KR20110106397A - Electronic devices having long lifetime - Google Patents

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KR20110106397A
KR20110106397A KR1020117017050A KR20117017050A KR20110106397A KR 20110106397 A KR20110106397 A KR 20110106397A KR 1020117017050 A KR1020117017050 A KR 1020117017050A KR 20117017050 A KR20117017050 A KR 20117017050A KR 20110106397 A KR20110106397 A KR 20110106397A
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브세볼로드 로스토프체프
웨이잉 가오
게리 에이. 요한슨
율롱 쉔
아담 펜니모어
칼린디 도그라
홍 멩
웨이시 우
마이클 헨리 하워드 주니어
랄프 버차드 로이드
노라 사비나 라두
노만 헤론
다니엘 데이빗 르클루
에릭 모리스 스미스
체-흐시엉 수
경호 박
제프리 에이. 멜로
크리스티나 엠. 올더
제랄드 펠드만
잉 왕
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Abstract

애노드, 캐소드, 및 이들 사이의 유기 활성 층을 갖는 유기 발광 다이오드가 제공된다. 유기 활성 층은 중수소화 화합물을 포함하며, 소자는 1000 니트에서 적어도 5000 시간의 계산 반감기를 갖는다.An organic light emitting diode is provided having an anode, a cathode, and an organic active layer therebetween. The organic active layer comprises a deuterated compound and the device has a calculated half life of at least 5000 hours at 1000 nits.

Description

긴 수명을 가진 전자 소자 {ELECTRONIC DEVICES HAVING LONG LIFETIME}Electronic device with long life {ELECTRONIC DEVICES HAVING LONG LIFETIME}

관련 출원 데이터Related application data

본 출원은 35 U.S.C. § 119(e)에 의거하여 2009년 12월 21일자로 출원된 미국 출원 제12/643,459호, 2008년 12월 22일자로 출원된 미국 가출원 제61/139,834호, 2009년 2월 27일자로 출원된 미국 가출원 제61/156,181호, 2009년 4월 3일자로 출원된 미국 가출원 제61/166,400호, 2009년 5월 7일자로 출원된 미국 가출원 제61/176,141호, 2009년 5월 19일자로 출원된 미국 가출원 제61/179,407호, 2009년 7월 27일자로 출원된 미국 가출원 제61/228,689호,This application claims 35 U.S.C. US Application No. 12 / 643,459, filed December 21, 2009, pursuant to § 119 (e), US Provisional Application No. 61 / 139,834, filed December 22, 2008, filed February 27, 2009 US Provisional Application No. 61 / 156,181, filed April 3, 2009 US Provisional Application No. 61 / 166,400, filed May 7, 2009, US Provisional Application No. 61 / 176,141, May 19, 2009 U.S. Provisional Application No. 61 / 179,407, filed U.S. Provisional Application No. 61 / 228,689, filed July 27, 2009,

2009년 8월 13일자로 출원된 미국 가출원 제61/233,592호, 2009년 9월 3일자로 출원된 미국 가출원 제61/239,574호, 2009년 9월 29일자로 출원된 미국 가출원 제61/246,563호, 2009년 10월 29일자로 출원된 미국 가출원 제61/256,012호, 및 2009년 12월 3일자로 출원된 미국 가출원 제61/267,928호의 우선권을 주장하며, 이들 각각은 원용에 의해 그 전체 내용이 본 명세서에 포함된다.US Provisional Application No. 61 / 233,592, filed August 13, 2009, US Provisional Application No. 61 / 239,574, filed September 3, 2009, US Provisional Application No. 61 / 246,563, filed September 29, 2009 , US Provisional Application No. 61 / 256,012, filed October 29, 2009, and US Provisional Application No. 61 / 267,928, filed December 3, 2009, each of which is incorporated by reference in its entirety. Included herein.

본 발명은 중수소화 화합물을 동반하는 적어도 하나의 층을 가지며 활성 수명이 긴 전자 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic device having a long active life and having at least one layer with deuterated compounds.

디스플레이(display)를 구성하는 발광 다이오드와 같이 광을 방출하는 유기 전자 소자가 많은 다양한 전자 장비에 존재한다. 그러한 소자 모두에서, 유기 활성 층이 2개의 전기 접촉 층 사이에 개재된다. 전기 접촉 층들 중 적어도 하나는 광투과성이어서 광이 전기 접촉 층을 통과할 수 있다. 유기 활성 층은 전기 접촉 층을 가로질러 전기를 인가할 때 광투과성 전기 접촉 층을 통해 광을 방출한다.Organic electronic devices that emit light, such as light emitting diodes that make up a display, exist in many different electronic equipment. In all such devices, an organic active layer is sandwiched between two electrical contact layers. At least one of the electrical contact layers is light transmissive such that light can pass through the electrical contact layer. The organic active layer emits light through the light transmissive electrical contact layer when applying electricity across the electrical contact layer.

발광 다이오드에서 활성 성분으로서 유기 전계발광 화합물을 사용하는 것은 주지되어 있다. 안트라센, 티아다이아졸 유도체, 및 쿠마린 유도체와 같은 단순한 유기 분자가 전계발광을 나타내는 것으로 공지되어 있다. 예를 들어, 미국 특허 제5,247,190호, 미국 특허 제5,408,109호, 및 공개 유럽 특허 출원 제443 861호에 개시된 바와 같이, 반도체성 공액 중합체 또한 전계발광 성분으로 사용되어 왔다. 다수의 경우에 전계발광 화합물은 호스트 재료 내에 도판트(dopant)로서 존재한다. 다수의 소자에서 유기 전하-주입 층 및/또는 전하-수송 층이 발광 층 및 애노드(anode) 및/또는 캐소드(cathode) 사이에 존재한다.It is well known to use organic electroluminescent compounds as active components in light emitting diodes. Simple organic molecules such as anthracene, thiadiazole derivatives, and coumarin derivatives are known to exhibit electroluminescence. Semiconductor conjugated polymers have also been used as electroluminescent components, for example, as disclosed in US Pat. No. 5,247,190, US Pat. No. 5,408,109, and published European Patent Application 443 861. In many cases the electroluminescent compound is present as a dopant in the host material. In many devices an organic charge-injection layer and / or a charge-transport layer is present between the light emitting layer and the anode and / or cathode.

더 긴 수명을 가진 전자 소자에 대한 필요성이 계속 존재한다.There is a continuing need for electronic devices with longer lifetimes.

애노드, 캐소드, 및 이들 사이의 유기 활성 층을 포함하며, 여기서 유기 활성 층은 중수소화 화합물을 포함하고, 소자의 계산 반감기가 1000 니트에서 적어도 5000 시간인 유기 발광 다이오드가 제공된다.An organic light emitting diode is provided comprising an anode, a cathode, and an organic active layer therebetween, wherein the organic active layer comprises a deuterated compound, and the device has a calculated half-life of at least 5000 hours at 1000 nits.

유기 활성 층이 중수소화 전도성 중합체 및 플루오르화 산 중합체를 포함하는 상기의 유기 발광 다이오드 또한 제공된다.Also provided is the above organic light emitting diode wherein the organic active layer comprises a deuterated conductive polymer and a fluorinated acid polymer.

유기 활성 층이 적어도 2개의 다이아릴아미노 부분을 갖는 중수소화 정공 수송 화합물을 포함하는 상기의 유기 발광 다이오드 또한 제공된다.Also provided is an organic light emitting diode wherein the organic active layer comprises a deuterated hole transport compound having at least two diarylamino moieties.

유기 활성 층이 중수소화 아미노안트라센, 중수소화 아미노크리센, 중수소화 금속 퀴놀레이트 착물, 및 중수소화 이리듐 착물로 구성된 군으로부터 선택된 전계발광 화합물을 포함하는 상기의 유기 발광 다이오드 또한 제공된다.There is also provided the above organic light emitting diode, wherein the organic active layer comprises an electroluminescent compound selected from the group consisting of deuterated aminoanthracene, deuterated aminocrynes, deuterated metal quinolate complexes, and deuterated iridium complexes.

유기 활성 층이 (a) 중수소화 아릴안트라센, 중수소화 아릴피렌, 중수소화 아릴크리센, 중수소화 페난트롤린, 중수소화 인돌로카바졸, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 호스트 재료 및 (b) 380 및 750 ㎚ 사이에서 최대 방출을 갖는 전계발광이 가능한 전기활성 도판트를 포함하는 상기의 유기 발광 다이오드 또한 제공된다.A host material selected from the group consisting of (a) deuterated arylanthracene, deuterated arylpyrene, deuterated arylcrisene, deuterated phenanthroline, deuterated indolocarbazole, and combinations thereof, and (b) There is also provided the above organic light emitting diode comprising an electroactive dopant capable of electroluminescence having a maximum emission between 380 and 750 nm.

유기 활성 층이 중수소화 페난트롤린, 중수소화 인돌로카바졸, 및 중수소화 금속 퀴놀레이트로 구성된 군으로부터 선택된 전자 수송 재료를 포함하는 상기의 유기 발광 다이오드 또한 제공된다.Also provided is an organic light emitting diode wherein the organic active layer comprises an electron transport material selected from the group consisting of deuterated phenanthroline, deuterated indolocarbazole, and deuterated metal quinolate.

본 명세서에 제시되는 개념의 이해를 증진하기 위해 구현예들이 첨부 도면에 예시된다.
<도 1>
도 1은 유기 전자 소자의 일례의 예시를 포함한다.
<도 2>
도 2는 유기 전자 소자의 다른 예시를 포함한다.
당업자는 도면의 물체가 단순함 및 명확함을 위해 예시되어 있으며 반드시 축척에 맞게 그려진 것은 아니라는 것을 인식한다. 예를 들어, 구현예의 이해 증진을 돕기 위해 도면상의 일부 물체의 치수가 다른 물체에 비해 과장될 수 있다.
Embodiments are illustrated in the accompanying drawings to facilitate understanding of the concepts presented herein.
<Figure 1>
1 includes an example of an organic electronic device.
<FIG. 2>
2 includes another example of an organic electronic device.
Those skilled in the art recognize that the objects in the figures are illustrated for simplicity and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, the dimensions of some objects in the drawings may be exaggerated relative to other objects to facilitate understanding of the embodiments.

다수의 태양 및 구현예가 본 명세서에 개시되며 이들은 예시적이며 한정적인 것은 아니다. 본 명세서를 읽은 후에, 당업자는 다른 태양 및 구현예가 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 가능함을 이해한다.Many aspects and embodiments are disclosed herein and these are illustrative and not limiting. After reading this specification, skilled artisans appreciate that other aspects and embodiments are possible without departing from the scope of the invention.

구현예들 중 임의의 하나 이상의 구현예의 다른 특징부 및 이득이 하기의 상세한 설명 및 특허청구범위로부터 명백해질 것이다. 상세한 설명은 먼저 용어의 정의 및 해설을 언급하고, 이어서 유기 발광 소자, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전기활성 층, 전자 수송 층, 봉쇄 층(Containment Layer), 기타 소자 층, 중수소화 재료의 합성, 및 최종적으로 실시예를 언급한다.Other features and benefits of any one or more of the embodiments will be apparent from the following detailed description, and from the claims. The detailed description first refers to the definition and explanation of terms, followed by the synthesis of organic light emitting devices, hole injection layers, hole transport layers, electroactive layers, electron transport layers, containment layers, other device layers, deuterated materials , And finally examples.

1. 용어의 정의 및 해설1. Definition and Explanation of Terms

이하에 기술되는 구현예의 상세 사항을 다루기 전에, 일부 용어를 정의 또는 해설하기로 한다.Before discussing the details of the embodiments described below, some terms will be defined or explained.

용어 "지방족 고리"는 비편재된 파이 전자(delocalized pi electron)를 갖지 않는 사이클릭 기를 의미하고자 하는 것이다. 일부 구현예에서, 지방족 고리는 불포화체를 갖지 않는다. 일부 구현예에서, 고리는 하나의 이중 결합 또는 삼중 결합을 갖는다.The term "aliphatic ring" is intended to mean a cyclic group having no delocalized pi electrons. In some embodiments, aliphatic rings have no unsaturated. In some embodiments, the ring has one double bond or triple bond.

용어 "알콕시"는 RO- 기를 지칭하며, 여기서 R은 알킬이다.The term "alkoxy" refers to the group RO-, where R is alkyl.

용어 "알킬"은 하나의 부착점을 갖는 지방족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것으로, 선형, 분지형 또는 사이클릭 기를 포함한다. 이 용어는 헤테로알킬을 포함하고자 하는 것이다. 용어 "탄화수소 알킬"은 헤테로원자를 갖지 않는 알킬 기를 지칭한다. 용어 "중수소화 알킬"은 적어도 하나의 이용가능한 H가 D로 대체된 탄화수소 알킬이다. 일부 구현예에서, 알킬 기는 1 내지 20개의 탄소 원자를 갖는다. 용어 "분지형 알킬"은 적어도 하나의 2차 또는 3차 탄소를 갖는 알킬 기를 지칭한다. 용어 "2차 알킬"은 2차 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬 기를 지칭한다. 용어 "3차 알킬"은 3차 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬 기를 지칭한다. 일부 구현예에서, 분지형 알킬 기는 2차 또는 3차 탄소를 통해 부착된다.The term "alkyl" is intended to mean a group derived from an aliphatic hydrocarbon having one point of attachment, and includes linear, branched or cyclic groups. This term is intended to include heteroalkyls. The term "hydrocarbon alkyl" refers to an alkyl group having no heteroatoms. The term "deuterated alkyl" is hydrocarbon alkyl wherein at least one available H is replaced by D. In some embodiments, an alkyl group has 1 to 20 carbon atoms. The term "branched alkyl" refers to an alkyl group having at least one secondary or tertiary carbon. The term "secondary alkyl" refers to a branched alkyl group having a secondary carbon atom. The term "tertiary alkyl" refers to a branched alkyl group having a tertiary carbon atom. In some embodiments, branched alkyl groups are attached through secondary or tertiary carbons.

용어 "아릴"은 하나의 부착점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "방향족 화합물"은 비편재된 파이 전자를 갖는 적어도 하나의 불포화 사이클릭 기를 포함하는 유기 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 이 용어는 헤테로아릴을 포함하고자 하는 것이다. 용어 "탄화수소 아릴"은 고리 내에 헤테로원자를 갖지 않는 방향족 화합물을 의미하고자 하는 것이다. 용어 아릴은 단일 고리를 갖는 기, 및 단일 결합에 의해 연결될 수 있거나 함께 융합될 수 있는 다중 고리를 갖는 기를 포함한다. 용어 "중수소화 아릴"은, 아릴에 직접 결합된 적어도 하나의 이용가능한 H가 D로 대체된 아릴 기를 지칭한다. 용어 "아릴렌"은 2개의 부착점을 갖는 방향족 탄화수소로부터 유도된 기를 의미하고자 하는 것이다. 일부 구현예에서, 아릴 기는 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는다.The term "aryl" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having one point of attachment. The term "aromatic compound" is intended to mean an organic compound comprising at least one unsaturated cyclic group having unlocalized pi electrons. This term is intended to include heteroaryls. The term "hydrocarbon aryl" is intended to mean an aromatic compound having no heteroatoms in the ring. The term aryl includes groups having a single ring and groups having multiple rings which may be linked by a single bond or may be fused together. The term “deuterated aryl” refers to an aryl group in which at least one available H directly bonded to aryl is replaced with D. The term "arylene" is intended to mean a group derived from an aromatic hydrocarbon having two points of attachment. In some embodiments, aryl groups have 3 to 60 carbon atoms.

용어 "아릴옥시"는, R이 아릴인 기 RO- 기를 지칭한다.The term "aryloxy" refers to the group RO- group, wherein R is aryl.

용어 "화합물"은 분자로 이루어진 전기적으로 하전되지 않은 물질을 의미하고자 하는 것으로, 분자는 추가로 원자로 구성되고, 여기서 원자는 물리적 수단으로 분리할 수 없다. 어구 "인접한"은 소자 내의 층을 지칭하기 위해 사용될 때, 한 층이 다른 층의 바로 옆에 있는 것을 반드시 의미하지는 않는다. 반면에, 어구 "인접한 R 기"는 화학식 내에서 서로 옆에 있는 R 기(즉, 결합에 의해서 연결된 원자 상에 있는 R 기)를 지칭하기 위해 사용된다.The term "compound" is intended to mean an electrically uncharged substance consisting of molecules, where the molecule is further composed of atoms, wherein the atoms cannot be separated by physical means. The phrase "adjacent" when used to refer to a layer in a device does not necessarily mean that one layer is next to the other layer. On the other hand, the phrase “adjacent R groups” is used in the formula to refer to R groups next to each other (ie, R groups on atoms linked by bonds).

용어 "전도성" 또는 "전기 전도성"은, 재료를 지칭할 경우, 카본 블랙 또는 전도성 금속 입자를 첨가하지 않고서도 원래부터 또는 본질적으로 전기 전도성일 수 있는 재료를 의미하고자 하는 것이다.The term "conductive" or "electrically conductive", when referring to a material, is intended to mean a material that can be inherently or essentially electrically conductive without the addition of carbon black or conductive metal particles.

용어 "중수소화"는 적어도 하나의 H가 D로 대체되었음을 의미하고자 하는 것이다. 중수소는 자연 존재비(natural abundance) 수준의 적어도 100배로 존재한다. 화합물 X의 "중수소화 유도체"는 화합물 X와 동일한 구조를 가지나, H를 대체하는 적어도 하나의 D를 동반한다. 용어 "% 중수소화됨" 및 "% 중수소화"는 양성자 및 중양자의 합에 대한 중양자의 비율을 백분율로 나타낸 것을 지칭한다. 따라서, 화합물 C6H4D2에 있어서 % 중수소화는:The term "deuterated" is intended to mean that at least one H has been replaced with D. Deuterium is present at least 100 times the natural abundance level. A "deuterated derivative" of compound X has the same structure as compound X but is accompanied by at least one D that replaces H. The terms "% deuterated" and "% deuterated" refer to the ratio of the protons to the sum of the protons and the protons as a percentage. Thus,% deuteration for compound C 6 H 4 D 2 is:

2/(4+2) × 100 = 33% 중수소화이다.2 / (4 + 2) × 100 = 33% deuterated.

용어 "도판트"는, 호스트 재료를 포함하는 층 내부에서, 그러한 재료의 부재 하에서의 층의 전자적 특성(들) 또는 방사(radiation)의 방출, 수용, 또는 여과의 파장(들)과 비교하여 층의 전자적 특성(들) 또는 방사의 방출, 수용, 또는 여과의 목표 파장(들)을 변화시키는 재료를 의미하고자 한다.The term "dopant" refers to a layer of the layer as compared to the wavelength (s) of the emission, reception, or filtration of the electronic property (s) or radiation of the layer in the absence of such material, in the absence of the host material. It is intended to mean a material that changes the electronic characteristic (s) or target wavelength (s) of emission, reception, or filtration of radiation.

접두사 "플루오로" 및 용어 "플루오르화"는, 적어도 하나의 이용가능한 H가 F로 대체된 재료를 지칭한다.The prefix "fluoro" and the term "fluorination" refer to a material in which at least one available H has been replaced with F.

층 또는 재료를 지칭할 때, 용어 "전기활성"은 전자 특성 또는 전자-방사 특성을 나타내는 층 또는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 전자 소자에서, 전기활성 재료는 소자의 작동을 전자적으로 촉진한다. 전기활성 재료의 예에는 전자 또는 정공일 수 있는 전하를 전도, 주입, 수송, 또는 차단하는 재료와, 방사를 수용할 때 전자-정공 쌍의 농도 변화를 나타내거나 방사를 방출하는 재료가 포함되나 이에 한정되지 않는다. 비활성 재료의 예에는 평탄화 재료, 절연 재료, 및 환경 장벽 재료가 포함되나 이에 한정되지 않는다. 유기 전기활성 층은 전기활성 재료로서 유기 화합물을 포함한다. 본 명세서에서 사용되는 용어 "유기"는 유기금속 재료를 포함한다.When referring to a layer or material, the term "electroactive" is intended to mean a layer or material that exhibits electronic or electro-radiative properties. In electronic devices, the electroactive material electronically promotes the operation of the device. Examples of electroactive materials include, but are not limited to, materials that conduct, inject, transport, or block charge, which may be electrons or holes, and materials that exhibit a change in concentration or emit radiation of an electron-hole pair when accepting radiation. It doesn't work. Examples of inert materials include, but are not limited to planarization materials, insulation materials, and environmental barrier materials. The organic electroactive layer comprises an organic compound as the electroactive material. The term "organic" as used herein includes organometallic materials.

용어 "반감기"는 소자 휘도가 초기 값의 절반에 도달할 때까지 소요되는 시간을 의미하고자 하는 것이다. "관찰 반감기"는 7 ㎃의 정전류에서 측정된 소자의 반감기이다. "계산 반감기"는, 관찰 반감기로부터 유도되고 1000 니트 초기 휘도에 대해 계산된 반감기이다. 반감기는 시간 단위로 측정된다.The term "half life" is intended to mean the time it takes for the device brightness to reach half of its initial value. The "observation half-life" is the half-life of the device measured at a constant current of 7 mA. The “calculated half life” is the half life derived from the observed half life and calculated for 1000 nits initial brightness. Half-life is measured in hours.

접두사 "헤테로"는 하나 이상의 탄소 원자가 상이한 원자로 대체되었음을 의미한다. 일부 구현예에서, 상이한 원자는 N, O 또는 S이다.The prefix "hetero" means that one or more carbon atoms have been replaced by a different atom. In some embodiments, the different atoms are N, O or S.

용어 "호스트 재료" 는 도판트가 첨가되는 재료를 의미하고자 하는 것이다. 호스트 재료는 전자적 특성(들) 또는 방사를 방출, 수용 또는 여과하는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 일부 구현예에서, 호스트 재료는 더 높은 농도로 존재한다.The term "host material" is intended to mean the material to which the dopant is added. The host material may or may not have electronic property (s) or the ability to emit, receive or filter radiation. In some embodiments, the host material is present at higher concentrations.

용어 "층"은 용어 "필름"과 호환적으로 사용되며 목적하는 영역을 덮는 코팅을 지칭한다. 이 용어는 크기에 의해 한정되지 않는다. 영역은 전체 장치만큼 크거나, 실제 영상 디스플레이(visual display)와 같은 특정 기능성 영역만큼 작거나, 단일 부화소(sub-pixel)만큼 작을 수 있다. 층 및 필름은 임의의 관용적인 침착(deposition) 기술, 예를 들어 증착(vapor deposition), 액체 침착(liquid deposition)(연속식 및 불연속식 기술), 및 열전사(thermal transfer)에 의해 형성될 수 있다. 연속식 침착 기술은 스핀 코팅(spin coating), 그라비어 코팅(gravure coating), 커튼 코팅(curtain coating), 침지 코팅(dip coating), 슬롯-다이 코팅(slot-die coating), 분무 코팅(spray coating) 및 연속식 노즐 코팅(continuous nozzle coating)을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 불연속식 침착 기술은 잉크젯 인쇄(ink jet printing), 그라비어 인쇄(gravure printing) 및 스크린 인쇄(screen printing)를 포함하나 이에 한정되지 않는다.The term "layer" is used interchangeably with the term "film" and refers to a coating covering the desired area. This term is not limited by size. The area can be as large as the entire device, as small as a specific functional area, such as an actual visual display, or as small as a single sub-pixel. Layers and films can be formed by any conventional deposition technique, such as vapor deposition, liquid deposition (continuous and discontinuous techniques), and thermal transfer. have. Continuous deposition techniques include spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot-die coating, spray coating And continuous nozzle coating. Discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, ink jet printing, gravure printing, and screen printing.

용어 "유기 전자 소자" 또는 때때로 단지 "전자 소자"는 하나 이상의 유기 반도체 층 또는 재료를 포함하는 소자를 의미하고자 하는 것이다.The term "organic electronic device" or sometimes only "electronic device" is intended to mean a device comprising one or more organic semiconductor layers or materials.

달리 표시되지 않는다면, 모든 기는 치환되거나 비치환될 수 있다. 일부 구현예에서, 치환체는 D, 할라이드, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 시아노, 및 NR2로 구성된 군으로부터 선택되며, 여기서 R은 알킬 또는 아릴이다.Unless otherwise indicated, all groups may be substituted or unsubstituted. In some embodiments, the substituents are selected from the group consisting of D, halides, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, cyano, and NR 2 , where R is alkyl or aryl.

달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서에서 기술되는 것과 유사하거나 균등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에서 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료는 하기에 기술된다. 본 명세서에 언급되는 모든 간행물, 특허 출원, 특허 및 기타 참고 문헌은 원용에 의해 그 전체 내용이 포함된다. 상충되는 경우에는, 정의를 포함하여 본 명세서가 우선할 것이다. 또한, 재료, 방법, 및 실시예는 단지 예시적인 것이며 한정하고자 하는 것은 아니다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described below. All publications, patent applications, patents, and other references mentioned herein are incorporated by reference in their entirety. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control. In addition, the materials, methods, and examples are illustrative only and not intended to be limiting.

전체적으로 IUPAC 번호 체계를 사용하며, 여기서 주기율표의 족은 좌에서 우로 1 내지 18로 번호가 매겨진다(CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000).The IUPAC numbering system is used throughout, where the families of the periodic table are numbered 1 to 18 from left to right (CRC Handbook of Chemistry and Physics, 81st Edition, 2000).

2. 유기 발광 다이오드2. organic light emitting diode

유기 발광 다이오드("OLED": organic light-emitting diode) 소자 구조의 일례를 도 1에 나타낸다. 소자 (100)는 제1 전기 접촉 층, 애노드 층 (110) 및 제2 전기 접촉 층, 캐소드 층 (160), 및 이들 사이의 전계발광 층(140)을 갖는다. 애노드에 인접하여, 정공 주입 재료를 포함하는 정공 주입 층(120)이 존재할 수 있다. 정공 주입 층에 인접하여, 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 층 (130)이 존재할 수 있다. 캐소드에 인접하여, 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 층(150)이 존재할 수 있다. 소자는 애노드(110) 옆의 하나 이상의 부가적인 정공 주입 또는 정공 수송 층(도시하지 않음) 및/또는 캐소드(160) 옆의 하나 이상의 부가적인 전자 주입 또는 전자 수송 층(도시하지 않음)을 사용할 수 있다.One example of an organic light-emitting diode (“OLED”) device structure is shown in FIG. 1. Device 100 has a first electrical contact layer, an anode layer 110 and a second electrical contact layer, a cathode layer 160, and an electroluminescent layer 140 therebetween. Adjacent to the anode, there may be a hole injection layer 120 comprising a hole injection material. Adjacent to the hole injection layer, there may be a hole transport layer 130 comprising a hole transport material. Adjacent to the cathode may be an electron transport layer 150 comprising an electron transport material. The device may use one or more additional hole injection or hole transport layers (not shown) next to anode 110 and / or one or more additional electron injection or electron transport layers (not shown) next to cathode 160. have.

일부 구현예에서는 전색을 달성하기 위하여, 각각의 상이한 색을 위한 부화소 유닛으로 발광 층을 화소화한다. 화소화된 소자의 일례를 도 2에 나타낸다. 소자 (200)는 애노드 (210), 정공 주입 층 (220), 정공 수송 층 (230), 전계발광 층 (240), 전자 수송 층 (250), 및 캐소드 (260)를 갖는다. 전계발광 층은 부화소 (241), (242), (243)로 분할되고, 이들은 층을 가로질러 반복된다. 일부 구현예에서, 부화소는 적색, 청색 및 녹색 방출을 나타낸다. 도 2에는 3개의 상이한 부화소 유닛이 도시되어 있지만, 2개 또는 3개 초과의 부화소 유닛이 사용될 수 있다.In some embodiments, the light emitting layer is pixelated with subpixel units for each different color to achieve full color. An example of a pixelated element is shown in FIG. Device 200 has an anode 210, a hole injection layer 220, a hole transport layer 230, an electroluminescent layer 240, an electron transport layer 250, and a cathode 260. The electroluminescent layer is divided into subpixels 241, 242, 243, which are repeated across the layer. In some embodiments, the subpixels exhibit red, blue and green emission. Although three different subpixel units are shown in FIG. 2, two or more than three subpixel units may be used.

본 명세서에는 도 1에 관련하여 상이한 층들이 추가로 논의될 것이다. 그러나, 그 논의는 도 2 및 다른 구성에도 적용된다.Different layers will be discussed further herein in connection with FIG. 1. However, the discussion also applies to FIG. 2 and other configurations.

층 (120 내지 150)을 개별적으로 그리고 집합적으로 전기활성 층이라고 지칭한다. 전기활성 층 중의 적어도 하나는 중수소화 재료를 포함하는 유기 전기활성 층이다. 중수소화 재료는 단독으로 사용되거나 다른 중수소화 재료 또는 비-중수소화 재료와 조합하여 사용될 수 있다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 적어도 10% 중수소화된다. 이는 적어도 10%의 H가 D로 대체됨을 의미한다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 100% 중수소화된다.Layers 120-150 are referred to individually and collectively as electroactive layers. At least one of the electroactive layers is an organic electroactive layer comprising deuterated material. Deuterated materials may be used alone or in combination with other deuterated or non-deuterated materials. In some embodiments, the deuterated material is at least 10% deuterated. This means that at least 10% of H is replaced by D. In some embodiments, the deuterated material is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the deuterated material is 100% deuterated.

일부 구현예에서, 중수소화 재료는 층 (120) 내의 정공 주입 재료이다. 일부 구현예에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 수송 층 (130)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전기활성 층 (140)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전자 수송 층 (150)이다.In some embodiments, the deuterated material is a hole injection material in layer 120. In some embodiments, the at least one additional layer comprises deuterated material. In some embodiments, the additional layer is the hole transport layer 130. In some embodiments, the additional layer is electroactive layer 140. In some embodiments, the additional layer is electron transport layer 150.

일부 구현예에서, 중수소화 재료는 층 (130) 내의 정공 수송 재료이다. 일부 구현예에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 주입 층 (120)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전기활성 층 (140)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전자 수송 층 (150)이다.In some embodiments, the deuterated material is a hole transport material in layer 130. In some embodiments, the at least one additional layer comprises deuterated material. In some embodiments, the additional layer is the hole injection layer 120. In some embodiments, the additional layer is electroactive layer 140. In some embodiments, the additional layer is electron transport layer 150.

일부 구현예에서, 중수소화 재료는 전기활성 층 (140) 내의 도판트 재료를 위한 호스트 재료이다. 일부 구현예에서는, 도판트 재료 또한 중수소화된다. 일부 구현예에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 주입 층 (120)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 수송 층 (130)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전자 수송 층 (150)이다.In some embodiments, the deuterated material is a host material for the dopant material in the electroactive layer 140. In some embodiments, the dopant material is also deuterated. In some embodiments, the at least one additional layer comprises deuterated material. In some embodiments, the additional layer is the hole injection layer 120. In some embodiments, the additional layer is the hole transport layer 130. In some embodiments, the additional layer is electron transport layer 150.

일부 구현예에서, 중수소화 재료는 층 (150) 내의 전자 수송 재료이다. 일부 구현예에서는, 적어도 하나의 부가적인 층이 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 주입 층 (120)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 정공 수송 층 (130)이다. 일부 구현예에서, 부가적인 층은 전기활성 층 (140)이다.In some embodiments, the deuterated material is an electron transport material in layer 150. In some embodiments, the at least one additional layer comprises deuterated material. In some embodiments, the additional layer is the hole injection layer 120. In some embodiments, the additional layer is the hole transport layer 130. In some embodiments, the additional layer is electroactive layer 140.

일부 구현예에서 전자 소자는, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전기활성 층, 및 전자 수송 층으로 구성된 군으로부터 선택된 층의 임의의 조합 내에 중수소화 재료를 갖는다. 일부 구현예에서, 소자의 모든 유기 활성 층은 중수소화 재료를 포함한다.In some embodiments the electronic device has a deuterated material in any combination of layers selected from the group consisting of a hole injection layer, a hole transport layer, an electroactive layer, and an electron transport layer. In some embodiments, all organic active layers of the device include deuterated materials.

일부 구현예에서, 소자는 가공을 보조하거나 기능성을 개선하기 위한 부가적인 층을 갖는다. 이들 층 중의 전부 또는 임의의 층이 중수소화 재료를 포함할 수 있다. 일부 구현예에서는, 모든 유기 소자 층이 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서는, 모든 유기 소자 층이 필수적으로 중수소화 재료로 구성된다.In some embodiments, the device has additional layers to aid in processing or to improve functionality. All or any of these layers may comprise deuterated materials. In some embodiments, all organic device layers comprise deuterated materials. In some embodiments, all organic device layers consist essentially of deuterated material.

일부 구현예에서, 유기 발광 다이오드는 애노드, 캐소드를 포함하고 이들 사이에 유기 층을 가지며, 여기서 유기 층은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전계발광 층, 전자 수송 층, 및 캐소드이고, 유기 층 중의 적어도 2개는 필수적으로 중수소화 재료로 구성된다. 일부 구현예에서는, 모든 유기 층이 필수적으로 중수소화 재료로 구성된다.In some embodiments, the organic light emitting diode comprises an anode, a cathode and has an organic layer therebetween, wherein the organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electroluminescent layer, an electron transport layer, and a cathode, At least two are essentially composed of deuterated material. In some embodiments, all the organic layers consist essentially of deuterated material.

한 구현예에서, 상이한 층들은 하기 범위의 두께를 갖는다: 애노드 (110)는 500 내지 5000 Å이고, 한 구현예에서는 1000 내지 2000 Å이며; 정공 주입 층 (120)은 50 내지 2000 Å이고, 한 구현예에서는 200 내지 1000 Å이며; 정공 수송 층 (130)은 50 내지 2000 Å이고, 한 구현예에서는 200 내지 1000 Å이며; 전기활성 층 (140)은 10 내지 2000 Å이고, 한 구현예에서는 100 내지 1000 Å이며; 층 (150)은 50 내지 2000 Å이고, 한 구현예에서는 100 내지 1000 Å이며; 캐소드 (160)는 200 내지 10000 Å이고, 한 구현예에서는 300 내지 5000 Å이다. 소자 내의 전자-정공 재조합 구역(electron-hole recombination zone)의 위치, 즉 소자의 방출 스펙트럼은 각 층의 상대적인 두께에 의해 영향을 받을 수 있다. 층 두께의 목적하는 비율은 사용되는 재료의 정확한 성질에 따라 달라질 것이다.In one embodiment, the different layers have a thickness in the following range: anode 110 is 500-5000 mm 3, in one embodiment 1000-2000 mm 3; Hole injection layer 120, 50-2000 mm 3, in one embodiment 200-1000 mm 3; Hole transport layer 130, 50-2000 mm 3, in one embodiment 200-1000 mm 3; Electroactive layer 140, 10-2000 kPa, in one embodiment 100-1000 kPa; Layer 150, 50-2000 mm 3, in one embodiment 100-1000 mm 3; Cathode 160 is 200-10000 mm 3, in one embodiment 300-5000 mm 3. The location of the electron-hole recombination zone in the device, ie the emission spectrum of the device, can be influenced by the relative thickness of each layer. The desired ratio of layer thicknesses will depend on the exact nature of the material used.

본 명세서에 기술된 소자의 관찰 반감기는 적어도 200 시간이다. 일부 구현예에서, 관찰 반감기는 적어도 400 시간이고; 일부 구현예에서는, 적어도 1000 시간이다.The observed half life of the devices described herein is at least 200 hours. In some embodiments, the observation half life is at least 400 hours; In some embodiments, at least 1000 hours.

본 명세서에 기술된 소자의 계산 반감기는 적어도 5000 시간이다. 주어진 초기 휘도에서 반감기를 계산하는 방법은 주지되어 있다. 그 방법은, 예를 들어, 문헌[Chu et. al., Appl. Phys. Lett. 89, 053503 (2006)] 및 문헌[Wellmann et. al., SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 2005,393]에 기술되어 있다. 일부 구현예에서, 계산 반감기는 적어도 10,000 시간이고; 일부 구현예에서는, 적어도 20,000 시간이며; 일부 구현예에서는, 적어도 50,000 시간이다.The calculated half life of the devices described herein is at least 5000 hours. It is well known how to calculate the half-life at a given initial luminance. The method is described, for example, in Chu et. al., Appl. Phys. Lett. 89, 053503 (2006) and Wellmann et. al., SID Int. Symp. Digest Tech. Papers 2005,393. In some embodiments, the calculated half life is at least 10,000 hours; In some embodiments, at least 20,000 hours; In some embodiments, at least 50,000 hours.

2. 정공 주입 층2. hole injection layer

정공 주입 층 (120)은 정공 주입 재료를 포함하며, 유기 전자 소자에서 기저 층의 평탄화, 전하 수송 및/또는 전하 주입 특성, 산소 또는 금속 이온과 같은 불순물의 제거, 및 유기 전자 소자의 성능을 증진 또는 개선하는 다른 측면들을 포함하지만 이에 한정되지 않는 하나 이상의 기능을 가질 수 있다. 정공 주입 재료는 중합체, 올리고머, 또는 소분자일 수 있다. 이들은 증착되거나, 용액, 분산액, 현탁액, 유탁액, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있는 액체로부터 침착될 수 있다.The hole injection layer 120 includes a hole injection material and enhances the planarization of the base layer, charge transport and / or charge injection characteristics, removal of impurities such as oxygen or metal ions, and performance of the organic electronic device in the organic electronic device. Or one or more functions, including but not limited to other aspects of improving. The hole injection material can be a polymer, oligomer, or small molecule. They may be deposited or deposited from a liquid, which may be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloid mixture or other composition.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 중수소화 전기 전도성 중합체를 포함한다. "중수소화 전기 전도성 중합체"는, 연계된 중합체성 산을 포함하지 않는 전기 전도성 중합체 그 자체가 중수소화됨을 의미한다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 중수소화 중합체성 산으로 도핑된 전기 전도성 중합체를 포함한다. 일부 구현예에서, 중수소화 재료는 중수소화 중합체성 산으로 도핑된 중수소화 전기 전도성 중합체를 포함한다.In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated material. In some embodiments, the deuterated material comprises a deuterated electrically conductive polymer. "Deuterated electrically conductive polymer" means that the electrically conductive polymer itself, which does not contain the associated polymeric acid, is deuterated. In some embodiments, the deuterated material comprises an electrically conductive polymer doped with deuterated polymeric acid. In some embodiments, the deuterated material comprises a deuterated electrically conductive polymer doped with deuterated polymeric acid.

