JP2012500890A - 溶融加工性、射出成形性熱可塑性ポリマー組成物およびそれを用いて製造される半導体デバイス - Google Patents

溶融加工性、射出成形性熱可塑性ポリマー組成物およびそれを用いて製造される半導体デバイス Download PDF

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Abstract

熱可塑性水素化ビニル芳香族/共役ジエンブロックポリマー組成物、特に、水素化スチレン/ブタジエントリブロック組成物は、光学的透明性、熱安定性、耐紫外線性、溶融加工性および射出成形性の1つまたは複数を備えるという点で、LED封止材料として十分に機能を果たす。得られるLEDは、固化しまたは堅くなった後、通常のはんだリフロー条件下で耐変形性を有する。

Description

本願は、2008年8月25日に出願された、「MELT−PROCESSABLE, INJECTION−MOLDABLE THERMOPLASTIC POLYMER COMPOSITION AND SEMI−CONDUCTIVE DEVICES FABRICATED THEREWITH」という名称の米国特許仮出願第61/091484号による優先権を主張する本出願であり、該仮出願の教示は、以下に完全に再現されるように、参照によって、本明細書に組み込まれる。
本発明は、一般に、熱可塑性ポリマー組成物、特に、光学的に透明で、熱安定性、耐紫外線性、溶融加工性、および射出成形性である熱可塑性ポリマー組成物、ならびに、このような組成物の、半導体デバイスの製造における使用、特に、このような組成物の、発光ダイオード(LED)を封止するための使用に関する。より詳細には、本発明は、水素化ビニル芳香族/共役ジエンブロックコポリマーを、特に、少なくとも(≧)138℃のガラス転移温度(T)を有し、半導体デバイスまたはその部品を実質的に損傷することなく金型キャビティに流入し、エポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂よりはるかに速く堅くなりまたは固化し、一旦固化しまたは堅くなると、次に、はんだリフロー条件(例えば、250℃のピーク温度で10秒(sec)間)に曝されても変形しにくい水素化スチレン/ブタジエンブロックコポリマーを含む熱可塑性組成物に関する。
LEDは、ほとんどエネルギーを消費しない(例えば、5ボルト未満(<5ボルト)の電圧、または<20ミリアンペア(mamp)の電流)が、ずっと大きな白熱電球のそれを超える明るさで発光する半導体ダイオードである。これらの特性は、様々なディスプレイ、サイン/表示器および照明用途におけるLEDの使用の普及の拡大に、少なくとも部分的に寄与する。
LEDは、ランプ型または表面実装(SMD)型かにかかわらず、通常、光学的に透明で熱的に安定な材料によって封止されて、適切に配線され、搭載され、また機能を果たすデバイスとなったLEDチップを含む。LEDチップを封止するために現在用いられている材料には、例えば、エポキシ樹脂およびシリコーンが含まれる。どちらの部類の封止材料も、最適な解決策を示さない。例えば、エポキシ樹脂は、紫外(UV)線、または高温条件(例えば、110℃を超える(>110℃)温度に、1000時間を超える(>1000)時間)に曝されると、経時的に黄変するという点で、劣った光安定性を示す傾向がある。黄変は、転じて、経時的に、LEDからの光出力の低下を招く。エポキシ樹脂は、熱硬化性樹脂の一般的部類に属し、それらは硬化を必要とし、その後で、例えばLEDに役立つ。硬化は、硬化したエポキシ樹脂試料内の残留応力を最低限にするために、しばしば、長時間(例えば、3時間)に亘る複数ステップの工程によって行われる。「残留応力」は、加えられる力または熱勾配の変位のような外部負荷を加えることなく、物体材料に存在する張力または圧力を表す。LED材料内の残留応力が増すにつれて、寸法変化またはクラックのような悪影響が、LEDの使用寿命に亘って起こる傾向がある。特に複数ステップ硬化工程に関連する、長い硬化時間により、生産速度は望ましくなく低くなり、また、いくつかの場合には、封止されたLEDの外部表面が一様でなくなる。シリコーン(「シリコーン材料」と呼ばれることもある)は、ずっと良好な光安定性(少ない黄変)を有する。さらに、分子設計の変更により、柔軟なエラストマーシリコーン体および硬質または可塑性のシリコーン体の両方が製造される。どちらの場合でも、硬質または柔軟シリコーンを製造するために、通常、液体状態のシリコーンおよび長い硬化時間(例えば、数時間を超える)が用いられる。液体状態のために、通常、シリコーン体を製造するためには、ポッティングまたはキャスティングのような特別な技術が用いられ、さらには硬化時間が長くなる(例えば、数時間を超える)。長い硬化時間は、転じて、表面の均一性の欠如(可能性として、垂れ(sagging)のため)、および望ましいものに達しない寸法均一性に導き得るが、通常、これらのいずれによっても、このようなシリコーン材料を用いて製造される封止LEDを、望ましくなく高い割合で排除することが必要とされる。表面均一性の欠如および寸法一貫性の欠如のような欠陥は、得られる封止LEDにおける劣った光学的性質として現れる。
