JP2012234817A - プラズマプローブ及びプラズマ診断のための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブの表面でプラズマパラメータデータを測定すするために、プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブ1の表面でバイアスコンデンサ2が単一の平面ラングミュアプローブ1とDCバイアス電源3との間で接続されている。続いて、DCバイアスが測定される結果として、バイアスコンデンサ2の放電電流が測定され、放電の間に単一のプローブでのプローブ電位が測定され、プローブ表面上の誘電体膜の存在及び/又は厚さを検出する。
【選択図】図1
Description
a)単一のラングミュアプローブに、バイアスコンデンサを介して、プラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した正のDCパルスと、プラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した負のDCパルスとを交互に付与する工程と、
b)正のDCパルスの間に第1プローブ電位を、及び負のDCパルスの間に第2プローブ電位を測定する工程と、
c)測定した第1浮遊電位と、測定した第2浮遊電位との差(ΔV)を計算する工程と、
d)計算した差(ΔV)、DCパルスの振幅(Va)及びバイアスコンデンサの静電容量(Cbias)を使用して誘電体膜の静電容量(Cfilm)を計算する工程とを含む方法を提供する。
チャンバ内部の、平坦面を有する単一のラングミュアプローブと、
供給手段と単一のプローブとの間に直列に取り付けられた、チャンバ外部のバイアスコンデンサと、
バイアスコンデンサの放電電流と、単一のプローブ及びバイアスコンデンサの電位とを放電の間に周期的に測定するためのチャンバ外部の手段と、
バイアスコンデンサを介して単一のプローブにDCパルスを周期的に供給するためのチャンバ外部の手段とを備えた装置。
a)バイアスコンデンサを介して、単一のプローブにDCパルスを周期的に供給する工程であって、該DCパルスは正の部分と負の部分とを両方含むような工程と、
b)DCパルスの正の部分の間に浮遊電位を測定し、DCパルスの負の部分の間に浮遊電位を測定する工程と、
c)DCパルスの正の部分の間に測定した浮遊電位と、DCパルスの負の部分の間に測定した浮遊電位との差(ΔV)を計算する工程と、
d)該差(ΔV)を使用して誘電体膜の静電容量(Cfilm)、DCパルスの振幅(Va)及びバイアスコンデンサの静電容量(Cbias)を計算する工程とを含む方法。
Claims (16)
- プラズマと接触する単一の平面ラングミュアプローブの表面でプラズマパラメータデータを測定することを含む、プラズマ反応器のチャンバ内でプラズマを監視するための方法であって、
単一のラングミュアプローブとバイアス電源との間に接続されたバイアスコンデンサにバイアス印加を行う工程であって、バイアス電源は前記バイアス印加に適合しているようにした工程と、
続いて、前記バイアス印加の結果としてバイアスコンデンサの放電電流を測定し、また、放電の間に単一のプローブのプローブ電位を測定する工程とを含み、
バイアス印加を行う工程は、DCバイアスを印加することを含むことを特徴とする方法。 - バイアス印加を行う工程は、プラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した正のDC電圧レベルを少なくとも一回印加することを含み、
測定したプラズマパラメータデータは、プラズマからプローブまでの電子束、及びプラズマからプローブまでのイオン束の少なくとも一方を含む、請求項1に記載の方法。 - バイアス印加を行う工程は、プラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した負のDC電圧レベルを少なくとも一回印加することを含み、
測定したプラズマパラメータデータは、プラズマからプローブまでの電子束、及びプラズマからプローブまでのイオン束の少なくとも一方を含む、請求項1又は2に記載の方法。 - バイアス印加を行う工程は、プラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した正のDCパルスを含む信号と、プラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した負のDCパルスを含む信号とを交互に印加することを含み、
測定したプラズマパラメータデータは、前記正のDCパルスの間の、プラズマからプローブまでの電子束、及び前記負のDCパルスの間の、プラズマからプローブまでのイオン束の少なくとも一方を含む、請求項1に記載の方法。 - 信号は、浮遊電位を基準として対称である、請求項4に記載の方法。
- 正のDCパルス及び負のDCパルスは、後に続く正のDCパルスと負のDCパルスとの間で、放電電流及び単一のプローブの電位の測定をそれぞれ実施することができるように用意した、所定の周期及びデューティサイクルをそれぞれ有する、請求項4又は5に記載の方法。
- DCバイアスは、前記バイアス印加の開始時に、プラズマからプローブまでの電子電流を制限するための正の傾斜を有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 単一のプローブは、プラズマ反応器と共通する接地電位を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- シミュレーションを行ったI−V曲線に、測定したI−V曲線を適合させ、プローブ表面の誘電体膜の存在又は厚さを決定する工程をさらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- プラズマ反応器のチャンバ内でプラズマを監視するための装置であって、