일부 구현예에서, 중수소화 전기 전도성 중합체는 중수소화 폴리티오펜, 중수소화 폴리(셀레노펜), 중수소화 폴리(텔루로펜), 중수소화 폴리피롤, 중수소화 폴리아닐린, 중수소화 폴리(4-아미노-인돌), 중수소화 폴리(7-아미노-인돌), 및 중수소화 폴리사이클릭 방향족 중합체로 구성된 군으로부터 각각 선택된다. 용어 "폴리사이클릭 방향족"은 하나 초과의 방향족 고리를 갖는 화합물을 지칭한다. 고리는 하나 이상의 결합에 의해 연결되거나, 함께 융합될 수 있다. 용어 "방향족 고리"는 헤테로방향족 고리를 포함하고자 하는 것이다. "폴리사이클릭 헤테로방향족" 화합물은 적어도 하나의 헤테로방향족 고리를 갖는다. 일부 구현예에서, 중수소화 폴리사이클릭 방향족 중합체는 중수소화 폴리(티에노티오펜)이다.In some embodiments, the deuterated electrically conductive polymer is a deuterated polythiophene, deuterated poly (selenophene), deuterated poly (telurofen), deuterated polypyrrole, deuterated polyaniline, deuterated poly (4-amino- Indole), deuterated poly (7-amino-indole), and deuterated polycyclic aromatic polymers, respectively. The term "polycyclic aromatic" refers to a compound having more than one aromatic ring. Rings may be linked by one or more bonds or may be fused together. The term "aromatic ring" is intended to include heteroaromatic rings. A "polycyclic heteroaromatic" compound has at least one heteroaromatic ring. In some embodiments, the deuterated polycyclic aromatic polymer is deuterated poly (thienothiophene).

일부 구현예에서, 중수소화 전기 전도성 중합체는 중수소화 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜), 중수소화 폴리아닐린, 중수소화 폴리피롤, 중수소화 폴리(4-아미노인돌), 중수소화 폴리(7-아미노인돌), 중수소화 폴리(티에노(2,3-b)티오펜), 중수소화 폴리(티에노(3,2-b)티오펜), 및 중수소화 폴리(티에노(3,4-b)티오펜)으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the deuterated electrically conductive polymer is a deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene), deuterated polyaniline, deuterated polypyrrole, deuterated poly (4-aminoindole), deuterated poly (7-amino Indole), deuterated poly (thieno (2,3-b) thiophene), deuterated poly (thieno (3,2-b) thiophene), and deuterated poly (thieno (3,4-b) Thiophene).

일부 구현예에서, 중수소화 전도성 중합체는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the deuterated conductive polymer is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

일부 구현예에서, 전기 전도성 중합체는 폴리(D6-3,4-에틸렌다이옥시티오펜), 폴리(D5-피롤), 폴리(D7-아닐린), 폴리(퍼듀테로-4-아미노인돌), 폴리(퍼듀테로-7-아미노인돌), 폴리(퍼듀테로-티에노(2,3-b)티오펜), 폴리(퍼듀테로-티에노(3,2-b)티오펜), 및 폴리(퍼듀테로-티에노(3,4-b)티오펜)으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the electrically conductive polymer is poly (D 6- 3,4- ethylene dioxythiophene), poly (D 5- pyrrole), poly (D 7- aniline), poly (Purdue Tero-4-amino-indole) , Poly (perdutero-7-aminoindole), poly (perdutero-thieno (2,3-b) thiophene), poly (perdutero-thieno (3,2-b) thiophene), and poly (Purdutero-thieno (3,4-b) thiophene).

일부 구현예에서, 중수소화 전도성 중합체는 비-플루오르화 중합체성 산으로 도핑된다. 이온화 가능한 양성자 또는 중양자를 동반하는 산성 기를 가진 임의의 중합체가 사용될 수 있다. 산성 기의 예는 카복실산 기, 설폰산 기, 설폰이미드 기, 인산 기, 포스폰산 기 및 그의 조합을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 산성 기가 모두 동일하거나, 중합체가 하나 초과의 유형의 산성 기를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 산성 기는 설폰산 기, 설폰이미드 기, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 설폰이미드 기는 하기 화학식을 갖는다:In some embodiments, the deuterated conductive polymer is doped with a non-fluorinated polymeric acid. Any polymer with acidic groups accompanied by ionizable protons or protons can be used. Examples of acidic groups include, but are not limited to, carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The acidic groups may all be the same, or the polymer may have more than one type of acidic group. In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of sulfonic acid groups, sulfonimide groups, and combinations thereof. Sulfonimide groups have the general formula:

-SO2-NH-SO2-R-SO 2- NH-SO 2- R

여기서, R은 알킬 기이다. 적합한 산의 예는 폴리(스티렌설폰산)("PSSA"), 폴리(퍼듀테로-스티렌설폰산)("D8-PSSA"), 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산)("PAAMPSA"), 폴리(퍼듀테로-2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산)("D13-PAAMPSA"), 및 그의 혼합물을 포함하나, 이에 한정되지 않는다.Where R is an alkyl group. Examples of suitable acids are poly (styrenesulfonic acid) (“PSSA”), poly (perdutero-styrenesulfonic acid) (“D 8- PSSA”), poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propane Sulfonic acids) (“PAAMPSA”), poly (perduter-2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) (“D 13- PAAMPSA”), and mixtures thereof. .

일부 구현예에서, 비-플루오르화 중합체성 산으로 도핑된 중수소화 전도성 중합체는 고-플루오르화 산 중합체("HFAP": highly-fluorinated acid polymer)와 추가로 조합된다.In some embodiments, the deuterated conductive polymer doped with non-fluorinated polymeric acid is further combined with a high-fluorinated acid polymer (“HFAP”).

일부 구현예에서, 플루오르화 산 중합체는, 탄소에 결합된 이용가능한 수소의 적어도 80%가 불소로 대체된 고플루오르화 산 중합체("HFAP")이다. 고-플루오르화 산 중합체("HFAP")는 고-플루오르화되고 산성 기를 가진 임의의 중합체일 수 있다. 산성 기는 이온화 가능한 양성자, H+, 또는 중양자, D+를 공급한다. 일부 구현예에서, 산성 기는 3 미만의 pKa를 갖는다. 일부 구현예에서, 산성 기는 0 미만의 pKa를 갖는다. 일부 구현예에서, 산성 기는 -5 미만의 pKa를 갖는다. 산성 기는 중합체 골격에 직접 부착되거나 중합체 골격 상의 측쇄에 부착될 수 있다. 산성 기의 예는 카복실산 기, 설폰산 기, 설폰이미드 기, 인산 기, 포스폰산 기 및 그의 조합을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 산성 기가 모두 동일하거나, 중합체가 하나 초과의 유형의 산성 기를 가질 수 있다. 일부 구현예에서, 산성 기는 설폰산 기, 설폰이미드 기, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the fluorinated acid polymer is a high fluorinated acid polymer (“HFAP”) in which at least 80% of the available hydrogens bonded to carbon are replaced with fluorine. The high fluorinated acid polymer (“HFAP”) may be any polymer that is highly fluorinated and has acidic groups. The acidic groups supply ionizable protons, H + , or protons, D + . In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than 3. In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than zero. In some embodiments, the acidic group has a pKa of less than -5. Acidic groups may be attached directly to the polymer backbone or to the side chains on the polymer backbone. Examples of acidic groups include, but are not limited to, carboxylic acid groups, sulfonic acid groups, sulfonimide groups, phosphoric acid groups, phosphonic acid groups, and combinations thereof. The acidic groups may all be the same, or the polymer may have more than one type of acidic group. In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of sulfonic acid groups, sulfonimide groups, and combinations thereof.

일부 구현예에서, HFAP는 산성 중양자를 동반하는 듀테로-산(deutero-acid)이다.In some embodiments, HFAP is a deutero-acid with acidic protons.

일부 구현예에서, HFAP는 적어도 90% 불소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 95% 플루오르화되며; 일부 구현예에서는 완전히 플루오르화된다. HFAP가 완전히 플루오르화되지 않는 일부 구현예에서는, HFAP가 또한 중수소화된다.In some embodiments, HFAP is at least 90% fluorinated; In some embodiments, at least 95% fluorinated; In some embodiments it is fully fluorinated. In some embodiments where the HFAP is not fully fluorinated, the HFAP is also deuterated.

일부 구현예에서, 산성 기는 설폰산 기, 설폰이미드 기, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 산성 기는 플루오르화 측쇄 상에 있다. 일부 구현예에서, 플루오르화된 측쇄는 알킬 기, 알콕시 기, 아미도 기, 에테르 기 및 그의 조합으로부터 선택되며, 이들은 모두 완전히 플루오르화된다.In some embodiments, the acidic group is selected from the group consisting of sulfonic acid groups, sulfonimide groups, and combinations thereof. In some embodiments, the acidic group is on a fluorinated side chain. In some embodiments, the fluorinated side chains are selected from alkyl groups, alkoxy groups, amido groups, ether groups, and combinations thereof, all of which are fully fluorinated.

일부 구현예에서, HFAP는 펜던트 고-플루오르화 알킬 설포네이트, 고-플루오르화 에테르 설포네이트, 고-플루오르화 에스테르 설포네이트, 또는 고-플루오르화 에테르 설폰이미드 기를 동반하는 고-플루오르화 올레핀 골격을 갖는다. 일부 구현예에서, HFAP는 퍼플루오로-에테르-설폰산 측쇄를 가진 퍼플루오로올레핀이다. 일부 구현예에서, 중합체는 테트라플루오로에틸렌과 퍼플루오로-3,6-다이옥사-4-메틸-7-옥텐설폰산("폴리(TFE-PSEPVE)")의 공중합체이다. 듀테로-산 유사체는 D-폴리(TFE-PSEPVE)로 약칭된다. 일부 구현예에서, 중합체는 1,1-다이플루오로에틸렌과 2-(1,1-다이플루오로-2-(트라이플루오로메틸)알릴옥시)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설폰산의 공중합체이다. 일부 구현예에서, 중합체는 에틸렌과 2-(2-(1,2,2-트라이플루오로비닐옥시)-1,1,2,3,3,3-헥사플루오로프로폭시)-1,1,2,2-테트라플루오로에탄설폰산의 공중합체이다. 이들 공중합체는, 상응하는 설포닐 플루오라이드 중합체로서 제조된 후에 설폰산 형태로 전환될 수 있다.In some embodiments, the HFAP is a high-fluorinated olefin backbone with pendant high-fluorinated alkyl sulfonates, high-fluorinated ether sulfonates, high-fluorinated ester sulfonates, or high-fluorinated ether sulfonimide groups Has In some embodiments, HFAP is a perfluoroolefin with perfluoro-ether-sulfonic acid side chains. In some embodiments, the polymer is a copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octensulfonic acid (“poly (TFE-PSEPVE)”). Deutero-acid analogs are abbreviated as D-poly (TFE-PSEPVE). In some embodiments, the polymer is 1,1-difluoroethylene and 2- (1,1-difluoro-2- (trifluoromethyl) allyloxy) -1,1,2,2-tetrafluoro It is a copolymer of ethanesulfonic acid. In some embodiments, the polymer is ethylene and 2- (2- (1,2,2-trifluorovinyloxy) -1,1,2,3,3,3-hexafluoropropoxy) -1,1 Copolymer of 2,2-tetrafluoroethanesulfonic acid. These copolymers can be converted to the sulfonic acid form after being prepared as corresponding sulfonyl fluoride polymers.

일부 구현예에서, 중수소화 전도성 중합체는 HFAP로 도핑된다. 이러한 재료의 비-중수소화 유사체는, 예를 들어, 공개 미국 특허 출원 제US 2004/0102577호, 제US 2004/0127637호, 제US 2005/0205860호, 및 공개 PCT 출원 제WO 2009/018009호에 기술되어 있다.In some embodiments, the deuterated conductive polymer is doped with HFAP. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in published US patent applications US 2004/0102577, US 2004/0127637, US 2005/0205860, and published PCT application WO 2009/018009. Described.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 폴리스티렌설폰산("PSSA")으로 도핑된 중수소화 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)("d-PEDOT")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리스티렌설폰산("d-PSSA")으로 도핑된 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)("PEDOT")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리스티렌설폰산으로 도핑된 중수소화 폴리(3,4-에틸렌다이옥시티오펜)을 포함한다. 일부 구현예에서, d-PEDOT/d-PSSA는 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 d-PEDOT/PSSA, PEDOT/d-PSSA, 및 d-PEDOT/d-PSSA로 구성된 군으로부터 선택된 재료로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 D8-PSSA로 도핑된 폴리(D6-3,4-에틸렌다이옥시티오펜)으로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (“d-PEDOT”) doped with polystyrenesulfonic acid (“PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (“PEDOT”) doped with deuterated polystyrenesulfonic acid (“d-PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated poly (3,4-ethylenedioxythiophene) doped with deuterated polystyrenesulfonic acid. In some embodiments, d-PEDOT / d-PSSA is at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PEDOT / PSSA, PEDOT / d-PSSA, and d-PEDOT / d-PSSA. In some embodiments, the hole injection layer is essentially composed of a poly (D 6- 3,4- ethylene dioxythiophene) doped with D 8- PSSA.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산)("PAAMPSA")으로 도핑된 중수소화 폴리아닐린("d-PANI")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산)("d-PAAMPSA")으로 도핑된 폴리아닐린("PANI")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리(2-아크릴아미도-2-메틸-1-프로판설폰산)으로 도핑된 중수소화 폴리아닐린을 포함한다. 일부 구현예에서, d-PANI/d-PAAMPSA는 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 d-PANI/PAAMPSA, PANI/d-PAAMPSA, 및 d-PANI/d-PAAMPSA로 구성된 군으로부터 선택된 재료로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 D13-PAAMPSA로 도핑된 폴리(D7-아닐린)으로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polyaniline (“d-PANI”) doped with poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) (“PAAMPSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises polyaniline (“PANI”) doped with deuterated poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid) (“d-PAAMPSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polyaniline doped with deuterated poly (2-acrylamido-2-methyl-1-propanesulfonic acid). In some embodiments, d-PANI / d-PAAMPSA is at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PANI / PAAMPSA, PANI / d-PAAMPSA, and d-PANI / d-PAAMPSA. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of poly (D 7- aniline) doped with D 13 -PAAMPSA.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 폴리스티렌설폰산("PSSA")으로 도핑된 중수소화 폴리피롤("d-PPy")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리스티렌설폰산("d-PSSA")으로 도핑된 폴리피롤("PPy")을 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 폴리스티렌설폰산으로 도핑된 중수소화 폴리피롤을 포함한다. 일부 구현예에서, d-PPy/d-PSSA는 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 d-PPy/PSSA, PPy/d-PSSA, 및 d-PPy/d-PSSA로 구성된 군으로부터 선택된 재료로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 D8-PSSA로 도핑된 폴리(D5-피롤)로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polypyrrole (“d-PPy”) doped with polystyrenesulfonic acid (“PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises polypyrrole (“PPy”) doped with deuterated polystyrenesulfonic acid (“d-PSSA”). In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated polypyrrole doped with deuterated polystyrenesulfonic acid. In some embodiments, d-PPy / d-PSSA is at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of a material selected from the group consisting of d-PPy / PSSA, PPy / d-PSSA, and d-PPy / d-PSSA. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of poly (D 5- pyrrole) doped with D 8- PSSA.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 중수소화 전도성 중합체 및 HFAP를 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 HFAP로 도핑된 중수소화 전도성 중합체를 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 HFAP로 도핑된 중수소화 전도성 중합체로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 퍼플루오르화 설폰산 중합체로 도핑된 중수소화 전도성 중합체로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 주입 층은 D-폴리(TFE-PSEPVE)로 도핑된 중수소화 전도성 중합체로 필수적으로 구성되며, 여기서 전도성 중합체는 폴리(D6-3,4-에틸렌다이옥시티오펜), 폴리(D7-아닐린) 및 폴리(D5-피롤)로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the hole injection layer comprises deuterated conductive polymer and HFAP. In some embodiments, the hole injection layer comprises a deuterated conductive polymer doped with HFAP. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of the deuterated conductive polymer doped with HFAP. In some embodiments, the hole injection layer consists essentially of the deuterated conductive polymer doped with the perfluorinated sulfonic acid polymer. In some embodiments, the hole injection layer is poly-D- is essentially composed of a conductive polymer doped with a deuterated (TFE-PSEPVE), wherein the conducting polymer is poly (D 6- 3,4- ethylene dioxythiophene), poly (D 7- aniline) and poly (D 5- pyrrole).

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 전하 전달 화합물 등, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 테트라티아풀발렌-테트라시아노퀴노다이메탄 시스템(TTF-TCNQ) 및 그의 중수소화 유사체를 포함한다.In some embodiments, the hole injection layer comprises a charge transfer compound and the like, for example, copper phthalocyanine, tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane system (TTF-TCNQ) and deuterated analogs thereof.

3. 정공 수송 층3. hole transport layer

정공 수송 층 (130)은 정공 수송 재료를 포함한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조를 지칭할 경우에, 용어 "정공 수송"은, 상기의 층, 재료, 부재, 또는 구조가 상대적 효율 및 적은 전하 손실을 동반하면서 상기의 층, 재료, 부재, 또는 구조의 두께를 통한 양전하의 이동을 촉진함을 의미하고자 하는 것이다. 발광 재료가 또한 일부 정공 수송 특성을 가질 수 있지만, 용어 "정공 수송 층, 재료, 부재, 또는 구조"는 주된 기능이 발광인 층, 재료, 부재, 또는 구조를 포함하고자 하는 것은 아니다.Hole transport layer 130 includes a hole transport material. When referring to a layer, material, member, or structure, the term “hole transport” refers to the layer, material, member, or structure, while the layer, material, member, or structure is accompanied by relative efficiency and low charge loss. It is intended to mean to promote the transfer of positive charge through the thickness of the structure. Although the luminescent material may also have some hole transport properties, the term “hole transport layer, material, member, or structure” is not intended to include a layer, material, member, or structure whose primary function is luminescence.

정공 수송 재료는 중합체, 올리고머, 또는 소분자일 수 있다. 이들은 증착되거나, 용액, 분산액, 현탁액, 유탁액, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있는 액체로부터 침착될 수 있다.The hole transport material can be a polymer, oligomer, or small molecule. They may be deposited or deposited from a liquid, which may be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloid mixture or other composition.

일부 구현예에서, 정공 수송 층은 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the hole transport layer comprises deuterated material. In some embodiments, the hole transport material is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 분자식 유닛 당 적어도 2개의 다이아릴아미노 부분을 갖는 중수소화 화합물이다. 일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 중수소화 트라이아릴아민 중합체이다. 이러한 재료의 비-중수소화 유사체는, 예를 들어, 공개 PCT 출원 제WO 2009/067419호에 기술되어 있다. 일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 중수소화 플루오렌-트라이아릴아민 공중합체이다. 이러한 재료의 비-중수소화 유사체는, 예를 들어, 공개 미국 특허 출원 제US 2008/0071049호 및 제US 2008/0097076호에 기술되어 있다. 가교결합성 정공 수송 중합체의 비-중수소화 유사체의 예는, 예를 들어, 공개 미국 특허 출원 제2005/0184287호 및 공개 PCT 출원 제WO 2005/052027호에서 확인할 수 있다.In some embodiments, the hole transport material is a deuterated compound having at least two diarylamino moieties per molecular unit. In some embodiments, the hole transport material is deuterated triarylamine polymer. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in published PCT application WO 2009/067419. In some embodiments, the hole transport material is deuterated fluorene-triarylamine copolymer. Non-deuterated analogs of such materials are described, for example, in published US patent applications US 2008/0071049 and US 2008/0097076. Examples of non-deuterated analogs of crosslinkable hole transport polymers can be found in, for example, published US patent application 2005/0184287 and published PCT application WO 2005/052027.

일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 중수소화 트라이아릴아민, 중수소화 카바졸, 중수소화 플루오렌, 그의 중합체, 그의 공중합체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 중수소화 폴리카바졸, 중수소화 폴리플루오렌, 비-평면 구성으로 연결된 공액 부분을 가진 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 플루오렌과 트라이아릴아민의 중수소화 공중합체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 중합체성 재료는 가교결합성이다.In some embodiments, the hole transport material is selected from the group consisting of deuterated triarylamines, deuterated carbazoles, deuterated fluorenes, polymers thereof, copolymers thereof, and combinations thereof. In some embodiments, the hole transport material comprises deuterated polymeric triarylamine, deuterated polycarbazole, deuterated polyfluorene, deuterated polymeric triarylamine, conjugated moieties having conjugated portions in a non-planar configuration Deuterated copolymers of triarylamines, and combinations thereof. In some embodiments, the polymeric material is crosslinkable.

일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 화학식 I, 화학식 II, 또는 화학식 III을 갖는다:In some embodiments, the hole transport material has Formula I, Formula II, or Formula III:

[화학식I]Formula I

Figure pct00001
Figure pct00001

[화학식II][Formula II]

Figure pct00002
Figure pct00002

[화학식III][Formula III]

Figure pct00003
Figure pct00003

여기서,here,

Ar1은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 페닐렌, 치환된 페닐렌, 나프틸렌 및 치환된 나프틸렌으로 구성된 군으로부터 선택되며;Ar 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of phenylene, substituted phenylene, naphthylene and substituted naphthylene;

Ar2는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 아릴기이며;Ar 2 is the same or different at each occurrence and is an aryl group;

M은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 공액 부분이며;M is the same or different at each occurrence and is a conjugated portion;

T1 및 T2는 각각의 경우에 독립적으로 동일하거나 상이하고, 공액 부분이며;T 1 and T 2 are independently the same or different at each occurrence and are conjugated parts;

a는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 6의 정수이며;a is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6;

b, c, 및 d는 b + c + d = 1.0이도록 하는 몰 분율이고, 다만 c는 0이 아니며, b와 d 중 적어도 하나는 0이 아니고, b가 0일 때 M은 적어도 2개의 트라이아릴아민 유닛을 포함하며;b, c, and d are mole fractions such that b + c + d = 1.0, except c is not 0, at least one of b and d is not 0, and when b is 0, M is at least two triaryl An amine unit;

e는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 6의 정수이며;e is the same or different at each occurrence and is an integer from 1 to 6;

n은 1을 초과하는 정수이고;n is an integer greater than 1;

여기서 화합물은 적어도 10% 중수소화된다.Wherein the compound is at least 10% deuterated.

이러한 재료의 비-중수소화 유사체는 공개 PCT 출원 제WO 2009/067419호에 기술되어 있다.Non-deuterated analogs of such materials are described in published PCT application WO 2009/067419.

화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 아릴 고리 상의 치환체 기에 존재한다. 일부 구현예에서, 치환체 기는 알킬, 아릴, 알콕시, 및 아릴옥시로부터 선택된다. 화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 아릴 기 Ar1 및 Ar2 중 임의의 하나 이상에 존재한다. 이 경우에는, Ar1 및 Ar2 중 적어도 하나가 중수소화 아릴 기이다. 화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 [T1 - T2] 기 상에 존재한다. 일부 구현예에서는, T1 및 T2 양자 모두가 중수소화된다. 화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 치환체 기 및 Ar1 및 Ar2 기 양자 모두에 존재한다. 화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 [T1 - T2] 기 및 Ar1 및 Ar2 기 양자 모두에 존재한다. 화학식 I 내지 III의 일부 구현예에서, 중수소화는 치환체 기, [T1 - T2] 기, 및 Ar1 및 Ar2 기 상에 존재한다.In some embodiments of Formulas I-III, deuteration is present in a substituent group on an aryl ring. In some embodiments, substituent groups are selected from alkyl, aryl, alkoxy, and aryloxy. In some embodiments of Formulas I-III, deuteration is present in any one or more of the aryl groups Ar 1 and Ar 2 . In this case, at least one of Ar 1 and Ar 2 is a deuterated aryl group. In some embodiments of Formulas I through III, deuteration is present on the [T 1- T 2 ] group. In some embodiments, both T 1 and T 2 are deuterated. In some embodiments of Formulas I-III, deuteration is present in both substituent groups and in Ar 1 and Ar 2 groups. In some embodiments of Formulas I-III, deuteration is present in both [T 1- T 2 ] groups and Ar 1 and Ar 2 groups. In some embodiments of Formulas I-III, deuteration is present on a substituent group, a [T 1- T 2 ] group, and on an Ar 1 and Ar 2 group.

일부 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1은 알킬, 알콕시, 실릴, 및 가교결합 기를 갖는 치환체로 구성된 군으로부터 선택된 치환체를 갖는 치환된 페닐이다. 일부 구현예에서, a는 1 내지 3이다. 일부 구현예에서 a는 1 내지 2이다. 일부 구현예에서, a는 1이다. 일부 구현예에서, e는 1 내지 4이다. 일부 구현예에서, e는 1 내지 3이다. 일부 구현예에서, e는 1이다. 일부 구현예에서, 적어도 하나의 Ar1은 가교결합 기를 갖는 치환체를 갖는다.In some embodiments, at least one Ar 1 is substituted phenyl with substituents selected from the group consisting of alkyl, alkoxy, silyl, and substituents having crosslinking groups. In some embodiments, a is 1 to 3. In some embodiments a is 1 to 2. In some embodiments, a is 1. In some embodiments, e is 1-4. In some embodiments, e is 1-3. In some embodiments, e is one. In some embodiments, at least one Ar 1 has a substituent with a crosslinking group.

일부 구현예에서, 적어도 하나의 Ar2는 화학식 a를 갖는다:In some embodiments, at least one Ar 2 has formula a:

[화학식 a](A)

Figure pct00004
Figure pct00004

여기서,here,

R1은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, D, 알킬, 알콕시, 실록산, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되거나; 인접한 R1 기가 연결되어 방향족 고리를 형성할 수 있으며;R 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, siloxane, and silyl; Adjacent R 1 groups may be joined to form an aromatic ring;

f는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 0 내지 4의 정수이며;f is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 4;

g는 0 내지 5의 정수이고;g is an integer from 0 to 5;

m은 1 내지 5의 정수이다.m is an integer of 1-5.

일부 구현예에서, 적어도 하나의 Ar2는 화학식 b를 갖는다:In some embodiments, at least one Ar 2 has formula b:

[화학식 b][Formula b]

Figure pct00005
Figure pct00005

여기서,here,

R1은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, D, 알킬, 알콕시, 실록산, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되거나; 인접한 R1 기가 연결되어 방향족 고리를 형성할 수 있으며;R 1 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, siloxane, and silyl; Adjacent R 1 groups may be joined to form an aromatic ring;

f는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 0 내지 4의 정수이며;f is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 4;

g는 0 내지 5의 정수이고;g is an integer from 0 to 5;

m은 1 내지 5의 정수이다.m is an integer of 1-5.

화학식 a 또는 b의 일부 구현예에서, f 및 g 중 적어도 하나는 0이 아니다. 일부 구현예에서, m은 1 내지 3이다.In some embodiments of Formula a or b, at least one of f and g is not zero. In some embodiments, m is 1-3.

일부 구현예에서, Ar2는 화학식 a를 갖는 기, 나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, Ar2는 페닐, p-바이페닐, p-터페닐, 나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, Ar2는 페닐, 바이페닐, 터페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of a group having the formula a, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, p-biphenyl, p-terphenyl, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 2 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, and deuterated analogs thereof.

화학식 I 내지 III의 임의의 방향족 고리는 임의의 위치에서 치환될 수 있다. 치환체는 화합물의 하나 이상의 물리적 특성, 예를 들어, 용해도를 개선하도록 존재할 수 있다. 일부 구현예에서, 치환체는 C1-12 알킬 기, C1-12 알콕시 기, 실릴 기, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서는, 가교결합 치환체가 적어도 하나의 Ar2 상에 존재한다. 일부 구현예에서는, 가교결합 치환체가 적어도 하나의 M 부분 상에 존재한다.Any aromatic ring of formulas (I) to (III) may be substituted at any position. Substituents may be present to improve one or more physical properties of the compound, eg, solubility. In some embodiments, the substituents are selected from the group consisting of C 1-12 alkyl groups, C 1-12 alkoxy groups, silyl groups, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, crosslinking substituents are present on at least one Ar 2 . In some embodiments, crosslinking substituents are present on at least one M moiety.

T1 및 T2는 공액 부분이다. 일부 구현예에서, T1 및 T2는 방향족 부분이다. 일부 구현예에서, T1 및 T2는 중수소화 방향족 부분이다. 일부 구현예에서, T1 및 T2는 페닐렌, 나프틸렌, 안트라센일 기, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.T 1 and T 2 are conjugated portions. In some embodiments, T 1 and T 2 are aromatic moieties. In some embodiments, T 1 and T 2 are deuterated aromatic moieties. In some embodiments, T 1 and T 2 are selected from the group consisting of phenylene, naphthylene, anthracenyl groups, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, T1- T2 기는 화합물의 골격에 비-평면성을 도입한다. T2의 부분에 직접 연결되는 T1의 부분은 T1 부분이 그것이 연결되는 T2의 부분과 상이한 평면 내에 배향되도록 연결된다. T1 유닛의 다른 부분들, 예를 들어, 치환체들이 하나 이상의 상이한 평면 내에 놓일 수 있지만, 비-평면성을 제공하는 것은 화합물 골격 내의 T1의 연결 부분과 T2의 연결 부분의 평면이다. 비-평면 T1 - T2 연결 때문에, 화합물은 카이랄성이다. 일반적으로, 화합물은 라세미 혼합물로서 형성된다. 화합물은 또한 거울상이성체적으로 순수한 형태일 수 있다. 비-평면성은 T1 - T2 결합 주위의 자유 회전에 대한 제한으로서 간주될 수 있다. 그 결합 주위의 회전은 라세미화를 유발한다. T1- T2에 대한 라세미화의 반감기는 비치환된 바이페닐에 대한 반감기보다 크다. 일부 구현예에서, 라세미화의 반감기는 20℃에서 12 시간 이상이다.In some embodiments, the T 1 -T 2 groups introduce non-planarity into the backbone of the compound. Portion of the T 2 T 1 is directly connected to a part of the connection is to be oriented in different planes and part of T 2 is T 1 part it is connected. Other portions of the T 1 unit, for example substituents, may lie in one or more different planes, but providing non-planarity is the plane of the connecting portion of T 1 and the connecting portion of T 2 in the compound backbone. Because of the non-planar T 1 -T 2 linkage, the compound is chiral. In general, the compound is formed as a racemic mixture. The compound may also be in enantiomerically pure form. Non-planarity can be regarded as a limitation on free rotation around the T 1 -T 2 bonds. Rotation around the bond causes racemization. The half life of racemization for T 1 -T 2 is greater than the half life for unsubstituted biphenyls. In some embodiments, the half life of racemization is at least 12 hours at 20 ° C.

일부 구현예에서, [T1- T2]는 치환된 바이페닐렌 기, 또는 그의 중수소화 유사체이다. 용어 "바이페닐렌"은 화합물 골격에 대한 2개의 부착점을 갖는 바이페닐 기를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "바이페닐"은 단일 결합에 의해 연결된 2개의 페닐 유닛을 갖는 기를 의미하고자 하는 것이다. 바이페닐렌 기는 2, 3-, 4-, 또는 5-위치 중 하나 및 2', 3'-, 4'-, 또는 5'-위치 중 하나에 부착될 수 있다. 치환된 바이페닐렌 기는 2-위치에 적어도 하나의 치환체를 갖는다. 일부 구현예에서, 바이페닐렌기는 적어도 2- 및 2'-위치에 치환체를 갖는다.In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a substituted biphenylene group, or deuterated analog thereof. The term "biphenylene" is intended to mean a biphenyl group having two points of attachment to the compound backbone. The term "biphenyl" is intended to mean a group having two phenyl units linked by a single bond. The biphenylene group can be attached to one of the 2, 3-, 4-, or 5-positions and to one of the 2 ', 3'-, 4'-, or 5'-positions. Substituted biphenylene groups have at least one substituent in the 2-position. In some embodiments, biphenylene groups have substituents in at least 2- and 2'-positions.

일부 구현예에서, [T1- T2]는 바이나프틸렌 기, 또는 그의 중수소화 유사체이다. 용어 "바이나프틸렌"은 화합물 골격에 대한 2개의 부착점을 갖는 바이나프틸 기를 의미하고자 하는 것이다. 용어 "바이나프틸"은 단일 결합에 의해 연결된 2개의 나프탈렌 유닛을 갖는 기를 의미하고자 하는 것이다.In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a binaphthylene group, or deuterated analog thereof. The term "binaftylene" is intended to mean a binafthyl group having two points of attachment to the compound backbone. The term "binaphthyl" is intended to mean a group having two naphthalene units connected by a single bond.

일부 구현예에서, [T1- T2]는 페닐렌-나프틸렌 기, 또는 그의 중수소화 유사체이다. 일부 구현예에서, [T1- T2]는 페닐렌-1-나프틸렌 기이며, 이는 페닐렌 내의 3-, 4-, 또는 5-위치 중 하나 및 나프틸렌의 3-, 4-, 또는 5-위치 중 하나에서 화합물 골격에 부착된다. 일부 구현예에서, [T1- T2]는 페닐렌-2-나프틸렌 기이며, 이는 페닐렌 내의 3-, 4-, 또는 5-위치 중 하나 및 나프틸렌의 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-위치 중 하나에서 화합물 골격에 부착된다.In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a phenylene-naphthylene group, or deuterated analog thereof. In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a phenylene-1-naphthylene group, which is one of the 3-, 4-, or 5-positions in phenylene and 3-, 4-, or of naphthylene Is attached to the compound backbone in one of the 5-positions. In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a phenylene-2-naphthylene group, which is one of the 3-, 4-, or 5-positions in phenylene and the 4-, 5-, 6 of naphthylene -Is attached to the compound backbone in either the 7- or 8-position.

일부 구현예에서, 바이페닐렌, 바이나프틸렌, 및 페닐렌-나프틸렌기는 하나 이상의 위치에서 치환된다.In some embodiments, biphenylene, binaphthylene, and phenylene-naphthylene groups are substituted at one or more positions.

일부 구현예에서, [T1- T2]는 1,1-바이나프틸렌 기, 또는 그의 중수소화 유사체이며, 이는 4 및 4' 위치에서 화합물 골격에 부착되고, 4,4'-(1,1-바이나프틸렌)으로 지칭된다. 일부 구현예에서, 4,4'-(1,1-바이나프틸렌)은 존재하는 유일한 이성체이다. 일부 구현예에서는, 2개 이상의 이성체가 존재한다. 일부 구현예에서, 4,4'-(1,1-바이나프틸렌)은 최대 50 중량%의 제2 이성체와 함께 존재한다. 일부 구현예에서, 제2 이성체는 4,5'-(1,1-바이나프틸렌), 4,6'-(1,1-바이나프틸렌), 및 4,7'-(1,1-바이나프틸렌)으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, [T 1- T 2 ] is a 1,1-binaphthylene group, or a deuterated analog thereof, which is attached to the compound backbone at the 4 and 4 'positions, and 4,4'-(1, 1-binaphthylene). In some embodiments, 4,4 '-(1,1-binaftylene) is the only isomer present. In some embodiments, two or more isomers are present. In some embodiments, 4,4 '-(1,1-binaftylene) is present with up to 50% by weight of the second isomer. In some embodiments, the second isomer is 4,5 '-(1,1-binaftylene), 4,6'-(1,1-binaftylene), and 4,7 '-(1,1- Binaphthylene).

화학식 III은 적어도 하나의 [T1- T2] 부분 및 적어도 하나의 다른 공액 부분이 있는 공중합체를 나타내며, 여기서 전체 중합체는 적어도 10% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 중수소화는 아래 첨자 "b"를 가진 제1 단량체 유닛에 존재한다. 일부 구현예에서, 중수소화는 아래 첨자 "c"를 가진 제2 단량체 유닛에 존재한다. 일부 구현예에서, 중수소화는 아래 첨자 "d"를 가진 제3 단량체 유닛에 존재한다. 일부 구현예에서, 중수소화는 2개의 단량체 유닛에 존재한다. 일부 구현예에서, 2개의 단량체 유닛 중 하나는 제1 단량체 유닛이다. 일부 구현예에서, 중수소화는 3개의 단량체 유닛 모두에 존재한다.Formula III represents a copolymer having at least one [T 1- T 2 ] moiety and at least one other conjugated moiety, wherein the entire polymer is at least 10% deuterated. In some embodiments, deuteration is present in the first monomer unit with the subscript “b”. In some embodiments, deuteration is present in the second monomer unit having the subscript “c”. In some embodiments, deuteration is present in the third monomer unit having a subscript “d”. In some embodiments, deuteration is present in two monomer units. In some embodiments, one of the two monomer units is the first monomer unit. In some embodiments, deuteration is present in all three monomer units.

중수소화 정공 수송 화합물의 일부 비한정적 예는 하기 화합물 HT1 내지 HT10을 포함한다.Some non-limiting examples of deuterated hole transport compounds include the following compounds HT1 to HT10.

화합물 HT1:Compound HT1:

Figure pct00006
Figure pct00006

여기서 x + y + z + p + q + r = 20-28이다.Where x + y + z + p + q + r = 20-28.

화합물 compound HT2HT2 ::

여기서 x는 0 내지 5이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 10-44이다.Wherein x is 0 to 5; In some compounds Σ (x) = 10-44.

화합물 HT3:Compound HT3:

Figure pct00008
Figure pct00008

여기서 x는 0 내지 6이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 8-36이다.Wherein x is 0 to 6; In some compounds Σ (x) = 8-36.

화합물 HT4:Compound HT4:

Figure pct00009
Figure pct00009

여기서 x는 0 내지 6이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 8-36이다.Wherein x is 0 to 6; In some compounds Σ (x) = 8-36.

화합물 HT5:Compound HT5:

Figure pct00010
Figure pct00010

R1 = Dy-프로필이고; R2 = Dy-옥틸이며,R 1 = D y- propyl; R 2 = D y- octyl,

여기서 x는 0 내지 5이고 Σ(x) = 10-50이며Where x is 0 to 5 and Σ (x) = 10-50

y는 0 내지 17이고 Σ(y) = 0-32이다.y is 0 to 17 and Σ (y) = 0-32.

화합물 HT6:Compound HT6:

Figure pct00011
Figure pct00011

여기서 a = 0.4-0.8이고Where a = 0.4-0.8

b는 0.2 내지 0.6이며b is 0.2 to 0.6

x는 0 내지 5이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 10-36이다.x is 0 to 5; In some compounds Σ (x) = 10-36.

화합물 HT7:Compound HT7:

Figure pct00012
Figure pct00012

여기서 a = 0.3 - 0.7이고Where a = 0.3-0.7

b = 0.3 - 0.5이며b = 0.3-0.5

c = 0.1 - 0.2이고c = 0.1-0.2

x는 0 내지 5이며; 일부 화합물에서 Σ(x) = 10-36이다.x is 0 to 5; In some compounds Σ (x) = 10-36.

화합물 HT8:Compound HT8:

Figure pct00013
Figure pct00013

여기서 a = 0.9 - 0.95이고Where a = 0.9-0.95

b = 0.05 - 0.10이며b = 0.05-0.10

x는 0 내지 5이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 20-62이다.x is 0 to 5; In some compounds Σ (x) = 20-62.

화합물 HT9:Compound HT9:

Figure pct00014
Figure pct00014

여기서 a = 0.7 - 0.99이고Where a = 0.7-0.99

b = 0.01 - 0.30이며b = 0.01-0.30

x는 0 내지 5이고; 일부 화합물에서 Σ(x) = 20-62이다.x is 0 to 5; In some compounds Σ (x) = 20-62.