Donald他の米国特許(USP)第6,815,475号は、水素化ブロックコポリマーを含む組成物が、フィルム、異形製品(profile)、シート、引抜き物品、繊維、被覆物品、射出成形物品、およびブローまたは回転成形物品を含めて、様々な用途に使用できることを教示する。前記組成物は、重合し水素化されたビニル芳香族モノマーの少なくとも2つの別個のブロック、および重合し水素化された共役ジエンモノマーの1つのブロックを有する、完全にまたは実質的に完全に水素化された硬質ブロックコポリマーを含む。このブロックコポリマーは、トリブロック、マルチブロック(ペンタブロックを含めて)、テーパー状ブロック、およびスターブロック配置構成のいずれかであり得る。Donald他は、29欄、29〜49行で、いくつかの射出成形物品を開示し、29欄、50〜53行で、よく知られた射出成形方法に関連する参考文献を示唆する。Bates他の米国特許第6,632,890号も参照。
Nishijimaの日本国特許出願第2001−203397号は、金属リードフレームに搭載された半導体チップが、5つのグループのポリマーから選択される特殊な環状炭化水素ポリマーを含む熱可塑性樹脂により封止されるLEDを開示する。
Centofanteの米国特許第6,149,304号は、1つまたは複数の、LEDのような小さな電子デバイスを熱可塑性封止材料により封止し、印刷回路基板またはその一部への機械的結合を確立するための方法および装置に関する。
Hiroyuki他の日本国特許出願第2004−294842号は、環状オレフィングループ熱可塑性樹脂を射出成形することによる、LEDランプレンズの形成を教示する。
Beever他の米国特許第4,514,588号は、水素化共役ジエン/モノビニル置換芳香族コポリマーを含むポリ(アリーレンスルフィド)組成物による、電子部品の封止を開示する。
日本国特許出願第2000−123577号は、半導体デバイスを熱可塑性樹脂により封止し、次いで、熱可塑性樹脂の外側表面を熱硬化性樹脂により被覆し、次に、熱硬化性樹脂を活性化エネルギー線により硬化させることによる、LEDのような半導体デバイスの製造を教示する。
Bates他の米国特許第5,352,744号は、99.5%以上の飽和度を有する水素化ポリマーを与える、ポリ(アルケニル芳香族)ポリマー、またはポリ(アルケニル芳香族)/ポリジエンブロックコポリマーを水素化するための方法に関する。
いくつかの実施形態において、本発明は、実質的に完全に水素化された熱可塑性ビニル芳香族ブロックコポリマーを含む溶融加工性ポリマー組成物であって、実質的に完全に水素化された該ブロックコポリマーは、a)≧138℃のガラス転移温度、b)0.025ラジアン/秒(rad/sまたはrad/sec)の剪断振動数および260℃の温度での、≧2×10パスカル−秒、好ましくは≧2.0×10パスカル−秒(Pa−s)の剪断粘度、c)260℃の温度および100/秒(s−1またはsec−1)の見掛け剪断速度での、1000Pa−s以下(≦1000Pa−s)の粘度、d)60重量パーセント(wt%)から80wt%の範囲内の(各wt%は、水素化の前のブロックコポリマーの全重量に対するものである)、水素化の前の、重合したビニル芳香族の含量、および、e)40,000グラム/モル(g/M)から150,000g/Mの範囲内の、水素化の前の重量平均分子量(Mw)を有する。
別の実施形態において、本発明は、半導体ダイオード、および直前の段落における上記溶融加工性ポリマー組成物の封止する量を含む、封止されたLEDであり、このダイオードは、金属リードフレーム上に搭載され、溶融加工性ポリマー組成物により封止されている。
さらに別の実施形態において、本発明は、≧1個の封止LEDを含むイルミネーションデバイス(例えば、ランプ、表示器またはバックライトディスプレイ)である。
さらに別の実施形態において、本発明は、≧1つの封止LEDを含む電子デバイス(例えば、センサ、リモートコントロール、またはタッチスクリーン)である。
さらに別の実施形態において、本発明は、≧1つの封止LEDを含む照明ディスプレイデバイスである。
当業者は、イルミネーションデバイスまたは電子デバイスは、標準的装備(standard features)またはパーツ(例えば、ハウジング、搭載プラットフォーム、またはリフレクターのいずれかの1つまたは複数)、さらには、電流源と封止LEDとの間の電子経路を実現する手段を備えることを直ちに理解する。
本明細書において、2から10の範囲におけるように、範囲が記載されている場合、その範囲の両末端(例えば、2および10)およびそれぞれの数値は、このような数値が有理数であっても、または無理数であっても、特に除外されると断らなければ、その範囲内に含まれる。
温度の表現は、華氏度(°F)と、併せて、℃でそれに対応するもの、または、より典型的には、単に℃のいずれかにより得る。
特に断らなければ、背景から暗に含まれ、当技術分野において慣習となっているように、全ての部数およびパーセントは重量に基づく。
