the organic electronic device. Its roles include planarization of the underlying layers, charge transport and / or charge injection properties, removal of impurities (such as oxygen or metal ions), and other aspects that facilitate or improve the performance of organic electronic devices. There are, but are not limited to them. The hole injection material can be a polymer, oligomer, or small molecule. They can be deposited or deposited from a liquid which can be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloidal mixture, or other composition.

実施形態によっては、正孔注入層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、重水素化物質は重水素化導電性ポリマーを含む。「重水素化導電性ポリマー」とは、導電性ポリマー自体(関連したポリマー酸を含まない)が重水素化されていることを意味する。実施形態によっては、重水素化物質は、重水素化ポリマー酸がドープされた導電性ポリマーを含む。実施形態によっては、重水素化物質は、重水素化ポリマー酸がドープされた重水素化導電性ポリマーを含む。   In some embodiments, the hole injection layer includes a deuterated material. In some embodiments, the deuterated material comprises a deuterated conductive polymer. By “deuterated conductive polymer” is meant that the conductive polymer itself (without the associated polymer acid) is deuterated. In some embodiments, the deuterated material comprises a conductive polymer doped with a deuterated polymeric acid. In some embodiments, the deuterated material comprises a deuterated conductive polymer doped with a deuterated polymer acid.

実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、重水素化ポリチオフェン類、重水素化ポリセレノフェン類、重水素化ポリテルロフェン類、重水素化ポリピロール類、重水素化ポリアニリン類、重水素化ポリ(4−アミノ−インドール類)、重水素化ポリ(7−アミノ−インドール類)、および重水素化多環式芳香族ポリマーよりなる群からそれぞれ選択される。「多環式芳香族」という用語は、複数の芳香環を有する化合物を表す。それらの環は、1つまたは複数の結合によって結合されていてよいか、または縮合していてよい。「芳香環」という用語は、ヘテロ芳香環を含むことを意図する。「多環式ヘテロ芳香族」化合物は少なくとも1つのヘテロ芳香環を有する。実施形態によっては、重水素化多環式芳香族ポリマーは、重水素化ポリチエノチオフェン類である。   In some embodiments, the deuterated conductive polymers are deuterated polythiophenes, deuterated polyselenophenes, deuterated polytellurophenes, deuterated polypyrroles, deuterated polyanilines, deuterated. Each selected from the group consisting of poly (4-amino-indoles), deuterated poly (7-amino-indoles), and deuterated polycyclic aromatic polymers. The term “polycyclic aromatic” refers to a compound having multiple aromatic rings. The rings may be connected by one or more bonds or may be fused. The term “aromatic ring” is intended to include heteroaromatic rings. “Polycyclic heteroaromatic” compounds have at least one heteroaromatic ring. In some embodiments, the deuterated polycyclic aromatic polymer is a deuterated polythienothiophene.

実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、重水素化ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)、重水素化ポリアニリン、重水素化ポリピロール、重水素化ポリ(4−アミノインドール)、重水素化ポリ(7−アミノインドール)、重水素化ポリ(チエノ(2,3−b)チオフェン)、重水素化ポリ(チエノ(3,2−b)チオフェン)、および重水素化ポリ(チエノ(3,4−b)チオフェン)よりなる群から選択される。   In some embodiments, the deuterated conductive polymer is deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene), deuterated polyaniline, deuterated polypyrrole, deuterated poly (4-aminoindole), deuterated Hydrogenated poly (7-aminoindole), deuterated poly (thieno (2,3-b) thiophene), deuterated poly (thieno (3,2-b) thiophene), and deuterated poly (thieno ( 3,4-b) selected from the group consisting of thiophene).

実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the deuterated conductive polymer is at least 10% deuterated, in some embodiments, at least 20% is deuterated, and in some embodiments, at least 30% is deuterium. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some embodiments, 100% is deuterated.

実施形態によっては、導電性ポリマーは、ポリ(D6−3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(D5−ピロール)、ポリ(D7−アニリン)、ポリ(ペルジュウテロ(perdeutero)−4−アミノインドール)、ポリ(ペルジュウテロ−7−アミノインドール)、ポリ(ペルジュウテロ−チエノ(2,3−b)チオフェン)、ポリ(ペルジュウテロ−チエノ(3,2−b)チオフェン)、およびポリ(ペルジュウテロ−チエノ(3,4−b)チオフェン)よりなる群から選択される。 In some embodiments, the conductive polymer is poly (D 6 -3,4-ethylenedioxythiophene), poly (D 5 -pyrrole), poly (D 7 -aniline), poly (perdeutero-4- Amino (indole), poly (perdeutero-7-aminoindole), poly (perdeutero-thieno (2,3-b) thiophene), poly (perdeutero-thieno (3,2-b) thiophene), and poly (perdeutero-thieno) It is selected from the group consisting of (3,4-b) thiophene).

実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーは、非フッ素化ポリマー酸がドープされている。イオン化性陽子または重陽子を持つ酸性基を有する任意のポリマーを使用できる。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。酸性基はすべて同じであってもよく、あるいはポリマーは複数の種類の酸性基を有していてもよい。実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。スルホンイミド基は次式を有する:
−SO2−NH−SO2−R
[式中、Rはアルキル基である]。好適な酸の例としては、ポリスチレンスルホン酸(「PSSA」)、ポリ(ペルジュウテロ−スチレンスルホン酸)(「D8−PSSA」)、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)(「PAAMPSA」)、ポリ(ペルジュウテロ−2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)(「D13−PAAMPSA」)、およびそれらの混合物があるが、これらに限定されない。
In some embodiments, the deuterated conductive polymer is doped with a non-fluorinated polymeric acid. Any polymer having acidic groups with ionizable protons or deuterons can be used. Examples of acidic groups include, but are not limited to, carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The acidic groups may all be the same, or the polymer may have multiple types of acidic groups. In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a sulfonimide group, and combinations thereof. The sulfonimide group has the following formula:
—SO 2 —NH—SO 2 —R
[Wherein R is an alkyl group]. Examples of suitable acids include polystyrene sulfonic acid (“PSSA”), poly (perdeutero-styrene sulfonic acid) (“D 8 -PSSA”), poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) ( "PAAMPSA"), poly (Perujuutero 2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) ( "D 13 -PAAMPSA"), and mixtures thereof, without limitation.

実施形態によっては、非フッ素化ポリマー酸がドープされている重水素化導電性ポリマーを、高度にフッ素化された酸ポリマー(「HFAP」)とさらに組み合わせる。   In some embodiments, a deuterated conducting polymer doped with a non-fluorinated polymeric acid is further combined with a highly fluorinated acid polymer (“HFAP”).

実施形態によっては、フッ素化酸ポリマーは、炭素に結合した利用可能な水素の少なくとも80%がフッ素で置換されている、高度にフッ素化された酸ポリマー(「HFAP」)である。高度にフッ素化された酸ポリマー(「HFAP」)は、高度にフッ素化されかつ酸性基を有する、任意のポリマーであってよい。酸性基により、イオン化性の陽子(H+)または重陽子(D+)が供給される。実施形態によっては、酸性基はpKaが3未満である。実施形態によっては、酸性基はpKaが0未満である。実施形態によっては、酸性基はpKaが−5未満である。酸性基はポリマー骨格に直接結合していてよいか、またはポリマー骨格上の側鎖に結合していてよい。酸性基の例としては、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。酸性基はすべて同じであってもよく、あるいはポリマーは複数の種類の酸性基を有していてもよい。実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。 In some embodiments, the fluorinated acid polymer is a highly fluorinated acid polymer (“HFAP”) in which at least 80% of the available hydrogen bonded to the carbon is replaced with fluorine. A highly fluorinated acid polymer (“HFAP”) may be any polymer that is highly fluorinated and has acidic groups. The acidic group supplies ionizable protons (H + ) or deuterons (D + ). In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than 3. In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than zero. In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than −5. The acidic group may be directly attached to the polymer backbone or may be attached to a side chain on the polymer backbone. Examples of acidic groups include, but are not limited to, carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The acidic groups may all be the same, or the polymer may have multiple types of acidic groups. In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a sulfonimide group, and combinations thereof.

実施形態によっては、HFAPは酸性重陽子を持つジュウテロ酸(deutero−acid)である。   In some embodiments, HFAP is deutero-acid with acidic deuterons.

実施形態によっては、HFAPは少なくとも90%がフッ素化されており、実施形態によっては、少なくとも95%がフッ素化されており、実施形態によっては、完全フッ素化されている。実施形態によっては、HFAPが完全フッ素化されていない場合、HFAPも重水素化される。   In some embodiments, HFAP is at least 90% fluorinated, in some embodiments, at least 95% fluorinated, and in some embodiments, fully fluorinated. In some embodiments, when HFAP is not fully fluorinated, HFAP is also deuterated.

実施形態によっては、酸性基は、スルホン酸基、スルホンイミド基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、酸性基はフッ素化側鎖上にある。実施形態によっては、フッ素化側鎖は、アルキル基、アルコキシ基、アミド基、エーテル基、およびそれらの組合せ(そのすべてが完全フッ素化されている)から選択される。   In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a sulfonimide group, and combinations thereof. In some embodiments, the acidic group is on the fluorinated side chain. In some embodiments, the fluorinated side chain is selected from alkyl groups, alkoxy groups, amide groups, ether groups, and combinations thereof, all of which are fully fluorinated.

実施形態によっては、HFAPは、高度にフッ素化されたオレフィン骨格を有し、それには、ペンダントの高度にフッ素化されたアルキルスルホネート基、高度にフッ素化されたエーテルスルホネート基、高度にフッ素化されたエステルスルホネート基、または高度にフッ素化されたエーテルスルホンイミド基が付いている。実施形態によっては、HFAPは、パーフルオロ−エーテル−スルホン酸側鎖を有するパーフルオロオレフィンである。実施形態によっては、ポリマーは、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ−3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホン酸とのコポリマー(「ポリ(TFE−PSEPVE)」)である。このジュウテロ酸類似体は、D−ポリ(TFE−PSEPVE)と略す。実施形態によっては、ポリマーは、1,1−ジフルオロエチレンと2−(1,1−ジフルオロ−2−(トリフルオロメチル)アリルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。実施形態によっては、ポリマーは、エチレンと2−(2−(1,2,2−トリフルオロビニルオキシ)−1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロプロポキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。こうしたコポリマーは、対応するスルホニルフルオリドポリマーとして作ることができ、次いでスルホン酸形態に変換できる。   In some embodiments, the HFAP has a highly fluorinated olefin backbone that includes pendant highly fluorinated alkyl sulfonate groups, highly fluorinated ether sulfonate groups, highly fluorinated. With ester sulfonate groups or highly fluorinated ether sulfonimide groups. In some embodiments, HFAP is a perfluoroolefin having a perfluoro-ether-sulfonic acid side chain. In some embodiments, the polymer is a copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octene sulfonic acid (“poly (TFE-PSEPVE)”). This deutero acid analog is abbreviated as D-poly (TFE-PSEPVE). In some embodiments, the polymer is a copolymer of 1,1-difluoroethylene and 2- (1,1-difluoro-2- (trifluoromethyl) allyloxy) -1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid. It is. In some embodiments, the polymer is ethylene and 2- (2- (1,2,2-trifluorovinyloxy) -1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -1,1,2. , 2-tetrafluoroethanesulfonic acid copolymer. Such copolymers can be made as the corresponding sulfonyl fluoride polymer and then converted to the sulfonic acid form.

実施形態によっては、重水素化導電性ポリマーはHFAPがドープされる。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、米国特許出願公開第2004/0127637号明細書、米国特許出願公開第2005/0205860号明細書、および公開されたPCT出願の国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。   In some embodiments, the deuterated conductive polymer is doped with HFAP. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in US Patent Application Publication No. 2004/0102577, US Patent Application Publication No. 2004/0127637, US Patent Application Publication No. 2005/0205860. , And published PCT application WO 2009/018009.

実施形態によっては、正孔注入層は、ポリスチレンスルホン酸(「PSSA」)がドープされた重水素化ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(「d−PEDOT」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸(「d−PSSA」)がドープされたポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(「PEDOT」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸がドープされた重水素化ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)を含む。実施形態によっては、d−PEDOT/d−PSSAは、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、d−PEDOT/PSSA、PEDOT/d−PSSA、およびd−PEDOT/d−PSSAよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、D8−PSSAがドープされたポリ(D6−3,4−エチレンジオキシチオフェン)から本質的になる。 In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (“d-PEDOT”) doped with polystyrene sulfonic acid (“PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (“PEDOT”) doped with deuterated polystyrene sulfonic acid (“d-PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with deuterated polystyrene sulfonic acid. In some embodiments, d-PEDOT / d-PSSA is at least 50% deuterated, in some embodiments at least 60% deuterated, and in some embodiments at least 70% Deuterated, in some embodiments at least 80% deuterated, in some embodiments at least 90% deuterated, and in some embodiments 100% deuterated Has been. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PEDOT / PSSA, PEDOT / d-PSSA, and d-PEDOT / d-PSSA. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of poly (D 6 -3,4-ethylenedioxythiophene) doped with D 8 -PSSA.

実施形態によっては、正孔注入層は、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)(「PAAMPSA」)がドープされた重水素化ポリアニリン(「d−PANI」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)(「d−PAAMPSA」)がドープされたポリアニリン(「PANI」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリ(2−アクリルアミド−2−メチル−1−プロパンスルホン酸)がドープされた重水素化ポリアニリンを含む。実施形態によっては、d−PANI/d−PAAMPSAは少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、d−PANI/PAAMPSA、PANI/d−PAAMPSA、およびd−PANI/d−PAAMPSAよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、D13−PAAMPSAがドープされたポリ(D7−アニリン)から本質的になる。 In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polyaniline (“d-PANI”) doped with poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) (“PAAMPSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises polyaniline (“PANI”) doped with deuterated poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) (“d-PAAMPSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polyaniline doped with deuterated poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid). In some embodiments, d-PANI / d-PAAMPSA is at least 50% deuterated, in some embodiments, at least 60% is deuterated, and in some embodiments, at least 70% is deuterated. Hydrogenated, in some embodiments at least 80% deuterated, in some embodiments at least 90% deuterated, and in some embodiments 100% deuterated. ing. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PANI / PAAMPSA, PANI / d-PAAMPSA, and d-PANI / d-PAAMPSA. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of poly (D 7 -aniline) doped with D 13 -PAAMPSA.

実施形態によっては、正孔注入層は、ポリスチレンスルホン酸(「PSSA」)がドープされた重水素化ポリピロール(「d−PPy」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸(「d−PSSA」)がドープされたポリピロール(「PPy」)を含む。実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化ポリスチレンスルホン酸がドープされた重水素化ポリピロールを含む。実施形態によっては、d−PPy/d−PSSAは、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。実施形態によっては、正孔注入層は、d−PPy/PSSA、PPy/d−PSSA、およびd−PPy/d−PSSAよりなる群から選択される物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、D8−PSSAでドープされたポリ(D5−ピロール)から本質的になる。 In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polypyrrole (“d-PPy”) doped with polystyrene sulfonic acid (“PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises polypyrrole (“PPy”) doped with deuterated polystyrene sulfonic acid (“d-PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polypyrrole doped with deuterated polystyrene sulfonic acid. In some embodiments, d-PPy / d-PSSA is at least 50% deuterated, in some embodiments at least 60% deuterated, and in some embodiments at least 70% Deuterated, in some embodiments at least 80% deuterated, in some embodiments at least 90% deuterated, and in some embodiments 100% deuterated Has been. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PPy / PSSA, PPy / d-PSSA, and d-PPy / d-PSSA. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of poly (D 5 -pyrrole) doped with D 8 -PSSA.

実施形態によっては、正孔注入層は、重水素化導電性ポリマーおよびHFAPを含む。実施形態によっては、正孔注入層は、HFAPがドープされた重水素化導電性ポリマーを含む。実施形態によっては、正孔注入層は、HFAPがドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、過フッ素化されたスルホン酸ポリマーがドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になる。実施形態によっては、正孔注入層は、D−ポリ(TFE−PSEPVE)がドープされた重水素化導電性ポリマーから本質的になり、その導電性ポリマーは、ポリ(D6−3,4−エチレンジオキシチオフェン)、ポリ(D7−アニリン)およびポリ(D5−ピロール)よりなる群から選択される。 In some embodiments, the hole injection layer includes a deuterated conductive polymer and HFAP. In some embodiments, the hole injection layer comprises a deuterated conductive polymer doped with HFAP. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a deuterated conductive polymer doped with HFAP. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a deuterated conductive polymer doped with a perfluorinated sulfonic acid polymer. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of D- poly (TFE-PSEPVE) is doped deuterated electrically-conductive polymer, its conductive polymer, poly (D 6-3,4- Selected from the group consisting of (ethylenedioxythiophene), poly (D 7 -aniline) and poly (D 5 -pyrrole).

実施形態によっては、正孔注入層は、銅フタロシアニン、テトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン系(TTF−TCNQ)およびそれらの重水素化類似体などの電荷移動化合物などを含む。   In some embodiments, the hole injection layer includes a charge transfer compound such as copper phthalocyanine, tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane system (TTF-TCNQ) and their deuterated analogs, and the like.

3.正孔輸送層
正孔輸送層130は、正孔輸送物質を含む。層、物質、部材、または構造に言及している場合の「正孔輸送」という用語は、そのような層、物質、部材、または構造によって、比較的効率的かつ低電荷損失で、正電荷がそのような層、物質、部材、または構造の厚い部分を通って移動するのが促進されることを意味することを意図する。発光物質も幾らかの正孔輸送特性を有することがあるが、「正孔輸送の層、物質、部材、または構造」という用語は、主要機能が発光である層、物質、部材、または構造を含むことを意図していない。
3. Hole Transport Layer The hole transport layer 130 includes a hole transport material. The term “hole transport” when referring to a layer, material, member, or structure refers to a positively charged, relatively efficient and low charge loss, by such layer, material, member, or structure. It is intended to mean that movement through such a layer, material, member, or thick part of the structure is facilitated. Although the luminescent material may also have some hole transport properties, the term “hole transport layer, material, member, or structure” refers to a layer, material, member, or structure whose primary function is light emission. Not intended to be included.

正孔輸送物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。   The hole transport material can be a polymer, oligomer, or small molecule. They can be deposited or deposited from a liquid which can be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloidal mixture, or other composition.

実施形態によっては、正孔輸送層が重水素化物質を含む。実施形態によっては、正孔輸送物質は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the hole transport layer includes a deuterated material. In some embodiments, the hole transport material is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated; In some embodiments, 100% is deuterated.

実施形態によっては、正孔輸送物質は、分子式単位当たり少なくとも2個のジアリールアミノ部分を有する重水素化合物である。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化トリアリールアミンポリマーである。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、公開されたPCT出願の国際公開第2009/067419号パンフレットに記載されている。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化フルオレン−トリアリールアミンのコポリマーである。そのような物質の非重水素化類似体は、例えば、米国特許出願公開第2008/0071049号明細書および米国特許出願公開第2008/0097076号明細書に記載されている。架橋性正孔輸送ポリマーの非重水素化類似体の例は、例えば、米国特許出願公開第2005/0184287号明細書および公開されたPCT出願の国際公開第2005/052027号パンフレット中に見出すことができる。   In some embodiments, the hole transport material is a deuterium compound having at least two diarylamino moieties per molecular formula unit. In some embodiments, the hole transport material is a deuterated triarylamine polymer. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in published PCT application WO 2009/067419. In some embodiments, the hole transport material is a deuterated fluorene-triarylamine copolymer. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in US Patent Application Publication No. 2008/0071049 and US Patent Application Publication No. 2008/0097076. Examples of non-deuterated analogs of crosslinkable hole transporting polymers can be found, for example, in US Patent Application Publication No. 2005/0184287 and published PCT application WO 2005/052027. it can.

実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化トリアリールアミン、重水素化カルバゾール類、重水素化フルオレン類、それらのポリマー、それらのコポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、正孔輸送物質は、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、高分子物質は架橋性である。   In some embodiments, the hole transport material is selected from the group consisting of deuterated triarylamines, deuterated carbazoles, deuterated fluorenes, polymers thereof, copolymers thereof, and combinations thereof. In some embodiments, the hole transport material is a deuterated polymeric triarylamine, deuterated polycarbazole, deuterated polyfluorene, deuterated having a conjugated moiety bonded in a non-planar configuration. It is selected from the group consisting of polymeric triarylamines, deuterated copolymers of fluorene and triarylamine, and combinations thereof. In some embodiments, the polymeric material is crosslinkable.

実施形態によっては、正孔輸送物質は、式I、式II、または式IIIを有する:   In some embodiments, the hole transport material has Formula I, Formula II, or Formula III:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Ar1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、フェニレン、置換フェニレン、ナフチレン、および置換ナフチレンよりなる群から選択され;
Ar2は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アリール基であり;
Mは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、共役部分であり;
1およびT2は、それぞれの出現箇所で独立に同一または異なっていて、共役部分であり;
aは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、1〜6の整数であり;
b、c、およびdは、b+c+d=1.0となるようなモル分率であるが、但し、cはゼロではなく、bおよびdの少なくとも1つがゼロではないこと、またbがゼロの場合、Mが少なくとも2個のトリアリールアミン単位を含むことを条件とし;
eは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、1〜6の整数であり;さらに
nは、1より大きい整数であり;
ここで、化合物は少なくとも10%が重水素化されている。
そのような物質の非重水素化類似体は、公開されたPCT出願の国際公開第2009/067419号パンフレットに記載されている。
In the above formula,
Ar 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of phenylene, substituted phenylene, naphthylene, and substituted naphthylene;
Ar 2 is the same or different at each occurrence and is an aryl group;
M is the same or different at each occurrence and is a conjugated moiety;
T 1 and T 2 are independently the same or different at each occurrence and are conjugated moieties;
a is the same or different at each occurrence, and is an integer of 1 to 6;
b, c, and d are mole fractions such that b + c + d = 1.0, provided that c is not zero, at least one of b and d is not zero, and b is zero , Provided that M contains at least two triarylamine units;
e is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6; and n is an integer greater than 1;
Here, at least 10% of the compound is deuterated.
Non-deuterated analogs of such materials are described in published PCT application WO 2009/067419.

式I〜IIIの実施形態によっては、アリール環上の置換基が重水素化されている。実施形態によっては、置換基は、アルキル、アリール、アルコキシ、およびアリールオキシから選択される。式I〜IIIの実施形態によっては、アリール基Ar1およびAr2の任意の1つまたはそれ以上で重水素化されている。その場合、Ar1およびAr2の少なくとも1つが重水素化アリール基である。式I〜IIIの実施形態によっては、[T1−T2]基上で重水素化されている。実施形態によっては、T1とT2の両方が重水素化されている。式I〜IIIの実施形態によっては、置換基とAr1およびAr2基との両方で重水素化されている。式I〜IIIの実施形態によっては、[T1−T2]基とAr1およびAr2基との両方で重水素化されている。式I〜IIIの実施形態によっては、置換基、[T1−T2]基、およびAr1およびAr2基上で重水素化されている。 In some embodiments of Formulas I-III, substituents on the aryl ring are deuterated. In some embodiments, the substituent is selected from alkyl, aryl, alkoxy, and aryloxy. In some embodiments of Formulas I-III, any one or more of the aryl groups Ar 1 and Ar 2 is deuterated. In that case, at least one of Ar 1 and Ar 2 is a deuterated aryl group. Some embodiments of Formulas I-III are deuterated on the [T 1 -T 2 ] group. In some embodiments, both T 1 and T 2 are deuterated. In some embodiments of Formulas I-III, both the substituent and the Ar 1 and Ar 2 groups are deuterated. In some embodiments of Formulas I-III, both the [T 1 -T 2 ] group and the Ar 1 and Ar 2 groups are deuterated. Some embodiments of Formulas I-III are deuterated on substituents, [T 1 -T 2 ] groups, and Ar 1 and Ar 2 groups.

実施形態によっては、少なくとも1つのAr1が、アルキル、アルコキシ、シリル、および架橋基付き置換基よりなる群から選択される置換基を有する置換フェニルである。実施形態によっては、aは1〜3である。実施形態によっては、aは1〜2である。実施形態によっては、aは1である。実施形態によっては、eは1〜4である。実施形態によっては、eは1〜3である。実施形態によっては、e=1である。実施形態によっては、少なくとも1つのAr1が、架橋基を持つ置換基を有する。 In some embodiments, at least one Ar 1 is a substituted phenyl having a substituent selected from the group consisting of alkyl, alkoxy, silyl, and a bridging substituent. In some embodiments, a is 1-3. In some embodiments, a is 1-2. In some embodiments, a is 1. In some embodiments, e is 1-4. In some embodiments, e is 1-3. In some embodiments, e = 1. In some embodiments, at least one Ar 1 has a substituent with a bridging group.

実施形態によっては、少なくとも1つのAr2が式aを有する。 In some embodiments, at least one Ar 2 has the formula a.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルよりなる群から選択されるか;または隣接したR1基が結合して芳香環を形成してよく;
fは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、0〜4の整数であり;
gは、0〜5の整数であり;さらに
mは、1〜5の整数である。
In the above formula,
R 1 is the same or different at each occurrence, and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, siloxane and silyl; or adjacent R 1 groups may combine to form an aromatic ring ;
f is the same or different at each occurrence, and is an integer of 0 to 4;
g is an integer from 0 to 5; and m is an integer from 1 to 5.

実施形態によっては、少なくとも1つのAr2が式bを有する。 In some embodiments, at least one Ar 2 has the formula b.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
1は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシ、シロキサンおよびシリルよりなる群から選択されるか;または隣接したR1基が結合して芳香環を形成してよく;
fは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、0〜4の整数であり;
gは、0〜5の整数であり;さらに
mは、1〜5の整数である。
In the above formula,
R 1 is the same or different at each occurrence, and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, siloxane and silyl; or adjacent R 1 groups may combine to form an aromatic ring ;
f is the same or different at each occurrence, and is an integer of 0 to 4;
g is an integer from 0 to 5; and m is an integer from 1 to 5.

式aまたはbの実施形態によっては、fおよびgの少なくとも1つがゼロではない。実施形態によっては、m=1〜3である。   In some embodiments of formula a or b, at least one of f and g is not zero. In some embodiments, m = 1-3.

実施形態によっては、Ar2は、式aを有する基、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ar2は、フェニル、p−ビフェニル、p−テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル、ナフチルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ar2は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of a group having the formula a, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, p-biphenyl, p-terphenyl, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, and their deuterated analogs.

式I〜III中のどの芳香環でも任意の位置で置換されていてよい。置換基は、化合物の1つまたは複数の物理的性質(溶解度など)を向上させるために存在させてよい。実施形態によっては、置換基は、C1~12のアルキル基、C1~12のアルコキシ基、シリル基、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、架橋置換基が少なくとも1つのAr2上に存在する。実施形態によっては、架橋置換基が少なくとも1つのM部分に存在する。 Any aromatic ring in Formulas I-III may be substituted at any position. Substituents may be present to improve one or more physical properties (such as solubility) of the compound. In some embodiments, the substituents are alkyl groups of C 1 ~ 12, alkoxy group of C 1 ~ 12, a silyl group, and is selected from the group consisting of those of deuterated analogs. In some embodiments, a bridging substituent is present on at least one Ar 2 . In some embodiments, a bridging substituent is present in at least one M moiety.

1およびT2は共役部分である。実施形態によっては、T1およびT2は芳香族部分である。実施形態によっては、T1およびT2は重水素化芳香族部分である。実施形態によっては、T1およびT2は、フェニレン基、ナフチレン(napthylene)基、アントラセニル基、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。 T 1 and T 2 are conjugated moieties. In some embodiments, T 1 and T 2 are aromatic moieties. In some embodiments, T 1 and T 2 are deuterated aromatic moieties. In some embodiments, T 1 and T 2 are selected from the group consisting of a phenylene group, a naphthylene group, an anthracenyl group, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、T1−T2基により、化合物の骨格に非平面性がもたらされる。T2内の部分に直接結合しているT1内の部分は、T1部分が結合しているT2内の部分とは違う平面内にT1部分が置かれるように結合されている。T1単位の他の部位(例えば、置換基)は1つまたは複数の異なる平面内にありうるが、非平面性をもたらすのは、化合物骨格中のT1内の結合部分とT2内の結合部分の平面である。非平面のT1−T2結合のせいで、化合物はキラルである。一般に、それらはラセミ混合物として生じる。そうした化合物は鏡像異性的に純粋な形態でもありうる。非平面性は、約T1−T2結合を中心にした自由な回転を制限するものと見ることができる。その結合を中心にした回転により、ラセミ化がもたらされる。T1−T2のラセミ化の半減期は、非置換ビフェニルのそれよりも長い。実施形態によっては、半減期またはラセミ化は20℃で12時間かそれ以上である。 In some embodiments, the T 1 -T 2 group provides non-planarity to the backbone of the compound. The part in T 1 that is directly connected to the part in T 2 is connected such that the T 1 part is placed in a different plane from the part in T 2 to which the T 1 part is connected. Although other sites (eg, substituents) of the T 1 unit may be in one or more different planes, it is the non-planarity that results in binding moieties in T 1 in the compound backbone and in T 2 It is a plane of a joint part. The compound is chiral because of the non-planar T 1 -T 2 bond. In general, they occur as racemic mixtures. Such compounds can also be in enantiomerically pure form. Non-planarity can be viewed as limiting free rotation about the T 1 -T 2 bond. Rotation around the bond results in racemization. The half life of racemization of T 1 -T 2 is longer than that of unsubstituted biphenyl. In some embodiments, the half-life or racemization is 12 hours or more at 20 ° C.

実施形態によっては、[T1−T2]は置換ビフェニレン基またはその重水素化類似体である。「ビフェニレン」という用語は、化合物骨格との結合点が2つあるビフェニル基を意味することを意図する。「ビフェニル」という用語は、単結合によって結合したフェニル単位を2つ有する基を意味することを意図する。ビフェニレン基は、2位、3位、4位、または5位の1つで連結できるし、また2’位、3’位、4’位、または5’位の1つで結合できる。置換ビフェニレン基は、2位に少なくとも1つの置換基を有する。実施形態によっては、ビフェニレン基は少なくとも2位および2’位に置換基を有する。 In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is a substituted biphenylene group or a deuterated analog thereof. The term “biphenylene” is intended to mean a biphenyl group having two points of attachment to the compound backbone. The term “biphenyl” is intended to mean a group having two phenyl units joined by a single bond. The biphenylene group can be linked at one of the 2-position, 3-position, 4-position or 5-position and can be linked at one of the 2′-position, 3′-position, 4′-position or 5′-position. The substituted biphenylene group has at least one substituent at the 2-position. In some embodiments, the biphenylene group has substituents at least at the 2 and 2 ′ positions.

