JP2012244087A - 発光ダイオード用基板及び発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面sに発光層7を含む半導体層3が形成される発光ダイオード用基板であって、サファイア基板からなり、表面sには、発光層7が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、凹凸は結晶方位を反映して形成されており、凹凸の高さが1μm以上5μm以下であり、表面のX線回折ロッキングカーブ半値幅が60秒以下である。
【選択図】図1
Description
(1)基板洗浄
(2)金属膜を蒸着
(3)レジスト塗布
(4)フォトリソグラフィー装置による露光
(5)現像
(6)金属膜をエッチング
(7)金属膜をマスクとして基板をエッチング
(8)金属膜・レジストを除去・洗浄
といった多くの工程が必要となり、複雑なプロセスを経て凹凸を形成することになる。この(1)〜(8)の工程のうち、(1),(2),(5)〜(8)の各工程では複数枚の基板をまとめて処理できるが、(3),(4)の工程では、基板を1枚ずつ処理する必要があり、全体の生産性を制限するボトルネックとなっていた。
(1)基板洗浄
(2)サンドブラスト処理
(3)洗浄
(4)エッチング処理によるダメージ除去
といった4つの工程が必要であり、従来法と比較して工程数が少ない。さらには、全ての工程で基板2の複数枚処理が可能であり、生産性を制限するボトルネックとなる工程が存在しないため、極めて生産性が高い。
まず、本発明の実施例を説明するに先立ち、従来例について説明する。
次に、本発明の実施例1を説明する。実施例1では、サンドブラスト処理により基板2の表面Sに凹凸を形成した。
低温成長GaNバッファ層4を、低温成長AlNバッファ層や、高温成長AlNバッファ層などとし、それ以外は実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。その結果、実施例1とほぼ同様の結果が得られた。
発光波長を390〜600nmと様々に変え、それ以外は実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。その結果、実施例1と同様に、従来例1,2と同等以上の特性を得られることが確認できた。
基板2であるサファイア基板の表面をC面、A面、M面、R面やこれらの中間の面など様々に変え、また、これらの面から任意の方向に数度傾いた微傾斜面とした場合についても、実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。その結果、実施例1とほぼ同等の結果が得られた。
基板2をサファイア基板から、SiC、ZnOからなる基板に代え、実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。その結果実施例1とほぼ同等の結果が得られた。ただし、実施例5では、異なる基板2において所望の凹凸のPV値を得るために、ブラスト剤としては、SiC、アルミナ、石英、ドライアイス、ダイヤモンドから適宜、適切なものを選択し、サンドブラスト処理実施時の圧縮空気の圧力も適宜調整した。
基板2を六方晶のサファイア基板から、立方晶のSi、GaAs、GaP、InP、Geからなる基板に代え、実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。この場合の基板2の表面Sの面方位としては、(001)面、(111)面、(111)A面、(111)B面、(311)面、(311)A面、(311)B面など様々な面と、これらの微傾斜面を用いた。いずれの場合においても、実施例1とほぼ同等の結果が得られ、従来例1,2と同等以上の特性を得られることが確認できた。実施例6においても、実施例5と同様に、異なる基板2において所望の凹凸のPV値を得るために、ブラスト剤としては、SiC、アルミナ、石英、ドライアイス、ダイヤモンドから適宜、適切なものを選択し、サンドブラスト処理実施時の圧縮空気の圧力も適宜調整した。
半導体層3の成長法をMOVPE法から、MBE法、HVPE法、あるいはLPE法に代え、実施例1と同様にして発光ダイオード1を作製し、光取出し効率等の評価を行った。その結果、実施例1とほぼ同等の結果が得られた。
2 基板(発光ダイオード用基板)
3 半導体層
7 発光層
10 下地層
Claims (8)
- 表面に発光層を含む半導体層が形成される発光ダイオード用基板であって、
サファイア基板からなり、
前記表面には、前記発光層が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成され、かつ、前記凹凸は結晶方位を反映して形成されており、
前記凹凸の高さが1μm以上5μm以下であり、
前記表面のX線回折ロッキングカーブ半値幅が60秒以下である
ことを特徴とする発光ダイオード用基板。 - 基板の表面に発光層を含む半導体層を形成した発光ダイオードにおいて、
前記基板の表面には、前記発光層が発光する光を乱反射するランダムに配置された凹凸が形成されており、
当該凹凸が形成された前記基板の表面に、前記半導体層を形成したことを特徴とする発光ダイオード。 - 前記凹凸は、機械的な加工により形成される請求項2記載の発光ダイオード。
- 前記機械的な加工が、サンドブラスト処理である請求項3記載の発光ダイオード。
- 前記基板は、発光波長に対して透明であるものを、サファイア、SiC、Si、GaAs、GaP、InP、Ge、ZnO、ガラス、石英、プラスチックのいずれかから選ぶ請求項3または4記載の発光ダイオード。
- 前記基板の表面に前記機械的な加工により前記凹凸を形成した後、前記基板の表面にエッチング処理を行い、前記機械的な加工による損傷を除去するようにした請求項3〜5いずれかに記載の発光ダイオード。
- 前記基板が単結晶基板であり、前記エッチング処理後の前記基板の表面のX線回折ロッキングカーブ半値幅が40秒以下である請求項6記載の発光ダイオード。
- 前記半導体層は、前記基板の表面に形成され、前記凹凸の段差を埋めて前記発光層の形成面を平坦化するための下地層を有する請求項2〜7いずれかに記載の発光ダイオード。
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