本発明は、封止LEDの製造において封止材料または被覆成形(over−molding)材料として用いられるのに適する物質組成物、さらには、得られる封止LEDに関する。前記物質組成物は、水素化されたビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマー、好ましくは、実質的に完全に水素化された(共役ジエン2重結合の>95パーセント(%)、およびビニル芳香族2重結合の>90%の水素化)ビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマー、より好ましくは、完全に水素化された(共役ジエン2重結合およびビニル芳香族2重結合の両方の>99%の水素化)ビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマーに基づく熱可塑性材料である。物質組成物は、熱可塑性材料であり、LEDチップ、特にフレームに搭載されたLEDチップ上に、射出成形によって、直接被覆成形できる。得られる封止LEDは、熱硬化性エポキシ樹脂を用いて製造された封止LEDより、ずっと良好な光安定性(紫外線への暴露の後の黄変が少ない)を、また、はんだリフロー工程条件下で光学用途に用いられることがある熱可塑性ポリマー(例えば、環状オレフィンポリマーおよび環状オレフィンコポリマー)より向上した寸法安定性(高さおよび幅の保持、または崩壊に対する耐性)を示す。物質組成物は、ポリマーの溶融加工法、特に射出成形に向いている。熱可塑性材料の射出成形では、サイクル時間は、数分から数時間の長い硬化時間を通常必要とする、エポキシおよびシリコーンのような熱硬化性材料に必要とされるものよりずっと短い。より短いサイクル時間は、転じて、生産速度の増加につながる。
前記の水素化ビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマーは、3つの特性:a)≧138℃のT、b)0.025ラジアン/秒(rad/s)の剪断振動数および260℃の温度での、≧200,000(2×10、またはより好ましくは2.0×10)パスカル−秒(Pa−s)の粘度(「η」と表されることがある)、およびc)100/秒(s−1)の見掛けの剪断速度および260℃の温度での、≦1,000Pa−s(1×10)Pa−sの粘度(「η」と呼ばれることがある)の組合せを好ましくは有する。より好ましくは、前記の水素化ビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマーは、3つのさらなる特性:d)トリブロック構造、好ましくは、2つのビニル芳香族ブロック、特にスチレンブロック、および1つの共役ジエンブロック、特にブタジエンブロックを有する、重合したまたは水素化前のポリマーに基づくトリブロック構造、e)60wt%から80wt%、より好ましくは65wt%から80wt%、より一層好ましくは70wt%から80wt%の範囲内の(各wt%は、水素化前のトリブロックコポリマーの全重量に対するものである)、水素化前のビニル芳香族含量、より好ましくは水素化前のスチレン含量、および、f)≧40,000g/M、より好ましくは≧50,000g/M、より一層好ましくは≧60,000g/Mで、≦150,000g/M、より好ましくは≦120,000g/M、より一層好ましくは≦100,000g/M、さらに一層好ましくは≦90,000g/Mの水素化前のMw、を有する。
ビニル芳香族ブロックコポリマーは、水素化の前に、それに重合した、共役ジエンを含む≧1のブロック、およびビニル芳香族モノマー(例えば、スチレン、アルファ−メチルスチレンまたはこれらの混合物のようなスチレン系モノマー)を含む≧2のブロックを好ましくは有する。ビニル芳香族ブロックコポリマーは、より好ましくは、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロックコポリマーである。
物質組成物は、また、1種または複数の添加剤も含み得る。添加剤の1つの部類は、「蛍光体添加剤」と一般的に呼ばれ、短い波長の光(例えば、青色光)を、より長い波長の光(例えば、黄色光)に効率的に変換することによって、封止LEDの色を変えられる。蛍光体添加剤の例は、セリウムをドーピングしたイットリウムアルミニウムガーネット(Ce+3:YAG)である。白色光封止LED、または青色もしくは白色以外の望ましい色を有する封止LEDを製造するために、少なくとも1種の市販の蛍光体添加剤が、前記の物質組成物に組み入れられ得ることを当業者は理解する。望まれる場合、その色を変えるために、蛍光体添加剤を組み入れるのでなく、封止LEDに皮膜を付けてもよい。添加剤の第2の部類は、名目上は「安定化添加剤」で、酸化防止剤、例えば、ヒンダードフェノール(例えば、Irganox(商標)1010、およびIrganox(商標)1076、どちらもCibaから市販されている)、ならびにホスフェート(例えば、Irgafos(商標)168、Cibaから市販されている、および、Doverphos(商標)9228、Dover Chemicalから市販されている)、紫外(UV)線安定剤、例えば、ヒンダードアミン(例えば、Chimassorb(商標)944、Cibaから市販されている、および、Cyasorb(商標)3529、Cytec Industriesから市販されている)、ならびに、ベンゾトリアゾール(例えば、Tinuvin(商標)234、Cibaから市販されている)、離型剤(例えば、グリコールモノステアレート、もしくはポリ(ノニルフェニルエーテル))、ならびに、静電防止剤、例えば、エトキシ化アルキルアミン、エトキシ化ラウラミド、もしくはグリセロールモノステアレートを含む。