화합물 HT10:Compound HT10:

Figure pct00015
Figure pct00015

여기서 x는 0 내지 5이고 Σ(x) = 15-42이다.Where x is 0-5 and Σ (x) = 15-42.

화합물 HT11:Compound HT11:

Figure pct00016
Figure pct00016

여기서, n은 1을 초과하는 정수이고;Where n is an integer greater than 1;

x는 0 내지 5이며 Σ(x) = 10-32이다.x is 0 to 5 and Σ (x) = 10-32.

트라이아릴아민 중합체의 다른 예는 화합물 HT12이다.Another example of a triarylamine polymer is compound HT12.

화합물 HT12Compound HT12

Figure pct00017
Figure pct00017

층 (130)을 위한 다른 정공 수송 재료의 비-중수소화 유사체의 예는, 예를 들어, 문헌[Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, Y. Wang]에 요약되어 있다. 다른 정공 수송 재료는, N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(TPD), 1,1-비스[(다이-4-톨일아미노) 페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-다이메틸)바이페닐]-4,4'-다이아민(ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌다이아민(PDA), a-페닐-4-N,N-다이페닐아미노스티렌(TPS), p-(다이에틸아미노)벤즈알데히드 다이페닐하이드라존(DEH), 트라이페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-다이에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(다이에틸아미노)스티릴]-5-[p-(다이에틸아미노)페닐] 피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(TTB), N,N'-비스(나프탈렌-1-일)-N,N'-비스-(페닐)벤지딘(NPB), 포르피린계 화합물, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 및 앞서 열거된 임의의 재료의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 상기 언급한 것과 같은 정공 수송 분자를 중합체, 예를 들어 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 및 그의 중수소화 유사체에 도핑함으로써 정공 수송 중합체를 수득하는 것이 또한 가능하다.Examples of non-deuterated analogs of other hole transport materials for layer 130 are described, for example, in Kirk-Othmer Encyclopedia of Chemical Technology, Fourth Edition, Vol. 18, p. 837-860, 1996, Y. Wang. Other hole transport materials include N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), 1,1 -Bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane (TAPC), N, N'-bis (4-methylphenyl) -N, N'-bis (4-ethylphenyl)-[1,1'- (3,3'-dimethyl) biphenyl] -4,4'-diamine (ETPD), tetrakis- (3-methylphenyl) -N, N, N ', N'-2,5-phenylenedia Min (PDA), a-phenyl-4-N, N-diphenylaminostyrene (TPS), p- (diethylamino) benzaldehyde diphenylhydrazone (DEH), triphenylamine (TPA), bis [4 -(N, N-diethylamino) -2-methylphenyl] (4-methylphenyl) methane (MPMP), 1-phenyl-3- [p- (diethylamino) styryl] -5- [p- (di Ethylamino) phenyl] pyrazoline (PPR or DEASP), 1,2-trans-bis (9H-carbazol-9-yl) cyclobutane (DCZB), N, N, N ', N'-tetrakis (4 -Methylphenyl)-(1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine (TTB), N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis- (phenyl) benzidine (NPB), porphyrin-based compounds, for example Air, copper phthalocyanine, and is not limited thereto comprises a deuterated analog of any of the materials listed above. It is also possible to obtain hole transport polymers by doping hole transport molecules such as those mentioned above to polymers such as polystyrene, polycarbonates, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서 정공 수송 층은, p-도판트, 예를 들어 테트라플루오로테트라시아노퀴노다이메탄, 페릴렌-3,4,9,10-테트라카복실릭-3,4,9,10-다이언하이드라이드, 및 그의 중수소화 유사체로 도핑된다.In some embodiments the hole transport layer is a p-dopant, for example tetrafluorotetracyanoquinodimethane, perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic-3,4,9,10- Doped with dionhydride, and deuterated analogs thereof.

4. 전계발광 층4. Electroluminescent Layer

전계발광 층 (140)은 전계발광 재료를 포함한다. 용어 "전계발광 재료"는 인가된 전압에 의해 활성화될 때 광을 방출하는 재료를 지칭한다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 전계발광 재료로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 하나 이상의 도판트 및 하나 이상의 호스트 화합물을 포함한다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 하나 이상의 도판트 및 하나 이상의 호스트 화합물로 필수적으로 구성된다. 전계발광 도판트는 380 및 750 ㎚ 사이에서 최대 방출을 갖는 전계발광이 가능한 재료이다. 일부 구현예에서, 도판트는 적색, 녹색, 또는 청색광을 방출한다. 호스트 화합물은 통상적으로 층의 형태인 화합물이며, 여기에는 하나 이상의 도판트가 분산되어 있고 하나 이상의 도판트가 방출성이다. 용어 "호스트 재료"는 존재하는 모든 호스트 화합물 전체를 지칭한다. 호스트 물질은 전자적 특성(들) 또는 방사를 방출, 수용 또는 여과하는 능력을 갖거나 갖지 않을 수 있다. 적어도 하나의 도판트 및 호스트 재료를 포함하는 전계발광 층 내에서, 광은 도판트로부터 방출된다. 일부 구현예에서, 호스트 재료는 모든 도판트의 합계보다 높은 농도로 존재한다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 하나 이상의 도판트 및 하나 이상의 호스트 화합물로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 도판트 및 호스트 화합물로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 전계발광 층 (140)은 도판트 및 2가지의 호스트 화합물로 필수적으로 구성된다.Electroluminescent layer 140 includes an electroluminescent material. The term "electroluminescent material" refers to a material that emits light when activated by an applied voltage. In some embodiments, electroluminescent layer 140 consists essentially of electroluminescent material. In some embodiments, electroluminescent layer 140 includes one or more dopants and one or more host compounds. In some embodiments, electroluminescent layer 140 consists essentially of one or more dopants and one or more host compounds. Electroluminescent dopants are electroluminescent capable materials having a maximum emission between 380 and 750 nm. In some embodiments, the dopant emits red, green, or blue light. The host compound is typically a compound in the form of a layer, in which one or more dopants are dispersed and one or more dopants are emissive. The term "host material" refers to all of the host compounds present. The host material may or may not have electronic property (s) or the ability to emit, receive or filter radiation. In an electroluminescent layer comprising at least one dopant and a host material, light is emitted from the dopant. In some embodiments, the host material is present at a concentration higher than the sum of all dopants. In some embodiments, electroluminescent layer 140 consists essentially of one or more dopants and one or more host compounds. In some embodiments, electroluminescent layer 140 consists essentially of dopants and host compounds. In some embodiments, electroluminescent layer 140 consists essentially of dopant and two host compounds.

일부 구현예에서, 전계발광 층은 중수소화 전계발광 재료, 중수소화 호스트 재료, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 중수소화 재료를 포함한다.In some embodiments, the electroluminescent layer comprises a deuterated material selected from the group consisting of deuterated electroluminescent material, deuterated host material, and combinations thereof.

전계발광 층을 위한 재료는 중합체, 올리고머, 소분자, 또는 그의 조합일 수 있다. 이들은 증착되거나, 용액, 분산액, 현탁액, 유탁액, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있는 액체로부터 침착될 수 있다.Materials for the electroluminescent layer can be polymers, oligomers, small molecules, or combinations thereof. They may be deposited or deposited from a liquid, which may be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloid mixture or other composition.

호스트가 존재할 경우, 전계발광 조성물 내에 존재하는 총 도판트의 양은 일반적으로 조성물의 총 중량을 기준으로 3 내지 20 중량%; 일부 구현예에서는, 5 내지 15 중량%의 범위로 존재한다. 2가지의 호스트 화합물이 존재하는 경우, 제1 호스트 대 제2 호스트의 비율은 일반적으로 1:20 내지 20:1; 일부 구현예에서는, 5:15 내지 15:5의 범위이다.If a host is present, the total amount of dopant present in the electroluminescent composition is generally 3 to 20 weight percent, based on the total weight of the composition; In some embodiments, it is present in the range of 5-15% by weight. When two host compounds are present, the ratio of first host to second host is generally 1:20 to 20: 1; In some embodiments, 5:15 to 15: 5.

A. 전계발광 재료A. Electroluminescent Materials

전계발광 재료는 소분자 유기 전계발광 화합물, 전계발광 금속 착물, 전계발광 공액 중합체, 및 그의 혼합물로부터 선택될 수 있다.The electroluminescent material can be selected from small molecule organic electroluminescent compounds, electroluminescent metal complexes, electroluminescent conjugated polymers, and mixtures thereof.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 중수소화된다. 일부 구현예에서, 전계발광 재료는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the electroluminescent material is deuterated. In some embodiments, the electroluminescent material is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

적색 발광 재료의 예는, 페닐퀴놀린 또는 페닐아이소퀴놀린 리간드를 갖는 Ir의 사이클로금속화 착물, 페리플란텐, 플루오란텐, 페릴렌, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 비-중수소화 적색 발광 재료는, 예를 들어, 미국 특허 제6,875,524호 및 공개 미국 출원 제2005-0158577호에 개시되어 있다.Examples of red luminescent materials include, but are not limited to, cyclometalated complexes of Ir with phenylquinoline or phenylisoquinoline ligands, periplanthene, fluoranthene, perylene, and deuterated analogs thereof. Non-deuterated red luminescent materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524 and published US application 2005-0158577.

녹색 발광 재료의 예는, 페닐피리딘 리간드를 갖는 Ir의 사이클로금속화 착물, 다이아미노안트라센, 폴리페닐렌비닐렌 중합체, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 비-중수소화 녹색 발광 재료는, 예를 들어, 공개 PCT 출원 제WO 2007/021117호에 개시되어 있다.Examples of green luminescent materials include, but are not limited to, cyclometalated complexes of Ir with phenylpyridine ligands, diaminoanthracene, polyphenylenevinylene polymers, and deuterated analogs thereof. Non-deuterated green light emitting materials are disclosed, for example, in published PCT application WO 2007/021117.

청색 발광 재료의 예는, 다이아릴안트라센, 다이아미노크리센, 다이아미노피렌, 다이아미노스틸벤, 페닐피리딘 리간드를 갖는 Ir의 사이클로금속화 착물, 폴리플루오렌 중합체, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 비-중수소화 청색 발광 재료는, 예를 들어, 미국 특허 제6,875,524호, 및 공개 미국 출원 제2007-0292713호 및 제2007-0063638호에 개시되어 있다.Examples of blue luminescent materials include cyclometalated complexes of Ir with diarylanthracene, diaminocrisene, diaminopyrene, diaminostyrenebene, phenylpyridine ligand, polyfluorene polymers, and deuterated analogs thereof It is not limited to this. Non-deuterated blue light emitting materials are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,875,524, and in published US applications 2007-0292713 and 2007-0063638.

일부 구현예에서, 도판트는 유기금속 착물이다. 일부 구현예에서, 도판트는 이리듐 또는 백금의 사이클로금속화 착물이다. 중수소화되지 않은 경우의 이러한 재료는, 예를 들어, 미국 특허 제6,670,645호 및 공개 PCT 출원 제WO 03/063555호, 제WO 2004/016710호, 및 제WO 03/040257호에 개시되어 있다.In some embodiments, the dopant is an organometallic complex. In some embodiments, the dopant is a cyclometalation complex of iridium or platinum. Such materials when not deuterated are disclosed, for example, in US Pat. No. 6,670,645 and published PCT applications WO 03/063555, WO 2004/016710, and WO 03/040257.

일부 구현예에서, 도판트는 화학식 Ir(L1)x(L2)y (L3)z를 갖는 착물이며; 여기서,In some embodiments, the dopant is a complex having the formula Ir (L1) x (L2) y (L3) z ; here,

L1은 탄소 및 질소를 통해 배위된 1가 음이온성 2좌 배위 사이클로금속화 리간드이며;L 1 is a monovalent anionic bidentate cyclometalated ligand coordinated via carbon and nitrogen;

L2는 탄소를 통해 배위되지 않은 1가 음이온성 2좌 배위 리간드이고;L 2 is a monovalent anionic bidentate ligand that is not coordinated via carbon;

L3는 단좌 배위 리간드이며;L3 is a monodentate ligand;

x는 1 내지 3이고;x is 1 to 3;

y 및 z는 독립적으로 0 내지 2이며;y and z are independently 0 to 2;

x, y, 및 z는 이리듐이 6배위되고 착물이 전기적으로 중성이 되도록 선택된다.x, y, and z are chosen such that the iridium is six coordinating and the complex is electrically neutral.

화학식의 일부 예에는 Ir(L1)3; Ir(L1)2(L2); 및 Ir(L1)2(L3)(L3')이 포함되나 이에 한정되지 않으며, 여기서 L3는 음이온성이고 L3'은 비이온성이다.Some examples of formulas include Ir (L1) 3 ; Ir (L1) 2 (L2); And Ir (L1) 2 (L3) (L3 '), wherein L3 is anionic and L3' is nonionic.

L1 리간드의 예는, 페닐피리딘, 페닐퀴놀린, 페닐피리미딘, 페닐피라졸, 티에닐피리딘, 티에닐퀴놀린, 티에닐피리미딘, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 사용되는 용어 "퀴놀린"은, 달리 특정되지 않는 한 "아이소퀴놀린"을 포함한다. 플루오르화 유도체는 하나 이상의 불소 치환체를 가질 수 있다. 일부 구현예에서는, 리간드의 비-질소 고리 상에 1 내지 3개의 불소 치환체가 있다.Examples of L1 ligands include, but are not limited to, phenylpyridine, phenylquinoline, phenylpyrimidine, phenylpyrazole, thienylpyridine, thienylquinoline, thienylpyrimidine, and deuterated analogs thereof. The term "quinoline" as used herein includes "isoquinoline" unless otherwise specified. The fluorinated derivatives may have one or more fluorine substituents. In some embodiments, there are 1-3 fluorine substituents on the non-nitrogen ring of the ligand.

1가 음이온성 2좌 배위 리간드 L2는 금속 배위 화학 분야에 주지되어 있다. 일반적으로, 이들 리간드는 배위 원자로서 N, O, P, 또는 S를 가지며, 이리듐에 배위될 때 5- 또는 6-원 고리를 형성한다. 적합한 배위 기는, 아미노, 이미노, 아미도, 알콕사이드, 카복실레이트, 포스피노, 티올레이트, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 이들 리간드를 위한 적합한 모 화합물의 예는, β-다이카보닐(β-에놀레이트 리간드), 및 그의 N 및 S 유사체; 아미노 카복실산(아미노카복실레이트 리간드); 피리딘 카복실산(이미노카복실레이트 리간드); 살리실산 유도체(살리실레이트 리간드); 하이드록시퀴놀린(하이드록시퀴놀리네이트 리간드) 및 그의 S 유사체; 포스피노알칸올(포스피노알콕사이드 리간드); 및 그의 중수소화 유사체를 포함한다.The monovalent anionic bidentate coordination ligand L2 is well known in the art of metal coordination chemistry. In general, these ligands have N, O, P, or S as coordinating atoms, and form 5- or 6-membered rings when coordinated with iridium. Suitable coordination groups include, but are not limited to, amino, imino, amido, alkoxides, carboxylates, phosphino, thiolates, and deuterated analogs thereof. Examples of suitable parent compounds for these ligands include β-dicarbonyls (β-enolate ligands), and N and S analogs thereof; Amino carboxylic acids (aminocarboxylate ligands); Pyridine carboxylic acid (iminocarboxylate ligand); Salicylic acid derivatives (salicylate ligands); Hydroxyquinoline (hydroxyquinolinate ligand) and its S analogs; Phosphinoalkanols (phosphinoalkoxide ligands); And deuterated analogs thereof.

단좌 배위 리간드 L3는 음이온성이거나 비이온성일 수 있다. 음이온성 리간드는 H-("하이드라이드") 및 배위 원소로서 C, O 또는 S를 갖는 리간드를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 배위 기는 알콕사이드, 카복실레이트, 티오카복실레이트, 다이티오카복실레이트, 설포네이트, 티올레이트, 카바메이트, 다이티오카바메이트, 티오카바존 음이온, 설폰아미드 음이온, 및 그의 중수소화 유사체를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 일부 경우에는, β-에놀레이트 및 포스피노알콕사이드와 같이 L2로서 상기 열거된 리간드가 단좌 배위 리간드로서 작용할 수 있다. 단좌 배위 리간드는 또한 할라이드, 시아나이드, 아이소시아나이드, 니트레이트, 설페이트, 헥사할로안티모네이트 등과 같은 배위 음이온일 수 있다. 이들 리간드는 일반적으로 구매가능하다.Monodentate ligand L3 may be anionic or nonionic. Anionic ligands include, but are not limited to, ligands having H-("hydride") and C, O or S as coordinating elements. Coordinating groups include, but are not limited to, alkoxides, carboxylates, thiocarboxylates, dithiocarboxylates, sulfonates, thiolates, carbamates, dithiocarbamates, thiocarbazone anions, sulfonamide anions, and deuterated analogs thereof It doesn't work. In some cases, ligands listed above as L2, such as β-enolate and phosphinoalkoxide, may act as single-position coordination ligands. Single-position coordinating ligands may also be coordinating anions such as halides, cyanide, isocyanides, nitrates, sulfates, hexahaloantimonates and the like. These ligands are generally commercially available.

단좌 배위 L3 리간드는 또한 비-이온성 리간드, 예를 들어 CO, 단좌 배위 포스핀 리간드, 또는 중수소화 단좌 배위 포스핀 리간드일 수 있다.Monodentate coordinating L3 ligands can also be non-ionic ligands, such as CO, monodentate coordinating phosphine ligands, or deuterated monodentate coordinating phosphine ligands.

일부 구현예에서는, 하나 이상의 리간드가 F 및 플루오르화 알킬로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 치환체를 갖는다.In some embodiments, the one or more ligands have at least one substituent selected from the group consisting of F and fluorinated alkyl.

예를 들어 미국 특허 제6,670,645호에 비-중수소화 유사체에 관하여 기술된 것들과 유사한 표준 합성 기술을 사용하여 이리듐 착물 도판트를 제조할 수 있다.For example, iridium complex dopants can be prepared using standard synthetic techniques similar to those described for non-deuterated analogs in US Pat. No. 6,670,645.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 작은 유기 화합물이다. 소분자 발광성 화합물의 예는, 크리센, 피렌, 페릴렌, 루브렌, 페리플란텐, 플루오란텐, 스틸벤, 쿠마린, 안트라센, 티아다이아졸, 그의 유도체, 그의 중수소화 유사체, 및 그의 혼합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다.In some embodiments, the electroluminescent material is a small organic compound. Examples of small molecule luminescent compounds include chrysene, pyrene, perylene, rubrene, periplanthene, fluoranthene, stilbene, coumarin, anthracene, thiadiazole, derivatives thereof, deuterated analogs thereof, and mixtures thereof. One is not limited thereto.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 하기의 구조 중 하나를 갖는다:In some embodiments, the electroluminescent material has one of the following structures:

Figure pct00018
Figure pct00018

여기서, 구조는 비치환되거나 알킬 또는 아릴 기로 추가로 치환될 수 있으며, 화합물은 10% 내지 100% 중수소화된다.Here, the structure may be unsubstituted or further substituted with alkyl or aryl groups and the compound is 10% to 100% deuterated.

일부 구현예에서, 도판트는 비-중합체성 스피로바이플루오렌 화합물 및 플루오란텐 화합물로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the dopant is selected from the group consisting of non-polymeric spirobifluorene compounds and fluoranthene compounds.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 아릴 아민 기를 갖는 화합물이다. 일부 구현예에서, 전계발광 재료는 하기 화학식으로부터 선택된다:In some embodiments, the electroluminescent material is a compound having aryl amine groups. In some embodiments, the electroluminescent material is selected from the following formula:

Figure pct00019
Figure pct00019

여기서,here,

A는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이고;A is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;

Q'은 단일 결합 또는 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이며;Q 'is a single bond or an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;

p 및 q는 동일하거나 상이하며, 각각은 1 내지 6의 정수이다.p and q are the same or different and each is an integer from 1 to 6.

상기 화학식에서 p 및 q의 값은 코어 Q' 기 상의 이용가능한 결합 부위에 의해 한정될 수 있다.The values of p and q in the above formulas can be defined by the available binding sites on the core Q 'group.

상기 화학식의 일부 구현예에서, 화합물은 적어도 10% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments of the above formula, the compound is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

상기 화학식의 일부 구현예에서, 각각의 화학식 내의 A 및 Q' 중 적어도 하나는 적어도 3개의 축합 고리를 갖는다. 일부 구현예에서, p 및 q는 1과 동일하다.In some embodiments of the above formula, at least one of A and Q 'in each formula has at least three condensed rings. In some embodiments, p and q are equal to one.

일부 구현예에서, Q'은 스티릴 또는 스티릴페닐 기이다.In some embodiments, Q 'is a styryl or styrylphenyl group.

일부 구현예에서, Q'은 적어도 2개의 축합 고리를 갖는 방향족 기이다. 일부 구현예에서, Q'은 나프탈렌, 안트라센, 벤즈[a]안트라센, 다이벤즈[a,h]안트라센, 플루오란텐, 플루오렌, 스피로플루오렌, 테트라센, 크리센, 피렌, 테트라센, 잔텐, 페릴렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈, 루브렌, 그의 치환된 유도체, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Q 'is an aromatic group having at least two condensed rings. In some embodiments, Q 'is naphthalene, anthracene, benz [a] anthracene, dibenz [a, h] anthracene, fluoranthene, fluorene, spirofluorene, tetracene, chrysene, pyrene, tetracene, xanthene , Perylene, coumarin, rhodamine, quinacridone, rubrene, substituted derivatives thereof, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, A는 페닐, 바이페닐, 톨일, 나프틸, 나프틸페닐, 안트라센일, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, A is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, tolyl, naphthyl, naphthylphenyl, anthracenyl, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 하기 구조를 갖는다:In some embodiments, the electroluminescent material has the structure:

Figure pct00020
Figure pct00020

여기서, A는 방향족 기이고, p는 1 또는 2이며, Q'은 하기의 것들로 구성된 군으로부터 선택된다:Wherein A is an aromatic group, p is 1 or 2, and Q 'is selected from the group consisting of:

Figure pct00021
Figure pct00021

Figure pct00022
Figure pct00022

여기서,here,

R 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시 및 아릴로 구성된 군으로부터 선택되고, 여기서 인접한 R 기는 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있으며;R Is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy and aryl, wherein adjacent R groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;

Ar은 동일하거나 상이하고 아릴 기로 구성된 군으로부터 선택되며;Ar is the same or different and is selected from the group consisting of aryl groups;

여기서, 화합물은 적어도 하나의 D를 갖는다.Wherein the compound has at least one D.

화학식 내의 점선은, R 기(존재하는 경우)가 코어 Q' 기 상의 임의의 부위에 존재할 수 있음을 나타내고자 하는 것이다.The dashed line in the formula is intended to indicate that the R group (if present) may be present at any site on the core Q 'group.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 하기 화학식을 갖는다:In some embodiments, the electroluminescent material has the formula:

Figure pct00023
Figure pct00023

여기서,here,

Y는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이고;Y is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;

Q'은 방향족 기, 2가 트라이페닐아민 잔기, 또는 단일 결합이다.Q 'is an aromatic group, a divalent triphenylamine residue, or a single bond.

일부 구현예에서, 전계발광은 아릴 아센 또는 그의 중수소화 유사체이다. 일부 구현예에서, 전계발광 재료는 비-대칭 아릴 아센 또는 그의 중수소화 유사체이다.In some embodiments, the electroluminescent is aryl acene or deuterated analog thereof. In some embodiments, the electroluminescent material is a non-symmetric aryl acene or deuterated analog thereof.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 화학식 IV를 갖는 안트라센 유도체이다:In some embodiments, the electroluminescent material is an anthracene derivative having Formula IV:

[화학식 IV][Formula IV]

Figure pct00024
Figure pct00024

여기서,here,

R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시 및 아릴로 구성된 군으로부터 선택되고, 여기서 인접한 R2 기는 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있으며;R 2 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy and aryl, wherein adjacent R 2 groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;

Ar3 내지 Ar6은 동일하거나 상이하며, 아릴 기 및 중수소화 아릴 기로 구성된 군으로부터 선택되고;Ar 3 to Ar 6 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups and deuterated aryl groups;

h는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 0 내지 4의 정수이며;h is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 4;

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

일부 구현예에서, 전계발광 재료는 화학식 V를 갖는 크리센 유도체이다:In some embodiments, the electroluminescent material is a chrysene derivative having Formula V:

Figure pct00025
Figure pct00025

여기서,here,

R3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시 아릴, 플루오로, 시아노, 니트로, -SO2R4로 구성된 군으로부터 선택되고, 여기서 R4는 알킬 또는 퍼플루오로알킬이며, 여기서 인접한 R3 기는 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있고;R 3 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy aryl, fluoro, cyano, nitro, —SO 2 R 4 , wherein R 4 is alkyl or perfluoroalkyl Wherein adjacent R 3 groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring;

Ar3 내지 Ar6은 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 구성된 군으로부터 선택되고;Ar 3 to Ar 6 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;

i는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 0 내지 5의 정수이며;i is the same or different at each occurrence and is an integer from 0 to 5;

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

화학식 IV 및 V의 일부 구현예에서, 중수소화는 아릴 고리 상의 치환체 기에 존재한다. 중수소화 치환체 기를 갖는 아릴 기는 화학식 IV의 코어 안트라센 기 또는 화학식 V의 코어 크리센 기; 또는 질소 상의 아릴; 또는 치환체 아릴 기일 수 있다. 일부 구현예에서, 아릴 고리 상의 중수소화 치환체 기는 알킬, 아릴, 알콕시, 및 아릴옥시로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 치환체 기는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다.In some embodiments of Formulas IV and V, deuteration is present in a substituent group on the aryl ring. Aryl groups having deuterated substituent groups include a core anthracene group of formula IV or a core chrysene group of formula V; Or aryl on nitrogen; Or a substituent aryl group. In some embodiments, the deuterated substituent group on the aryl ring is selected from alkyl, aryl, alkoxy, and aryloxy. In some embodiments, a substituent group is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated.

화학식 IV 및 V의 일부 구현예에서, 중수소화는 아릴 기 Ar3 내지 Ar6 중 임의의 하나 이상에 존재한다. 이 경우에, Ar3 내지 Ar6 중 적어도 하나는 중수소화 아릴 기이다. 일부 구현예에서, Ar3 내지 Ar6은 적어도 10% 중수소화된다. 이는 Ar3 내지 Ar6 에서 아릴 C 에 결합된 모든 이용가능한 H의 적어도 10%가 D로 대체됨을 의미한다. 일부 구현예에서는, 각각의 아릴 고리가 약간의 D를 가질 것이다. 일부 구현예에서는, 아릴 고리의 전부가 아닌 일부가 D를 갖는다. 일부 구현예에서, Ar3 내지 Ar6은 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다.In some embodiments of Formulas IV and V, deuteration is present in any one or more of the aryl groups Ar 3 to Ar 6 . In this case, at least one of Ar 3 to Ar 6 is a deuterated aryl group. In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are at least 10% deuterated. This means that at least 10% of all available H bonded to aryl C in Ar 3 to Ar 6 are replaced with D. In some embodiments, each aryl ring will have some D. In some embodiments, some but not all of the aryl rings have D. In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated.

화학식 IV 및 V의 일부 구현예에서, 중수소화는 치환체 기(R2 또는 R3) 및 아릴 기 양자 모두에 존재한다.In some embodiments of Formula IV and V, deuteration is present in both substituent groups (R 2 or R 3 ) and aryl groups.

일부 구현예에서, 화학식 IV 및 V의 화합물은 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, compounds of Formulas IV and V are at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

화학식 IV 및 V의 일부 구현예에서, 화합물은 아미노 기에 대하여 대칭이다. 이 경우에는, Ar3 = Ar5이고, Ar4 = Ar6이며, 여기서 Ar3은 Ar4와 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of Formulas IV and V, the compound is symmetric with respect to the amino group. In this case, Ar 3 = Ar 5 , Ar 4 = Ar 6 , where Ar 3 may be the same as or different from Ar 4 .

화학식 IV 및 V의 일부 구현예에서, 화합물은 아미노 기에 대하여 대칭이 아니다. 이 경우에는, Ar3이 Ar5 및 Ar6 양자 모두와 상이하다. Ar3은 Ar4와 동일하거나 상이할 수 있으며, Ar4는 각각의 Ar5 및 Ar6과 동일하거나 상이할 수 있다.In some embodiments of Formulas IV and V, the compound is not symmetric with respect to the amino group. In this case, Ar 3 is different from both Ar 5 and Ar 6 . Ar 3 may be the same or different and Ar 4, Ar 4 may be the same or different and each of Ar 5 and Ar 6.

화학식 IV의 일부 구현예에서, h는 양자 모두 0이다.In some embodiments of Formula IV, h is both zero.

화학식 IV의 일부 구현예에서, 적어도 하나의 h는 0을 초과한다. 일부 구현예에서, 적어도 하나의 R2는 탄화수소 알킬이다. 일부 구현예에서, R2는 중수소화 알킬이다. 일부 구현예에서, R2는 분지형 탄화수소 알킬 및 사이클릭 탄화수소 알킬로부터 선택된다.In some embodiments of Formula IV, at least one h is greater than zero. In some embodiments, at least one R 2 is hydrocarbon alkyl. In some embodiments, R 2 is deuterated alkyl. In some embodiments, R 2 is selected from branched hydrocarbon alkyl and cyclic hydrocarbon alkyl.

화학식 IV의 일부 구현예에서, h는 양자 모두 4이고, R2는 D이다.In some embodiments of Formula IV, h is both 4 and R 2 is D.

화학식 V에서, (R3)i에 대한 결합은, R3 기가 2개의 융합 고리 상에서 임의의 하나 이상의 부위에 존재할 수 있음을 의미하고자 하는 것이다.In formula (V), the bond to (R 3 ) i is intended to mean that the R 3 group may be present at any one or more sites on two fused rings.

화학식 V의 일부 구현예에서, i는 양자 모두 0이다.In some embodiments of Formula V, i is both zero.

화학식 V의 일부 구현예에서, 적어도 하나의 i는 0을 초과한다. 일부 구현예에서, 적어도 하나의 R3은 탄화수소 알킬이다. 일부 구현예에서, R3은 분지형 탄화수소 알킬 및 사이클릭 탄화수소 알킬로부터 선택된다.In some embodiments of Formula V, at least one i is greater than zero. In some embodiments, at least one R 3 is hydrocarbon alkyl. In some embodiments, R 3 is selected from branched hydrocarbon alkyl and cyclic hydrocarbon alkyl.

화학식 V의 일부 구현예에서, i는 양자 모두 5이고, R3은 D이다.In some embodiments of Formula V, i is both 5 and R 3 is D.

일부 구현예에서, Ar3 내지 Ar6 중 적어도 하나는 상기에 나타낸 바와 같은 화학식 a 또는 화학식 b를 갖는다.In some embodiments, at least one of Ar 3 to Ar 6 has formula a or formula b as indicated above.

일부 구현예에서, Ar3 내지 Ar6은 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프틸, 페닐나프틸, 나프틸페닐, 및 바이나프틸로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthyl, phenylnaphthyl, naphthylphenyl, and binaphthyl.

일부 구현예에서, Ar3 내지 Ar6은 과중수소화(perdeuterated)된다.In some embodiments, Ar 3 to Ar 6 are perdeuterated.

일부 구현예에서 Ar3 내지 Ar6은, 말단 아릴 상의 하나 이상의 알킬 기를 제외하고는, 과중수소화된다.In some embodiments Ar 3 to Ar 6 are superdeuterated, except for one or more alkyl groups on terminal aryl.

중수소화 전계발광 재료의 일부 비한정적 예를 하기의 E1 내지 E13으로 나타낸다:Some non-limiting examples of deuterated electroluminescent materials are shown below as E1 to E13:

화합물 E1:Compound E1:

Figure pct00026
Figure pct00026

화합물 E2:Compound E2:

Figure pct00027
Figure pct00027

화합물 compound E3E3 ::

Figure pct00028
Figure pct00028

화합물 E4:Compound E4:

Figure pct00029
Figure pct00029

화합물 E5:Compound E5:

Figure pct00030
Figure pct00030

화합물 E6:Compound E6:

Figure pct00031
Figure pct00031

화합물 E7:Compound E7:

Figure pct00032
Figure pct00032

화합물 E8:Compound E8:

Figure pct00033
Figure pct00033

화합물 E9:Compound E9:

Figure pct00034
Figure pct00034

화합물 E10:Compound E10:

Figure pct00035
Figure pct00035

화합물 E11:Compound E11:

Figure pct00036
Figure pct00036

E12:E12:

Figure pct00037
Figure pct00037

E13:E13:

Figure pct00038
Figure pct00038

b. 호스트b. Host

단일 호스트 화합물 또는 2가지 이상의 호스트 화합물이 호스트 재료로서 존재할 수 있다. 비-중수소화 호스트 화합물의 예는, 예를 들어, 미국 특허 제7,362,796호, 및 공개 미국 특허 출원 제2006-0115676호에 개시되어 있다.A single host compound or two or more host compounds may be present as host material. Examples of non-deuterated host compounds are disclosed, for example, in US Pat. No. 7,362,796, and published US patent application 2006-0115676.

일부 구현예에서, 호스트 재료는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다. 일부 구현예에서는, 호스트 재료가 100% 중수소화된다.In some embodiments, the host material is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the host material is 100% deuterated.

일부 구현예에서, 호스트 재료는 안트라센, 크리센, 피렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페난트롤린, 나프탈렌, 안트라센, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 페닐피리딘, 다이벤조퓨란, 다이퓨라노벤젠, 금속 퀴놀리네이트 착물, 인돌로카바졸, 벤즈이미다졸, 트라이아졸로피리딘, 다이헤테로아릴페닐, 그의 치환된 유도체, 그의 중수소화 유사체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 전기의 호스트 화합물은 아릴, 알킬, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된 치환체를 갖는다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 피리딘, 피라진, 피리미딘, 피리다진, 트라이아진, 테트라진, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 나프틸피리딘, 그의 헤테로바이아릴 유사체, 그의 헤테로트라이아릴 유사체, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the host material is anthracene, chrysene, pyrene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phenylpyridine, dibenzofuran, difuranobenzene, Metal quinolinate complexes, indolocarbazole, benzimidazole, triazolopyridine, diheteroarylphenyl, substituted derivatives thereof, deuterated analogs thereof, and combinations thereof. In some embodiments, the foregoing host compound has a substituent selected from the group consisting of aryl, alkyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, heteroaryl groups are pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, tetraazine, quinazoline, quinoxaline, naphthylpyridine, heterobiaryl analogs thereof, heterotriaryl analogs thereof, and deuteration thereof Selected from the group consisting of analogs.

일부 구현예에서, 호스트는 하기의 구조 1 내지 9, 또는 그의 중수소화 유사체로부터 선택된다.In some embodiments, the host is selected from structures 1-9, or deuterated analogs thereof, below.

Figure pct00039
Figure pct00039

여기서, R은 아릴, 헤테로아릴, 및 알킬로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 하기의 구조 10 내지 20, 또는 그의 중수소화 유사체로부터 선택된다.Wherein R is selected from aryl, heteroaryl, and alkyl. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from structures 10-20, or deuterated analogs thereof.

Figure pct00040
Figure pct00040

일부 구현예에서, 그 기는 헤테로바이아릴 유도체 또는 헤테로트라이아릴 유도체이다.In some embodiments, the group is a heterobiaryl derivative or heterotriaryl derivative.

일부 구현예에서, 호스트 재료는 하기에 나타낸 구조 중의 하나를 갖는다:In some embodiments, the host material has one of the structures shown below:

Figure pct00041
Figure pct00041

여기서, R은 아릴, 헤테로아릴, 및 알킬로부터 선택되며, 화합물은 중수소화될 수 있다. 일부 구현예에서, 상기의 구조는 아릴 또는 헤테로아릴 기로 추가로 치환된다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 상기의 구조 10 내지 20, 또는 그의 중수소화 유사체로부터 선택된다.Wherein R is selected from aryl, heteroaryl, and alkyl, and the compound may be deuterated. In some embodiments, the above structures are further substituted with aryl or heteroaryl groups. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from structures 10-20, or deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, 호스트 재료는 화학식 VI을 갖는다:In some embodiments, the host material has formula VI:

[화학식 VI][Formula VI]

Figure pct00042
Figure pct00042

여기서,here,

Ar7은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 아릴 기이며;Ar 7 is the same or different at each occurrence and is an aryl group;

Q는 다가 아릴 기 및Q is a polyvalent aryl group and

Figure pct00043
Figure pct00043

으로 구성된 군으로부터 선택되고;Selected from the group consisting of;

T는 (CR')a, SiR2, S, SO2, PR, PO, PO2, BR, 및 R로 구성된 군으로부터 선택되며;T is selected from the group consisting of (CR ′) a , SiR 2 , S, SO 2 , PR, PO, PO 2 , BR, and R;

R은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 알킬, 및 아릴로 구성된 군으로부터 선택되고;R is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of alkyl, and aryl;

R'은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 및 알킬로 구성된 군으로부터 선택되며;R 'is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of H, D, and alkyl;

a는 1 내지 6의 정수이고;a is an integer from 1 to 6;

n은 0 내지 6의 정수이다.n is an integer of 0-6.

n은 0 내지 6의 값을 가질 수 있지만, 일부 Q 기에 있어서 n의 값은 그 기의 화학적 성질에 의해 제한됨이 이해될 것이다. 일부 구현예에서, n은 0 또는 1이다.While n may have a value from 0 to 6, it will be understood that for some Q groups the value of n is limited by the chemical nature of the group. In some embodiments n is 0 or 1.

화학식 VI의 일부 구현예에서, 인접한 Ar 기는 함께 연결되어 카바졸과 같은 고리를 형성한다. 화학식 VI에서, "인접한"은 Ar 기가 동일한 N에 결합되어 있음을 의미한다.In some embodiments of Formula VI, adjacent Ar groups are linked together to form a ring, such as carbazole. In Formula VI, "adjacent" means that the Ar group is bonded to the same N.

일부 구현예에서, Ar7은 페닐, 바이페닐, 터페닐, 쿼터페닐, 나프틸, 페난트릴, 나프틸페닐, 페난트릴페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 독립적으로 선택된다. 5 내지 10개의 페닐 고리를 가진, 쿼터페닐보다 고급인 유사체 또한 사용될 수 있다.In some embodiments, Ar 7 is independently selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quarterphenyl, naphthyl, phenanthryl, naphthylphenyl, phenanthrylphenyl, and deuterated analogs thereof. Analogs higher than quarterphenyl, having 5 to 10 phenyl rings, may also be used.

