JP2012500412A5 - - Google Patents

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  1. 光ビームを減衰させる方法であって、
    光ビームに加えられるべき減衰のレベルを選択するステップ;
    前記パターンが前記光ビームを変調して前記選択されたレベルの減衰を与えるように、二次元空間光変調器(SLM)内のオン状態およびオフ状態画素のパターンを選択するステップ;および、
    前記画素が、前記選択されたパターン内に配置されると共に、前記SLM上へ光ビームを向けるステップ;を含み、前記パターンが、第一軸に沿って周期的で、かつ前記光ビームの強度分布がそれに沿って延在する第二軸のまわりに対称である、方法。
  2. 前記光ビームが、前記第一軸に沿って延在する非対称強度分布を有する、請求項1の方法。
  3. 前記光ビームを、前記SLMの前記第一軸に沿って分布する複数の波長に空間的に分散させるステップをさらに含む、請求項1の方法。
  4. 前記SLMによって変調された後に前記複数の波長を再び結合し、波長に従って変化されることができる前記選択されたレベルの減衰によって再び結合された光ビームを形成するステップをさらに含む、請求項3の方法。
  5. 前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径未満である、請求項1の方法。
  6. 前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/4未満である、請求項1の方法。
  7. 前記第一軸に沿った前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/10未満である、請求項6の方法。
  8. 前記パターンが、その中の任意のローカル強度最大値の両側の前記光ビームの部分に実質的に同じレベルの減衰を与える領域を有する、請求項1の方法。
  9. 前記パターンが、強度の最大変化率がローカル強度最大値の両側にある所で、実質的に同じレベルの減衰を前記光ビームの部分に与える領域を有する、請求項1の方法。
  10. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より大きい距離にわたって変化し、それによって、異なる波長範囲に対して選択的に変化されることができる比較的均一のレベルの減衰を与える、請求項3の方法。
  11. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より小さい距離にわたって変化し、それによって、特定の波長範囲に対して名目上連続的な減衰レベル変化を与える、請求項3の方法。
  12. 高帯域信号の特定の波長範囲内の前記連続減衰レベル変化が、前記特定の波長範囲内の少なくとも1つの高帯域信号の信号完全性を向上させるように選ばれる、請求項11の方法。
  13. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ線形の前記信号の最高強度を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項12の方法。
  14. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ二次の前記信号の最高強度帯域幅を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項12の方法。
  15. 前記伝送路内に生じる以前の波長に依存する減衰を補足する前記信号の前記最高強度部分を横切る、減衰変化を得る高帯域信号の前記特定の波長内の前記選択された減衰レベル変化によって、前記信号の最高強度部分の全体的な波長から独立の正味減衰が生じる、請求項12の方法。
  16. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、前記信号の最高強度部分の波長を減少させる波長の関数として減衰変化を得る、請求項12の方法。
  17. 前記パターンが、異なる減衰レベルのパターン間の遷移における強度擾乱を最小にするために配置される複数の周期的減衰パターンを含む、請求項3の方法。
  18. 前記周期的減衰パターンが、前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する前記パターンの各列にわたって、平均減衰レベルを有するように選ばれる、請求項17の方法。
  19. 前記周期的減衰パターンが、遷移境界での前記パターンの端に不完全な周期が必要とされる確率を最小にするように選ばれる、請求項17の方法。
  20. 部分的周期的パターンが前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する平均減衰レベルを有することを確実にするように、前記周期的減衰パターンが選ばれる、請求項17の方法。
  21. 光ビームを受信するための入力ポート;および、
    前記光ビームを受信するための表面を有するSLM;を備え、前記光ビームが複数の画素に入射するように、前記表面が前記画素のアレイを含み、前記画素の各々が、その上に入射する光エネルギーに異なる量の変調を与える個別状態の倍数の1つにあり、所望の量だけ前記光ビームを減衰させる状態のパターンで、前記画素が配置され、前記パターンが、第一軸に沿って周期的で、かつ前記光ビームの強度分布がそれに沿って延在する第二軸に沿って対称である、光デバイス。
