JP2012506641A - 複数の多孔質材料を用いた多孔質材料における真空制御装置及び制御方法 - Google Patents

複数の多孔質材料を用いた多孔質材料における真空制御装置及び制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012506641A
JP2012506641A JP2011533300A JP2011533300A JP2012506641A JP 2012506641 A JP2012506641 A JP 2012506641A JP 2011533300 A JP2011533300 A JP 2011533300A JP 2011533300 A JP2011533300 A JP 2011533300A JP 2012506641 A JP2012506641 A JP 2012506641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
permeable member
liquid permeable
liquid
immersion
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011533300A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5682830B2 (ja
JP2012506641A5 (ja
Inventor
プーン アレックス
コー レオナルド
クーン デレク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Publication of JP2012506641A publication Critical patent/JP2012506641A/ja
Publication of JP2012506641A5 publication Critical patent/JP2012506641A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5682830B2 publication Critical patent/JP5682830B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70341Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details

Abstract

液浸リソグラフィシステムにおける投影系と露光対象物との間のギャップを含む液浸領域内に浸液を保持する浸液保持装置である。また、装置は、液浸領域から浸液の回収も行う。装置は、保持部材と第1液体透過性部材と第2液体透過性部材とを備える。保持部材は、出口部と、対象物に投影されるパターン像が通過する開口とを有する。第1液体透過性部材は、出口部を覆いかつ対象物と面する第1面と、第1チャンバと接しかつ第1面と対向する第2面とを有する。第2液体透過性部材は、対向する第1面及び第2面を有し、第2液体透過性部材の第1面が第1チャンバと接するとともに、第2液体透過性部材の第2面が第1チャンバと異なる第2チャンバと接する。