일부 구현예에서, 적어도 하나의 Ar7은 적어도 하나의 치환체를 갖는다. 치환체 기는 호스트 재료의 물리적 또는 전자적 특성을 변경하기 위해 존재할 수 있다. 일부 구현예에서, 치환체는 호스트 재료의 가공성을 개선한다. 일부 구현예에서, 치환체는 호스트 재료의 용해도 및/또는 Tg를 증가시킨다. 일부 구현예에서, 치환체는 D, 알킬 기, 알콕시 기, 실릴 기, 실록산, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, at least one Ar 7 has at least one substituent. Substituent groups may be present to alter the physical or electronic properties of the host material. In some embodiments, the substituents improve the processability of the host material. In some embodiments, the substituents increase the solubility and / or Tg of the host material. In some embodiments, the substituents are selected from the group consisting of D, alkyl groups, alkoxy groups, silyl groups, siloxanes, and combinations thereof.

일부 구현예에서, Q는 적어도 2개의 융합 고리를 갖는 아릴 기이다. 일부 구현예에서, Q는 3 내지 5개의 융합 방향족 고리를 갖는다. 일부 구현예에서, Q는 안트라센, 크리센, 피렌, 페난트렌, 트라이페닐렌, 페난트롤린, 나프탈렌, 안트라센, 퀴놀린, 아이소퀴놀린, 퀴녹살린, 페닐피리딘, 다이벤조퓨란, 다이퓨라노벤젠, 인돌로카바졸, 그의 치환된 유도체, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Q is an aryl group having at least two fused rings. In some embodiments, Q has 3 to 5 fused aromatic rings. In some embodiments, Q is anthracene, chrysene, pyrene, phenanthrene, triphenylene, phenanthroline, naphthalene, anthracene, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, phenylpyridine, dibenzofuran, difuranobenzene, indole Rocarbazole, substituted derivatives thereof, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, 호스트 화합물은 화학식 VII을 갖는다:In some embodiments, the host compound has formula VII:

[화학식 VII][Formula VII]

Figure pct00044
Figure pct00044

여기서,here,

R4 내지 R11은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되고;R 4 to R 11 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;

Ar8 및 Ar9는 동일하거나 상이하며, 아릴 기로 구성된 군으로부터 선택되고;Ar 8 and Ar 9 are the same or different and are selected from the group consisting of aryl groups;

Ar10 및 Ar11은 동일하거나 상이하며, H, D, 및 아릴 기로 구성된 군으로부터 선택되고,Ar 10 and Ar 11 are the same or different and are selected from the group consisting of H, D, and aryl groups,

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

화학식 VII의 일부 구현예에서는, 적어도 하나의 D가 아릴 고리 상의 치환체 기에 존재한다. 일부 구현예에서, 치환체 기는 알킬 및 아릴로부터 선택된다.In some embodiments of Formula VII, at least one D is in a substituent group on the aryl ring. In some embodiments, substituent groups are selected from alkyl and aryl.

화학식 VII의 일부 구현예에서, R4 내지 R11 중 적어도 하나는 D이다. 일부 구현예에서, R4 내지 R11 중 적어도 2개는 D이다. 일부 구현예에서는, 적어도 3개가 D이고; 일부 구현예에서는, 적어도 4개가 D이며; 일부 구현예에서는, 적어도 5개가 D이고; 일부 구현예에서는, 적어도 6개가 D이며; 일부 구현예에서는, 적어도 7개가 D이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 전부가 D이다.In some embodiments of Formula VII, at least one of R 4 to R 11 is D. In some embodiments, at least two of R 4 to R 11 are D. In some embodiments, at least three are D; In some embodiments, at least four are D; In some embodiments, at least 5 is D; In some embodiments, at least 6 is D; In some embodiments, at least seven are D. In some embodiments, all of R 4 to R 11 are D.

일부 구현예에서, R4 내지 R11은 H 및 D로부터 선택된다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 하나가 D이고 7개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 2개가 D이고 6개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 3개가 D이고 5개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 4개가 D이고 4개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 5개가 D이고 3개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 6개가 D이고 2개가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 7개가 D이고 하나가 H이다. 일부 구현예에서는, R4 내지 R11 중 8개가 D이다.In some embodiments, R 4 through R 11 are selected from H and D. In some embodiments, one of R 4 to R 11 is D and 7 is H. In some embodiments, two of R 4 to R 11 are D and 6 are H. In some embodiments, three of R 4 to R 11 are D and five are H. In some embodiments, four of R 4 to R 11 are D and four are H. In some embodiments, 5 of R 4 to R 11 are D and 3 are H. In some embodiments, six of R 4 to R 11 are D and two are H. In some embodiments, 7 of R 4 to R 11 are D and one is H. In some embodiments, 8 of R 4 to R 11 are D.

일부 구현예에서, R4 내지 R11 중 적어도 하나는 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로부터 선택되고, R4 내지 R11 중 나머지는 H 및 D로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R5는 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R5는 알킬 및 아릴로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R5는 중수소화 알킬 및 중수소화 아릴로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R5는 적어도 10%의 중수소화를 갖는 중수소화 아릴로부터 선택된다. R5는, 일부 구현예에서는 적어도 20%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 30%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 40%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 50%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 60%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 70%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 80%의 중수소화; 일부 구현예에서는 적어도 90%의 중수소화를 갖는 중수소화 아릴로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R2는 100%의 중수소화를 갖는 중수소화 아릴로부터 선택된다.In some embodiments, at least one of R 4 to R 11 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl, and the remaining of R 4 to R 11 are selected from H and D. In some embodiments, R 5 is selected from alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl. In some embodiments, R 5 is selected from alkyl and aryl. In some embodiments, R 5 is selected from deuterated alkyl and deuterated aryl. In some embodiments, R 5 is selected from deuterated aryl having at least 10% deuteration. R 5 may, in some embodiments, be at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuteration; In some embodiments, at least 40% deuteration; In some embodiments, at least 50% deuteration; In some embodiments, at least 60% deuteration; In some embodiments, at least 70% deuteration; In some embodiments, at least 80% deuteration; In some embodiments is selected from deuterated aryls having at least 90% deuteration. In some embodiments, R 2 is selected from deuterated aryl having 100% deuteration.

화학식 VII의 일부 구현예에서, Ar8 내지 Ar11 중 적어도 하나는 중수소화 아릴이다. 일부 구현예에서, Ar10 및 Ar11은 D 및 중수소화 아릴로부터 선택된다.In some embodiments of Formula VII, at least one of Ar 8 to Ar 11 is deuterated aryl. In some embodiments, Ar 10 and Ar 11 are selected from D and deuterated aryl.

화학식 VII의 일부 구현예에서, Ar8 내지 Ar11은 적어도 10% 중수소화된다. 화학식 VII의 일부 구현예에서, Ar8 내지 Ar11은 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments of Formula VII, Ar 8 to Ar 11 are at least 10% deuterated. In some embodiments of Formula VII, Ar 8 to Ar 11 are at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

일부 구현예에서, 화학식 VII의 화합물은 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 화합물은 100% 중수소화된다.In some embodiments, the compound of Formula VII is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.

일부 구현예에서, Ar8 및 Ar9는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라센일, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, Ar8 및 Ar9는 페닐, 나프틸, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 8 and Ar 9 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, Ar 8 and Ar 9 are selected from the group consisting of phenyl, naphthyl, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, Ar10 및 Ar11은 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라센일, 페닐나프틸렌, 나프틸페닐렌, 그의 중수소화 유도체, 및 상기에 나타낸 바와 같은 화학식 a 또는 화학식 b를 갖는 기로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 10 and Ar 11 are groups having phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and formula a or formula b as shown above Selected from the group consisting of.

일부 구현예에서, Ar8 내지 Ar11 중 적어도 하나는 헤테로아릴 기이다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 중수소화된다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 100% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 헤테로아릴 기는 카바졸, 벤조퓨란, 다이벤조퓨란, 및 그의 중수소화 유도체로부터 선택된다.In some embodiments, at least one of Ar 8 to Ar 11 is a heteroaryl group. In some embodiments, the heteroaryl group is deuterated. In some embodiments, heteroaryl groups are at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is 100% deuterated. In some embodiments, the heteroaryl group is selected from carbazole, benzofuran, dibenzofuran, and deuterated derivatives thereof.

화학식 VII의 일부 구현예에서, R4 내지 R11 중 적어도 하나는 D이고 Ar8 내지 Ar11 중 적어도 하나는 중수소화 아릴이다. 일부 구현예에서, 화합물은 적어도 10% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 화합물은 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화된다. 일부 구현예에서, 화합물은 100% 중수소화된다.In some embodiments of Formula VII, at least one of R 4 to R 11 is D and at least one of Ar 8 to Ar 11 is deuterated aryl. In some embodiments, the compound is at least 10% deuterated. In some embodiments, the compound is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated. In some embodiments, the compound is 100% deuterated.

일부 구현예에서, 호스트 화합물은 화학식 VIII을 갖는다:In some embodiments, the host compound has formula VIII:

[화학식 VIII](VIII)

Figure pct00045
Figure pct00045

여기서,here,

R12는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시, 실릴, 및 실록산으로 구성된 군으로부터 선택되거나, 인접한 R12 기가 함께 연결되어 5- 또는 6-원 지방족 고리를 형성할 수 있고,R 12 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, silyl, and siloxanes, or adjacent R 12 groups can be linked together to form a 5- or 6-membered aliphatic ring,

Ar12 및 Ar13은 동일하거나 상이하고, 아릴 기이며,Ar 12 and Ar 13 are the same or different and are an aryl group,

j는 0 내지 6의 정수이고;j is an integer from 0 to 6;

k는 0 내지 2의 정수이며;k is an integer from 0 to 2;

l은 0 내지 3의 정수이고;l is an integer from 0 to 3;

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

일부 구현예에서, R12는 D이고, j, k, 및 l 중 적어도 하나는 0을 초과한다. 일부 구현예에서, R12는 D이고, j, k, 및 l은 모두 0을 초과한다. 일부 구현예에서 R12는 D이고, j = 5-6, k = 1-2이며 l = 2-3이다.In some embodiments, R 12 is D and at least one of j, k, and l is greater than zero. In some embodiments, R 12 is D and j, k, and l are all greater than zero. In some embodiments R 12 is D, j = 5-6, k = 1-2 and l = 2-3.

일부 구현예에서는, 적어도 하나의 R12가 분지형 알킬 기이다. 일부 구현예에서, 분지형 알킬 기는 2-프로필 기, t-부틸 기, 또는 그의 중수소화 유사체이다.In some embodiments, at least one R 12 is a branched alkyl group. In some embodiments, branched alkyl groups are 2-propyl groups, t-butyl groups, or deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, Ar12 및 Ar13은, D, 알킬, 실릴, 페닐, 나프틸, N-카바졸일, 및 플루오렌일로 구성된 군으로부터 선택된 치환체를 갖는 페닐기이다.In some embodiments, Ar 12 and Ar 13 are phenyl groups having substituents selected from the group consisting of D, alkyl, silyl, phenyl, naphthyl, N-carbazolyl, and fluorenyl.

일부 구현예에서, Ar12 및 Ar13은, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라센일, 4-나프틸페닐, 4-페난트릴페닐, 그의 중수소화 유사체, 및 상기에 나타낸 바와 같은 화학식 a 또는 화학식 b를 갖는 기로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 12 and Ar 13 are phenyl, biphenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, 4-naphthylphenyl, 4-phenanthrylphenyl, deuterated analogs thereof, and formulas as shown above It is selected from the group consisting of a or a group having the formula (b).

일부 구현예에서, 호스트 화합물은 화학식 IX를 갖는다:In some embodiments, the host compound has formula IX:

[화학식 IX](IX)

Figure pct00046
Figure pct00046

여기서,here,

R13은 동일하거나 상이하며, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 나프틸페닐, 트라이페닐아미노, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택되고;R 13 is the same or different and is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof;

하기의 조건 중 하나를 충족하며:Meets one of the following conditions:

(i) R14= R15이고, H, D, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 나프틸페닐, 아릴안트라센일, 페난트릴, 트라이페닐아미노, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택됨; 또는(i) from the group consisting of R 14 = R 15 and consisting of H, D, phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof Selected; or

(ii) R14는 H, D, 페닐, 및 듀테로-페닐로 구성된 군으로부터 선택되고;(ii) R 14 is selected from the group consisting of H, D, phenyl, and deutero-phenyl;

R15는 페닐, 바이페닐, 나프틸, 나프틸페닐, 아릴안트라센일, 페난트릴, 트라이페닐아미노, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택됨;R 15 is selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, arylanthracenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof;

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

일부 구현예에서, 페난트롤린 화합물은 대칭이며, 여기서 R13은 양자 모두 동일하고 R14 = R15이다. 일부 구현예에서는, R13 = R14 = R15이다. 일부 구현예에서, 페난트롤린 화합물은 비대칭이며, 여기서 2개의 R13 기가 상이하거나, R14 ≠ R15이거나, 양자 모두이다.In some embodiments, the phenanthroline compound is symmetrical wherein R 13 is both the same and R 14 = R 15 . In some embodiments, R 13 = R 14 = R 15 . In some embodiments, the phenanthroline compound is asymmetrical, wherein two R 13 groups are different, R 14 ≠ R 15, or both.

일부 구현예에서, R13 기는 동일하며, 바이페닐, 나프틸, 나프틸페닐, 트라이페닐아미노, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R13 기는 페닐, 트라이페닐아미노, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R13 기는 4-트라이페닐아미노, m-카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the R 13 groups are the same and are selected from the group consisting of biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, the R 13 group is selected from the group consisting of phenyl, triphenylamino, carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof. In some embodiments, the R 13 group is selected from the group consisting of 4-triphenylamino, m-carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, R13 = R14이고, 트라이페닐아미노, 나프틸페닐, 아릴안트라센일, m-카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, R 13 = R 14 and are selected from the group consisting of triphenylamino, naphthylphenyl, arylanthracenyl, m-carbazolylphenyl, and deuterated analogs thereof.

일부 구현예에서, 호스트는 화학식 X 또는 화학식 XI을 갖는다:In some embodiments, the host has Formula X or Formula XI:

[화학식 X][Formula X]

Figure pct00047
Figure pct00047

[화학식 XI](XI)

Figure pct00048
Figure pct00048

여기서,here,

R16은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 수소, 중수소, 페닐, 바이페닐, 나프틸, 나프틸페닐, 페난트릴, 트라이페닐아미노, 카바졸일, 카바졸일페닐, 및 그의 중수소화 유도체로 구성된 군으로부터 선택되고;R 16 is the same or different at each occurrence and is a group consisting of hydrogen, deuterium, phenyl, biphenyl, naphthyl, naphthylphenyl, phenanthryl, triphenylamino, carbazolyl, carbazolylphenyl, and deuterated derivatives thereof Is selected from;

R17은 H 또는 D이며;R 17 is H or D;

Q'은 아릴 기이고;Q 'is an aryl group;

여기서, 적어도 하나의 D가 존재한다.Here, at least one D is present.

일부 구현예에서, Q'은 페닐렌, 나프틸렌, 바이페닐렌, 바이나프틸렌, 및 그의 중수소화 유도체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, Q'은 1,4-페닐렌, 2,6-나프틸렌, 4,4'-바이페닐렌, 4,4'-(1,1'-바이나프틸렌), 및 그의 중수소화 유도체로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Q 'is selected from the group consisting of phenylene, naphthylene, biphenylene, binaphthylene, and deuterated derivatives thereof. In some embodiments, Q 'is 1,4-phenylene, 2,6-naphthylene, 4,4'-biphenylene, 4,4'-(1,1'-binaphthylene), and heavy water thereof Selected from the group consisting of digested derivatives.

한 구현예에서, 호스트는 화학식 XII 또는 화학식 XIII을 갖는 중수소화 인돌로카바졸이다:In one embodiment, the host is deuterated indolocarbazole having Formula XII or Formula XIII:

[화학식 XII](XII)

Figure pct00049
Figure pct00049

[화학식 XIII](XIII)

Figure pct00050
Figure pct00050

여기서,here,

Ar14는 방향족 전자 수송 기이고;Ar 14 is an aromatic electron transport group;

Ar15는 아릴 기 및 방향족 전자 수송 기로 구성된 군으로부터 선택되며;Ar 15 is selected from the group consisting of aryl groups and aromatic electron transport groups;

R18 및 R19 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D 및 아릴로 구성된 군으로부터 선택되며;R 18 and R 19 are the same or different at each occurrence and are selected from the group consisting of H, D and aryl;

여기서, 화합물은 적어도 하나의 D를 갖는다.Wherein the compound has at least one D.

화학식 XII 및 화학식 XIII의 일부 구현예에서, 중수소는 인돌로카바졸 코어, 아릴 고리, 아릴 고리 상의 치환체 기, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 부분 상에 존재한다.In some embodiments of Formula XII and Formula XIII, deuterium is present on a portion selected from the group consisting of indolocarbazole cores, aryl rings, substituent groups on aryl rings, and combinations thereof.

Ar14는 방향족 전자 수송 기이다. 일부 구현예에서, 방향족 전자 수송 기는 질소-포함 헤테로방향족 기이다. 전자를 수송하는 질소-포함 헤테로방향족 기의 일부 예는 하기에 나타낸 것들을 포함하나 이에 한정되지 않는다.Ar 14 is an aromatic electron transport group. In some embodiments, the aromatic electron transport group is a nitrogen-containing heteroaromatic group. Some examples of nitrogen-containing heteroaromatic groups that transport electrons include, but are not limited to, those shown below.

Figure pct00051
Figure pct00051

상기 화학식에서:In the above formula:

Ar16은 아릴 기이고;Ar 16 is an aryl group;

R20 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, D, 알킬, 알콕시, 아릴, 아릴옥시, 실록산, 및 실릴로 구성된 군으로부터 선택되고;R 20 is the same or different at each occurrence and is selected from the group consisting of D, alkyl, alkoxy, aryl, aryloxy, siloxane, and silyl;

m은 0 내지 4의 정수이며;m is an integer from 0 to 4;

n은 0 내지 3의 정수이고;n is an integer from 0 to 3;

o는 0 내지 2의 정수이며;o is an integer from 0 to 2;

p는 0 내지 5의 정수이고;p is an integer from 0 to 5;

q는 0 또는 1이며;q is 0 or 1;

r은 0 내지 6의 정수이다.r is an integer of 0-6.

그 기는 파선으로 표시된 임의의 위치에서 코어 상의 질소에 결합될 수 있다.The group can be bonded to the nitrogen on the core at any position indicated by the broken line.

일부 구현예에서는, 동일하거나 상이한 전자-끌기(electron-withdrawing) 치환체 중 2개 이상이 함께 결합되어 올리고머성 치환체를 형성한다. 일부 구현예에서, R20은 D 및 아릴로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, R20은 질소-포함 헤테로방향족 전자 수송 기이다.In some embodiments, two or more of the same or different electron-withdrawing substituents are joined together to form oligomeric substituents. In some embodiments, R 20 is selected from the group consisting of D and aryl. In some embodiments, R 20 is a nitrogen-containing heteroaromatic electron transport group.

일부 구현예에서, Ar15는 상기 논의된 바와 같은 방향족 전자 수송 기이다. 일부 구현예에서, Ar15는 페닐, 나프틸, 페난트릴, 안트라센일, 페닐나프틸렌, 나프틸페닐렌, 그의 중수소화 유도체, 및 상기 논의된 바와 같은 화학식 a 또는 화학식 b를 갖는 기로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, Ar 15 is an aromatic electron transport group as discussed above. In some embodiments, Ar 15 is from the group consisting of phenyl, naphthyl, phenanthryl, anthracenyl, phenylnaphthylene, naphthylphenylene, deuterated derivatives thereof, and groups having formula a or formula b as discussed above Is selected.

일부 구현예에서, 호스트 재료는 중수소화 다이아릴안트라센, 중수소화 아미노크리센, 중수소화 다이아릴크리센, 중수소화 다이아릴피렌, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 페난트롤린, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the host material is deuterated diarylanthracene, deuterated aminocricene, deuterated diaryrylcene, deuterated diarypyrene, deuterated indolocarbazole, deuterated phenanthroline, and combinations thereof Selected from the group consisting of.

중수소화 호스트 화합물의 일부 비한정적 예는 하기에 나타낸 화합물 H1 내지 H17을 포함한다.Some non-limiting examples of deuterated host compounds include compounds H1 through H17 shown below.

화합물 H1:Compound H1:

Figure pct00052
Figure pct00052

여기서, x + y + z + n = 1-26이다.Where x + y + z + n = 1-26.

화합물 H5:Compound H5:

Figure pct00053
Figure pct00053

여기서, x + y + z + p + n + q = 1-34이다.Where x + y + z + p + n + q = 1-34.

화합물 H8:Compound H8:

Figure pct00054
Figure pct00054

화합물 H9:Compound H9:

Figure pct00055
Figure pct00055

화합물 H13:Compound H13:

Figure pct00056
Figure pct00056

화합물 H14:Compound H14:

Figure pct00057
Figure pct00057

화합물 H15:Compound H15:

Figure pct00058
Figure pct00058

화합물 H16:Compound H16:

Figure pct00059
Figure pct00059

Σ(a-f)=1-25Σ (a-f) = 1-25

화합물 H17:Compound H17:

Figure pct00060
Figure pct00060

Σ(a-f)=1-28Σ (a-f) = 1-28

5. 전자 수송 층5. electron transport layer

전자 수송 층 (150)은 전자 수송 재료를 포함한다. 층, 재료, 부재, 또는 구조를 지칭할 경우, 용어 "전자 수송"은, 상기의 층, 재료, 부재, 또는 구조가 상대적 효율 및 적은 전하 손실을 동반하면서 상기의 층, 재료, 부재, 또는 구조의 두께를 통한 음전하의 이동을 촉진함을 의미하고자 하는 것이다. 발광 재료가 또한 일부 전자 수송 특성을 가질 수 있지만, 용어 "전자 수송 층, 재료, 부재, 또는 구조"는 주된 기능이 발광인 층, 재료, 부재, 또는 구조를 포함하고자 하는 것은 아니다.Electron transport layer 150 includes an electron transport material. When referring to a layer, material, member, or structure, the term "electron transport" refers to the layer, material, member, or structure, while the layer, material, member, or structure is accompanied by relative efficiency and low charge loss. It is intended to mean that the movement of the negative charge through the thickness of. Although the luminescent material may also have some electron transport properties, the term “electron transport layer, material, member, or structure” is not intended to include a layer, material, member, or structure whose primary function is luminescence.

전자 수송 재료는 중합체, 올리고머, 또는 소분자일 수 있다. 이들은 증착되거나, 용액, 분산액, 현탁액, 유탁액, 콜로이드 혼합물 또는 다른 조성물의 형태일 수 있는 액체로부터 침착될 수 있다.The electron transport material may be a polymer, oligomer, or small molecule. They may be deposited or deposited from a liquid, which may be in the form of a solution, dispersion, suspension, emulsion, colloid mixture or other composition.

일부 구현예에서, 전자 수송 층은 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 전자 수송 재료는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the electron transport layer comprises deuterated material. In some embodiments, the electron transport material is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

일부 구현예에서, 전자 수송 층 (150)은 상기 논의된 바와 같은 화학식 IX, 화학식 X, 또는 화학식 XI을 갖는 중수소화 페난트롤린 유도체를 포함한다. 일부 구현예에서, 전자 수송 층 (150)은 화학식 IX, 화학식 X, 또는 화학식 XI을 갖는 중수소화 페난트롤린 유도체로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, electron transport layer 150 comprises deuterated phenanthroline derivatives having Formula IX, Formula X, or Formula XI as discussed above. In some embodiments, electron transport layer 150 consists essentially of deuterated phenanthroline derivatives having Formula IX, Formula X, or Formula XI.

일부 구현예에서, 전자 수송 층 (150)은 상기 논의된 바와 같은 화학식 XII 또는 화학식 XIII을 갖는 중수소화 인돌로카바졸 유도체를 포함한다. 일부 구현예에서, 전자 수송 층 (150)은 화학식 XII 또는 화학식 XIII을 갖는 중수소화 인돌로카바졸 유도체로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, electron transport layer 150 includes deuterated indolocarbazole derivatives having Formula XII or Formula XIII as discussed above. In some embodiments, electron transport layer 150 consists essentially of deuterated indolocarbazole derivatives having Formula XII or Formula XIII.

일부 구현예에서, 전자 수송 층은 중수소화 벤즈이미다졸, 중수소화 트라이아졸로피리딘 및 중수소화 다이헤테로아릴페닐로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함한다.In some embodiments, the electron transport layer comprises a material selected from the group consisting of deuterated benzimidazole, deuterated triazolopyridine, and deuterated diheteroarylphenyl.

일부 구현예에서, 전자 수송 층 (150)은 중수소화 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물을 포함한다. 이러한 재료의 예는, 중수소화 금속 퀴놀레이트 유도체, 예를 들어 중수소화 트리스(8-하이드록시퀴놀레이토)알루미늄(d-AlQ), 중수소화 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이토) 알루미늄(d-BAlq), 중수소화 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)하프늄(d-HfQ) 및 중수소화 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)지르코늄(d-ZrQ)을 포함한다.In some embodiments, electron transport layer 150 comprises a deuterated metal chelated oxynoid compound. Examples of such materials include deuterated metal quinolate derivatives, such as deuterated tris (8-hydroxyquinolato) aluminum (d-AlQ), deuterated bis (2-methyl-8-quinolinolato) ( p-phenylphenolrato) aluminum (d-BAlq), deuterated tetrakis- (8-hydroxyquinolato) hafnium (d-HfQ) and deuterated tetrakis- (8-hydroxyquinolato) zirconium (d- ZrQ).

일부 구현예에서, 전자 수송 층은 중수소화 페난트롤린, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 벤즈이미다졸, 중수소화 트라이아졸로피리딘, 중수소화 다이헤테로아릴페닐, 중수소화 금속 퀴놀레이트, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 전자 수송 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 전자 수송 층은 중수소화 페난트롤린, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 벤즈이미다졸, 중수소화 트라이아졸로피리딘, 중수소화 다이헤테로아릴페닐, 중수소화 금속 퀴놀레이트, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 전자 수송 재료로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, the electron transport layer comprises deuterated phenanthroline, deuterated indolocarbazole, deuterated benzimidazole, deuterated triazolopyridine, deuterated diheteroarylphenyl, deuterated metal quinolate, and their An electron transport material selected from the group consisting of combinations. In some embodiments, the electron transport layer comprises deuterated phenanthroline, deuterated indolocarbazole, deuterated benzimidazole, deuterated triazolopyridine, deuterated diheteroarylphenyl, deuterated metal quinolate, and their It consists essentially of electron transport materials selected from the group consisting of combinations.

전자 수송 층 (150)에 사용될 수 있는 다른 전자 수송 재료의 예는, 아졸 화합물, 예를 들어 2- (4-바이페닐일)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(PBD), 3-(4-바이페닐일)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(TAZ), 및 1,3,5-트라이(페닐-2-벤즈이미다졸)벤젠(TPBI); 퀴녹살린 유도체, 예를 들어 2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살린; 트라이아진; 풀러렌; 전술한 재료 중 임의의 것의 중수소화 유사체; 및 그의 혼합물을 포함한다. 일부 구현예에서, 전자 수송 층은 n-도판트를 추가로 포함한다. N-도판트 재료는 주지되어 있다. n-도판트는, 1족 및 2족 금속; 1족 및 2족 금속 염, 예를 들어 LiF, CsF, 및 Cs2CO3; 1족 및 2족 금속 유기 화합물, 예를 들어 Li 퀴놀레이트; 및 분자 n-도판트, 예를 들어 류코 염료, 금속 착물, 예를 들어 W2(hpp)4(여기서 hpp=1,3,4,6,7,8-헥사하이드로-2H-피리미도-[1,2-a]-피리미딘임) 및 코발토센, 테트라티아나프타센, 비스(에틸렌다이티오)테트라티아풀발렌, 헤테로사이클릭 라디칼 또는 다이라디칼, 및 이량체, 올리고머, 중합체, 헤테로사이클릭 라디칼 또는 다이라디칼의 폴리사이클 및 다이스피로 화합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다. n-도판트는 또한 중수소화될 수 있다.Examples of other electron transport materials that can be used in the electron transport layer 150 are azole compounds, such as 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4 Oxadiazole (PBD), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-t-butylphenyl) -1,2,4-triazole (TAZ), and 1,3, 5-tri (phenyl-2-benzimidazole) benzene (TPBI); Quinoxaline derivatives such as 2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxaline; Triazines; Fullerenes; Deuterated analogs of any of the foregoing materials; And mixtures thereof. In some embodiments, the electron transport layer further comprises an n-dopant. N-dopant materials are well known. n-dopants include Group 1 and Group 2 metals; Group 1 and 2 metal salts such as LiF, CsF, and Cs 2 CO 3 ; Group 1 and 2 metal organic compounds such as Li quinolate; And molecular n-dopants such as leuco dyes, metal complexes such as W 2 (hpp) 4 , where hpp = 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido- [ 1,2-a] -pyrimidine) and cobaltocene, tetrathianaphthacene, bis (ethylenedithio) tetrathiafulvalene, heterocyclic radical or diradical, and dimers, oligomers, polymers, heterocytes Polycyclic and dispiro compounds of click radicals or diradicals, including but not limited to. n-dopant may also be deuterated.

중수소화 전자 수송 화합물의 일부 비한정적 예는, 하기에 나타낸 화합물 ET1 내지 ET4를 포함한다.Some non-limiting examples of deuterated electron transport compounds include compounds ET1 to ET4 shown below.

ET1:ET1:

Figure pct00061
Figure pct00061

ET2:ET2:

Figure pct00062
Figure pct00062

Σ(x+y+z)=1-54Σ (x + y + z) = 1-54

ET3:ET3:

Figure pct00063
Figure pct00063

ET4:ET4:

Figure pct00064
Figure pct00064

6. 화학적 봉쇄 6. Chemical containment

전색 영상을 갖는 디스플레이를 제조하기 위하여, 각각의 디스플레이 픽셀은 3원 디스플레이 색인 적색, 녹색 및 청색 중 하나를 각각 방출하는 3개의 부화소로 분할된다. 액체 침착 기술에 의해 상이한 색이 적용될 경우에는, 한 부화소로부터 다음 부화소로의 액체 착색 재료(즉, 잉크)의 확산 및 혼색을 방지할 필요가 있다.To produce a display having a full-color image, each display pixel is divided into three sub-pixels each emitting one of the three-way display index red, green and blue. When different colors are applied by the liquid deposition technique, it is necessary to prevent the diffusion and mixing of the liquid coloring material (ie ink) from one subpixel to the next subpixel.

혼색을 방지하는 한 방법은 착색 잉크를 적용하기 전에 화학적 봉쇄 층을 제공하는 것이다. 용어 "화학적 봉쇄층"은 물리적 장벽 구조가 아닌 표면 에너지 효과를 통해 액체 재료의 확산을 봉쇄 또는 제한하는 패턴화된 층을 의미하고자 하는 것이다. 층을 지칭할 때, 용어 "봉쇄된"은, 층이 침착된 영역을 넘어서 현저하게 확산되지 않음을 의미하고자 하는 것이다. 용어 "표면 에너지"는 재료로부터 단위 면적의 표면을 생성하는데 요구되는 에너지이다. 표면 에너지의 특징은, 주어진 표면 에너지를 갖는 액체 재료는 그보다 낮은 표면 에너지를 갖는 표면을 적시지 않는다는 것이다.One way to prevent color mixing is to provide a chemical containment layer before applying the coloring ink. The term “chemical containment layer” is intended to mean a patterned layer that blocks or restricts the diffusion of liquid material through surface energy effects rather than physical barrier structures. When referring to a layer, the term "contained" is intended to mean that the layer does not diffuse significantly beyond the deposited area. The term "surface energy" is the energy required to create a unit area of surface from a material. A feature of surface energy is that liquid materials with a given surface energy do not wet surfaces with lower surface energy.

일부 구현예에서, 화학적 봉쇄 층은 중수소화 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 화학적 봉쇄 재료는 적어도 10% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 20% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the chemical containment layer comprises deuterated material. In some embodiments, the chemical containment material is at least 10% deuterated; In some embodiments, at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

일부 구현예에서, 애노드 측으로부터 시작하여 제조되는 소자에 있어서, 화학적 봉쇄 층은 정공 주입 층 위에 적용되어 정공 수송 층 및 전계발광 층 양자 모두를 봉쇄한다. 일부 구현예에서, 화학적 봉쇄 층은 정공 수송 층 위에 적용되어 전계발광 층을 봉쇄한다. 캐소드 측으로부터 시작하여 제조되는 소자에 있어서, 화학적 봉쇄 층은 전자 주입 층 또는 전자 수송 층 위에 적용될 수 있다.In some embodiments, for devices fabricated starting from the anode side, a chemical containment layer is applied over the hole injection layer to block both the hole transport layer and the electroluminescent layer. In some embodiments, the chemical containment layer is applied over the hole transport layer to contain the electroluminescent layer. In devices fabricated starting from the cathode side, the chemical containment layer can be applied over the electron injection layer or the electron transport layer.

일부 구현예에서는, 프라이밍 층(priming layer)을 사용하여 제1 층 상에 화학적 봉쇄 층을 형성시키며, 여기서 프라이밍 층은 제1 층의 표면 에너지와는 현저하게 상이한 표면 에너지를 갖는다. 프라이밍 층은 제1 층 상에 전체적으로 적용된다. 이어서, 노광 영역 및 비노광 영역을 형성시키는 패턴으로 프라이밍 층을 방사에 노광시킨다. 이어서, 프라이밍 층을 현상하여 노광 영역 또는 비노광 영역으로부터 프라이밍 층을 효과적으로 제거한다. 그 결과로서 제1 층 상의 패턴화된 프라이밍 층이 얻어진다 . 패턴화된 프라이밍 층은 화학적 봉쇄 층이다. 용어 "효과적으로 제거하다" 및 "효과적 제거"는, 노광 또는 비노광 영역에서 프라이밍 층이 본질적으로 완전히 제거됨을 의미한다. 또한, 다른 영역에서 프라이밍 층을 부분적으로 제거함으로써, 프라이밍 층의 잔류하는 패턴이 원래의 프라이밍 층보다 얇아지도록 할 수 있다.In some embodiments, a priming layer is used to form a chemical containment layer on the first layer, where the priming layer has a surface energy that is significantly different from the surface energy of the first layer. The priming layer is applied entirely on the first layer. The priming layer is then exposed to radiation in a pattern that forms the exposed and non-exposed areas. The priming layer is then developed to effectively remove the priming layer from the exposed or non-exposed areas. As a result, a patterned priming layer on the first layer is obtained. The patterned priming layer is a chemical containment layer. The terms "effectively remove" and "effectively remove" mean that the priming layer is essentially completely removed in the exposed or non-exposed areas. In addition, by partially removing the priming layer in another region, it is possible to make the remaining pattern of the priming layer thinner than the original priming layer.

일부 구현예에서, 프라이밍 층의 패턴은 제1 층의 표면 에너지보다 높은 표면 에너지를 갖는다. 제2 층은 제1 층 상의 프라이밍 층의 패턴 위에 액체 침착에 의해 형성된다.In some embodiments, the pattern of the priming layer has a surface energy higher than the surface energy of the first layer. The second layer is formed by liquid deposition over the pattern of priming layers on the first layer.

일부 구현예에서, 프라이밍 층의 패턴은 제1 층의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는다. 제2 층은 프라이밍 층이 제거된 영역 내의 제1 층 위에 액체 침착에 의해 형성된다. 이러한 공정 및 비-중수소화 재료는 공개 미국 특허 출원 제US 2007/0205409호에 기술되어 있다.In some embodiments, the pattern of the priming layer has a surface energy lower than the surface energy of the first layer. The second layer is formed by liquid deposition over the first layer in the region from which the priming layer is removed. Such process and non-deuterated materials are described in published US patent application US 2007/0205409.

상대 표면 에너지를 결정하는 한 방법은, 제1 유기 층 상에서의 주어진 액체의 접촉각을 노광 및 현상 후의 프라이밍 층(이하 "현상된 프라이밍 층"으로 지칭함) 상에서의 동일한 액체의 접촉각에 비교하는 것이다. 표면 에너지가 감소함에 따라 접촉각이 증가한다. 접촉각을 측정할 수 있는 장비는 다양한 제조업체에서 제조된다.One method of determining the relative surface energy is to compare the contact angle of a given liquid on the first organic layer to the contact angle of the same liquid on the priming layer (hereinafter referred to as the "developed priming layer") after exposure and development. As the surface energy decreases, the contact angle increases. Equipment for measuring contact angles is manufactured by various manufacturers.

일부 구현예에서, 제1 층의 표면 에너지는 프라이밍 층의 표면 에너지보다 층이다. 일부 구현예에서, 제1 층의 아니솔에 대한 접촉각은 40℃를 초과하고; 일부 구현예에서는, 50°를 초과하며; 일부 구현예에서는, 60°를 초과하고; 일부 구현예에서는, 70°를 초과한다. 일부 구현예에서, 현상된 프라이밍 층의 아니솔에 대한 접촉각은, 30° 미만이며; 일부 구현예에서는, 20° 미만이고; 일부 구현예에서는, 10° 미만이다. 일부 구현예에서는, 주어진 용매에 대하여, 현상된 프라이밍 층과의 접촉각이 제1 층과의 접촉각보다 적어도 20° 낮으며; 일부 구현예에서는, 주어진 용매에 대하여, 현상된 프라이밍 층과의 접촉각이 제1 층과의 접촉각보다 적어도 30° 낮고; 일부 구현예에서는, 주어진 용매에 대하여, 현상된 프라이밍 층과의 접촉각이 제1 층과의 접촉각보다 적어도 40° 낮다.In some embodiments, the surface energy of the first layer is more than the surface energy of the priming layer. In some embodiments, the contact angle for the anisole of the first layer is greater than 40 ° C .; In some embodiments, greater than 50 °; In some embodiments, greater than 60 °; In some embodiments, greater than 70 °. In some embodiments, the contact angle for the anisole of the developed priming layer is less than 30 °; In some embodiments, less than 20 °; In some embodiments, less than 10 °. In some embodiments, for a given solvent, the contact angle with the developed priming layer is at least 20 ° lower than the contact angle with the first layer; In some embodiments, for a given solvent, the contact angle with the developed priming layer is at least 30 ° lower than the contact angle with the first layer; In some embodiments, for a given solvent, the contact angle with the developed priming layer is at least 40 ° lower than the contact angle with the first layer.