実施形態によっては、[T1−T2]はビナフチレン基、またはその重水素化類似体である。「ビナフチレン」という用語は、化合物骨格との結合点が2つあるビナフチル(binapthyl)基を意味することを意図する。「ビナフチル」という用語は、単結合によって結合したナフタレン単位を2つ有する基を意味することを意図する。 In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is a binaphthylene group, or a deuterated analog thereof. The term “binaphthylene” is intended to mean a binaphthyl group that has two points of attachment to the compound backbone. The term “binaphthyl” is intended to mean a group having two naphthalene units joined by a single bond.

実施形態によっては、[T1−T2]は、フェニレン−ナフチレン基、またはその重水素化類似体である。実施形態によっては、[T1−T2]は、フェニレン中の3位、4位、または5位の1つで、またナフチレン中の3位、4位、または5位の1つで化合物骨格と結合している、フェニレン−1−ナフチレン基である。実施形態によっては、[T1−T2]は、フェニレン中の3位、4位、または5位の1つで、またナフチレン中の4位、5位、6位、7位、または8位で化合物骨格と結合している、フェニレン−2−ナフチレン基である。 In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is a phenylene-naphthylene group, or a deuterated analog thereof. In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is a compound backbone at one of the 3-, 4-, or 5-positions in phenylene and at one of the 3-, 4-, or 5-positions in naphthylene. And a phenylene-1-naphthylene group. In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is one of the 3rd, 4th, or 5th position in phenylene and the 4th, 5th, 6th, 7th, or 8th position in naphthylene. And a phenylene-2-naphthylene group bonded to the compound skeleton.

実施形態によっては、ビフェニレン基、ビナフチレン基、およびフェニレン−ナフチレン基は、1つまたは複数の位置で置換されている。   In some embodiments, the biphenylene group, binaphthylene group, and phenylene-naphthylene group are substituted at one or more positions.

実施形態によっては、[T1−T2]は、4位および4’位で化合物骨格と結合している1,1−ビナフチレン基またはその重水素化類似体である(4,4’−(1,1−ビナフチレン)と呼ぶ)。実施形態によっては、4,4’−(1,1−ビナフチレン)は存在する唯一の異性体である。実施形態によっては、2種類以上の異性体が存在する。実施形態によっては、4,4’−(1,1−ビナフチレン)は、第2異性体が最大で50重量%まで存在する。実施形態によっては、第2異性体は、4,5’−(1,1−ビナフチレン)、4,6’−(1,1−ビナフチレン)、および4,7’−(1,1−ビナフチレン)よりなる群から選択される。 In some embodiments, [T 1 -T 2 ] is a 1,1-binaphthylene group or a deuterated analog thereof attached to the compound backbone at the 4 and 4 ′ positions (4,4 ′-( 1,1-binaphthylene)). In some embodiments, 4,4 ′-(1,1-binaphthylene) is the only isomer present. In some embodiments, there are two or more isomers. In some embodiments, 4,4 ′-(1,1-binaphthylene) is present up to 50% by weight of the second isomer. In some embodiments, the second isomer is 4,5 ′-(1,1-binaphthylene), 4,6 ′-(1,1-binaphthylene), and 4,7 ′-(1,1-binaphthylene). Selected from the group consisting of:

式IIIは、少なくとも1種の[T1−T2]部分および少なくとも1種の他の共役部分があるコポリマーであって、ポリマー全体の少なくとも10%が重水素化されているコポリマーを表す。実施形態によっては、下付き文字「b」を有する第1モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、下付き文字「c」を有する第2モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、下付き文字「d」を有する第3モノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、2種類のモノマー単位において重水素化されている。実施形態によっては、2種類のモノマー単位のうちの1つが第1モノマー単位である。実施形態によっては、3種類のモノマー単位すべてにおいて重水素化されている。 Formula III represents a copolymer having at least one [T 1 -T 2 ] moiety and at least one other conjugated moiety, wherein at least 10% of the total polymer is deuterated. In some embodiments, the first monomer unit having the subscript “b” is deuterated. In some embodiments, the second monomer unit having the subscript “c” is deuterated. In some embodiments, the third monomer unit having the subscript “d” is deuterated. In some embodiments, two types of monomer units are deuterated. In some embodiments, one of the two types of monomer units is the first monomer unit. In some embodiments, all three types of monomer units are deuterated.

正孔輸送重水素化合物の非限定例の中には、以下の化合物HT1〜HT10がある。
化合物HT1:
Among the non-limiting examples of hole transporting deuterium compounds are the following compounds HT1-HT10.
Compound HT1:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、x+y+z+p+q+r=20〜28]
化合物HT2:
[Wherein, x + y + z + p + q + r = 20 to 28]
Compound HT2:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、xは0〜5であり、化合物によっては、Σ(x)=10〜44]
化合物HT3:
[Wherein x is 0 to 5 and depending on the compound, Σ (x) = 10 to 44]
Compound HT3:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、xは0〜6であり、化合物によっては、Σ(x)=8〜36]
化合物HT4:
[Wherein x is 0-6, and depending on the compound, Σ (x) = 8-36]
Compound HT4:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、xは0〜6であり、化合物によっては、Σ(x)=8〜36である]
化合物HT5:
[Wherein x is 0-6, and depending on the compound, Σ (x) = 8-36]
Compound HT5:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

1=Dy−プロピル、R2=Dy−オクチル
[ここで、xは0〜5であり、Σ(x)=10〜50であり、
yは0〜17であり、Σ(y)=0〜32である]
化合物HT6:
R 1 = D y -propyl, R 2 = D y -octyl [where x is 0-5, Σ (x) = 10-50,
y is 0 to 17, and Σ (y) = 0 to 32]
Compound HT6:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、a=0.4〜0.8
b=0.2〜0.6
xは0〜5であり、化合物によっては、Σ(x)=10〜36である]
化合物HT7:
[Wherein, a = 0.4 to 0.8
b = 0.2-0.6
x is 0-5, and depending on the compound, Σ (x) = 10-36]
Compound HT7:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、a=0.3〜0.7
b=0.3〜0.5
c=0.1〜0.2
xは0〜5であり、化合物によっては、Σ(x)=10〜36である]
化合物HT8:
[Where a = 0.3 to 0.7
b = 0.3-0.5
c = 0.1-0.2
x is 0-5, and depending on the compound, Σ (x) = 10-36]
Compound HT8:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、a=0.9〜0.95
b=0.05〜0.10
xは0〜5であり、化合物によっては、Σ(x)=20〜62である]
化合物HT9:
[Where a = 0.9 to 0.95
b = 0.05-0.10
x is 0-5, and depending on the compound, Σ (x) = 20-62]
Compound HT9:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、a=0.7〜0.99
b=0.01〜0.30
xは0〜5であり、化合物によっては、Σ(x)=20〜62である]
化合物HT10:
[Where a = 0.7 to 0.99
b = 0.01-0.30
x is 0-5, and depending on the compound, Σ (x) = 20-62]
Compound HT10:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、xは0〜5であり、Σ(x)=15〜42である]
化合物HT11:
[Wherein x is 0 to 5 and Σ (x) = 15 to 42]
Compound HT11:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、nは1より大きい整数であり、
xは0〜5であり、Σ(x)=10〜32である]
[Wherein n is an integer greater than 1,
x is 0 to 5, and Σ (x) = 10 to 32]

トリアリールアミンポリマーの別の例は、化合物HT12である。
化合物HT12
Another example of a triarylamine polymer is compound HT12.
Compound HT12

Figure 2012513688
Figure 2012513688

層130の他の正孔輸送物質の非重水素化類似体の例は、例えば、Kirk−Othmer Encyclopedia of Chemical Technology,Fourth Edition,Vol.18,p.837−860,1996,by Y.Wangに要約されている。他の正孔輸送物質としては、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、1,1−ビス[(ジ−4−トリルアミノ)フェニル]シクロヘキサン(TAPC)、N,N’−ビス(4−メチルフェニル)−N,N’−ビス(4−エチルフェニル)−[1,1’−(3,3’−ジメチル)ビフェニル]−4,4’−ジアミン(ETPD)、テトラキス−(3−メチルフェニル)−N,N,N’,N’−2,5−フェニレンジアミン(PDA)、a−フェニル4−N,N−ジフェニルアミノスチレン(TPS)、p−(ジエチルアミノ)ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン(DEH)、トリフェニルアミン(TPA)、ビス[4−(N,N−ジエチルアミノ)−2−メチルフェニル](4−メチルフェニル)メタン(MPMP)、1−フェニル−3−[p−(ジエチルアミノ)スチリル]−5−[p−(ジエチルアミノ)フェニル]ピラゾリン(PPRまたはDEASP)、1,2−trans−ビス(9H−カルバゾール−9−イル)シクロブタン(DCZB)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TTB)、N,N’−ビス(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ビス−(フェニル)ベンジジン(NPB)、ポルフィリン化合物(porphyrinic compounds)(銅フタロシアニンなど)、および前述の物質のいずれかの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。正孔輸送分子(上述のものなど)をポリスチレン、ポリカーボネート、およびそれらの重水素化類似体などのポリマーにドープすることによって、正孔輸送ポリマーを得ることも可能である。   Examples of non-deuterated analogs of other hole transport materials in layer 130 are described, for example, in Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, by Y. et al. Summarized in Wang. Other hole transport materials include N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD), 1, 1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane (TAPC), N, N′-bis (4-methylphenyl) -N, N′-bis (4-ethylphenyl)-[1,1′- (3,3′-dimethyl) biphenyl] -4,4′-diamine (ETPD), tetrakis- (3-methylphenyl) -N, N, N ′, N′-2,5-phenylenediamine (PDA), a-phenyl 4-N, N-diphenylaminostyrene (TPS), p- (diethylamino) benzaldehyde diphenylhydrazone (DEH), triphenylamine (TPA), bis [4- (N, N-diethylamino)- -Methylphenyl] (4-methylphenyl) methane (MPMP), 1-phenyl-3- [p- (diethylamino) styryl] -5- [p- (diethylamino) phenyl] pyrazoline (PPR or DEASP), 1,2 -Trans-bis (9H-carbazol-9-yl) cyclobutane (DCZB), N, N, N ', N'-tetrakis (4-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl) -4,4'- Diamine (TTB), N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis- (phenyl) benzidine (NPB), porphyrin compounds (such as copper phthalocyanine), and the aforementioned substances There are, but are not limited to, any of the deuterated analogs. It is also possible to obtain hole transporting polymers by doping hole transporting molecules (such as those described above) into polymers such as polystyrene, polycarbonate, and their deuterated analogs.

実施形態によっては、正孔輸送層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸−3,4,9,10−二無水物、およびそれらの重水素化類似体などのp−ドーパントがドープされる。   In some embodiments, the hole transport layer comprises tetrafluorotetracyanoquinodimethane, perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid-3,4,9,10-dianhydride, and their deuterium. A p-dopant, such as a chemical compound, is doped.

4.エレクトロルミネセンス層
エレクトロルミネセンス層140は、エレクトロルミネセンス物質を含む。「エレクトロルミネセンス物質」という用語は、印加電圧によって活性化されると光を発する物質を表す。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140はエレクトロルミネセンス物質から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140は、1種または複数種のドーパントおよび1種または複数種のホスト化合物を含む。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140は、1種または複数種のドーパントおよび1種または複数種のホスト化合物から本質的になる。エレクトロルミネセンスドーパントは、380から750nmの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な物質である。実施形態によっては、ドーパントは、赤色、緑色、または青色の光を発する。ホスト化合物は、普通は層の形の化合物であり、その中に1種または複数種のドーパントが分散されており、またその中で1種または複数種のドーパントが発光する。「ホスト物質」という用語は、存在するすべてのホスト化合物の全体を表す。ホスト物質は、放射線の放出、受容、または濾過を行う電子的特性またはその能力があってもなくても構わない。少なくとも1種のドーパントおよびホスト物質を含むエレクトロルミネセンス層では、発光はドーパントから生じる。実施形態によっては、ホスト物質は、すべてのドーパントの合計よりも高い濃度で存在する。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140は、1種または複数種のドーパントおよび1種または複数種のホスト化合物から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140は、1種類のドーパントおよび1種類のホスト化合物から本質的になる。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層140は、1種類のドーパントおよび2種類のホスト化合物から本質的になる。
4). Electroluminescent Layer The electroluminescent layer 140 includes an electroluminescent material. The term “electroluminescent material” refers to a material that emits light when activated by an applied voltage. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 consists essentially of an electroluminescent material. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 includes one or more dopants and one or more host compounds. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 consists essentially of one or more dopants and one or more host compounds. An electroluminescent dopant is a material capable of electroluminescence having an emission maximum between 380 and 750 nm. In some embodiments, the dopant emits red, green, or blue light. The host compound is usually a compound in the form of a layer in which one or more dopants are dispersed and in which one or more dopants emit light. The term “host material” refers to the total of all host compounds present. The host material may or may not have electronic properties or its ability to emit, accept, or filter radiation. In an electroluminescent layer that includes at least one dopant and a host material, light emission results from the dopant. In some embodiments, the host material is present at a concentration that is higher than the sum of all dopants. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 consists essentially of one or more dopants and one or more host compounds. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 consists essentially of one type of dopant and one type of host compound. In some embodiments, the electroluminescent layer 140 consists essentially of one type of dopant and two types of host compounds.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス層は、重水素化エレクトロルミネセンス物質、重水素化ホスト物質、およびそれらの組合せよりなる群から選択される重水素化物質を含む。   In some embodiments, the electroluminescent layer includes a deuterated material selected from the group consisting of a deuterated electroluminescent material, a deuterated host material, and combinations thereof.

エレクトロルミネセンス層の物質は、ポリマー、オリゴマー、小分子、またはそれらの組合せであってもよい。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。   The material of the electroluminescent layer may be a polymer, oligomer, small molecule, or a combination thereof. They can be deposited or deposited from a liquid which can be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloidal mixture, or other composition.

ホストが存在する場合、エレクトロルミネセンス組成物中に存在する全ドーパントの量は一般に、組成物の全重量を基準にして3〜20重量%の範囲であり、実施形態によっては、5〜15重量%である。2種類のホスト化合物が存在する場合、第1ホストと第2ホストとの比率は一般に、1:20〜20:1の範囲であり、実施形態によっては、5:15〜15:5の範囲である。   When a host is present, the amount of total dopant present in the electroluminescent composition is generally in the range of 3-20% by weight, based on the total weight of the composition, and in some embodiments 5-15% by weight. %. When two types of host compounds are present, the ratio of the first host to the second host is generally in the range of 1:20 to 20: 1, and in some embodiments in the range of 5:15 to 15: 5. is there.

a.エレクトロルミネセンス物質
エレクトロルミネセンス物質は、小分子の有機エレクトロルミネセンス化合物、エレクトロルミネセンス金属錯体、エレクトロルミネセンス共役ポリマー、およびそれらの混合物から選択できる。
a. Electroluminescent Material The electroluminescent material can be selected from small molecule organic electroluminescent compounds, electroluminescent metal complexes, electroluminescent conjugated polymers, and mixtures thereof.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は重水素化されている。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the electroluminescent material is deuterated. In some embodiments, the electroluminescent material is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments, at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. , In some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some forms, 100% is deuterated.

赤色発光物質の例としては、フェニルキノリンまたはフェニルイソキノリン配位子を有するIrの環状メタル化(cyclometalated)錯体、ペリフラテン類(periflanthenes)、フルオランテン類、ペリレン類、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化赤色発光物質は、例えば、米国特許第6,875,524号明細書、および米国特許出願公開第2005−0158577号明細書に開示されている。   Examples of red luminescent materials are cyclometallated complexes of Ir having phenylquinoline or phenylisoquinoline ligands, periflatenes, fluoranthenes, perylenes, and their deuterated analogs. However, it is not limited to these. Non-deuterated red luminescent materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524 and US Patent Application Publication No. 2005-0158577.

緑色発光物質の例としては、フェニルピリジン配位子を有するIrの環状メタル化錯体、ジアミノアントラセン類、ポリフェニレンビニレンポリマー、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化緑色発光物質は、例えば、公開されたPCT出願の国際公開第2007/021117号パンフレットに開示されている。   Examples of green luminescent materials include, but are not limited to, Ir cyclic metallated complexes with phenylpyridine ligands, diaminoanthracenes, polyphenylene vinylene polymers, and their deuterated analogs. Non-deuterated green luminescent materials are disclosed, for example, in published PCT application WO 2007/021117.

青色発光物質の例としては、ジアリールアントラセン類、ジアミノクリセン類、ジアミノピレン類、ジアミノスチルベン類、フェニルピリジン配位子を有するIrの環状メタル化錯体、ポリフルオレンポリマー、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。非重水素化青色発光物質は、例えば、米国特許第6,875,524号明細書、および米国特許出願公開第2007−0292713号明細書および第2007−0063638号明細書に開示されている。   Examples of blue emitting materials include diarylanthracenes, diaminochrysene, diaminopyrenes, diaminostilbenes, cyclic metallated complexes of Ir with phenylpyridine ligands, polyfluorene polymers, and their deuterated analogs However, it is not limited to these. Non-deuterated blue luminescent materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524 and US Patent Application Publication Nos. 2007-0292713 and 2007-0063638.

実施形態によっては、ドーパントは有機金属錯体である。実施形態によっては、ドーパントはイリジウムまたは白金の環状メタル化錯体である。重水素化されていない場合のそのような物質は、例えば、米国特許第6,670,645号明細書および公開されたPCT出願の国際公開第03/063555号パンフレット、国際公開第2004/016710号パンフレット、および国際公開第03/040257号パンフレットに開示されている。   In some embodiments, the dopant is an organometallic complex. In some embodiments, the dopant is a cyclic metallated complex of iridium or platinum. Such materials when not deuterated are described, for example, in US Pat. No. 6,670,645 and published PCT application WO 03/063555, WO 2004/016710. It is disclosed in the pamphlet and the pamphlet of International Publication No. 03/040257.

実施形態によっては、ドーパントは式Ir(L1)x(L2)y(L3)zを有する錯体であり、式中、
L1は、炭素および窒素を介して配位しているモノアニオン性の環状メタル化二座配位子であり、
L2は、炭素を介して配位していないモノアニオン性の二座配位子であり、
L3は単座配位子であり、
xは、1〜3であり、
yおよびzは独立に0〜2であり、
さらに、x、y、およびzは、イリジウムが六配位であり、錯体が電気的に中性となるように選択される。
この式の幾つかの例として、Ir(L1)3;Ir(L1)2(L2);およびIr(L1)2(L3)(L3’)[式中、L3は陰イオンであり、L3’は非イオン性である]があるが、これらに限定されない。
In some embodiments, the dopant is a complex having the formula Ir (L1) x (L2) y (L3) z , wherein
L1 is a monoanionic cyclic metalated bidentate ligand coordinated through carbon and nitrogen;
L2 is a monoanionic bidentate ligand that is not coordinated via carbon;
L3 is a monodentate ligand;
x is 1-3,
y and z are independently 0-2,
Further, x, y, and z are selected so that iridium is hexacoordinated and the complex is electrically neutral.
Some examples of this formula include Ir (L1) 3 ; Ir (L1) 2 (L2); and Ir (L1) 2 (L3) (L3 ′) where L3 is an anion and L3 ′ Is non-ionic], but is not limited thereto.

L1配位子の例としては、フェニルピリジン類、フェニルキノリン類、フェニルピリミジン類、フェニルピラゾール類、チエニルピリジン類、チエニルキノリン類、チエニルピリミジン類、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。本明細書で使用される「キノリン類」という用語は、特に明記されていない限り、「イソキノリン類」を含む。フッ素化誘導体は、1つまたは複数のフッ素置換基を有していてよい。実施形態によっては、1〜3個のフッ素置換基が配位子の非窒素環(non−nitrogen ring)上にある。   Examples of L1 ligands include phenyl pyridines, phenyl quinolines, phenyl pyrimidines, phenyl pyrazoles, thienyl pyridines, thienyl quinolines, thienyl pyrimidines, and their deuterated analogs. It is not limited to. The term “quinolines” as used herein includes “isoquinolines” unless otherwise specified. The fluorinated derivative may have one or more fluorine substituents. In some embodiments, 1 to 3 fluorine substituents are on the non-nitrogen ring of the ligand.

モノアニオン性の二座配位子であるL2は、金属配位化学の技術分野において周知である。一般に、こうした配位子は配位原子としてN、O、P、またはSを有し、イリジウムに配位結合するとき5員環または6員環を形成する。好適な配位基としては、アミノ、イミノ、アミド、アルコキシド、カルボキシレート、ホスフィノ、チオレート、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。こうした配位子の好適な親化合物の例として、β−ジカルボニル類(β−エノレート配位子)、およびそれらのNおよびS類似体;アミノカルボン酸類(アミノカルボキシレート配位子);ピリジンカルボン酸(イミノカルボキシレート配位子);サリチル酸誘導体(サリチレート配位子);ヒドロキシキノリン類(ヒドロキシキノリナート配位子)およびそれらのS類似体;ホスフィノアルカノール類(ホスフィノアルコキシド配位子);およびそれらの重水素化類似体がある。   L2, a monoanionic bidentate ligand, is well known in the art of metal coordination chemistry. In general, such ligands have N, O, P, or S as coordinating atoms and form a 5- or 6-membered ring when coordinated to iridium. Suitable coordinating groups include, but are not limited to, amino, imino, amide, alkoxide, carboxylate, phosphino, thiolate, and their deuterated analogs. Examples of suitable parent compounds for such ligands include β-dicarbonyls (β-enolate ligands) and their N and S analogs; aminocarboxylic acids (aminocarboxylate ligands); Acid (iminocarboxylate ligand); salicylic acid derivative (salicylate ligand); hydroxyquinolines (hydroxyquinolinate ligand) and their S analogs; phosphinoalkanols (phosphinoalkoxide ligand) And their deuterated analogs.

単座配位子であるL3は、陰イオンまたは非イオン性であってよい。陰イオン配位子としては、H-(「水素化物」)ならびに配位原子としてC、OまたはSを有する配位子があるが、これらに限定されない。配位基としては、アルコキシド、カルボキシレート、チオカルボキシレート、ジチオカルボキシレート、スルホネート、チオレート、カルバメート、ジチオカルバメート、チオカルバゾン陰イオン、スルホンアミド陰イオン、およびそれらの重水素化類似体があるが、これらに限定されない。場合によっては、L2として上に挙げた配位子(β−エノレート類およびホスフィノアルコキシド類(phosphinoakoxides)など)は、単座配位子として働くことができる。単座配位子は、ハロゲン化物、シアン化物、イソシアン化物、硝酸塩、サルフェート、ヘキサハロアンチモネート(hexahaloantimonate)などの配位陰イオンであってよい。これらの配位子は一般に市販されている。 The monodentate ligand L3 may be anionic or nonionic. Anionic ligands include, but are not limited to, H (“hydride”) and ligands having C, O, or S as a coordination atom. Coordinating groups include alkoxides, carboxylates, thiocarboxylates, dithiocarboxylates, sulfonates, thiolates, carbamates, dithiocarbamates, thiocarbazone anions, sulfonamide anions, and their deuterated analogs. It is not limited to. In some cases, the ligands listed above for L2, such as β-enolates and phosphinoalkoxides, can act as monodentate ligands. The monodentate ligand may be a coordinated anion such as halide, cyanide, isocyanide, nitrate, sulfate, hexahaloantimonate. These ligands are generally commercially available.

L3単座配位子は、非イオン性配位子(COなど)、単座ホスフィン配位子、または重水素化単座ホスフィン配位子であってよい。   The L3 monodentate ligand may be a nonionic ligand (such as CO), a monodentate phosphine ligand, or a deuterated monodentate phosphine ligand.

実施形態によっては、1種または複数種の配位子は、Fおよびフッ素化アルキルよりなる群から選択される少なくとも1種の置換基を有する。   In some embodiments, the one or more ligands have at least one substituent selected from the group consisting of F and fluorinated alkyl.

イリジウム錯体ドーパントは、例えば、非重水素化類似体に関して米国特許第6,670,645号明細書に記載されているのと同様の標準的合成法を用いて作ることができる。   Iridium complex dopants can be made, for example, using standard synthetic methods similar to those described in US Pat. No. 6,670,645 for non-deuterated analogs.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は小さい有機化合物である。小分子のルミネセンス化合物の例としては、クリセン類、ピレン類、ペリレン類、ルブレン類、ペリフラテン類、フルオランテン類、スチルベン類、クマリン類、アントラセン類、チアジアゾール類、それらの誘導体、それらの重水素化類似体、およびそれらの混合物があるが、それらに限定されない。   In some embodiments, the electroluminescent material is a small organic compound. Examples of small molecule luminescent compounds include chrysene, pyrenes, perylenes, rubrenes, periflatenes, fluoranthenes, stilbenes, coumarins, anthracenes, thiadiazoles, their derivatives, their deuteration There are, but are not limited to, analogs and mixtures thereof.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は以下の構造の1つを有する:   In some embodiments, the electroluminescent material has one of the following structures:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

ここで、構造は非置換であってもよく、あるいはアルキル基またはアリール基でさらに置換されていてもよい。化合物は、10%〜100%が重水素化されている。 Here, the structure may be unsubstituted or further substituted with an alkyl group or an aryl group. The compound is 10% to 100% deuterated.

実施形態によっては、ドーパントは、高分子ではないスピロビフルオレン化合物およびフルオランテン化合物よりなる群から選択される。   In some embodiments, the dopant is selected from the group consisting of spirobifluorene compounds and fluoranthene compounds that are not macromolecules.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質はアリールアミン基を有する化合物である。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、以下の式から選択される:   In some embodiments, the electroluminescent material is a compound having an arylamine group. In some embodiments, the electroluminescent material is selected from the following formula:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Aは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、3〜60個の炭素原子を有する芳香族基であり;
Q’は、単結合であるか、または3〜60個の炭素原子を有する芳香族基であり;
pおよびqは、同一または異なっており、それぞれは1〜6の整数である。
上記の式において、pおよびqの値は、核のQ’基上の利用可能な結合部位によって制限されうる。
In the above formula,
A is an aromatic group which is the same or different at each occurrence and has 3 to 60 carbon atoms;
Q ′ is a single bond or an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
p and q are the same or different and each is an integer of 1 to 6.
In the above formula, the values of p and q can be limited by the available binding sites on the nuclear Q ′ group.

上記の式の実施形態によっては、化合物は少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments of the above formula, the compound is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated; In some embodiments, 100% is deuterated.

上記の式の実施形態によっては、各式中のAおよびQ’の少なくとも一方が、少なくとも3個の縮合環を有する。実施形態によっては、pおよびqは1に等しい。   In some embodiments of the above formula, at least one of A and Q 'in each formula has at least 3 fused rings. In some embodiments, p and q are equal to 1.

実施形態によっては、Q’はスチリル基またはスチリルフェニル基である。   In some embodiments, Q 'is a styryl group or a styrylphenyl group.

実施形態によっては、Q’は、少なくとも2個の縮合環を有する芳香族基である。実施形態によっては、Q’は、ナフタレン、アントラセン、ベンズ[a]アントラセン、ジベンズ[a,h]アントラセン、フルオランテン、フルオレン、スピロフルオレン、テトラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ルブレン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。   In some embodiments, Q 'is an aromatic group having at least two fused rings. In some embodiments, Q ′ is naphthalene, anthracene, benz [a] anthracene, dibenz [a, h] anthracene, fluoranthene, fluorene, spirofluorene, tetracene, chrysene, pyrene, tetracene, xanthene, perylene, coumarin, rhodamine, Selected from the group consisting of quinacridone, rubrene, substituted derivatives thereof, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、Aは、フェニル、ビフェニル、トリル、ナフチル、ナフチルフェニル、アントラセニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。   In some embodiments, A is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, tolyl, naphthyl, naphthylphenyl, anthracenyl, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は次の構造を有する:   In some embodiments, the electroluminescent material has the following structure:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、Aは芳香族基であり、pは1または2であり、Q’は以下よりなる群から選択される: In the above formula, A is an aromatic group, p is 1 or 2, and Q 'is selected from the group consisting of:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

Figure 2012513688
Figure 2012513688

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Rは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシおよびアリールよりなる群から選択され、ここで、隣接したR基は結合して5員または6員の脂肪族環を形成してよく;
Arは、同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され;
ここで、化合物は少なくとも1個のDを有する。
式中の破線は、R基(存在する場合)が核のQ’基上の任意の部位にあってよいことを示すことを意図する。
In the above formula,
R is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy and aryl, wherein adjacent R groups are joined to form a 5- or 6-membered aliphatic ring You may;
Ar is the same or different and is selected from the group consisting of aryl groups;
Here, the compound has at least one D.
The dashed line in the formula is intended to indicate that the R group (if present) may be at any site on the Q ′ group of the nucleus.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は以下の式を有する:   In some embodiments, the electroluminescent material has the following formula:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Yは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、3〜60個の炭素原子を有する芳香族基であり;
Q’’は、芳香族基、二価のトリフェニルアミン残基、または単結合である。
In the above formula,
Y is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
Q ″ is an aromatic group, a divalent triphenylamine residue, or a single bond.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンスはアリールアセンまたはその重水素化類似体である。実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、非対称のアリールアセンまたはその重水素化類似体である。   In some embodiments, the electroluminescence is an aryl acene or a deuterated analog thereof. In some embodiments, the electroluminescent material is an asymmetric aryl acene or a deuterated analog thereof.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は、式IVを有するアントラセン誘導体である:   In some embodiments, the electroluminescent material is an anthracene derivative having the formula IV:

Figure 2012513688
上式において、
2は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシおよびアリールよりなる群から選択され、ここで、隣接したR2基は結合して5員または6員の脂肪族環を形成してよく;
Ar3〜Ar6は、同一または異なっていて、アリール基および重水素化アリール基よりなる群から選択され;
hは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、0〜4の整数であり;
ここで、少なくとも1個のDがある。
Figure 2012513688
In the above formula,
R 2 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy and aryl, wherein adjacent R 2 groups are joined to form a 5- or 6-membered aliphatic ring May form;
Ar 3 to Ar 6 are the same or different and are selected from the group consisting of an aryl group and a deuterated aryl group;
h is the same or different at each occurrence and is an integer of 0 to 4;
Here, there is at least one D.

実施形態によっては、エレクトロルミネセンス物質は式Vを有するクリセン誘導体である:   In some embodiments, the electroluminescent material is a chrysene derivative having the formula V:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
3は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシアリール、フルオロ、シアノ、ニトロ、−SO24[ここで、R4はアルキルまたはパーフルオロアルキルである]よりなる群から選択され、ここで、隣接したR3基は結合して5員または6員の脂肪族環を形成してよく;
Ar3〜Ar6は、同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され;さらに
iは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、0〜5の整数であり;
ここで、少なくとも1個のDがある。
In the above formula,
R 3 is the same or different at each occurrence, and consists of D, alkyl, alkoxyaryl, fluoro, cyano, nitro, —SO 2 R 4 [wherein R 4 is alkyl or perfluoroalkyl]. Selected from the group, wherein adjacent R 3 groups may combine to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;
Ar 3 to Ar 6 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups; and i is the same or different at each occurrence and is an integer of 0 to 5;
Here, there is at least one D.