  22. 前記光ビームを複数の波長に空間的に分散させるための分散光素子をさらに含み、それらが前記第一軸に沿って延在するように、前記SLMの前記表面が、前記空間的に分散される波長を受け取る、請求項21の光デバイス。
  23. 前記SLMが、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)である、請求項21の光デバイス。
  24. 前記SLMによって変調された後に前記複数の波長を再び結合し、波長に従って変化されることができる所望の量の減衰によって再び結合された光ビームを形成する第二分散光素子をさらに含む、請求項21の光デバイス。
  25. 前記第一軸に沿った前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径未満である、請求項21の光デバイス。
  26. 前記第一軸に沿った前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/4未満である、請求項21の光デバイス。
  27. 前記第一軸に沿った前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/10未満である、請求項26の光デバイス。
  28. 前記パターンが、その中の任意のローカル強度最大値の両側の前記光ビームの部分に実質的に同じレベルの減衰を与える領域を有する、請求項21の光デバイス。
  29. 前記パターンが、強度の最大変化率がある所で、そのローカル強度最大値の両側で実質的に同じレベルの減衰を前記光ビームの部分に与える領域を有する、請求項21の光デバイス。
  30. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より大きい距離にわたって変化し、それによって、異なる波長範囲に対して選択的に変化されることができる比較的均一のレベルの減衰を与える、請求項22の光デバイス。
  31. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より小さい距離にわたって変化し、それによって、特定の波長範囲に対する名目上連続的な減衰レベル変化を与える、請求項22の光デバイス。
  32. 高帯域信号の特定の波長範囲内の前記連続減衰レベル変化が、前記特定の波長範囲内の少なくとも1つの高帯域信号の信号完全性を向上させるように選ばれる、請求項31の光デバイス。
  33. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ線形の前記信号の最高強度を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項32の光デバイス。
  34. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ二次の前記信号の最高強度帯域幅を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項32の光デバイス。
  35. 前記伝送路内に生じる以前の波長に依存する減衰を補足する前記信号の前記最高強度部分を横切る、減衰変化を得る高帯域信号の前記特定の波長内の前記選択された減衰レベル変化によって、前記信号の最高強度部分の全体的な波長から独立の正味減衰が生じる、請求項32の光デバイス。
  36. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、前記信号の最高強度部分の波長を減少させる波長の関数として減衰変化を得る、請求項32の光デバイス。
  37. 前記パターンが、異なる減衰レベルのパターン間の遷移における強度擾乱を最小にするために配置される複数の周期的減衰パターンを含む、請求項22の光デバイス。
  38. 前記周期的減衰パターンが、前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する前記パターンの各列にわたって、平均減衰レベルを有するように選ばれる、請求項37の光デバイス。
  39. 前記周期的減衰パターンが、遷移境界での前記パターンの端に不完全な周期が必要とされる確率を最小にするように選ばれる、請求項37の光デバイス。
  40. 部分的周期的パターンが前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する平均減衰レベルを有することを確実にするように、前記周期的減衰パターンが選ばれる、請求項37の光デバイス。
  41. 計算機可読の記憶媒体であって、電子装置に配置された一以上のプロセッサによって実行される場合、光ビームに与えられる所望のレベルの減衰を表す入力信号を受信し;SLMの画素のアレイを、前記SLMが前記光ビームを前記所望の量減衰させるような状態のパターンに配置させる;方法を実行させる指示を含み、前記パターンが第二軸に沿って対称であり、第一軸に沿って周期的である、計算機可読の記憶媒体。
  42. 前記状態がそれぞれオン画素状態およびオフ画素状態に対応する、請求項41の計算機可読の媒体。