프라이밍 층은, 방사에 노광될 경우에 반응하여 기저의 제1 층으로부터의 제거성이 비노광된 프라이밍 재료에 비해 더 높거나 낮은 재료를 형성하는 조성물을 포함한다. 이러한 변화는 노광 영역과 비노광 영역의 물리적 차별화 및 현상을 허용하기에 충분해야 한다.The priming layer includes a composition that reacts when exposed to radiation to form a material that has a higher or lower removability from the underlying first layer than the unexposed priming material. This change should be sufficient to allow physical differentiation and development of the exposed and non-exposed areas.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 방사-경화성(radiation-hardenable) 조성물을 포함한다. 이 경우에는, 방사에 노광될 때, 프라이밍 층이 액체 매질에서 용해성 또는 분산성이 적어지거나, 점착성이 적어지거나, 연화성이 적어지거나, 유동성이 적어지거나, 이동성이 적어지거나, 흡수성이 적어질 수 있다. 기타 물리적 특성 또한 영향을 받을 수 있다.In one embodiment, the priming layer comprises a radiation-hardenable composition. In this case, when exposed to radiation, the priming layer may become less soluble or dispersible, less tacky, less soft, less fluid, less mobile, or less absorbent in the liquid medium. have. Other physical properties can also be affected.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 하나 이상의 방사-감응성 재료로 필수적으로 구성된다. 한 구현예에서 프라이밍 층은, 방사에 노광될 때, 경화되거나, 액체 매질에서 용해성, 팽창성 또는 분산성이 적어지거나, 점착성 또는 흡수성이 적어지는 재료로 필수적으로 구성된다. 한 구현예에서, 프라이밍 층은 방사 중합성 기(radiation polymerizable group)를 갖는 재료로 필수적으로 구성된다. 이러한 기의 예는 올레핀, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 비닐 에테르를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 한 구현예에서, 프라이밍 재료는 가교결합을 유발할 수 있는 2개 이상의 중합성 기를 갖는다.In one embodiment, the priming layer consists essentially of one or more radiation-sensitive materials. In one embodiment, the priming layer consists essentially of a material that, when exposed to radiation, cures, or becomes less soluble, expandable or dispersible, or less tacky or absorbent in a liquid medium. In one embodiment, the priming layer consists essentially of a material having a radiation polymerizable group. Examples of such groups include, but are not limited to, olefins, acrylates, methacrylates and vinyl ethers. In one embodiment, the priming material has two or more polymerizable groups that can cause crosslinking.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 적어도 하나의 반응성 재료 및 적어도 하나의 방사-감응성 재료로 필수적으로 구성된다. 방사-감응성 재료는, 방사에 노광될 때, 반응성 재료의 반응을 개시하는 활성 화학종을 발생시킨다. 방사-감응성 재료의 예는 자유 라디칼, 산, 또는 그의 조합을 발생시키는 것들을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.In one embodiment, the priming layer consists essentially of at least one reactive material and at least one radiation-sensitive material. The radiation-sensitive material, when exposed to radiation, generates active species that initiate the reaction of the reactive material. Examples of radiation-sensitive materials include, but are not limited to, those that generate free radicals, acids, or combinations thereof.

한 구현예에서, 반응성 재료는 중합성 또는 가교결합성이다. 재료 중합화 또는 가교결합 반응은 활성 화학종에 의해 개시되거나 촉매된다. 한 구현예에서, 반응성 재료는 에틸렌계 불포화 화합물이며, 방사-감응성 재료는 자유 라디칼을 발생시킨다. 에틸렌계 불포화 화합물에는 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 비닐 화합물, 및 그의 조합이 포함되나 이에 한정되지 않는다. 자유 라디칼을 발생시키는 임의의 공지 부류의 방사-감응성 재료가 사용될 수 있다. 자유 라디칼을 발생시키는 방사-감응성 재료의 예에는 퀴논, 벤조페논, 벤조인 에테르, 아릴 케톤, 퍼옥사이드, 바이이미다졸, 벤질 다이메틸 케탈, 하이드록실 알킬 페닐 아세토폰, 다이알콕시 악토페논, 트라이메틸벤조일 포스핀 산화물 유도체, 아미노케톤, 벤조일 사이클로헥산올, 메틸 티오 페닐 모폴리노 케톤, 모폴리노 페닐 아미노 케톤, 알파 할로게노아세토페논, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 옥시설포닐 케톤, 설포닐 케톤, 벤조일 옥심 에스테르, 티오잔트론, 캄포퀴논, 케토쿠마린, 및 미힐러 케톤(Michler's ketone)이 포함되나 이에 한정되지 않는다. 대안적으로, 방사 감응성 재료는, 화합물들의 혼합물일 수 있고, 이들 중 하나는 방사에 의해 활성화된 증감제(sensitizer)에 의해 자유 라디칼을 제공하도록 될 때 자유 라디칼을 제공한다. 한 구현예에서, 방사 감응성 재료는 가시광선 또는 자외선 방사에 대해 감응성이다.In one embodiment, the reactive material is polymerizable or crosslinkable. Material polymerization or crosslinking reactions are initiated or catalyzed by active species. In one embodiment, the reactive material is an ethylenically unsaturated compound and the radiation-sensitive material generates free radicals. Ethylenically unsaturated compounds include, but are not limited to, acrylates, methacrylates, vinyl compounds, and combinations thereof. Any known class of radiation-sensitive materials that generate free radicals can be used. Examples of radiation-sensitive materials that generate free radicals include quinones, benzophenones, benzoin ethers, aryl ketones, peroxides, biimidazoles, benzyl dimethyl ketals, hydroxyl alkyl phenyl acetophons, dialkoxy actophenones, trimethyl Benzoyl phosphine oxide derivatives, aminoketones, benzoyl cyclohexanol, methyl thiophenyl morpholino ketones, morpholino phenyl amino ketones, alpha halogenoacetophenones, oxalfonyl ketones, sulfonyl ketones, oxalfonyl ketones, Sulfonyl ketones, benzoyl oxime esters, thioxanthrones, campoquinones, ketocoumarins, and Michler's ketones. Alternatively, the radiation sensitive material may be a mixture of compounds, one of which provides free radicals when it is intended to provide free radicals by sensitizers activated by radiation. In one embodiment, the radiation sensitive material is sensitive to visible or ultraviolet radiation.

방사-감응성 재료는 일반적으로 프라이밍 층의 총 중량을 기준으로 0.001% 내지 10.0%의 양으로 존재한다.The radiation-sensitive material is generally present in an amount of 0.001% to 10.0% based on the total weight of the priming layer.

한 구현예에서, 반응성 재료는 산에 의해 개시되는 중합화를 겪을 수 있고, 방사-감응성 재료는 산을 발생시킨다. 이러한 반응성 재료의 예는 에폭시를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 산을 발생시키는 방사-감응성 재료의 예는 다이페닐요오도늄 헥사플루오로포스페이트와 같은 설포늄 및 요오도늄 염을 포함하나 이에 한정되지 않는다.In one embodiment, the reactive material may undergo polymerization initiated by an acid and the radiation-sensitive material generates an acid. Examples of such reactive materials include, but are not limited to, epoxy. Examples of radiation-sensitive materials that generate acids include, but are not limited to, sulfonium and iodonium salts, such as diphenyliodonium hexafluorophosphate.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 방사-연화성(radiation-softenable) 조성물을 포함한다. 이 경우에는, 방사에 노광될 때, 프라이밍 층이 액체 매질에서 용해성 또는 분산성이 커지거나, 점착성이 커지거나, 연화성이 커지거나, 유동성이 커지거나, 이동성이 커지거나, 흡수성이 커질 수 있다. 다른 물리적 특성 또한 영향을 받을 수 있다.In one embodiment, the priming layer comprises a radiation-softenable composition. In this case, when exposed to radiation, the priming layer may become more soluble or dispersible in the liquid medium, may become more tacky, more soft, more fluid, more mobile, or more absorbent. . Other physical properties can also be affected.

한 구현예에서 프라이밍 층은, 방사에 노광될 때, 연화되거나, 액체 매질에서 용해성, 팽창성, 또는 분산성이 커지거나, 점착성 또는 흡수성이 커지는 재료로 필수적으로 구성된다.In one embodiment, the priming layer consists essentially of a material that, when exposed to radiation, softens, increases solubility, expandability, or dispersibility, or becomes tacky or absorbent in a liquid medium.

방사-연화성 조성물의 일례에서, 반응성 재료는 페놀계 수지이고 방사-감응성 재료는 다이아조나프토퀴논이다.In one example of the radiation-softening composition, the reactive material is a phenolic resin and the radiation-sensitive material is diazonaphthoquinone.

방사-연화성 조성물의 일례에서 프라이밍 층은, 200 내지 300 ㎚ 범위의 파장을 갖는 원자외선 방사에 노광될 때 골격 분해를 겪는 적어도 하나의 중합체로 필수적으로 구성된다. 이러한 분해를 겪는 중합체의 예는 폴리아크릴레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리케톤, 폴리설폰, 그의 공중합체, 및 그의 혼합물을 포함하나 이에 한정되지 않는다.In one example of the radiation-softening composition the priming layer consists essentially of at least one polymer that undergoes skeletal degradation when exposed to far ultraviolet radiation having a wavelength in the range of 200 to 300 nm. Examples of polymers that undergo such degradation include, but are not limited to, polyacrylates, polymethacrylates, polyketones, polysulfones, copolymers thereof, and mixtures thereof.

당업계에 공지되어 있는 다른 방사-감응성 시스템 또한 사용될 수 있다.Other radiation-sensitive systems known in the art can also be used.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 방사에 노광될 때 기저의 영역과 반응한다. 이 반응의 정확한 메커니즘은 사용되는 재료에 따라 달라질 것이다. 방사에 노광된 후에, 적합한 현상 처리에 의해 비노광 영역에서 프라이밍 층이 효과적으로 제거된다. 일부 구현예에서는, 비노광 영역에서만 프라이밍 층이 제거된다. 일부 구현예에서는, 노광 영역에서도 프라이밍 층이 부분적으로 제거되어 이들 영역에 더 얇은 층이 남는다. 일부 구현예에서, 노광 영역에 잔류하는 프라이밍 층은 두께가 50 Å 미만이다. 일부 구현예에서, 노광 영역에 잔류하는 프라이밍 층은 두께가 본질적으로 단일층이다.In one embodiment, the priming layer reacts with the underlying area when exposed to radiation. The exact mechanism of this reaction will depend on the material used. After exposure to radiation, the priming layer is effectively removed in the unexposed areas by suitable development treatment. In some embodiments, the priming layer is removed only in the non-exposed areas. In some embodiments, the priming layer is partially removed even in the exposed areas, leaving thinner layers in these areas. In some embodiments, the priming layer remaining in the exposed area is less than 50 GPa thick. In some embodiments, the priming layer remaining in the exposure area is essentially a single layer in thickness.

일부 구현예에서, 프라이밍 재료는 중수소화된다. 용어 "중수소화"는 적어도 하나의 H가 D로 대체되었음을 의미하고자 하는 것이다. 용어 "중수소화 유사체"는, 하나 이상의 이용가능한 수소가 중수소로 대체된 화합물 또는 기의 구조적 유사체를 지칭한다. 중수소화 화합물 또는 중수소화 유사체에서, 중수소는 자연 존재비 수준의 적어도 100 배로 존재한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 재료는 적어도 10% 중수소화된다. 이는 적어도 10%의 수소가 중수소로 대체되었음을 의미한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 재료는 적어도 20% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 30% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 40% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 50% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 60% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 70% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 적어도 80% 중수소화되고; 일부 구현예에서는, 적어도 90% 중수소화되며; 일부 구현예에서는, 100% 중수소화된다.In some embodiments, the priming material is deuterated. The term "deuterated" is intended to mean that at least one H has been replaced with D. The term “deuterated analog” refers to a structural analog of a compound or group in which one or more available hydrogens have been replaced with deuterium. In deuterated compounds or deuterated analogs, deuterium is present at least 100 times the natural abundance level. In some embodiments, the priming material is at least 10% deuterated. This means that at least 10% of hydrogen has been replaced with deuterium. In some embodiments, the priming material is at least 20% deuterated; In some embodiments, at least 30% deuterated; In some embodiments, at least 40% deuterated; In some embodiments, at least 50% deuterated; In some embodiments, at least 60% deuterated; In some embodiments, at least 70% deuterated; In some embodiments, at least 80% deuterated; In some embodiments, at least 90% deuterated; In some embodiments, 100% deuterated.

프라이밍 층은 임의의 공지 침착 공정에 의해 적용될 수 있다. 한 구현예에서, 프라이밍 층은 이를 용매에 첨가하지 않고 적용된다. 한 구현예에서, 프라이밍 층은 증착에 의해 적용된다.The priming layer can be applied by any known deposition process. In one embodiment, the priming layer is applied without adding it to the solvent. In one embodiment, the priming layer is applied by vapor deposition.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 응축 공정에 의해 적용된다. 프라이밍 층이 증기상으로부터의 응축에 의해 적용되고, 증기 응축 중에 표면 층 온도가 너무 높은 경우, 프라이밍 층은 유기 기재 표면의 기공 또는 자유 체적 내로 이동할 수 있다. 일부 구현예에서, 유기 기재는 기재 재료의 유리 전이 온도 또는 용융 온도 미만의 온도에서 유지된다. 온도는 유동 액체 또는 기체로 냉각되는 표면 상에 제1 층을 놓는 것과 같은 임의의 공지 기술에 의해 유지될 수 있다.In one embodiment, the priming layer is applied by a condensation process. If the priming layer is applied by condensation from the vapor phase and the surface layer temperature is too high during vapor condensation, the priming layer may migrate into the pores or free volume of the organic substrate surface. In some embodiments, the organic substrate is maintained at a temperature below the glass transition temperature or melting temperature of the substrate material. The temperature can be maintained by any known technique, such as by placing a first layer on a surface that is cooled with a flowing liquid or gas.

한 구현예에서는, 응축 단계 전에 임시 지지체에 프라이밍 층을 적용하여 프라이밍 층의 균일한 코팅을 형성시킨다. 이는 액체 침착, 증착 및 열전사를 포함하는 임의의 침착 방법에 의해 달성될 수 있다. 한 구현예에서, 프라이밍 층은 연속식 액체 침착 기술에 의해 임시 지지체 상에 침착된다. 프라이밍 층의 침착을 위한 액체 매질의 선정은 프라이밍 층 자체의 정확한 성질에 따라 달라질 것이다. 한 구현예에서, 재료는 스핀 코팅에 의해 침착된다. 이어서, 코팅된 임시 지지체는 응축 단계를 위한 증기를 형성하는 가열을 위한 공급원으로서 사용된다.In one embodiment, a priming layer is applied to the temporary support prior to the condensation step to form a uniform coating of the priming layer. This can be accomplished by any deposition method, including liquid deposition, deposition and thermal transfer. In one embodiment, the priming layer is deposited on the temporary support by continuous liquid deposition techniques. The choice of liquid medium for the deposition of the priming layer will depend on the exact nature of the priming layer itself. In one embodiment, the material is deposited by spin coating. The coated temporary support is then used as a source for heating to form a vapor for the condensation step.

프라이밍 층의 적용은 연속식 또는 회분식 공정을 이용하여 달성할 수 있다. 예를 들어, 회분식 공정에서는, 하나 이상의 소자가 프라이밍 층으로 동시에 코팅되고, 이어서 방사원에 동시에 노출될 것이다. 연속식 공정에서는, 벨트 또는 다른 운송 장치 상에서 이동하는 소자가 스테이션을 통과할 때 소자가 프라이밍 층으로 순차적으로 코팅되고 이어서 계속해서 스테이션을 지나서 순차적으로 방사원에 노출될 것이다. 공정의 일부분은 연속식인 한편 공정의 다른 일부분은 회분식일 수 있다.Application of the priming layer can be accomplished using a continuous or batch process. For example, in a batch process, one or more devices may be simultaneously coated with a priming layer and then simultaneously exposed to a radiation source. In a continuous process, as the device moving on the belt or other transport device passes through the station, the device will be sequentially coated with a priming layer and then subsequently exposed to the radiation source sequentially past the station. Portions of the process may be continuous while other portions of the process may be batchwise.

한 구현예에서, 프라이밍 재료는 실온에서 액체이고, 제1 층 위에 액체 침착에 의해 적용된다. 액체 프라이밍 재료는 필름-형성성이거나, 제1 층의 표면 상에 흡수 또는 흡착될 수 있다. 한 구현예에서, 액체 프라이밍 재료는 제1 층 위에 제2 층을 형성하기 위하여 그의 융점 미만의 온도로 냉각된다. 한 구현예에서, 프라이밍 재료는 실온에서 액체가 아니고, 그의 융점 초과의 온도로 가열되며, 제1 층 상에 침착되고, 실온으로 냉각되어, 제1 층 위에서 제2 층을 형성한다. 액체 침착에 있어서, 상기 방법 중 임의의 방법이 사용될 수 있다.In one embodiment, the priming material is liquid at room temperature and is applied by liquid deposition on the first layer. The liquid priming material may be film-forming or may be absorbed or adsorbed onto the surface of the first layer. In one embodiment, the liquid priming material is cooled to a temperature below its melting point to form a second layer over the first layer. In one embodiment, the priming material is not a liquid at room temperature, but is heated to a temperature above its melting point, deposited on the first layer and cooled to room temperature to form a second layer over the first layer. For liquid deposition, any of the above methods can be used.

한 구현예에서, 프라이밍 층은 제2 액체 조성물로부터 침착된다. 상기와 같이 액체 침착 방법은 연속식 또는 불연속식일 수 있다. 한 구현예에서는, 연속식 액체 침착 방법을 사용하여 프라이밍 액체 조성물을 침착시킨다. 프라이밍 층의 침착을 위한 액체 매질의 선정은 프라이밍 재료 자체의 정확한 성질에 따라 달라질 것이다.In one embodiment, the priming layer is deposited from the second liquid composition. As above, the liquid deposition method may be continuous or discontinuous. In one embodiment, the priming liquid composition is deposited using a continuous liquid deposition method. The choice of liquid medium for the deposition of the priming layer will depend on the exact nature of the priming material itself.

프라이밍 층이 형성된 후에, 이는 방사에 노광된다. 사용되는 방사의 유형은 상기 논의된 바와 같이 프라이밍 층의 감도에 따라 달라질 것이다. 노광은 패턴 방식이다. 본 명세서에 사용되는 용어 "패턴 방식"은 재료 또는 층의 선택된 부분만이 노광됨을 나타낸다. 패턴 방식의 노광은 임의의 공지된 이미지형성 기술을 사용하여 달성할 수 있다. 한 구현예에서, 패턴은 마스크를 통하여 노광함으로써 달성된다. 한 구현예에서, 패턴은 선택된 부분만을 점방식 레이저(rastered laser)로 노광시킴으로써 달성된다. 노광 시간은 사용되는 프라이밍 층의 특정 화학적 성질에 따라 수 초 내지 수 분의 범위일 수 있다. 레이저가 사용될 때, 레이저의 출력에 따라, 훨씬 더 짧은 노광 시간이 각각의 개별 영역에 대해 사용된다. 노광 단계는 재료의 감도에 따라, 공기 또는 불활성 대기 중에서 실행될 수 있다.After the priming layer is formed, it is exposed to radiation. The type of radiation used will depend on the sensitivity of the priming layer as discussed above. Exposure is a pattern system. The term "pattern mode" as used herein denotes that only selected portions of a material or layer are exposed. Patternwise exposure can be achieved using any known imaging technique. In one embodiment, the pattern is achieved by exposing through a mask. In one embodiment, the pattern is achieved by exposing only selected portions with a rastered laser. The exposure time can range from a few seconds to several minutes depending on the specific chemical nature of the priming layer used. When a laser is used, much shorter exposure times are used for each individual area, depending on the output of the laser. The exposure step can be carried out in air or in an inert atmosphere, depending on the sensitivity of the material.

한 구현예에서 방사는, 동시 처리 및 순차적 처리를 포함하여, 자외선 방사(10 내지 390 ㎚), 가시광선 방사(390 내지 770 ㎚), 적외선 방사(770 내지 106 ㎚) 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 한 구현예에서, 방사는 가시 광선 방사 및 자외선 방사로부터 선택된다. 한 구현예에서, 방사는 파장이 300 ㎚ 내지 450 ㎚의 범위이다. 한 구현예에서, 방사는 원자외선(200-300 ㎚)이다. 다른 구현예에서, 자외선 방사는 파장이 300 ㎚ 내지 400 ㎚이다. 다른 구현예에서, 방사는 파장이 400 ㎚ 내지 450 ㎚의 범위이다. 한 구현예에서, 방사는 열 방사이다. 한 구현예에서, 방사에 대한 노광은 가열에 의해 실행된다. 가열 단계를 위한 온도 및 지속 시간은, 발광 영역의 임의의 기저 층을 손상시키지 않으면서 프라이밍 층의 적어도 하나의 물리적 특성이 변화하도록 하는 것이다. 한 구현예에서, 가열 온도는 250℃ 미만이다. 한 구현예에서, 가열 온도는 150℃ 미만이다.In one embodiment, the radiation comprises a group consisting of ultraviolet radiation (10-390 nm), visible radiation (390-770 nm), infrared radiation (770-10 6 nm), and combinations thereof, including simultaneous treatment and sequential treatment. Is selected from. In one embodiment, the radiation is selected from visible light radiation and ultraviolet radiation. In one embodiment, the radiation ranges from 300 nm to 450 nm in wavelength. In one embodiment, the radiation is far ultraviolet (200-300 nm). In another embodiment, the ultraviolet radiation has a wavelength of 300 nm to 400 nm. In another embodiment, the radiation ranges in wavelength from 400 nm to 450 nm. In one embodiment, the radiation is thermal radiation. In one embodiment, the exposure to radiation is performed by heating. The temperature and duration for the heating step is such that at least one physical property of the priming layer changes without damaging any underlying layer of the light emitting region. In one embodiment, the heating temperature is less than 250 ° C. In one embodiment, the heating temperature is less than 150 ° C.

패턴 방식으로 방사에 노광시킨 후에, 프라이밍 층을 현상한다. 현상은 임의의 공지 기술에 의해 달성될 수 있다. 이러한 기술은 포토레지스트 및 인쇄 기술에 광범위하게 사용되어 왔다. 현상 기술의 예는, 열의 적용(증발), 액체 매질을 이용한 처리(세척), 흡수제 재료를 이용한 처리(블로팅(blotting)), 점착성 재료를 이용한 처리 등을 포함하나 이에 한정되지 않는다. 현상 단계는 노광 또는 비노광 영역에서 프라이밍 층의 효과적인 제거를 유발한다. 그 후에는 프라이밍 층이 각각 비노광 또는 노광 영역에 잔류한다. 비노광 또는 노광 영역에서 프라이밍 층을 부분적으로 제거할 수도 있으나, 노광 및 비노광 영역 사이에 습윤성 차이가 존재하기 위해서는 충분한 양이 잔류해야 한다. 예를 들어, 비노광 영역에서는 프라이밍 층이 효과적으로 제거되고, 노광 영역에서는 두께의 일부가 제거될 수 있다. 일부 구현예에서, 현상 단계는 비노광 영역에서 프라이밍 층의 효과적인 제거를 유발한다.After exposure to radiation in a patterned manner, the priming layer is developed. Development can be accomplished by any known technique. Such techniques have been widely used in photoresist and printing techniques. Examples of developing techniques include, but are not limited to, application of heat (evaporation), treatment with a liquid medium (washing), treatment with an absorbent material (blotting), treatment with an adhesive material, and the like. The developing step causes effective removal of the priming layer in the exposed or non-exposed areas. Thereafter, the priming layer remains in the unexposed or exposed areas, respectively. Although the priming layer may be partially removed in the unexposed or unexposed areas, a sufficient amount must remain in order for a wettability difference to exist between the exposed and unexposed areas. For example, the priming layer may be effectively removed in the non-exposed areas, and part of the thickness may be removed in the exposed areas. In some embodiments, the developing step results in effective removal of the priming layer in the non-exposed areas.

한 구현예에서, 방사에 대한 프라이밍 층의 노광은 용매 내에서의 프라이밍 층의 용해성 또는 분산성의 변화를 유발한다. 이 경우에, 현상은 습식 현상 처리에 의해 달성될 수 있다. 이 처리는 통상적으로 한 유형의 영역을 용해시키거나 분산시키거나 박리시키는 용매로 세척하는 단계를 포함한다. 한 구현예에서, 방사에 대한 패턴 방식의 노광은 프라이밍 층의 노광 영역의 불용화를 유발하고, 용매에 의한 처리는 프라이밍 층의 비노광 영역의 제거를 유발한다.In one embodiment, exposure of the priming layer to radiation causes a change in the solubility or dispersibility of the priming layer in the solvent. In this case, development can be achieved by a wet development process. This treatment typically involves washing with a solvent that dissolves, disperses, or exfoliates one type of region. In one embodiment, patterned exposure to radiation causes insolubilization of the exposed area of the priming layer and treatment with the solvent causes removal of the unexposed area of the priming layer.

한 구현예에서, 방사에 대한 프라이밍 층의 노광은, 노광 영역에서 프라이밍 층의 휘발성을 변화시키는 반응을 유발한다. 이 경우에, 현상은 열적 현상 처리에 의해 달성될 수 있다. 이 처리는, 더 휘발성인 재료의 휘발 또는 승화 온도보다 높고 재료가 열적으로 반응하는 온도보다 낮은 온도로 가열하는 단계를 포함한다. 예를 들어, 중합성 단량체의 경우, 재료는 승화 온도보다 높고 열 중합화 온도보다 낮은 온도에서 가열될 것이다. 휘발 온도에 가깝거나 그 미만인 열 반응 온도를 갖는 프라이밍 재료는 이 방식으로 현상이 불가능할 수도 있음이 이해될 것이다.In one embodiment, the exposure of the priming layer to radiation causes a reaction that changes the volatility of the priming layer in the exposure area. In this case, development can be achieved by thermal development treatment. This treatment includes heating to a temperature higher than the volatilization or sublimation temperature of the more volatile material and below the temperature at which the material thermally reacts. For example, for polymerizable monomers, the material will be heated at a temperature above the sublimation temperature and below the thermal polymerization temperature. It will be appreciated that priming materials having thermal reaction temperatures close to or below the volatilization temperature may not be possible to develop in this manner.

한 구현예에서, 방사에 대한 프라이밍 층의 노광은 재료가 용융되거나 연화되거나 유동하는 온도의 변화를 유발한다. 이 경우에, 현상은 건식 현상 처리에 의해 달성될 수 있다. 건식 현상 처리는 요소의 최외측 표면을 흡수성 표면에 접촉시켜, 더 연성인 부분을 흡수하거나 스며나오게 하는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 건식 현상은 잔류 영역의 특성에 추가로 영향을 주지 않는 한, 승온에서 실행될 수 있다.In one embodiment, exposure of the priming layer to radiation causes a change in temperature at which the material melts, softens or flows. In this case, development can be achieved by a dry development process. The dry development treatment may include contacting the outermost surface of the element with the absorbent surface to absorb or exude the softer portion. This dry phenomenon can be carried out at elevated temperatures, as long as it does not further affect the properties of the residual region.

현상 단계는, 잔류하는 프라이밍 층의 영역, 및 기저의 제1 층이 노출된 영역을 유발한다.The developing step results in a region of the remaining priming layer and a region in which the underlying first layer is exposed.

일부 구현예에서, 프라이밍 층은 정공 수송 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 트라이아릴아민, 카바졸, 플루오렌, 그의 중합체, 그의 공중합체, 그의 중수소화 유사체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 중합체성 트라이아릴아민, 폴리카바졸, 폴리플루오렌, 비-평면 구성으로 연결된 공액 부분을 가진 중합체성 트라이아릴아민, 플루오렌과 트라이아릴아민의 공중합체, 그의 중수소화 유사체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 중합체성 재료는 가교결합성이다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 전자 수송 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물을 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 금속 퀴놀레이트 유도체를 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 트리스(8-하이드록시퀴놀레이토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이토) 알루미늄, 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)하프늄, 및 테트라키스-(8-하이드록시퀴놀레이토)지르코늄으로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함한다. 일부 구현예에서, 프라이밍 층은 중합체성 트라이아릴아민, 폴리카바졸, 폴리플루오렌, 그의 공중합체, 및 금속 퀴놀레이트로 구성된 군으로부터 선택된 재료로 필수적으로 구성된다.In some embodiments, the priming layer comprises a hole transport material. In some embodiments, the priming layer comprises a material selected from the group consisting of triarylamine, carbazole, fluorene, polymers thereof, copolymers thereof, deuterated analogs thereof, and combinations thereof. In some embodiments, the priming layer is polymeric triarylamine, polycarbazole, polyfluorene, polymeric triarylamine with conjugated moieties connected in a non-planar configuration, copolymers of fluorene and triarylamine, heavy water thereof Digestive analogs, and combinations thereof. In some embodiments, the polymeric material is crosslinkable. In some embodiments, the priming layer comprises an electron transport material. In some embodiments, the priming layer comprises a metal chelated oxynoid compound. In some embodiments, the priming layer comprises a metal quinolate derivative. In some embodiments, the priming layer is tris (8-hydroxyquinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) (p-phenylphenolrato) aluminum, tetrakis- (8-hydroxyquinol Raito) hafnium, and tetrakis- (8-hydroxyquinolato) zirconium. In some embodiments, the priming layer consists essentially of a material selected from the group consisting of polymeric triarylamines, polycarbazoles, polyfluorenes, copolymers thereof, and metal quinolates.

일부 구현예에서, 정공 주입 층은 플루오르화 산 중합체로 도핑된 전도성 중합체를 포함하며, 프라이밍 층은 정공 수송 재료로 필수적으로 구성된다. 일부 구현예에서, 정공 수송 재료는 트라이아릴아민 중합체이다. 이러한 중합체는, 예를 들어, 공개 PCT 출원 제WO 2008/024378호, 제WO 2008/024379호, 및 제WO 2009/067419호에 기술되어 있다. 일부 구현예에서, 프라이밍 재료는 비-평면 구성으로 연결된 공액 부분을 가진 중합체성 트라이아릴아민, 적어도 하나의 플루오렌 부분 및 적어도 2개의 트라이아릴아민 부분을 가진 화합물, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택된다. 일부 구현예에서, 중합체성 트라이아릴아민은 상기와 같은 화학식 I, 화학식 II, 또는 화학식 III을 갖는다.In some embodiments, the hole injection layer comprises a conductive polymer doped with a fluorinated acid polymer and the priming layer consists essentially of the hole transport material. In some embodiments, the hole transport material is triarylamine polymer. Such polymers are described, for example, in published PCT applications WO 2008/024378, WO 2008/024379, and WO 2009/067419. In some embodiments, the priming material is a group consisting of polymeric triarylamines having conjugated moieties linked in a non-planar configuration, compounds having at least one fluorene moiety and at least two triarylamine moieties, and deuterated analogs thereof Is selected from. In some embodiments, the polymeric triarylamine has Formula I, Formula II, or Formula III as above.

프라이밍 층으로서 사용될 수 있는 일부 예시적 화합물은 중수소화 플루오렌, 중수소화 폴리플루오렌, 중수소화 폴리비닐카바졸, 화합물 HT1 내지 HT12, ET3 및 ET4를 포함한다.Some exemplary compounds that can be used as the priming layer include deuterated fluorenes, deuterated polyfluorenes, deuterated polyvinylcarbazoles, compounds HT1 to HT12, ET3 and ET4.

7. 기타 소자 층7. Other device layers

소자 내의 기타 층은 그러한 층에 유용한 것으로 공지된 임의의 재료로 제조될 수 있다.Other layers in the device can be made of any material known to be useful for such layers.

애노드 (110)은 양전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 이는, 예를 들어 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합-금속 산화물을 포함하는 재료로 제조되거나, 전도성 중합체, 또는 그의 혼합물일 수 있다. 적합한 금속은 11족 금속, 4 내지 6족 내의 금속, 및 8 내지 10족 전이 금속을 포함한다. 애노드가 광투과성이라면, 12, 13 및 14족 금속의 혼합-금속 산화물, 예를 들어 인듐-주석-산화물이 일반적으로 사용된다. 애노드 (110)은 문헌["Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer, " Nature vol. 357, pp 477-479 (11 June 1992)]에 기술된 바와 같이 폴리아닐린과 같은 유기 재료를 또한 포함할 수 있다. 발생된 광을 관찰할 수 있도록 애노드 및 캐소드 중 적어도 하나는 바람직하게는 적어도 부분적으로 투명하다.Anode 110 is a particularly efficient electrode for injecting positive charge carriers. It may be made of a material comprising, for example, metals, mixed metals, alloys, metal oxides or mixed-metal oxides, or may be conductive polymers, or mixtures thereof. Suitable metals include Group 11 metals, metals in Groups 4-6, and Group 8-10 transition metals. If the anode is light transmissive, mixed-metal oxides of group 12, 13 and 14 metals, for example indium-tin-oxides, are generally used. Anode 110 is described in "Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer," Nature vol. 357, pp 477-479 (11 June 1992), may also include organic materials such as polyaniline. At least one of the anode and the cathode is preferably at least partially transparent so that the generated light can be observed.

캐소드 (160)는 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 있어서 특히 효율적인 전극이다. 캐소드는 애노드보다 낮은 일함수를 갖는 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 캐소드를 위한 재료는 1족의 알칼리 금속(예를 들어, Li, Cs), 2족(알칼리 토) 금속, 12족 금속(희토류 원소 및 란탄족 및 악티늄족 원소 포함)으로부터 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 사마륨 및 마그네슘과 같은 재료와 더불어 그의 조합을 사용할 수 있다. 작동 전압을 낮추기 위하여, Li- 또는 Cs-포함 유기금속 화합물, LiF, CsF, 및 Li2O 또한 유기 층과 캐소드 층 사이에 침착시킬 수 있다.The cathode 160 is an electrode that is particularly efficient for injecting electrons or negative charge carriers. The cathode can be any metal or nonmetal having a lower work function than the anode. Materials for the cathode may be selected from alkali metals of Group 1 (eg, Li, Cs), Group 2 (alkaline earth) metals, Group 12 metals (including rare earth elements and lanthanides and actinides). Combinations thereof can be used with materials such as aluminum, indium, calcium, barium, samarium and magnesium. In order to lower the operating voltage, Li- or Cs-comprising organometallic compounds, LiF, CsF, and Li 2 O can also be deposited between the organic layer and the cathode layer.

유기 전자 소자 내에 다른 층을 갖는 것이 공지되어 있다. 예를 들어, 주입되는 양전하의 양을 제어하고/하거나 층의 밴드갭 매칭(band-gap matching)을 제공하거나 또는 보호 층으로서 작용하는 층(도시되지 않음)이 애노드 (110)과 정공 주입 층 (120) 사이에 있을 수 있다. 당업계에 공지된 층, 예를 들어, 구리 프탈로시아닌, 실리콘 옥시-니트라이드, 플루오로카본, 실란, 또는 Pt와 같은 금속의 초박층을 사용할 수 있다. 대안적으로, 애노드 층 (110), 활성 층 (120, 130, 140, 150), 또는 캐소드 층 (160)의 일부 또는 전부를 표면 처리하여 전하 캐리어 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 각각의 성분 층의 재료의 선정은 바람직하게는, 방출체 층 내의 양전하 및 음전하의 균형을 맞추어 높은 전계발광 효율을 갖는 소자를 제공하도록 결정한다. 이들 층 중 임의의 것 또는 전부는 중수소화 재료를 포함할 수 있다.It is known to have other layers in organic electronic devices. For example, a layer (not shown) that controls the amount of positive charge injected and / or provides band-gap matching of the layer or acts as a protective layer includes the anode 110 and the hole injection layer ( 120). Layers known in the art can be used, for example, ultrathin layers of metals such as copper phthalocyanine, silicon oxy-nitride, fluorocarbons, silanes, or Pt. Alternatively, some or all of the anode layer 110, active layer 120, 130, 140, 150, or cathode layer 160 may be surface treated to increase charge carrier transport efficiency. The selection of the material of each component layer is preferably determined to provide a device with high electroluminescence efficiency by balancing the positive and negative charges in the emitter layer. Any or all of these layers may comprise deuterated materials.

각각의 기능 층은 하나 초과의 층으로 이루어질 수 있는 것으로 이해된다.It is understood that each functional layer may consist of more than one layer.

소자는 적합한 기재 상에 개별 층을 순차적으로 증착하는 단계를 포함하는 다양한 기술에 의해 제조될 수 있다. 유리, 플라스틱 및 금속과 같은 기재를 사용할 수 있다. 열증발, 화학 증착 등과 같은 관용적인 증착 기술을 사용할 수 있다. 대안적으로, 스핀 코팅, 딥 코팅, 롤-투-롤 기술, 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비어 인쇄 등을 포함하나 이에 한정되지 않는 관용적인 코팅 또는 인쇄 기술을 사용하여 적합한 용매 중의 용액 또는 분산액으로부터 유기 층을 적용할 수 있다.The device can be fabricated by a variety of techniques including sequentially depositing individual layers on a suitable substrate. Substrates such as glass, plastic and metal can be used. Conventional deposition techniques such as thermal evaporation, chemical vapor deposition and the like can be used. Alternatively, organics may be derived from solutions or dispersions in suitable solvents using conventional coating or printing techniques including, but not limited to, spin coating, dip coating, roll-to-roll technology, inkjet printing, screen printing, gravure printing, and the like. The layer can be applied.

일부 구현예에서, 유기 발광 소자를 제조하는 공정은 하기의 단계를 포함한다:In some embodiments, the process of manufacturing the organic light emitting device includes the following steps:

패턴화된 애노드를 그 위에 갖는 기재를 제공하는 단계;Providing a substrate having a patterned anode thereon;

(a) 중수소화 전기활성 재료 및 (b) 액체 매질을 포함하는 제1 액체 조성물을 침착시킴으로써 전기활성 층을 형성시키는 단계; 및forming an electroactive layer by depositing a first liquid composition comprising (a) a deuterated electroactive material and (b) a liquid medium; And

전체적으로 캐소드를 형성시키는 단계.Forming a cathode as a whole.

용어 "액체 조성물"은, 하나 이상의 재료가 용해되어 용액을 형성한 액체 매질, 하나 이상의 재료가 분산되어 분산액을 형성한 액체 매질, 또는 하나 이상의 재료가 현탁되어 현탁액 또는 유탁액을 형성한 액체 매질을 포함하고자 하는 것이다.The term "liquid composition" refers to a liquid medium in which one or more materials are dissolved to form a solution, a liquid medium in which one or more materials are dispersed to form a dispersion, or a liquid medium in which one or more materials are suspended to form a suspension or emulsion. It is to be included.

상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 정공 주입 재료이다. 상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 정공 수송 재료이다. 상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 전계발광 재료이다. 상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 호스트 재료이다. 상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 전자 수송 재료이다. 상기 공정의 일부 구현예에서, 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 화학적 봉쇄 재료이다.In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated hole injection material. In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated hole transport material. In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated electroluminescent material. In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated host material. In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated electron transporting material. In some embodiments of the process, the deuterated electroactive material is a deuterated chemical containment material.

일부 구현예에서 본 공정은,In some embodiments, the process

제2 액체 매질 중에 제2 중수소화 전기활성 재료를 포함하는 제2 액체 조성물을 침착시킴으로써 제2 전기활성 층을 형성시키는 단계를 추가로 포함한다.And forming a second electroactive layer by depositing a second liquid composition comprising a second deuterated electroactive material in a second liquid medium.

일부 구현예에서, 제2 중수소화 전기활성 재료는 중수소화 정공 주입 재료, 중수소화 정공 수송 재료, 중수소화 전계발광 재료, 중수소화 호스트 재료, 중수소화 전자 수송 재료, 및 중수소화 화학적 봉쇄 재료로 구성된 군으로부터 선택된다.In some embodiments, the second deuterated electroactive material consists of deuterated hole injection material, deuterated hole transport material, deuterated electroluminescent material, deuterated host material, deuterated electron transport material, and deuterated chemical containment material Selected from the group.