式IVおよびVの実施形態によっては、アリール環上の置換基が重水素化されている。重水素化置換基を有するアリール基は、式IVのアントラセン核基または式Vのクリセン核基;あるいは窒素上のアリール;あるいは置換基のアリール基であってよい。実施形態によっては、アリール環上の重水素化置換基は、アルキル、アリール、アルコキシ、およびアリールオキシから選択される。実施形態によっては、置換基は少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%重水素化されている。   In some embodiments of Formulas IV and V, substituents on the aryl ring are deuterated. An aryl group having a deuterated substituent may be an anthracene nucleus group of formula IV or a chrysene nucleus group of formula V; or an aryl on nitrogen; or an aryl group of a substituent. In some embodiments, the deuterated substituent on the aryl ring is selected from alkyl, aryl, alkoxy, and aryloxy. In some embodiments, the substituents are at least 10% deuterated, in some embodiments, at least 20% are deuterated, and in some embodiments, at least 30% are deuterated. , In some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. In some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% deuterated.

式IVおよびVの実施形態によっては、任意の1つまたは複数のアリール基Ar3〜Ar6が重水素化されている。この場合、Ar3〜Ar6の少なくとも1つが重水素化アリール基である。実施形態によっては、Ar3〜Ar6は少なくとも10%が重水素化されている。このことは、Ar3〜Ar6中のアリールのCに結合した利用可能なすべてのHの少なくとも10%がDで置換されていることを意味する。実施形態によっては、各アリール環が幾らかのDを有することになる。実施形態によっては、アリール環の全部ではないが、その一部がDを有する。実施形態によっては、Ar3〜Ar6は、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されている。 In some embodiments of Formulas IV and V, any one or more aryl groups Ar 3 to Ar 6 are deuterated. In this case, at least one of Ar 3 to Ar 6 is a deuterated aryl group. In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are at least 10% deuterated. This means that at least 10% of all available H bonded to C of aryl in Ar 3 to Ar 6 is substituted with D. In some embodiments, each aryl ring will have some D. In some embodiments, some, but not all, of the aryl ring has D. In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are at least 20% deuterated, in some embodiments, at least 30% deuterated, and in some embodiments, at least 40% is deuterium. And in some embodiments, at least 50% is deuterated, in some embodiments, at least 60% is deuterated, and in some embodiments, at least 70% is deuterated. And in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated.

式IVおよびVの実施形態によっては、置換基(R2またはR3)およびアリール基の両方で重水素化されている。実施形態によっては、式IVおよびVの化合物は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。 In some embodiments of formula IV and V, both the substituent (R 2 or R 3 ) and the aryl group are deuterated. In some embodiments, the compounds of Formulas IV and V are at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. Hydrogenated, in some embodiments at least 40% deuterated, in some embodiments at least 50% deuterated, and in some embodiments at least 60% deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. And in some embodiments, 100% is deuterated.

式IVおよびVの実施形態によっては、化合物は、アミノ基を中心にして対称的である。この場合、Ar3=Ar5、およびAr4=Ar6であり、ここでAr3はAr4と同じであっても異なっていてもよい。 In some embodiments of Formula IV and V, the compound is symmetric about the amino group. In this case, Ar 3 = Ar 5 and Ar 4 = Ar 6 , where Ar 3 may be the same as or different from Ar 4 .

式IVおよびVの実施形態によっては、化合物はアミノ基を中心にして対称的ではない。この場合、Ar3は、Ar5およびAr6の両方と異なっている。Ar3は、Ar4と同じであっても異なっていてもよく、Ar4は、Ar5およびAr6のそれぞれと同じであっても異なっていてもよい。 In some embodiments of formulas IV and V, the compound is not symmetrical about the amino group. In this case, Ar 3 is different from both Ar 5 and Ar 6 . Ar 3 may be different be the same as Ar 4, Ar 4 may be different and the same as each of Ar 5 and Ar 6.

式IVの実施形態によっては、両方のhが0である。   In some embodiments of Formula IV, both h are 0.

式IVの実施形態によっては、少なくとも1つのhが0より大きい。実施形態によっては、少なくとも1つのR2が炭化水素アルキルである。実施形態によっては、R2は重水素化アルキルである。実施形態によっては、R2は、分枝状炭化水素アルキルおよび環状炭化水素アルキルから選択される。 In some embodiments of Formula IV, at least one h is greater than zero. In some embodiments, at least one R 2 is a hydrocarbon alkyl. In some embodiments, R 2 is deuterated alkyl. In some embodiments, R 2 is selected from branched hydrocarbon alkyl and cyclic hydrocarbon alkyl.

式IVの実施形態によっては、両方のhが4に等しく、R2はDである。 In some embodiments of formula IV, both h are equal to 4 and R 2 is D.

式Vでは、(R3iとの結合は、R3基が2つの縮合環上の1つまたは複数の任意の部位にあってよいことを示すことを意図する。 In Formula V, the bond to (R 3 ) i is intended to indicate that the R 3 group can be at any one or more sites on the two fused rings.

式Vの実施形態によっては、両方のiが0に等しい。   In some embodiments of Formula V, both i are equal to 0.

式Vの実施形態によっては、少なくとも1つのiが0より大きい。実施形態によっては、少なくとも1つのR3が炭化水素アルキルである。実施形態によっては、R3は、分枝状炭化水素アルキルおよび環状炭化水素アルキルから選択される。 In some embodiments of Formula V, at least one i is greater than zero. In some embodiments, at least one R 3 is a hydrocarbon alkyl. In some embodiments, R 3 is selected from branched hydrocarbon alkyl and cyclic hydrocarbon alkyl.

式Vの実施形態によっては、両方のiが5と等しく、R3はDである。 In some embodiments of Formula V, both i are equal to 5 and R 3 is D.

実施形態によっては、Ar3〜Ar6の少なくとも1つのが、上に示した式aまたは式bを有する。 In some embodiments, at least one of Ar 3 to Ar 6 has the formula a or b shown above.

実施形態によっては、Ar3〜Ar6は、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、フェニルナフチル(phenylnapthyl)、ナフチルフェニル、およびビナフチルよりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and binaphthyl.

実施形態によっては、Ar3〜Ar6は過重水素化(perdeuterated)されている。 In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are perdeuterated.

実施形態によっては、末端アリール上の1つまたは複数のアルキル基を除いて、Ar3〜Ar6は過重水素化されている。 In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are perdeuterated except for one or more alkyl groups on the terminal aryl.

重水素化エレクトロルミネセンス物質の一部の非限定例を、以下にE1〜E13として示す:
化合物E1:
Some non-limiting examples of deuterated electroluminescent materials are shown below as E1-E13:
Compound E1:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E2: Compound E2:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E3: Compound E3:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E4: Compound E4:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E5: Compound E5:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E6: Compound E6:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E7: Compound E7:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E8: Compound E8:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E9: Compound E9:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E10: Compound E10:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物E11: Compound E11:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

E12: E12:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

E13: E13:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

b.ホスト
単一のホスト化合物または2種以上のホスト化合物が、ホスト物質として存在してよい。ホスト化合物の非重水素化の例は、例えば、米国特許第7,362,796号明細書、および米国特許出願公開第2006−0115676号明細書に開示されている。
b. Host A single host compound or two or more host compounds may be present as a host material. Examples of non-deuteration of host compounds are disclosed, for example, in US Pat. No. 7,362,796 and US Patent Application Publication No. 2006-0115676.

実施形態によっては、ホスト物質は少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%重水素化されている。実施形態によっては、ホスト物質は100%が重水素化されている。   In some embodiments, the host material is at least 10% deuterated, in some embodiments, at least 20% is deuterated, and in some embodiments, at least 30% is deuterated. , In some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. In some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the host material is 100% deuterated.

実施形態によっては、ホスト物質は、アントラセン類、クリセン類、ピレン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ジベンゾフラン類、ジフラノベンゼン類(difuranobenzenes)、金属キノリネート錯体、インドロカルバゾール類、ベンズイミダゾール類、トリアゾロピリジン類、ジヘテロアリールフェニル類、それらの置換誘導体、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。実施形態によっては、前述のホスト化合物は、アリール、アルキル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される置換基を有する。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン類、テトラジン類、キナゾリン、キノキサリン、ナフチルピリジン類、それらのヘテロビアリール類似体、それらのヘテロトリアリール類似体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。   In some embodiments, the host material is an anthracene, chrysene, pyrene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinolines, isoquinolines, quinoxalines, phenylpyridines, dibenzofurans, diene Comprising difuranobenzenes, metal quinolinate complexes, indolocarbazoles, benzimidazoles, triazolopyridines, diheteroarylphenyls, substituted derivatives thereof, deuterated analogs thereof, and combinations thereof Selected from the group. In some embodiments, the aforementioned host compound has a substituent selected from the group consisting of aryl, alkyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, the heteroaryl group is pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazines, tetrazines, quinazoline, quinoxaline, naphthylpyridines, their heterobiaryl analogs, their heterotriaryl analogs, and their Selected from the group consisting of deuterated analogs.

実施形態によっては、ホストは、以下の構造1〜9またはそれらの重水素化類似体から選択される。   In some embodiments, the host is selected from the following structures 1-9 or their deuterated analogs.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、Rは、アリール、ヘテロアリール、およびアルキルから選択される。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、以下の構造10〜20、またはそれらの重水素化類似体から選択される。   In the above formula, R is selected from aryl, heteroaryl, and alkyl. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from the following structures 10-20, or deuterated analogs thereof.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

実施形態によっては、この基はヘテロビアリール誘導体またはヘテロトリアリール誘導体である。 In some embodiments, the group is a heterobiaryl derivative or a heterotriaryl derivative.

実施形態によっては、ホスト物質は以下に示す構造の1つを有する。   In some embodiments, the host material has one of the structures shown below.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、Rは、アリール、ヘテロアリール、およびアルキルから選択され、化合物は重水素化されていてよい。実施形態によっては、上記の構造は、アリールまたはヘテロアリール基でさらに置換されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、上記の構造10〜20、またはそれらの重水素化類似体から選択される。 In the above formula, R is selected from aryl, heteroaryl, and alkyl, and the compound may be deuterated. In some embodiments, the above structure is further substituted with an aryl or heteroaryl group. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from structures 10-20 above, or deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、ホスト物質は式VIを有する:   In some embodiments, the host material has the formula VI:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Ar7は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アリール基であり;
Qは、多価アリール基および
In the above formula,
Ar 7 is the same or different at each occurrence and is an aryl group;
Q is a polyvalent aryl group and

Figure 2012513688
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よりなる群から選択され;
Tは、(CR’)a、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BR、およびRよりなる群から選択され;
Rは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、アルキル、およびアリールよりなる群から選択され;
R’は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、H、D、およびアルキルよりなる群から選択され;
aは、1〜6の整数であり;さらに
nは、0〜6の整数である。
nは0〜6の値を取りうるが、一部のQ基では、nの値は基の化学的性質による制約を受けることが理解されるであろう。実施形態によっては、nは0または1である。
Selected from the group consisting of;
T is selected from the group consisting of (CR ′) a , SiR 2 , S, SO 2 , PR, PO, PO 2 , BR, and R;
R is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of alkyl and aryl;
R ′ is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H, D, and alkyl;
a is an integer from 1 to 6; and n is an integer from 0 to 6.
It will be understood that n can take values from 0 to 6, but for some Q groups the value of n is constrained by the chemical nature of the group. In some embodiments, n is 0 or 1.

式VIの実施形態によっては、隣接したAr基が結合してカルバゾールなどの環を形成する。式VIでは、「隣接した」とは、それらのAr基が同じNに結合していることを意味する。   In some embodiments of formula VI, adjacent Ar groups are joined to form a ring such as carbazole. In Formula VI, “adjacent” means that their Ar groups are attached to the same N.

実施形態によっては、Ar7は独立に、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、ナフチルフェニル、フェナントリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。クアテルフェニルより多い、5〜10個のフェニル環を有する類似体も使用できる。 In some embodiments, Ar 7 is independently selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthyl, phenanthryl, naphthylphenyl, phenanthrylphenyl, and deuterated analogs thereof. More analogs with 5-10 phenyl rings than quaterphenyl can also be used.

実施形態によっては、Ar7の少なくとも1つが少なくとも1種の置換基を有する。ホスト物質の物理特性または電子特性を変えるために、置換基を存在させることができる。実施形態によっては、置換基によりホスト物質の加工性が改善される。実施形態によっては、置換基により、ホスト物質の溶解度が増大し、かつ/またはそのTgが増大する。実施形態によっては、置換基は、D、アルキル基、アルコキシ基、シリル基、シロキサン、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。 In some embodiments, at least one of Ar 7 has at least one substituent. Substituents can be present to alter the physical or electronic properties of the host material. In some embodiments, the substituents improve the processability of the host material. In some embodiments, the substituent increases the solubility of the host material and / or increases its Tg. In some embodiments, the substituent is selected from the group consisting of D, alkyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxanes, and combinations thereof.

実施形態によっては、Qは少なくとも2個の縮合環を有するアリール基である。実施形態によっては、Qは3〜5個の縮合芳香族環を有する。実施形態によっては、Qは、アントラセン類、クリセン類、ピレン類、フェナントレン類、トリフェニレン類、フェナントロリン類、ナフタレン類、アントラセン類、キノリン類、イソキノリン類、キノキサリン類、フェニルピリジン類、ジベンゾフラン類、ジフラノベンゼン類、インドロカルバゾール類、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。   In some embodiments, Q is an aryl group having at least two fused rings. In some embodiments, Q has 3-5 fused aromatic rings. In some embodiments, Q is anthracene, chrysene, pyrene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phenylpyridine, dibenzofuran, difurano Selected from the group consisting of benzenes, indolocarbazoles, substituted derivatives thereof, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、ホスト化合物は式VIIを有する:   In some embodiments, the host compound has Formula VII:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
4〜R11は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、H、D、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルよりなる群から選択され;
Ar8およびAr9は同一または異なっていて、アリール基よりなる群から選択され;さらに
Ar10およびAr11は同一または異なっていて、H、D、およびアリール基よりなる群から選択され、
ここで、少なくとも1個のDがある。
In the above formula,
R 4 to R 11 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;
Ar 8 and Ar 9 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups; and Ar 10 and Ar 11 are the same or different and are selected from the group consisting of H, D, and aryl groups;
Here, there is at least one D.

式VIIの実施形態によっては、少なくとも1個のDがアリール環の置換基上にある。実施形態によっては、置換基はアルキルおよびアリールから選択される。   In some embodiments of Formula VII, at least one D is on an aryl ring substituent. In some embodiments, the substituent is selected from alkyl and aryl.

式VIIの実施形態によっては、R4〜R11の少なくとも1つがDである。実施形態によっては、R4〜R11の少なくとも2つがDである。実施形態によっては、少なくとも3つがDであり;実施形態によっては、少なくとも4つがDであり;実施形態によっては、少なくとも5つがDであり;実施形態によっては、少なくとも6つがDであり;実施形態によっては、少なくとも7つがDである。実施形態によっては、R4〜R11のすべてがDである。 In some embodiments of Formula VII, at least one of R 4 to R 11 is D. In some embodiments, at least two of R 4 to R 11 are D. In some embodiments, at least 3 are D; in some embodiments, at least 4 are D; in some embodiments, at least 5 are D; in some embodiments, at least 6 are D; In some cases, at least 7 are D. In some embodiments, all of R 4 to R 11 are D.

実施形態によっては、R4〜R11はHおよびDから選択される。実施形態によっては、R4〜R11の1つがDであり、7つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の2つがDであり、6つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の3つがDであり、5つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の4つがDであり、4つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の5つがDであり、3つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の6つがDであり、2つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の7つがDであり、1つがHである。実施形態によっては、R4〜R11の8つがDである。 In some embodiments, R 4 to R 11 are selected from H and D. In some embodiments, one of R 4 to R 11 is D and 7 is H. In some embodiments, two of R 4 to R 11 are D and six are H. In some embodiments, three of R 4 to R 11 are D and five are H. In some embodiments, four of R 4 to R 11 are D and four are H. In some embodiments, five of R 4 to R 11 are D and three are H. In some embodiments, six of R 4 to R 11 are D and two are H. In some embodiments, seven of R 4 to R 11 are D and one is H. In some embodiments, eight of R 4 to R 11 are D.

実施形態によっては、R4〜R11の少なくとも1つが、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルから選択され、R4〜R11の残りがHおよびDから選択される。実施形態によっては、R5は、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルから選択される。実施形態によっては、R5はアルキルおよびアリールから選択される。実施形態によっては、R5は重水素化アルキルおよび重水素化アリールから選択される。実施形態によっては、R5は、少なくとも10%が重水素化されている重水素化アリールから選択される。実施形態によっては、R5は、少なくとも20%が重水素化されている重水素化アリールから、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されているものから、実施形態によっては、少なくとも90%重水素化されているものから選択される。実施形態によっては、R2は、100%が重水素化されている重水素化アリール類から選択される。 In some embodiments, at least one of R 4 to R 11 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl, and the remainder of R 4 to R 11 is selected from H and D. In some embodiments, R 5 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl. In some embodiments, R 5 is selected from alkyl and aryl. In some embodiments, R 5 is selected from deuterated alkyl and deuterated aryl. In some embodiments, R 5 is selected from deuterated aryl that is at least 10% deuterated. In some embodiments, R 5 is from deuterated aryl that is at least 20% deuterated, in some embodiments, from at least 30% deuterated, in some embodiments, at least 40%. % From deuterated, in some embodiments from at least 50% deuterated, in some embodiments from at least 60% deuterated, depending on the embodiment. Selected from at least 70% deuterated, in some embodiments from at least 80% deuterated, and in some embodiments from at least 90% deuterated. Is done. In some embodiments, R 2 is selected from deuterated aryls that are 100% deuterated.

式VIIの実施形態によっては、Ar8〜Ar11の少なくとも1つが重水素化アリールである。実施形態によっては、Ar10およびAr11は、Dおよび重水素化アリール類から選択される。 In some embodiments of Formula VII, at least one of Ar 8 to Ar 11 is deuterated aryl. In some embodiments, Ar 10 and Ar 11 are selected from D and deuterated aryls.

式VIIの実施形態によっては、Ar8〜Ar11は少なくとも10%が重水素化されている。式VIIの実施形態によっては、Ar8〜Ar11は、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。 In some embodiments of Formula VII, Ar 8 -Ar 11 are at least 10% deuterated. In some embodiments of Formula VII, Ar 8 to Ar 11 are at least 20% deuterated, in some embodiments at least 30% deuterated, and in some embodiments at least 40% Is deuterated, in some embodiments at least 50% deuterated, in some embodiments at least 60% deuterated, and in some embodiments at least 70% deuterated. Hydrogenated, in some embodiments at least 80% deuterated, in some embodiments at least 90% deuterated, and in some embodiments 100% deuterated. ing.

実施形態によっては、式VIIの化合物は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は100%が重水素化されている。   In some embodiments, the compound of Formula VII is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.

実施形態によっては、Ar8およびAr9は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Ar8およびAr9は、フェニル、ナフチル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 8 and Ar 9 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 8 and Ar 9 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, and their deuterated analogs.

実施形態によっては、Ar10およびAr11は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、フェニルナフチレン、ナフチルフェニレン、それらの重水素化誘導体、上に示した式aまたは式bを有する基よりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 10 and Ar 11 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, groups having formula a or formula b as shown above. Selected.

実施形態によっては、Ar8〜Ar11の少なくとも1つがヘテロアリール基である。実施形態によっては、ヘテロアリール基は重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は100%が重水素化されている。実施形態によっては、ヘテロアリール基は、カルバゾール、ペンゾフラン、ジベンゾフラン、およびそれらの重水素化誘導体から選択される。 In some embodiments, at least one of Ar 8 to Ar 11 is a heteroaryl group. In some embodiments, the heteroaryl group is deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. In some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is 100% deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from carbazole, benzofuran, dibenzofuran, and deuterated derivatives thereof.

式VIIの実施形態によっては、R4〜R11の少なくとも1つがDであり、Ar8〜Ar11の少なくとも1つが重水素化アリールである。実施形態によっては、化合物は少なくとも10%が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されている。実施形態によっては、化合物は100%が重水素化されている。 In some embodiments of Formula VII, at least one of R 4 -R 11 is D and at least one of Ar 8 -Ar 11 is deuterated aryl. In some embodiments, the compound is at least 10% deuterated. In some embodiments, the compound is at least 20% deuterated, in some embodiments at least 30% deuterated, and in some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% is deuterated, in some embodiments, at least 60% is deuterated, and in some embodiments, at least 70% is deuterated, In some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.

実施形態によっては、ホスト化合物は式VIIIを有する。   In some embodiments, the host compound has Formula VIII.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
12は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシ、シリル、およびシロキサンよりなる群から選択されるか、あるいは隣接したR12基が結合して5員または6員の脂肪族環を形成してよいか、
Ar12およびAr13は、同一または異なっていて、アリール基であり、
jは、0〜6の整数であり;
kは、0〜2の整数であり;さらに
lは、0〜3の整数であり;
ここで、少なくとも1個のDがある。
In the above formula,
R 12 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, silyl, and siloxane, or an adjacent R 12 group bonded to form a 5- or 6-membered group. May form an aliphatic ring,
Ar 12 and Ar 13 are the same or different and are aryl groups;
j is an integer from 0 to 6;
k is an integer from 0 to 2; and l is an integer from 0 to 3;
Here, there is at least one D.

実施形態によっては、R12はDであり、j、k、およびlの少なくとも1つは0より大きい。実施形態によっては、R12はDであり、j、k、およびlはすべて0より大きい。実施形態によっては、R12はDであり、j=5〜6、k=1〜2およびl=2〜3である。 In some embodiments, R 12 is D and at least one of j, k, and l is greater than zero. In some embodiments, R 12 is D and j, k, and l are all greater than zero. In some embodiments, R 12 is D, j = 5-6, k = 1-2, and l = 2-3.

実施形態によっては、少なくとも1つのR12は分枝状アルキル基である。実施形態によっては、分枝状アルキル基は、2−プロピル基、t−ブチル基、またはそれらの重水素化類似体である。 In some embodiments, at least one R 12 is a branched alkyl group. In some embodiments, the branched alkyl group is a 2-propyl group, a t-butyl group, or a deuterated analog thereof.

実施形態によっては、Ar12およびAr13は、D、アルキル、シリル、フェニル、ナフチル、N−カルバゾリル、およびフルオレニルよりなる群から選択される置換基を有するフェニル基である。 In some embodiments, Ar 12 and Ar 13 are phenyl groups having a substituent selected from the group consisting of D, alkyl, silyl, phenyl, naphthyl, N-carbazolyl, and fluorenyl.

実施形態によっては、Ar12およびAr13は、フェニル、ビフェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、4−ナフチルフェニル、4−フェナントリルフェニル、それらの重水素化類似体、および上に示した式aまたは式bを有する基よりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 12 and Ar 13 are phenyl, biphenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, 4-naphthylphenyl, 4-phenanthrylphenyl, their deuterated analogs, and the formula a or Selected from the group consisting of groups having the formula b.

実施形態によっては、ホスト化合物は式IXを有する。   In some embodiments, the host compound has Formula IX.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
13は、同一または異なっていて、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され;
さらに、以下の条件の1つを満たし:
(i)R14=R15であり、かつH、D、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル(arylanthracenyl)、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択されるか;
あるいは
(ii)R14が、H、D、フェニル、およびペルジュウテロフェニル(deutero−phenyl)よりなる群から選択される;
15が、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され;
ここで、少なくとも1個のDがある。
In the above formula,
R 13 is the same or different and is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof;
In addition, one of the following conditions is met:
(I) R 14 = R 15 and H, D, phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and their deuteration Is selected from the group consisting of analogs;
Or (ii) R 14 is selected from the group consisting of H, D, phenyl, and deutero-phenyl;
R 15 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof;
Here, there is at least one D.

実施形態によっては、フェナントロリン化合物は対称的であって、両方のR13が同じでありかつR14=R15である。実施形態によっては、R13=R14=R15である。実施形態によっては、フェナントロリン化合物は非対称であって、2つのR13基が異なっているか、R14≠R15、またはその両方である。 In some embodiments, the phenanthroline compound is symmetric and both R 13 are the same and R 14 = R 15 . In some embodiments, R 13 = R 14 = R 15 . In some embodiments, the phenanthroline compound is asymmetric and the two R 13 groups are different, R 14 ≠ R 15 , or both.

実施形態によっては、R13基は同じであって、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、R13基は、フェニル、トリフェニルアミノ、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、R13基は、4−トリフェニルアミノ、m−カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。 In some embodiments, the R 13 groups are the same and are selected from the group consisting of biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, the R 13 group is selected from the group consisting of phenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, the R 13 group is selected from the group consisting of 4-triphenylamino, m-carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、R13=R14であって、トリフェニルアミノ、ナフチルフェニル、アリールアントラセニル、m−カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。 In some embodiments, R 13 = R 14 and is selected from the group consisting of triphenylamino, naphthylphenyl, arylanthracenyl, m-carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof.

実施形態によっては、ホストは式Xまたは式XIを有する。   In some embodiments, the host has Formula X or Formula XI.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
16は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、水素、重水素、フェニル、ビフェニル、ナフチル、ナフチルフェニル、フェナントリル、トリフェニルアミノ、カルバゾリル、カルバゾリルフェニル、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択され;
17は、HまたはDであり;さらに
Q’’’はアリール基であり;
ここで、少なくとも1個のDがある。
In the above formula,
R 16 is the same or different at each occurrence, and is selected from hydrogen, deuterium, phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolyl, carbazolylphenyl, and their deuterated derivatives. Selected from the group consisting of:
R 17 is H or D; and Q ′ ″ is an aryl group;
Here, there is at least one D.

実施形態によっては、Q’’’は、フェニレン、ナフチレン、ビフェニレン、ビナフチレン、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択される。実施形態によっては、Q’’’は、1,4−フェニレン、2,6−ナフチレン、4,4’−ビフェニレン、4,4’−(1,1’−ビナフチレン)、およびそれらの重水素化誘導体よりなる群から選択される。   In some embodiments, Q '' 'is selected from the group consisting of phenylene, naphthylene, biphenylene, binaphthylene, and deuterated derivatives thereof. In some embodiments, Q ′ ″ is 1,4-phenylene, 2,6-naphthylene, 4,4′-biphenylene, 4,4 ′-(1,1′-binaphthylene), and their deuteration. Selected from the group consisting of derivatives.

1つの実施形態では、ホストは、式XIIまたは式XIIIを有する重水素化インドロカルバゾールである:   In one embodiment, the host is a deuterated indolocarbazole having formula XII or formula XIII:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Ar14は、芳香族電子輸送基であり;
Ar15は、アリール基および芳香族電子輸送基よりなる群から選択され;さらに
18およびR19はそれぞれの出現箇所で同一または異なっていて、H、Dおよびアリールよりなる群から選択され;
ここで、化合物は少なくとも1個のDを有する。
In the above formula,
Ar 14 is an aromatic electron transport group;
Ar 15 is selected from the group consisting of an aryl group and an aromatic electron transport group; and R 18 and R 19 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D and aryl;
Here, the compound has at least one D.

式XIIおよび式XIIIの実施形態によっては、重水素が、インドロカルバゾール核、アリール環、アリール環上の置換基、およびそれらの組合せよりなる群から選択される部分に存在する。   In some embodiments of Formula XII and Formula XIII, deuterium is present in a moiety selected from the group consisting of an indolocarbazole nucleus, an aryl ring, a substituent on the aryl ring, and combinations thereof.

Ar14は、芳香族電子輸送基である。実施形態によっては、芳香族電子輸送基は含窒素ヘテロ芳香族基である。電子輸送を行う含窒素ヘテロ芳香族基の例の中には、以下に示すものがあるが、これらに限定されない。 Ar 14 is an aromatic electron transport group. In some embodiments, the aromatic electron transport group is a nitrogen-containing heteroaromatic group. Some examples of nitrogen-containing heteroaromatic groups that perform electron transport include the following, but are not limited thereto.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、
Ar16はアリール基であり;
20は、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、D、アルキル、アルコキシ、アリール、アリールオキシ、シロキサン、およびシリルよりなる群から選択され;
mは、0〜4の整数であり;
nは、0〜3の整数であり;
oは、0〜2の整数であり;
pは、0〜5の整数であり;
qは、0または1であり;さらに
rは、0〜6の整数である。
基は、波線で示した位置のいずれでも核上の窒素と結合できる。
In the above formula,
Ar 16 is an aryl group;
R 20 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;
m is an integer from 0 to 4;
n is an integer from 0 to 3;
o is an integer from 0 to 2;
p is an integer from 0 to 5;
q is 0 or 1; and r is an integer of 0-6.
The group can bind to nitrogen on the nucleus at any of the positions indicated by the wavy line.

実施形態によっては、同一または異なっている電子求引性置換基の2つ以上が結合してオリゴマー置換基を形成する。実施形態によっては、R20は、Dおよびアリールよりなる群から選択される。実施形態によっては、R20は含窒素ヘテロ芳香族の電子輸送基である。 In some embodiments, two or more of the same or different electron withdrawing substituents are combined to form an oligomer substituent. In some embodiments, R 20 is selected from the group consisting of D and aryl. In some embodiments, R 20 is a nitrogen-containing heteroaromatic electron transport group.

実施形態によっては、Ar15は、上述の芳香族電子輸送基である。実施形態によっては、Ar15は、フェニル、ナフチル、フェナントリル、アントラセニル、フェニルナフチレン、ナフチルフェニレン、それらの重水素化誘導体、および上述の式aまたは式bを有する基よりなる群から選択される。 In some embodiments, Ar 15 is the aromatic electron transport group described above. In some embodiments, Ar 15 is selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and groups having formula a or formula b as described above.

実施形態によっては、ホスト物質は、重水素化ジアリールアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化ジアリールクリセン類、重水素化ジアリールピレン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化フェナントロリン類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される。   In some embodiments, the host material is a deuterated diarylanthracene, a deuterated aminochrysene, a deuterated diarylchrysene, a deuterated diarylpyrene, a deuterated indolocarbazole, a deuterated phenanthroline. , And combinations thereof.

