JP2012253133A - 光検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板21と、光が入射されることにより光電流を生じる多重量子井戸層16と、多重量子井戸層16を挟み込む下部コンタクト層15及び上部コンタクト層17と、下部コンタクト層15の基板21側に配置された下部電極12と、下部コンタクト層15の側方であって下部電極12上に配置された絶縁層13と、絶縁層13上に配置された仮想グランド電極14と、上部コンタクト層17上に配置され、入射される光の波長よりも小さく分割され、それぞれの間に隙間が形成された複数の上部電極18と、上部電極18及び仮想グランド電極14を電気的に接続する金属部材19と、を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本実施形態に係る光検出器の構成を示す概要図である。図1に示した光検出器1は、量子井戸構造を有し、量子準位間で電子又は正孔を光励起し、励起によって生じる光電流を検出する光検出器であり、例えば赤外線等の光検出器、受光器、又はQWIPとして好適に採用されるものである。
第2実施形態に係る光検出器2は、第1実施形態に係る光検出器1とほぼ同様に構成されており、多重量子井戸層16にバイアスを印加する構成を有する点、及び多重量子井戸層16の構成が相違する。以下では、説明理解の容易性を考慮して、光検出器1と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
第3実施形態に係る光検出器3は、第2実施形態に係る光検出器2とほぼ同様に構成されており、仮想グランド電極14が上部電極18に応じて分割されている点、電流検出装置10及び電源22の配置位置が入れ替わっている点が相違する。以下では、説明理解の容易性を考慮して、光検出器2と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
第4実施形態に係る光検出器4は、第3実施形態に係る光検出器3とほぼ同様に構成されており、上部電極8がさらに細かく分割されている点が相違する。以下では、説明理解の容易性を考慮して、光検出器3と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
第5実施形態に係る光検出器5は、第2実施形態に係る光検出器2とほぼ同様に構成されており、上部電極18の上面側の表面構造が相違する。以下では、説明理解の容易性を考慮して、光検出器2と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に配置され、半導体からなる障壁層及び前記障壁層よりバンドギャップの狭い量子井戸層が交互に積層されてなり、光が入射されることにより前記量子井戸層内の電子又は正孔の励起によって光電流を生じる積層体と、
前記積層体の前記基板側に配置された第1コンタクト層と、
前記第1コンタクト層との間に前記積層体が介在して配置された第2コンタクト層と、
前記第1コンタクト層の前記基板側に配置された第1電極と、
前記第1コンタクト層の側方であって前記第1電極上に配置された絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された第2電極と、
前記第2コンタクト層上に配置され、入射される光の波長よりも小さく分割され、それぞれの間に隙間が形成された複数の第3電極と、
前記第2電極及び前記第3電極を電気的に接続する金属部材と、
を備える光検出器。 - 前記第2電極は、前記第3電極の数に応じて分割される請求項1に記載の光検出器。
- 前記第3電極は、上面が凹凸状に形成され、照射された光に対してプラズモン共鳴を発生させる請求項1又は2に記載の光検出器。
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