연속식 및 불연속식 기술을 포함하여, 임의의 공지의 액체 침착 기술 또는 기술들의 조합을 사용할 수 있다. 연속식 액체 침착 기술의 예는, 스핀 코팅, 그라비어 코팅, 커튼 코팅, 침지 코팅, 슬롯-다이 코팅, 분무 코팅, 및 연속식 노즐 인쇄를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 비연속식 침착 기술의 예는, 잉크젯 인쇄, 그라비어 인쇄 및 스크린 인쇄를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 일부 구현예에서, 전기활성 층은 연속식 노즐 코팅 및 잉크젯 인쇄로부터 선택된 방법에 의해 패턴으로 형성된다. 노즐 인쇄를 연속식 기술로 고려할 수 있지만, 층 형성에 있어서 목적하는 영역 위에만 노즐을 위치시킴으로써 패턴을 형성시킬 수 있다. 예를 들어, 연속적인 행(row)의 패턴이 형성될 수 있다.Any known liquid deposition technique or combination of techniques can be used, including continuous and discontinuous techniques. Examples of continuous liquid deposition techniques include, but are not limited to, spin coating, gravure coating, curtain coating, dip coating, slot-die coating, spray coating, and continuous nozzle printing. Examples of discontinuous deposition techniques include, but are not limited to, inkjet printing, gravure printing, and screen printing. In some embodiments, the electroactive layer is formed in a pattern by a method selected from continuous nozzle coating and ink jet printing. Although nozzle printing can be considered as a continuous technique, a pattern can be formed by placing the nozzle only over a desired area in forming a layer. For example, a pattern of consecutive rows can be formed.

침착시키고자 하는 특정 조성물에 적합한 액체 매질은 당업자가 용이하게 결정할 수 있다. 일부 응용에서는, 화합물이 비-수성 용매에 용해되는 것이 바람직하다. 이러한 비-수성 용매는 C1 내지 C20 알코올, 에테르 및 산 에스테르와 같이 상대적으로 극성이거나, C1 내지 C12 알칸, 또는 톨루엔, 자일렌, 트라이플루오로톨루엔 등과 같은 방향족 등과 같이 상대적으로 비-극성일 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 신규 화합물을 포함하는 용액 또는 분산액으로서의 액체 조성물을 제조하는데 사용되는 다른 적합한 액체에는, 클로르화 탄화수소(예를 들어 메틸렌 클로라이드, 클로로포름, 클로로벤젠), 방향족 탄화수소(예를 들어 치환되거나 비치환된 톨루엔 또는 자일렌(트라이플루오로톨루엔 포함)), 극성 용매(예를 들어 테트라하이드로퓨란(THF), N-메틸 피롤리돈(NMP)), 에스테르(예를 들어 에틸아세테이트), 알코올(예를 들어 아이소프로판올), 케톤(예를 들어 사이클로펜타톤), 또는 그의 임의의 혼합물이 포함되나, 이에 한정되지 않는다. 전계발광 재료를 위한 용매 혼합물의 예는, 예를 들어, 공개 미국 출원 제2008-0067473호에 기술되어 있다.Suitable liquid media for the particular compositions to be deposited can be readily determined by those skilled in the art. In some applications, it is desirable that the compound be dissolved in a non-aqueous solvent. Such non-aqueous solvents are relatively polar, such as C 1 to C 20 alcohols, ethers and acid esters, or relatively non- such as aromatics such as C 1 to C 12 alkanes, or toluene, xylene, trifluorotoluene and the like. It may be polar. As described herein, other suitable liquids used to prepare liquid compositions as solutions or dispersions comprising the novel compounds include chlorinated hydrocarbons (eg methylene chloride, chloroform, chlorobenzene), aromatic hydrocarbons (eg For example substituted or unsubstituted toluene or xylene (including trifluorotoluene), polar solvents (e.g. tetrahydrofuran (THF), N-methyl pyrrolidone (NMP)), esters (e.g. ethyl acetate ), Alcohols (eg isopropanol), ketones (eg cyclopentatone), or any mixture thereof. Examples of solvent mixtures for electroluminescent materials are described, for example, in published US application 2008-0067473.

침착 후에, 재료를 건조시켜 층을 형성시킨다. 가열, 진공 및 그의 조합을 포함하는 임의의 관용적인 건조 기술을 사용할 수 있다.After deposition, the material is dried to form a layer. Any conventional drying technique can be used, including heating, vacuum, and combinations thereof.

일부 구현예에서, 소자는 정공 주입 층, 정공 수송 층 및 전기활성 층의 액체 침착, 및 애노드, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드의 증착에 의해 제작된다.In some embodiments, the device is fabricated by liquid deposition of hole injection layers, hole transport layers and electroactive layers, and deposition of anodes, electron transport layers, electron injection layers and cathodes.

8. 중수소화 재료의 합성8. Synthesis of Deuterated Materials

본 명세서에 기술된 화합물의 비-중수소화 유사체는 공지의 커플링 및 치환 반응에 의해 제조될 수 있다. 이어서, 중수소화 전구체 재료를 사용하는 유사한 방식으로, 또는 더욱 일반적으로, 루이스 산 H/D 교환 촉매, 예를 들어, 알루미늄 트라이클로라이드 또는 에틸 알루미늄 클로라이드, 또는 산, 예를 들어, CF3COOD, DCl 등의 존재 하에 d6-벤젠과 같은 중수소화 용매로 비-중수소화 화합물을 처리함으로써 신규의 중수소화 화합물을 제조할 수 있다. 예시적인 제조를 실시예에 제공한다. NMR 분석 및 질량 분석법, 예를 들어 대기압 고체 분석 탐침 질량 분석법(ASAP-MS: Atmospheric Solids Analysis Probe Mass Spectrometry)에 의해 중수소화 수준을 결정할 수 있다.Non-deuterated analogs of the compounds described herein can be prepared by known coupling and substitution reactions. In a similar manner using deuterated precursor materials, or more generally, Lewis acid H / D exchange catalysts such as aluminum trichloride or ethyl aluminum chloride, or acids such as CF 3 COOD, DCl Novel deuterated compounds can be prepared by treating the non-deuterated compounds with deuterated solvents such as d6-benzene in the presence of the like. Exemplary preparations are provided in the Examples. Deuteration levels can be determined by NMR analysis and mass spectrometry, such as Atmospheric Solids Analysis Probe Mass Spectrometry (ASAP-MS).

과중수소화되거나 부분적으로 중수소화된 방향족 화합물 또는 알킬 화합물의 시재료는 상업적 공급원으로부터 구매하거나 공지 방법을 사용하여 수득할 수 있다. 이러한 방법의 일부 예는 하기 문헌에서 확인할 수 있다: a) 문헌["Efficient H/D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd/C-H2-D2O System" Hiroyoshi Esaki, Fumiyo Aoki, Miho Umemura, Masatsugu Kato, Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. 2007, 13, 4052 - 4063.] b) 문헌["Aromatic H/D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides" GUO, Qiao-Xia, SHEN, Bao-Jian; GUO, Hai-Qing TAKAHASHI, Tamotsu Chinese Journal of Chemistry, 2005, 23, 341-344]; c) 문헌["A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis(2,2'-bipyridine)iridium(III) ion" Richard J. Watts, Shlomo Efrima, and Horia Metiu J. Am. Chem. Soc., 1979, 101 (10), 2742-2743]; d) 문헌["Efficient H-D Exchange of Aromatic Compounds in Near-Critical D20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid" Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40 (1999) 4433-4436]; e) 제US3849458호; f) 문헌["Efficient C-H/C-D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd/C in D2O" Hironao Sajiki, Fumiyo Aoki, Hiroyoshi Esaki, Tomohiro Maegawa, and Kosaku Hirota Org. Lett., 2004, 6 (9), 1485-1487].Starting materials for overdeuterated or partially deuterated aromatic compounds or alkyl compounds can be purchased from commercial sources or obtained using known methods. Some examples of such methods can be found in the literature: a) "Efficient H / D Exchange Reactions of Alkyl-Substituted Benzene Derivatives by Means of the Pd / C-H2-D2O System" Hiroyoshi Esaki, Fumiyo Aoki, Miho Umemura, Masatsugu Kato, Tomohiro Maegawa, Yasunari Monguchi, and Hironao Sajiki Chem. Eur. J. 2007, 13, 4052-4063.] b) Aromatic H / D Exchange Reaction Catalyzed by Groups 5 and 6 Metal Chlorides GUO, Qiao-Xia, SHEN, Bao-Jian; GUO, Hai-Qing TAKAHASHI, Tamotsu Chinese Journal of Chemistry, 2005, 23, 341-344; c) A novel deuterium effect on dual charge-transfer and ligand-field emission of the cis-dichlorobis (2,2'-bipyridine) iridium (III) ion "Richard J. Watts, Shlomo Efrima, and Horia Metiu J Am. Chem. Soc., 1979, 101 (10), 2742-2743; d) "Efficient H-D Exchange of Aromatic Compounds in Near-Critical D20 Catalysed by a Polymer-Supported Sulphonic Acid" Carmen Boix and Martyn Poliakoff Tetrahedron Letters 40 (1999) 4433-4436; e) US3849458; f) See "Efficient C-H / C-D Exchange Reaction on the Alkyl Side Chain of Aromatic Compounds Using Heterogeneous Pd / C in D2O" Hironao Sajiki, Fumiyo Aoki, Hiroyoshi Esaki, Tomohiro Maegawa, and Kosaku Hirota Org. Lett., 2004, 6 (9), 1485-1487].

본 명세서에 기술된 화합물은 액체 침착 기술을 사용하여 필름으로 형성할 수 있다. 의외로 놀랍게도, 이들 화합물은 유사한 비-중수소화 화합물에 비교할 때 크게 개선된 특성을 갖는다. 본 명세서에 기술된 화합물을 가진 활성 층을 포함하는 전자 소자는 크게 개선된 수명을 갖는다. 부가적으로, 수명 증가는 높은 양자 효율 및 양호한 색 포화도(color saturation)와 조합하여 달성된다. 추가로, 본 명세서에 기술된 중수소화 화합물은 비-중수소화 유사체보다 큰 공기 용인성(air tolerance)을 갖는다. 이는, 재료의 제조 및 정제, 및 재료를 사용하는 전자 소자의 형성 양자 모두에 있어서, 더 큰 가공 용인성(processing tolerance)을 유발할 수 있다.The compounds described herein can be formed into films using liquid deposition techniques. Surprisingly, these compounds have significantly improved properties when compared to similar non-deuterated compounds. Electronic devices comprising an active layer with a compound described herein have a greatly improved lifetime. In addition, the lifetime increase is achieved in combination with high quantum efficiency and good color saturation. In addition, the deuterated compounds described herein have greater air tolerance than non-deuterated analogs. This can lead to greater processing tolerances, both in the manufacture and purification of materials, and in the formation of electronic devices using the materials.

실시예Example

하기 실시예는 본 발명의 소정 특징부 및 이점을 설명한다. 실시예는 본 발명을 설명하고자 하는 것이며, 한정하고자 하는 것이 아니다. 달리 표시되지 않는 한, 모든 백분율은 중량 기준이다.The following examples illustrate certain features and advantages of the present invention. The examples are intended to illustrate the invention and are not intended to be limiting. All percentages are by weight unless otherwise indicated.

합성예 1Synthesis Example 1

본 실시예는 중수소화 정공 주입 재료, D-HIJ-1의 제조를 설명한다.This example describes the production of deuterated hole injection material, D-HIJ-1.

a. 중수(Da. Heavy water (D 22 O) 중의 듀테로-HFAP 분산액의 제조.Preparation of Deutero-HFAP Dispersion in O).

테트라플루오로에틸렌("TFE") 및 퍼플루오로-3,6-다이옥사-4-메틸-7-옥텐설폰산("PSEPVE")의 공중합체를 중수소화하여, 하기 방식으로 D2O 중의 콜로이드 분산액으로 만들었다. 먼저, 온도가 대략 270℃인 점을 제외하고는 미국 특허 제6,150,426호, 실시예 1, 파트 2의 절차와 유사한 절차를 사용하여, 매 987 그램(산성 부위 1개 당 공중합체의 중량) 마다 1개의 설폰산 내 양성자를 갖는 폴리(TFE-PSEPVE)를 수 분산액으로 만들었다. 비-중수소화 폴리(TFE-PSEPVE) 분산액을 1.59 ㎝(5/8") 이하의 액체 깊이를 갖는 트레이 상에서 폴리(TFE-PSEPVE)의 자유 유동 고체 박편으로 전환시켰다. 이어서, 트레이를 0℃ 미만으로 냉각시켜, 먼저 수 분산액을 냉동시켰다. 일단 냉동되면, 대부분의 물이 제거될 때까지 이를 1 ㎜ Hg 이하의 부분 진공압 하에 두었다. 이어서, 부분 건조된 고체를 진공압 하에서 약 30℃까지 올려 중합체의 유착 없이 습기를 완전히 제거하였다.Copolymers of tetrafluoroethylene ("TFE") and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octensulfonic acid ("PSEPVE") are deuterated and in D 2 O in the following manner: Made into a colloidal dispersion. First, every 987 grams (weight of copolymer per acid site), using procedures similar to those of US Pat. No. 6,150,426, Example 1, Part 2, except that the temperature is approximately 270 ° C. Poly (TFE-PSEPVE) with protons in two sulfonic acids was made into an aqueous dispersion. Non-deuterated poly (TFE-PSEPVE) dispersions were converted to free flowing solid flakes of poly (TFE-PSEPVE) on trays having a liquid depth of 5/8 "(1.59 cm) or less. The tray was then less than 0 ° C. The water dispersion was first frozen, once it was frozen, it was placed under partial vacuum pressure up to 1 mm Hg until most of the water was removed, and then the partially dried solid was raised to about 30 ° C. under vacuum pressure. The moisture was completely removed without adhesion of the polymer.

진공 오븐 내에서 사전에 건조시켜 물을 제거한 비-중수소화 폴리(TFE-PSEPVE)의 고체 박편 21 g을 질소로 사전에 퍼지한 원통형 금속 튜브에 넣었다. 폴리(TFE-PSEPVE)를 포함하는 튜브에 캠브리지 아이소토프 랩, 인코포레이티드(Cambridge Isotope Lab, Inc.)로부터 구매한 150 g의 D2O를 즉시 첨가하였다. 고체 박편으로부터 D2O 중의 폴리(TFE-PSEPVE) 콜로이드 분산액으로의 전환을 보장하기 위하여, 튜브 마개를 닫고 프레셔 랩(pressure lab) 내에서 짧은 기간 동안 약 270℃로 가열한 후에 R.T.로 냉각시켰다. 추가로, 압도적인 과량의 중수소 내에서 폴리(TFE-PSEPVE)의 양성자가 중수소로 교환되어 폴리(TFE-PSEPVE)의 중수소화가 완결되었다. D2O 중의 중수소화 폴리(TFE-PSEPVE) ("D-폴리(TFE-PSEPVE)") 분산액을 추가로 가공하여 더 큰 입자를 제거하였다. D2O 분산액 중의 D-폴리(TFE-PSEPVE) 중량%는, 중량 측정 방법에 의해 분산액의 총 중량을 기준으로 11.34 중량%로 결정되었다.21 g of solid flakes of non-deuterated poly (TFE-PSEPVE), which had been previously dried in a vacuum oven to remove water, were placed in a cylindrical metal tube previously purged with nitrogen. 150 g of D 2 O, purchased from Cambridge Isotope Lab, Inc., was immediately added to the tube containing poly (TFE-PSEPVE). To ensure conversion from solid flakes to poly (TFE-PSEPVE) colloidal dispersion in D 2 O, the tube was capped and heated to about 270 ° C. for a short period in a pressure lab and then cooled to RT. In addition, protons of poly (TFE-PSEPVE) were exchanged for deuterium in an overwhelming excess of deuterium to complete deuteration of poly (TFE-PSEPVE). Deuterated Poly (TFE-PSEPVE) in D 2 O ("D-poly (TFE-PSEPVE)") dispersions were further processed to remove larger particles. The weight percent D-poly (TFE-PSEPVE) in the D 2 O dispersion was determined to be 11.34 weight percent based on the total weight of the dispersion by the gravimetric method.

b. 듀테로-HFAP 및 중수(Db. Deutero-HFAP and Heavy Water (D 22 O) 중의 듀테로-HFAP 분산액을 제조하는 직접 공정.Direct process for preparing the deutero-HFAP dispersion in O).

테트라플루오로에틸렌("TFE")과 퍼플루오로-3,6-다이옥사-4-메틸-7-옥텐설폰산("PSEPVE")의 공중합체를 중수소화하여, 하기 방식으로 D2O 중의 콜로이드 분산액으로 만들 수 있다. 온도가 대략 270℃이고 물 대신에 D2O를 사용한다는 점을 제외하고는 미국 특허 제6,150,426호, 실시예 1, 파트 2의 절차와 유사한 절차를 사용하여, 매 987 그램(산성 부위 1개 당 공중합체의 중량) 마다 1개의 설폰산 내 양성자를 갖는 폴리(TFE-PSEPVE) 수지를 D2O 분산액으로 만들 수 있다.The copolymer of tetrafluoroethylene ("TFE") and perfluoro-3,6-dioxa-4-methyl-7-octensulfonic acid ("PSEPVE") is deuterated and in D 2 O in the following manner: It can be made into a colloidal dispersion. Every 987 grams (per acidic site) using a procedure similar to that of US Pat. No. 6,150,426, Example 1, Part 2, except that the temperature is approximately 270 ° C. and D 2 O is used instead of water. Poly (TFE-PSEPVE) resin with one proton in sulfonic acid per weight of copolymer) can be made into a D2O dispersion.

c. 중수소화 HFAP로 도핑된 중수소화 전기 전도성 중합체의 제조.c. Preparation of Deuterated Electrically Conductive Polymer Doped with Deuterated HFAP.

중수소화 피롤("D5-Py")(화학식량: 72.12)은 알드리치 케미칼 컴퍼니(Aldrich Chemical Company)(위스콘신주 밀워키 소재)로부터 구매하였다. 사용 전에 이 갈색 액체를 감압 하에 분별 증류하였다. 무색의 증류액을 13C NMR 분광법으로 특성화하여 구조를 확인하였다.Deuterated pyrrole (“D 5- Py”) (Formula 72.12) was purchased from Aldrich Chemical Company (Milwaukee, Wis.). This brown liquid was fractionally distilled under reduced pressure before use. The colorless distillate was characterized by 13 C NMR spectroscopy to confirm its structure.

D-폴리(TFE-PSEPVE)/D2O 분산액 중의 D5-Py의 중합화를 하기의 방식으로 실행하였다. 먼저, 실시예 1에서 제조된 70.2 g의 D-폴리(TFE-PSEPVE)/D2O를 500 ㎖수지 케틀에 평량한 후, 추가로 14 g의 D2O를 첨가하였다. D-폴리(TFE-PSEPVE)/D2O의 양은 8.14 mmol의 산을 나타낸다. 오버헤드 교반기를 가진 유리 덮개로 케틀을 덮었다. D- 폴리(TFE-PSEPVE)/D2O를 교반하면서, 10 ㎖에 사전에 용해시킨 0.135 g(0.26 mmol)의 황산 제2철 및 0.62 g(2.6 mmol)의 Na2S2O8을 D- 폴리(TFE-PSEPVE)/D2O에 첨가하였다. 잠시 후에, 7 ㎖의 D2O에 사전에 용해시킨 0.175 g(2.43 mmol)의 D5-Py를 1 분 동안 혼합물에 첨가하였다. D5-Py를 첨가하자 즉시 중합화가 시작되었다. 10 분 동안 중합화가 진행되도록 하였다. 성분의 첨가 및 중합화는 질소 하에서 이루어졌다. 10 분이 경과했을 때, 도웩스(Dowex) M-43 수지를 수지 케틀에 첨가하고 대략 5 분 동안 혼합하였다. 417 여과지로 진공 여과한 후에, 도웩스 M-31 Na+ 수지를 혼합물에 첨가하고 5 분 동안 혼합하였다. 417 여과지를 사용하여, 생성된 재료를 다시 한번 진공 여과하였다. D-폴리(TFE-PSEPVE)로 도핑된 중수소화 폴리피롤("폴리(D5 -Py)/D- 폴리(TFE-PSEPVE)")의 D2O 분산액을 이온 교환 수지로 다시 처리하여 분산액을 추가로 정제하였으며, 여기에는 단지 1.79 ppm의 설페이트, 및 0.79 ppm의 클로라이드가 포함되었다. 분산액의 고체%는 4.3%로 결정되었고 pH는 5.2로 결정되었다. 드라이 박스 내에서 30 분 동안 275℃로 소성한 캐스트 필름의 전기 전도도는 실온에서 ~1×10-6 S/㎝로 측정되었다.Polymerization of D 5- Py in D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O dispersion was carried out in the following manner. First, 70.2 g of D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O prepared in Example 1 was weighed into a 500 ml resin kettle, and then 14 g of D 2 O was further added. The amount of D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O represents 8.14 mmol of acid. The kettle was covered with a glass lid with an overhead stirrer. While stirring D-poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O, 0.135 g (0.26 mmol) of ferric sulfate and 0.62 g (2.6 mmol) of Na 2 S 2 O 8 were dissolved in 10 mL in advance. Added to poly (TFE-PSEPVE) / D 2 O. After a while, 0.175 g (2.43 mmol) of D 5- Py, previously dissolved in 7 mL of D 2 O, was added to the mixture for 1 minute. The polymerization started immediately after the addition of D 5- Py. The polymerization was allowed to proceed for 10 minutes. Addition and polymerization of the components took place under nitrogen. When 10 minutes had elapsed, Dowex M-43 resin was added to the resin kettle and mixed for approximately 5 minutes. After vacuum filtration with 417 filter paper, Dodds M-31 Na + resin was added to the mixture and mixed for 5 minutes. The resulting material was once again vacuum filtered using 417 filter paper. D- doped with poly (TFE-PSEPVE) deuterated polypyrrole ( "poly (D 5 - Py) / D- poly (TFE-PSEPVE)") adding the dispersion to reprocess the dispersion of D 2 O in the ion exchange resin Purified with, it contained only 1.79 ppm of sulfate, and 0.79 ppm of chloride. The percent solids of the dispersion was determined to be 4.3% and the pH to 5.2. The electrical conductivity of the cast film calcined at 275 ° C. for 30 minutes in a dry box was measured at ˜1 × 10 −6 S / cm at room temperature.

합성예 2Synthesis Example 2

본 실시예는 중수소화 정공 수송 재료, HT5의 제조를 설명한다. 하기에 이를 나타내며, 여기서 R1 = n-프로필이고, R2 = n-옥틸이며, y = 0이고 x = 42이다:This example describes the production of deuterated hole transport material, HT5. This is indicated below, where R 1 = n-propyl, R 2 = n-octyl, y = 0 and x = 42:

Figure pct00065
Figure pct00065

본 화합물은 하기 반응식에 따라 제조된다.The compound is prepared according to the following scheme.

Figure pct00066
Figure pct00066

중간체 화합물 Y1의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y1:

질소 대기 하에서, AlCl3(0.17 g, 1.29 mmol)를 2,2'-다이옥틸-4,4'-다이브로모-1,1'-바이나프틸렌(2.328 g, 3.66 mmol)의 C6D6(100 ㎖) 용액에 첨가하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 30 분 동안 교반한 후에 D2O(50 ㎖)를 첨가하였다. 층을 분리한 후에 수 층을 CH2Cl2(2×30 ㎖)로 세척하였다. 유기 층을 합하여 마그네슘 설페이트 상에서 건조시키고 회전 증발기로 휘발 성분을 제거하였다. 조 산물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 화합물 Y1은 백색 분말로서 수득되었다(1.96 g).Under a nitrogen atmosphere, AlCl 3 (0.17 g, 1.29 mmol) was dissolved in 2,2'-dioctyl-4,4'-dibromo-1,1'-binaftylene (2.328 g, 3.66 mmol) in C 6 D 6. (100 mL) was added to the solution. The resulting mixture was stirred at rt for 30 min before D 2 O (50 mL) was added. After separating the layers the aqueous layer was washed with CH 2 Cl 2 (2 × 30 mL). The combined organic layers were dried over magnesium sulphate and the volatiles were removed on a rotary evaporator. The crude product was purified by column chromatography. Compound Y1 was obtained as a white powder (1.96 g).

중간체 화합물 Y2의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y2:

Figure pct00067
Figure pct00067

상기 중간체 화합물 C1의 제조와 유사한 절차를 사용하여 화합물 Y1로부터 화합물 Y2를 제조할 수 있다. 크로마토그래피를 사용하여 화합물 Y2를 정제한다.Compound Y2 can be prepared from compound Y1 using a procedure similar to the preparation of intermediate compound C1. Chromatography is used to purify compound Y2.

중간체 화합물 Y3의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y3:

Figure pct00068
Figure pct00068

질소 하에서, 100 ㎖둥근 바닥 플라스크에 화합물 Y2(2.100 g, 2.410 mmol) 및 다이클로로메탄(30 ㎖)을 투입하였다. 이를 5 분 동안 교반되도록 한 후에 트라이플루오로아세트산(1.793 ㎖)을 첨가하고 반응 혼합물을 밤새 교반하였다. 일단 반응이 완결되면, 포화 소듐 카보네이트 용액을 사용하여 이를 켄칭하였다. 물을 제거하고 CH2Cl2로 세척하고 유기 층을 합하여 증발 건조시켰다. 잔류물을 다이에틸 에테르에 용해시키고 산물을 소듐 카보네이트, 염수 및 물로 세척하고 마그네슘 설페이트를 사용하여 건조시켰다. 크로마토그래피를 사용하여 화합물 Y3을 정제하여 1.037 g을 수득하였다.Under nitrogen, compound Y2 (2.100 g, 2.410 mmol) and dichloromethane (30 mL) were added to a 100 mL round bottom flask. It was allowed to stir for 5 minutes before trifluoroacetic acid (1.793 mL) was added and the reaction mixture was stirred overnight. Once the reaction was complete, it was quenched using saturated sodium carbonate solution. Water was removed, washed with CH 2 Cl 2 and the combined organic layers were evaporated to dryness. The residue was dissolved in diethyl ether and the product was washed with sodium carbonate, brine and water and dried using magnesium sulfate. Purification of compound Y3 using chromatography gave 1.037 g.

도 2에 나타낸 바와 같이, 화합물의 구조를 1H NMR로 확인하였다.As shown in FIG. 2, the structure of the compound was confirmed by 1 H NMR.

중간체 화합물 Y4의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y4:

Figure pct00069
Figure pct00069

C6D6(20 ㎖) 중의 4-브로모-4'-프로필바이페닐(5.10 g, 18.53 mmol) 용액을 질소로 30 min 동안 퍼지하였다. 헥산(4.0 ㎖, 4.0 mmol) 중의 에틸 알루미늄 다이클로라이드 용액의 1.0 M 용액을 주사기를 통해 적가하고, 반응 혼합물을 질소 대기 하에 1.75 h 동안 환류 가열하였다. 질소 대기 하에 실온으로 냉각시킨 후에, 중수(20 ㎖)를 첨가하고 혼합물을 진탕하여 층을 분리하였다. 수성 층을 벤젠(3 × 10 ㎖)으로 추출하고 유기 상을 합하여 마그네슘 설페이트 상에서 건조시켜 여과하고 회전식 증발기로 농축하였다. 이렇게 수득된 산물에 상기의 반응 조건을 추가로 2회 다시 적용하였다. 세 번째 처리 후에, 조 산물을 에탄올(20 ㎖)로부터 재결정하여 화합물 Y4(1.01 g)를 백색 고체로서 얻었다. Mp 110.1 내지 111.6℃. 순도(UPLC): 100%. Y4의 1H NMR 스펙트럼은 8개의 방향족 양성자 중의 평균 7.64개가 중수소로 대체된 것과 일치하였다.A solution of 4-bromo-4'-propylbiphenyl (5.10 g, 18.53 mmol) in C6D6 (20 mL) was purged with nitrogen for 30 min. A 1.0 M solution of ethyl aluminum dichloride solution in hexane (4.0 mL, 4.0 mmol) was added dropwise via syringe and the reaction mixture was heated to reflux for 1.75 h under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature under a nitrogen atmosphere, heavy water (20 mL) was added and the mixture was shaken to separate the layers. The aqueous layer was extracted with benzene (3 × 10 mL) and the combined organic phases were dried over magnesium sulphate, filtered and concentrated on a rotary evaporator. The above reaction conditions were further applied to the product thus obtained twice. After the third treatment, the crude product was recrystallized from ethanol (20 mL) to give compound Y4 (1.01 g) as a white solid. Mp 110.1 to 111.6 ° C. Purity (UPLC): 100%. The 1 H NMR spectrum of Y4 was consistent with an average of 7.64 of the eight aromatic protons replaced by deuterium.

중간체 화합물 Y5의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y5:

Figure pct00070
Figure pct00070

질소 대기 하에서, 화합물 Y3(1.04 g, 1.55 mmol), Y4(0.80 g, 2.82 mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(81 mg, 0.09 mmol), 트라이-t-부틸포스핀(42 mg, 0.21 mol%) 및 톨루엔(25 ㎖)을 합하였다. 소듐 t-부톡사이드(0.52 g, 5.41 mmol)를 첨가하고 반응 혼합물을 실온에서 40 h 동안 교반하였다. 이어서, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(50 mg, 0,05 mmol), 트라이-t-부틸포스핀(30 mg, 0.15 mmol) 및 Y4(196 mg, 0.69 mmol)를 첨가하고, 반응 혼합물을 50℃로 가온하였다. 추가로 72 h 후에, CH2Cl2(50 ㎖)로 헹구면서 반응 혼합물을 셀라이트 패드를 통해 여과하였다. 여액을 회전 증발기에서 농축시키고 진공 하에서 건조시켰다. 산물을 실리카 겔 상의 중압 액체 크로마토그래피(헥산 중의 0 내지 40% 메틸렌 클로라이드 구배)에 의해 정제하여 0.99 g(59% 수율)의 백색 고체를 수득하였다. NMR 분석으로 4,4'- 및 4,5'-위치이성체(regioisomer)의 혼합물로서 중간체 화합물 Y5의 구조를 확인하였다. 순도(UPLC): 99.3 %.Under nitrogen atmosphere, compound Y3 (1.04 g, 1.55 mmol), Y4 (0.80 g, 2.82 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (81 mg, 0.09 mmol), tri-t-butylphosph Fin (42 mg, 0.21 mol%) and toluene (25 mL) were combined. Sodium t-butoxide (0.52 g, 5.41 mmol) was added and the reaction mixture was stirred at rt for 40 h. Then tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (50 mg, 0,05 mmol), tri-t-butylphosphine (30 mg, 0.15 mmol) and Y4 (196 mg, 0.69 mmol) were added. The reaction mixture was warmed to 50 ° C. After a further 72 h, the reaction mixture was filtered through a pad of celite, rinsing with CH 2 Cl 2 (50 mL). The filtrate was concentrated on a rotary evaporator and dried under vacuum. The product was purified by medium pressure liquid chromatography on silica gel (0-40% methylene chloride gradient in hexanes) to yield 0.99 g (59% yield) of a white solid. NMR analysis confirmed the structure of intermediate compound Y5 as a mixture of 4,4'- and 4,5'-regioisomers. Purity (UPLC): 99.3%.

중간체 화합물 Y6의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y6:

Figure pct00071
Figure pct00071

단계 1: 중수소화 4-브로모바이페닐의 제조.Step 1: Preparation of Deuterated 4-Bromobiphenyl.

C6D6(20 ㎖) 중의 4-브로모바이페닐(4.66 g, 20.0 mmol) 용액을 질소로 30 min 동안 퍼지하였다. 헥산(4.0 ㎖, 4.0 mmol) 중의 에틸 알루미늄 다이클로라이드 용액의 1.0 M 용액을 주사기를 통해 적가하고, 반응 혼합물을 질소 대기 하에 50 min 동안 환류 가열하였다. 질소 대기 하에 실온으로 냉각시킨 후에, 중수(20 ㎖)를 첨가하고 혼합물을 진탕하여 층을 분리하였다. 유기 상을 마그네슘 설페이트 상에서 건조시키고, 여과하여 회전식 증발기로 농축하였다. 이렇게 수득된 산물에 상기의 반응 조건을 추가로 4회 다시 적용하였다. 다섯 번째 처리 후에 조 산물을 에탄올(20 ㎖)로부터 재결정하여 단계 1의 표제 화합물(2.26 g)을 백색 고체로서 얻었다. Mp 92.8 내지 94.1℃. 순도(UPLC): 98.14%. 질량 스펙트럼은 6 내지 9개의 중수소 원자가 혼입되었음을 나타냈다.A solution of 4-bromobiphenyl (4.66 g, 20.0 mmol) in C6D6 (20 mL) was purged with nitrogen for 30 min. A 1.0 M solution of ethyl aluminum dichloride solution in hexane (4.0 mL, 4.0 mmol) was added dropwise through a syringe and the reaction mixture was heated to reflux for 50 min under a nitrogen atmosphere. After cooling to room temperature under a nitrogen atmosphere, heavy water (20 mL) was added and the mixture was shaken to separate the layers. The organic phase was dried over magnesium sulphate, filtered and concentrated on a rotary evaporator. The product thus obtained was again subjected to the above reaction conditions four additional times. After the fifth treatment the crude product was recrystallized from ethanol (20 mL) to give the title compound (2.26 g) of step 1 as a white solid. Mp 92.8-94.1 ° C. Purity (UPLC): 98.14%. Mass spectra indicated that 6 to 9 deuterium atoms were incorporated.

단계 2: Y6의 제조:Step 2: Preparation of Y6:

단계 1의 산물(2.26 g, 9.36 mmol) 및 요오드산(687 mg)을 아세트산(40 ㎖)에 용해시켰다. 요오드 칩(1.56 g)에 이어서 진한 황산(1.0 ㎖) 및 물(2.0 ㎖)을 첨가하고, 반응 혼합물을 210 min 동안 환류 가열하였다. 실온으로 냉각시킨 후에, 여과에 의해 침전을 수집하여 물로 세척하고, 이어서 메탄올로 세척하였다(각각 20 ㎖). 조 산물을 EtOH/EtOAc(1/1)로부터 결정화하여 Y6(1.31 g)를 백색 고체로서 얻었다. Mp 179.0 내지 181.3℃. 순도(UPLC): 100%. 질량 스펙트럼은 평균 6 내지 7개의 중수소 원자가 혼입되었음을 나타냈다.The product of step 1 (2.26 g, 9.36 mmol) and iodic acid (687 mg) were dissolved in acetic acid (40 mL). Iodine chips (1.56 g) were added followed by concentrated sulfuric acid (1.0 mL) and water (2.0 mL) and the reaction mixture was heated to reflux for 210 min. After cooling to room temperature, the precipitate was collected by filtration, washed with water and then with methanol (20 mL each). The crude product was crystallized from EtOH / EtOAc (1/1) to give Y6 (1.31 g) as a white solid. Mp 179.0-181.3 ° C. Purity (UPLC): 100%. Mass spectra showed an average of 6 to 7 deuterium atoms incorporated.

중간체 화합물 Y7의 합성:Synthesis of Intermediate Compound Y7:

Figure pct00072
Figure pct00072

질소로 퍼지한 글로브 박스 내에서, 자석 교반기, 온도계, 및 폐쇄 위치로 기체 유입 어댑터가 위에 설치된 환류 응축기가 장착된 3-구 둥근 바닥 플라스크에 Y5(986 mg, 0.92 mmol), Y6(1.30 g, 3.55 mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(124 mg, 14.8 mol %), 비스(다이페닐포스피노페로센)(151 mg, 29.6 mol %) 및 톨루엔(20 ㎖)을 개방구를 통해 투입하였다. 소듐 t-부톡사이드(0.30 g, 3.12 mmol)를 첨가하고, 개방구에 뚜껑을 닫고 반응 용기를 글로브 박스로부터 꺼냈다. 질소 버블러 호스를 기체 유입 어댑터에 끼우고 약한 양압의 질소 하에서 콕 마개를 개방 위치로 돌렸다. 반응 혼합물을 환류 가열하였다. 21 h 후에, 분취물의 UPLC 분석에 의해 반응의 완결을 판단하고, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. CH2Cl2로 헹구면서 셀라이트 패드를 통해 반응 혼합물을 여과하였다. 여액을 회전식 증발기로 농축하였다. 조 산물을 고진공 하에서 건조시키고 실리카 겔 상의 중압 액체 크로마토그래피(헥산 중의 0 내지 40% 메틸렌 클로라이드 구배)에 의해 정제하여 1.21 g의 백색 고체를 수득하고, 이를 끓는 메탄올로 2 h 동안 분쇄하여 0.975 g의 Y7을 얻었다. 1H NMR 분석에 의해 중간체 화합물 Y7의 구조가 4,4'- 및 4,5'-위치이성체의 혼합물로 확인되었으며 평균 14개의 방향족 양성자가 잔류하는 것으로 나타났다. 이는, 50개의 방향족 수소 중 36개가 중수소로 대체되었음이 확인되는 질량 스펙트럼 내의 모 이온(m/z 1550.3)에 의해 입증되었다. 순도(UPLC): >99%.In a nitrogen-purged glove box, Y5 (986 mg, 0.92 mmol), Y6 (1.30 g, in a three-neck round bottom flask equipped with a magnetic stirrer, thermometer, and a reflux condenser with gas inlet adapter in the closed position above 3.55 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (124 mg, 14.8 mol%), bis (diphenylphosphinoferrocene) (151 mg, 29.6 mol%) and toluene (20 mL) Injected through the mortar. Sodium t-butoxide (0.30 g, 3.12 mmol) was added, the opening was capped and the reaction vessel removed from the glove box. A nitrogen bubbler hose was fitted to the gas inlet adapter and the cock stopper was turned to the open position under weak positive pressure nitrogen. The reaction mixture was heated to reflux. After 21 h, completion of the reaction was judged by UPLC analysis of an aliquot and the reaction mixture was cooled to room temperature. The reaction mixture was filtered through a pad of celite, rinsing with CH2Cl2. The filtrate was concentrated on a rotary evaporator. The crude product was dried under high vacuum and purified by medium pressure liquid chromatography on silica gel (0-40% methylene chloride gradient in hexanes) to afford 1.21 g of a white solid, which was triturated with boiling methanol for 2 h to give 0.975 g of Y7 was obtained. 1 H NMR analysis showed the structure of intermediate compound Y7 as a mixture of 4,4'- and 4,5'-positional isomers, with an average of 14 aromatic protons remaining. This was evidenced by the parent ions (m / z 1550.3) in the mass spectrum where it was found that 36 of the 50 aromatic hydrogens were replaced by deuterium. Purity (UPLC):> 99%.