熱可塑性ポリマー樹脂と共に通常用いられる如何なる安定化添加剤も、それが、作用または量のいずれかのために、上記物質組成物に望まれる特性を妨げない限り、前記の物質組成物に使用され得る。添加剤の任意選択の第3グループは、架橋剤、特に、2つの異なるブロックコポリマー分子の水素化ジエンブロックセグメントの間の架橋を行う架橋剤を含む。架橋剤は、上記物質組成物が射出成形のような方法によって成形物品に変換された後で、好ましくは活性化される。用いられる場合、架橋剤の量は、好ましくは、10wt%から0.1wt%の範囲内に、より好ましくは、5wt%から0.2wt%の範囲内に入る(各wt%は、物質組成物の全重量に対するものである)。物質組成物は、1種または複数の他の添加剤、例えば、加工助剤、着色剤もしくは顔料、増量剤、または別のポリマーを任意選択で含む。成形された物品は、また、耐スクラッチ性または反射防止性のような特性を付与する、少なくとも1つの層またはトップコートにより被覆されてもよい。
本発明のいくつかの実施形態の封止LEDは、米国材料試験協会(ASTM)試験G154に従う1000時間QUV−A暴露の後、350nmから450nmの範囲の波長で、その元々の光透過率の>70%を保持することによって明白に示されるように、望まれるレベルの耐紫外線性を好ましくは有する。これらおよび他の実施形態において、より好ましくは、封止LEDは、110℃の温度に1000時間暴露した後、400nmの波長で、≧80%の光透過率を有する。これらおよび他の実施形態において、さらに一層好ましくは、封止LEDは、85℃の温度および85パーセントの相対湿度に1000時間暴露した後、このような暴露の前の封止LEDの透明性に対して、<10%の透明性の変化を有する。これらおよび他の実施形態において、より一層好ましくは、封止LEDは、110℃の温度に1000時間暴露した後、このような暴露の前の封止LEDの黄色度に対して、<2.0の黄色度の変化を有する。これらおよび他の実施形態において、より一層好ましくは、封止LEDは、赤外リフローオーブンを1回通過(この間に、LEDは、≧250℃であるが、<265℃であるピーク温度に対して、ピーク温度の5℃以内の温度に、≦15秒間、暴露される)した後、<5パーセント(<5%)の直径の変化、および<5%の高さの変化、の≧1つを、最も好ましくは両方を示す。
本発明の実施例(Ex)は、アラビア数字で表され、比較実施例(Comp ExまたはCox)は、アルファベットの大文字で表される。特に断らなければ、「室温」および「雰囲気温度」は、通常、25℃である。
図(Fig.)1に示す被覆成形および封止のための金型、150トンの射出成形機(Haw Chin−HC−120L)、下の表2に示す230℃、250℃または270℃の溶融温度、雰囲気温度(どの射出成形の前でも、通常25℃)の金型条件、および約4秒間の冷却サイクルを用いて、射出成形後LED試料材料を準備する。物質組成物を射出成形後LED試料に変える前に、85℃の温度で4時間、真空乾燥する。試料は、4.9ミリメートル(mm)(0.193インチ(in))の公称外部直径および8.6mm(0.339in)の公称高さを有する封止部分を有する。
水素化ビニル芳香族ブロックコポリマーのTを、レオメーター(例えば、TA Instruments製のARESレオメーター)を用い、動的機械分析によって求める。3℃/minの昇温速度、および1ラジアン/秒(rad/s)の振動数での、室温と160℃の間の固体状態昇温線形粘弾性スペクトルデータ(貯蔵弾性率G’、損失弾性率G”、およびtanδ=G”/G’)から求めるそのtanδのピークによってTを定義する。試験には、約45ミリメートル(mm)の長さ、12.5mmの幅、および3.2mmの厚さの矩形状固体試料を用いる。標準的な圧縮成形機(例えば、Tetrahedron Associates Inc.(San Diego、カリフォルニア)のTetrahedron(商標)1401)を用い、250℃の温度および約500ポンド/平方インチ(psi)(3447キロパスカル(KPa)の圧力で、試験試料を圧縮成形する。
いくつかの市販の環状オレフィンポリマー(COP)および環状オレフィンコポリマーのTgを10℃/minの走査速度で、示差走査熱量測定(DSC)によって測定し、2回目の熱走査を用いて値を報告する。
平行板レオメーター(例えば、TA Instruments製のARESレオメーター)を用いて、複素剪断粘度(η)を0.025rad/sの振動数および260℃の温度で測定する。複素剪断粘度ηの測定のために、直径25mmで厚さ約2mmの圧縮成形ディスクを用いる。複素剪断粘度を如何に測定するかの実験手順は、当技術分野においてよく知られており、Christopher W. Macoskoによる「Rheology: Principles, Measurements, and Applications」(VCH、1994年)のようなモノグラフに見出することができる。
