JP2012501250A - 可変シールドガス組成を使用した高品質の穴切断 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】輪郭を切断している間、シールドガス流れが第1のシールドガス組成を含み、穴を切断している間、シールドガス流れが第2のシールドガス組成を含むように、ノズル、電極、およびシールドガス流れの組成を制御する制御ユニットを含むプラズマトーチ先端構成を有するプラズマトーチシステム用の方法および装置。
【選択図】図4
Description
[022]これらの特徴およびその他の特徴は、例示的であり、必ずしも縮尺通りではない添付の図面と共に読めば、以下の詳細な説明を参照することによって、より完全に理解されよう。
G91 インクリメンタルプログラムモード
G59 V503 F1.01 穴用のカスタム切断チャートをロードする
G59 V504 F130 穴用のカスタム切断チャートをロードする
G59 V505 F3 穴用のカスタム切断チャートをロードする
G59 V507 F31 穴用のカスタム切断チャートをロードする
G00X1.7500Y−1.7500 穴の中心に移動する
M07 プラズマスタート
G03X−0.0970I−0.0485 穴モーション
G03X0.0015Y0.0168I0.0970 穴モーション
G03X0.0212Y−0.0792I0.0955J−0.0168 穴モーション
M08 プラズマ停止
G59 V503 F1 輪郭切断用の切断チャートをロードする
G59 V504 F130 輪郭切断用のカスタム切断チャートをロードする
G59 V505 F2 輪郭切断用のカスタム切断チャートをロードする
G59 V507 F31 輪郭切断用のカスタム切断チャートをロードする
G00X−1.6757Y1.5624 輪郭開始位置に移動する
M07 プラズマスタート
G01X0.2500 輪郭モーション
G01X3.0000 輪郭モーション
G01Y−3.0000 輪郭モーション
G01X−3.0000 輪郭モーション
G01Y3.0000 輪郭モーション
G01Y0.2500 輪郭モーション
M08 プラズマ停止
M02 プログラム終了
[0040]いくつかの実施形態では、コンピュータ読取可能製造物は、切断チャートと呼ばれている。いくつかの実施形態では、コンピュータ読取可能製造物(図示されない)、または切断チャートは、トーチ41が加工物において輪郭を切断しているときは、第1のシールドガスを選択し、同じ加工物においてトーチが穴を切断しているときは、第2のシールドガス組成を選択する指令を含む切断情報を含む。いくつかの実施形態では、切断チャートは、輪郭切断部または穴切断部の、切断のタイプに基づいたシールドガス組成を選択する情報を含む。いくつかの実施形態では、CNCは、切断チャートに含まれる指令に応じて、1つのシールドガスから別のシールドガスにすばやく切り替えることができる。いくつかの実施形態では、トーチのオペレータは、シールドガス組成を選択し、CNC12は、たとえばトーチのオペレータからの情報の入力に基づいたプラズマガス供給ラインバルブ44のみを制御するための信号を提供する。
Claims (29)
- 加工物において穴および輪郭を切断する方法であって、
プラズマチャンバを画成するノズルおよび電極を有するプラズマアークトーチ、前記プラズマチャンバ内で生成されたプラズマアーク、シールドガス流れを前記プラズマアークトーチに供給するシールドガス供給ライン、およびシールドガス組成を含む切断パラメータを制御するための制御ユニットを提供するステップと、
前記ノズルおよび電極を変更せずに前記穴および前記輪郭を切断するために前記プラズマアークトーチを使用するステップと、
前記輪郭が切断される場合に、前記シールドガスが第1のシールドガス組成を含み、前記穴が切断される場合に、前記シールドガスが第2のシールドガス組成を含むように前記切断パラメータを制御するステップであって、前記第1のシールドガス組成が前記第2のシールドガス組成と異なるステップを含む方法。 - 請求項1に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記切断パラメータを制御するステップが、前記加工物の厚さに対する前記穴の直径の比率に従って前記第2のシールドガス組成を制御するステップをさらに含むことができるプラズマトーチシステム。
- 請求項2に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記比率が2.5以下であるプラズマトーチシステム。