Description

本願は、2009年10月05日に出願された米国特許仮出願第12/573,356号に基づくものであり、その開示のすべてをここに援用する。また本願は、2008年10月22日に出願された米国特許仮出願第61/193,019号にも基づくものであり、その開示のすべてをここに援用する。また本願は、2009年09月09日に出願された米国特許仮出願第61/272,292号にも基づくものであり、その開示のすべてをここに援用する。
本発明は、液浸リソグラフィ装置及び方法、特に、浸液を回収する装置及び方法に関するものである。
一般に、リソグラフィ装置は、放射源、投影光学系、および像が形成される基板を支持しかつ動かす基板ステージを備える。基板ステージ上に基板が載置される前に、レジストのような放射感光性材料が基板表面に塗布される。稼働中、放射源からの放射エネルギーを用い、結像要素によって規定される像を投影光学系を通じて基板上に投影する。一般に投影光学系は複数のレンズを含む。基板に最も近いレンズ又は光学素子は、最後の光学素子又は最終光学素子と称することができる。
一般に、露光中の投影領域は基板の表面に比べてかなり小さい。そのため、基板の表面全体にパターンを作成するために、投影光学系に対応して基板が移動する。半導体産業において、一般に二種類のリソグラフィ装置が使われている。いわゆる“ステップ・アンド・リピート”装置では、一回の露光で全てのパターン像が同時に基板上の対象領域に投影される。露光後、X軸及び/又はY軸方向に、基板が移動又は“ステップ”され、新たな対象領域が露光される。このステップ・アンド・リピート処理は基板の表面全体が露光されるまで複数回行われる。走査型リソグラフィ装置では、連続的な動作又は“走査式(scanning)”動作によって対象領域が露光される。例えば、レクチル又はマスクを通過した透過光で像を投影する際に、一つの対象領域の露光中にレクチル又はマスクを一方向に動かしながら基板を同方向又は逆方向に動かす。その後、X軸及び/又はY軸方向に、次に走査される対象領域へと基板を移動する。この工程は、基板上における所望のすべての対象領域が露光されるまで繰り返される。
一般に、リソグラフィ装置は半導体ウエハやフラットパネルディスプレイを、像形成又はパターン化するために用いられる。ここで、“基板”という単語は、半導体ウエハやフラットパネルディスプレイに限定されず、パターン化できるすべての加工対象物という一般的な意味として用いられる。
液浸リソグラフィは、同様の光学系を持つ従来の“ドライ”リソグラフィ露光装置によって得られる開口数NAよりも大きい開口数(NA)で露光を行うことにより、リソグラフィ露光装置の解像度を向上させることができる技術である。液浸リソグラフィは、投影系の最終光学素子とレジストを塗膜した基板との間の空間を満たすことによって、本来であれば光学‐空気境界面において内部反射されてしまう光での露光を可能にする。液浸リソグラフィシステムにおいては、浸漬液(又はレジスト、又はレンズ材料の中で小さいもの)の指数と同等の高さの開口数にすることが可能である。同等の開口数を持つドライシステムと比較した浸漬液の指数において、液浸は、基板焦点深度、すなわち基板の垂直位置に関する許容誤差、をも増大させる。このような液浸リソグラフィは実際に露光光の波長を短くすることなく、解像度向上を提供することが可能である。したがって、露光光の波長シフトとは異なり、液浸の利用は、新しい光源、光学材料(照明や投影系のための)や塗膜などの開発を必要とせず、従来の“ドライ”リソグラフィと同等もしくは類似したレジストを同じ波長で利用することを可能にする。投影系の最終光学素子、そのハウジングと基板(また場合によってはステージの一部分も同様に)だけが浸漬液と接触している液浸システムにおいて、ドライリソグラフィのために構築された多くの技術と設計をそのまま直接引き継ぐことができる。
しかしながら、通常のリソグラフィシステムでは基板が高速に動くため、投影系と基板の間を含む液浸領域内の浸液は、液浸領域から漏れ出る傾向にある。浸液が液浸領域から漏れると、その液体がリソグラフィシステムの他の構成装置の動作に影響を及ぼす可能性がある。浸液の回収並びに浸液による液浸リソグラフィシステムの汚染を防ぐ一つの方法が米国特許出願公開第2006/0152697A1号に示されており、その内容をここに援用する。米国特許出願公開第2007/0222967A1号も同様に示しており、その内容をここに援用する。
米国特許出願公開第2006/0152697A1号と米国特許出願公開第2007/0222967A1号に示されたシステムでは、浸液保持部材を有している。浸液保持部材は出口部を有し、液浸領域からの浸液をその出口部を通じて回収(収集)する。出口部はメッシュや多孔質部材などの液体透過性部材によってカバーされている。真空制御設備は、基板上の浸液を液体透過部材と出口部を通じて吸引するように、出口部と結合されたチャンバに吸引を働かせる。液体透過性部材に適用する吸引力の制御は重要である。
上述のシステムにおいて、真空制御系及び基板と面するように配置された液体透過性部材の間に、非常に長い液体流路が存在する(例として、米国特許出願公開第2006/0152697A1号の図6−9参照)。基板(及び/又は基板保持テーブル)上の液体が最初に液体透過性部材の下面に接触する場合において、液体で満たされた流路の長さが液体吸引の遅れの原因となる可能性がある。さらに、長い液体流路は、流路内の流速が突然変化した際に液体透過性部材で生じる大きな圧力パルスを招く可能性がある。