  43. 前記光ビームが、前記第一軸に沿って空間的に分散する複数の波長を含む、請求項41の計算機可読の媒体。
  44. 前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径未満である、請求項42の計算機可読の媒体。
  45. 前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/4未満である、請求項42の計算機可読の媒体。
  46. 前記選択されたパターンの前記周期性が前記光ビームの直径の約1/10未満である、請求項42の計算機可読の媒体。
  47. 前記パターンが、その中の任意のローカル強度最大値の両側の前記光ビームの部分に実質的に同じレベルの減衰を与える領域を有する、請求項41の計算機可読の媒体。
  48. 前記パターンが、強度の最大変化率がある所で、そのローカル強度最大値の両側で実質的に同じレベルの減衰を前記光ビームの部分に与える領域を有する、請求項41の計算機可読の媒体。
  49. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より大きい距離にわたって変化し、それによって、異なる波長範囲に対して選択的に変化されることができる比較的均一のレベルの減衰を与える、請求項41の計算機可読の媒体。
  50. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より小さい距離にわたって変化し、それによって、一連の波長範囲に対する名目上連続的な減衰レベル変化を与える、請求項41の計算機可読の媒体。
  51. 前記パターンが、異なる減衰レベルのパターン間の遷移における強度擾乱を最小にするために配置される周期的減衰パターンを含む、請求項41の計算機可読の媒体。
  52. 前記周期的減衰パターンが、前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する前記パターンの各列にわたって、平均減衰レベルを有するように選ばれる、請求項41の計算機可読の媒体。
  53. 前記周期的減衰パターンが、遷移境界での前記パターンの端に不完全な周期が必要とされる確率を最小にするように選ばれる、請求項41の計算機可読の媒体。
  54. 部分的周期的パターンが前記周期的パターン全体の平均減衰に密接に接近する平均減衰レベルを有することを確実にするように、前記周期的減衰パターンが選ばれる、請求項42の計算機可読の媒体。
  55. 光通信システムであって、
    情報を有する光ビームを受信するための入力ポート;
    前記光ビームを送信するための出力ポート;
    前記情報を有する光ビーム内に運ばれる前記情報を活用するためのプロセッサ;および、
    前記光ビームを受信するための表面を有する少なくとも1つのSLM;を備え、前記光ビームが複数の前記画素に入射するように、前記表面が画素のアレイを含み、前記画素の各々が、その上に入射する光エネルギーに異なる量の変調を与える個別状態の倍数の1つにあり、所望の量だけ前記光ビームを減衰させる状態のパターンで、前記画素が配置され、前記パターンが、第一軸に沿って周期的で、かつ前記光ビームの強度分布がそれに沿って延在する第二軸に関して対称である、光通信システム。
  56. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より大きい距離にわたって変化し、それによって、異なる波長範囲に対して選択的に変化されることができる比較的均一のレベルの減衰を与える、請求項55の光通信システム。
  57. 前記選択されたパターンの前記周期性が、個々の波長のビーム直径より小さい距離にわたって変化し、それによって、特定の波長範囲に対して名目上連続的な減衰レベル変化を与える、請求項55の光通信システム。
  58. 高帯域信号の特定の波長範囲内の前記連続減衰レベル変化が、前記特定の波長範囲内の少なくとも1つの高帯域信号の信号完全性を向上させるように選ばれる、請求項57の光通信システム。
  59. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ線形の前記信号の最高強度を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項58の光通信システム。
  60. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、ほぼ二次の前記信号の最高強度帯域幅を横切る、波長の関数として減衰変化を得る、請求項58の
    光通信システム。
  61. 前記伝送路内に生じる以前の波長に依存する減衰を補足する前記信号の前記最高強度部分を横切る、減衰変化を得る高帯域信号の前記特定の波長内の前記選択された減衰レベル変化によって、前記信号の最高強度部分の全体的な波長から独立の正味減衰が生じる、請求項58の光通信システム。
  62. 高帯域信号の前記特定の波長範囲内の前記選択された減衰レベル変化が、前記信号の最高強度部分の波長を減少させる波長の関数として減衰変化を得る、請求項58の光通信システム。
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