- 請求項1に記載の方法において、前記切断パラメータを制御する前記ステップが、前記第2のシールドガス組成が、前記第1のシールドガス組成よりも総シールドガス体積の割合として少ない窒素を含み、それによって前記穴の円筒度が実質的に低下するように、前記シールドガス流れにおける窒素の量を制御するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、
プラズマトーチシステムに使用するCNCで動作可能な、情報担体において有形に具体化される、コンピュータ読取可能製造物を提供するステップであって、前記コンピュータ読取可能製造物が、前記輪郭を切断しているとき、前記第1のシールドガス組成を選択し、前記穴を切断しているとき、前記第2のシールドガス組成を選択する指令を含む前記プラズマアークトーチに関する切断情報を含むステップをさらに含む方法。 - 請求項5に記載の方法において、加工物の前記厚さに対する前記穴の直径の比率に従って前記第2のシールドガス組成を選択するステップをさらに含む方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記輪郭が切断されているときの前記トーチの切断速度と比べて、前記穴が切断されているときに前記トーチの切断速度が低下される方法。
- 請求項1に記載の方法において、前記輪郭が切断されているときの前記シールドガスの流量と比べて、前記穴が切断されているときに前記シールドガスの流量が低下される方法。
- プラズマトーチ切断動作において小さな内側フィーチャの切断特性を改善する方法であって、
第2のシールドガス組成を使用して小さな内側フィーチャを切断するステップであって、前記小さな内側フィーチャが、加工物の予期した輪郭切断部の中で加工物に配置されるステップと、
第1のシールドガス組成を使用して、前記予期した輪郭切断部に対応する輪郭を切断するステップとを含む方法。 - 請求項9に記載の方法において、前記第2のシールドガス組成が、穴の縁の傾斜が実質的になくなるように、前記第1のシールドガス組成よりも少ない窒素を含む方法。
- プラズマチャンバ内で生成されたプラズマアークが加工物を切断するために使用されるように、前記プラズマチャンバを画成するノズルおよび電極、ならびにシールドガス流れを前記プラズマトーチに送るシールドガス供給ラインを含むプラズマアークトーチを使用して、前記加工物において穴および輪郭を切断する方法において、
前記加工物において前記穴を切断するステップであって、前記シールドガス流れが、前記穴の縁の傾斜が実質的になくなるように選択される第2のシールドガス組成を含むステップと、
輪郭を切断するステップであって、前記シールドガス流れが第1のシールドガス組成を含むステップと、
前記穴を切断する間、前記第2のシールドガス組成が前記第1のシールドガス組成よりも少ない窒素を含むように、前記第1のシールドガス組成および前記第2のシールドガス組成を制御するステップとを含む方法。 - 請求項11に記載の方法において、
プラズマトーチシステムに使用するCNCで動作可能な、情報担体において有形に具体化される、コンピュータ読取可能製造物を提供するステップであって、前記コンピュータ読取可能製造物が、前記輪郭を切断しているとき、前記第1のシールドガス組成を選択し、前記穴を切断しているとき、前記第2のシールドガス組成を選択する指令を含む前記プラズマアークトーチに関する切断情報を含むステップをさらに含む方法。 - 請求項12に記載の方法において、加工物の前記厚さに対する前記穴の直径の比率に従って前記第2のシールドガス組成を選択するステップをさらに含む方法。
- プラズマアークトーチを使用して加工物において穴を切断する方法であって、前記プラズマアークトーチが高電流消耗部品を含み、前記高電流消耗部品は、プラズマチャンバを画定するノズルおよび電極を含む方法において、
50アンペアを超えるアーク電流を使用して前記プラズマチャンバ内でプラズマアークを生成するステップと、
前記穴が切断されているとき、前記穴の縁の傾斜が実質的になくなるように、前記シールドガス組成が窒素の量を含むように、シールドガス流れのシールドガス組成を制御するステップとを含む方法。 - 加工物において穴および輪郭を切断するためのプラズマトーチシステムであって、
ノズルおよび電極を含むプラズマトーチチップ構成であって、前記ノズルおよび電極が、プラズマチャンバを画成し、プラズマアークが前記プラズマチャンバ内で生成されるプラズマトーチチップ構成と、
シールドガス流れを前記プラズマトーチチップに提供するためのシールドガス供給ラインと、
前記シールドガス流れの組成を制御するための制御ユニットとを含み、改善が、