本発明の態様に従えば、浸液保持装置は、液浸リソグラフィシステムにおける投影系と対象物(例えば基板、基板保持テーブル又はその両方など)との間のギャップを含む液浸領域から液体を回収するために、第1液体透過性部材と第2液体透過性部材とを備える。第1液体透過性部材は、保持部材における出口部を覆うとともに、対象物に面する第1面と、第1チャンバと接しかつ第1面と対向する第2面とを有する、第2液体透過性部材は、第1チャンバ内に配置され、第1液体透過性部材の第2面と離間しかつ対向する第1面を有する。また、第2液体透過性部材は、第1面と対向する第2面も有する。第2液体透過性部材の第2面は、第1チャンバと異なる第2チャンバと接する。
好ましい実施形態によれば、第1真空系及び第2真空系は第1チャンバと第2チャンバにそれぞれ接続されている。第1チャンバに接続された第1真空系は、第1液体透過性部材の第1面から第1液体透過性部材の第2面に向かって液体が流れるように、液浸領域からの浸液を第1液体透過性部材を通じて第1チャンバ内に吸引する。第1チャンバから第1真空系に液体が運ばれないことが好ましい。そのため、第1液体透過性部材と第1真空系との間に長い流路は設けられていない。第2真空系は第2チャンバと接続されるとともに、第2液体透過性部材の第1面から第2面に液体が流れるように、第1チャンバからの液体を第2液体透過性部材を通じて第2チャンバ内に吸引する。
また、浸液の処理のため及び/又は、例えば浸液供給系を通じて、液浸領域を再利用及び再供給するために、第2真空系は浸液を第2チャンバからも吸引する。第2真空系と第2液体透過性部材の間に非常に長い液体流路が存在しても、第2液体透過性部材が対象物(基板、基板テーブルなど)に対して直接面しないために、第1チャンバ内の圧力は第2液透過性部材内の流れの変化によって引き起こされる圧力変動に影響を受けない。
いくつかの実施形態によれば、第2液体透過性部材と第1液体透過性部材の間の距離が、第2液体透過性部材の第1面における異なる複数の部分によって変化する。例えば、第2液体透過性部材の第1面は、凸であったり第1液体透過性部材に対して傾斜したりできる。これは、第2液体透過性部材の第1面上に空気泡が捕えられるのを避けるとともに、第2液体透過性部材を通じて回収される液体の流速変化への対応をより容易にする。
第1液体透過性部材及び第2液体透過性部材は、スポンジ、又はその中を通じて伸びる複数の孔を有するプレートのような、メッシュ又は多孔質部材にできる。
第1液体透過性部材及び第2液体透過性部材は、同一の構造にできる、又は孔のサイズ、厚さ及び空隙率のうち少なくとも一つが異なるようにできる。
本発明の他の態様は、投影系と、投影系の下方位置に移動可能でありかつ基板のような対象物を保持する可動ステージと、本発明の態様にかかる保持部材と、を有する液浸リソグラフィ装置に関するものである。
本発明の他の態様は、液浸リソグラフィ装置を利用したデバイス製造方法に関するものである。
本発明は、同種の要素が同種の符号で付された、以下の代表的な実施形態の図面とともに説明される。
図1は、いくつかの実施形態に係る液浸リソグラフィ系を示す概略立面図である。 図2は、第1実施形態に係る浸液保持部材及び浸液保持部材の液体回収系を示す側断面図である。 図3は、第2実施形態に係る浸液保持部材及び浸液保持部材の液体回収系を示す側断面図である。 図4は、第3実施形態に係る浸液保持部材及び浸液保持部材の液体回収系を示す側断面図である。 図5は、デバイスの製造工程を説明するためのフローチャートである。 図6は、より詳細なデバイスの製造工程を説明するためのフローチャートである。
図1は、レクチルが保持されているレクチルステージ12と、最後の、又は、“最終”光学素子16を有する投影系14と、基板26が保持されているとともに、粗動ステージ20上を移動可能な精密移動ステージ22と、を備える液浸リソグラフィシステム10を示す。場合によって以下に液体保持部材18として称される浸液供給及び回収装置18は、最終光学素子16と基板26との間のギャップ28に/から、例えば、水のような液体である浸液を供給及び回収するように、投影系14の最終光学素子16の付近に配置される。本実施形態において、液浸リソグラフィ系10は、走査露光稼働中にレクチルと基板26がそれぞれの走査方向に同調して動かされる走査リソグラフィ系である。この技術分野ではよく知られているように、主に基板26を長距離移動させるために用いられる粗動ステージ20よりも、精密移動ステージ22は、基板26の位置をX、Y、Z、θX、θYおよびθZ方向のうち一つ又はそれ以上(全てが望ましい)において高精度で制御する。精密移動ステージ22の上面は、望ましくは基板26を保持する凹部を有する基板ホルダを含む。さらに、保持された基板の周囲を囲む精密移動ステージ22の上面の一部分は、保持している基板の上面と実質的に上面の高さが同じになる上面を有し、これにより、液浸領域が基板の端付近に位置するときにも、液体保持部材18と、基板26の複数の上面及び基板ホルダの上面との間に液体が維持される。
リソグラフィシステムの照明光源は、例えば、水銀のg線源(436nm)又はi線源(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)又はFレーザ(157nm)などの光源にできる。投影系14は、レクチルを通じて基板26上に光の投影及び/又は焦点を合わせる。露光装置の設計に応じて、投影系14はレクチル上の照明された像を拡大又は縮小することができる。等倍システムにもできる。
エキシマレーザなどからの遠紫外放射を利用する場合、遠紫外線を透過させるシリカガラスやフッ化カルシウムなどのガラス材料を投影系14に用いることができる。投影系14は、反射屈折、完全屈折、又は完全反射にできる。