화합물 정공 수송 화합물 HT5의 합성:Synthesis of Compound Hole Transport Compound HT5:

비교예 A에 기술된 바와 같이 중간체 화합물 Y7의 중합화를 수행하였다. 중합체는 백색 고체로서 68% 수율(0.285 g)로 수득되었다. 중합체의 분자량을 GPC(THF 이동상, 폴리스티렌 표준품)에 의해 결정하였다: Mw=325,740; Mn=139,748; Mw/Mn=2.33.Polymerization of intermediate compound Y7 was performed as described in Comparative Example A. The polymer was obtained in 68% yield (0.285 g) as a white solid. The molecular weight of the polymer was determined by GPC (THF mobile phase, polystyrene standard): M w = 325,740; M n = 139,748; M w / M n = 2.33.

합성예Synthetic example 3 3

본 실시예는 중수소화 정공 수송 재료, 화합물 HT11의 제조를 설명하며, 여기서 Σ(x) = 18이다.This example describes the preparation of a deuterated hole transport material, compound HT11, wherein Σ (x) = 18.

화합물 2의 합성Synthesis of Compound 2

Figure pct00073
Figure pct00073

질소 대기 하에서, 250 ㎖둥근 바닥에 9,9-다이옥틸-2,7-다이브로모플루오렌(25.0 g, 45.58 mmol), 페닐보론산(12.23 g, 100.28 mmol), Pd2(dba)3(0.42 g, 0.46 mmol), PtBu3(0.22 g, 1.09 mmol) 및 100 ㎖의 톨루엔을 투입하였다. 반응 혼합물을 5 분 동안 교반한 후에 KF(8.74 g, 150.43 mmol)를 2 분량으로 첨가하고, 생성된 용액을 실온에서 밤새 교반하였다. 혼합물을 500 ㎖THF로 희석하여 실리카 및 셀라이트의 플러그를 통해 여과하고 여액으로부터 휘발 성분을 감압 하에 제거하였다. 헥산을 용리액으로 사용하는 실리카 겔 상의 플래시 컬럼 크로마토그래피로 황색 오일을 정제하였다. 산물은 백색 고체로서 80.0%(19.8 g)로 수득되었다. NMR 분석에 의해 재료는 상기에 제공된 구조를 갖는 화합물 2로 나타났다.Under nitrogen atmosphere, 9,9-dioctyl-2,7-dibromofluorene (25.0 g, 45.58 mmol), phenylboronic acid (12.23 g, 100.28 mmol), Pd 2 (dba) 3 (at 250 mL round bottom) 0.42 g, 0.46 mmol), P t Bu 3 (0.22 g, 1.09 mmol) and 100 mL of toluene were added. The reaction mixture was stirred for 5 minutes, then KF (8.74 g, 150.43 mmol) was added in 2 portions and the resulting solution was stirred overnight at room temperature. The mixture was diluted with 500 mL THF, filtered through a plug of silica and celite and the volatiles were removed from the filtrate under reduced pressure. The yellow oil was purified by flash column chromatography on silica gel using hexane as eluent. The product was obtained in 80.0% (19.8 g) as a white solid. NMR analysis showed the material to be compound 2 having the structure provided above.

화합물 3의 합성Synthesis of Compound 3

Figure pct00074
Figure pct00074

응축기 및 적하 깔때기가 장착된 250 ㎖3-구 둥근 바닥 플라스크를 N2로 30분 동안 플러싱하였다. 9,9-다이옥틸-2,7-다이페닐플루오렌(19.8 g, 36.48 mmol)을 첨가하고, 100 ㎖의 다이클로로메탄에 용해시켰다. 투명한 용액을 -10℃로 냉각시키고, 20 ㎖의 다이클로로메탄 중의 브롬(12.24 g, 76.60 mmol) 용액을 적가하였다. 혼합물을 1 시간 동안 0℃에서 교반한 후에 실온으로 가온되도록 하고 밤새 교반하였다. 100 ㎖의 10 % Na2S2O3 수용액을 첨가하고, 반응 혼합물을 1 시간 동안 교반하였다. 유기 층을 추출하고, 수 층을 100 ㎖의 다이클로로메탄으로 3회 세척하였다. 유기 층을 합하여 Na2SO4로 건조시키고 여과하여 농축 건조시켰다. 생성된 오일에 아세톤을 첨가하여 백색 침전을 수득하였다. 여과 및 건조에 의해 백색 분말이 수득되었다(13.3 g, 52.2%). NMR 분석에 의해 재료는 상기에 제공된 구조를 갖는 화합물 3으로 나타났다.A 250 ml 3-neck round bottom flask equipped with a condenser and a dropping funnel was flushed with N 2 for 30 minutes. 9,9-dioctyl-2,7-diphenylfluorene (19.8 g, 36.48 mmol) was added and dissolved in 100 mL of dichloromethane. The clear solution was cooled to −10 ° C. and a solution of bromine (12.24 g, 76.60 mmol) in 20 mL dichloromethane was added dropwise. The mixture was stirred at 0 ° C. for 1 hour then allowed to warm to room temperature and stirred overnight. 100 mL of 10% Na 2 S 2 O 3 aqueous solution was added and the reaction mixture was stirred for 1 hour. The organic layer was extracted and the aqueous layer was washed three times with 100 ml of dichloromethane. The combined organic layers were dried over Na 2 SO 4 , filtered and concentrated to dryness. Acetone was added to the resulting oil to give a white precipitate. Filtration and drying yielded a white powder (13.3 g, 52.2%). NMR analysis showed the material to be compound 3 having the structure provided above.

화합물 4의 합성Synthesis of Compound 4

Figure pct00075
Figure pct00075

질소 대기 하에, 250 ㎖둥근 바닥에 화합물 3(13.1 g, 18.70 mmol), 아닐린(3.66 g, 39.27 mmol), Pd2(dba)3(0.34 g, 0.37 mmol), PtBu3(0.15 g, 0.75 mmol) 및 100 ㎖의 톨루엔을 투입하였다. 반응 혼합물을 10 min 동안 교반한 후에 NaOtBu(3.68 g, 38.33 mmol)를 첨가하고, 반응 혼합물을 실온에서 1 일 동안 교반하였다. 생성된 반응 혼합물을 3 L의 톨루엔으로 희석하고 실리카 및 셀라이트의 플러그를 통해 여과하였다. 휘발 성분을 증발시켜 수득한 어두운 갈색 오일을 1:10의 에틸 아세테이트:헥산의 혼합물을 용리액으로 사용하는 실리카 겔 상의 플래시 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 산물은 연황색 분말로서 50.2%(6.8 g)로 수득되었다. NMR 분석에 의해 재료는 상기에 제공된 구조를 갖는 화합물 4로 나타났다.Under a nitrogen atmosphere, compound 3 (13.1 g, 18.70 mmol), aniline (3.66 g, 39.27 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.34 g, 0.37 mmol), P t Bu 3 (0.15 g, 0.75 mmol) and 100 ml of toluene were added. The reaction mixture was stirred for 10 min before NaO t Bu (3.68 g, 38.33 mmol) was added and the reaction mixture was stirred at rt for 1 day. The resulting reaction mixture was diluted with 3 L of toluene and filtered through a plug of silica and celite. The dark brown oil obtained by evaporating the volatile components was purified by flash column chromatography on silica gel using a mixture of 1:10 ethyl acetate: hexane as eluent. The product was obtained in 50.2% (6.8 g) as light yellow powder. NMR analysis showed the material to be compound 4 having the structure provided above.

화합물 5의 합성Synthesis of Compound 5

Figure pct00076
Figure pct00076

응축기가 장착된 250 ㎖3-구 둥근 바닥 플라스크에서, 화합물 4(4.00 g, 5.52 mmol), 1-브로모-4-요오도벤젠(4.68 g, 16.55 mmol), Pd2(dba)3(0.30 g, 0.33 mmol) 및 DPPF(0.37 g, 0.66 mmol)를 80 ㎖의 톨루엔과 합하였다. 생성된 혼합물을 10 min 동안 교반하였다. NaOtBu(1.17 g, 12.14 mmol)를 첨가하고 혼합물을 4 일 동안 80℃로 가열하였다. 생성된 반응 혼합물을 1 L의 톨루엔 및 1 L의 THF로 희석하고 실리카 및 셀라이트의 플러그를 통해 여과하여 불용성 염을 제거하였다. 휘발 성분의 증발시에 생성된 갈색 오일을 1:10의 다이클로로메탄:헥산 혼합물을 용리액로 사용하는 실리카 겔 상의 플래시 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 건조 후에 황색 분말이 수득되었다(4.8 g, 84.8%). NMR 분석에 의해 재료는 상기에 제공된 구조를 갖는 화합물 5로 나타났다.In a 250 mL 3-neck round bottom flask equipped with a condenser, compound 4 (4.00 g, 5.52 mmol), 1-bromo-4-iodobenzene (4.68 g, 16.55 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.30 g, 0.33 mmol) and DPPF (0.37 g, 0.66 mmol) were combined with 80 mL of toluene. The resulting mixture was stirred for 10 min. NaO t Bu (1.17 g, 12.14 mmol) was added and the mixture was heated to 80 ° C. for 4 days. The resulting reaction mixture was diluted with 1 L of toluene and 1 L THF and filtered through a plug of silica and celite to remove insoluble salts. The resulting brown oil upon evaporation of the volatiles was purified by flash column chromatography on silica gel using a 1:10 dichloromethane: hexane mixture as eluent. Yellow powder was obtained after drying (4.8 g, 84.8%). NMR analysis showed the material to be compound 5 having the structure provided above.

화합물 6의 합성Synthesis of Compound 6

Figure pct00077
Figure pct00077

질소 대기 하에서 1 g의 화합물 5를 C6D6(20 ㎖)에 용해시키고, 여기에 CF3OSO2D(1.4 ㎖)를 적가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반되도록 한 후에, 포화 Na2CO3/D2O로 이를 켄칭하였다. 유기 층을 단리하고 MgSO4 상에서 건조시켰다. 실리카 크로마토그래피(20% CH2Cl2:헥산)를 사용하여 산물을 정제하여 0.688 g의 재료를 수득하였다. 단리된 재료의 MS 스펙트럼에서 18개의 방향족 D를 가진 구조가 확인되었다.1 g of compound 5 was dissolved in C 6 D 6 (20 mL) under nitrogen atmosphere, and CF 3 OSO 2 D (1.4 mL) was added dropwise. The reaction mixture was allowed to stir overnight at room temperature and then quenched it with saturated Na 2 CO 3 / D 2 O. The organic layer was isolated and dried over MgSO 4 . The product was purified using silica chromatography (20% CH 2 Cl 2: hexane) to yield 0.688 g of material. In the MS spectrum of the isolated material, a structure with 18 aromatics D was identified.

화합물 6의 중합화:Polymerization of Compound 6:

달리 표시되지 않으면, 모든 작업은 질소 퍼지한 글로브 박스 내에서 실행하였다. 화합물 6(0.652 g, 0.50 mmol)을 섬광 바이알(scintillation vial)에 첨가하고 16 ㎖의 톨루엔에 용해시켰다. 깨끗하고 건조된 50 ㎖슈렌크(Schlenk) 튜브에 비스(1,5-사이클로옥타다이엔)니켈(0)(0.344 g, 1.252 mmol)을 투입하였다. 2,2'-다이피리딜(0.195 g, 1.252 mmol) 및 1,5-사이클로옥타다이엔(0.135 g, 1.252 mmol)을 평량하여 섬광 바이알에 넣고 3.79 g의 N,N'-다이메틸포름아미드에 용해시켰다. 용액을 슈렌크 튜브에 첨가하였다. 슈렌크 튜브를 알루미늄 블록 내에 삽입하고, 블록을 내부 온도가 60℃로 되게 하는 설정점에서 핫플레이트/교반기 상에서 가열 및 교반하였다. 촉매 시스템을 45 분 동안 60℃에서 유지한 후 65℃로 올렸다. 톨루엔 중의 단량체 용액을 슈렌크 튜브에 첨가하고 튜브를 밀봉하였다. 톨루엔(8 ㎖)을 첨가함으로써 점도를 조정하면서 중합화 혼합물을 65℃에서 잠시 교반하였다. 반응 혼합물이 실온으로 냉각되도록 하고 20 ㎖의 진한 HCl을 첨가하였다. 혼합물을 45 분 동안 교반되도록 하였다. 진공 여과에 의해 중합체를 수집하고 추가의 메탄올로 세척하여 고진공 하에서 건조시켰다. 톨루엔으로부터 아세톤 및 MeOH로의 연이은 침전에 의해 중합체를 정제하여, 백색의 섬유질 중합체(0.437 g, 79% 수율)를 수득하였다. 중합체의 분자량을 GPC(THF 이동상, 폴리스티렌 표준품)로 결정하였다: Mw=1,696,019; Mn=873,259. NMR 분석에 의해 구조가 중합체, 화합물 HT11로 확인되었다.Unless otherwise indicated, all work was performed in a nitrogen purged glove box. Compound 6 (0.652 g, 0.50 mmol) was added to scintillation vials and dissolved in 16 mL of toluene. Bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) (0.344 g, 1.252 mmol) was added to a clean, dry 50 ml Schlenk tube. 2,2'-dipyridyl (0.195 g, 1.252 mmol) and 1,5-cyclooctadiene (0.135 g, 1.252 mmol) were weighed into a flash vial and 3.79 g of N, N'-dimethylformamide Dissolved in. The solution was added to the Schlenk tube. The Schlenk tube was inserted into an aluminum block and the block was heated and stirred on a hotplate / stirrer at the set point causing the internal temperature to 60 ° C. The catalyst system was held at 60 ° C. for 45 minutes and then raised to 65 ° C. The monomer solution in toluene was added to the Schlenk tube and the tube was sealed. The polymerization mixture was briefly stirred at 65 ° C. while adjusting the viscosity by adding toluene (8 mL). The reaction mixture was allowed to cool to rt and 20 mL of concentrated HCl was added. The mixture was allowed to stir for 45 minutes. The polymer was collected by vacuum filtration, washed with additional methanol and dried under high vacuum. The polymer was purified by subsequent precipitation from toluene to acetone and MeOH to afford a white fibrous polymer (0.437 g, 79% yield). The molecular weight of the polymer was determined by GPC (THF mobile phase, polystyrene standard): M w = 1,696,019; M n = 873,259. NMR analysis confirmed the structure as a polymer, compound HT11.

합성예 4Synthesis Example 4

본 실시예는 하기에 나타낸 중수소화 전계발광 재료, E4의 제조를 설명한다.This example illustrates the preparation of the deuterated electroluminescent material, E4, shown below.

Figure pct00078
Figure pct00078

질소 충전된 글러브 박스 내에서 0.45 g의 2,6-다이-t-부틸-9,10-다이브로모안트라센(1 mM)(

Figure pct00079
, U.; Adam, M.;
Figure pct00080
, K. Chem. Ber. 1994, 127, 437-444)을 둥근 바닥 플라스크에 넣고 0.38 g(2.2 mM)의 다이(퍼듀테로페닐)아민 및 0.2 g의 소듐 tert-부톡사이드(2 mM)를 40 ㎖의 톨루엔과 함께 첨가하였다. 0.15 g의 Pd2DBA3(0.15 mM) 및 0.07 g의 P(t-Bu)3(0.3 mM)를 10 ㎖의 톨루엔에 용해시켜 제1 용액에 교반하면서 첨가하였다. 모든 재료가 혼합되면, 용액이 천천히 발열하면서 황갈색이 된다. 글러브 박스 내에서 질소 하에 80℃로 1 hr 동안 용액을 교반 및 가열하였다. 용액은 즉시 어두운 자주색이 되나, ~80℃에 달하면 뚜렷한 녹색 발광을 동반하는 어두운 황녹색이 된다. 실온으로 냉각시킨 후에 용액을 글러브 박스에서 꺼내고 톨루엔으로 용리하는 짧은 염기성-알루미나 플러그를 통해 여과하여 밝은 황녹색 밴드를 수득한다. 용매를 증발시키고 재료를 톨루엔/메탄올로부터 재결정하였다.. 수율, 0.55 g. 1H nmr에 의해 구조를 확인하였다.0.45 g of 2,6-di-t-butyl-9,10-dibromoanthracene (1 mM) in a nitrogen filled glove box (
Figure pct00079
, U .; Adam, M .;
Figure pct00080
, K. Chem. Ber. 1994, 127, 437-444) were placed in a round bottom flask and 0.38 g (2.2 mM) of di (perduterophenyl) amine and 0.2 g of sodium tert-butoxide (2 mM) were added together with 40 ml of toluene. . 0.15 g of Pd 2 DBA 3 (0.15 mM) and 0.07 g of P (t-Bu) 3 (0.3 mM) were dissolved in 10 ml of toluene and added to the first solution with stirring. When all the materials are mixed, the solution slowly heats up to tan. The solution was stirred and heated to 80 ° C. for 1 hr under nitrogen in a glove box. The solution immediately becomes dark purple, but when it reaches ~ 80 ° C it becomes dark yellow-green with a pronounced green luminescence. After cooling to room temperature the solution is taken out of the glove box and filtered through a short basic-alumina plug eluting with toluene to give a bright yellow-green band. The solvent was evaporated and the material recrystallized from toluene / methanol. Yield, 0.55 g. The structure was confirmed by 1 H nmr.

합성예 5Synthesis Example 5

본 실시예는 중수소화 호스트 화합물, H14의 제조를 설명한다.This example illustrates the preparation of a deuterated host compound, H14.

비-중수소화 유사체 화합물, 비교 화합물 A를 먼저 제조하였다.A non-deuterated analog compound, Comparative Compound A, was prepared first.

Figure pct00081
Figure pct00081

이 화합물은 하기 반응식에 따라 제조할 수 있다:This compound can be prepared according to the following scheme:

Figure pct00082
Figure pct00082

화합물 2의 합성:Synthesis of Compound 2:

기계식 교반기, 적가 깔때기, 온도계 및 N2 버블러가 설치된 3 L 플라스크에 건조 메틸렌 클로라이드 1.5 L 중의 안트론 54 g(275.2 mmol)을 첨가하였다. 플라스크를 얼음 중탕에 냉각시키고 1,8-다이아자바이사이클로[5.4.0]운데스-7-엔("DBU") 83.7 ㎖(559.7 mmol)를 적가 깔때기로 1.5 hr에 걸쳐 첨가하였다. 용액이 오렌지색으로 변하고, 불투명해진 후에, 진한 적색으로 변하였다. 아직 냉각 중인 용액에, 용액의 온도를 5℃ 미만으로 유지하면서 주사기를 통해 약 1.5 hr에 걸쳐 트리플릭 언하이드라이드 58 ㎖(345.0 mmol)를 첨가하였다. 실온에서 3 hr 동안 반응이 진행되도록 한 후에, 추가로 1 ㎖의 트리플릭 언하이드라이드를 첨가하고 RT에서 30 min 동안 교반을 계속하였다. 500 ㎖의 물을 천천히 첨가하고 층을 분리하였다. 수성 층을 3x 200 ㎖의 다이클로로메탄("DCM")으로 추출하고, 유기 층을 합하여 마그네슘 설페이트 상에서 건조시켜 여과하고, 회전식 증발에 의해 농축하여 적색 오일을 수득하였다. 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피에 이어서 헥산으로부터 재결정하여 43.1 g(43%)의 탠(tan) 분말을 얻었다.To a 3 L flask equipped with a mechanical stirrer, dropping funnel, thermometer and N 2 bubbler was added 54 g (275.2 mmol) of anthrone in 1.5 L of dry methylene chloride. The flask was cooled in an ice bath and 83.7 mL (559.7 mmol) of 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undes-7-ene ("DBU") was added over a dropping funnel over 1.5 hr. After the solution turned orange and became opaque, it turned dark red. To the solution still being cooled, 58 ml (345.0 mmol) of triple anhydride was added over about 1.5 hr via syringe while maintaining the temperature of the solution below 5 ° C. After allowing the reaction to proceed for 3 hr at room temperature, an additional 1 ml of tricyclic anhydride was added and stirring continued for 30 min at RT. 500 mL water was added slowly and the layers were separated. The aqueous layer was extracted with 3 × 200 mL of dichloromethane (“DCM”), the combined organic layers dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated by rotary evaporation to give a red oil. Column chromatography on silica gel followed by recrystallization from hexanes gave 43.1 g (43%) of tan powder.

화합물 3의 합성Synthesis of Compound 3

:질소-충전 글러브 박스 내에서 자석 교반 막대가 있는 200 ㎖킬달(Kjeldahl) 반응 플라스크에 안트라센-9-일 트라이플루오로메탄설포네이트(6.0 g, 18.40 mmol), 나프탈렌-2-일-보론산(3.78 g 22.1 mmol), 3 염기성 포타슘 포스페이트(17.50 g, 82.0 mmol), 팔라듐(II) 아세테이트(0.41 g, 1.8 mmol), 트라이사이클로헥실포스핀(0.52 g, 1.8 mmol) 및 THF(100 ㎖)를 첨가하였다. 드라이 박스에서 꺼낸 후에, 반응 혼합물을 질소로 퍼지하고 탈기수(50 ㎖)를 주사기로 첨가하였다. 이어서, 응축기를 부가하고 반응 혼합물을 밤새 환류시켰다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 완결되었을 때, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 유기층을 분리하고 수성 층을 DCM으로 추출하였다. 유기 분획을 합하고, 염수로 세척하여 마그네슘 설페이트로 건조시켰다. 용매를 감압하에 제거하였다. 생성된 고체를 아세톤 및 헥산으로 세척하고 여과하였다. 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 4.03 g(72%)의 산물을 연황색 결정질 재료로서 얻었다.: Anthracene-9-yl trifluoromethanesulfonate (6.0 g, 18.40 mmol), naphthalen-2-yl-boronic acid (in a nitrogen-filled glove box, in a 200 ml Kjeldahl reaction flask with a magnetic stir bar) 3.78 g 22.1 mmol), tribasic potassium phosphate (17.50 g, 82.0 mmol), palladium (II) acetate (0.41 g, 1.8 mmol), tricyclohexylphosphine (0.52 g, 1.8 mmol) and THF (100 mL) Added. After taking out of the dry box, the reaction mixture was purged with nitrogen and degassed water (50 mL) was added by syringe. Then, a condenser was added and the reaction mixture was refluxed overnight. The reaction was monitored by TLC. When complete, the reaction mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic fractions were combined, washed with brine and dried over magnesium sulfate. The solvent was removed under reduced pressure. The resulting solid was washed with acetone and hexanes and filtered. Purification by column chromatography on silica gel gave 4.03 g (72%) of the product as a light yellow crystalline material.

화합물 4의 합성:Synthesis of Compound 4:

11.17 g(36.7 mmol)의 9-(나프탈렌-2-일)안트라센을 100 ㎖의 DCM에 현탁시켰다. N-브로모석신이미드 6.86 g(38.5 mmol)을 첨가하고 100 W 램프의 조명 하에 혼합물을 교반하였다. 황색의 투명한 용액이 형성된 후에 침전이 발생하였다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 1.5 h 후에, 반응 혼합물을 부분적으로 농축하여 메틸렌 클로라이드를 제거한 후에, 아세토니트릴로부터 결정화하여 12.2 g의 연황색 결정을 얻었다(87%).11.17 g (36.7 mmol) of 9- (naphthalen-2-yl) anthracene were suspended in 100 mL of DCM. 6.86 g (38.5 mmol) of N-bromosuccinimide were added and the mixture was stirred under illumination of a 100 W lamp. Precipitation occurred after the formation of a yellow clear solution. The reaction was monitored by TLC. After 1.5 h, the reaction mixture was partially concentrated to remove methylene chloride and then crystallized from acetonitrile to give 12.2 g of pale yellow crystals (87%).

화합물 7의 합성:Synthesis of Compound 7:

질소-충전 글러브 박스 내에서, 교반 막대가 있는 500 ㎖둥근 바닥 플라스크에 나프탈렌-1-일-1-보론산(14.2 g, 82.6 mmol), 1-브로모-2-요오도벤젠(25.8 g, 91.2 mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀) 팔라듐(0)(1.2 g, 1.4 mmol), 소듐 카보네이트(25.4 g, 240 mmol), 및 톨루엔(120 ㎖)을 첨가하였다. 드라이 박스에서 꺼낸 후에, 반응 혼합물을 질소로 퍼지하고 탈기수(120 ㎖)를 주사기로 첨가하였다. 이어서, 반응 플라스크에 응축기를 설치하고 반응 혼합물을 15 시간 동안 환류시켰다. 반응을 TLC로 모니터하였다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각시켰다. 유기층을 분리하고 수성 층을 DCM으로 추출하였다. 유기 분획을 합하고 감압 하에 용매를 제거하여 황색 오일을 수득하였다. 실리카 겔을 사용하는 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 13.6 g의 맑은 오일(58%)을 얻었다.In a nitrogen-filled glove box, naphthalen-1-yl-1-boronic acid (14.2 g, 82.6 mmol), 1-bromo-2-iodobenzene (25.8 g, 91.2 mmol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) (1.2 g, 1.4 mmol), sodium carbonate (25.4 g, 240 mmol), and toluene (120 mL) were added. After taking out of the dry box, the reaction mixture was purged with nitrogen and degassed water (120 mL) was added by syringe. The reaction flask was then installed with a condenser and the reaction mixture was refluxed for 15 hours. The reaction was monitored by TLC. The reaction mixture was cooled to room temperature. The organic layer was separated and the aqueous layer was extracted with DCM. The organic fractions were combined and the solvent removed under reduced pressure to yield a yellow oil. Purification by column chromatography using silica gel gave 13.6 g of clear oil (58%).

화합물 6의 합성:Synthesis of Compound 6:

자석 교반 막대, 질소 라인에 연결된 환류 응축기 및 오일 중탕이 장착된 1-리터 플라스크에 4-브로모페닐-1-나프탈렌(28.4 g, 10.0 mmol), 비스(피나콜레이트) 다이보론(40.8 g, 16.0 mmol), Pd(dppf)2Cl2(1.64 g, 2.0 mmol), 포타슘 아세테이트(19.7 g, 200 mmol), 및 DMSO(350 ㎖)를 첨가하였다. 혼합물을 15 min 동안 질소로 버블링한 후, Pd(dppf)2Cl2(1.64 g, 0.002 mol)를 첨가하였다. 공정 중에 혼합물이 점차 어두운 갈색으로 변하였다. 반응 혼합물을 질소 하에 18 h 동안 120℃(오일 중탕)에서 교반하였다. 냉각 후에 혼합물을 얼음 물에 붓고 클로로포름(3x)으로 추출하였다. 유기 층을 물(3x) 및 포화 염수(1x)로 세척하고 MgSO4로 건조시켰다. 여과 및 용매 제거 후에, 잔류물을 실리카 겔 컬럼 상의 크로마토그래피로 정제하였다. 산물을 포함하는 분획을 합하고 회전식 증발기로 용매를 제거하였다. 생성된 백색 고체를 헥산/클로로포름으로부터 결정화하고 진공 오븐 내에 40℃로 건조시켜 산물을 백색 결정질 박편(45% 수율로 15.0 g)으로서 수득하였다. 1H 및 13C-NMR 스펙트럼은 예상 구조와 일치한다.4-bromophenyl-1-naphthalene (28.4 g, 10.0 mmol), bis (pinacholate) diboron (40.8 g, 16.0) in a 1-liter flask equipped with a magnetic stir bar, reflux condenser connected to a nitrogen line and an oil bath mmol), Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 2.0 mmol) , potassium acetate (19.7 g, 200 mmol), and DMSO (350 mL) were added. The mixture was bubbled with nitrogen for 15 min, then Pd (dppf) 2 Cl 2 (1.64 g, 0.002 mol) was added. The mixture gradually turned dark brown during the process. The reaction mixture was stirred at 120 ° C. (oil bath) for 18 h under nitrogen. After cooling the mixture was poured into ice water and extracted with chloroform (3 ×). The organic layer was washed with water (3x) and saturated brine (1x) and dried over MgSO4. After filtration and solvent removal, the residue was purified by chromatography on a silica gel column. Fractions containing product were combined and solvent removed by rotary evaporator. The resulting white solid was crystallized from hexane / chloroform and dried at 40 ° C. in a vacuum oven to afford the product as white crystalline flakes (15.0 g in 45% yield). 1 H and 13 C-NMR spectra match the expected structure.

비교 화합물 A의 합성Synthesis of Comparative Compound A

글러브 박스 내에서 250 ㎖플라스크에 (2.00 g, 5.23 mmol), 4,4,5,5-테트라메틸-2-(4-(나프탈렌-4-일)페닐)-1,3,2-다이옥사보롤란(1.90 g, 5.74 mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤) 다이팔라듐(0)(0.24 g, 0.26 mmol), 및 톨루엔(50 ㎖)을 첨가하였다. 반응 플라스크를 드라이 박스로부터 꺼내고 응축기 및 질소 유입구를 설치하였다. 탈기된 수성 소듐 카보네이트(2 M, 20 ㎖)를 주사기를 통해 첨가하였다. 반응 혼합물을 교반하고 밤새 90℃로 가열하였다. 반응을 HPLC로 모니터하였다. 실온으로 냉각시킨 후에, 유기 층을 분리하였다. 수성 층을 DCM으로 2회 세척하여, 유기 층을 합하고, 회전식 증발기로 농축하여 회색 분말을 얻었다. 중성 알루미나 상의 여과, 헥산 침전, 및 실리카 겔 상의 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 2.28 g의 백색 분말(86%)을 얻었다.In a 250 mL flask in a glove box (2.00 g, 5.23 mmol), 4,4,5,5-tetramethyl-2- (4- (naphthalen-4-yl) phenyl) -1,3,2-dioxabo Rolan (1.90 g, 5.74 mmol), tris (dibenzylideneacetone) dipaldium (0) (0.24 g, 0.26 mmol), And toluene (50 mL) was added. The reaction flask was removed from the dry box and a condenser and nitrogen inlet were installed. Degassed aqueous sodium carbonate (2 M, 20 mL) was added via syringe. The reaction mixture was stirred and heated to 90 ° C. overnight. The reaction was monitored by HPLC. After cooling to room temperature, the organic layer was separated. The aqueous layer was washed twice with DCM, the organic layers combined and concentrated by rotary evaporation to give a gray powder. Purification by filtration on neutral alumina, hexane precipitation, and column chromatography on silica gel gave 2.28 g of white powder (86%).

공개 미국 특허 출원 제2008-0138655호에 기술된 바와 같이 산물을 추가로 정제하여, 적어도 99.9%의 HPLC 순도 및 0.01 이하의 불순물 흡광도를 달성하였다.The product was further purified as described in published US patent application 2008-0138655 to achieve HPLC purity of at least 99.9% and absorbance of impurities below 0.01.

화합물 A의 1H NMR 스펙트럼이 도 2에 제공된다. 1 H NMR spectrum of Compound A is provided in FIG. 2.

중수소화 호스트 화합물 H14는 비교 화합물 A로부터 제조되었다.Deuterated host compound H14 was prepared from Comparative Compound A.

Figure pct00083
Figure pct00083

비교예 AComparative Example A

질소 대기 하에서, 비교예 A로부터의 비교 화합물 A(5 g, 9.87 mmol)의 퍼듀테로벤젠 또는 벤젠-D6(C6D6)(100 ㎖) 용액에 AlCl3(0.48g, 3.6 mmol)를 첨가하였다. 생성된 혼합물을 실온에서 6 시간 동안 교반한 후에 D2O(50 ㎖)를 첨가하였다. 층을 분리한 후에 수 층을 CH2Cl2(2×30 ㎖)로 세척하였다. 유기 층을 합하여 마그네슘 설페이트 상에서 건조시키고 회전식 증발기로 휘발 성분을 제거하였다. 조 산물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 중수소화 산물 H1(x+y+n+m = 21-23)을 백색 분말(4.5 g)로서 수득하였다.AlCl 3 (0.48 g, 3.6 mmol) was added to a solution of Purduterobenzene or benzene-D6 (C 6 D 6 ) (100 mL) of Comparative Compound A (5 g, 9.87 mmol) from Comparative Example A under a nitrogen atmosphere. It was. The resulting mixture was stirred at rt for 6 h before D 2 O (50 mL) was added. After separating the layers the aqueous layer was washed with CH 2 Cl 2 (2 × 30 mL). The combined organic layers were dried over magnesium sulphate and volatiles were removed on a rotary evaporator. The crude product was purified by column chromatography. Deuterated product H1 (x + y + n + m = 21-23) was obtained as a white powder (4.5 g).

공개 미국 특허 출원 제2008-0138655호에 기술된 바와 같이 산물을 추가로 정제하여, 적어도 99.9%의 HPLC 순도 및 0.01 이하의 불순물 흡광도를 달성하였다. 상기로부터, 재료는 비교 화합물 A와 동일한 수준의 순도를 가진 것으로 결정되었다.The product was further purified as described in published US patent application 2008-0138655 to achieve HPLC purity of at least 99.9% and absorbance of impurities below 0.01. From the above, the material was determined to have the same level of purity as that of Comparative Compound A.

1H NMR(CD2Cl2) 및 ASAP-MS는 화합물이 하기에 제공된 구조를 가졌음을 나타냈다: 1 H NMR (CD 2 Cl 2 ) and ASAP-MS showed that the compound had the structure provided below:

Figure pct00084
Figure pct00084

여기서 "D/H"는 이 원자 위치에서 H 또는 D의 확률이 대략 동일함을 나타낸다. 1H NMR, 13C NMR, 2D NMR 및 1H-13C HSQC(이핵 단일 양자 부합(Heteronuclear Single Quantum Coherence))에 의해 구조가 확인되었다.Where "D / H" indicates that the probability of H or D at this atomic position is approximately equal. The structure was confirmed by 1 H NMR, 13 C NMR, 2 D NMR and 1 H- 13 C HSQC (Heteronuclear Single Quantum Coherence).

합성예 6Synthesis Example 6

본 실시예는 중수소화 전자 수송 재료, ET2의 제조를 설명한다.This example illustrates the manufacture of deuterated electron transport material, ET2.

a) 문헌[Yamada et al, Bull Chem Soc Jpn, 63, 2710, 1990]의 절차를 사용하여 트라이메틸렌 연결된 바소페난트롤린을 하기와 같이 제조하였다: 2 g의 바소페난트롤린을 취하여 20 g의 1,3-다이브로모프로판에 넣고 공기 중에서 환류시켰다. 약 30 min 후에, 밀도가 높은 오렌지색 슬러리를 냉각시켰다. 메탄올을 첨가하여 고체를 용해시킨 후, 아세톤을 첨가하여 밝은 오렌지색 고체를 침전시켰다. 이를 여과하고 톨루엔 및 다이클로로메탄("DCM")으로 세척하여 오렌지색 분말을 2.8 g 수율로 수득하였다.a) A trimethylene linked vasophenanthroline was prepared using the procedure of Yamada et al, Bull Chem Soc Jpn, 63, 2710, 1990 as follows: 20 g of 20 g of vasophenanthroline were taken It was placed in 1,3-dibromopropane and refluxed in air. After about 30 min, the dense orange slurry was cooled. Methanol was added to dissolve the solids, and then acetone was added to precipitate a light orange solid. It was filtered and washed with toluene and dichloromethane ("DCM") to give an orange powder in 2.8 g yield.

Figure pct00085
Figure pct00085

b) 상기로부터의 산물 2.8 g을 12 ㎖의 물에 용해시키고, 30 ㎖물 중의 21 g 포타슘 페리시아나이드 및 10 g 소듐 하이드록사이드의 얼음-냉각된 용액에 약 30 min의 경로에 걸쳐 적하한 후에, 90 min 동안 교반하였다. 이를 다시 얼음 냉각시키고 60 ㎖의 4 M HCl을 사용하여 약 8의 pH로 중화시켰다. 엷은 탠/황색 고체를 여과해내고 흡인 건조시켰다. 여과된 고체를 속슬렛에 넣고 클로로포름으로 추출하여 갈색 용액을 추출하였다. 이를 증발시켜 갈색이 도는 오일성 고체를 얻은 후, 소량의 메탄올로 세척하여 엷은 갈색의 고체(~1.0 g 47%)를 수득하였다. 혼합물로부터 클로로포름을 증발시킴으로써 클로로포름/메탄올로부터 산물을 금색 판형으로 재결정할 수 있다. 구조는 NMR에 의해 하기의 다이케톤으로 동정되었다.b) 2.8 g of the product from above are dissolved in 12 ml of water and added dropwise to an ice-cooled solution of 21 g potassium ferricyanide and 10 g sodium hydroxide in 30 ml over a route of about 30 min. Then, stirred for 90 min. It was ice cooled again and neutralized to a pH of about 8 with 60 ml of 4 M HCl. The pale tan / yellow solid was filtered off and dried by suction. The filtered solid was placed in a soxhlet and extracted with chloroform to extract a brown solution. It was evaporated to give a brownish oily solid, which was then washed with a small amount of methanol to give a pale brown solid (˜1.0 g 47%). The product can be recrystallized from chloroform / methanol to gold plate form by evaporating chloroform from the mixture. The structure was identified by the following diketone by NMR.

Figure pct00086
Figure pct00086

c) 상기 단계 (b)로부터의 다이케톤의 분량들을 합하여 총 5.5 g(13.6 mM)을 39 ㎖의 POCl3에 현탁시키고 5.4 g의 PCl5를 첨가하였다. 이를 탈기시키고 질소 하에 8 hr 동안 환류시켰다. 과량의 POCl3를 증발시켜 제거하였다. 얼음을 첨가하여 잔류하는 클로라이드를 분해하고 혼합물을 암모니아 용액으로 중화시켰다. 갈색 침전을 수집하여 진공 하에 건조시키고, 모액은 메틸렌 클로라이드로 추출하였다. 갈색 재료를 전부 합하고, 증발시켜 갈색 고무질(gum)을 얻고 메탄올을 첨가하였다. 진탕 및 교반 후에 연황색의 고체가 단리되었으며, 이는 CHCl3 및 메탄올(1:10)로부터 미색(off-white)의 침상으로 재결정되었다. NMR 분석에 의해, 구조는 하기에 나타낸2,9-다이클로로-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린으로 나타났다.c) The total portions of the diketone from step (b) were combined and a total of 5.5 g (13.6 mM) was suspended in 39 ml of POCl 3 and 5.4 g of PCl 5 were added. It was degassed and refluxed for 8 hr under nitrogen. Excess POCl 3 was removed by evaporation. Ice was added to decompose the remaining chloride and the mixture was neutralized with ammonia solution. The brown precipitate was collected and dried in vacuo and the mother liquor extracted with methylene chloride. All brown materials were combined and evaporated to give a brown gum and methanol was added. After shaking and stirring a pale yellow solid was isolated, which was recrystallized from off-white needles from CHCl 3 and methanol (1:10). NMR analysis showed the structure to be 2,9-dichloro-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline shown below.

Figure pct00087
Figure pct00087

d) 하기에 나타낸 2,9-다이클로로-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린과 보론산 에스테르(boronic ester)의 스즈키 커플링(Suzuki coupling)을 사용하여 비-중수소화 유사체 화합물을 제조하였다.d) Non-deuterated analogs using Suzuki coupling of 2,9-dichloro-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline and boronic esters shown below The compound was prepared.

Figure pct00088
Figure pct00088

글러브 박스 내에서 1.0 g의 다이클로로-펜(2.5 mM)을 취하고 3.12 g(6 mM)의 보론산 에스테르를 첨가한다. 0.15 g의 Pd2DBA3(DBA = 다이벤질리덴아세톤)(0.15 mM), 0.1g의 트라이사이클로헥실포스핀(0.35 mM) 및 2.0 g의 포타슘 포스페이트(9 mM)를 첨가하고, 30 ㎖의 다이옥산 및 15 ㎖의 물에 모두 용해시킨다. 글러브 박스 내의 맨틀에서 1 hr 동안 100 C로 가열 및 혼합한 후, 질소 하에서 밤새 온화하게 가온(최소 가변저항기 설정)한다. 용액은 즉시 어두운 자주색이 되나, ~80 C에 달하면 탠 브라운의 슬러리가 되고, 이는 밀도가 높은 침전을 가진 맑은 갈색으로 천천히 변한다. 용액이 환류(공기 응축기)되면서 갈색의 고무질 재료가 형성된다. 냉각시켜 글러브 박스로부터 꺼내고 물을 첨가함으로써 워크업한다. DCM 내로 추출하고 마그네슘 설페이트 상에서 건조시킨다. DCM에 이어서 DCM/메탄올 2:1로 용출시키는 실리카/플로리실 플러그 상에서 크로마토그래피 분리한다. 연황색 용액을 수집하여 증발시키고, 메탄올을 첨가하면 백색/연황색 고체가 침전된다. NMR 분석에 의해, 구조가 하기에 나타낸 화합물로 확인되었다.Take 1.0 g of dichloro-phene (2.5 mM) and add 3.12 g (6 mM) of boronic acid ester in the glove box. 0.15 g Pd 2 DBA 3 (DBA = dibenzylideneacetone) (0.15 mM), 0.1 g tricyclohexylphosphine (0.35 mM) and 2.0 g potassium phosphate (9 mM) are added and 30 ml Dissolve both in dioxane and 15 ml of water. Heat and mix at 100 C for 1 hr in the mantle in the glove box, then warm up under nitrogen overnight (minimum potentiometer setting). The solution immediately becomes dark purple, but at ~ 80 C it becomes a tan brown slurry, which slowly changes to a clear brown with a dense precipitate. The solution is refluxed (air condenser) to form a brown rubbery material. Cool, remove from glove box and work up by adding water. Extract into DCM and dry over magnesium sulfate. DCM is then chromatographed on a silica / florisil plug eluting with DCM / methanol 2: 1. The light yellow solution is collected and evaporated and the addition of methanol precipitates a white / light yellow solid. By NMR analysis, the structure was identified as the compound shown below.

Figure pct00089
Figure pct00089

e) 비-중수소화 유사체 화합물로부터 화합물 ET2를 제조하였다.e) Compound ET2 was prepared from non-deuterated analog compounds.

Figure pct00090
Figure pct00090

질소 대기 하에서, 상기 단계 (d)로부터의 화합물(1.925 g)을 C6D6(200 ㎖)에 용해시키고, 여기에 CF3OSO2D(13.2 ㎖)를 적가하였다. 반응 혼합물을 실온에서 밤새 교반되도록 한 후에, 포화 Na2CO3/D2O로 이를 켄칭하였다. 유기 층을 단리하고 MgSO4 상에서 건조시켰다. 실리카 크로마토그래피(CH2Cl2:헥산)를 사용하여 산물을 정제하여 1.70 g의 재료를 수득하였다. 단리된 재료의 NMR 스펙트럼에 의해, 구조는 32 내지 34개의 D가 H를 대체한 ET2로 확인되었다.Under a nitrogen atmosphere, the compound from step (d) (1.925 g) was dissolved in C 6 D 6 (200 mL), and CF 3 OSO 2 D (13.2 mL) was added dropwise. The reaction mixture was allowed to stir overnight at room temperature and then quenched it with saturated Na 2 CO 3 / D 2 O. The organic layer was isolated and dried over MgSO 4 . The product was purified using silica chromatography (CH 2 Cl 2 : hexane) to afford 1.70 g of material. The NMR spectrum of the isolated material confirmed the structure to ET2 with 32 to 34 D replacing H.

합성예 7Synthesis Example 7

본 실시예는 중수소화 전자 수송 재료, ET4의 제조를 설명한다.This example illustrates the production of deuterated electron transport material, ET4.

리간드 D6-8-하이드록시퀴놀린의 합성Synthesis of Ligand D 6- 8- hydroxyquinoline

Figure pct00091
Figure pct00091

8-하이드록시퀴놀린(93.00 g, 20.667 mmol), D2O(60 ㎖) 및 10% Pd/C(0.200 g)의 혼합물을 질소 대기 하에서 파르(Parr) 반응기에 넣고 180℃로 16 시간 동안 가열하였다. 생성된 혼합물을 다이에틸 에테르(200 ㎖)에 첨가하고, 층을 분리하여 유기 층을 셀라이트를 통해 여과하였다. 휘발 성분을 증발시킨 후에, 생성된 고체를 크로마토그래피(20% DCM/헥산)로 정제하여 2.4 g(77% 수율)의 D6-8-하이드록시퀴놀린 산물을 수득하였다.A mixture of 8-hydroxyquinoline (93.00 g, 20.667 mmol), D 2 O (60 mL) and 10% Pd / C (0.200 g) was placed in a Parr reactor under a nitrogen atmosphere and heated to 180 ° C. for 16 hours. It was. The resulting mixture was added to diethyl ether (200 mL) and the layers separated and the organic layer was filtered through celite. After evaporation of volatile components, to give the resulting solid by chromatography (20% DCM / hexane) to give the D 6- 8- hydroxyquinoline product of 2.4 g (77% yield).

ET4의 합성Synthesis of ET4

1.0 g의 지르코늄(IV) 클로라이드를 10 ㎖의 건조 메탄올과 혼합하고, 건조 메탄올 10 ㎖중의 D6-8-하이드록시퀴놀린 3.2 g의 교반 중인 용액에 첨가하였다. 이를 질소 하에서 30 min 동안 교반 및 환류시켰다. Zr 시약은 즉시 밀도가 높은 황색 침전을 형성하였으며, 이를 30 min 동안 교반 및 환류 가열하였다. 여기에 4.8 g의 트라이-n-부틸아민을 첨가하고 15 min 동안 환류를 계속하였다. 진한 황색 침전을 여과하고, 메탄올 및 암모니아(1N)로 세척하였다. 이를 건조시킨 후에, 메틸렌 클로라이드를 사용하여 연황색 용액으로서 추출하고, 메탄올 첨가에 의해 재침전시켰다. 1H NMR로 구조를 확인하였다.Mixing zirconium (IV) chloride in 1.0 g of dry methanol and 10 ㎖, dried was added to a stirred solution of methanol 10 ㎖ D 6- 8- hydroxyquinoline in 3.2 g. It was stirred and refluxed for 30 min under nitrogen. The Zr reagent immediately formed a dense yellow precipitate, which was stirred and heated to reflux for 30 min. To this was added 4.8 g of tri-n-butylamine and the reflux was continued for 15 min. The dark yellow precipitate was filtered off and washed with methanol and ammonia (IN). After it was dried, it was extracted as a light yellow solution using methylene chloride and reprecipitated by methanol addition. The structure was confirmed by 1 H NMR.

합성예 8Synthesis Example 8

본 실시예는 중수소화 전계발광 화합물, E13의 제조를 설명한다.This example illustrates the preparation of a deuterated electroluminescent compound, E13.

a) 문헌[Yan et. al., J. Mater. Chem., 2004, 14, 2295-3000]의 절차에 따라 하기에 나타낸 화합물을 제조하였다.a) Yan et. al., J. Mater. Chem., 2004, 14, 2295-3000, to prepare compounds shown below.

Figure pct00092
Figure pct00092

b) 하기의 반응식에 따라 비-중수소화 화합물을 제조하였다.b) A non-deuterated compound was prepared according to the following scheme.

Figure pct00093
Figure pct00093

글러브 박스 내에서 1.0 g의 브로모스틸벤(2.3 mM)을 취하고, 0.74 g(2.3 mM)의 도시된 2차 아민 및 0.24 g의 t-BuONa(2.4 mM)를 10 ㎖의 톨루엔과 함께 첨가한다. 톨루엔에 용해된 100 mg의 Pd2DBA3, 40 mg의 P(t-Bu)3를 첨가한다. 글러브 박스 내의 맨틀에서 질소 하에 1 hr 동안 80℃에서 혼합 및 가열한다. 용액은 즉시 어두운 자주색이 되나, ~80℃에 달하면 뚜렷한 청색 발광을 동반하는 어두운 황색이 된다. 재료를 냉각시켜 글러브 박스에서 꺼내고, 톨루엔으로 용리하는 크로마토그래피로 정제하였다. 청색 발광성 재료는 매우 가용성이며 연황색 용액으로서 용리된다. 용액을 증발시켜 부피를 줄이고 메탄올을 첨가하여, 선명한 청색 PL을 동반하는 연황색 고체를 침전시켰다. NMR 분석으로 구조를 확인하였다.Take 1.0 g bromotylbene (2.3 mM) in a glove box and add 0.74 g (2.3 mM) of the shown secondary amine and 0.24 g of t-BuONa (2.4 mM) with 10 ml of toluene. . 100 mg of Pd 2 DBA 3 , 40 mg of P (t-Bu) 3 dissolved in toluene are added. Mix and heat at 80 ° C. for 1 hr under nitrogen in the mantle in the glove box. The solution immediately becomes dark purple, but when it reaches ˜80 ° C. it becomes dark yellow with a pronounced blue emission. The material was cooled, taken out of the glove box and purified by chromatography eluting with toluene. The blue luminescent material is very soluble and elutes as a pale yellow solution. The solution was evaporated to reduce volume and methanol was added to precipitate a pale yellow solid with bright blue PL. The structure was confirmed by NMR analysis.

c) 합성예 6에서와 유사한 절차를 사용하여 상기 단계 (b)로부터의 화합물을 중수소화함으로써 화합물 E13을 제조하였다.c) Compound E13 was prepared by deuteration of the compound from step (b) using a similar procedure as in Synthesis Example 6.

소자 실시예 1 내지 6Device Examples 1-6

하기의 비-중수소화 재료를 사용하였다:The following non-deuterated materials were used:

HIJ-A 및 HIJ-B는 전기 전도성 중합체 및 중합체성 플루오르화 설폰산의 수성 분산액이다. 이러한 재료는, 예를 들어, 공개 미국 특허 출원 제US 2004/0102577호, 제US 2004/0127637호, 제US 2005/0205860호, 및 공개 PCT 출원 제WO 2009/018009호에 기술되어 있다.HIJ-A and HIJ-B are aqueous dispersions of electrically conductive polymers and polymeric fluorinated sulfonic acids. Such materials are described, for example, in published US patent applications US 2004/0102577, US 2004/0127637, US 2005/0205860, and published PCT application WO 2009/018009.

중합체 Pol-A는 비-가교결합된 아릴아민 중합체(20 ㎚)이다.Polymer Pol-A is a non-crosslinked arylamine polymer (20 nm).

ELM-A 및 ELM-B는 청색 방출을 갖는 전계발광 비스(다이아릴아미노)크리센 화합물이다.ELM-A and ELM-B are electroluminescent bis (diarylamino) crisene compounds with blue emission.

호스트 A는 다이아릴안트라센 화합물이다.Host A is a diarylanthracene compound.

ET-A는 금속 퀴놀레이트 유도체(10 ㎚)이다.ET-A is a metal quinolate derivative (10 nm).

소자 실시예 1에서, 중수소화 재료는 정공 주입 층에 존재하였다. 정공 주입 층은 합성예 1로부터의 D5-PPy/D- 폴리(TFE-PSEPVE)였다.In device example 1, the deuterated material was present in the hole injection layer. The hole injection layer was D 5- PPy / D-poly (TFE-PSEPVE) from Synthesis Example 1.

소자 실시예 2에서, 중수소화 재료는 정공 수송 층에 존재하였다. 정공 수송 층은 합성예 2로부터의 HT5였다.In device example 2, the deuterated material was present in the hole transport layer. The hole transport layer was HT5 from Synthesis Example 2.

소자 실시예 3에서, 중수소화 재료는 전계발광 층에 존재하였다. 전계발광 재료는 합성예 4로부터의 E4였다.In device example 3, the deuterated material was present in the electroluminescent layer. The electroluminescent material was E4 from Synthesis Example 4.

소자 실시예 4에서, 중수소화 재료는 전계발광 층에 존재하였다. 전계발광 층 내의 호스트는 합성예 5로부터의 H14였다.In device example 4, the deuterated material was present in the electroluminescent layer. The host in the electroluminescent layer was H14 from Synthesis Example 5.

소자 실시예 5에서, 중수소화 재료는 전자 수송 층에 존재하였다. 전자 수송 층은 합성예 6으로부터의 ET2였다.In device example 5, the deuterated material was present in the electron transport layer. The electron transport layer was ET2 from Synthesis Example 6.

소자 실시예 6에서, 중수소화 재료는 전자 수송 층에 존재하였다. 전자 수송 층은 합성예 7로부터의 ET4였다.In device example 6, the deuterated material was present in the electron transport layer. The electron transport layer was ET4 from Synthesis Example 7.

각각의 소자에 있어서, 애노드는 인듐 주석 산화물(ITO: indium tin oxide)이었고, 전자 주입 층은 CsF였으며, 캐소드는 Al(100㎚)이었다. 실시예 1, 2, 4, 5, 및 6에서는, 애노드의 두께가 50 ㎚였고; 실시예 3에서는, 애노드 두께가 180 ㎚였다. 실시예 1 내지 4 및 6에서는, 전자 주입 층의 두께가 1 ㎚였고; 실시예 5에서는 전자 주입 두께가 0.7 ㎚였다. 다른 층들의 재료 및 두께는 하기 표 1에 요약된다.For each device, the anode was indium tin oxide (ITO), the electron injection layer was CsF, and the cathode was Al (100 nm). In Examples 1, 2, 4, 5, and 6, the thickness of the anode was 50 nm; In Example 3, the anode thickness was 180 nm. In Examples 1 to 4 and 6, the thickness of the electron injection layer was 1 nm; In Example 5, the electron injection thickness was 0.7 nm. The materials and thicknesses of the other layers are summarized in Table 1 below.

[표 1]TABLE 1

Figure pct00094
Figure pct00094

용액 가공 및 열증발 기술의 조합에 의해서 OLED 소자를 제작하였다. 씬 필름 디바이시즈, 인코포레이티드(Thin Film Devices, Inc)로부터의 패턴화된 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅 유리 기재를 사용하였다. 이들 ITO 기재는 시트 저항이 30 옴/스퀘어이고 광투과율이 80%인 ITO로 코팅된 코닝(Corning) 1737 유리를 기제로 한다. 패턴화된 ITO 기재를 세제 수용액 중에서 초음파로 세정하고 증류수로 헹구었다. 그 후, 패턴화된 ITO를 아세톤 중에서 초음파로 세정하고, 아이소프로판올로 헹구어 질소 스트림에서 건조시켰다.OLED devices were fabricated by a combination of solution processing and thermal evaporation techniques. A patterned indium tin oxide (ITO) coated glass substrate from Thin Film Devices, Inc. (Thin Film Devices, Inc) was used. These ITO substrates are based on Corning 1737 glass coated with ITO with a sheet resistance of 30 ohms / square and a light transmittance of 80%. The patterned ITO substrate was ultrasonically cleaned in an aqueous detergent solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then ultrasonically washed in acetone, rinsed with isopropanol and dried in a nitrogen stream.

소자 제작 직전에, 세정되고 패턴화된 ITO 기재를 UV 오존으로 10분 동안 처리하였다. 냉각 직후에, 정공 주입 재료의 수성 분산액을 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후에 이어서, 기재를 정공 수송 재료의 용액으로 스핀 코팅한 다음, 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후, 전계발광 층 용액으로 기재를 스핀 코팅하고, 가열하여 용매를 제거하였다. 기재를 마스킹하고, 진공 챔버에 넣었다. 열증발에 의해 전자 수송 층을 침착시키고, 이어서 전자 주입 층으로서 CsF의 층을 침착시켰다. 이어서, 진공 상태에서 마스크를 바꾸고 열증발에 의해 Al의 층을 침착시켜 캐소드를 형성하였다. 챔버를 배기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.Immediately before device fabrication, the cleaned and patterned ITO substrates were treated with UV ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, the aqueous dispersion of hole injection material was spin coated onto the ITO surface and heated to remove solvent. After cooling, the substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove solvent. After cooling, the substrate was spin coated with an electroluminescent layer solution and heated to remove solvent. The substrate was masked and placed in a vacuum chamber. The electron transport layer was deposited by thermal evaporation followed by the deposition of a layer of CsF as the electron injection layer. The mask was then changed in vacuo and a layer of Al was deposited by thermal evaporation to form a cathode. The chamber was evacuated and the device encapsulated using a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.

OLED 샘플을 그의 (1) 전류-전압 (I-V) 곡선, (2) 전계발광 방사휘도(electroluminescence radiance) 대 전압, 및 (3) 전계발광 스펙트럼 대 전압을 측정함으로써 특성화하였다. 3 가지 측정 모두를 동시에 수행하고 컴퓨터로 제어하였다. 소정 전압에서의 소자의 전류 효율은, 소자를 작동하는 데 필요한 전류로 LED의 전계발광 방사 휘도를 나누어서 결정한다. 단위는 cd/A이다. 전력 효율은 전류 효율에 파이(pi)를 곱하고, 작동 전압으로 나눈 것이다. 단위는 lm/W이다. 소자 데이터는 표 2 및 표 3에 제공된다.OLED samples were characterized by measuring their (1) current-voltage (I-V) curves, (2) electroluminescence radiance versus voltage, and (3) electroluminescence spectrum versus voltage. All three measurements were performed simultaneously and controlled by computer. The current efficiency of the device at a given voltage is determined by dividing the electroluminescent emission luminance of the LED by the current required to operate the device. The unit is cd / A. Power efficiency is current efficiency multiplied by pi and divided by operating voltage. The unit is lm / W. Device data is provided in Tables 2 and 3.

[표 2]TABLE 2

Figure pct00095
Figure pct00095

[표 3][Table 3]

Figure pct00096
Figure pct00096

본 실시예에서는 반감기가 아니라 70% 휘도에 도달하는 시간을 결정하였다. 그러나, 계산 반감기는 70% 휘도에 도달하는 계산 시간보다 더 길 것이다. 따라서, 1000 니트에서의 반감기는 분명히 10,000 시간을 초과한다.In this example, the time to reach 70% luminance rather than the half-life was determined. However, the calculation half life will be longer than the calculation time to reach 70% luminance. Thus, the half life at 1000 nits clearly exceeds 10,000 hours.

소자 실시예 7Device Example 7

본 실시예는, 액체 침착에 의해 형성된 중수소화 프라이밍 층을 가지며, 여기서 정공 수송 층 및 전계발광 층 또한 액체 침착에 의해 형성되는 전자 소자를 설명한다.This embodiment describes an electronic device having a deuterated priming layer formed by liquid deposition, wherein the hole transport layer and the electroluminescent layer are also formed by liquid deposition.

소자는 유리 기재 상에 하기 구조를 가졌다:The device had the following structure on a glass substrate:

애노드 = ITO: 50 ㎚Anode = ITO: 50 nm

정공 주입 층 = HIJ-B(50 ㎚)Hole injection layer = HIJ-B (50 nm)

프라이머 층: HT11(20 ㎚)Primer layer: HT11 (20 nm)

정공 수송 층 = Pol-A(20 ㎚)Hole transport layer = Pol-A (20 nm)

전계발광 층 = 13:1 중량비의 호스트 H14:도판트 ELM-B(40 ㎚),Electroluminescent layer = 13: 1 weight ratio of host H14: dopant ELM-B (40 nm),

전자 수송 층 = ET-A(10 ㎚)Electron transport layer = ET-A (10 nm)

캐소드 = CsF/Al(1/100 ㎚)Cathode = CsF / Al (1/100 nm)

용액 가공 및 열증발 기술의 조합에 의해서 OLED 소자를 제작하였다. 씬 필름 디바이시즈, 인코포레이티드로부터의 패턴화된 인듐 주석 산화물(ITO) 코팅 유리 기재를 사용하였다. ITO 기재는 시트 저항이 30 옴/스퀘어이고 광투과율이 80%인 ITO로 코팅된 코닝 1737 유리를 기제로 한다. 패턴화된 ITO 기재를 세제 수용액 중에서 초음파로 세정하고 증류수로 헹구었다. 그 후, 패턴화된 ITO를 아세톤 중에서 초음파로 세정하고, 아이소프로판올로 헹구어 질소 스트림에서 건조시켰다.OLED devices were fabricated by a combination of solution processing and thermal evaporation techniques. Thin film devices, a patterned indium tin oxide (ITO) coated glass substrate from Incorporated, were used. The ITO substrate is based on Corning 1737 glass coated with ITO having a sheet resistance of 30 ohms / square and a light transmittance of 80%. The patterned ITO substrate was ultrasonically cleaned in an aqueous detergent solution and rinsed with distilled water. The patterned ITO was then ultrasonically washed in acetone, rinsed with isopropanol and dried in a nitrogen stream.

소자 제작 직전에, 세정되고 패턴화된 ITO 기재를 UV 오존으로 10분 동안 처리하였다. 냉각 직후에, HIJ-B의 수성 분산액을 ITO 표면 위에 스핀 코팅하고 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후에, 정공 주입 층 상에 HT11의 톨루엔 용액을 스핀 코팅함으로써 프라이밍 층을 형성시켰다. 248 ㎚에서 100 mJ/㎝2의 선량으로 프라이밍 층을 이미지 방식으로 노광시켰다. 노광 후에, 2000 rpm으로 회전시키면서 60 s 동안 아니솔로 분무함으로써 프라이밍 층을 현상한 후에 30 s 동안의 회전에 의해 건조시켰다. 이어서, 기재를 정공 수송 재료의 용액으로 스핀 코팅한 후에 가열하여 용매를 제거하였다. 메틸 벤조에이트 용액으로부터 스핀 코팅함으로써 전계발광 층을 침착시킨 후, 가열하여 용매를 제거하였다. 냉각 후에, 기재를 마스킹하고 진공 챔버에 넣었다. 이어서 열증발에 의해 전자 수송 재료를 침착시킨 후에, CsF의 층을 침착시켰다. 이어서, 진공 상태에서 마스크를 바꾸고 열증발에 의해 Al의 층을 침착시켰다. 챔버를 배기시키고, 유리 덮개, 건조제, 및 UV 경화성 에폭시를 사용하여 소자를 캡슐화하였다.Immediately before device fabrication, the cleaned and patterned ITO substrates were treated with UV ozone for 10 minutes. Immediately after cooling, the aqueous dispersion of HIJ-B was spin coated onto the ITO surface and heated to remove solvent. After cooling, a priming layer was formed by spin coating a toluene solution of HT11 on the hole injection layer. The priming layer was exposed imagewise at a dose of 100 mJ / cm 2 at 248 nm. After exposure, the priming layer was developed by spraying with anisole for 60 s while rotating at 2000 rpm and then dried by rotation for 30 s. The substrate was then spin coated with a solution of hole transport material and then heated to remove the solvent. The electroluminescent layer was deposited by spin coating from methyl benzoate solution and then heated to remove the solvent. After cooling, the substrate was masked and placed in a vacuum chamber. After depositing the electron transport material by thermal evaporation, a layer of CsF was deposited. The mask was then changed in vacuo and a layer of Al was deposited by thermal evaporation. The chamber was evacuated and the device encapsulated using a glass lid, desiccant, and UV curable epoxy.

상기와 같이 OLED 샘플을 특성화하였다.The OLED sample was characterized as above.

생성된 소자 데이터는 표 4에 제공된다.The generated device data is provided in Table 4.

[표 4][Table 4]

Figure pct00097
Figure pct00097

소자 실시예 8Device Example 8

본 실시예는 중수소화 호스트 및 중수소화 전계발광 도판트를 포함하는 전계발광 층을 갖는 전자 소자를 설명한다.This embodiment describes an electronic device having an electroluminescent layer comprising a deuterated host and a deuterated electroluminescent dopant.

소자는 유리 기재 상에 하기 구조를 가졌다:The device had the following structure on a glass substrate:

애노드 = ITO: 50 ㎚Anode = ITO: 50 nm

정공 주입 층 = HIJ-B(50 ㎚)Hole injection layer = HIJ-B (50 nm)

정공 수송 층 = Pol-A(20 ㎚)Hole transport layer = Pol-A (20 nm)

전계발광 층 = 86:14 중량비의 호스트 H14:도판트 E13(40 ㎚),Electroluminescent layer = 86:14 weight ratio host H14: dopant E13 (40 nm),

전자 수송 층 = ET-A(10 ㎚)Electron transport layer = ET-A (10 nm)

캐소드 = CsF/Al(0.7/100 ㎚)Cathode = CsF / Al (0.7 / 100 nm)

소자 실시예 1에 기술된 바와 같이 OLED 소자를 제조하였다. 결과는 표 5에 제공된다.OLED devices were prepared as described in Device Example 1. The results are provided in Table 5.

[표 5]TABLE 5

Figure pct00098
Figure pct00098

표의 데이터에 의해 입증되는 바와 같이, 중수소화 재료를 포함하는 적어도 하나의 층을 가진 소자는 5000 시간을 초과하는 계산 반감기를 가졌다. 소자 실시예 3에서, 계산 반감기는 50,000 시간을 초과한다.As evidenced by the data in the table, devices with at least one layer comprising deuterated material had a calculated half-life exceeding 5000 hours. In device example 3, the calculated half-life exceeds 50,000 hours.

일반적인 기술 또는 실시예에서 상기의 모든 작용이 요구되지는 않으며, 특정 작용의 일부가 요구되지 않을 수 있고, 기술된 것에 부가하여 하나 이상의 추가의 작용이 수행될 수 있음을 유의한다. 또한, 작용들이 나열된 순서는 반드시 그들이 수행되는 순서는 아니다.Note that not all of the above actions may be required in a general technique or embodiment, some of the specific actions may not be required, and one or more additional actions may be performed in addition to those described. Also, the order in which the actions are listed is not necessarily the order in which they are performed.

전기의 명세서에서, 개념들이 특정 구현예와 관련하여 기술되었다. 그러나, 당업자는 하기의 특허청구범위에서 개시되는 바와 같은 본 발명의 범주로부터 벗어남이 없이 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있음을 인식한다. 따라서, 명세서 및 도면은 제한적이라기보다 예증적인 의미로 간주되어야 하며, 그러한 모든 변형을 본 발명의 범주 내에 포함시키고자 한다.In the foregoing specification, the concepts have been described with reference to specific embodiments. However, one of ordinary skill in the art appreciates that various modifications and changes can be made without departing from the scope of the present invention as set forth in the claims below. Accordingly, the specification and drawings are to be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included within the scope of present invention.

이득, 다른 이점, 및 문제에 대한 해결책이 특정 구현예에 관해 전술되었다. 그러나, 이득, 이점, 문제에 대한 해결책, 그리고 임의의 이득, 이점, 또는 해결책을 유발하거나 더 명확해지게 할 수 있는 임의의 특징부(들)는 임의의 또는 모든 특허청구범위의 결정적이거나, 요구되거나, 필수적인 특징부로서 해석되어서는 안 된다.Benefits, other advantages, and solutions to problems have been described above with regard to specific implementations. However, any benefit, advantage, solution to a problem, and any feature (s) that can cause or become apparent any benefit, advantage, or solution are decisive or required of any or all claims. It should not be interpreted as an essential feature.

소정 특징부가 명확함을 위해 독립적인 구현예들과 관련하여 본 명세서에서 기술되고, 단일 구현예와 조합하여 또한 제공될 수 있다는 것이 인정되어야 한다. 역으로, 간략함을 위해 단일 구현예와 관련하여 기술된 여러 특징부들은 독립적으로 또는 임의의 하위 조합으로 또한 제공될 수 있다.It should be appreciated that certain features may be described herein in the context of independent embodiments for clarity and may also be provided in combination with a single embodiment. Conversely, the various features described in connection with a single embodiment for the sake of simplicity may also be provided independently or in any subcombination.

본 명세서에 특정된 다양한 범위 내에서 수치의 사용은, 명시된 범위 내의 최소 및 최대값 앞에 모두 단어 "약"을 붙이는 것처럼, 근사치로서 명시된다. 이러한 방식으로, 범위 내의 값과 실질적으로 동일한 결과를 달성하기 위하여, 명시된 범위의 초과 및 미만의 경미한 변형을 사용할 수 있다. 또한, 이들 범위의 개시는, 하나의 값의 일부 성분이 상이한 값의 다른 것들과 혼합될 경우에 유발될 수 있는 분수값을 포함하여 최소 및 최대 평균값 사이의 모든 값을 포함하는 연속적인 범위로서 의도된다. 아울러, 더 넓은 범위와 더 좁은 범위가 개시될 경우, 한 범위의 최소값과 다른 범위의 최대값을 일치시키는 것이 본 발명에서 고려되며, 그 역으로도 성립한다.The use of numerical values within the various ranges specified herein is specified as an approximation, such as by prefixing the word "about" with both the minimum and maximum values within the specified range. In this way, minor variations above and below the specified range may be used to achieve results substantially equal to values within the range. In addition, the disclosure of these ranges is intended as a continuous range that includes all values between the minimum and maximum average values, including fractional values that may result if some component of one value is mixed with others of different values. do. In addition, when a wider range and a narrower range are disclosed, matching the minimum value of one range with the maximum value of the other range is considered in the present invention and vice versa.

Claims (17)

애노드(anode), 캐소드(cathode), 및 이들 사이의 유기 활성 층을 포함하며, 여기서 유기 활성 층이 중수소화 화합물을 포함하고, 소자가 1000 니트에서 적어도 5000 시간의 계산 반감기를 갖는 유기 발광 다이오드.An organic light emitting diode comprising an anode, a cathode, and an organic active layer therebetween, wherein the organic active layer comprises a deuterated compound and the device has a calculated half life of at least 5000 hours at 1000 nits. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 중수소화 전도성 중합체 및 플루오르화 산 중합체를 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, wherein the organic active layer comprises a deuterated conductive polymer and a fluorinated acid polymer. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 분자식 유닛 당 적어도 2개의 다이아릴아미노 부분을 갖는 중수소화 정공 수송 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, wherein the organic active layer comprises a deuterated hole transport compound having at least two diarylamino moieties per molecular unit. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 중수소화 폴리카바졸, 중수소화 폴리플루오렌, 비-평면 구성으로 연결된 공액 부분을 갖는 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 플루오렌과 트라이아릴아민의 중수소화 공중합체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 유기 발광 다이오드.The deuterated polymeric triarylamine, fluorene according to claim 1, wherein the organic active layer has a conjugated moiety connected in a deuterated polymeric triarylamine, deuterated polycarbazole, deuterated polyfluorene, non-planar configuration. An organic light emitting diode comprising a material selected from the group consisting of a deuterated copolymer of triarylamine and a combination thereof. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 중수소화 크리센, 중수소화 피렌, 중수소화 페릴렌, 중수소화 루브렌, 중수소화 페리플란텐, 중수소화 플루오란텐, 중수소화 스틸벤, 중수소화 쿠마린, 중수소화 안트라센, 중수소화 티아다이아졸, 중수소화 스피로바이플루오렌, 그의 유도체, 및 그의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 전계발광 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic active layer of claim 1, wherein the organic active layer is deuterated chrysene, deuterated pyrene, deuterated parylene, deuterated rubrene, deuterated periplanene, deuterated fluoranthene, deuterated stilbene, deuterated coumarin, An organic light emitting diode comprising an electroluminescent compound selected from the group consisting of deuterated anthracene, deuterated thiadiazole, deuterated spirobifluorene, derivatives thereof, and mixtures thereof. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 하기 화학식 중의 하나를 갖는, 적어도 10% 중수소화되는 전계발광 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드:
Figure pct00099

여기서,
A는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 3 내지 60개의 탄소 원자를 갖는 방향족 기이고;
Q'은 나프탈렌, 안트라센, 벤즈[a]안트라센, 다이벤즈[a,h]안트라센, 플루오란텐, 플루오렌, 스피로플루오렌, 테트라센, 크리센, 피렌, 테트라센, 잔텐, 페릴렌, 쿠마린, 로다민, 퀴나크리돈, 루브렌, 그의 치환된 유도체, 및 그의 중수소화 유사체로 구성된 군으로부터 선택되고;
p 및 q는 동일하거나 상이하고, 각각은 1 내지 6의 정수이다.
The organic light emitting diode of claim 1, wherein the organic active layer comprises at least 10% deuterated electroluminescent compound having one of the formula:
Figure pct00099

here,
A is the same or different at each occurrence and is an aromatic group having 3 to 60 carbon atoms;
Q 'is naphthalene, anthracene, benz [a] anthracene, dibenz [a, h] anthracene, fluoranthene, fluorene, spirofluorene, tetracene, chrysene, pyrene, tetracene, xanthene, perylene, coumarin , Rhodamine, quinacridone, rubrene, substituted derivatives thereof, and deuterated analogs thereof;
p and q are the same or different and each is an integer from 1 to 6.
제1항에 있어서, 유기 활성 층이 중수소화 아미노안트라센, 중수소화 아미노크리센, 중수소화 아미노스틸벤, 중수소화 금속 퀴놀레이트 착물, 및 중수소화 이리듐 착물로 구성된 군으로부터 선택된 전계발광 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드.The electroactive compound of claim 1, wherein the organic active layer comprises an electroluminescent compound selected from the group consisting of deuterated aminoanthracene, deuterated aminocricene, deuterated aminostyrenebene, deuterated metal quinolate complex, and deuterated iridium complex. Organic light emitting diode. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 (a) 중수소화 안트라센, 중수소화 크리센, 중수소화 피렌, 중수소화 페난트렌, 중수소화 트라이페닐렌, 중수소화 페난트롤린, 중수소화 나프탈렌, 중수소화 퀴놀린, 중수소화 아이소퀴놀린, 중수소화 퀴녹살린, 중수소화 중수소화 페닐피리딘, 중수소화 다이벤조퓨란, 중수소화 다이퓨라노벤젠, 중수소화 금속 퀴놀리네이트 착물, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 벤즈이미다졸, 중수소화 트라이아졸로피리딘, 중수소화 다이헤테로아릴페닐, 그의 치환된 유도체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 호스트 재료 및 (b) 380 및 750 ㎚ 사이에서 최대 방출을 갖는 전계발광이 가능한 적어도 하나의 도판트를 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic active layer of claim 1 wherein the organic active layer comprises (a) deuterated anthracene, deuterated chrysene, deuterated pyrene, deuterated phenanthrene, deuterated triphenylene, deuterated phenanthroline, deuterated naphthalene, deuterated quinoline , Deuterated isoquinoline, deuterated quinoxaline, deuterated deuterated phenylpyridine, deuterated dibenzofuran, deuterated difuranobenzene, deuterated metal quinolinate complex, deuterated indolocarbazole, deuterated benzimi Electroluminescence having a maximum emission between 380 and 750 nm and at least one host material selected from the group consisting of doazole, deuterated triazolopyridine, deuterated diheteroarylphenyl, substituted derivatives thereof, and combinations thereof An organic light emitting diode comprising at least one dopant capable of this. 제8항에 있어서, 호스트 재료가 중수소화 다이아릴안트라센, 중수소화 아미노크리센, 중수소화 다이아릴크리센, 중수소화 다이아릴피렌, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 페난트롤린, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 유기 발광 다이오드.The method of claim 8, wherein the host material is deuterated diarylanthracene, deuterated aminocricene, deuterated diaryrylcene, deuterated diarylpyrene, deuterated indolocarbazole, deuterated phenanthroline, and combinations thereof. An organic light emitting diode selected from the group consisting of. 제1항에 있어서, 유기 활성 층이 중수소화 페난트롤린, 중수소화 인돌로카바졸, 중수소화 벤즈이미다졸, 중수소화 트라이아졸로피리딘, 중수소화 다이헤테로아릴페닐, 중수소화 금속 퀴놀레이트, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 전자 수송 재료를 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic active layer of claim 1 wherein the organic active layer is deuterated phenanthroline, deuterated indolocarbazole, deuterated benzimidazole, deuterated triazolopyridine, deuterated diheteroarylphenyl, deuterated metal quinolate, and An organic light emitting diode comprising an electron transport material selected from the group consisting of combinations thereof. 제1항에 있어서, 활성 층이 프라이밍 층(priming layer)을 사용하여 형성시킨 화학적 봉쇄 층(chemical containment layer)이고, 여기서 프라이밍 층은 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 중수소화 폴리카바졸, 중수소화 폴리플루오렌, 비-평면 구성으로 연결된 공액 부분을 갖는 중수소화 중합체성 트라이아릴아민, 플루오렌과 트라이아릴아민의 중수소화 공중합체, 중수소화 금속 퀴놀레이트 유도체, 및 그의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 유기 발광 다이오드.The method of claim 1 wherein the active layer is a chemical containment layer formed using a priming layer, wherein the priming layer is deuterated polymeric triarylamine, deuterated polycarbazole, deuterated A material selected from the group consisting of polyfluorenes, deuterated polymeric triarylamines having conjugated moieties linked in a non-planar configuration, deuterated copolymers of fluorene and triarylamines, deuterated metal quinolate derivatives, and combinations thereof Organic light emitting diode comprising a. 제1항에 있어서, 제2 활성 층을 추가로 포함하고, 여기서 제2 활성 층은 중수소화 화합물을 포함하는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, further comprising a second active layer, wherein the second active layer comprises a deuterated compound. 제1항에 있어서, 1000 니트에서의 계산 반감기가 적어도 10,000 시간인 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, wherein the calculated half life at 1000 nits is at least 10,000 hours. 제1항에 있어서, 1000 니트에서의 계산 반감기가 적어도 20,000 시간인 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, wherein the calculated half life at 1000 nits is at least 20,000 hours. 제1항에 있어서, 1000 니트에서의 계산 반감기가 적어도 50,000 시간인 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 1, wherein the calculated half life at 1000 nits is at least 50,000 hours. 애노드, 캐소드를 포함하고 이들 사이에 유기 층을 가지며, 여기서 유기 층은 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전계발광 층, 전자 수송 층, 및 캐소드이고, 여기서 유기 층 중의 적어도 2개는 중수소화 재료로 필수적으로 구성되는 유기 발광 다이오드.An anode, a cathode, and having an organic layer therebetween, wherein the organic layer is a hole injection layer, a hole transport layer, an electroluminescent layer, an electron transport layer, and a cathode, wherein at least two of the organic layers are deuterated materials Organic light emitting diode consisting essentially. 제16항에 있어서, 모든 유기 층이 중수소화 재료로 필수적으로 구성되는 유기 발광 다이오드.The organic light emitting diode of claim 16, wherein all organic layers consist essentially of deuterated material.
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