プラズマと接触する入射面を有するチャンバ内部の単一の平面ラングミュアプローブと、
チャンバ外部のバイアスコンデンサであって、単一のラングミュアプローブと、該バイアスコンデンサにバイアス印加を行うためのバイアス電源との間に直列に取り付けられたバイアスコンデンサと、
前記バイアス印加の結果としてバイアスコンデンサの放電電流を測定し、また、放電の間に単一のプローブのプローブ電位を測定するための手段とを備え、
バイアス電源は、DCバイアスを印加することに適合したDCバイアス電源であることを特徴とする装置。 - DCバイアス電源は、プラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した正のDC電圧レベルを少なくとも一回印加することに適合し、
測定手段は、プラズマからプローブまでの電子束、及びプラズマからプローブまでのイオン束の少なくとも一方を測定するために準備されている、請求項10に記載の装置。 - DCバイアス電源は、プラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した負のDC電圧レベルを少なくとも一回印加することに適合し、
測定手段は、プラズマからプローブまでの電子束、及びプラズマからプローブまでのイオン束の少なくとも一方を測定するために準備されている、請求項10又は11に記載の装置。 - DCバイアス電源は、プラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した正のDCパルスを含む信号と、プラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適した負のDCパルスを含む信号とを前記バイアスコンデンサに交互に印加するように適合し、
測定手段は、前記正のDCパルスの間にプラズマからプローブまでの電子束を測定し、また、前記負のDCパルスの間にプラズマからプローブまでのイオン束を測定するために準備されている、請求項10に記載の装置。 - チャンバ内で少なくとも一つのプラズマパラメータの空間分布についての情報を収集するために、請求項10〜13のいずれか1項に記載の複数のプラズマ監視装置を備えたプラズマ反応器。
- プラズマ反応器のチャンバ内部に位置し且つプラズマと接触する単一のラングミュアプローブの表面上に堆積した誘電体膜の静電容量をその場測定するための方法であって、
バイアスコンデンサを介して単一のラングミュアプローブに正のDCパルス及び負のDCパルスを交互に付与する工程であって、正のDCパルスはプラズマの浮遊電位より高電位にバイアスコンデンサを充電するのに適しており、負のDCパルスはプラズマの浮遊電位より低電位にバイアスコンデンサを充電するのに適しているような工程と、
正のDCパルスの間に第1プローブ電位を、及び負のDCパルスの間に第2プローブ電位を測定する工程と、
測定した第1浮遊電位と、測定した第2浮遊電位との差(ΔV)を計算する工程と、
計算した差(ΔV)、DCパルスの振幅(Va)及びバイアスコンデンサの静電容量(Cbias)を使用して、誘電体膜の静電容量(Cfilm)を計算する工程とを含む方法。 - 誘電体膜の静電容量(Cfilm)、及び誘電体膜の既知の物理的特性を使用して、誘電体膜の厚さを決定する工程をさらに含む請求項15に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161482980P | 2011-05-05 | 2011-05-05 | |
US61/482,980 | 2011-05-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012234817A true JP2012234817A (ja) | 2012-11-29 |
JP2012234817A5 JP2012234817A5 (ja) | 2015-05-28 |
Family
ID=46052645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012105802A Pending JP2012234817A (ja) | 2011-05-05 | 2012-05-07 | プラズマプローブ及びプラズマ診断のための方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120283973A1 (ja) |
EP (1) | EP2521158A1 (ja) |
JP (1) | JP2012234817A (ja) |
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- 2012-05-07 EP EP12166974A patent/EP2521158A1/en not_active Withdrawn
- 2012-05-07 JP JP2012105802A patent/JP2012234817A/ja active Pending
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---|---|
EP2521158A1 (en) | 2012-11-07 |
US20120283973A1 (en) | 2012-11-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160310 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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