露光デバイスにおいて、反射屈折型光学系の利用を検討できる。反射屈折型光学系の例は米国特許第5668672号及び米国特許第5835275号に示されている。これらの例では、反射光学デバイスは、ビームスプリッタと凹面鏡を組み込んだ反射屈折光学系にできる。さらに、米国特許第5689377号では、ビームスプリッタ無しで、凹面鏡等を組み込んだ反射屈折型光学系を用いており、これを本発明で採用できる。上述の米国特許によって開示された内容はすべてここに援用する。
図2は、液体保持部材18の一実施形態の断面図である。図2に示すように、投影系14の最終光学素子16と基板26の上面の一部分との間のギャップ又は空間を含む液浸領域内に、液体保持部材18は、浸液80を保持する。図2において、基板26の上面の一部分のみを浸液20が占めるようにみえる。すなわち、基板の上面の一部分のみが覆われるように、液浸領域のサイズは基板26の上面のサイズよりも小さい。投影系14(及び液体保持部材18)に対する基板26の相対的な位置に応じて、基板上に、又は基板の一部分及び基板を囲む基板ホルダの一部分上に、又は基板ホルダの一部分のみの上に(例えば、投影系14の下方に基板が位置しないように前記基板が動かされた場合)、液浸領域を配置できる。さらに、投影系14に関する計測を行うために使用される計測ステージを露光装置が備える場合、計測ステージの上面と最終光学素子16との間に液浸領域を形成できる(計測ステージ上には基板ホルダは存在しないだろう)。
液体保持部材18は、液体供給口30を少なくとも一つ(及び二つ以上が望ましい)を備えており、その液体供給口30を介して液浸領域に浸液80が供給される。液体は供給路を通じて供給口30に供給され、供給口30の一端は液体供給15に接続され、他方の一端は液体保持部材18のインレットマニホールドに接続されている。供給口30に供給された液体は、保持部材18の中央に配置された開口35を通過した後に基板26に到達する。図2に示すように、投影系14を透過した露光光が、基板26に到達する前に浸液中のみを通過する(すなわち、露光光はいかなる空気や気体中を通過しない)ように、液体保持部材18と最終光学素子16との間の浸液のレベルが最終光学素子16の下面よりも上に保たれるように、浸液の供給と回収が制御される。
図2の実施形態によれば、液体保持部材18は出口部40を備える。図2の実施形態では、出口部40は開口35を囲む環状溝であり、また同様に液浸領域も囲む。液体は、出口部40を通じて液浸領域及び基板26の表面(及び/又は基板ホルダの表面)から除去される。液体保持部材18に対して少なくとも第1チャンバ42が部分的に配置されるように、出口部40は第1液体透過性部材52によって覆われている。第1液体透過性部材52の第1(下方)面は基板26に向かって面しており、その一方で第1液体透過性部材52の第2(上方)面はチャンバ42と接する。第1液体透過性部材の第1面から第2面に向かって第1液体透過性部材52を通過する液体は、このようにして第1チャンバ42に入る。
図2において出口部40(また同様に第1液体透過性部材52)は連続的な溝であり、この出口部40(また第1液体透過性部材52)は、集合的に液浸領域を囲みかつ第1チャンバと接続された、ひと続きの複数の円弧状部分、複数の直線部分、又は複数の角部分にできる。さらに、出口部は平面図において円形にでき、平面図において長方形やその他のあらゆる形にできる。
第2液体透過性部材54は第1チャンバ内に配置されるとともに、第1液体透過性部材52の第2(上方)面に対して離間し、かつ、前記第2面に面する第1(下方)面を有する。第2液体透過性部材54はさらに、第2液体透過性部材の第1面と対向しかつ第2チャンバ60と接する第2(上方)面を有する。第2チャンバ60はこのようにして第2液体透過性部材54と複数の壁又はその他の構造物によって定義される。
第1チャンバ42は、第1チャンバ42に吸引力を与える第1真空系V1と接続されている。吸引力は、第1液体透過性部材52を通じて第1チャンバ42内に浸液を吸引するのに十分な強さである。第1液体透過性部材52に与えられる吸引力が第1液体透過性部材52におけるバブルポイントよりも低位に維持されるように、第1真空系V1が制御される。すなわち、基板26の表面(及び/又は基板ホルダの表面)の気体を回収することなく、液浸領域から及び/又は第1液体透過性部材52を通じて基板26の表面(及び/又は基板ホルダの表面)から、実質的に液体のみを回収するように、第1真空系V1は第1チャンバ42内の圧力を制御する。しかしながら、第1真空系V1は、第1チャンバ42からの液体の除去を招くことはない。
一方で、第2チャンバ60と接続されている第2真空系V2は、第2液体透過性部材54を通じて第1チャンバ42内の液体を第2チャンバ60内に吸引する。第2チャンバ60内の液体は、その後に第2真空系V2によって与えられた吸引力によって第2チャンバ60から除去される。第2液体透過性部材54に与えられる吸引力が第2液体透過性部材54におけるバブルポイントよりも低位に維持されるように、第2真空系V2が制御される。すなわち、第1チャンバ42からの気体を回収することなく、第2液体透過性部材54を通じて第1チャンバ42から実質的に液体のみを回収するように、第2真空系V2は第2チャンバ60内の圧力を制御する。真空系V1及びV2は、例えば、米国特許出願公開第2006/0152697A1号及び米国特許出願公開第2007/0222967A1号に記載されている真空力を制御する系にでき、それらの開示の内容のすべてをここに援用する。
液体保持部材18を制御して液体を除去する方法を以下に述べる。