見掛けの剪断粘度(η)を測定するために、Gottfertにより市販されているRheograph(商標)2003のようなキャピラリーレオメーターを用いて、長さ20ミリメートル(mm)で直径1mmのキャピラリーダイにより、100s−1の見掛けの剪断速度および260℃の溶融温度での見掛けの剪断粘度(η)を測定する。
水素化ビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマーの分子量分析を、その水素化の前に、ブロックコポリマーの溶媒としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、ブロックコポリマーをゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)にかけることによって、実施する。GPCカラムを、Polymer Labs, Inc.による狭い分子量のポリスチレン標準を用い、校正する。標準の分子量は、580g/Mから3,900,000g/Mの範囲に渡る。1混合物当たり3または4つの標準を含む6つの標準混合物(混合物中の各標準は、その混合物中の他の標準から、約10倍だけ、分子量が異なる)を準備する。各標準のピーク溶離液量を求め、狭い標準のデータの5次多項式フィッティングによって、分子量 vs.溶離液量のカラム校正曲線を作成する。水素化前のブロックコポリマーのMnまたは重量平均分子量(Mw)をポリスチレン換算値として報告する。
水素化の後、完全に水素化されたビニル芳香族−共役ジエンブロックコポリマーの分子量分析を示差屈折率検出器(PL210 DRI)、粘度計(Viscotek(商標)PL210−R型)および双対角度(dual angle)レーザー光散乱検出器(Precision Detectors, Inc.のPD2020型)を装備した高温GPC装置(Polymer Laboratories, Inc.のPL210型)を用いて実施する。Polymer LaboratoriesのPlgel Olexisカラムを用いて、GPCによる分離を実施する。狭い分子量分布のポリスチレン標準(Polymer Laboratories, Inc.)を用いてカラムを校正する。145℃の設定温度で装置を運転し、使用する。約100重量部/(1,2,4−トリクロロベンゼンの100万重量部)(ppm)の2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノールにより安定化された1,2,4−トリクロロベンゼンをキャリア溶媒として用いる。試料を1,2,4−トリクロロベンゼン(200ppmの2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノールにより安定化した)中、1.0mg/mLの濃度で準備する。160℃の設定温度で運転されるオーブン中で1時間加熱することによって、試料を溶かす。試料ボトルを20分毎に手で振り動かす。一旦溶けると、試料溶液の1.8mLの標本を高温ガラスピペットによってPL210装置の注入バイアルに移す。それぞれの試料ボトルにより2つの注入バイアルを一杯にする。各バイアルから200マイクロリットル(μL)をクロマトグラフィー装置に注入する。水素化ブロックコポリマー(水素化後)の数平均(Mn)または重量平均分子量(Mw)をポリスチレン換算値として報告する。
試料をシリコーンウェハ表面に置き、シリコーンウェハおよび試料を15インチ/分(in/min)の速度で動くコンベヤーベルト上で赤外(IR)リフローオーブン(Sikama(商標)Reflow Oven Curing System、Sikama International Inc.(Santa Barbara、カリフォルニア))に1回通すことによって、射出成形後LED試料材料に、はんだリフロー試験を行う。オーブン内の温度は、100℃の設定温度で始まり、5℃/sec未満の速度で、265℃、250℃または235℃のいずれかのピーク温度まで徐々に上昇し、次いで、120℃まで冷却され、その後、ウェハおよび試料はリフローオーブンを出る。ピーク温度の選択は、はんだの種類に依存する。封止LEDが実際のピーク温度の5℃以内に曝される最大時間は、10秒から15秒の範囲内である。
IRリフローオーブンを通す前後で、射出成形後LED試料を測定する。次の式を用いて、寸法変化%を計算する。
Figure 2012500890
ここで、Dは、円柱状の射出成形後LED試料の封止部分の直径を表し、Hは、LED試料のその部分の高さを表し;DおよびHは、IRリフローオーブン試験の前の、射出成形後LED試料の直径および高さをそれぞれ表す。図1に示す金型の各キャビティでは、Dは、約4.9ミリメートル(mm)であり、Hは、約8.6mmである。LED試料の寸法測定値を得るために、3次元(3−D)光学分析を用いる。寸法安定性の向上に対する要求にとっては、ΔDおよびΔHの一方または両方を、好ましくは両方を最小限にすることが好ましい。射出成形後LED試料材料は、好ましくは<5%、より好ましくは<3%、より一層好ましくは<2%である、ΔDおよびΔHの両方を好ましくは有する。当業者は、試料の≧75%、より好ましくは≧80%、より一層好ましくは>85%が試験に合格すれば、射出成形後LED試料材料の試験は、成功であると見なす。
射出成形後LED試料を電流源に接続する。試料が発光すれば、それは合格である。それが発光しなければ、試料は不合格である。