前記制御ユニットで動作可能な、情報担体において有形に具体化されたコンピュータ読取可能製造物であって、前記輪郭を切断しているときは、第1のシールドガス組成を選択し、前記穴を切断しているときは、第2のシールドガス組成を選択する指令を含む前記プラズマアークトーチシステムに関する切断情報を含む、前記コンピュータ読取可能製造物を含むプラズマトーチシステム。 - 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、第2のシールドガス組成が、前記穴の縁の傾斜が実質的になくなるように、前記第1のシールドガス組成よりも少ない窒素を含むプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記加工物が軟鋼であり、前記第1のシールドガス組成が空気であり、前記第2のシールドガス組成が酸素であるプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記第2のシールドガス組成が、穴切断の間に基本的に酸素からなるプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、第2のシールドガスが、1つまたは複数のヘリウム、酸素、および窒素からなるプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記トーチの切断速度が穴切断の間に低下されるプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記シールドガス流れの流量が、前記輪郭を切断しているときの前記シールドガスの流量と比べて、前記穴を切断するときに低下されるプラズマトーチシステム。
- 請求項15に記載のプラズマトーチシステムにおいて、前記第1のシールドガス組成が空気であるプラズマトーチシステム。
- 情報担体に有形に具体化され、プラズマアークトーチシステムにおいて使用するためのCNCで動作可能なコンピュータ読取可能製造物であって、
穴を切断している間は、シールドガス流れが第2のシールドガス組成を含み、輪郭が切断されているときは、前記シールドガス流れが第1のシールドガス組成を含むような指令を含む、プラズマアークトーチを使用して加工物から前記穴および前記輪郭を切断するための切断情報を含むコンピュータ読取可能製造物を含む構成要素。 - 請求項23に記載の構成要素において、前記切断情報が、穴が切断されるとき、制御ユニットが前記加工物の厚さに対する前記穴の直径の比率に従って前記第2のシールドガス組成を制御するような指令をさらに含む構成要素。
- シールドガス流れの組成を含むプラズマトーチの切断パラメータを制御するためのコンピュータ数値制御装置であって、
プロセッサと、
電子記憶デバイスと、
制御指令をプラズマアークトーチに提供するインターフェースと、
前記プラズマトーチが加工物において穴を切断するか輪郭を切断するかに従って、制御装置が、前記シールドガス流れの前記組成を制御するように、前記プラズマトーチに関する前記シールドガス流れの前記組成を選択するための参照表とを備える制御装置。 - プラズマガスおよびシールドガスを使用してトーチ内に装着された電極とノズルの間でイオン化されたガスのプラズマアークを生成するプラズマアークトーチによって、加工物において輪郭および穴をプラズマアーク切断するプロセスにおいて、改善が、
前記加工物において前記輪郭を切断するステップであって、前記シールドガスが第1のシールドガス組成を有するステップと、
前記シールドガスを前記第1のシールドガス組成から第2のガス組成に変更するステップと、
前記第2のシールドガス組成を使用することによって前記穴切断の傾斜を低下させるように、前記第2のシールドガス組成を使用して、前記ノズルおよび電極を変更することなしに前記加工物において前記穴を切断するステップとを含むプロセス。 - プラズマガスおよびシールドガスを使用してトーチ内に装着された電極とノズルの間でイオン化されたガスのプラズマアークを生成するプラズマアークトーチによって、加工物において輪郭および穴をプラズマアーク切断するプロセスにおいて、改善が、
前記加工物において前記穴を切断するステップであって、前記シールドガスが第2のシールドガス組成を有するステップと、
前記シールドガスを前記第2のシールドガス組成から第1のガス組成に変更するステップと、
前記第2のシールドガス組成を使用することによって前記穴切断の傾斜を低下させるように、前記第1のシールドガス組成を使用して、前記ノズルおよび電極を変更することなしに前記加工物において前記輪郭を切断するステップとを含むプロセス。 - 請求項26または27に記載のプロセスにおいて、前記穴を切断する前記ステップが、前記輪郭を前記切断するステップの間に、前記トーチの切断速度未満の前記トーチの切断速度をさらに備えるプロセス。
- 請求項26または27に記載のプロセスにおいて、前記穴を切断する前記ステップが、前記輪郭を前記切断するステップの間のシールドガス流れと比較して低減されるシールドガス流れをさらに備えるプロセス。
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