背景を示すために、米国特許出願公開第2006/0152697A1号に記載されているようなシステムについて述べる。米国特許出願公開第2006/0152697A1号のシステムは、第2チャンバ60と、第2液体透過性部材54又は第2真空系V2とが無いことを除き、本願の図2に示す内容と同様である。米国特許出願公開第2006/0152697A1号のシステムは、本願の図2に示す第1液体透過性部材54のような単一液体透過性部材を通じて浸液を単に吸引する。第1チャンバ42のような単一チャンバを液体が満たし、その液体は本願の図2のシステムV1のような単一真空系によりチャンバ42から吸引される。したがって、真空系と基板に面する液体透過性部材との間に非常に長い液体流路が存在する。そのため、前述のように、液体が最初に液体透過性部材の下面と接触するとき、長い液体流路内の液体を加速させるのに時間がかかり、液体の回収に遅れが生じる。さらに、例えば各基板の露光開始時と終了時などの流路内の流速が突然変化する場合、あるいは、例えば基板上の異なるショット領域の露光と露光の間などの基板の高速移動が生じる場合、長い液体流路は大きな圧力パルスの発生を招く。よって、液体透過性部材におけるバブルポイント突破を回避するために、真空制御系による吸引力は通常低減されており、液体透過性部材におけるバブルポイントを超える吸引力よりも実質的に低位である。このように、圧力パルスが存在する場合でも、真空力は液体透過性部材のバブルポイントを超えない。しかしながら、吸引力の低減は、例えば、液体が最初に液体透過性部材に接触した場合などの、液体回収系の反応性も低下させる。これは液体保持部材下からの液体漏れを招く可能性がある。吸引力の低減は、液体を回収可能な最大流速も低下させる。例えば、液体透過性部材のバブルポイントが2KPaであるシステムの場合、液体透過性部材に与えられる定常状態吸引力が約1KPaになるように、真空制御系が制御される。
本願の図2に記載されているシステムにおいては、第1チャンバ42内の第1液体透過性部材52の上方に非常に短い液体流路が設けられているために、第1真空制御システムV1によって第1液体透過性部材のバブルポイントに非常に近い吸引力を第1液体透過性部材に与えることができる。具体的には、液体流路の長さは、第2液体透過性部材54の下面と第1液体透過性部材52の上面との間の距離と、ほぼ同じである。この距離は3mmの小ささにできる。
第1液体透過性部材52の上方に短い液体流路が設けられているために、第1液体透過性部材52の下面に液体が最初に接触した際に液体吸引の実質的な遅れが生じない。さらに、第1液体透過性部材52の上方に形成された短い液体流路は、流路内の流速が突然変化した場合でも、大きな圧力パルスを生じさせない。したがって、第1液体透過性部材52のバブルポイントに非常に近い吸引力を第1液体透過性部材に与えるように、第1真空制御系V1を制御可能である。このように、第1液体透過性部材52を通過する液体流量の変化量に関わらず、第1液体透過性部材52で生じる条件は非常に安定している。
第2液体透過性部材54を通過する流量の制御は、単一液体透過性部材を有するシステムを通過する流量の制御に関して上述された内容と同様である。具体的には、第2真空制御系V2によって第2液体透過性部材54に与えられた吸引力が第2液体透過性部材54のバブルポイントよりも十分に低位に維持され、これにより、液体の流量に突然の変化がある場合に、第2液体透過性部材54において生じうる大きな圧力パルスが第2液体透過性部材54のバブルポイントを超えないようにされる。その一方で、流量の変化が大きい場合には、第2液体透過性部材54を通じて十分な速さで初期吸引できない過剰な液体が第1チャンバ42内に収容される(すなわち、第1液体透過性部材52を通じて流量が突然増加する場合に第1チャンバ42内の液体のレベルが上昇する)。しかしながら、いったんその流量の急上昇が低下し、第2液体透過性部材54を通じた流量がより安定状態に達すると、第1チャンバ42内の液体のレベルは、図2に示す定常状態に達するまで徐々に低下していく。
図2中では第2液体透過性部材54は実質的に水平に配置されているように示されているが、液体流量が少量の場合にフラットで水平な部材54の下面の下方に空気泡が閉じ込められる可能性があるため、第2液体透過性部材54の表面全体に沿って第2液体透過性部材54が非水平に配置されるのが好ましい。したがって、図3及び図4に示す代替的な実施形態が備える第2液体透過性部材において、第2液体透過性部材の下面と第1液体透過性部材の上面との間の距離が、第2液体透過性部材の異なる複数の部分で変化する。
図3に示す一実施形態において、第2液体透過性部材54aの一部分が、第2液体透過性部材54aの他の一部分よりも第1液体透過性部材52により接近するように、第2液体透過性部材54aが傾斜している。
図4に示す一実施形態において、第2液体透過性部材54bの異なる複数の部分が、第1液体透過性部材52から異なる距離に配置されるように、第2液体透過性部材54bが凸である。
流速が増加するにしたがって、第2液体透過性部材54a又は54bのより多くの領域がチャンバ42内の液体と接触するようになり、そのため第2液体透過性部材54a/54bを通過する流量の容量が増加し、その結果、第1液体透過性部材52を通過する流量の変化に対してより速やかな対応が可能になる、といった点においても図3及び図4の実施形態は有利である。
いくつかの実施形態において、浸液は高い屈折率を有する液体である。別のいくつかの実施形態では、液体は純水、又は、これらに限らないが、シダー油、フッ素化油、“デカリン”又は“ペルヒドロピレン(Perhydropyrene)”などを含む、液体であってもよい。