各候補物質組成物から3mmの厚さを有する矩形片を準備し、これらの片に、2つの異なる環境耐久性試験を行う。1つの試験では、候補物質組成物の矩形片の透明性および黄変を、このような片を85℃の温度および85%の相対湿度に1000時間暴露する前後に用いて、評価する。第2の試験では、候補物質の矩形片の透明性および黄変を、このような片を110℃の温度に1000時間暴露する前後で、評価する。UV−Vis分光計を用いて、波長400ナノメートル(nm)での試験片の透明性(または透過率)を測定する。色彩計を用いて、黄色度(YI)を測定する。
射出成形後LED試料の耐UV性をASTM G−154(QUV−A法)に従って、各候補物質組成物から準備した20個のLED試料に4つのUV蛍光ランプ(340nmの波長、40ワット)を装備したUVチャンバ内で1,000時間、UV照射を行うことによって評価する。封止材料のUV劣化は、結果的に、LEDの機能の可能性としての停止、または照明出力の減少(例えば、封止剤の黄変に起因する)を生じ得る。
Ex1からEx8、およびCExAからCExS
いくつかの候補材料から、上で詳述した手順を用いて試験試料を準備し、それらの試料に上で詳述した手順を用い、Tg、ηおよびηを求める試験を行い、試験結果を下の表1に要約する。材料A−1からA−6は、The Dow Chemical Companyによって準備された、開発段階の水素化スチレン−ブタジエンブロックコポリマーである。
A−1は、75wt%の水素化前スチレン含量、60,000g/Mの水素化前数平均分子量(Mn)、70,600g/Mの水素化前重量平均分子量(Mw)、10wt%の水素化前1,2−ブタジエン含量、59,050g/Mの水素化後数平均分子量(Mn)、および64,600の水素化後重量平均分子量(Mw)を有するトリブロックコポリマーである。
A−2は、75wt%の水素化前スチレン含量、62,000g/Mの水素化前Mn、69,200g/Mの水素化前Mw、10wt%の水素化前1,2−ブタジエン含量、59,100g/Mの水素化後数平均分子量(Mn)、および65,300の水素化後重量平均分子量(Mw)を有するトリブロックコポリマーである。
A−3は、75wt%の水素化前スチレン含量、70,000g/Mの水素化前Mn、72,000g/Mの水素化前Mw、10wt%の水素化前1,2−ブタジエン含量、61,900g/Mの水素化後数平均分子量(Mn)、および67,600の水素化後重量平均分子量(Mw)を有するトリブロックコポリマーである。
A−4は、60wt%のスチレン含量、50,000g/Mの水素化前Mn、および10wt%の1,2−ブタジエン含量を有するトリブロックコポリマーである。
A−5は、85wt%のスチレン含量、60,000g/Mの水素化前数平均分子量(Mn)、および10wt%の1,2−ブタジエン含量を有するペンタブロックコポリマーである。
A−6は、90wt%のスチレン含量、60,000g/Mの水素化前Mn、および10wt%の1,2−ブタジエン含量を有するペンタブロックコポリマーである。
B−1およびB−2は、Ticonaから、それぞれ、TOPAS(商標)6015およびTOPAS(商標)6017の商用名で市販されている環状オレフィンランダムコポリマーである。
Cは、Zeon ChemicalからZEONEX(商標)E48Rの商用名で市販されている環状オレフィンポリマーである。
Dは、The Dow Chemical Companyから、D.E.R.331の商用名で市販されているエポキシ樹脂である。
Figure 2012500890
表1において、n/aは、適用できないことを意味し、nmは、測定されていないことを意味し、**は、試験装置を過負荷にするほど十分に高い粘度を意味する。
上で詳述した手順を用い、下の表2に示す加工温度で、射出成形後LED試験試料を準備する。これらの試料に265℃のリフローオーブン内のピーク温度で、はんだリフロー試験手順を用い、寸法安定性試験を行い、ΔDおよびΔHについて、上に示した式を用い、各平均を計算するのに少なくとも3つのLED試験試料を用いてΔDおよびΔHの報告平均値を計算し、試験結果もまた、下の表2に要約する。
Figure 2012500890
表2において、「nm」は、測定されていないことを意味し、「n/a」は、適用できないことを意味し、また「+」は、LED試験試料が、はんだリフロー試験の間に、またはその結果として、溶融し崩壊することを意味する。
Ex1からEx3、およびCExDからCExIを、それぞれ、Ex6からEx8、およびCExMからCExSとして、但し、リフローオーブンのピーク温度は235℃または250℃のいずれかで、下の表3に示すように樹脂を選択して、追試する。試験結果を下の表3に要約する。
Figure 2012500890
表3において、「nm」は、測定されていないことを意味し、また「+」は、LED試験試料が、はんだリフロー試験の間に、またはその結果として、溶融し崩壊することを意味する。
上で詳述したように準備した、A−1およびDの矩形片またはバーに、やはり上で詳述した透明性および黄変試験を行う。透明性試験の結果を下の表4に、黄変試験結果を下の表5に要約する。
Figure 2012500890
Figure 2012500890
本発明の水素化ブロックコポリマーの典型(A−1)は、表4に示されるように、1,000時間の暴露に亘って、その元の透明性および色を実質的に保持する。反対に、エポキシ樹脂(D)は、同じ1000時間に亘って、その透明性のかなりの部分を失う。表5に示されるように、水素化ブロックコポリマーのA−1は、1000時間に亘って、非常に僅かしか黄変しないが、エポキシDは、同じ期間に亘って、黄色度が3倍を超える増加をする。
A−1、市販の脂環式エポキシ系封止剤(The Dow Chemical Companyから、E.R.L.4221の商用名で、以前は入手可能であった、脂環式エポキシ)、およびDから準備した20個の試料を用いて、封止LED射出成形後試料に上で詳述した耐UV性試験を行う。試料は、その黄色度が、耐UV性試験の前の同じ材料の黄色度に対して、少なくとも2の大きさだけ変わる、または、350nmから450nmの波長に渡って、輝度が少なくとも30%低下する場合に、不合格となる。(不合格となった試料の数)/(試験した試料の全数)(各場合に20個)によって、下の表6に試験結果を要約する。
Figure 2012500890
表2から6のデータは、いくつかの点を例示する。第1に、樹脂B−1、B−2およびCは、樹脂A−1からA−3に比べて、それらのTgが相対的に高いにもかかわらず、はんだリフロー試験の間の適切な寸法安定性を、特に、はんだリフローオーブンのピーク温度が少なくとも250℃であること(現在のほとんど全てのLED製造業者によって、彼らの鉛フリーはんだ付け工程の間に必要とされること)を必要とする場合に、もたらすことができない。第2に、A−1、A−2およびA−3によって例示される、本発明の水素化ブロックコポリマーの典型(少なくとも138℃のT、少なくとも2×10Pa−s、好ましくは少なくとも2.0×10Pa−sのη、1000Pa−s未満のη)は、250℃または270℃で封止LEDを製造するために用いられた場合、それらに行われた物理的性質の試験の全てに合格し、妥当な(80%を超える)歩留まりで合格する。第3に、本発明の水素化ブロックコポリマーの典型(A−1)は、望ましいレベルの透明性を保持し、耐黄変性があるが、熱硬化性エポキシ樹脂封止剤は、同じUV試験条件下でその透明性のかなりの部分を失い、かなり黄変する。同様の結果は、本発明の様々な態様を表す他の水素化ブロックコポリマーでも得られるはずである。

Claims (6)

  1. 実質的に完全に水素化された熱可塑性ビニル芳香族ブロックコポリマーを含む溶融加工性ポリマー組成物であって、前記実質的に完全に水素化されたブロックコポリマーが、a)少なくとも138℃のガラス転移温度、b)0.025ラジアン/秒の振動数および260℃の温度での、少なくとも2×10パスカル−秒の複素剪断粘度、c)260℃の温度および100/秒の見掛け剪断速度での、1000パスカル−秒以下の粘度、d)60重量パーセントから80重量%の範囲内の(各重量パーセントは、水素化の前のブロックコポリマーの全重量に対するものである)、水素化の前の、重合したビニル芳香族の含量、および、e)40,000グラム/モルから150,000グラム/モルの範囲内の、水素化の前の重量平均分子量を有する、溶融加工性ポリマー組成物。
  2. 前記ビニル芳香族ブロックコポリマーが、水素化の前に、それに重合した、共役ジエンを含む少なくとも1つのブロック、およびビニル芳香族モノマーを含む少なくとも2つのブロックを有する、請求項1に記載の溶融加工性ポリマー組成物。
  3. 前記ビニル芳香族ブロックコポリマーが、水素化の前に、スチレン−ブタジエン−スチレントリブロックコポリマーである、請求項2に記載の溶融加工性ポリマー組成物。
  4. 金属リードフレーム上に搭載され、かつ、溶融加工性ポリマー組成物により封止された半導体ダイオードおよび請求項1から3のいずれかに記載の溶融加工性ポリマー組成物の封止する量を含む、封止された発光ダイオード。
  5. 前記封止された発光ダイオードが、a)米国材料試験協会(ASTM)試験G154に従う1000時間QUV−A暴露後の、350ナノメートルから450ナノメートルの範囲内の波長での、その元々の光透過率の70%を超える保持によって明白に示される耐紫外線性;b)110℃の温度に1000時間暴露した後の、400ナノメートルの波長での、少なくとも80%の光透過率;c)85℃の温度および85パーセントの相対湿度に1000時間暴露した後の、このような暴露の前の封止された発光ダイオードの透明性に対する、10パーセント未満の透明性の変化;d)110℃の温度に1000時間暴露した後の、このような暴露の前の封止された発光ダイオードの黄色度に対する、2.0未満の黄色度の変化;および、e)発光ダイオードが、250℃以上であるが、265℃未満であるピーク温度に15秒以下暴露される、赤外リフローオーブンを1回通過した後の、5パーセント未満の直径の変化、および5パーセント未満の高さの変化の少なくとも一方、の少なくとも1つを有する、請求項4に記載の封止された発光ダイオード。
  6. 請求項5に記載の封止された発光ダイオードの少なくとも1つを含む、イルミネーションデバイス、電子デバイスまたは光ディスプレイデバイス。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738316A (zh) * 2011-04-01 2012-10-17 惟昌企业股份有限公司 Led封装成形改良方法及由此制得的封装结构
US9127153B2 (en) 2012-11-02 2015-09-08 Henkel IP & Holding GmbH Molding and overmolding compositions for electronic devices
DE102018105731A1 (de) * 2018-03-13 2019-09-19 Infineon Technologies Ag Vernetztes thermoplastisches Dielektrium für Chip-Package

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167040A (ja) * 1982-12-28 1984-09-20 フイリツプス・ペトロリユ−ム・コンパニ− ポリマ−組成物で封入された電子部品
JP2003502471A (ja) * 1999-06-11 2003-01-21 ザ ダウ ケミカル カンパニー 水素化ブロックコポリマーを含む組成物およびその最終用途
US20030065099A1 (en) * 2001-09-14 2003-04-03 Hahn Stephen F. Block copolymers containing hydrogenated vinyl aromatic/(alpha-alkylstyrene) copolymer blocks
JP2005129520A (ja) * 2003-10-03 2005-05-19 Jsr Corp 有機el素子用透明封止材
WO2007112232A2 (en) * 2006-03-24 2007-10-04 Kraton Polymers U.S. Llc High temperature block copolymers and process for making same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU5131793A (en) * 1992-09-21 1994-04-12 Thermoset Plastics, Inc. Thermoplastic modified, thermosetting polyester encapsulants for microelectronics
US5998876A (en) * 1997-12-30 1999-12-07 International Business Machines Corporation Reworkable thermoplastic hyper-branched encapsulant
AU2228501A (en) * 1999-12-27 2001-07-09 Bayer Aktiengesellschaft Hydrogenated styrene polymer and optical-disk substrate
KR20060084256A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 발광 다이오드 소자의 렌즈 조성물,이를 포함하는 발광 다이오드 소자, 백라이트 유닛 및액정 표시 장치
EP1860124A4 (en) * 2005-03-17 2009-11-11 Jsr Corp HYDROGENIC AROMATIC VINYL COPOLYMER AND MOLDED ARTICLE PRODUCED THEREFROM
JP5534642B2 (ja) * 2005-04-07 2014-07-02 旭化成ケミカルズ株式会社 ブロック共重合体水添物、又はそのシート、フィルム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167040A (ja) * 1982-12-28 1984-09-20 フイリツプス・ペトロリユ−ム・コンパニ− ポリマ−組成物で封入された電子部品
JP2003502471A (ja) * 1999-06-11 2003-01-21 ザ ダウ ケミカル カンパニー 水素化ブロックコポリマーを含む組成物およびその最終用途
US20030065099A1 (en) * 2001-09-14 2003-04-03 Hahn Stephen F. Block copolymers containing hydrogenated vinyl aromatic/(alpha-alkylstyrene) copolymer blocks
JP2005129520A (ja) * 2003-10-03 2005-05-19 Jsr Corp 有機el素子用透明封止材
WO2007112232A2 (en) * 2006-03-24 2007-10-04 Kraton Polymers U.S. Llc High temperature block copolymers and process for making same

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