重水素化ホスト化合物の非限定例の中には、以下に示す化合物H1〜H17がある。
化合物H1:
Among the non-limiting examples of deuterated host compounds are the following compounds H1-H17.
Compound H1:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、x+y+z+n=1〜26]
化合物H5:
[Wherein, x + y + z + n = 1 to 26]
Compound H5:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[式中、x+y+z+p+n+q=1〜34]
化合物H8:
[Wherein, x + y + z + p + n + q = 1 to 34]
Compound H8:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物H9: Compound H9:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物H13: Compound H13:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物H14: Compound H14:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物H15: Compound H15:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物H16: Compound H16:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[ここで、Σ(a−f)=1〜25]
化合物H17:
[Where Σ (af) = 1-25]
Compound H17:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

[ここで、Σ(a−f)=1〜28] [Where Σ (af) = 1 to 28]

5.電子輸送層
電子輸送層150は電子輸送物質を含む。層、物質、部材、または構造に言及している場合の「電子輸送」という用語は、そのような層、物質、部材、または構造によって、比較的効率的かつ低電荷損失で、負電荷が、そのような層、物質、部材、または構造の厚い部分を通って移動するのが促進されることを意味することを意図する。発光物質も幾らかの電子輸送特性を有しうるが、「電子輸送の層、物質、部材、または構造」という用語は、主要機能が発光である層、物質、部材、または構造を含むことを意図しない。
5. Electron Transport Layer The electron transport layer 150 contains an electron transport material. The term “electron transport” when referring to a layer, material, member, or structure refers to a relatively efficient, low charge loss, negative charge, by such layer, material, member, or structure. It is intended to mean that movement through such a layer, material, member, or thick part of the structure is facilitated. Although the luminescent material may also have some electron transport properties, the term “electron transport layer, material, member, or structure” includes a layer, material, member, or structure whose primary function is luminescence. Not intended.

電子輸送物質は、ポリマー、オリゴマー、または小分子でありうる。それらは、溶液、分散液、懸濁液、エマルジョン、コロイド状混合物、または他の組成物の形であり得る液体から付着させるか、あるいは蒸着させることができる。   The electron transport material can be a polymer, oligomer, or small molecule. They can be deposited or deposited from a liquid which can be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloidal mixture, or other composition.

実施形態によっては、電子輸送層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、電子輸送物質は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the electron transport layer includes a deuterated material. In some embodiments, the electron transport material is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. , In some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated. In some forms, 100% is deuterated.

実施形態によっては、電子輸送層150は、上述の式IX、式X、または式XIを有する重水素化フェナントロリン誘導体を含む。実施形態によっては、電子輸送層150は、式IX、式X、または式XIを有する重水素化フェナントロリン誘導体から本質的になる。   In some embodiments, the electron transport layer 150 includes a deuterated phenanthroline derivative having the Formula IX, Formula X, or Formula XI described above. In some embodiments, the electron transport layer 150 consists essentially of a deuterated phenanthroline derivative having the formula IX, formula X, or formula XI.

実施形態によっては、電子輸送層150は、上述の式XIIまたは式XIIIを有する重水素化インドロカルバゾール誘導体を含む。実施形態によっては、電子輸送層150は、式XIIまたは式XIIIを有する重水素化インドロカルバゾール誘導体から本質的になる。   In some embodiments, the electron transport layer 150 includes a deuterated indolocarbazole derivative having the above Formula XII or Formula XIII. In some embodiments, the electron transport layer 150 consists essentially of a deuterated indolocarbazole derivative having the formula XII or formula XIII.

実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類および重水素化ジヘテロアリールフェニル類よりなる群から選択される物質を含む。   In some embodiments, the electron transport layer comprises a material selected from the group consisting of deuterated benzimidazoles, deuterated triazolopyridines, and deuterated diheteroarylphenyls.

実施形態によっては、電子輸送層150は、重水素化金属キレート化オキシノイド(deuterated metal chelated oxinoid)化合物を含む。そのような物質の例として、重水素化トリス(8−ヒドロキシキノラト)アルミニウム(d−AlQ)、重水素化ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−フェニルフェノラト)アルミニウム(d−BAlq)、重水素化テトラキス−(8−ヒドロキシキノラト)ハフニウム(d−HfQ)および重水素化テトラキス−(8−ヒドロキシキノラト)ジルコニウム(d−ZrQ)などの重水素化金属キノレート誘導体がある。   In some embodiments, the electron transport layer 150 includes a deuterated metal chelated oxinoid compound. Examples of such materials are deuterated tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (d-AlQ), deuterated bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolato) aluminum (d- There are deuterated metal quinolate derivatives such as BAlq), deuterated tetrakis- (8-hydroxyquinolato) hafnium (d-HfQ) and deuterated tetrakis- (8-hydroxyquinolato) zirconium (d-ZrQ). .

実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質を含む。実施形態によっては、電子輸送層は、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質から本質的になる。   In some embodiments, the electron transport layer comprises deuterated phenanthrolines, deuterated indolocarbazoles, deuterated benzimidazoles, deuterated triazolopyridines, deuterated diheteroarylphenyls, deuterium. And an electron transport material selected from the group consisting of metal quinolates and combinations thereof. In some embodiments, the electron transport layer comprises deuterated phenanthrolines, deuterated indolocarbazoles, deuterated benzimidazoles, deuterated triazolopyridines, deuterated diheteroarylphenyls, deuterium. Consisting essentially of an electron transport material selected from the group consisting of metal quinolates and combinations thereof.

電子輸送層150に使用できる他の電子輸送物質の例として、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(PBD)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(TAZ)、および1,3,5−トリ(フェニル−2−ベンズイミダゾール)ベンゼン(TPBI)などのアゾール化合物;2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリンなどのキノキサリン誘導体;トリアジン類;フラーレン類;前述の物質のいずれかの重水素化類似体;およびそれらの混合物がある。実施形態によっては、電子輸送層はn−ドーパントをさらに含む。n−ドーパント物質はよく知られている。n−ドーパントとしては、1族および2族の金属;1族および2族の金属塩(LiF、CsF、およびCs2CO3など);1族および2族の金属有機化合物(Liキノレートなど);および分子のn−ドーパント(ロイコ染料など)、金属錯体(W2(hpp)4[ここで、hpp=1,3,4,6,7,8−ヘキサヒドロ−2H−ピリミド−[1,2−a]−ピリミジン]およびコバルトセンなど)、テトラチアナフタセン、ビス(エチレンジチオ)テトラチアフルバレン、複素環式基または複素環式二基(heterocyclic diradicals)、ならびに複素環式基または複素環式二基のダイマー、オリゴマー、ポリマー、ジスピロ化合物および多環体(polycycles)があるが、これらに限定されない。n−ドーパントも重水素化されていてよい。 Examples of other electron transport materials that can be used for the electron transport layer 150 include 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD), 3- (4-Biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-t-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ) and 1,3,5-tri (phenyl-2-benzimidazole) benzene ( Azole compounds such as TPBI); quinoxaline derivatives such as 2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxaline; triazines; fullerenes; deuterated analogs of any of the foregoing materials; and mixtures thereof. In some embodiments, the electron transport layer further comprises an n-dopant. n-dopant materials are well known. n-dopants include Group 1 and Group 2 metals; Group 1 and Group 2 metal salts (such as LiF, CsF, and Cs 2 CO 3 ); Group 1 and Group 2 metal organic compounds (such as Li quinolate); And molecular n-dopants (such as leuco dyes), metal complexes (W 2 (hpp) 4 [where hpp = 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido- [1,2- a] -pyrimidine] and cobaltcene), tetrathianaphthacene, bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene, heterocyclic groups or heterocyclic diradicals, and heterocyclic groups or heterocyclic groups There are, but are not limited to, dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles of groups. The n-dopant may also be deuterated.

重水素化電子輸送化合物の非限定例の中には、以下に示す化合物ET1〜ET4がある。
ET1:
Among the non-limiting examples of deuterated electron transport compounds are the following compounds ET1-ET4.
ET1:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

ET2: ET2:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

ここで、Σ(x+y+z)=1〜54
ET3:
Here, Σ (x + y + z) = 1 to 54
ET3:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

ET4: ET4:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

6.化学的閉じ込め
フルカラーの画像のディスプレイを作るには、各ディスプレイピクセル(display pixel)を、それぞれが3種類の主要な表示色(赤色、緑色、および青色)の1つを発する3つのサブピクセルに分割する。異なる色を液体付着技法で施すとき、サブピクセルからサブピクセルへの液体着色物質(すなわち、インキ)の拡散および色の混合を防ぐ必要がある。
6). Chemical containment To create a full color image display, each display pixel is divided into three sub-pixels, each emitting one of the three main display colors (red, green, and blue). To do. When applying different colors with liquid deposition techniques, it is necessary to prevent diffusion of liquid coloring material (ie, ink) and color mixing from subpixel to subpixel.

色の混合を防ぐための1つの方法は、着色インキを施す前に、化学的閉じ込め層を設けることである。「化学的閉じ込め層」という用語は、物的障壁構造ではなく表面エネルギー効果によって液体物質の拡散を抑えるかまたは制限するパターン化層を意味することを意図する。層に言及している場合の「閉じ込め」という用語は、層を付着させた領域を著しく超えて層が拡散しないことを意味することを意図する。「表面エネルギー」という用語は、物質から単位面積の表面を作り出すのに必要なエネルギーである。表面エネルギーの特徴は、所与の表面エネルギーを持つ液体物質が、より小さい表面エネルギーを有する表面をぬらさないことである。   One way to prevent color mixing is to provide a chemical confinement layer before applying the colored ink. The term “chemical confinement layer” is intended to mean a patterned layer that suppresses or limits the diffusion of a liquid material by surface energy effects rather than physical barrier structures. The term “confinement” when referring to a layer is intended to mean that the layer does not diffuse significantly beyond the area where the layer is deposited. The term “surface energy” is the energy required to create a unit area surface from a material. A characteristic of surface energy is that a liquid material with a given surface energy will not wet a surface with a smaller surface energy.

実施形態によっては、化学的閉じ込め層は重水素化物質を含む。実施形態によっては、化学的閉じ込め物質は、少なくとも10%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the chemical confinement layer includes a deuterated material. In some embodiments, the chemical containment material is at least 10% deuterated, in some embodiments at least 20% deuterated, and in some embodiments, at least 30% deuterated. And in some embodiments, at least 40% is deuterated, in some embodiments, at least 50% is deuterated, and in some embodiments, at least 60% is deuterated. And in some embodiments, at least 70% is deuterated, in some embodiments, at least 80% is deuterated, and in some embodiments, at least 90% is deuterated; In some embodiments, 100% is deuterated.

実施形態によっては、陽極側から最初に作られるデバイスの場合、化学的閉じ込め層は正孔注入層を覆うように施され、正孔輸送層とエレクトロルミネセンス層の両方を閉じ込める。実施形態によっては、化学的閉じ込め層は正孔輸送層を覆うように施され、エレクトロルミネセンス層を閉じ込める。陰極側から最初に作られるデバイスの場合、化学的閉じ込め層は電子注入層または電子輸送層を覆うように施すことができる。   In some embodiments, for devices initially made from the anode side, a chemical confinement layer is applied over the hole injection layer to confine both the hole transport layer and the electroluminescent layer. In some embodiments, a chemical confinement layer is applied over the hole transport layer to confine the electroluminescent layer. For devices initially made from the cathode side, the chemical confinement layer can be applied over the electron injection layer or the electron transport layer.

実施形態によっては、化学的閉じ込め層は第1層の上に下塗層を用いて形成され、下塗層は、第1層の表面エネルギーとは著しく異なる表面エネルギーを有する。下塗層は第1層上の全体に施す。次いで、下塗層をあるパターンで放射線に暴露し、暴露領域と非暴露領域が生じるようにする。次いで、下塗層を現像(developed)して、暴露領域または非暴露領域から下塗層を効果的に除去する。その結果、第1層上にパターン化された下塗層ができる。そのパターン化された下塗層が化学的閉じ込め層である。「効果的に除去する」および「効果的除去」という用語は、暴露領域または非暴露領域のいずれかにおいて下塗層が基本的に完全に除去されることを意味する。下塗層は、他の領域で部分的に除去されることもありうる。その結果、下塗層の残りのパターンが元の下塗層より薄くなることがある。   In some embodiments, the chemical confinement layer is formed on the first layer using a primer layer, the primer layer having a surface energy that is significantly different from the surface energy of the first layer. The undercoat layer is applied to the entire first layer. The subbing layer is then exposed to radiation in a pattern so that exposed and unexposed areas occur. The primer layer is then developed to effectively remove the primer layer from exposed or unexposed areas. As a result, a patterned undercoat layer is formed on the first layer. The patterned subbing layer is a chemical confinement layer. The terms “effectively remove” and “effectively remove” mean that the primer layer is essentially completely removed in either the exposed or unexposed areas. The subbing layer may be partially removed in other regions. As a result, the remaining pattern of the primer layer may be thinner than the original primer layer.

実施形態によっては、下塗層のパターンは、第1層の表面エネルギーより大きい表面エネルギーを有する。第2層は、第1層上の下塗層のパターンを覆うように液体を付着させて形成される。   In some embodiments, the pattern of the primer layer has a surface energy that is greater than the surface energy of the first layer. The second layer is formed by attaching a liquid so as to cover the pattern of the undercoat layer on the first layer.

実施形態によっては、下塗層のパターンは、第1層の表面エネルギーより小さい表面エネルギーを有する。第2層は、下塗層が除去された領域中にある第1層を覆うように液体を付着させて形成される。この方法および非重水素化物質は、米国特許出願公開第2007/0205409号明細書に記載されている。   In some embodiments, the pattern of the primer layer has a surface energy that is less than the surface energy of the first layer. The second layer is formed by attaching a liquid so as to cover the first layer in the region where the undercoat layer has been removed. This method and non-deuterated materials are described in US Patent Application Publication No. 2007/0205409.

相対表面エネルギーを求める方法の1つは、第1有機層での所与の液体の接触角と、暴露して現像した後の下塗層(以下、「現像下塗層」と呼ぶ)での同じ液体の接触角とを比較することである。接触角は、表面エネルギーが低下するにつれて増大する。さまざまな製造業者が、接触角を測定できる装置を作っている。   One way to determine the relative surface energy is for a given liquid contact angle with the first organic layer and an undercoat layer (hereinafter referred to as a “development subbing layer”) after exposure and development. It is to compare the contact angle of the same liquid. The contact angle increases as the surface energy decreases. Various manufacturers make devices that can measure contact angles.

実施形態によっては、第1層の表面エネルギーは、下塗層の表面エネルギーより低い。実施形態によっては、第1層は、アニソールとの接触角が40℃より大きく;実施形態によっては、50°より大きく;実施形態によっては、60°より大きく;実施形態によっては、70°より大きい。実施形態によっては、現像された下塗層は、アニソールとの接触角が30°より小さく;実施形態によっては、20°より小さく;実施形態によっては、10°より小さい。実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第1層との接触角よりも少なくとも20°小さく;実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第1層との接触角より少なくとも30°小さく、実施形態によっては、所与の溶媒において、現像された下塗層との接触角は第1層との接触角よりも少なくとも40°小さい。   In some embodiments, the surface energy of the first layer is lower than the surface energy of the primer layer. In some embodiments, the first layer has a contact angle with anisole greater than 40 ° C .; in some embodiments greater than 50 °; in some embodiments greater than 60 °; in some embodiments greater than 70 ° . In some embodiments, the developed subbing layer has a contact angle with anisole of less than 30 °; in some embodiments, less than 20 °; in some embodiments, less than 10 °. In some embodiments, the contact angle with the developed primer layer is at least 20 ° less than the contact angle with the first layer in a given solvent; in some embodiments, the contact angle with the developed subbing layer is developed in the given solvent. The contact angle with the subbing layer is at least 30 ° less than the contact angle with the first layer, and in some embodiments, the contact angle with the developed subbing layer in a given solvent is the contact angle with the first layer. Is at least 40 ° smaller.

下塗層は、放射線に暴露されると反応して、暴露されていない下塗物質と比べて、下にある第1層から除去しやすくなるかまたは除去しにくくなる物質を生じる組成物を含む。この変化は、暴露領域と非暴露領域との物理的な差異ならびに現像を可能にするほど十分でなければならない。   The primer layer comprises a composition that reacts when exposed to radiation to yield a material that is more or less likely to be removed from the underlying first layer as compared to the unexposed primer material. This change must be sufficient to allow physical differences between exposed and unexposed areas as well as development.

1つの実施形態では、下塗層は放射線硬化性組成物を含む。この場合、放射線に暴露されると、下塗層は、液状媒体への可溶性または分散性の低下、粘着性の低下、軟化性の低下、流動性の低下、剥離性の低下(less liftable)、または吸収性の低下が起こりうる。他の物理的性質も影響を受けうる。   In one embodiment, the primer layer comprises a radiation curable composition. In this case, when exposed to radiation, the subbing layer becomes less soluble or dispersible in the liquid medium, less sticky, less soft, less fluid, less liftable, Or a decrease in absorbency can occur. Other physical properties can also be affected.

1つの実施形態では、下塗層は1種または複数種の放射線感受性(radiation−sensitive)物質から本質的になる。1つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露された場合に、硬化するか、あるいは液状媒体における可溶性の低下、膨潤性の低下、または分散性の低下、あるいは粘着性または吸収性の低下が起きる物質から本質的になる。1つの実施形態では、下塗層は、放射線重合可能な基を有する物質から本質的になる。そのような基の例としては、オレフィン、アクリレート、メタクリレートおよびビニルエーテルがあるが、これらに限定されない。1つの実施形態では、下塗物質は、架橋を生じうる2種以上の重合可能な基を有する。   In one embodiment, the subbing layer consists essentially of one or more radiation-sensitive materials. In one embodiment, the subbing layer hardens or is less soluble, less swellable, or less dispersible, or less sticky or absorbable when exposed to radiation. It consists essentially of the substance that occurs. In one embodiment, the subbing layer consists essentially of a material having radiation-polymerizable groups. Examples of such groups include, but are not limited to, olefins, acrylates, methacrylates and vinyl ethers. In one embodiment, the primer material has two or more polymerizable groups that can cause crosslinking.

1つの実施形態では、下塗層は、少なくとも1種の反応性物質および少なくとも1種の放射線感受性物質から本質的になる。放射線感受性物質は、放射線に暴露されると、反応性物質の反応を開始させる活性種を生じる。放射線感受性物質の例としては、フリーラジカル、酸、またはそれらの組合せを生じる物質があるが、これらに限定されない。   In one embodiment, the subbing layer consists essentially of at least one reactive material and at least one radiation sensitive material. When exposed to radiation, a radiation sensitive material produces an active species that initiates the reaction of the reactive material. Examples of radiation sensitive materials include, but are not limited to, materials that generate free radicals, acids, or combinations thereof.

1つの実施形態では、反応性物質は重合可能または架橋性である。物質の重合反応または架橋反応は、活性種によって開始されるか触媒される。1つの実施形態では、反応性物質はエチレン性不飽和化合物であり、放射線感受性物質はフリーラジカルを生じる。エチレン性不飽和化合物としては、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、およびそれらの組合せがあるが、これらに限定されない。フリーラジカルを生じる放射線感受性物質は、知られているどんな種類のものでも使用できる。フリーラジカルを生じる放射線感受性物質の例としては、キノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル類、アリールケトン類、過酸化物類、イミダゾール類、ベンジルジメチルケタール、ヒドロキシルアルキルフェニルアセトホン(hydroxyl alkyl phenyl acetophone)、ジアルコキシアセトフェノン(dialkoxy actophenone)、トリメチルベンゾイルホスフィンオキシド誘導体、アミノケトン類、ベンゾイルシクロヘキサノール、メチルチオフェニルモルホリノケトン類、モルホリノフェニルアミノケトン類、アルファハロゲノアセトフェノン類、オキシスルホニルケトン類、スルホニルケトン類、オキシスルホニルケトン類、スルホニルケトン類、ベンゾイルオキシムエステル類、チオキサントロン類(thioxanthrones)、カンファキノン類、ケトクマリン類、およびミヒラー・ケトンがあるが、これらに限定されない。あるいはまた、放射線感受性物質は、化合物の混合物であってよく、その化合物の1種がフリーラジカルを生じる(放射線によって活性化される増感剤によりそのことが引き起こされたとき)。1つの実施形態では、放射線感受性物質は可視光線または紫外線放射に敏感である。   In one embodiment, the reactive material is polymerizable or crosslinkable. The material polymerization or crosslinking reaction is initiated or catalyzed by the active species. In one embodiment, the reactive material is an ethylenically unsaturated compound and the radiation sensitive material generates free radicals. Ethylenically unsaturated compounds include, but are not limited to, acrylates, methacrylates, vinyl compounds, and combinations thereof. Any known type of radiation-sensitive material that produces free radicals can be used. Examples of radiation-sensitive substances that generate free radicals include quinones, benzophenones, benzoin ethers, aryl ketones, peroxides, imidazoles, benzyl dimethyl ketal, hydroxylalkylphenyl acetophone, Dialkoxy acetophenone, trimethylbenzoylphosphine oxide derivative, aminoketone, benzoylcyclohexanol, methylthiophenylmorpholinoketone, morpholinophenylaminoketone, alpha halogenoacetophenone, oxysulfonylketone, sulfonylketone, oxysulfonylketone , Sulfonyl ketones, benzoyloxime esthetics S, thioxanthrones compound (thioxanthrones), camphor quinone, ketocoumarins, and there are Michler's ketone, and the like. Alternatively, the radiation sensitive substance may be a mixture of compounds, one of which produces free radicals (when caused by a sensitizer activated by radiation). In one embodiment, the radiation sensitive material is sensitive to visible or ultraviolet radiation.

放射線感受性物質は一般に、下塗層の全重量を基準にして0.001%〜10.0%の量だけ存在する。   The radiation sensitive material is generally present in an amount of 0.001% to 10.0% based on the total weight of the subbing layer.

1つの実施形態では、反応性物質は、酸によって開始される重合が起こりうるものであり、放射線感受性物質は酸を生じる。そのような反応性物質の例としては、エポキシ化合物があるが、それらに限定されない。酸を生じる放射線感受性物質の例としては、スルホニウム塩およびヨードニウム塩(ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファートなど)があるが、これらに限定されない。   In one embodiment, the reactive material is one where polymerization initiated by acid can occur and the radiation sensitive material yields acid. Examples of such reactive materials include, but are not limited to, epoxy compounds. Examples of radiation sensitive materials that produce acid include, but are not limited to, sulfonium salts and iodonium salts (such as diphenyliodonium hexafluorophosphate).

1つの実施形態では、下塗層は放射線軟化性組成物を含む。この場合、放射線に暴露されると、下塗層は、液状媒体への可溶性または分散性の増大、粘着性の増大、軟化性の増大、流動性の増大、剥離性の増大、または吸収性の増大が起こりうる。他の物理的性質も影響を受けうる。   In one embodiment, the subbing layer comprises a radiation softening composition. In this case, when exposed to radiation, the subbing layer will have increased solubility or dispersibility in the liquid medium, increased tackiness, increased softness, increased fluidity, increased peelability, or absorbable properties. An increase can occur. Other physical properties can also be affected.

1つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露された場合に、軟化するか、あるいは液状媒体における可溶性の増大、膨潤性の増大、または分散性の増大が起きるか、あるいは粘着性または吸収性の増大が起きる物質から本質的になる。   In one embodiment, the subbing layer softens when exposed to radiation, or exhibits increased solubility, increased swellability, or increased dispersibility, or is tacky or absorbed when exposed to radiation. It consists essentially of substances that cause increased sex.

放射線軟化性組成物の1つの例では、反応性物質はフェノール樹脂であり、放射線感受性物質はジアゾナフトキノン(diazonaphthoquinone)である。   In one example of a radiation softening composition, the reactive material is a phenolic resin and the radiation sensitive material is diazonaphthoquinone.

放射線軟化性組成物の1つの例では、下塗層は、波長が200〜300nmの範囲である深紫外線に暴露されると骨格劣化が起きる少なくとも1種のポリマーから本質的になる。そのような劣化が起こるポリマーの例として、ポリアクリレート類、ポリメタクリレート類、ポリケトン類、ポリスルホン類、それらのコポリマー、およびそれらの混合物があるが、これらに限定されない。   In one example of a radiation softening composition, the subbing layer consists essentially of at least one polymer that undergoes skeletal degradation when exposed to deep ultraviolet light having a wavelength in the range of 200-300 nm. Examples of polymers where such degradation occurs include, but are not limited to, polyacrylates, polymethacrylates, polyketones, polysulfones, copolymers thereof, and mixtures thereof.

当該技術分野において知られている他の放射線感受性の系も使用できる。   Other radiation sensitive systems known in the art can also be used.

1つの実施形態では、下塗層は、放射線に暴露されると、下にある領域と反応する。この反応の正確なメカニズムは、使用する物質によって異なるであろう。放射線に暴露された後、下塗層は、好適な現像処理によって非暴露領域において効果的に除去される。実施形態によっては、下塗層は非暴露領域のみで除去される。実施形態によっては、下塗層は暴露領域でも部分的に除去され、そうした領域に薄い層が残る。実施形態によっては、暴露領域に残る下塗層は厚さが50Å未満である。実施形態によっては、暴露領域に残る下塗層は基本的に厚さが単分子層である。   In one embodiment, the primer layer reacts with the underlying region when exposed to radiation. The exact mechanism of this reaction will depend on the material used. After exposure to radiation, the subbing layer is effectively removed in the unexposed areas by a suitable development process. In some embodiments, the primer layer is removed only in the unexposed areas. In some embodiments, the primer layer is partially removed even in the exposed areas, leaving a thin layer in those areas. In some embodiments, the primer layer remaining in the exposed area is less than 50 mm thick. In some embodiments, the primer layer remaining in the exposed area is essentially a monolayer in thickness.

実施形態によっては、下塗物質が重水素化される。「重水素化」という用語は、少なくとも1個のHがDで置換されていることを意味することを意図する。「重水素化類似体」という用語は、1つまたは複数個の利用可能な水素が重水素で置換されている化合物または基の構造的類似体を表す。重水素化合物または重水素化類似体では、重水素が、自然の存在レベルの少なくとも100倍存在する。実施形態によっては、下塗物質は少なくとも10%が重水素化されている。これは、水素の少なくとも10%が重水素で置換されていることを意味する。実施形態によっては、下塗物質は少なくとも20%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも30%が重水素化されており、;実施形態によっては、少なくとも40%が重水素化されており、;実施形態によっては、少なくとも50%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも60%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも70%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも80%が重水素化されており、実施形態によっては、少なくとも90%が重水素化されており、実施形態によっては、100%が重水素化されている。   In some embodiments, the primer material is deuterated. The term “deuterated” is intended to mean that at least one H is replaced by D. The term “deuterated analog” refers to a structural analog of a compound or group in which one or more available hydrogens are replaced with deuterium. In a deuterium compound or deuterated analog, deuterium is present at least 100 times its natural level. In some embodiments, the primer material is at least 10% deuterated. This means that at least 10% of the hydrogen is replaced with deuterium. In some embodiments, the primer material is at least 20% deuterated, in some embodiments, at least 30% deuterated; in some embodiments, at least 40% is deuterated. In some embodiments, at least 50% is deuterated, in some embodiments, at least 60% is deuterated, and in some embodiments, at least 70% is deuterated. In some embodiments, at least 80% is deuterated, in some embodiments, at least 90% is deuterated, and in some embodiments, 100% is deuterated.

下塗層は、任意の周知の付着法で施すことができる。1つの実施形態では、下塗層は溶媒に添加されることなく施される。1つの実施形態では、下塗層は蒸着によって施される。   The subbing layer can be applied by any known deposition method. In one embodiment, the subbing layer is applied without being added to the solvent. In one embodiment, the primer layer is applied by vapor deposition.

1つの実施形態では、下塗層は凝結法で施す。下塗層を蒸気相からの凝結で施す場合に、蒸気凝結の間に表面層温度があまりに高いと、下塗層は有機基板表面の細孔または自由体積に入り込むことがある。実施形態によっては、有機基板は、基板物質のガラス転移温度または溶融温度より下の温度に維持する。温度は、周知の任意の手法(流れる液体または気体によって冷却される表面上に第1層を置くなど)によって維持できる。   In one embodiment, the primer layer is applied by a setting method. When applying the primer layer by condensation from the vapor phase, if the surface layer temperature is too high during vapor condensation, the primer layer may enter pores or free volumes on the surface of the organic substrate. In some embodiments, the organic substrate is maintained at a temperature below the glass transition temperature or melting temperature of the substrate material. The temperature can be maintained by any known technique (such as placing the first layer on a surface cooled by a flowing liquid or gas).

1つの実施形態では、下塗層は、凝結ステップに先だって、一時的支持体に施されて下塗層の均一コーティングが形成される。これは、液体付着、蒸着、および熱転写を含め任意の付着法で実施できる。1つの実施形態では、下塗層は、連続液体付着技法で一時的支持体上に付着させる。下塗層を付着させるための液状媒体の選択は、下塗層自体のまさにその性質によって異なるであろう。1つの実施形態では、物質はスピンコーティングで付着させる。次いで、被覆された一時的支持体は、凝結ステップ用の蒸気を生じさせるための加熱源として使用する。   In one embodiment, the primer layer is applied to the temporary support prior to the setting step to form a uniform coating of the primer layer. This can be done by any deposition method including liquid deposition, vapor deposition, and thermal transfer. In one embodiment, the subbing layer is deposited on the temporary support by a continuous liquid deposition technique. The choice of liquid medium for depositing the primer layer will depend on the very nature of the primer layer itself. In one embodiment, the material is deposited by spin coating. The coated temporary support is then used as a heating source to generate steam for the condensation step.

下塗層を施すことは、連続法またはバッチ法のいずれかを利用して遂行できる。例えば、バッチ法では、1つまたは複数のデバイスを下塗層で同時に被覆し、その後、放射線源に同時に暴露するであろう。連続法では、ベルトまたは他のコンベア装置で輸送されるデバイスは、デバイスが連続的に下塗層で被覆されるステーションを通過し、その後、デバイスが連続的に放射線源に暴露されるステーションをそのまま通過するであろう。方法の一部は連続的であってよく、一方でその方法の他の部分はバッチ式であってもよい。   Applying the primer layer can be accomplished using either a continuous or batch process. For example, in a batch process, one or more devices will be coated simultaneously with a subbing layer and then simultaneously exposed to a radiation source. In a continuous process, a device transported on a belt or other conveyor device passes through a station where the device is continuously coated with a subbing layer and then leaves the station where the device is continuously exposed to a radiation source. Will pass. Some parts of the process may be continuous, while other parts of the process may be batch.

1つの実施形態では、下塗物質は室温において液体であり、第1層を覆うように液体付着によって施す。液体の下塗物質は、膜を形成してよいか、または第1層の表面に吸収されるかまたは吸着されてよい。1つの実施形態では、第1層を覆うように第2層を形成させるために、液体の下塗物質をその融点より下の温度まで冷却する。1つの実施形態では、下塗物質は室温において液体ではなく、その融点より上の温度まで加熱して、第1層上に付着させ、室温まで冷却して第1層を覆うように第2層を形成させる。液体付着では、上述の方法のいずれを使用してもよい。   In one embodiment, the primer material is a liquid at room temperature and is applied by liquid deposition over the first layer. The liquid primer material may form a film or may be absorbed or adsorbed on the surface of the first layer. In one embodiment, the liquid primer material is cooled to a temperature below its melting point to form the second layer over the first layer. In one embodiment, the primer material is not liquid at room temperature, but is heated to a temperature above its melting point, deposited on the first layer, and cooled to room temperature to cover the first layer. Let it form. For liquid deposition, any of the methods described above may be used.

1つの実施形態では、下塗層を第2液体組成物から付着させる。液体付着法は、上述したように連続でも不連続でもよい。1つの実施形態では、下塗り液体組成物は、連続液体付着法を用いて付着させる。下塗層を付着させるための液状媒体の選択は、下塗物質自体のまさにその性質によって異なるであろう。   In one embodiment, a primer layer is deposited from the second liquid composition. The liquid deposition method may be continuous or discontinuous as described above. In one embodiment, the primer liquid composition is deposited using a continuous liquid deposition method. The choice of liquid medium for depositing the primer layer will depend on the very nature of the primer material itself.

下塗層を形成した後、それを放射線に暴露する。使用する放射線のタイプは、上述した下塗層の敏感性によって異なるであろう。暴露はパターン状に行われる。本明細書で使用される「パターン状」という用語は、物質または層の選択部分のみが暴露されることを示す。パターン状暴露は、周知の任意の画像化技法(imaging technique)を用いて実現できる。1つの実施形態では、パターンはマスクを介して暴露することによって得られる。1つの実施形態では、パターンは、ラスターレーザー(rastered laser)で選択部分のみを暴露することで得る。暴露時間は、使用する下塗層の特定の化学的性質に応じて数秒間から数分間の範囲にすることができる。レーザーを使用する場合、レーザーの出力に応じて、それぞれの個別の領域に関して使用する暴露時間はずっと短くなる。暴露ステップは、物質の敏感性に応じて、空気中かまたは不活性雰囲気中で実施できる。   After forming the subbing layer, it is exposed to radiation. The type of radiation used will depend on the sensitivity of the primer layer described above. Exposure is done in a pattern. The term “patterned” as used herein indicates that only a selected portion of a substance or layer is exposed. Patterned exposure can be achieved using any well-known imaging technique. In one embodiment, the pattern is obtained by exposing through a mask. In one embodiment, the pattern is obtained by exposing only selected portions with a rastered laser. The exposure time can range from a few seconds to a few minutes depending on the specific chemistry of the primer layer used. When using a laser, depending on the power of the laser, the exposure time used for each individual area is much shorter. The exposure step can be performed in air or in an inert atmosphere, depending on the sensitivity of the material.

1つの実施形態では、放射線は、紫外線(10〜390nm)、可視光線(390〜770nm)、赤外線(770〜106nm)、およびそれらの組合せ(同時処理および逐次処理を含む)よりなる群から選択される。1つの実施形態では、放射線は可視光線および紫外線放射から選択される。1つの実施形態では、放射線は300〜450nmの範囲の波長を有する。1つの実施形態では、放射線は深紫外線(200〜300nm)である。別の実施形態では、紫外線放射は300から400nmの間の波長を有する。別の実施形態では、放射線は400〜450nmの範囲の波長を有する。1つの実施形態では、放射線は熱放射である。1つの実施形態では、放射線への暴露は加熱によって実施される。加熱ステップの温度および継続時間は、発光領域のどんな下にある層にも損傷を与えることなく、下塗層の少なくとも1つの物理的性質を変化させるようなものである。1つの実施形態では、加熱温度は250℃未満である。1つの実施形態では、加熱温度は150℃未満である。 In one embodiment, the radiation is from the group consisting of ultraviolet light (10-390 nm), visible light (390-770 nm), infrared light (770-10 6 nm), and combinations thereof (including simultaneous and sequential processing). Selected. In one embodiment, the radiation is selected from visible light and ultraviolet radiation. In one embodiment, the radiation has a wavelength in the range of 300-450 nm. In one embodiment, the radiation is deep ultraviolet (200-300 nm). In another embodiment, the ultraviolet radiation has a wavelength between 300 and 400 nm. In another embodiment, the radiation has a wavelength in the range of 400-450 nm. In one embodiment, the radiation is thermal radiation. In one embodiment, exposure to radiation is performed by heating. The temperature and duration of the heating step is such that it changes at least one physical property of the subbing layer without damaging any underlying layer of the light emitting region. In one embodiment, the heating temperature is less than 250 ° C. In one embodiment, the heating temperature is less than 150 ° C.

放射線に対してパターン状暴露した後、下塗層を現像する。現像は周知の任意の技法で遂行できる。そのような技法は、フォトレジストおよび印刷の技術分野で広く使用されてきた。現像技法の例としては、加熱(蒸発)、液状媒体による処理(洗浄)、吸収物質による処理(ブロッティング)、粘着性物質による処理などがあるが、これらに限定されない。現像ステップにより、露出領域または非暴露領域のいずれかの下塗層が効果的に除去される。次いで、下塗層は、非暴露領域または暴露領域のいずれかにそれぞれ残る。下塗層は、非暴露領域または暴露領域において部分的に除去されてもよいが、暴露領域と非暴露領域との間に湿潤性の差があるようにするため、十分に残っていなければならない。例えば、下塗層は、非暴露領域において効果的に除去されてよく、また暴露領域において厚みの一部が除去されてよい。実施形態によっては、現像ステップにより非暴露領域の下塗層が効果的に除去される。   After pattern exposure to radiation, the subbing layer is developed. Development can be accomplished by any known technique. Such techniques have been widely used in the photoresist and printing arts. Examples of development techniques include, but are not limited to, heating (evaporation), treatment with a liquid medium (cleaning), treatment with an absorbent material (blotting), and treatment with an adhesive material. The development step effectively removes the subbing layer in either the exposed or unexposed areas. The subbing layer then remains in either the unexposed area or the exposed area, respectively. The subbing layer may be partially removed in the unexposed area or in the exposed area, but must remain sufficient to ensure that there is a wettability difference between the exposed and unexposed areas . For example, the primer layer may be effectively removed in the unexposed areas and a portion of the thickness may be removed in the exposed areas. In some embodiments, the developing step effectively removes the subbing layer in the unexposed areas.

1つの実施形態では、放射線への下塗層の暴露により、溶媒中への下塗層の溶解度または分散性が変化する。この場合、現像は湿式現像処理(wet development treatment)によって遂行できる。この処理は普通、一方のタイプの領域の溶解、分散、または剥離をもたらす溶媒による洗浄を含む。1つの実施形態では、放射線へのパターン状暴露により下塗層の暴露領域が不溶化し、溶媒による処理により下塗層の非暴露領域が除去される。   In one embodiment, exposure of the primer layer to radiation changes the solubility or dispersibility of the primer layer in the solvent. In this case, the development can be performed by a wet development treatment. This treatment usually involves washing with a solvent that results in dissolution, dispersion, or stripping of one type of area. In one embodiment, patterned exposure to radiation insolubilizes the exposed areas of the primer layer and treatment with a solvent removes unexposed areas of the primer layer.

1つの実施形態では、放射線への下塗層の暴露により、暴露領域の下塗層の揮発性を変化させる反応が起こる。この場合、現像は、熱現像処理によって遂行できる。この処理は、より揮発性のある物質の揮発温度または昇華温度より上で、かつその物質が熱反応する温度より下の温度まで加熱することを含む。例えば、重合可能なモノマーの場合、物質は、昇華温度より上でかつ熱重合温度より下の温度で加熱されるであろう。揮発温度に近いかまたはそれより低い熱反応温度を有する下塗物質は、このような仕方で現像することができないであろうことが理解されるであろう。   In one embodiment, exposure of the primer layer to radiation causes a reaction that changes the volatility of the primer layer in the exposed area. In this case, development can be performed by heat development processing. This treatment involves heating to a temperature above the volatilization or sublimation temperature of the more volatile material and below the temperature at which the material thermally reacts. For example, in the case of a polymerizable monomer, the material will be heated at a temperature above the sublimation temperature and below the thermal polymerization temperature. It will be appreciated that a primer material having a thermal reaction temperature close to or below the volatilization temperature may not be developed in this manner.

1つの実施形態では、放射線に下塗層を暴露すると、物質が溶融、軟化または流動する温度が変化する。この場合、現像は乾式現像処理(dry development treatment)で遂行できる。乾式現像処理は、要素の最も外側の表面を吸着剤表面と接触させて、より軟らかい部分を吸収するかまたは吸い取ることを含みうる。この乾式現像は、残りの領域の特性にさらなる影響を及ぼさない限り、高温で実施できる。   In one embodiment, exposing the primer layer to radiation changes the temperature at which the material melts, softens or flows. In this case, the development can be performed by a dry development treatment. Dry development processing may involve bringing the outermost surface of the element into contact with the adsorbent surface to absorb or blot softer portions. This dry development can be carried out at elevated temperatures as long as it does not further affect the properties of the remaining areas.

現像ステップにより、下塗層が残っている領域と、下にある第1層がむき出しにされた領域とが生じる。   The development step produces an area where the undercoat layer remains and an area where the underlying first layer is exposed.

実施形態によっては、下塗層は正孔輸送物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、トリアリールアミン類、カルバゾール類、フルオレン類、それらのポリマー、それらのコポリマー、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、高分子トリアリールアミン類、ポリカルバゾール類、ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとのコポリマー、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、高分子物質は架橋性である。実施形態によっては、下塗層は電子輸送物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、金属キレート化オキシノイド化合物を含む。実施形態によっては、下塗層は金属キノレート誘導体を含む。実施形態によっては、下塗層は、トリス(8−ヒドロキシキノラト)アルミニウム、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(p−フェニルフェノラト)アルミニウム、テトラキス−(8−ヒドロキシキノラト)ハフニウム、およびテトラキス−(8−ヒドロキシキノラト)ジルコニウムよりなる群から選択される物質を含む。実施形態によっては、下塗層は、高分子トリアリールアミン類、ポリカルバゾール類、ポリフルオレン類、それらのコポリマー、および金属キノレート類よりなる群から選択される物質から本質的になる。   In some embodiments, the primer layer includes a hole transport material. In some embodiments, the subbing layer comprises a material selected from the group consisting of triarylamines, carbazoles, fluorenes, their polymers, their copolymers, their deuterated analogs, and combinations thereof. Including. In some embodiments, the subbing layer comprises polymeric triarylamines, polycarbazoles, polyfluorenes, polymeric triarylamines having a conjugated moiety bonded in a non-planar configuration, fluorenes and triarylamines A material selected from the group consisting of: a copolymer of: a deuterated analog thereof; and combinations thereof. In some embodiments, the polymeric material is crosslinkable. In some embodiments, the subbing layer includes an electron transport material. In some embodiments, the subbing layer includes a metal chelated oxinoid compound. In some embodiments, the subbing layer includes a metal quinolate derivative. In some embodiments, the subbing layer comprises tris (8-hydroxyquinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolato) aluminum, tetrakis- (8-hydroxyquinolato) hafnium, And a substance selected from the group consisting of tetrakis- (8-hydroxyquinolato) zirconium. In some embodiments, the subbing layer consists essentially of a material selected from the group consisting of polymeric triarylamines, polycarbazoles, polyfluorenes, copolymers thereof, and metal quinolates.

実施形態によっては、正孔注入層は、フッ素化酸ポリマーがドープされた導電性ポリマーを含み、下塗層は正孔輸送物質から本質的になる。実施形態によっては、正孔輸送物質はトリアリールアミンポリマーである。そのようなポリマーは、例えば、公開されたPCT出願の国際公開第2008/024378号パンフレット、国際公開第2008/024379号パンフレット、および国際公開第2009/067419号パンフレットに記載されている。実施形態によっては、下塗物質は、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、少なくとも1つのフルオレン部分と少なくとも2つのトリアリールアミン部分とを有する化合物、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択される。実施形態によっては、高分子トリアリールアミン類は、上述の式I、式II、または式IIIを有する。   In some embodiments, the hole injection layer comprises a conductive polymer doped with a fluorinated acid polymer, and the subbing layer consists essentially of a hole transport material. In some embodiments, the hole transport material is a triarylamine polymer. Such polymers are described, for example, in published PCT applications, WO 2008/024378, WO 2008/024379, and WO 2009/067419. In some embodiments, the primer material is a polymeric triarylamine having a conjugated moiety bonded in a non-planar configuration, a compound having at least one fluorene moiety and at least two triarylamine moieties, and their weights. Selected from the group consisting of hydrogenated analogs. In some embodiments, the polymeric triarylamines have the above Formula I, Formula II, or Formula III.

下塗層として用いることのできる例示的化合物の中には、重水素化フルオレン、重水素化ポリフルオレン、重水素化ポリビニルカルバゾール、化合物HT1〜HT12、ET3およびET4がある。   Among the exemplary compounds that can be used as the subbing layer are deuterated fluorene, deuterated polyfluorene, deuterated polyvinyl carbazole, compounds HT1-HT12, ET3 and ET4.

7.デバイスの他の層
デバイス中の他の層は、そのような層に有用であることが知られている任意の物質で作ることができる。
7). Other layers of the device The other layers in the device can be made of any material known to be useful for such layers.

陽極110は、正の電荷担体を注入するのに特に効率的な電極である。それは、例えば、金属を含む物質、混合金属、合金、金属酸化物または混合金属酸化物で作ることができるか、またはそれは導電性ポリマーにすることができるか、あるいはそれらの混合物にすることもできる。好適な金属としては、11族の金属、4〜6族の金属、および8〜10族の遷移金属がある。陽極を光透過性にする場合、12族、13族および14族の金属の混合金属酸化物(インジウム−スズ−酸化物など)が一般的に使用される。陽極110は、“Flexible light−emitting diodes made from soluble conducting polymer,”Nature vol.357,pp 477−479(11 June 1992)に記載されているようにポリアニリンなどの有機物質を含むこともできる。生じた光を見ることができるように、陽極および陰極のうちの少なくとも1つが、望ましくは少なくとも部分的に透明である。   The anode 110 is an electrode that is particularly efficient for injecting positive charge carriers. It can be made, for example, of a metal-containing material, mixed metal, alloy, metal oxide or mixed metal oxide, or it can be a conductive polymer, or a mixture thereof. . Suitable metals include Group 11 metals, Group 4-6 metals, and Group 8-10 transition metals. When making the anode light transmissive, mixed metal oxides (such as indium-tin-oxide) of Group 12, Group 13 and Group 14 metals are generally used. The anode 110 is “Flexible light-emitting diodes made from a solid conducting polymer,” Nature vol. 357, pp 477-479 (11 June 1992), and can also contain organic substances such as polyaniline. At least one of the anode and the cathode is desirably at least partially transparent so that the generated light can be seen.

陰極160は、電子または負の電荷担体を注入するのに特に効率的な電極である。陰極は、陽極よりも仕事関数の小さい任意の金属または非金属であってよい。陰極用の物質は、1族のアルカリ金属(例えば、Li、Cs)、2族の(アルカリ土類)金属、12族の金属(希土類元素およびランタニドを含む)、およびアクチニドから選択できる。アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムなどの物質、ならびにそれらの組合せを使用できる。動作電圧を下げるために、有機層と陰極層との間にLi含有またはCs含有の有機金属化合物、LiF、CsF、およびLi2Oを付着させることもできる。 The cathode 160 is an electrode that is particularly efficient for injecting electrons or negative charge carriers. The cathode may be any metal or nonmetal that has a lower work function than the anode. The material for the cathode can be selected from Group 1 alkali metals (eg, Li, Cs), Group 2 (alkaline earth) metals, Group 12 metals (including rare earth elements and lanthanides), and actinides. Materials such as aluminum, indium, calcium, barium, samarium and magnesium, and combinations thereof can be used. In order to lower the operating voltage, Li-containing or Cs-containing organometallic compounds, LiF, CsF, and Li 2 O can be deposited between the organic layer and the cathode layer.

有機電子デバイス中に別の層を設けることが知られている。例えば、注入される正電荷の量を制御するため、かつ/または層のバンドギャップを一致させるため、あるいは保護層として機能するための、陽極110と正孔注入層120との間の層(図示せず)があってよい。当該技術分野において知られている層を使用でき、それには、銅フタロシアニン、酸窒化ケイ素、フルオロカーボン類、シラン類、または金属(Ptなど)の極薄層がある。あるいはまた、陽極層110、活性層120、130、140、および150、または陰極層160の一部または全部を表面処理して、電荷担体輸送効率を増大させることができる。各成分層の物質の選択は、好ましくは、デバイスが高いエレクトロルミネセンス効率となるように正電荷と負電荷を釣り合わせることにより決定する。こうした層のいずれかまたはすべてが重水素化物質を含むことができる。   It is known to provide another layer in an organic electronic device. For example, a layer between the anode 110 and the hole injection layer 120 to control the amount of positive charge injected and / or to match the band gap of the layer or to function as a protective layer (see FIG. (Not shown). Layers known in the art can be used, including ultrathin layers of copper phthalocyanine, silicon oxynitride, fluorocarbons, silanes, or metals (such as Pt). Alternatively, part or all of the anode layer 110, the active layers 120, 130, 140, and 150, or the cathode layer 160 can be surface treated to increase charge carrier transport efficiency. The choice of material for each component layer is preferably determined by balancing positive and negative charges so that the device has high electroluminescence efficiency. Any or all of these layers can include a deuterated material.

各機能層は、複数の層で構成できることが理解される。   It is understood that each functional layer can be composed of a plurality of layers.

好適な基板上に個々の層を順次蒸着させることを含め、さまざまな技法でデバイスを作製できる。ガラス、プラスチック、および金属などの基板を使用できる。熱蒸発、化学蒸着などの従来の蒸着手法を使用できる。あるいはまた、スピンコーティング、浸漬塗装、ロール間技法(roll−to−roll techniques)、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷などの従来のコーティング技法または印刷技法(但し、それらに限定されない)を用いて、適切な溶媒の分散液または溶液から有機層を施すことができる。   Devices can be made by a variety of techniques, including the sequential deposition of individual layers on a suitable substrate. Substrates such as glass, plastic, and metal can be used. Conventional vapor deposition techniques such as thermal evaporation and chemical vapor deposition can be used. Alternatively, using conventional coating techniques or printing techniques such as but not limited to spin coating, dip coating, roll-to-roll techniques, inkjet printing, screen printing, gravure printing, The organic layer can be applied from a dispersion or solution of a suitable solvent.

実施形態によっては、有機発光デバイスを製造するための方法は、
パターン化陽極をその上に有する基板を用意することと;
(a)重水素化重水素化電気的活性物質と(b)液状媒体とを含む第1液体組成物を付着させることによって電気的活性層を形成することと;
陰極全体を形成することと
を含む。
In some embodiments, the method for manufacturing an organic light emitting device is:
Providing a substrate having a patterned anode thereon;
Forming an electrically active layer by depositing a first liquid composition comprising (a) a deuterated deuterated electroactive material and (b) a liquid medium;
Forming the entire cathode.

「液体組成物」という用語は、1種または複数種の物質を溶かして溶液にした液状媒体、1種または複数種の物質を分散させて分散液にした液状媒体、または1種または複数種の物質を懸濁させて懸濁液またはエマルジョンにした液状媒体を含むことを意図する。   The term “liquid composition” means a liquid medium in which one or more substances are dissolved to form a solution, a liquid medium in which one or more substances are dispersed to form a dispersion, or one or more kinds of liquid compositions. It is intended to include a liquid medium in which the substance is suspended into a suspension or emulsion.

上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化正孔注入物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化正孔輸送物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化エレクトロルミネセンス物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化ホスト物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化電子輸送物質である。上記の方法の実施形態によっては、重水素化電気的活性物質は重水素化化学的閉じ込め物質である。   In some of the method embodiments described above, the deuterated electroactive material is a deuterated hole injection material. In some of the above method embodiments, the deuterated electroactive material is a deuterated hole transport material. In some of the method embodiments described above, the deuterated electroactive material is a deuterated electroluminescent material. In some of the above method embodiments, the deuterated electroactive material is a deuterated host material. In some of the above method embodiments, the deuterated electroactive material is a deuterated electron transport material. In some of the method embodiments described above, the deuterated electroactive material is a deuterated chemical confinement material.

実施形態によっては、この方法は、
第2液状媒体中に第2重水素化電気的活性物質を含んでいる第2液体組成物を付着させることによって第2電気的活性層を形成すること
をさらに含む。
In some embodiments, the method includes:
The method further includes forming a second electroactive layer by depositing a second liquid composition including a second deuterated electroactive material in the second liquid medium.

実施形態によっては、第2重水素化電気的活性物質は、重水素化正孔注入物質、重水素化正孔輸送物質、重水素化エレクトロルミネセンス物質、重水素化ホスト物質、重水素化電子輸送物質、および重水素化化学的閉じ込め物質よりなる群から選択される。   In some embodiments, the second deuterated electroactive material is a deuterated hole injection material, a deuterated hole transport material, a deuterated electroluminescent material, a deuterated host material, a deuterated electron. Selected from the group consisting of transport materials and deuterated chemical confinement materials.

連続および不連続技法を含め任意の周知の液体付着技法または技法の組合せを使用できる。連続液体付着技法の例としては、スピンコーティング、グラビアコーティング、カーテンコーティング、浸漬被覆、スロットダイコーティング、吹付け塗り、および連続ノズル印刷(continuous nozzle printing)があるが、これらに限定されない。不連続付着技法の例としては、インクジェット印刷、グラビア印刷、およびスクリーン印刷があるが、これらに限定されない。実施形態によっては、電気的活性層は、連続ノズルコーティングおよびインクジェット印刷から選択される方法でパターン状に形成される。ノズル印刷は連続技法と見なすことができるが、パターンは、層を形成させる所望の領域の上だけにノズルを配置することによって形成できる。例えば、連続した列のパターンを形成できる。   Any known liquid deposition technique or combination of techniques can be used, including continuous and discontinuous techniques. Examples of continuous liquid deposition techniques include, but are not limited to, spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot die coating, spray coating, and continuous nozzle printing. Examples of discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing. In some embodiments, the electroactive layer is formed in a pattern by a method selected from continuous nozzle coating and ink jet printing. While nozzle printing can be viewed as a continuous technique, the pattern can be formed by placing the nozzles only over the desired areas where the layers are to be formed. For example, a continuous row pattern can be formed.

付着させる特定の組成物用の好適な液状媒体は、当業者が容易に決めることができる。用途によっては、化合物を非水溶媒に溶かすのが望ましい。そのような非水溶媒は、比較的極性でありうるか(C1〜C20のアルコール、エーテル、および酸エステルなど)、あるいは比較的非極性でありうる(C1〜C12のアルカンまたは芳香族化合物(トルエン、キシレン、トリフルオロトルエンなど)など)。新規の化合物を含む液体組成物を(本明細書に記載されている溶液または分散液のいずれかとして)作るのに好適な別の液体として、塩素化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼンなど)、芳香族炭化水素(置換または非置換のトルエンまたはキシレンなどで、トリフルオロトルエンを含む)、極性溶媒(テトラヒドロフラン(THF)、N−メチルピロリドン(NMP)など)、エステル(酢酸エチルなど)、アルコール(イソプロパノールなど)、ケトン(シクロペンタトン(cyclopentatone)など)、またはそれらの任意の混合物があるが、それらに限定されない。エレクトロルミネセンス物質用の溶媒の混合物の例は、例えば、米国特許出願公開第2008−0067473号明細書に記載されている。 Suitable liquid media for the particular composition to be deposited can be readily determined by one skilled in the art. Depending on the application, it may be desirable to dissolve the compound in a non-aqueous solvent. Such non-aqueous solvents can be relatively polar (such as C 1 -C 20 alcohols, ethers, and acid esters), or can be relatively non-polar (C 1 -C 12 alkanes or aromatics). Compounds (toluene, xylene, trifluorotoluene, etc.). Chlorinated hydrocarbons (such as methylene chloride, chloroform, chlorobenzene, etc.) as other liquids suitable for making liquid compositions containing new compounds (either as solutions or dispersions described herein) , Aromatic hydrocarbons (such as substituted or unsubstituted toluene or xylene, including trifluorotoluene), polar solvents (such as tetrahydrofuran (THF), N-methylpyrrolidone (NMP)), esters (such as ethyl acetate), alcohols (Such as isopropanol), ketones (such as cyclopentatone), or any mixture thereof, but are not limited thereto. Examples of solvent mixtures for electroluminescent materials are described, for example, in US Patent Application Publication No. 2008-0067473.

付着後に、物質を乾燥させて層を形成させる。加熱、真空、およびそれらの組合せを含め、従来の任意の乾燥技法を使用できる。   After deposition, the material is dried to form a layer. Any conventional drying technique can be used, including heating, vacuum, and combinations thereof.

実施形態によっては、デバイスは、正孔注入層、正孔輸送層、および電気的活性層の液体付着、ならびに陽極、電子輸送層、電子注入層および陰極の蒸着によって製造される。   In some embodiments, the device is fabricated by liquid deposition of a hole injection layer, a hole transport layer, and an electrically active layer, and evaporation of the anode, electron transport layer, electron injection layer, and cathode.

8.重水素化物質の合成
本明細書に記載の化合物の非重水素化類似体は、周知のカップリングおよび置換反応で調製できる。次いで新規の重水素化合物は、重水素化前駆体物質を用いるか、あるいは、より一般的には、ルイス酸H/D交換触媒(三塩化アルミニウムまたはエチルアルミニウムクロライド(ethyl aluminum chloride)など)、または酸(CF3COOD、DClなど)の存在下で、非重水素化合物を重水素化溶媒(d6−ベンゼンなど)で処理することにより、同じような仕方で調製できる。例示的な調製物を実施例に示す。重水素化のレベルは、NMR分析および質量分析法(大気圧固体分析プローブ質量分析法(ASAP−MS)など)によって求めることができる。
8). Synthesis of Deuterated Materials Non-deuterated analogs of the compounds described herein can be prepared by well-known coupling and substitution reactions. The new deuterium compound then uses a deuterated precursor material, or more commonly a Lewis acid H / D exchange catalyst (such as aluminum trichloride or ethyl aluminum chloride), or It can be prepared in a similar manner by treating a non-deuterium compound with a deuterated solvent (such as d6-benzene) in the presence of an acid (such as CF 3 COOD, DCl). Exemplary preparations are shown in the examples. The level of deuteration can be determined by NMR analysis and mass spectrometry (such as atmospheric pressure solid analysis probe mass spectrometry (ASAP-MS)).

過重水素化または部分重水素化された芳香族化合物またはアルキル化合物の出発物質は、製品供給元から購入できるか、または周知の方法を用いて得ることができる。そのような方法の幾つかの例は、a)“Efficient H/D Exchange Reactions of Alkyl−Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd/C-H2-D2O System” Hiroyoshi Esaki,Fumiyo Aoki,Miho Umemura,Masatsugu Kato,Tomohiro Maegawa,Yasunari Monguchi,and Hironao Sajiki Chem.Eur.J.2007,13,4052−4063; b)“Aromatic H/D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides” GUO,Qiao−Xia,SHEN,Bao−Jian;GUO,Hai−Qing TAKAHASHI,Tamotsu Chinese Journal of Chemistry,2005,23,341−344; c)“A novel deuterium effect on dual charge−transfer and ligand−field emission of the cis−dichlorobis(2,2’−bipyridine)iridium(III)ion” Richard J.Watts,Shlomo Efrima,and Horia Metiu J.Am.Chem.Soc.,1979,101(10),2742−2743; d)“Efficient H−D Exchange of Aromatic Compounds in Near−Critical D20 Catalysed by a Polymer−Supported Sulphonic Acid”Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40(1999)4433−4436; e)US3849458; f)“Efficient C−H/C−D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd/C in D2O”Hironao Sajiki,Fumiyo Aoki,Hiroyoshi Esaki,Tomohiro Maegawa,and Kosaku Hirota Org.Lett.,2004,6(9),1485−1487の中に見出すことができる。   Starting materials for perdeuterated or partially deuterated aromatics or alkyl compounds can be purchased from product suppliers or obtained using well-known methods. Some examples of such methods are: a) “Efficient H / D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzen Derivatives by Means of the Pd / C-H2-D2O System”. , Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. et al. 2007, 13, 4052-4063; b) “Aromatic H / D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chords,” GUO, Qiao-Xia, SHEN, BaO-Jian; GUH, QIA-Xia, SHEN, Bao-Jian; , 2005, 23, 341-344; c) “A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis (2,2′-bipyridine) (R)”. . Watts, Shlomo Efrima, and Horia Metiu J. et al. Am. Chem. Soc. , 1979, 101 (10), 2742-2743; d) "Efficient HD Exchange of Aromatic Compounds in Near-Critical D20 Catalyzed by a Polymer-Supreme E) US 3849458; f) "Efficient C-H / C-D Exchange Reaction on the Alky Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd / C in D2O". onao Sajiki, Fumiyo Aoki, Hiroyoshi Esaki, Tomohiro Maegawa, and Kosaku Hirota Org. Lett. 2004, 6 (9), 1485-1487.

本明細書に記載の化合物は、液体付着技法を用いて膜にすることができる。驚くべきことに、こうした化合物は、予想外にも類似の非重水素化合物と比べて非常に特性が向上している。本明細書に記載の化合物を持つ活性層を含んだ電子デバイスは、寿命が大幅に向上した。加えて、量子効率が高くかつ彩度が良好な状態で、その寿命の増大が達成されている。さらに、本明細書に記載の重水素化合物は、非重水素化類似体よりも空気露出耐性(air tolerance)が大きい。そのため、物質の調製および精製の両方における処理耐久性(processing tolerance )が増大しうるし、またその物質を用いた電子デバイスが形成されうる。   The compounds described herein can be made into films using liquid deposition techniques. Surprisingly, these compounds unexpectedly have significantly improved properties compared to similar non-deuterium compounds. Electronic devices that include active layers having the compounds described herein have significantly improved lifetime. In addition, the lifetime has been increased with high quantum efficiency and good saturation. In addition, the deuterium compounds described herein have greater air tolerance than non-deuterated analogs. Therefore, processing tolerance in both preparation and purification of the material can be increased, and electronic devices using the material can be formed.

以下の実施例は、本発明の特定の特徴および利点を示す。それらは、本発明を例示することを意図したものであり、限定するものではない。百分率はすべて、特に記載がない限り、重量百分率である。   The following examples illustrate certain features and advantages of the present invention. They are intended to be illustrative of the invention and not limiting. All percentages are weight percentages unless otherwise stated.

合成の実施例1
この実施例は、重水素化正孔注入物質であるD−HIJ−1の調製を例示する。
Example 1 of synthesis
This example illustrates the preparation of D-HIJ-1, a deuterated hole injection material.

a.重水(D2O)中にジュウテロHFAPを含む分散液の調製
テトラフルオロエチレン(「TFE」)とパーフルオロ−3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホン酸(「PSEPVE」)とのコポリマーを、以下のようにして、重水素化しD2O中にコロイド分散させたものにした。最初に、987グラム(1つの酸性部位当たりのコポリマーの重量)ごとにスルホン酸の1個の陽子を有するポリ(TFE−PSEPVE)を、温度がおよそ270℃であること以外は米国特許第6,150,426号明細書の実施例1の第2部の手順と似た手順を用いて、水分散液にした。非重水素化ポリ(TFE−PSEPVE)分散液を、液体の深さが5/8″以下であるトレー上でポリ(TFE−PSEPVE)の易流動性固体フレークに変えた。次いでそのトレーを0℃未満にして、まず水分散液を凍結させた。凍結したなら、水の大部分が除去されるまで1mmHg以下の部分真空圧にした。次いで、部分乾燥させた固体を真空圧下で約30℃まで引き上げて、ポリマーを合体させることなく水分を完全に除去した。
a. Heavy water and (D 2 O) Preparation tetrafluoroethylene dispersion containing Juutero HFAP in ( "TFE") and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octene-sulfonic acid ( "PSEPVE") The copolymer was deuterated and colloidally dispersed in D 2 O as follows. Initially, poly (TFE-PSEPVE) with one proton of sulfonic acid per 987 grams (weight of copolymer per acidic site) was measured according to US Pat. No. 6, except that the temperature was approximately 270 ° C. An aqueous dispersion was made using a procedure similar to that of Part 2 of Example 1 of the 150,426 specification. The non-deuterated poly (TFE-PSEPVE) dispersion was converted to poly (TFE-PSEPVE) free-flowing solid flakes on a tray having a liquid depth of 5/8 "or less. First, the aqueous dispersion was frozen at less than 0 ° C. Once frozen, a partial vacuum pressure of 1 mmHg or less was applied until most of the water was removed, then the partially dried solid was about 30 ° C. under vacuum pressure. The water was completely removed without coalescence of the polymer.

21gの固体フレークの非重水素化ポリ(TFE−PSEPVE)(水を除去するために真空オーブン中で事前乾燥させたもの)を、金属円筒管(窒素で事前洗浄したもの)の中に入れた。Cambridge Isotope Lab,Inc.から購入した150gのD2Oを直ちに、ポリ(TFE−PSEPVE)の入った管に加えた。圧力実験室において、その管に蓋をして約270℃まで加熱してから室温まで冷却して、固体フレークが、D2O中にポリ(TFE−PSEPVE)を含むコロイド分散液になるようにした。さらに、重水素よりも圧倒的に多いポリ(TFE−PSEPVE)中の陽子を、重水素と置き換えて、ポリ(TFE−PSEPVE)の重水素化を完了させた。D2O中に重水素化ポリ(TFE−PSEPVE)(「D−ポリ(TFE−PSEPVE)」)を含む分散液をさらに処理して大きな粒子を除去した。D2O分散液中のD−ポリ(TFE−PSEPVE)の重量%は、重量法で測定すると、分散液の全重量を基準にして11.34重量%であった。 21 g of solid flakes non-deuterated poly (TFE-PSEPVE) (pre-dried in a vacuum oven to remove water) was placed in a metal cylinder tube (pre-cleaned with nitrogen). . Cambridge Isotop Lab, Inc. 150 g of D 2 O purchased from was immediately added to the tube containing poly (TFE-PSEPVE). In a pressure laboratory, the tube is capped and heated to about 270 ° C. and then cooled to room temperature so that the solid flakes are a colloidal dispersion containing poly (TFE-PSEPVE) in D 2 O. did. Furthermore, the deuteration of poly (TFE-PSEPVE) was completed by replacing the protons in poly (TFE-PSEPVE), which is overwhelmingly higher than deuterium, with deuterium. A dispersion containing deuterated poly (TFE-PSEPVE) in D 2 O (“D-poly (TFE-PSEPVE)”) was further treated to remove large particles. The weight% of D-poly (TFE-PSEPVE) in the D 2 O dispersion was 11.34% by weight based on the total weight of the dispersion as measured by the gravimetric method.

b.ジュウテロHFAP、および重水(D2O)中にジュウテロHFAPを含む分散液を作る直接的方法。 b. Deutero HFAP and a direct method of making a dispersion comprising deutero HFAP in heavy water (D 2 O).

テトラフルオロエチレン(「TFE」)とパーフルオロ−3,6−ジオキサ−4−メチル−7−オクテンスルホン酸(「PSEPVE」)とのコポリマーを、以下のようにして重水素化し、D2O中にコロイド分散させた液にすることができる。987グラム(1つの酸性部位当たりのコポリマーの重量)ごとにスルホン酸の1個の陽子を有するポリ(TFE−PSEPVE)樹脂を、温度がおよそ270℃であり、かつD2Oを使用すること以外は、米国特許第6,150,426号明細書の実施例1の第2部の手順と似た手順を用いてD2O分散液にすることができる。 A copolymer of tetrafluoroethylene (“TFE”) and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octenesulfonic acid (“PSEPVE”) is deuterated as follows in D 2 O The liquid can be colloidally dispersed in the liquid. Poly (TFE-PSEPVE) resin with one proton of sulfonic acid per 987 grams (weight of copolymer per acidic site), except that the temperature is approximately 270 ° C. and D 2 O is used Can be made into a D2O dispersion using a procedure similar to that of Part 2 of Example 1 of US Pat. No. 6,150,426.

c.重水素化HFAPがドープされた重水素化導電性ポリマーの調製
重水素化ピロール(「D5−Py」)(式量:72.12)をAldrich Chemical Company(Milwaukee,WI)から購入した。この褐色の液体を、使用前に減圧下で分別蒸留した。無色の留出液は、13C NMR分光法で特性を決定して構造を確認した。
c. Preparation of Deuterated Conducting Polymer Doped with Deuterated HFAP Deuterated pyrrole (“D 5 -Py”) (formula: 72.12) was purchased from Aldrich Chemical Company (Milwaukee, Wis.). This brown liquid was fractionally distilled under reduced pressure before use. The colorless distillate was characterized by 13 C NMR spectroscopy to confirm the structure.

D−ポリ(TFE−PSEPVE)/D2O分散液中のD5−Pyの重合を、以下のようにして実施した。実施例1で調製した70.2gのD−ポリ(TFE−PSEPVE)/D2Oを秤量して500mLの樹脂反応がまに最初に入れ、それからさらに14gのD2Oを入れた。D−ポリ(TFE−PSEPVE)/D2Oの量は、8.14ミリモルの酸に相当する。反応がまに、オーバーヘッド撹拌機を有するガラスの蓋をした。D−ポリ(TFE−PSEPVE)/D2Oを攪拌しながら、0.135g(0.26ミリモル)の硫酸第二鉄および0.62g(2.6ミリモル)のNa228(事前に10mLに溶かしたもの)をD−ポリ(TFE−PSEPVE)/D2Oに加えた。その後すぐに、0.175g(2.43ミリモル)のD5−Py(7mLのD2Oに事前に溶かしたもの)を1分以内に混合物に加えた。D5−Pyが添加されるとすぐに、重合が開始した。重合を10分間進行させた。成分の追加および重合は窒素下で行った。10分間の終わりに、Dowex M−43樹脂を樹脂反応がまに加え、およそ5分間混合した。417濾紙による真空濾過の後、Dowex M−31 Na+樹脂を混合物に加え、5分間混合した。417濾紙を用いて、得られた物質をもう一度真空濾過した。D−ポリ(TFE−PSEPVE)がドープされた重水素化ポリピロール(「ポリ(D5−Py)/D−ポリ(TFE−PSEPVE)」)のD2O分散液をイオン交換された樹脂で再び処理して、分散液をさらに精製した。その分散液には、1.79ppmのサルフェート、および0.79ppmの塩化物が含まれているだけであった。分散液の固体の%は、測定すると4.3%となり、pHを測定すると5.2となった。ドライボックス中で30分間275℃においてベーキングされたキャストフィルムの電気伝導率は、測定すると室温において〜1×10-6S/cmとなった。 Polymerization of D 5 -Py in the D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O dispersion was carried out as follows. 70.2 g of D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O prepared in Example 1 was weighed and 500 mL of the resin reaction kettle was initially charged, followed by an additional 14 g of D 2 O. The amount of D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O corresponds to 8.14 mmol of acid. The reaction kettle was capped with a glass with an overhead stirrer. While stirring D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O, 0.135 g (0.26 mmol) ferric sulfate and 0.62 g (2.6 mmol) Na 2 S 2 O 8 (pre- In 10 mL) was added to D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O. Immediately thereafter, 0.175 g (2.43 mmol) of D 5 -Py (predissolved in 7 mL of D 2 O) was added to the mixture within 1 minute. As soon as D 5 -Py was added, polymerization started. The polymerization was allowed to proceed for 10 minutes. Component addition and polymerization were carried out under nitrogen. At the end of 10 minutes, Dowex M-43 resin was added to the resin reaction kettle and mixed for approximately 5 minutes. After vacuum filtration through 417 filter paper, Dowex M-31 Na + resin was added to the mixture and mixed for 5 minutes. The resulting material was vacuum filtered once more using 417 filter paper. A D 2 O dispersion of deuterated polypyrrole doped with D-poly (TFE-PSEPVE) (“Poly (D 5 -Py) / D-Poly (TFE-PSEPVE)”) again with ion-exchanged resin. Upon processing, the dispersion was further purified. The dispersion only contained 1.79 ppm sulfate and 0.79 ppm chloride. The% solids in the dispersion was measured to be 4.3% and the pH measured to 5.2. The measured electrical conductivity of the cast film baked at 275 ° C. for 30 minutes in the dry box was ˜1 × 10 −6 S / cm at room temperature.

合成の実施例2
この実施例は、重水素化正孔輸送物質(HT5)の製法を例示するものである。これを以下に示すが、ここで、R1=n−プロピル、R2=n−オクチル、y=0およびx=42である:
Example 2 of synthesis
This example illustrates a method for producing a deuterated hole transport material (HT5). This is shown below, where R 1 = n-propyl, R 2 = n-octyl, y = 0 and x = 42:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

この化合物は以下の方式に従って作られる。 This compound is made according to the following scheme.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

中間化合物Y1の合成:
窒素雰囲気下において、AlCl3(0.17g、1.29ミリモル)を、2,2’−ジオクチル−4,4’−ジブロモ−1,1’−ビナフチレン(2.328g、3.66ミリモル)のC66(100mL)溶液に加えた。得られた混合物を室温で30分間攪拌し、その後、D2O(50mL)を加えた。層を分離させてから、水層をCH2Cl2(2×30mL)で洗浄した。一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、揮発分を回転蒸発で除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製した。化合物Y1を白色粉末として得た(1.96g)。
Synthesis of intermediate compound Y1:
Under a nitrogen atmosphere, AlCl 3 (0.17 g, 1.29 mmol) was added to 2,2′-dioctyl-4,4′-dibromo-1,1′-binaphthylene (2.328 g, 3.66 mmol). C 6 D 6 (100 mL) was added to the solution. The resulting mixture was stirred at room temperature for 30 minutes, after which D 2 O (50 mL) was added. The layers were separated and the aqueous layer was washed with CH 2 Cl 2 (2 × 30 mL). The combined organic layers were dried over magnesium sulfate and volatiles were removed by rotary evaporation. The crude product was purified by column chromatography. Compound Y1 was obtained as a white powder (1.96 g).

中間化合物Y2の合成: Synthesis of intermediate compound Y2:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物Y2は、上記の中間化合物C1の製法と類似の手順を用いて化合物Y1から作ることができる。化合物Y2は、クロマトグラフィーを用いて精製する。   Compound Y2 can be made from compound Y1 using a procedure similar to the method for preparing intermediate compound C1 described above. Compound Y2 is purified using chromatography.

中間化合物Y3の合成: Synthesis of intermediate compound Y3:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素下で、100mLの丸底フラスコに、化合物Y2(2.100g、2.410ミリモル)およびジクロロメタン(30mL)を仕込んだ。それを5分間攪拌されるようにし、その後、トリフルオロ酢酸(1.793mL)を加え、反応を一晩攪拌放置した。反応が完了してから、飽和炭酸ナトリウム溶液を用いてそれを急冷した。水を除去し、CH2Cl2で洗浄し、一緒にした有機層を蒸発乾燥させた。残留物はジエチルエーテル中に溶解した。生成物を炭酸ナトリウム、ブラインおよび水で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。化合物Y3はクロマトグラフィーを用いて精製し、1.037gを得た。   Under nitrogen, a 100 mL round bottom flask was charged with compound Y2 (2.100 g, 2.410 mmol) and dichloromethane (30 mL). It was allowed to stir for 5 minutes, after which trifluoroacetic acid (1.793 mL) was added and the reaction was left stirring overnight. When the reaction was complete, it was quenched with saturated sodium carbonate solution. Water was removed, washed with CH2Cl2, and the combined organic layers were evaporated to dryness. The residue was dissolved in diethyl ether. The product was washed with sodium carbonate, brine and water and dried with magnesium sulfate. Compound Y3 was purified using chromatography to obtain 1.037 g.

化合物の構造は、図2に示すように1H NMRで確認した。 The structure of the compound was confirmed by 1 H NMR as shown in FIG.

中間化合物Y4の合成: Synthesis of intermediate compound Y4:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

C6D6(20mL)中に4−ブロモ−4’−プロピルビフェニル(5.10g、18.53ミリモル)を含む溶液を、30分間窒素で洗浄した。ヘキサン中にエチルアルミニウムジクロリド溶液を含む1.0M溶液(4.0mL、4.0ミリモル)を注射器で滴加し、反応混合物を環流させながら1.75時間にわたって窒素雰囲気下で加熱した。窒素雰囲気下で室温まで冷却した後、重水(20mL)を加え、その混合物を振盪してから層を分離させる。水層をベンゼン(3×10mL)で抽出し、一緒にした有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮した。こうして得られた生成物をさらに2回、上記の反応条件に繰り返しさらした。3回目の処理の後に、粗生成物をエタノール(20mL)から再結晶させて、化合物Y4(1.01g)を白色固体として得る。Mp 110.1〜111.6℃。純度(UPLC):100%。Y4の1H NMスペクトルは、芳香族の8個の陽子が重水素で置換された場合の平均7.64と一致していた。 A solution of 4-bromo-4′-propylbiphenyl (5.10 g, 18.53 mmol) in C6D6 (20 mL) was washed with nitrogen for 30 minutes. A 1.0 M solution containing ethylaluminum dichloride solution in hexane (4.0 mL, 4.0 mmol) was added dropwise via syringe and the reaction mixture was heated at reflux under a nitrogen atmosphere for 1.75 hours. After cooling to room temperature under a nitrogen atmosphere, heavy water (20 mL) is added and the mixture is shaken before the layers are separated. The aqueous layer was extracted with benzene (3 × 10 mL) and the combined organic phases were dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated by rotary evaporation. The product thus obtained was repeatedly subjected to the above reaction conditions twice more. After the third treatment, the crude product is recrystallized from ethanol (20 mL) to give compound Y4 (1.01 g) as a white solid. Mp 110.1-111.6 ° C. Purity (UPLC): 100%. The 1 H NM spectrum of Y4 was consistent with an average of 7.64 when 8 aromatic protons were replaced with deuterium.

中間化合物Y5の合成: Synthesis of intermediate compound Y5:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、化合物Y3(1.04g、1.55ミリモル)、Y4(0.80g、2.82ミリモル)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(81mg、0.09ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン(42mg、0.21モル%)およびトルエン(25mL)を混ぜ合わせた。ナトリウムt−ブトキシド(0.52g、5.41ミリモル)を加えて、反応を室温で40時間攪拌した。次いで、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(50mg、0,05ミリモル)、トリ−t−ブチルホスフィン(30mg、0.15ミリモル)およびY4(196mg、0.69ミリモル)を加え、さらに反応混合物を50℃まで温めた。さらに72時間たった後、反応混合物をセライトのパッドに通して濾過し、CH2Cl2(50mL)で洗った。濾過液をロータリーエバポレーターで濃縮し、真空下で乾燥させた。生成物は、シリカゲルによる中圧(medium pressure)液体クロマトグラフィー(0〜40%の勾配の塩化メチレン/ヘキサン)で精製して、0.99g(59%の収率)の白色固体を得た。NMR分析により、4,4’−および4,5’−位置異性体の混合物として中間化合物Y5の構造が確認された。純度(UPLC):99.3%。   Under nitrogen atmosphere, compound Y3 (1.04 g, 1.55 mmol), Y4 (0.80 g, 2.82 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (81 mg, 0.09 mmol), Tri-t-butylphosphine (42 mg, 0.21 mol%) and toluene (25 mL) were combined. Sodium t-butoxide (0.52 g, 5.41 mmol) was added and the reaction was stirred at room temperature for 40 hours. Tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (50 mg, 0.05 mmol), tri-t-butylphosphine (30 mg, 0.15 mmol) and Y4 (196 mg, 0.69 mmol) were then added, and The reaction mixture was warmed to 50 ° C. After an additional 72 hours, the reaction mixture was filtered through a pad of celite and washed with CH2Cl2 (50 mL). The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and dried under vacuum. The product was purified by medium pressure liquid chromatography on silica gel (0-40% gradient methylene chloride / hexane) to give 0.99 g (59% yield) of a white solid. NMR analysis confirmed the structure of intermediate compound Y5 as a mixture of 4,4'- and 4,5'-positional isomers. Purity (UPLC): 99.3%.

中間化合物Y6の合成: Synthesis of intermediate compound Y6:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

ステップ1:重水素化4−ブロモビフェニルの調製
C6D6(20mL)中に4−ブロモビフェニル(4.66g、20.0ミリモル)を含む溶液を窒素で30分間洗浄した。ヘキサン中にエチルアルミニウムジクロリド溶液を含む1.0M溶液(4.0mL、4.0ミリモル)を注射器で滴加し、反応混合物を環流させながら50分間にわたって窒素雰囲気下で加熱した。窒素雰囲気下で室温まで冷却した後、重水(20mL)を加え、その混合物を振盪してから層を分離させる。有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮する。こうして得られた生成物をさらに4回、上記の反応条件に繰り返しさらした。5回目の処理の後、粗生成物をエタノール(20mL)から再結晶させて、ステップ1の表題化合物(2.26g)を白色固体として得た。Mp 92.8〜94.1℃。純度(UPLC):98.14%。質量スペクトルは、6〜9個の重水素原子が取り込まれたことを示した。
Step 1: Preparation of deuterated 4-bromobiphenyl A solution of 4-bromobiphenyl (4.66 g, 20.0 mmol) in C6D6 (20 mL) was washed with nitrogen for 30 minutes. A 1.0 M solution of ethylaluminum dichloride solution in hexane (4.0 mL, 4.0 mmol) was added dropwise with a syringe and the reaction mixture was heated at reflux under nitrogen atmosphere for 50 minutes. After cooling to room temperature under a nitrogen atmosphere, heavy water (20 mL) is added and the mixture is shaken before the layers are separated. The organic phase is dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated by rotary evaporation. The product thus obtained was repeatedly exposed to the above reaction conditions four more times. After the fifth treatment, the crude product was recrystallized from ethanol (20 mL) to give the title compound of Step 1 (2.26 g) as a white solid. Mp 92.8-94.1 ° C. Purity (UPLC): 98.14%. The mass spectrum showed that 6-9 deuterium atoms were incorporated.

ステップ2:Y6の調製:
ステップ1の生成物(2.26g、9.36ミリモル)およびヨウ素酸(687mg)を酢酸(40mL)中に溶かした。ヨウ素チップ(1.56g)を加え、その後に濃硫酸(1.0mL)と水(2.0mL)を加えて、反応混合物を210分間加熱還流した。室温まで冷却した後、沈殿物を濾過で回収し、水で洗浄し、次いでメタノールで洗浄した(それぞれ20mL)。粗生成物をEtOH/EtOAc(1/1)で再結晶させて、Y6(1.31g)を白色固体として得た。Mp 179.0〜181.3℃。純度(UPLC):100%。質量スペクトルは、平均6〜7個の重水素原子が取り込まれたことを示した。
Step 2: Preparation of Y6:
The product of Step 1 (2.26 g, 9.36 mmol) and iodic acid (687 mg) were dissolved in acetic acid (40 mL). Iodine chips (1.56 g) were added, followed by concentrated sulfuric acid (1.0 mL) and water (2.0 mL), and the reaction mixture was heated to reflux for 210 minutes. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, washed with water and then with methanol (20 mL each). The crude product was recrystallized with EtOH / EtOAc (1/1) to give Y6 (1.31 g) as a white solid. Mp 179.0-181.3C. Purity (UPLC): 100%. The mass spectrum showed that an average of 6-7 deuterium atoms were incorporated.

中間化合物Y7の合成: Synthesis of intermediate compound Y7:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素洗浄したグローブボックス内で、電磁撹拌機、温度計および還流凝縮器(閉鎖位置にされたガス注入アダプター(gas inlet adaptor)が上部にあるもの)を備えた三つ口丸底フラスコに、Y5(986mg、0.92ミリモル)、Y6(1.30g、3.55ミリモル)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(124mg、14.8モル%)、ビス(ジフェニルホスホノフェロセン(bis(diphenylphosphinoferrocene))(151mg、29.6モル%)およびトルエン(20mL)を、開口部(open neck)から仕込んだ。ナトリウムt−ブトキシド(0.30g、3.12ミリモル)を加え、開口部に蓋をし、反応器をグローブボックスから取り出した。窒素バブラーホースをガス注入アダプターに取り付けて、やや正圧の窒素下でストップコックを回して開放位置にした。環流させながら反応を加熱した。21時間後に、反応は、アリコートのUPLC分析により完了したと判断されたので、反応を室温まで冷やした。反応混合物をセライトのパッドに通して濾過し、CH2Cl2で洗浄した。濾過液を回転蒸発で濃縮した。粗生成物を高真空下で乾燥させ、シリカゲルによる中圧液体クロマトグラフィー(0〜40%の勾配の塩化メチレン/ヘキサン)で精製して、1.21の白色固体を得た。その固体を沸騰メタノールと共に2時間すり砕いて0.975gのY7を得た。1H NMR分析により、中間化合物Y7の構造が4,4’−および4,5’−位置異性体混合物の混合物であることが確認され、また平均して14個の芳香族の陽子が残っていることが示された。このことは、50個のうち36個の芳香族の水素が重水素で置換されていることを確証している質量スペクトルの親イオン(m/z 1550.3)によって裏付けられた。純度(UPLC):>99%。 In a nitrogen-washed glove box, a three-necked round bottom flask equipped with a magnetic stirrer, thermometer and reflux condenser (with a gas inlet adapter at the top in the closed position) in a Y5 (986 mg, 0.92 mmol), Y6 (1.30 g, 3.55 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (124 mg, 14.8 mol%), bis (diphenylphosphonoferrocene (bis) (Diphenylphosphinoferrocene)) (151 mg, 29.6 mol%) and toluene (20 mL) were charged from the open neck Sodium t-butoxide (0.30 g, 3.12 mmol) was added to the opening. The lid was removed and the reactor was removed from the glove box. A gas bubble adapter hose was attached to the gas injection adapter and the stopcock was turned to an open position under slightly positive nitrogen.The reaction was heated while refluxing.After 21 hours, the reaction was completed by UPLC analysis of aliquots. The reaction was cooled to room temperature, the reaction mixture was filtered through a pad of celite and washed with CH 2 Cl 2. The filtrate was concentrated by rotary evaporation, the crude product was dried under high vacuum, Purification by medium pressure liquid chromatography on silica gel (0-40% gradient methylene chloride / hexane) gave a white solid of 1.21 that was triturated with boiling methanol for 2 hours to give 0.975 g of solid. the Y7 was obtained. 1 H NMR analysis, that the structure of the intermediate compound Y7 is a mixture of 4,4'- and 4,5'- mixture of regioisomers And an average of 14 aromatic protons remained, confirming that 36 out of 50 aromatic hydrogens were replaced by deuterium. Mass spectrum parent ion (m / z 1550.3), purity (UPLC):> 99%.

正孔輸送化合物HT5の化合物の合成:
中間化合物Y7の重合を、比較Aに関して記載したようにして実施した。ポリマーが68%の収率(0.285g)で白色固体として得られた。ポリマーの分子量は、GPC(THF移動相、ポリスチレン標準物質)で求めた:Mw=325,740;Mn=139,748;Mw/Mn=2.33。
Synthesis of compound of hole transport compound HT5:
The polymerization of intermediate compound Y7 was carried out as described for comparative A. The polymer was obtained as a white solid in 68% yield (0.285 g). The molecular weight of the polymer was determined by GPC (THF mobile phase, polystyrene standard): M w = 325,740; M n = 139,748; M w / M n = 2.33.

合成の実施例3
この実施例は、重水素化正孔輸送物質である化合物HT11(ここで、Σ(x)=18)の製法を例示するものである。
Example 3 of synthesis
This example illustrates the preparation of compound HT11 (where Σ (x) = 18) which is a deuterated hole transport material.

化合物2の合成 Synthesis of compound 2

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、250mLの丸底に、9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン(25.0g、45.58ミリモル)、フェニルボロン酸(12.23g、100.28ミリモル)、Pd2(dba)3(0.42g、0.46ミリモル)、PtBu3(0.22g、1.09ミリモル)および100mLのトルエンを仕込んだ。反応混合物を5分間攪拌し、その後KF(8.74g、150.43ミリモル)を2回に分けて加え、得られた溶液を室温で一晩攪拌した。その混合物を500mLのTHFで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させ、揮発分を減圧下で濾過液から除去した。ヘキサンを溶離剤として用いてシリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで黄色油を精製した。白色固体として80.0%(19.8g)の生成物が得られた。NMR分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物2であることを示した。 Under a nitrogen atmosphere, in a 250 mL round bottom, 9,9-dioctyl-2,7-dibromofluorene (25.0 g, 45.58 mmol), phenylboronic acid (12.23 g, 100.28 mmol), Pd 2 (Dba) 3 (0.42 g, 0.46 mmol), P t Bu 3 (0.22 g, 1.09 mmol) and 100 mL of toluene were charged. The reaction mixture was stirred for 5 minutes, after which KF (8.74 g, 150.43 mmol) was added in two portions and the resulting solution was stirred at room temperature overnight. The mixture was diluted with 500 mL of THF, passed through a plug of silica and celite, and volatiles were removed from the filtrate under reduced pressure. The yellow oil was purified by flash column chromatography on silica gel using hexane as the eluent. 80.0% (19.8 g) of product was obtained as a white solid. NMR analysis showed that the material was Compound 2 having the structure shown above.

化合物3の合成 Synthesis of compound 3

Figure 2012513688
Figure 2012513688

凝縮器および滴下漏斗を備えた250mLの三つ口丸底フラスコをN2で30分間洗浄した。9,9−ジオクチル−2,7−ジフェニルフルオレン(19.8g、36.48ミリモル)を加え、100mLのジクロロメタンに溶かした。透明な溶液を−10℃まで冷却し、臭素(12.24g、76.60ミリモル)を20mLのジクロロメタン中に含む溶液を滴加した。その混合物を0℃で1時間攪拌し、それから室温になるまで温まるままにし、一晩攪拌した。100mLの10%Na223水溶液を加え、反応混合物を1時間攪拌した。有機層を抽出し、水層を100mLのジクロロメタンで3回洗浄した。一緒にした有機層をNa2SO4で乾燥させ、濾過し、乾燥するまで濃縮した。得られた油にアセトンを加えると、白色沈殿が生じた。濾過して乾燥させると、白色粉末が得られた(13.3g、52.2%)。NMR分析は、その物質が上記に示した構造を有する化合物3であることを示した。 A 250 mL 3-neck round bottom flask equipped with a condenser and dropping funnel was washed with N 2 for 30 minutes. 9,9-Dioctyl-2,7-diphenylfluorene (19.8 g, 36.48 mmol) was added and dissolved in 100 mL of dichloromethane. The clear solution was cooled to −10 ° C. and a solution of bromine (12.24 g, 76.60 mmol) in 20 mL of dichloromethane was added dropwise. The mixture was stirred at 0 ° C. for 1 hour, then allowed to warm to room temperature and stirred overnight. 100 mL of 10% aqueous Na 2 S 2 O 3 was added and the reaction mixture was stirred for 1 hour. The organic layer was extracted and the aqueous layer was washed 3 times with 100 mL dichloromethane. The combined organic layers were dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated to dryness. When acetone was added to the resulting oil, a white precipitate formed. Filtration and drying gave a white powder (13.3 g, 52.2%). NMR analysis showed that the material was Compound 3 having the structure shown above.

化合物4の合成 Synthesis of compound 4

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、250mLの丸底に、3(13.1g、18.70ミリモル)、アニリン(3.66g、39.27ミリモル)、Pd2(dba)3(0.34g、0.37ミリモル)、PtBu3(0.15g、0.75ミリモル)および100mLのトルエンを仕込んだ。反応混合物を10分間攪拌し、その後NaOtBu(3.68g、38.33ミリモル)を加え、反応混合物を室温で1日間攪拌した。得られた反応混合物を3Lのトルエンで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させて濾過した。揮発分を蒸発させたなら、得られた暗褐色の油を、酢酸エチル:ヘキサンが1:10の混合物を溶離剤として用いて、シリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製した。50.2%(6.8g)の生成物が淡黄色の粉末として得られた。NMR分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物4であることを示した。 Under a nitrogen atmosphere, in a 250 mL round bottom, 3 (13.1 g, 18.70 mmol), aniline (3.66 g, 39.27 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.34 g, 0.37 mmol). ), P t Bu 3 (0.15 g, 0.75 mmol) and 100 mL of toluene. The reaction mixture was stirred for 10 minutes, after which NaO t Bu (3.68 g, 38.33 mmol) was added and the reaction mixture was stirred at room temperature for 1 day. The resulting reaction mixture was diluted with 3 L of toluene and filtered through a plug of silica and celite. Once the volatiles were evaporated, the resulting dark brown oil was purified by flash column chromatography on silica gel using a 1:10 mixture of ethyl acetate: hexane as eluent. 50.2% (6.8 g) of product was obtained as a pale yellow powder. NMR analysis showed that the material was Compound 4 having the structure shown above.

化合物5の合成 Synthesis of compound 5

Figure 2012513688
Figure 2012513688

凝縮器を備えた250mLの三つ口丸底フラスコ中で、4(4.00g、5.52ミリモル)、1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(4.68g、16.55ミリモル)、Pd2(dba)3(0.30g、0.33ミリモル)およびDPPF(0.37g、0.66ミリモル)を80mLのトルエンと一緒にした。得られた混合物を10分間攪拌した。NaOtBu(1.17g、12.14ミリモル)を加え、その混合物を4日間80℃に加熱した。得られた反応混合物を1Lのトルエンおよび1LのTHFで希釈し、シリカとセライトのプラグを通過させて不溶性塩を除去した。揮発分を蒸発させたなら、得られた褐色の油を、ジクロロメタン:ヘキサンが1:10の混合物を溶離剤として用いて、シリカゲルによるフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製した。乾燥後に黄色粉末が得られた(4.8g、84.8%)。NMR分析は、その物質が上に示した構造を有する化合物5であることを示した。 In a 250 mL three-necked round bottom flask equipped with a condenser, 4 (4.00 g, 5.52 mmol), 1-bromo-4-iodobenzene (4.68 g, 16.55 mmol), Pd 2 ( dba) 3 (0.30 g, 0.33 mmol) and DPPF (0.37 g, 0.66 mmol) were combined with 80 mL of toluene. The resulting mixture was stirred for 10 minutes. NaO t Bu (1.17 g, 12.14 mmol) was added and the mixture was heated to 80 ° C. for 4 days. The resulting reaction mixture was diluted with 1 L toluene and 1 L THF and passed through a plug of silica and celite to remove insoluble salts. Once the volatiles were evaporated, the resulting brown oil was purified by flash column chromatography on silica gel using a 1:10 mixture of dichloromethane: hexane as eluent. A yellow powder was obtained after drying (4.8 g, 84.8%). NMR analysis showed that the material was Compound 5 having the structure shown above.

化合物6の合成 Synthesis of compound 6

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、1gの化合物5をC66(20mL)に溶かし、それにCF3OSO2D(1.4mL)を滴加した。その反応混合物は室温で一晩攪拌されるようにし、その後、飽和Na2CO3/D2Oで急冷した。有機層を分離し、MgSO4で乾燥させた。シリカクロマトグラフィー(20%CH2Cl2:ヘキサン)を用いて生成物を精製して、0.688gの物質を得た。分離された物質のMSスペクトルにより、18個の芳香族Dを有するその構造が確認された。 Under a nitrogen atmosphere, 1 g of compound 5 was dissolved in C 6 D 6 (20 mL), and CF 3 OSO 2 D (1.4 mL) was added dropwise thereto. The reaction mixture so as to be stirred at room temperature overnight and then quenched with saturated Na2CO 3 / D 2 O. The organic layer was separated and dried over MgSO 4 . The product was purified using silica chromatography (20% CH2Cl2: hexanes) to give 0.688 g of material. The MS spectrum of the separated material confirmed its structure with 18 aromatic Ds.

化合物6の重合:
操作はすべて、特に記載のない限り、窒素洗浄されたグローブボックス中で実施した。化合物6(0.652g、0.50ミリモル)をシンチレーションバイアルに加え、16mLのトルエンに溶かした。清浄で乾燥した50mLのシュレンク管に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)(0.344g、1.252ミリモル)を仕込んだ。2,2’−ジピリジル(0.195g、1.252ミリモル)および1,5−シクロオクタジエン(0.135g、1.252ミリモル)を秤量してシンチレーションバイアルに入れ、3.79gのN,N’−ジメチルホルムアミドに溶かした。その溶液をシュレンク管に加えた。シュレンク管をアルミニウムブロックの中に挿入し、そのブロックを、内部温度が60℃になる設定点において熱板/撹拌機で加熱・攪拌した。触媒系を45分間60℃に保持してから、65℃に上昇させた。モノマーのトルエン溶液をシュレンク管に加え、その管を密閉した。トルエン(8mL)を加えることによって粘度を調節しながら、重合混合物を65℃で1だけ攪拌した。反応混合物を室温まで冷まし、20mLの濃HCLを加えた。その混合物を45分間、攪拌されるままにした。ポリマーを真空濾過で回収し、さらなるメタノールで洗浄し、高真空下で乾燥させた。トルエンからアセトンおよびMeOHへ移す連続沈殿によりポリマーを精製した。白色の繊維状ポリマー(0.437g、79%の収率)が得られた。ポリマーの分子量は、GPC(THF移動相、ポリスチレン標準物質)で求めた:Mw=1,696,019;Mn=873,259。NMR分析により、その構造がポリマーである化合物HT11であることが確認された。
Polymerization of compound 6:
All operations were performed in a nitrogen-cleaned glove box unless otherwise noted. Compound 6 (0.652 g, 0.50 mmol) was added to a scintillation vial and dissolved in 16 mL toluene. A clean and dry 50 mL Schlenk tube was charged with bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) (0.344 g, 1.252 mmol). 2,2′-dipyridyl (0.195 g, 1.252 mmol) and 1,5-cyclooctadiene (0.135 g, 1.252 mmol) are weighed into a scintillation vial and 3.79 g of N, N Dissolved in '-dimethylformamide. The solution was added to the Schlenk tube. The Schlenk tube was inserted into an aluminum block and the block was heated and stirred with a hot plate / stirrer at a set point where the internal temperature was 60 ° C. The catalyst system was held at 60 ° C for 45 minutes and then raised to 65 ° C. A monomer toluene solution was added to the Schlenk tube and the tube was sealed. The polymerization mixture was stirred by 1 at 65 ° C. while adjusting the viscosity by adding toluene (8 mL). The reaction mixture was cooled to room temperature and 20 mL of concentrated HCL was added. The mixture was left stirring for 45 minutes. The polymer was collected by vacuum filtration, washed with additional methanol and dried under high vacuum. The polymer was purified by continuous precipitation from toluene to acetone and MeOH. White fibrous polymer (0.437 g, 79% yield) was obtained. The molecular weight of the polymer was determined by GPC (THF mobile phase, polystyrene standard): M w = 1,696,019; M n = 873,259. NMR analysis confirmed that the structure was compound HT11, which is a polymer.

合成の実施例4
この実施例は、以下に示す重水素化エレクトロルミネセンス物質E4の製法を例示するものである。
Example 4 of synthesis
This example illustrates a method for producing the deuterated electroluminescent material E4 shown below.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

0.45gの2,6−ジ−t−ブチル−9,10−ジブロモアントラセン(1mM)(Muller,U.;Adam,M.;Mullen,K.Chem.Ber.1994,127,437−444)を、窒素で満たされたグローブボックス内にある丸底フラスコに入れ、0.38g(2.2mM)のジ(ペルジュウテロフェニル)アミンおよび0.2gのナトリウムtert−ブトキシド(2mM)を40mLのトルエンと共に加えた。0.15gのPd2DBA3(0.15mM)および0.07gのP(t−Bu)3(0.3mM)を10mLのトルエンに溶かして、攪拌しながら最初の溶液に加えた。すべての物質を混合すると、溶液はゆっくり発熱し、黄褐色になる。溶液を、グローブボックス内で、80Cで窒素下において1時間攪拌し加熱した。溶液はその時すぐには暗紫色であるが、〜80Cに達すると、それは人目を引く緑色ルミネセンスを伴う暗黄緑色である。室温まで冷やした後、溶液をグローブボックスから取り出し、塩基性アルミナの短いプラグを通過させて濾過し、トルエンで溶出させて、明るい黄緑色のバンドを得る。溶媒を蒸発させて、物質をトルエン/メタノールで再結晶させた。収量:0.55g。構造は1H NMRで確認した。 0.45 g 2,6-di-t-butyl-9,10-dibromoanthracene (1 mM) (Muller, U .; Adam, M .; Mullen, K. Chem. Ber. 1994, 127, 437-444) Was placed in a round bottom flask in a glove box filled with nitrogen and 0.38 g (2.2 mM) di (peruterophenyl) amine and 0.2 g sodium tert-butoxide (2 mM) in 40 mL. Added with toluene. 0.15 g Pd 2 DBA 3 (0.15 mM) and 0.07 g P (t-Bu) 3 (0.3 mM) were dissolved in 10 mL toluene and added to the first solution with stirring. When all materials are mixed, the solution slowly exotherms and becomes tan. The solution was stirred and heated in a glove box at 80 C for 1 hour under nitrogen. The solution is immediately dark purple in color, but when it reaches ˜80 C, it is dark yellow-green with eye-catching green luminescence. After cooling to room temperature, the solution is removed from the glove box, filtered through a short plug of basic alumina and eluted with toluene to obtain a bright yellow-green band. The solvent was evaporated and the material was recrystallized with toluene / methanol. Yield: 0.55g. The structure was confirmed by 1 H NMR.

合成の実施例5
この実施例は、重水素化ホスト化合物H14の製法を例示するものである。
Example 5 of synthesis
This example illustrates the preparation of deuterated host compound H14.

非重水素化類似体化合物(比較化合物A)を最初に作った。   A non-deuterated analog compound (Comparative Compound A) was first made.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

この化合物は以下の方式に従って調製できる: This compound can be prepared according to the following scheme:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

化合物2の合成
機械式撹拌器、滴下漏斗、温度計およびN2バブラーを取り付けた3Lのフラスコに、1.5Lの乾燥塩化メチレン中に含まれるアントロン54g(275.2ミリモル)を加えた。フラスコを氷浴で冷却し、83.7ml(559.7ミリモル)の1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン(「DBU」)を1.5時間にわたって滴下漏斗で加えた。溶液はオレンジに変わり、不透明になり、それから深紅に変わった。まだ冷たい溶液に、溶液の温度を5℃未満に保ちつつ、注射器で約1.5時間かけてトリフル酸無水物(triflic anhydride)を58ml(345.0ミリモル)加えた。室温で3時間反応を進行させ、その後、1mLのトリフル酸無水物をさらに加え、室温での攪拌を30分間継続した。500mLの水をゆっくり加えると、層が分離した。水層を3×200mLのジクロロメタン(「DCM」)で抽出し、一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、回転蒸発で濃縮して赤色油を得た。シリカゲルによるカラムクロマトグラフィーに続いてヘキサンで結晶化すると、43.1g(43%)の黄褐色粉末が得られた。
Synthesis of Compound 2 To a 3 L flask equipped with a mechanical stirrer, dropping funnel, thermometer and N 2 bubbler was added 54 g (275.2 mmol) of anthrone contained in 1.5 L of dry methylene chloride. The flask was cooled in an ice bath and 83.7 ml (559.7 mmol) of 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene (“DBU”) was added via a dropping funnel over 1.5 hours. It was. The solution turned orange, became opaque and then turned crimson. To the still cold solution, 58 ml (345.0 mmol) of triflic anhydride was added with a syringe over about 1.5 hours while keeping the temperature of the solution below 5 ° C. The reaction was allowed to proceed for 3 hours at room temperature, after which additional 1 mL of triflic anhydride was added and stirring at room temperature was continued for 30 minutes. When 500 mL of water was added slowly, the layers separated. The aqueous layer was extracted with 3 × 200 mL of dichloromethane (“DCM”) and the combined organic layers were dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated by rotary evaporation to give a red oil. Column chromatography on silica gel followed by crystallization with hexane yielded 43.1 g (43%) of a tan powder.

化合物3の合成
窒素充填グローブボックス内の磁気攪拌棒を備えた200mLのケルダール反応フラスコに、アントラセン−9−イルトリフルオロメタンスルホネート(6.0g、18.40ミリモル)、ナフタレン(Napthalen)−2−イル−ボロン酸(3.78g、22.1ミリモル)、三塩基性リン酸カリウム(17.50g、82.0ミリモル)、パラジウム(II)アセテート(0.41g、1.8ミリモル)、トリシクロヘキシルホスフィン(0.52g、1.8ミリモル)およびTHF(100mL)を加えた。ドライボックスから取り出した後、反応混合物を窒素で洗浄し、脱気水(50mL)を注射器で加えた。次いで、凝縮器を取り付けて反応を一晩還流させた。反応はTLCで監視した。反応が完了してから、混合物を室温まで冷却した。有機層を分離し、水層をDCMで抽出した。有機部分を一緒にし、ブラインで洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で除去した。得られた固体をアセトンおよびヘキサンで洗浄し、濾過した。シリカゲルによるカラムクロマトグラフィーで精製すると、4.03g(72%)の生成物が淡黄色の結晶物質として得られた。
Synthesis of Compound 3 A 200 mL Kjeldahl reaction flask equipped with a magnetic stir bar in a nitrogen filled glove box was charged with anthracen-9-yl trifluoromethanesulfonate (6.0 g, 18.40 mmol), Naphthalen-2-yl. Boronic acid (3.78 g, 22.1 mmol), tribasic potassium phosphate (17.50 g, 82.0 mmol), palladium (II) acetate (0.41 g, 1.8 mmol), tricyclohexylphosphine (0.52 g, 1.8 mmol) and THF (100 mL) were added. After removal from the dry box, the reaction mixture was flushed with nitrogen and degassed water (50 mL) was added via syringe. A condenser was then attached and the reaction was refluxed overnight. The reaction was monitored by TLC. After the reaction was complete, the mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic portions were combined, washed with brine and dried over magnesium sulfate. The solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was washed with acetone and hexane and filtered. Purification by column chromatography on silica gel gave 4.03 g (72%) of the product as a pale yellow crystalline material.

化合物4の合成:
9−(ナフタレン−2−イル)アントラセン(11.17g(36.7ミリモル))を100mLのDCM中に懸濁させた。6.86g(38.5ミリモル)のN−ブロモスクシンイミドを加え、100Wのランプの照明をあてながら混合物を攪拌した。黄色の透明な溶液が形成され、その後に沈殿が生じた。反応はTLCで監視した。1.5時間後に、反応混合物を部分的に濃縮して塩化メチレンを除去し、その後、アセトニトリルで結晶化させて12.2gの淡黄色結晶(87%)を得た。
Synthesis of compound 4:
9- (Naphthalen-2-yl) anthracene (11.17 g (36.7 mmol)) was suspended in 100 mL DCM. 6.86 g (38.5 mmol) of N-bromosuccinimide was added and the mixture was stirred while lighting a 100 W lamp. A yellow clear solution was formed, followed by precipitation. The reaction was monitored by TLC. After 1.5 hours, the reaction mixture was partially concentrated to remove methylene chloride and then crystallized with acetonitrile to give 12.2 g of pale yellow crystals (87%).

化合物7の合成:
窒素が充填されたグローブボックス内にある攪拌子を備えた500mLの丸底フラスコに、ナフタレン−1−イル−1−ボロン酸(14.2g、82.6ミリモル)、1−ブロモ−2−ヨードベンゼン(25.8g、91.2ミリモル)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(1.2g、1.4ミリモル)、炭酸ナトリウム(25.4g、240ミリモル)、およびトルエン(120mL)を加えた。ドライボックスから取り出した後、反応混合物を窒素で洗浄し、脱気水(120mL)を注射器で加えた。次いで、反応フラスコに凝縮器を取り付け、反応を15時間還流させた。反応はTLCで監視した。反応混合物を室温まで冷却した。有機層を分離し、水層をDCMで抽出した。有機部分を一緒にし、溶媒を減圧下で除去して黄色油を得た。シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーで精製すると、13.6gの透明な油(58%)が得られた。
Synthesis of compound 7:
A 500 mL round bottom flask equipped with a stir bar in a glove box filled with nitrogen was charged with naphthalen-1-yl-1-boronic acid (14.2 g, 82.6 mmol), 1-bromo-2-iodo. Benzene (25.8 g, 91.2 mmol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (1.2 g, 1.4 mmol), sodium carbonate (25.4 g, 240 mmol), and toluene (120 mL). added. After removal from the dry box, the reaction mixture was flushed with nitrogen and degassed water (120 mL) was added via syringe. The reaction flask was then fitted with a condenser and the reaction was refluxed for 15 hours. The reaction was monitored by TLC. The reaction mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic portions were combined and the solvent was removed under reduced pressure to give a yellow oil. Purification by column chromatography using silica gel yielded 13.6 g of a clear oil (58%).

化合物6の合成:
磁気攪拌棒、還流凝縮器(窒素管路に接続されているもの)および油浴を備えた1リットルのフラスコに、4−ブロモフェニル−1−ナフタレン(28.4g、10.0ミリモル)、ビス(ピナコレート(pinacolate))ジボロン(40.8g、16.0ミリモル)、Pd(dppf)2Cl2(1.64g、2.0ミリモル)、酢酸カリウム(19.7g、200ミリモル)、およびDMSO(350mL)を加えた。混合物を窒素で15分間泡立たせてから、Pd(dppf)2Cl2(1.64g、0.002モル)を加えた。この過程の間に、混合物は暗褐色に徐々に変化した。反応を120℃(油浴)で窒素下において18時間攪拌した。冷却後に、混合物を氷水中に注ぎ、クロロホルム(3×)で抽出した。有機層を水(3×)および飽和ブライン(1×)で洗い、MgSO4で乾燥させた。濾過し、溶媒を除去した後、残留物をシリカゲルカラムによるクロマトグラフィーで精製した。生成物を含む部分を一緒にし、溶媒を回転蒸発によって除去した。得られた白色固体をヘキサン/クロロホルムで結晶化し、真空オーブン内において40℃で乾燥させて生成物を白色結晶フレークとして得た(15.0g、収率45%)。1Hおよび13C−NMRスペクトルは、予期された構造と一致する。
Synthesis of compound 6:
To a 1 liter flask equipped with a magnetic stir bar, reflux condenser (connected to a nitrogen line) and an oil bath was added 4-bromophenyl-1-naphthalene (28.4 g, 10.0 mmol), bis. (Pinacolate) diboron (40.8 g, 16.0 mmol), Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 2.0 mmol), potassium acetate (19.7 g, 200 mmol), and DMSO ( 350 mL) was added. The mixture was bubbled with nitrogen for 15 minutes before Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 0.002 mol) was added. During this process, the mixture gradually turned dark brown. The reaction was stirred at 120 ° C. (oil bath) under nitrogen for 18 hours. After cooling, the mixture was poured into ice water and extracted with chloroform (3x). The organic layer was washed with water (3x) and saturated brine (1x) and dried over MgSO4. After filtration and removal of the solvent, the residue was purified by chromatography on a silica gel column. The parts containing the product were combined and the solvent was removed by rotary evaporation. The resulting white solid was crystallized with hexane / chloroform and dried in a vacuum oven at 40 ° C. to give the product as white crystalline flakes (15.0 g, 45% yield). 1H and 13C-NMR spectra are consistent with the expected structure.

比較化合物Aの合成
グローブボックス内の250mLのフラスコに、(2.00g、5.23ミリモル)、4,4,5,5−テトラメチル−2−(4−(ナフタレン−4−イル)フェニル)−1,3,2−ジオキサボロラン(1.90g、5.74ミリモル)、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(0.24g、0.26ミリモル)、およびトルエン(50mL)を加えた。反応フラスコをドライボックスから取り出し、窒素注入口付き凝縮器を取り付けた。脱気した炭酸ナトリウム水溶液(2M、20mL)を注射器で加えた。反応を一晩にわたって攪拌しかつ90℃に加熱した。反応はHPLCで監視した。室温まで冷却した後、有機層を分離した。水層をDCMで2回洗い、一緒にした有機層を回転蒸発で濃縮して、灰色の粉末を得た。中性アルミナによる濾過、ヘキサンによる沈殿、およびシリカゲルによるカラムクロマトグラフィーによって精製すると、2.28gの白色粉末(86%)が得られた。
Synthesis of Comparative Compound A In a 250 mL flask in the glove box, (2.00 g, 5.23 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (naphthalen-4-yl) phenyl) -1,3,2-dioxaborolane (1.90 g, 5.74 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (0.24 g, 0.26 mmol), and toluene (50 mL) were added. The reaction flask was removed from the dry box and a condenser with a nitrogen inlet was attached. Degassed aqueous sodium carbonate (2M, 20 mL) was added via syringe. The reaction was stirred overnight and heated to 90 ° C. The reaction was monitored by HPLC. After cooling to room temperature, the organic layer was separated. The aqueous layer was washed twice with DCM and the combined organic layers were concentrated by rotary evaporation to give a gray powder. Purification by neutral alumina filtration, hexane precipitation, and column chromatography on silica gel gave 2.28 g of white powder (86%).

米国特許出願公開第2008−0138655号明細書に記載されているようにして生成物をさらに精製して、HPLCでの純度を少なくとも99.9%および不純物の吸光度を0.01以下にした。   The product was further purified as described in U.S. Patent Application Publication No. 2008-0138655 to achieve a HPLC purity of at least 99.9% and an impurity absorbance of 0.01 or less.

化合物Aの1H NMRスペクトルを図2に示す。 The 1 H NMR spectrum of Compound A is shown in FIG.

重水素化ホスト化合物H14を比較化合物Aから作った。   Deuterated host compound H14 was made from Comparative Compound A.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、AlCl3(0.48g、3.6ミリモル)を、比較例Aの比較化合物A(5g、9.87ミリモル)のペルジュウテロベンゼン(perdeuterobenzene)またはベンゼン−D6(C66)(100mL)溶液に加えた。得られた混合物を室温で6時間攪拌し、その後、D2O(50mL)を加えた。層を分離させてから、水層をCH2Cl2(2×30mL)で洗浄した。一緒にした有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、揮発分を回転蒸発で除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製した。重水素化生成物H1(x+y+n+m=21〜23)を白色粉末として得た(4.5g)。 Under a nitrogen atmosphere, AlCl 3 (0.48 g, 3.6 mmol) was added to Comparative Compound A of Comparative Example A (5 g, 9.87 mmol) perdeuterobenzene or benzene-D6 (C 6 D 6 ) (100 mL) was added to the solution. The resulting mixture was stirred at room temperature for 6 hours, after which D 2 O (50 mL) was added. The layers were separated and the aqueous layer was washed with CH 2 Cl 2 (2 × 30 mL). The combined organic layers were dried over magnesium sulfate and volatiles were removed by rotary evaporation. The crude product was purified by column chromatography. The deuterated product H1 (x + y + n + m = 21-23) was obtained as a white powder (4.5 g).

米国特許出願公開第2008−0138655号明細書に記載されているようにして生成物をさらに精製して、HPLCでの純度を少なくとも99.9%にし、不純物の吸光度を0.01以下にした。その物質は、上記から、比較化合物Aと同じレベルの純度であることが判明した。   The product was further purified as described in U.S. Patent Application Publication No. 2008-0138655, to a purity of at least 99.9% on HPLC and an impurity absorbance of 0.01 or lower. From the above, the material was found to be the same level of purity as Comparative Compound A.

1H NMR(CD2Cl2)およびASAP−MSにより、化合物は以下に示す構造を有することが示された: 1 H NMR (CD 2 Cl 2 ) and ASAP-MS showed that the compound had the structure shown below:

Figure 2012513688
Figure 2012513688

上式において、「D/H」は、HまたはDがほぼ等しい確率でこの原子位置にあることを示す。構造は、1H NMR、13C NMR、2D NMRおよび1H−13C HSQC(異核種単一量子コヒーレンス法(Heteronuclear Single Quantum Coherence))で確認された。 In the above equation, “D / H” indicates that H or D is at this atomic position with approximately equal probability. The structure was confirmed by 1 H NMR, 13 C NMR, 2 D NMR, and 1 H- 13 C HSQC (heteronuclear single quantum coherence method).

合成の実施例6
この実施例は、重水素化電子輸送物質(ET2)の製法を例示するものである。
Example 6 of synthesis
This example illustrates a method for producing a deuterated electron transport material (ET2).

a)Yamada et al Bull Chem Soc Jpn,63,2710,1990の手順を用いて、トリメチレン架橋バソフェナントロリンを次のようにして調製した:2gのバソフェナントロリンを20gの1,3−ジブロモプロパンに入れ、空気下で還流させた。約30分間後に、濃いオレンジ色のスラリーを冷却した。メタノールを加えて固体を溶かしてから、アセトンを加えて明るいオレンジ色の固体を沈殿させた。これを濾過し、トルエンおよびジクロロメタン(「DCM」)で洗浄すると、結果として、オレンジ色の粉末が2.8gの収量で得られた。   a) Using the procedure of Yamada et al Bull Chem Soc Jpn, 63, 2710, 1990, trimethylene-bridged bathophenanthroline was prepared as follows: 2 g of bathophenanthroline was placed in 20 g of 1,3-dibromopropane, Refluxed under air. After about 30 minutes, the dark orange slurry was cooled. Methanol was added to dissolve the solid, then acetone was added to precipitate a bright orange solid. This was filtered and washed with toluene and dichloromethane (“DCM”), resulting in an orange powder in a yield of 2.8 g.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

b)上記の生成物2.8gを12mLの水に溶かし、30mLの水の中に21gのフェリシアン化カリウムおよび10gの水酸化ナトリウムを含む氷冷溶液に約30分間にわたって滴下し、その後90分間攪拌した。これを再び氷で冷やし、pHが約8となるように60mLの4M HClで中和した。薄い黄褐色/黄色の固体を濾過して取り、吸引乾燥させた。濾過した固体をソックスレーに入れ、クロロホルムによる抽出によって褐色溶液を抽出した。これを茶色っぽい油状固体になるまで蒸発させてから、少量のメタノールで洗って薄い褐色固体(〜1.0g、47%)を得た。生成物は、混合物からクロロホルムを蒸発させることで、金色の小板としてクロロホルム/メタノールから再結晶させてもよい。構造は、NMRにより、以下のジケトンであると同定された。   b) 2.8 g of the above product was dissolved in 12 mL of water and added dropwise over about 30 minutes to an ice cold solution containing 21 g of potassium ferricyanide and 10 g of sodium hydroxide in 30 mL of water, followed by stirring for 90 minutes . This was cooled again with ice and neutralized with 60 mL of 4M HCl to a pH of about 8. A pale tan / yellow solid was filtered off and sucked dry. The filtered solid was placed in a Soxhlet and the brown solution was extracted by extraction with chloroform. This was evaporated to a brownish oily solid and then washed with a small amount of methanol to give a light brown solid (˜1.0 g, 47%). The product may be recrystallized from chloroform / methanol as gold platelets by evaporating chloroform from the mixture. The structure was identified by NMR as the following diketone.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

c)上記のステップ(b)のジケトンの各部分を一緒にしたもの(合計が5.5g(13.6mM))を39mLのPOCl3中に懸濁させ、5.4gのPCl5を加えた。これを脱気し、窒素下で8時間にわたって還流した。過剰のPOCl3を蒸発によって除去した。氷を加えて残っている塩化物を分解し、混合物をアンモニア溶液で中和した。褐色の沈殿物を回収し、真空下で乾燥させるとともに、母液を塩化メチレンで抽出した。褐色物質をすべて一緒にし、蒸発させて褐色のゴムにし、メタノールを加えた。振盪および攪拌後に、淡黄色の固体を分離し、それをオフホワイトの針状物としてCHCl3およびメタノール(1:10)から再結晶させた。NMRによる分析により、その構造が、以下に示す2,9−ジクロロ−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンであることが示された。 c) The combined diketone parts of step (b) above (total 5.5 g (13.6 mM)) were suspended in 39 mL POCl 3 and 5.4 g PCl 5 was added. . This was degassed and refluxed under nitrogen for 8 hours. Excess POCl3 was removed by evaporation. Ice was added to decompose the remaining chloride and the mixture was neutralized with ammonia solution. The brown precipitate was collected and dried under vacuum, and the mother liquor was extracted with methylene chloride. All brown materials were combined and evaporated to a brown gum and methanol was added. After shaking and stirring, a pale yellow solid separated and was recrystallized from CHCl3 and methanol (1:10) as off-white needles. Analysis by NMR showed that the structure was 2,9-dichloro-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline shown below.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

d)非重水素化類似体化合物は、以下に示す2,9−ジクロロ−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンとボロン酸エステルとの鈴木カップリングを用いて調製した。   d) Non-deuterated analog compounds were prepared using the Suzuki coupling of 2,9-dichloro-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline and boronate ester shown below.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

1.0gのジクロロ−phen(2.5mM)をグローブボックス内に入れ、3.12g(6mM)のボロン酸エステルを加える。0.15gのPd2DBA3(DBA=ジベンジリデンアセトン)(0.15mM)、0.1gのトリシクロヘキシルホスフィン(0.35mM)および2.0gのリン酸カリウム(9mM)を加え、そのすべてを30mLのジオキサンおよび15mLの水に溶かす。グローブボックス内においてマントルで100Cにおいて1時間だけ混合加熱してから、窒素下で一晩穏やかに温める(加減抵抗器の最小設定)。溶液はその時すぐには暗紫色であるが、〜80℃に達すると、黄褐色(tan brown)のスラリーであり、それは高密度の沈殿が生じるとゆっくり透明な褐色になる。溶液が還流する(空気式凝縮器(air condensor))につれ、褐色のゴム状物質が形成される。グローブボックスから取り出すことにより、冷やして操作を進め、それから水を加える。DCM中に抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥させる。シリカ/フロリジルのプラグでクロマトグラフィーによる分離を行い、DCMで、次いでDCM/メタノール(2:1)で溶出させる。蒸発させた淡黄色の溶液を回収し、メタノールを添加すると白色/淡黄色の固体が沈殿する。構造は、NMR分析により、以下の化合物であることが確認された。 1.0 g dichloro-phen (2.5 mM) is placed in the glove box and 3.12 g (6 mM) boronic ester is added. Add 0.15 g Pd 2 DBA 3 (DBA = dibenzylideneacetone) (0.15 mM), 0.1 g tricyclohexylphosphine (0.35 mM) and 2.0 g potassium phosphate (9 mM), all of which Dissolve in 30 mL dioxane and 15 mL water. Mix and heat for 1 hour at 100C in the mantle in the glove box, then gently warm overnight under nitrogen (minimum setting of the rectifier). The solution is then dark purple immediately, but when it reaches ˜80 ° C., it is a tan brown slurry, which slowly becomes clear brown when a dense precipitate occurs. As the solution refluxes (air condenser), a brown gum is formed. Cool out by removing it from the glove box and then add water. Extract into DCM and dry over magnesium sulfate. Chromatographic separation on a silica / florisil plug, eluting with DCM and then DCM / methanol (2: 1). The evaporated pale yellow solution is collected and methanol is added to precipitate a white / pale yellow solid. The structure was confirmed to be the following compound by NMR analysis.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

e)化合物ET2は、非重水素化類似体化合物から作った。   e) Compound ET2 was made from a non-deuterated analog compound.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

窒素雰囲気下において、上のステップ(d)からの化合物(1.925g)をC66(200mL)に溶かし、それにCF3OSO2D(13.2mL)を滴加した。その反応混合物は室温で一晩攪拌されるようにし、その後、飽和Na2CO3/D2Oで急冷した。有機層を分離し、MgSO4で乾燥させた。シリカクロマトグラフィー(CH2Cl2:ヘキサン)を用いて生成物を精製して、1.70gの物質を得た。分離した物質のNMRスペクトルにより、構造が、Hと置換された32〜34個のDを有するET2であると確認された。 Under nitrogen atmosphere, the compound from step (d) above (1.925 g) was dissolved in C 6 D 6 (200 mL), and CF 3 OSO 2 D (13.2 mL) was added dropwise thereto. The reaction mixture was allowed to stir at room temperature overnight and then quenched with saturated Na 2 CO 3 / D 2 O. The organic layer was separated and dried over MgSO 4 . The product was purified using silica chromatography (CH 2 Cl 2 : hexanes) to give 1.70 g of material. The NMR spectrum of the separated material confirmed that the structure was ET2 with 32-34 D substituted for H.

合成の実施例7
この実施例は、重水素化電子輸送物質(ET4)の製法を例示するものである。
Synthesis Example 7
This example illustrates a method for producing a deuterated electron transport material (ET4).

配位子であるD6−8−ヒドロキシキノリンの合成 Synthesis of D 6-8-hydroxyquinoline is a ligand

Figure 2012513688
Figure 2012513688

8−ヒドロキシキノリン(93.00g、20.667ミリモル)とD2O(60mL)と10%Pd/C(0.200g)との混合物を、窒素雰囲気下にあるパー(Parr)反応器に入れ、16時間の間180Cに加熱した。得られた混合物をジエチルエーテル(200mL)に加え、層を分離させ、有機層をセライトに通して濾過した。揮発分を蒸発させた後、得られた固体を、クロマトグラフィー(20%DCM/ヘキサン)を用いて精製して、2.4g(収率77%)のD6−8−ヒドロキシキノリン生成物を得た。 A mixture of 8-hydroxyquinoline (93.00 g, 20.667 mmol), D 2 O (60 mL) and 10% Pd / C (0.200 g) was placed in a Parr reactor under a nitrogen atmosphere. , Heated to 180 C for 16 hours. The resulting mixture was added to diethyl ether (200 mL), the layers were separated, and the organic layer was filtered through celite. After the volatiles were evaporated, the resulting solid was purified using chromatography (20% DCM / hexanes), the D 6-8-hydroxyquinoline The product of 2.4 g (77% yield) Obtained.

ET4の合成
1.0gの塩化ジルコニウム(IV)を10mLの乾燥メタノールと混合し、3.2gのD6−8−ヒドロキシキノリンを10mLの乾燥メタノール中に含む攪拌されている溶液に加えた。これは、窒素下で30分間攪拌し、還流させた。Zr反応物はすぐに濃い黄色の沈殿物を形成し、それを30分間、攪拌および加熱還流した。これに4.8gのトリ−n−ブチルアミンを加え、還流を15分間続けた。濃い黄色の沈殿物を濾過し、メタノールおよびアンモニア(1N)で洗浄した。それを乾燥させてから、淡黄色の溶液として塩化メチレンで抽出し、メタノールを加えて再沈殿させた。構造は1H NMRで確認した。
Zirconium chloride synthesis 1.0g of ET4 (IV) was mixed with dry methanol 10 mL, was added to the stirred solution containing D 6-8-hydroxyquinoline 3.2g in dry methanol 10 mL. This was stirred and refluxed under nitrogen for 30 minutes. The Zr reaction immediately formed a dark yellow precipitate, which was stirred and heated to reflux for 30 minutes. To this was added 4.8 g of tri-n-butylamine and reflux was continued for 15 minutes. The dark yellow precipitate was filtered and washed with methanol and ammonia (1N). After drying it, it was extracted with methylene chloride as a pale yellow solution and reprecipitated with methanol. The structure was confirmed by 1 H NMR.

合成の実施例8
この実施例は、重水素化エレクトロルミネセンス化合物E13の製法を例示するものである。
Example 8 of synthesis
This example illustrates the preparation of deuterated electroluminescent compound E13.

a)以下に示す化合物を、Yan et.al.,J.Mater.Chem.,2004,14,2295−3000の手順に従って作った。   a) The compounds shown below were prepared according to Yan et. al. , J .; Mater. Chem. 2004, 14, 2295-3000.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

b)非重水素化合物を以下の方式に従って調製した。   b) Non-deuterium compounds were prepared according to the following scheme.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

1.0gのブロモスチルベン(2.3mM)をグローブボックス内に入れ、0.74g(2.3mM)の示されている第二アミンおよび0.24gのt−BuONa(2.4mM)を10mLのトルエンと一緒に加える。トルエンに溶かした40mgのP(t−Bu)3、100mgのPd2DBA3を加える。グローブボックス内においてマントルで窒素下において80Cで1時間混合加熱する。溶液は、その時すぐには暗紫色であるが、〜80Cに達すると、顕著な青色ルミネセンスを伴う暗黄色である。物質を冷却し、グローブボックスから取り出し、クロマトグラフィーで精製し、トルエンで溶出させる。青色ルミネセンスの物質は非常によく溶け、淡黄色の溶液として溶出する。溶液を蒸発させて、容積を小さくし、メタノールを加えて輝く青色の光ルミネセンスを伴う淡黄色の固体を沈殿させる。NMR分析により構造が確認された。 Place 1.0 g of bromostilbene (2.3 mM) in the glove box and add 0.74 g (2.3 mM) of the indicated secondary amine and 0.24 g of t-BuONa (2.4 mM) to 10 mL. Add with toluene. Add 40 mg P (t-Bu) 3 , 100 mg Pd 2 DBA 3 dissolved in toluene. Mix and heat for 1 hour at 80 C in a mantle under nitrogen in a glove box. The solution is then dark purple immediately, but when it reaches ˜80 C, it is dark yellow with significant blue luminescence. The material is cooled, removed from the glove box, purified by chromatography and eluted with toluene. Blue luminescent material dissolves very well and elutes as a pale yellow solution. The solution is evaporated to reduce the volume and methanol is added to precipitate a pale yellow solid with a bright blue photoluminescence. The structure was confirmed by NMR analysis.

c)化合物E13を、合成の実施例6の手順と似た手順を用いて、上記のステップ(b)からの化合物を重水素化することにより調製した。   c) Compound E13 was prepared by deuterating the compound from step (b) above using a procedure similar to that of Synthesis Example 6.

デバイスの実施例1〜6
以下の非重水素化物質を用いた。
Examples 1 to 6 of the device
The following non-deuterated materials were used.

HIJ−AおよびHIJ−Bは、導電性ポリマーおよび高分子フッ素化スルホン酸の水性分散液である。そのような物質は、例えば、米国特許出願公開第2004/0102577号明細書、米国特許出願公開第2004/0127637号明細書、米国特許出願公開第2005/0205860号明細書、および公開されたPCT出願の国際公開第2009/018009号パンフレットに記載されている。   HIJ-A and HIJ-B are aqueous dispersions of conductive polymers and polymeric fluorinated sulfonic acids. Such materials include, for example, U.S. Patent Application Publication No. 2004/0102577, U.S. Patent Application Publication No. 2004/0127637, U.S. Patent Application Publication No. 2005/0205860, and published PCT applications. In International Publication No. 2009/018009.

ポリマーPol−Aは、非架橋のアリールアミンポリマー(20nm)である。
ELM−AおよびELM−Bは、青色発光するエレクトロルミネセンスのビス(ジアリールアミノ)クリセン化合物である。
Polymer Pol-A is a non-crosslinked arylamine polymer (20 nm).
ELM-A and ELM-B are electroluminescent bis (diarylamino) chrysene compounds that emit blue light.

ホストAは、ジアリールアントラセン化合物である。   Host A is a diarylanthracene compound.

ET−Aは、金属キノレート誘導体(10nm)である。   ET-A is a metal quinolate derivative (10 nm).

装置の実施例1では、重水素化物質は正孔注入層中に存在した。正孔注入層は、合成の実施例1からのD5−PPy/D−ポリ(TFE−PSEPVE)であった。 In Example 1 of the device, the deuterated material was present in the hole injection layer. The hole injection layer was D 5 -PPy / D-poly (TFE-PSEPVE) from Synthesis Example 1.

装置の実施例2では、重水素化物質は正孔輸送層中に存在した。正孔輸送層は合成の実施例2からのHT5であった。   In Device Example 2, the deuterated material was present in the hole transport layer. The hole transport layer was HT5 from Synthesis Example 2.

装置の実施例3では、重水素化物質はエレクトロルミネセンス層中に存在した。エレクトロルミネセンス物質は合成の実施例4からのE4であった。   In device example 3, the deuterated material was present in the electroluminescent layer. The electroluminescent material was E4 from Synthesis Example 4.

装置の実施例4では、重水素化物質はエレクトロルミネセンス層中に存在した。エレクトロルミネセンス層中のホストは、合成の実施例5からのH14であった。   In Device Example 4, the deuterated material was present in the electroluminescent layer. The host in the electroluminescent layer was H14 from Synthesis Example 5.

装置の実施例5では、重水素化物質は電子輸送層中に存在した。電子輸送層は合成の実施例6からのET2であった。   In Example 5 of the device, the deuterated material was present in the electron transport layer. The electron transport layer was ET2 from Synthesis Example 6.

装置の実施例6では、重水素化物質は電子輸送層中に存在した。電子輸送層は合成の実施例7からのET4であった。   In device example 6, deuterated material was present in the electron transport layer. The electron transport layer was ET4 from Synthesis Example 7.

それぞれのデバイスで、陽極はインジウム・スズ・酸化物(ITO)であり、電子注入層はCsFであり、陰極はAl(100nm)であった。実施例1、2、4、5、および6では、陽極の厚さは50nmであり、実施例3では、陽極の厚さは180nmであった。実施例1〜4および6では、電子注入層の厚さは1nmであり、実施例5では電子注入の厚さは0.7nmであった。他の層の物質および厚さについては、以下の表1に要約してある。   In each device, the anode was indium tin oxide (ITO), the electron injection layer was CsF, and the cathode was Al (100 nm). In Examples 1, 2, 4, 5, and 6, the anode thickness was 50 nm, and in Example 3, the anode thickness was 180 nm. In Examples 1 to 4 and 6, the thickness of the electron injection layer was 1 nm, and in Example 5, the thickness of the electron injection was 0.7 nm. The other layer materials and thicknesses are summarized in Table 1 below.

Figure 2012513688
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OLEDデバイスは、溶液処理と熱蒸発技法とを併用することによって作製した。パターン化インジウム・スズ・酸化物(ITO)で被覆されたガラス基板(Thin Film Devices,Incからのもの)を使用した。こうしたITO基板は、シート抵抗が30オーム/平方であり光透過率が80%であるITOで被覆されたCorning 1737ガラスをベースにしている。パターン化ITO基板を、洗浄剤水溶液中で超音波を使って清浄にし、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化ITOをアセトン中で超音波を使って清浄にし、イソプロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させた。   The OLED device was made by using a combination of solution processing and thermal evaporation techniques. A glass substrate (from Thin Film Devices, Inc.) coated with patterned indium tin oxide (ITO) was used. Such an ITO substrate is based on Corning 1737 glass coated with ITO having a sheet resistance of 30 ohms / square and a light transmission of 80%. The patterned ITO substrate was cleaned using ultrasonic waves in a cleaning solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then cleaned using ultrasound in acetone, rinsed with isopropanol, and dried with a stream of nitrogen.

デバイスの作製の直前に、清浄にしたパターン化ITO基板を紫外オゾンで10分間処理した。冷却直後に、正孔注入物質の水性分散液を、ITO表面を覆うようにスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後、次いで基板を正孔輸送物質の溶液でスピンコーティングし、次いで加熱して溶媒を除去した。冷却後、基板をエレクトロルミネセンス層溶液でスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。基板をマスキングし、真空チャンバーに入れた。電子輸送層を熱蒸発によって付着させ、その後、CsF層を電子注入層として付着させた。次いで真空中でマスクを変え、Al層を熱蒸発で付着させて陰極を形成させた。チャンバーのガス抜きを行い、ガラスの蓋、乾燥剤、および紫外線硬化性エポキシを用いてデバイスをカプセル化した。   Just prior to device fabrication, the cleaned patterned ITO substrate was treated with ultraviolet ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, an aqueous dispersion of the hole injection material was spin-coated so as to cover the ITO surface and heated to remove the solvent. After cooling, the substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove the solvent. After cooling, the substrate was spin coated with the electroluminescent layer solution and heated to remove the solvent. The substrate was masked and placed in a vacuum chamber. The electron transport layer was deposited by thermal evaporation, and then the CsF layer was deposited as an electron injection layer. Next, the mask was changed in vacuum, and the Al layer was deposited by thermal evaporation to form a cathode. The chamber was degassed and the device was encapsulated with a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.

OLED試料は、(1)電流−電圧(I−V)曲線、(2)エレクトロルミネセンスの輝度 対 電圧、および(3)エレクトロルミネセンススペクトル 対 電圧を測定して特徴を決定した。3種類の測定はすべて同時にコンピュータで実行し制御した。ある一定電圧でのデバイスの電流効率は、LEDのエレクトロルミネセンス輝度を、デバイスを作動させるのに必要な電流で割ることによって求める。単位はcd/Aである。電力効率は、電流効率にpiを乗じ、動作電圧で割ったものである。単位はlm/Wである。デバイスのデータを、表2および表3に示す。   OLED samples were characterized by measuring (1) current-voltage (IV) curves, (2) electroluminescence brightness vs. voltage, and (3) electroluminescence spectrum vs. voltage. All three types of measurements were performed and controlled simultaneously on a computer. The current efficiency of the device at a certain voltage is determined by dividing the electroluminescence brightness of the LED by the current required to operate the device. The unit is cd / A. Power efficiency is the current efficiency multiplied by pi and divided by the operating voltage. The unit is lm / W. Device data are shown in Tables 2 and 3.

Figure 2012513688
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Figure 2012513688
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この実施例では、半減期ではなく、70%の輝度に達する時間を求めた。しかし、計算半減期は、70%の輝度に達する計算された時間よりもはるかに長いであろう。したがって、1000ニットでの半減期は、明らかに10,000時間より長い。   In this example, the time to reach 70% brightness was determined instead of the half-life. However, the calculated half-life will be much longer than the calculated time to reach 70% brightness. Thus, the half-life at 1000 nits is clearly longer than 10,000 hours.

デバイスの実施例7
この実施例は、液体付着によって形成された重水素化下塗層を有する電子デバイスを例示する。ここでは、正孔輸送層とエレクトロルミネセンス層も液体付着によって形成される。
Example 7 of device
This example illustrates an electronic device having a deuterated subbing layer formed by liquid deposition. Here, the hole transport layer and the electroluminescent layer are also formed by liquid deposition.

デバイスは、ガラス基板上に以下の構造を有していた:
陽極=ITO:50nm
正孔注入層=HIJ−B(50nm)
下塗層:HT11(20nm)
正孔輸送層=Pol−A(20nm)
エレクトロルミネセンス層=ホストH14:ドーパントELM−Bが、13:1の重量比である(40nm)
電子輸送層=ET−A(10nm)
陰極=CsF/Al(1/100nm)
The device had the following structure on a glass substrate:
Anode = ITO: 50 nm
Hole injection layer = HIJ-B (50 nm)
Undercoat layer: HT11 (20 nm)
Hole transport layer = Pol-A (20 nm)
Electroluminescent layer = host H14: dopant ELM-B is in a 13: 1 weight ratio (40 nm)
Electron transport layer = ET-A (10 nm)
Cathode = CsF / Al (1/100 nm)

OLEDデバイスは、溶液処理と熱蒸発技法とを併用することによって作製した。パターン化インジウム・スズ・酸化物(ITO)で被覆されたガラス基板(Thin Film Devices,Incからのもの)を使用した。このITO基板は、シート抵抗が30オーム/平方であり光透過率が80%であるITOで被覆されたCorning 1737ガラスをベースにしている。パターン化ITO基板を、洗浄剤水溶液中で超音波を使って清浄にし、蒸留水ですすいだ。その後、パターン化ITOをアセトン中で超音波を使って清浄にし、イソプロパノールですすぎ、窒素流で乾燥させた。   The OLED device was made by using a combination of solution processing and thermal evaporation techniques. A glass substrate (from Thin Film Devices, Inc.) coated with patterned indium tin oxide (ITO) was used. The ITO substrate is based on Corning 1737 glass coated with ITO having a sheet resistance of 30 ohms / square and a light transmission of 80%. The patterned ITO substrate was cleaned using ultrasonic waves in a cleaning solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then cleaned using ultrasound in acetone, rinsed with isopropanol, and dried with a stream of nitrogen.

デバイスの作製の直前に、清浄にしたパターン化ITO基板を紫外オゾンで10分間処理した。冷却直後に、HIJ−Bの水性分散液を、ITO表面を覆うようにスピンコーティングし、加熱して溶媒を除去した。冷却後に、HT11のトルエン溶液を正孔注入層の上にスピンコーティングすることによって、下塗層を形成させた。下塗層は、100mJ/cm2の放射線量を用いて248nmで画像状に暴露した。暴露後に、下塗層は、2000rpmで60秒間スピンさせながらアニソールを吹き付け、30秒間スピンさせて乾燥させることにより、現像した。次いで、基板を正孔輸送物質の溶液でスピンコーティングし、その後、加熱して溶媒を除去した。エレクトロルミネセンス層は、スピンコーティングにより安息香酸メチル溶液から付着させ、その後加熱して溶媒を除去した。冷却後に、基板をマスキングし、真空チャンバーに入れた。次いで電子輸送物質を熱蒸発で付着させ、その後CsF層を付着させた。次いで真空中でマスクを変え、Al層を熱蒸発で付着させた。チャンバーのガス抜きを行い、ガラスの蓋、乾燥剤、および紫外線硬化性エポキシを用いてデバイスをカプセル化した。 Just prior to device fabrication, the cleaned patterned ITO substrate was treated with ultraviolet ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, an aqueous dispersion of HIJ-B was spin-coated so as to cover the ITO surface, and heated to remove the solvent. After cooling, an undercoat layer was formed by spin coating a toluene solution of HT11 on the hole injection layer. The subbing layer was exposed imagewise at 248 nm using a radiation dose of 100 mJ / cm 2 . After exposure, the subbing layer was developed by spraying anisole while spinning at 2000 rpm for 60 seconds, spinning for 30 seconds and drying. The substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove the solvent. The electroluminescent layer was deposited from the methyl benzoate solution by spin coating and then heated to remove the solvent. After cooling, the substrate was masked and placed in a vacuum chamber. The electron transport material was then deposited by thermal evaporation, followed by the CsF layer. The mask was then changed in vacuum and the Al layer was deposited by thermal evaporation. The chamber was degassed and the device was encapsulated with a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.

OLED試料は、上述のような特徴を有していた。   The OLED sample had the characteristics as described above.

得られたデバイスのデータを表4に示す。   The obtained device data is shown in Table 4.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

デバイスの実施例8
この実施例は、重水素化ホストと重水素化エレクトロルミネセンスドーパントとを含むエレクトロルミネセンス層を有する電子デバイスを例示するものである。
Example 8 of device
This example illustrates an electronic device having an electroluminescent layer comprising a deuterated host and a deuterated electroluminescent dopant.

デバイスは、ガラス基板上に以下の構造を有していた:
陽極=ITO:50nm
正孔注入層=HIJ−B(50nm)
正孔輸送層=Pol−A(20nm)
エレクトロルミネセンス層=ホストH14:ドーパントE13が86:14の重量比である(40nm)
電子輸送層=ET−A(10nm)
陰極=CsF/Al(0.7/100nm)
The device had the following structure on a glass substrate:
Anode = ITO: 50 nm
Hole injection layer = HIJ-B (50 nm)
Hole transport layer = Pol-A (20 nm)
Electroluminescence layer = host H14: dopant E13 is in a weight ratio of 86:14 (40 nm)
Electron transport layer = ET-A (10 nm)
Cathode = CsF / Al (0.7 / 100 nm)

OLEDデバイスは、デバイスの実施例1に記載したようにして作製した。結果を表5に示す。   The OLED device was made as described in Device Example 1. The results are shown in Table 5.

Figure 2012513688
Figure 2012513688

表中のデータで示されているように、重水素化物質を含む少なくとも1種の層を持つデバイスは、計算半減期が5000時間より長かった。デバイスの実施例3では、計算半減期が50,000時間より長かった。   As shown by the data in the table, the device with at least one layer containing deuterated material had a calculated half-life of greater than 5000 hours. In device Example 3, the calculated half-life was greater than 50,000 hours.

概要および実施例において上で述べた作業のすべてが必要であるわけではないこと、特定作業の一部は必要ではないことがあること、また説明したものに加えて1つまたは複数の更なる作業が実行されうることに留意されたい。またさらに、列挙されている作業の順序は、必ずしもそれらが実行される順序ではない。   Not all of the tasks described above in the overview and examples are necessary, some of the specific tasks may not be necessary, and one or more additional tasks in addition to those described Note that can be performed. Still further, the order of operations listed is not necessarily the order in which they are performed.

上記の明細書により、各概念が特定の実施形態に関連して説明された。しかし、以下の請求項に記載した本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正および変更を行うことができることは、当業者により理解される。したがって、明細書および図は、制限的な意味ではなく例示的なものと見なすべきであり、そのような修正はすべて本発明の範囲に含まれることが意図される。   In the foregoing specification, each concept has been described with reference to specific embodiments. However, one of ordinary skill in the art appreciates that various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention as set forth in the claims below. The specification and drawings are accordingly to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included within the scope of the present invention.

上記において、便益、他の利点、および問題の解決法は、特定の実施形態に関連して説明されている。しかし、便益、利点、問題の解決法、ならびにいずれかの便益、利点、または解決法をもたらしうるかまたはより顕著なものにしうるどの特徴も、いずれかまたはすべての請求項の重要な特徴、必須の特徴、または基本的特徴と解釈すべきではない。   In the above, benefits, other advantages, and solutions to problems have been described with reference to specific embodiments. However, benefits, benefits, solutions to problems, and any features that may provide or make any benefit, advantage, or solution an important feature of any or all claims, essential It should not be interpreted as a feature or a basic feature.

明快にするために別々の実施形態の文脈において本明細書で説明されている特定の複数の特徴を、1つの実施形態で兼ね備えさせることもできることを理解すべきである。その逆に、簡潔にするために1つの実施形態の文脈で説明されている様々な特徴を、別個に、あるいは任意の副次的な組合せで備えさせることもできる。   It should be understood that the specific features described herein in the context of separate embodiments may be combined in one embodiment for clarity. Conversely, various features that are described in the context of one embodiment for the sake of brevity may be provided separately or in any subcombination.

本明細書に明記されている様々な範囲内の数値が使用されている場合、近似値として示されており、これは、示されている範囲内の最小値および最大値の両方に「約」という言葉が付けられているかのようである。こうして、示されている範囲より上および下のわずかな変化値は、その範囲内の値と実質的に同じ結果を得るのに使用できる。また、開示されているこうした範囲は、最小平均値と最大平均値の間のすべての値(ある値の成分の幾つかを別の値の成分と合わせた場合に生じうる小数値を含む)を含む連続範囲であることを意図する。さらに、広い範囲および狭い範囲が開示されている場合、ある範囲の最小値と別の範囲の最大値を組み合わせることおよびその逆も、本発明において企図される。   Where numbers within the various ranges specified herein are used, they are shown as approximations, which are “about” to both the minimum and maximum values within the indicated range. It seems that the word is attached. Thus, slight change values above and below the indicated range can be used to obtain substantially the same results as values within that range. Also, such disclosed ranges include all values between the minimum and maximum average values (including fractional values that can occur when some of the components of one value are combined with the components of another value). It is intended to be a continuous range including. Further, where a wide range and a narrow range are disclosed, combining the minimum value of one range with the maximum value of another range and vice versa is also contemplated in the present invention.

Claims (17)

陽極と陰極とそれらの間の有機活性層とを含む有機発光ダイオードであって、前記有機活性層が重水素化合物を含み、前記デバイスの1000ニットでの計算半減期が少なくとも5000時間である、有機発光ダイオード。   An organic light emitting diode comprising an anode and a cathode and an organic active layer therebetween, wherein the organic active layer comprises a deuterium compound and the calculated half-life at 1000 nits of the device is at least 5000 hours Light emitting diode. 前記有機活性層が重水素化導電性ポリマーおよびフッ素化酸ポリマーを含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode of claim 1, wherein the organic active layer comprises a deuterated conductive polymer and a fluorinated acid polymer. 前記有機活性層が、分子式単位当たり少なくとも2個のジアリールアミノ部分を有する正孔輸送重水素化合物を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode of claim 1, wherein the organic active layer comprises a hole transporting deuterium compound having at least two diarylamino moieties per molecular formula unit. 前記有機活性層が、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic active layer is a deuterated polymer triarylamine, a deuterated polycarbazole, a deuterated polyfluorene, a deuterated polymer triarylamine having a conjugated portion bonded in a non-planar configuration. The organic light emitting diode of claim 1 comprising a material selected from the group consisting of: a class, a deuterated copolymer of fluorene and triarylamine, and combinations thereof. 前記有機活性層が、重水素化クリセン類、重水素化ピレン類、重水素化ペリレン類、重水素化ルブレン類、重水素化ペリフランテン類、重水素化フルオランテン類、重水素化スチルベン類、重水素化クマリン類、重水素化アントラセン類、重水素化チアジアゾール類、重水素化スピロビフルオレン類、それらの誘導体、およびそれらの混合物よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic active layer comprises deuterated chrysenes, deuterated pyrenes, deuterated perylenes, deuterated rubrenes, deuterated perifuranthenes, deuterated fluoranthenes, deuterated stilbenes, deuterium. Comprising an electroluminescent compound selected from the group consisting of deuterated coumarins, deuterated anthracenes, deuterated thiadiazoles, deuterated spirobifluorenes, derivatives thereof, and mixtures thereof. The organic light emitting diode as described. 前記有機活性層が、次式:
Figure 2012513688
[式中、
Aは、それぞれの出現箇所で同一または異なっていて、3〜60個の炭素原子を有する芳香族基であり;
Q’は、ナフタレン、アントラセン、ベンズ[a]アントラセン、ジベンズ[a,h]アントラセン、フルオランテン、フルオレン、スピロフルオレン、テトラセン、クリセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ルブレン、それらの置換誘導体、およびそれらの重水素化類似体よりなる群から選択され、
pおよびqは、同一または異なっていて、それぞれが1〜6の整数である]
の1つを有するエレクトロルミネセンス化合物を含み、
前記化合物の少なくとも10%が重水素化されている、請求項1に記載の有機発光ダイオード。
The organic active layer has the following formula:
Figure 2012513688
[Where:
A is an aromatic group which is the same or different at each occurrence and has 3 to 60 carbon atoms;
Q ′ is naphthalene, anthracene, benz [a] anthracene, dibenz [a, h] anthracene, fluoranthene, fluorene, spirofluorene, tetracene, chrysene, pyrene, tetracene, xanthene, perylene, coumarin, rhodamine, quinacridone, rubrene, and the like Selected from the group consisting of substituted derivatives of and deuterated analogs thereof,
p and q are the same or different and each is an integer of 1 to 6]
An electroluminescent compound having one of
The organic light-emitting diode according to claim 1, wherein at least 10% of the compound is deuterated.
前記有機活性層が、重水素化アミノアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化アミノスチルベン類、重水素化金属キノレート錯体、および重水素化イリジウム錯体よりなる群から選択されるエレクトロルミネセンス化合物を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   Electroluminescence wherein the organic active layer is selected from the group consisting of deuterated aminoanthracenes, deuterated aminocricenes, deuterated aminostilbenes, deuterated metal quinolate complexes, and deuterated iridium complexes The organic light emitting diode according to claim 1, comprising a compound. 前記有機活性層が、(a)重水素化アントラセン類、重水素化クリセン類、重水素化ピレン類、重水素化フェナントレン類、重水素化トリフェニレン類、重水素化フェナントロリン類、重水素化ナフタレン類、重水素化キノリン類、重水素化イソキノリン類、重水素化キノキサリン類、重水素化重水素化フェニルピリジン類、重水素化ジベンゾフラン類、重水素化ジフラノベンゼン類、重水素化金属キノリネート錯体、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、それらの置換誘導体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される少なくとも1種のホスト物質と、(b)380から750nmの間に発光極大を有するエレクトロルミネセンスが可能な少なくとも1種のドーパントとを含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic active layer comprises (a) deuterated anthracenes, deuterated chrysenes, deuterated pyrenes, deuterated phenanthrenes, deuterated triphenylenes, deuterated phenanthrolines, deuterated naphthalenes. Deuterated quinolines, deuterated isoquinolines, deuterated quinoxalines, deuterated deuterated phenylpyridines, deuterated dibenzofurans, deuterated difuranobenzenes, deuterated metal quinolinate complexes, At least one selected from the group consisting of deuterated indolocarbazoles, deuterated benzimidazoles, deuterated triazolopyridines, deuterated diheteroarylphenyls, substituted derivatives thereof, and combinations thereof A seed host material and (b) an electroluminescence having an emission maximum between 380 and 750 nm And at least one dopant capable, organic light emitting diode according to claim 1. 前記ホスト物質が、重水素化ジアリールアントラセン類、重水素化アミノクリセン類、重水素化ジアリールクリセン類、重水素化ジアリールピレン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化フェナントロリン類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される、請求項8に記載の有機発光ダイオード。   The host material is a deuterated diarylanthracene, a deuterated aminochrysene, a deuterated diarylchrysene, a deuterated diarylpyrene, a deuterated indolocarbazole, a deuterated phenanthroline, and their The organic light emitting diode according to claim 8, which is selected from the group consisting of combinations. 前記有機活性層が、重水素化フェナントロリン類、重水素化インドロカルバゾール類、重水素化ベンズイミダゾール類、重水素化トリアゾロピリジン類、重水素化ジヘテロアリールフェニル類、重水素化金属キノレート類、およびそれらの組合せよりなる群から選択される電子輸送物質を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic active layer is composed of deuterated phenanthrolines, deuterated indolocarbazoles, deuterated benzimidazoles, deuterated triazolopyridines, deuterated diheteroarylphenyls, deuterated metal quinolates. The organic light-emitting diode according to claim 1, comprising an electron transport material selected from the group consisting of: 前記活性層が、下塗層を用いて形成された化学的閉じ込め層であって、前記下塗層が、重水素化高分子トリアリールアミン類、重水素化ポリカルバゾール類、重水素化ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する重水素化高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとの重水素化コポリマー、重水素化金属キノレート誘導体、およびそれらの組合せよりなる群から選択される物質を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The active layer is a chemical confinement layer formed using an undercoat layer, and the undercoat layer comprises deuterated polymer triarylamines, deuterated polycarbazoles, deuterated polyfluorene. , Deuterated polymeric triarylamines having conjugated moieties attached in a non-planar configuration, deuterated copolymers of fluorene and triarylamine, deuterated metal quinolate derivatives, and combinations thereof The organic light emitting diode according to claim 1, comprising a material selected from: 第2活性層をさらに含み、前記第2活性層が重水素化合物を含む、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode according to claim 1, further comprising a second active layer, wherein the second active layer includes a deuterium compound. 前記1000ニットでの計算半減期が少なくとも10,000時間である、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode of claim 1, wherein the calculated half-life at 1000 nits is at least 10,000 hours. 前記1000ニットでの計算半減期が少なくとも20,000時間である、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   2. The organic light emitting diode according to claim 1, wherein the calculated half-life at 1000 nits is at least 20,000 hours. 前記1000ニットでの計算半減期が少なくとも50,000時間である、請求項1に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode of claim 1, wherein the calculated half-life at 1000 nits is at least 50,000 hours. 陽極と陰極とそれらの間の有機層とを含む有機発光ダイオードであって、前記有機層が、正孔注入層、正孔輸送層、エレクトロルミネセンス層、電子輸送層、および陰極であり、また前記有機層の少なくとも2種類が重水素化物質から本質的になる、有機発光ダイオード。   An organic light emitting diode comprising an anode and a cathode and an organic layer therebetween, wherein the organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electroluminescence layer, an electron transport layer, and a cathode; An organic light emitting diode, wherein at least two of the organic layers consist essentially of deuterated materials. 前記有機層のすべてが重水素化物質から本質的になる、請求項16に記載の有機発光ダイオード。   The organic light emitting diode of claim 16, wherein all of the organic layer consists essentially of deuterated material.
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