第1液体透過性部材52又は第2液体透過性部材54、又は第1液体透過性部材と第2液体透過性部材の両方が、メッシュ又は通常150μmよりも孔径が小さい孔を有する多孔質材で形成される多孔質部材であってもよい。例えば、多孔質部材は、金属材料を用いて織られた部材又は金属、プラスチックなど、多孔質金属、多孔質ガラス、多孔質プラスチック、多孔質セラミック、スポンジなどの材料から形成された多層構造物、又は化学的にエッチング(例えば、フォトエッチングによって)によって形成された孔を有する材料のシート、を有するワイヤメッシュであってもよい。第1液体透過性部材と第2液体透過性部材は構造が同一であってもよく、又は孔のサイズ、厚さおよび空隙率のうち一つ又はそれ以上の点で異なってもよい。いくつかの実施形態において、第1液体透過性部材52に与えられる吸引力が第1液体透過性部材52のバブルポイントで維持又はより高位で維持されるように、第1真空制御系V1が制御されてもよい。すなわち、液体と気体の混合体が、液浸領域から回収される及び/又は基板26の表面(及び/又は基板ホルダの表面)から第1液体透過性部材52を通じて回収されるように、第1真空制御系V1によって第1チャンバ42内の圧力を制御してもよい。いくつかの実施形態において、第2液体透過性部材54に与えられる吸引力が第2液体透過性部材54のバブルポイントで維持又はより高位で維持されるように、第2真空制御系V2が制御されてもよい。すなわち、液体と気体の混合体が第1チャンバ42から第2液体透過性部材54を通じて回収されるように、第2真空制御系V2によって第2チャンバ60内の圧力を制御してもよい。
ここに記載されている露光装置の利用は、半導体製造のためのフォトリソグラフィ系に限らない。露光装置は、例えば、液晶ディスプレイ素子パターンを矩形ガラスプレート上に露光するLCDフォトリソグラフィ系、又は薄膜磁気ヘッド製造用のフォトリソグラフィ系として用いることができる。
図5で概略的に示す工程によって、上述された系を用いて半導体デバイスを加工することができる。ステップ801においてデバイスの機能や性能特性が設計される。続いて、ステップ802において、前設計工程に従ってパターンを有するマスク(レクチル)が設計され、ステップ803において、シリコン材料からウエハが作製される。ステップ804において、本発明の態様にかかる上述のフォトリソグラフィ系によって、ステップ802で設計されたマスクパターンがステップ803からのウエハ上に露光される。ステップ805において、半導体デバイスが組み立てられる(ダイシング工程、ボンディング工程、及び梱包工程を含む)。最終的に、ステップ806においてデバイスが検査される。
図6は、半導体デバイスの加工における上述したステップ804の詳細なフローチャートの一例を示す。図6のステップ811(酸化ステップ)において、ウエハ表面が酸化される。ステップ812(CVDステップ)において、ウエハ表面に絶縁膜が形成される。ステップ813(電極形成ステップ)において、蒸着によってウエハ上に電極が形成される。ステップ814(イオン注入ステップ)において、ウエハにイオンが注入される。上述したステップ811〜814は、ウエハ処理におけるウエハに対する前処理工程を形成し、処理要求に応じて各ステップが選択される。
ウエハ処理の各段階において、上述した前処理手順が完了すると、後述の後処理段階が実行される。後処理では、まず、ステップ815(フォトレジスト形成ステップ)において、フォトレジストがウエハに塗布される。続いて、ステップ816(露光ステップ)において、上述した露光デバイスを使用してマスク(レクチル)の回路パターンをウエハに転写する。そしてステップ817(現像ステップ)では露光されたウエハを現像し、ステップ818(エッチングステップ)では、残留フォトレジスト以外(露光された材料表面)の部分をエッチングにより除去する。ステップ819(フォトレジスト除去ステップ)では、エッチング後に残る不要なフォトレジストを除去する。これらの前処理と後処理手順の繰り返しによって、多重の回路パターンが形成される。
上記の実施形態にかかるフォトリソグラフィシステム(露光装置)は、所定の機械的精度、電気的精度、及び光学的精度を保つように、各種サブシステムを組み立てることで構成される。各種精度を保つために、この組み立ての前後には、各光学系について、光学的精度を達成するために調整が行われる。同様に、各機械系及び各電気系について、それぞれの機械的及び電気的精度を得るための調整が行われる。各サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程は、サブシステム間の、機械的な接続、電気回路の配線接続、及び気圧回路の配管接続を含む。各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立ての前に、各サブシステムも組み立てられる。各種サブシステムを用いてフォトリソグラフィシステムが一旦組み立てられると、総合的な調整が行われ、完成したフォトリソグラフィシステムの精度の維持が確認される。なお、露光システムの製造は温度及びクリーン度が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
好ましい実施形態に言及して本発明について述べてきたが、本発明はこれらの好ましい実施形態や構成に限定されないことは言うまでもない。本発明は、種々の変形及び等価なアレンジを含むものとする。また、各種組み合わせ及び構成で示した好ましい実施形態の各種要素は代表例であり、より多く、より少なく、又は単一の要素を含む、他の組み合わせ及び構成も本発明の範囲に含まれる。

Claims (46)

  1. 液浸リソグラフィシステムにおける投影系と露光対象物との間のギャップを含む液浸領域に浸液を保持するため、また前記液浸領域から前記浸液を回収するための浸液保持装置であって、
    出口部と、前記対象物に投影されるパターン像が通過する開口とを含む保持部材と、
    前記出口部を覆うとともに、前記対象物に面する第1面と、第1チャンバと接しかつ前記第1面と対向する第2面とを有する、第1液体透過性部材と、
    前記第1液体透過性部材の前記第2面に隣接しかつ離間して配置される第2液体透過性部材であり、前記第1液体透過性部材の前記第2面に面する第1面と、前記第2液体透過性部材の前記第1面と対向する第2面とを有するとともに、前記第2液体透過性部材の前記第2面が前記第1チャンバと異なる第2チャンバと接する、前記第2液体透過性部材と、を備えた装置。
  2. 前記第2液体透過性部材と前記第1液体透過性部材との間の距離が、前記第2液体透過性部材の前記第1面における異なる複数の部分で変化する請求項1記載の装置。
  3. 前記第2液体透過性部材の前記第1面が凸である請求項2記載の装置。
  4. 前記第2液体透過性部材が前記第1液体透過性部材に対して傾斜している請求項2記載の装置。
  5. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つがメッシュである請求項1記載の装置。
  6. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つが多孔質材である請求項1記載の装置。
  7. 前記多孔質材がスポンジである請求項6記載の装置。
  8. 前記多孔質材が、その中を通して伸びる複数の孔を有するプレートである請求項6記載の装置。
  9. 前記第1液体透過性部材の前記第2面と前記第2液体透過性部材の前記第1面の間との距離が、少なくとも約3mmである請求項1記載の装置。
  10. 前記第1液体透過性部材と前記第2液体透過性部材とは、孔のサイズ、厚さ、および空隙率のうち少なくとも一つが異なる請求項1記載の装置。
  11. 液浸リソグラフィシステムにおける投影系と露光対象物との間のギャップを含む液浸領域内に浸液を保持するため、また前記液浸領域から前記浸液を回収するための浸液保持装置であって、
    出口部と、前記対象物に投影されるパターン化された像が通過する開口とを含む保持部材と、
    前記出口部を覆うとともに、前記対象物に面する第1面と、第1チャンバと接しかつ前記第1面と対向する第2面を有する、第1液体透過性部材と、
    対向する第1面及び第2面を有する第2液体透過性部材であり、前記第2液体透過性部材の前記第1面が前記第1チャンバと接するとともに、前記第2液体透過性部材の前記第2面が前記第1チャンバと異なる第2チャンバと接する、前記第2液体透過性部材と、を備えた装置。
  12. 前記第1液体透過性部材が水平に配置され、前記第2液体透過性部材の前記第1面が前記第1液体透過性部材の前記第2面に対して垂直方向に離れた位置に配置される、請求項11記載の装置。
  13. 前記第2液体透過性部材の前記第1面と前記第1液体透過性部材の前記第2面との間の垂直方向の距離が、前記第2液体透過性部材の前記第1面における異なる複数の部分で変化する請求項12記載の装置。
  14. 前記第2液体透過性部材の前記第1面が凸である請求項13記載の装置。
  15. 前記第2液体透過性部材が前記第1液体透過性部材に対して傾斜している請求項13記載の装置。
  16. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つがメッシュである請求項11記載の装置。
  17. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つが多孔質材である請求項11記載の装置。
  18. 前記多孔質材がスポンジである請求項17記載の装置。
  19. 前記多孔質材が、その中を通して伸びる複数の孔を有するプレートである請求項17記載の装置。
  20. 前記第1液体透過性部材の前記第2面と前記第2液体透過性部材の前記第1面との間の垂直方向の距離が、少なくとも約3mmである請求項11記載の装置。
  21. 最終光学素子を有する投影系と、
    可動ステージであり、前記最終光学素子と前記可動ステージの表面との間にギャップが存在しかつ前記表面と前記最終光学素子との間の前記ギャップに浸液が満たされるように前記投影系の下方位置に移動可能な、前記可動ステージと、
    前記表面と前記最終光学素子との間に液浸を維持する保持部材と、を備え、
    前記保持部材は、
    出口部と、
    前記投影系によって前記浸液を通じて前記可動ステージ上に投影されるパターン像が通過する開口と、
    前記出口部を覆うとともに、前記ステージの前記表面と面する第1面と、第1チャンバと接し前記第1面と対向する第2面とを有する、第1液体透過性部材と、
    前記第1液体透過性部材の前記第2面に隣接しかつ離間して配置される第2液体透過性部材であり、前記第1液体透過性部材の前記第2面に面する第1面と、前記第2液体透過性部材の前記第1面と対向する第2面とを有するとともに、前記第2液体透過性部材の前記第2面が前記第1チャンバと異なる第2チャンバと接する、前記第2液体透過性部材と、
    を有する、液浸リソグラフィ装置。
  22. 前記第1液体透過性部材の前記第1面から前記第1液体透過性部材の前記第2面へ前記第1液体透過性部材内を通して、前記浸液を前記第1チャンバ内に吸引するように、前記第1チャンバに接続された第1真空系をさらに備える請求項21記載の装置。
  23. 前記第2チャンバに接続された第2真空系をさらに備え、前記第2真空系によって前記第2液体透過性部材内を通して前記第1チャンバから前記第2チャンバに前記浸液を吸引する、請求項22記載の装置。
  24. 前記第2液体透過性部材と前記第1液体透過性部材との間の距離が、前記第2液体透過性部材の前記第1面の異なる複数の部分で変化する請求項21記載の装置。
  25. 前記第2液体透過性部材の前記第1面が凸である請求項24記載の装置。
  26. 前記第2液体透過性部材が前記第1液体透過性部材に対して傾斜している請求項24記載の装置。
  27. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つがメッシュである請求項21記載の装置。
  28. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つが多孔質材である請求項21記載の装置。
  29. 前記多孔質材がスポンジである請求項28記載の装置。
  30. 前記多孔質材が、その中を通して伸びる複数の孔を有するプレートである請求項28記載の装置。
  31. 前記第1液体透過性部材の前記第2面と前記第2液体透過性部材の前記第1面との間の距離が、少なくとも約3mmである請求項21記載の装置。
  32. 前記第1液体透過性部材と前記第2液体透過性部材とは、孔のサイズ、厚さ、および空隙率のうち少なくとも一つが異なる請求項21記載の装置。
  33. 前記保持部材が前記投影系の最終光学素子を実質的に囲む請求項21記載の装置。
  34. 前記ステージは、基板ホルダを有し、
    前記基板ホルダの上面、前記基板ホルダに保持された基板の上面、又はその両方が、前記最終光学素子との間に前記ギャップを形成する前記表面に相当する、請求項21記載の装置。
  35. 請求項21記載の装置における前記投影系及び浸液を通じて基板上にパターン化された像を投影して前記基板を露光することと、
    露光された前記基板を現像すること、
    を含むデバイス製造方法。
  36. 液浸リソグラフィシステムにおける投影系と露光対象物との間のギャップを含む液浸領域からの浸液回収方法であって、
    前記液浸領域から前記第1液体透過性部材内を通じて保持部材の少なくとも一部の範囲内に配置される第1チャンバ内に前記浸液を吸引する工程であり、前記保持部材は、出口部と、対象物に投影されるパターン像が通過する開口とを有し、前記出口部は、前記出口部を覆う前記第1液体透過性部材を有し、前記第1液体透過性部材は、前記対象物に面する第1面と、前記第1チャンバと接しかつ前記第1面と対向する第2面とを有する、前記工程と、
    前記第1チャンバから第2液体透過性部材内を通じて第2チャンバ内に前記浸液を吸引する工程であり、前記第2液体透過性部材は、第1チャンバと第2チャンバとの間の境界に配置されかつ、前記第1液体透過性部材の前記第2面に面しかつ離間して配置される第1面と、前記第2液体透過性部材の前記第1面と対向しかつ前記第2チャンバと接する第2面とを有する、前記工程と、
    を含む浸液回収方法。
  37. 前記第1チャンバを第1真空系に接続することにより前記浸液が前記第1液体透過性部材を通じて前記第1チャンバに吸引され、前記第2チャンバを第2真空系に接続することにより前記浸液が前記第2液体透過性部材を通じて前記第2チャンバに吸引される請求項36記載の方法。
  38. 前記第2液体透過性部材と前記第1液体透過性部材との間の距離が、前記第2液体透過性部材の前記第1面の異なる複数の部分で変化する請求項36記載の方法。
  39. 前記第2液体透過性部材の前記第1面が凸である請求項38記載の方法。
  40. 前記第2液体透過性部材が前記第1液体透過性部材に対して傾斜している請求項38記載の方法。
  41. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つがメッシュである請求項36記載の方法。
  42. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材の少なくとも一つが多孔質材である請求項36記載の方法。
  43. 前記多孔質材がスポンジである請求項42記載の方法。
  44. 前記多孔質材が、その中を通して伸びる複数の孔を有するプレートである請求項42記載の方法。
  45. 前記第1液体透過性部材の前記第2面と前記第2液体透過性部材の前記第1面との間の距離が、少なくとも約3mmである請求項36記載の方法。
  46. 前記第1液体透過性部材および前記第2液体透過性部材が、穴のサイズ、厚さ、および空隙率のうち少なくとも一つが異なる請求項36記載の方法。
JP2011533300A 2008-10-22 2009-10-21 複数の多孔質材料を用いた多孔質材料における真空制御装置及び制御方法 Expired - Fee Related JP5682830B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US19301908P 2008-10-22 2008-10-22
US61/193,019 2008-10-22
US27229209P 2009-09-09 2009-09-09
US61/272,292 2009-09-09
US12/573,356 US8477284B2 (en) 2008-10-22 2009-10-05 Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US12/573,356 2009-10-05
PCT/US2009/061499 WO2010048299A1 (en) 2008-10-22 2009-10-21 Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012506641A true JP2012506641A (ja) 2012-03-15
JP2012506641A5 JP2012506641A5 (ja) 2012-12-20
JP5682830B2 JP5682830B2 (ja) 2015-03-11

Family

ID=42108386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011533300A Expired - Fee Related JP5682830B2 (ja) 2008-10-22 2009-10-21 複数の多孔質材料を用いた多孔質材料における真空制御装置及び制御方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8477284B2 (ja)
JP (1) JP5682830B2 (ja)
KR (1) KR101647859B1 (ja)
CN (1) CN102257429B (ja)
TW (1) TWI475329B (ja)
WO (1) WO2010048299A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017522600A (ja) * 2014-07-24 2017-08-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2003226A (en) 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
US8634055B2 (en) * 2008-10-22 2014-01-21 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8477284B2 (en) 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
JP5001343B2 (ja) * 2008-12-11 2012-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法
US20110222031A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US8937703B2 (en) * 2010-07-14 2015-01-20 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013863A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
US20120013864A1 (en) * 2010-07-14 2012-01-19 Nikon Corporation Liquid immersion member, immersion exposure apparatus, liquid recovering method, device fabricating method, program, and storage medium
TWI529380B (zh) * 2013-12-31 2016-04-11 玉晶光電股份有限公司 Optical auxiliary measuring device and measuring method for applying the same
US11543754B1 (en) 2021-06-16 2023-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extractor piping on outermost sidewall of immersion hood apparatus

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191344A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005104195A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006060223A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007504662A (ja) * 2003-09-03 2007-03-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP2007294947A (ja) * 2006-04-14 2007-11-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009267235A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Canon Inc 露光装置
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3747958B2 (ja) * 1995-04-07 2006-02-22 株式会社ニコン 反射屈折光学系
JPH08171054A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH1020195A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
KR100588124B1 (ko) * 2002-11-12 2006-06-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
TWI232357B (en) * 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101157002B1 (ko) * 2002-12-10 2012-06-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR20110104084A (ko) * 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
JP4656057B2 (ja) * 2003-04-10 2011-03-23 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子
KR20170064003A (ko) * 2003-04-10 2017-06-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
CN106444292A (zh) * 2003-04-11 2017-02-22 株式会社尼康 沉浸式光刻装置、清洗方法、器件制造方法及液体沉浸式光刻装置
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1644970A4 (en) * 2003-07-15 2008-04-30 Ebara Corp ELECTROLYTIC PROCESSING DEVICE AND ELECTROLYTIC PROCESSING METHOD
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4378136B2 (ja) * 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1747499A2 (en) * 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
CN100541719C (zh) * 2005-04-25 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法
US20090021706A1 (en) * 2005-06-01 2009-01-22 Nikon Corporation Immersion fluid containment system and method for immersion lithogtraphy
US7751026B2 (en) * 2005-08-25 2010-07-06 Nikon Corporation Apparatus and method for recovering fluid for immersion lithography
US7804577B2 (en) * 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7532309B2 (en) * 2006-06-06 2009-05-12 Nikon Corporation Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid
JP2008034801A (ja) * 2006-06-30 2008-02-14 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法
US20080043211A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US8068209B2 (en) * 2007-03-23 2011-11-29 Nikon Corporation Nozzle to help reduce the escape of immersion liquid from an immersion lithography tool
US7576833B2 (en) * 2007-06-28 2009-08-18 Nikon Corporation Gas curtain type immersion lithography tool using porous material for fluid removal
US8289497B2 (en) * 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
NL1036715A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
NL2003226A (en) * 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
US8477284B2 (en) 2008-10-22 2013-07-02 Nikon Corporation Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504662A (ja) * 2003-09-03 2007-03-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP2005191344A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
WO2005104195A1 (ja) * 2004-04-19 2005-11-03 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006060223A (ja) * 2004-08-19 2006-03-02 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2007294947A (ja) * 2006-04-14 2007-11-08 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009267235A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Canon Inc 露光装置
JP2010098172A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Canon Inc 液体回収装置、露光装置及びデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017522600A (ja) * 2014-07-24 2017-08-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体ハンドリング構造、液浸リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法
US10120290B2 (en) 2014-07-24 2018-11-06 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, immersion lithographic apparatus, and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
US20100097585A1 (en) 2010-04-22
US9329492B2 (en) 2016-05-03
TW201020694A (en) 2010-06-01
TWI475329B (zh) 2015-03-01
KR20110087296A (ko) 2011-08-02
JP5682830B2 (ja) 2015-03-11
CN102257429A (zh) 2011-11-23
US20130286366A1 (en) 2013-10-31
US8477284B2 (en) 2013-07-02
CN102257429B (zh) 2014-04-30
WO2010048299A1 (en) 2010-04-29
KR101647859B1 (ko) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5682830B2 (ja) 複数の多孔質材料を用いた多孔質材料における真空制御装置及び制御方法
JP6390592B2 (ja) 露光装置、及びデバイス製造方法
JP5741875B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
US8934080B2 (en) Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US9519229B2 (en) Apparatus and methods for inhibiting immersion liquid from flowing below a sustrate
US20080043211A1 (en) Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
JP2009117871A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2010093299A (ja) 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、及びデバイス製造方法
US8634055B2 (en) Apparatus and method to control vacuum at porous material using multiple porous materials
JP4752320B2 (ja) 基板保持装置及び露光装置、基板保持方法、露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2010040702A (ja) ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
KR20090034736A (ko) 노광장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JP2011222652A (ja) 基板ステージ、露光装置及び液浸露光方法、並びにデバイス製造方法
US20100220301A1 (en) Apparatus and method to control liquid stagnation in immersion liquid recovery

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121019

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121019

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121019

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141003

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5682830

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees