JP2012230035A - ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法 - Google Patents

ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012230035A
JP2012230035A JP2011099193A JP2011099193A JP2012230035A JP 2012230035 A JP2012230035 A JP 2012230035A JP 2011099193 A JP2011099193 A JP 2011099193A JP 2011099193 A JP2011099193 A JP 2011099193A JP 2012230035 A JP2012230035 A JP 2012230035A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
latch
under test
terminal
test
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2011099193A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiya Yamaguchi
俊也 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Electronics Corp
Original Assignee
Renesas Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Electronics Corp filed Critical Renesas Electronics Corp
Priority to JP2011099193A priority Critical patent/JP2012230035A/ja
Publication of JP2012230035A publication Critical patent/JP2012230035A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

【課題】ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐこと。
【解決手段】ラッチアップ試験装置は、被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するとともに、プルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とするとともに、被試験端子に電流パルスを印加する前後において定電圧源から電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とし、第1の差分と第2の差分とを比較することで、ラッチアップが発生したか否かを判定する。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体デバイスのラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法に関する。
図8は、従来のラッチアップ試験装置の構成を一例として示すブロック図である。図8に示したラッチアップ試験装置は、いわゆる電流パルス注入法に基づいて、ラッチアップ試験を行うための装置である。図8を参照すると、ラッチアップ試験装置は、被試験デバイス21の電源端子22へ電源を供給する電源25と、その電源電流を測定する電流計26と、信号端子24のうちの被試験端子へ電流パルスを印加する電流パルス源27とを備えている。以下では、被試験デバイス21に設けられた複数の信号端子24のうちのラッチアップ試験の対象の端子を被試験端子という。なお、簡単のため、図8には信号端子24を1つのみ図示した。
次に、ラッチアップ試験装置の動作について説明する。まず、被試験デバイス21に電源を供給し、電流計26で初期電流値を測定する。次に、電流パルス源27を信号端子24のうちの被試験端子に接続し、電流パルスを印加する。電流パルスを印加した後、再度、電流計26で電源電流を測定し、初期電流値と比較してラッチアップの有無を判定する。判定後は、電源25をOFFし、被試験端子24の試験が完了する。被試験端子24のラッチアップ耐量を測定する場合には、電流パルスの電流値を一定量ずつ増加させながら、上述の測定を繰り返し、ラッチアップが発生しない限界の電流値を求める。また、複数の信号端子24の試験を行う場合には、電流パルス源27を接続する端子を変更しつつ、上述の一連の測定を端子数だけ繰り返す。
電流パルスが注入される被試験端子24が出力端子または入出力端子である場合には、試験時に被試験端子24をハイインピーダンス状態に設定することが好ましい。なぜなら、一般にハイインピーダンス状態がラッチアップのワーストケースとなるからである。そこで、従来のラッチアップ試験装置では、パターン発生器28およびプルアップ・プルダウン回路29を設けることにより、被試験端子24を所望の状態に設定する。図8において、パターン発生器28およびプルアップ・プルダウン回路29として、被試験端子24に接続された1系統のみが示されている。図示しないものの、ラッチアップ試験装置は、パターン発生器28およびプルアップ・プルダウン回路29を、被試験デバイス21のすべての被試験端子に接続できるように、複数系統を備えている。
図9は、プルアップ・プルダウン回路29の構成を一例として示す回路図である。スイッチSW10またはスイッチSW11をONにすることで、信号端子24のうちのノードN3に接続された被試験端子24がプルアップまたはプルダウンの状態となる。図9に示した回路の場合には、プルアップ抵抗素子31、プルダウン抵抗素子32の抵抗値を十分大きな値にすることで、被試験端子24に注入した電流パルスの回り込みを防ぐことができる。このとき、プルアップ・プルダウン回路29は、パターン発生器28のように、スイッチSW9を用いて試験回路から切り離す必要はない。
次に、パターン発生器28およびプルアップ・プルダウン回路29を使用した場合の試験動作について説明する。被試験デバイス21に電源を供給後、スイッチSW9を閉じて各被試験端子24にパターン発生器28による制御信号を入力する。同時に、スイッチSW10またはスイッチSW11を閉じて各被試験端子24を“H”または“L”の状態にする。これにより、被試験デバイス21の動作状態を決定するとともに、被試験端子24を所望の状態にする。その後、スイッチSW9をOFFとし、スイッチSW8を閉じて電流パルスを印加する。
特開昭64−066573号公報
以下の分析は、本発明者によってなされたものである。
実際の大規模LSIでは、端子状態を設定するために複雑なパターンや高速クロックが必要な場合があり、ラッチアップ試験装置による簡易な制御信号によると、被試験端子が所望の状態にならない場合、または、所望の状態になっているかを判別できない場合がある。また、顧客設計品のように、端子状態を設定するための情報が開示されていないような場合には、端子状態が不明のまま試験を行わざるを得ない。このように、従来のラッチアップ試験では、被試験端子が所望の状態になっていない場合、および、所望の状態になっているかどうかを判別できない場合が生じるという問題がある。
また、従来のラッチアップ試験装置によると、試験結果を誤判定するおそれもある。図10を参照して、その原因について説明する。図10を参照すると、パターン発生器およびプルアップ・プルダウン回路(いずれも非図示)により、被試験デバイス21の動作状態を決定後、スイッチSW8を閉じて被試験端子24に電流パルスを印加する。ここで、被試験端子24はプルアップ、プルダウン回路により“L”状態に設定されていたものとし、電流パルスの向きを図10の矢印の方向とする。電流パルスの印加により、被試験端子24の電位が大きく上昇して閾値を超えると、設定されていた論理状態が“L”から“H”へ反転する。論理反転により被試験デバイス21の動作状態が変化して、電源電流が増加することがある。この増加量がラッチアップ判定値を超えると、ラッチアップ試験の誤判定となる。従来のラッチアップ試験装置によると、動作モードの変化による電源電流の増加とラッチアップとを判別することができないため、ラッチアップの誤判定がたびたび発生する。
そこで、ラッチアップ試験において、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐことが課題となる。
本発明の第1の視点に係るラッチアップ試験装置は、
被試験デバイスの被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして該被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するハイインピーダンス検出回路と、
前記ハイインピーダンス検出回路によるプルアップおよびプルダウン動作に伴って前記被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から前記被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とするとともに、前記被試験端子に電流パルスを印加する前後において該定電圧源から該電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とし、該第1の差分と該第2の差分とを比較することで、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定する記憶・演算回路と、を備える。
本発明の第2の視点に係るラッチアップ試験方法は、
被試験デバイスの被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして該被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出する工程と、
前記検出工程におけるプルアップおよびプルダウン動作に伴って前記被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から前記被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とする工程と、
前記被試験端子に電流パルスを印加する前後において該定電圧源から該電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とする工程と、
前記第1の差分と前記第2の差分とを比較することで前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定する工程と、を含む。
本発明に係るラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法によると、被試験端子の状態がハイインピーダンス状態であるか否かを把握するとともに、被試験端子へ電流パルスを印加した際に被試験端子の論理状態が反転することによるラッチアップの誤判定を防ぐことが可能となる。
第1の実施形態に係るラッチアップ試験装置の構成を示すブロック図である。 第1の実施形態に係るラッチアップ試験装置におけるハイインピーダンス検出回路の構成を示す回路図である。 第1の実施形態に係るラッチアップ検出装置におけるハイインピーダンス検出回路の動作を示すタイミングチャートおよび真理値表である。 第1の実施形態に係るラッチアップ検出装置におけるハイインピーダンス検出回路の動作を示すタイミングチャートおよび真理値表である。 第1の実施形態に係るラッチアップ検出装置の動作を示すフローチャートである。 第2の実施形態に係るラッチアップ検出装置の動作を示すフローチャートである。 第3の実施形態に係るラッチアップ検出装置の動作を示すフローチャートである。 従来のラッチアップ試験装置の構成を示すブロック図である。 従来のラッチアップ試験装置におけるプルアップ・プルダウン回路の構成を示す回路図である。 従来のラッチアップ試験装置におけるラッチアップ誤判定のメカニズムについて説明するための図である。
はじめに、本発明の概要について説明する。なお、この概要に付記する図面参照符号は、専ら理解を助けるための例示であり、本発明を図示の態様に限定することを意図するものではない。
図1を参照すると、本発明のラッチアップ試験装置は、被試験デバイス(1)の被試験端子(4)の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子(4)がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するハイインピーダンス検出回路(9)と、ハイインピーダンス検出回路(9)によるプルアップおよびプルダウン動作に伴って被試験端子(4)の論理状態が反転する前後において、定電圧源(電源5)から被試験デバイス(1)の電源端子(2)へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とするとともに、被試験端子(4)に電流パルスを印加する前後において定電圧源(5)から電源端子(2)へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とし、第1の差分と第2の差分とを比較することで、被試験デバイス(1)においてラッチアップが発生したか否かを判定する記憶・演算回路(10)と、を備える。
図2を参照すると、ハイインピーダンス検出回路(9)は、被試験端子(4)に接続された第1のノード(N1)に一端が接続され、他端が第2のノード(N2)に接続された第1のスイッチ(SW4)と、第1の電位(VDD)を供給する第1の電源線と第1のノード(N1)との間に直列に接続された、第2のスイッチ(SW5)および第1の抵抗素子(プルアップ抵抗素子11)と、第1の電位(VDD)よりも低い第2の電位(GND)を供給する第2の電源線と第1のノード(N1)との間に直列に接続された、第3のスイッチ(SW6)および第2の抵抗素子(プルダウン抵抗素子12)と、第2のノード(N1)と第1の電源線との間に接続された第1の容量素子(コンデンサ13)と、第2のノード(N2)と第2の電源線との間に接続された第2の容量素子(コンデンサ14)と、を備えていてもよい。
また、ハイインピーダンス検出回路(9)は、第1のノード(N1)と第2のノード(N2)との間を導通状態とした場合において、被試験端子(4)と第1の電源線との間を第1の抵抗素子(11)を介して導通状態としてから非導通状態とした後、所定の期間が経過したときの被試験端子(4)の電位レベルである第1の電位レベルと、被試験端子(4)と第2の電源線との間を第2の抵抗素子(12)を介して導通状態としてから非導通状態とした後、所定の期間が経過したときの被試験端子(4)の電位レベルである第2の電位レベルとに基づいて、被試験端子(4)がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するようにしてもよい。
図2〜図4を参照すると、ハイインピーダンス検出回路(9)は、第1の電位レベル(A)を保持する第1のラッチ回路(15)と、第2の電位レベル(B)を保持する第2のラッチ回路(16)と、を備えていてもよい。また、ハイインピーダンス検出回路(9)は、第1のラッチ回路(15)から出力された信号(A)と第2のラッチ回路(16)から出力された信号(B)との間で排他的論理和を求めて、信号(X)として出力するEXOR回路(17)を備えていてもよい。
さらに、記憶・演算回路(10)は、被試験端子(4)と第1の電源線との間を第1の抵抗素子(11)を介して導通状態としたときに、定電圧源(5)から電源端子(2)へ供給される電源電流と、被試験端子(4)と第2の電源線との間を第2に抵抗素子(12)を介して導通状態としたときに、定電圧源(5)から電源端子(2)へ供給される電源電流との差分を、第2の差分としてもよい。
図5を参照すると、記憶・演算回路(10)は、被試験端子(4)がハイインピーダンス状態である場合に(ステップS10のYES)、被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定するようにしてもよい。
図5を参照すると、記憶・演算回路(10)は、第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に(ステップS11のYES)、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定するようにしてもよい。
図6を参照すると、記憶・演算回路(10)は、被試験端子(4)がハイインピーダンス状態でない場合には(ステップS10のNO)、被試験端子(4)の状態を記録するようにしてもよい。
図6を参照すると、記憶・演算回路(10)は、第1の差分の絶対値が所定の閾値以内でない場合には(ステップS11のNO)、論理反転後に定電圧源(5)から電源端子(2)へ供給される電源電流をラッチアップ試験の基準電流値として、被試験デバイス(1)においてラッチアップが発生したか否かを判定するようにしてもよい。
図7を参照すると、記憶・演算回路(10)は、被試験デバイス(1)に設けられた複数の信号端子のうちのすべての被試験端子がハイインピーダンス状態であり、かつ、すべての被試験端子に対する第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に、被試験デバイス(1)においてラッチアップが発生したか否かを判定するようにしてもよい。
本発明のラッチアップ試験方法では、被試験デバイスの端子の状態がハイインピーダンスかどうかを判別する機能を設け、被試験端子毎に端子状態を判別した後に、電流パルスを印加する。また、本発明のラッチアップ試験方法では、ハイインピーダンス判別動作時に、被試験端子の論理状態を反転させて電源電流の変化を記憶し、電流パルス印加後の電源電流の変化量と比較する。
本発明によると、ラッチアップ試験のワーストケースであるハイインピーダンス状態のみで試験を行う、あるいは試験結果と端子状態(ハイインピーダンス、もしくはそれ以外)とを対応できるようにすることで、試験結果の信頼性を向上させることができる。また、本発明によると、電流パルス印加による被試験端子の論理反転による電源電流の増加と、ラッチアップとを判別できるようにすることで、ラッチアップ誤判定を防止することができる。
(実施形態1)
第1の実施形態に係るラッチアップ試験装置について、図面を参照して説明する。図1は、本実施形態のラッチアップ試験装置の構成を示すブロック図である。図1を参照すると、ラッチアップ試験装置は、被試験デバイス1の電源端子2へ電源を供給する電源5と、その電源電流を測定する電流モニタ6と、被試験端子4へ電流パルスを印加する電流パルス源7と、被試験端子4を所望の状態に設定するパターン発生器8と、被試験デバイス1の被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして被試験端子4がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するハイインピーダンス検出回路9と、被試験デバイス1においてラッチアップが発生したか否かを判定する記憶・演算回路10と、を備えている。
図8に示したラッチアップ試験装置との違いとして、ハイインピーダンス検出回路9を設けた点と、電源電流値を記憶して比較などの演算を行う記憶・演算回路10を設けた点が挙げられる。ハイインピーダンス検出回路9は、図8に示したラッチアップ試験装置におけるプルアップ・プルダウン回路29の機能も兼ね備えている。
図2は、ハイインピーダンス検出回路9の構成を一例として示すブロック図である。図2を参照すると、ハイインピーダンス検出回路9は、ノードN1と電源電位VDDが供給される電源線との間に直列に接続されたスイッチSW5およびプルアップ抵抗素子11と、ノードN1と接地電位GNDが供給される電源線との間に直列に接続されたスイッチSW6およびプルダウン抵抗素子12と、ノードN1とノードN2との間に接続されたスイッチSW4と、ノードN2と電源電位VDDが供給される電源線との間に設けられたコンデンサ13と、ノードN2と接地電位GNDが供給される電源線との間に接続されたコンデンサ14と、ノードN2の電位を保持するラッチ回路15、16と、ラッチ回路15、16から出力された信号A、Bの排他的論理和を求めて信号Xとして出力するEXOR回路17と、EXOR回路17から出力された信号Xに基づいて、ラッチアップ試験を制御する制御回路18と、を備えている。
ノードN1には、被試験端子4を接続する。ハイインピーダンス検出回路9は、図9に示したプルアップ・プルダウン回路に加えて、端子10の電位を固定するためのコンデンサ13、14と、電位を記憶するためのラッチ回路15、16と、EXOR回路17と、EXOR回路17の出力に応じて、ラッチアップ試験を制御する制御回路18とを有する。被試験端子4への電流パルス注入時に、スイッチSW4をOFFにすることで、電流パルスがラッチ回路に回り込むことを防止する。
図1および図2を参照して、本実施形態のラッチアップ試験装置の動作について説明する。被試験デバイス1に電源5を供給後、スイッチSW3を閉じて、各被試験端子4にパターン発生器8による制御信号を入力する。同時に、ハイインピーダンス検出回路9のスイッチSW4と、スイッチSW5またはスイッチSW6の一方を閉じて各被試験端子4を“H”または“L”の状態にする。この初期化動作により、被試験デバイス1の動作状態を決定するとともに、被試験端子4を所望の状態にする。
次に、被試験端子4がハイインピーダンス状態であるか否かを検出する。一例として、まず、ハイインピーダンス検出回路9のスイッチSW5をON、すなわち、被試験端子4を“H”状態とする。次に、スイッチSW5をOFFにして、一定時間経過後、端子10のレベルをラッチ回路15に記憶する。次に、スイッチSW6を閉じて被試験端子4を“L”状態とし、再びOFFにした後、一定時間待ってから端子10のレベルをラッチ回路16に記憶する。
図3は、被試験端子4の状態と端子10のレベルの変化を示す。図3は、スイッチSW5のオン・オフ(プルアップ)を行った後に、スイッチSW6のオン・オフ(プルダウン)を行ったときの端子10の電位レベルの変化を示す。
図3(a)の実線に示すように、被試験端子4がハイインピーダンスの場合には、スイッチSW5をOFFにしてもコンデンサ13および14に蓄えられた電荷により、端子10のレベルは“H”レベルのまま変化しない。同様に、プルダウン後にスイッチSW6をOFFにしても”L”レベルのまま変化しない。このとき、ラッチ15には“H”レベルが記憶され、ラッチ16には“L”レベルが記憶される。
また、図3(b)に破線で示すように、被試験端子4が“L”出力状態の場合には、スイッチSW5をOFFにすると端子10は“H”レベルから“L”レベルに変わり、ラッチ回路15には“L”レベルが記憶される。スイッチSW6をOFFにした後も“L”レベルのままであり、ラッチ回路16にも“L”レベルが記憶される。
また、図3(b)に点線で示すように、被試験端子4が“H”出力状態の場合には、スイッチSW5をOFFにした後も、端子10のレベルは“H”レベルのままであり、ラッチ回路15には“H”レベルが記憶される。また、スイッチSW6をOFFにすると、端子10は“L”レベルから“H”レベルに変わり、ラッチ回路16には“H”レベルが記憶される。
したがって、図3(b)に示すように、EXOR回路17は、ラッチ回路15および16の出力を入力とし、被試験端子4がハイインピーダンス状態の場合に限り、“H”レベルを出力する。
図4は、被試験端子4の状態と端子10のレベルの変化を示す。図4は、図3とは逆に、スイッチSW6のオン・オフを行った後に、スイッチSW5のオン・オフを行ったときの端子10の電位レベルの変化を示す。
図4(a)の実線に示すように、被試験端子4がハイインピーダンスの場合には、スイッチSW6をOFFにしてもコンデンサ13および14に蓄えられた電荷により、端子10のレベルは“L”レベルのまま変化しない。同様に、プルアップ後にスイッチSW5をOFFにしても“H”レベルのまま変化しない。このとき、ラッチ15には“H”レベルが記憶され、ラッチ16には“L”レベルが記憶される。
また、図4(b)に破線で示すように、被試験端子4が“L”出力状態の場合には、スイッチSW6をOFFした後も、端子10は“L”レベルのままであり、ラッチ回路16には“L”レベルが記憶される。また、スイッチSW5をOFFすると、端子10は“H”レベルから“L”レベルに変わり、ラッチ回路15には“L”レベルが記憶される。
また、図4(b)に点線で示すように、被試験端子4が“H”出力状態の場合には、スイッチSW6をOFFにすると、端子10は“L”レベルから“H”レベルに変わり、ラッチ回路16には“H”レベルが記憶される。また、スイッチSW6をOFFにした後も、端子10のレベルは“H”レベルのままであり、ラッチ回路15には“H”レベルが記憶される。
したがって、図4(b)に示すように、EXOR回路17は、ラッチ回路15および16の出力を入力とし、被試験端子4がハイインピーダンス状態の場合に限り、“H”レベルを出力する。
以上のハイインピーダンス検出動作によると、ハイインピーダンス検出回路9によるプルアップおよびプルダウン動作に伴って、被試験端子4の論理が“H”から“L”に反転する。そこで、論理が反転する前後の電源電流を電流モニタ6で計測し、電源電流の変化量を記憶・演算回路10に記憶しておく。これを、被試験端子4に電流パルスを注入したときの電源電流の変化量と比較することで、電源電流の増加が電流パルスの注入による被試験端子の論理反転によるものか、ラッチアップ現象によるものかを判別することが可能となる。
本実施形態のラッチアップ試験装置の動作について、図5のフローチャートを参照して説明する。図5は、被試験端子1つ分の試験の流れを示す。複数の被試験端子について試験を行う場合には、被試験端子を変更しつつ、以下の(1)〜(7)の動作を繰り返す。
(1)まず、電源5を投入した後(ステップS1)、被試験端子4へのパターンの入力(ステップS3)とプルアップ(PU)、プルダウン(PD)の設定を行い(ステップS2)、被試験デバイス1の動作状態を決定する。ここで、電源電流値を電流モニタ6で測定し(ステップS4)、記憶・演算装置10に記憶しておく。
(2)次に、被試験端子4のハイインピーダンス検出を行う。図5は、一例として、被試験端子4が“H”に設定されていた場合、すなわち、ステップS2においてスイッチSW5がONとされていた場合を示す。最初に、スイッチSW5をOFFにし、端子10のレベルをラッチ回路15に記憶する(ステップS6)。
(3)次に、スイッチSW6をONにし、被試験端子の論理を“H”から“L”に反転する(ステップS7)。ここで、論理反転後の電源電流を電流モニタ6で測定し(ステップS8)、記憶・演算装置10に記憶しておく。
(4)スイッチSW6をOFFにし、端子10のレベルをラッチ回路16に記憶する(ステップS9)。ラッチ回路15と16の出力をEXOR回路17に入力し、被試験端子4がハイインピーダンス状態か否かを判定し(ステップS10)、ハイインピーダンス状態でない場合には(ステップS10のNO)、ラッチアップ試験を行わずに終了する。
(5)被試験端子4がハイインピーダンス状態である場合には(ステップS10のYES)、電源投入後の電源電流値(初期値)と被試験端子の論理反転後の電源電流値を比較し(ステップS11)、電源電流の増分が所定の以下でない場合には(ステップS11のNO)、ラッチアップ試験を行わずに終了する。所定の値として、例えば、ラッチアップ判定がNGとなる閾値等を用いる。
(6)電源電流の増分が所定の値以下である場合には(ステップS11のYES)、プルアップ、プルダウンを再設定し(ステップS12)、ハイインピーダンス検出回路のスイッチSW4をOFFにした後(ステップS13)、スイッチSW2を閉じて被試験端子4に電流パルスを印加する(ステップS14)。
(7)電流パルス印加後の電源電流値を測定し(ステップS15)、初期値と比較することでラッチアップ判定を行う(ステップS16)。結果を記録した後(ステップS17)、各スイッチSWを初期状態に戻してから(ステップS17)、電源5をOFFにする(ステップS18)。
本実施形態では、ラッチアップ試験装置は、ハイインピーダンス検出回路9により、被試験端子4毎に端子状態をチェックし、ハイインピーダンス状態の場合に限り、ラッチアップ試験を行う。これにより、ラッチアップ試験の結果を、各端子がワーストケースの場合に統一することができ、正確なラッチアップ判定を行うことが可能となる。
また、上記のハイインピーダンス検出動作を利用して、被試験端子4の論理が反転したときの電源電流を測定し、初期電流値と比較する。比較の結果、論理反転の前後の電源電流値の増分が所定の値よりも大きい場合には、その被試験端子に対するタッチアップ試験を行わずに終了する。これにより、ラッチアップ誤判定を防止することができる。
さらに、本実施形態のラッチアップ試験装置によると、ハイインピーダンス検出動作を利用して、ラッチアップ誤判定を防止することで、ラッチアップ誤判定のために余計な回路や動作を追加する必要がない。
(実施形態2)
第2の実施形態に係るラッチアップ試験装置について、図面を参照して説明する。本実施形態のラッチアップ試験装置の構成は、第1の実施形態に係るラッチアップ試験装置(図1)と同一である。
図6は、本実施形態と第1の実施形態との間で、ラッチアップ試験の動作が相違する箇所を示す。本実施形態では、第1の実施形態に対して、ハイインピーダンス検出後(ステップS10)の処理と、被試験端子の論理反転による電源電流増加を判断した後(ステップS11)の処理が追加されている。
第1の実施形態では、被試験端子4がハイインピーダンスか否かを判定し(ステップS10)、ハイインピーダンスでない場合には(ステップS10のNO)、ラッチアップ試験を行わずに終了するものとした。一方、本実施形態では、端子状態を記録した後(ステップS21)、ラッチアップ試験を行う。本実施形態によると、試験の最後に結果を記録する際に、試験結果とともに端子状態を記録することで、試験結果と端子状態とを対応付けることが可能となる。
また、第1の実施形態では、電源投入後の電源電流値(初期値)と被試験端子の論理反転後の電源電流値を比較し(ステップS11)、電源電流が所定の値よりも増加していた場合には(ステップS11のNO)、ラッチアップ試験を行わずに終了するものとした。一方、本実施形態では、ラッチアップ判定の基準となる初期電流値を、論理反転後の電流値に再設定し(ステップS22)、ラッチアップ試験を続行する。すなわち、本実施形態では、論理反転で増加した電源電流値を基準として、ラッチアップ判定を行う。
図6を参照すると、本実施形態では、ハイインピーダンス検出後、被試験端子4がハイインピーダンスでない場合には(ステップS10のNO)、端子の状態(“H”,“L”出力など)を記録して(ステップS21)、試験を続行する。各端子の試験結果と端子状態とを対応付けられるようにすることで、異なる端子状態の間で、試験結果の混同を防ぐことができる。これにより、ハイインピーダンス状態とすることができない被試験端子に対しても、ラッチアップ試験を行うことが可能となる。
また、本実施形態では、被試験端子の論理反転により電源電流が増加するような場合には(ステップS11のNO)、反転後の電源電流をラッチアップ試験の基準電流値として(ステップS22)、ラッチアップ判定を行う。これにより、論理反転によるラッチアップ誤判定を防止しつつ、当該被試験端子に対するラッチアップ試験を行うことが可能となる。
(実施形態3)
第3の実施形態に係るラッチアップ試験装置について、図面を参照して説明する。本実施形態のラッチアップ試験装置の構成は、第1の実施形態に係るラッチアップ試験装置(図1)と同一である。
図7は、本実施形態と第1の実施形態との間で、動作が相違する箇所を示す。本実施形態では、最初に、すべての被試験端子に対してハイインピーダンス検出を行い、被試験端子の状態を確認した後に(ステップS31〜S33)、ラッチアップ試験を開始する。
電源投入後(ステップS1)、被試験デバイスの状態を決定して、電源電流値を測定する(ステップS2〜S5)。次に、一端子ずつハイインピーダンス検出(ステップS31)を繰り返すが、そのときに電源電流が変化した場合には(ステップS32のNO)、試験デバイスの動作状態が変化した可能性がある。そこで、一旦電源をOFFにして(ステップS34)、再度、電源投入(ステップS1)と初期化動作を行う(ステップS2〜S5)。全端子の検出動作が完了し、端子状態が所望の状態であることを確認した後(ステップS33のYES)、試験動作を続行する。
本実施形態では、ハイインピーダンス検出動作により、最初に全端子の状態を調査する。これにより、被測定デバイス1の動作状態や端子状態が、期待した状態になっているかどうかを確認することができる。これにより、入力したパターンやプルアップ、プルダウン設定が有効かどうかを確認することができ、さらに、設定条件を最適に調整することも可能となる。
なお、上記の特許文献等の先行技術文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示(請求の範囲を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
1 被試験デバイス
2 電源端子
3 GND端子
4 信号端子(被試験端子)
5 電源
6 電源モニタ
7 電流パルス源
8 パターン発生器
9 ハイインピーダンス検出回路
10 記憶・演算回路
11 プルアップ抵抗素子
12 プルダウン抵抗素子
13、14 コンデンサ
15、16 ラッチ回路
17 EXOR回路
18 制御回路
21 被試験デバイス
22 電源端子
23 GND端子
24 信号端子(被試験端子)
25 電源
26 電流計
27 電流パルス源
28 パターン発生器
29 プルアップ・プルダウン回路
31 プルアップ抵抗素子
32 プルダウン抵抗素子
N1〜N3 ノード
SW1〜SW6 スイッチ
SW7〜SW11 スイッチ

Claims (17)

  1. 被試験デバイスの被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして該被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出するハイインピーダンス検出回路と、
    前記ハイインピーダンス検出回路によるプルアップおよびプルダウン動作に伴って前記被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から前記被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とするとともに、前記被試験端子に電流パルスを印加する前後において該定電圧源から該電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とし、該第1の差分と該第2の差分とを比較することで、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定する記憶・演算回路と、を備えることを特徴とするラッチアップ試験装置。
  2. 前記ハイインピーダンス検出回路は、前記被試験端子に接続された第1のノードに一端が接続され、他端が第2のノードに接続された第1のスイッチと、
    第1の電位を供給する第1の電源線と前記第1のノードとの間に直列に接続された、第2のスイッチおよび第1の抵抗素子と、
    前記第1の電位よりも低い第2の電位を供給する第2の電源線と前記第1のノードとの間に直列に接続された、第3のスイッチおよび第2の抵抗素子と、
    前記第2のノードと前記第1の電源線との間に接続された第1の容量素子と、
    前記第2のノードと前記第2の電源線との間に接続された第2の容量素子と、を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のラッチアップ試験装置。
  3. 前記ハイインピーダンス検出回路は、前記第1のノードと前記第2のノードとの間を導通状態とした場合において、前記被試験端子と前記第1の電源線との間を前記第1の抵抗素子を介して導通状態としてから非導通状態とした後、所定の期間が経過したときの前記被試験端子の電位レベルである第1の電位レベルと、前記被試験端子と前記第2の電源線との間を前記第2の抵抗素子を介して導通状態としてから非導通状態とした後、所定の期間が経過したときの前記被試験端子の電位レベルである第2の電位レベルとに基づいて、前記被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出することを特徴とする、請求項1または2に記載のラッチアップ試験装置。
  4. 前記ハイインピーダンス検出回路は、前記第1の電位レベルを保持する第1のラッチ回路と、
    前記第2の電位レベルを保持する第2のラッチ回路と、を備えることを特徴とする、請求項3に記載のラッチアップ試験装置。
  5. 前記ハイインピーダンス検出回路は、前記第1のラッチ回路から出力された信号と前記第2のラッチ回路から出力された信号との間で排他的論理和を求めて出力するEXOR回路を備えることを特徴とする、請求項4に記載のラッチアップ試験装置。
  6. 前記記憶・演算回路は、前記被試験端子と前記第1の電源線との間を前記第1の抵抗素子を介して導通状態としたときに、前記定電圧源から前記電源端子へ供給される電源電流と、前記被試験端子と前記第2の電源線との間を前記第2に抵抗素子を介して導通状態としたときに、前記定電圧源から前記電源端子へ供給される電源電流との差分を、前記第2の差分とすることを特徴とする、請求項2ないし5のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  7. 前記記憶・演算回路は、前記被試験端子がハイインピーダンス状態である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  8. 前記記憶・演算回路は、前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項1ないし7のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  9. 前記記憶・演算回路は、前記被試験端子がハイインピーダンス状態でない場合には、前記被試験端子の状態を記録することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  10. 前記記憶・演算回路は、前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内でない場合には、論理反転後に前記定電圧源から前記電源端子へ供給される電源電流をラッチアップ試験の基準電流値として、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項1ないし7および9のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  11. 前記記憶・演算回路は、被試験デバイスに設けられた複数の信号端子のうちのすべての被試験端子がハイインピーダンス状態であり、かつ、該すべての被試験端子に対する前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項1ないし6のいずれか1項に記載のラッチアップ試験装置。
  12. 被試験デバイスの被試験端子の電位をプルアップおよびプルダウンして該被試験端子がハイインピーダンス状態であるか否かを検出する工程と、
    前記検出工程におけるプルアップおよびプルダウン動作に伴って前記被試験端子の論理状態が反転する前後において、定電圧源から前記被試験デバイスの電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第1の差分とする工程と、
    前記被試験端子に電流パルスを印加する前後において該定電圧源から該電源端子へ供給される電源電流を測定して両者の差分を第2の差分とする工程と、
    前記第1の差分と前記第2の差分とを比較することで前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定する工程と、を含むことを特徴とするラッチアップ試験方法。
  13. 前記被試験端子がハイインピーダンス状態である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項12に記載のラッチアップ試験方法。
  14. 前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項12または13に記載のラッチアップ試験方法。
  15. 前記被試験端子がハイインピーダンス状態でない場合には、前記被試験端子の状態を保持する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項12に記載のラッチアップ試験方法。
  16. 前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内でない場合には、論理反転後に前記定電圧源から前記電源端子へ供給される電源電流をラッチアップ試験の基準電流値として、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項12、13および15のいずれか1項に記載のラッチアップ試験方法。
  17. 前記記憶・演算回路は、被試験デバイスに設けられた複数の信号端子のうちのすべての被試験端子がハイインピーダンス状態であり、かつ、該すべての被試験端子に対する前記第1の差分の絶対値が所定の閾値以内である場合に、前記被試験デバイスにおいてラッチアップが発生したか否かを判定することを特徴とする、請求項12に記載のラッチアップ試験方法。
JP2011099193A 2011-04-27 2011-04-27 ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法 Withdrawn JP2012230035A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011099193A JP2012230035A (ja) 2011-04-27 2011-04-27 ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011099193A JP2012230035A (ja) 2011-04-27 2011-04-27 ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012230035A true JP2012230035A (ja) 2012-11-22

Family

ID=47431689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011099193A Withdrawn JP2012230035A (ja) 2011-04-27 2011-04-27 ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012230035A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017531986A (ja) * 2014-10-06 2017-10-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 外部抵抗検出を備えた集積回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017531986A (ja) * 2014-10-06 2017-10-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 外部抵抗検出を備えた集積回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5745075B2 (ja) 高速入出力デバイスの試験
US9335370B2 (en) On-chip test for integrated AC coupling capacitors
JP5669850B2 (ja) 静電容量式タッチセンサデバイス設定システムおよび方法
US8193822B2 (en) System and method for determining capacitance value
US6734702B1 (en) Impedance calibration circuit
KR101031498B1 (ko) 정전 용량 변화 감지 방법, 장치 및 그 방법을 실행하는 프로그램이 기록된 기록매체, 및 그 방법을 사용한 터치 감지 방법, 장치 및 그 방법을 실행하는 프로그램이 기록된 기록매체
US8487884B2 (en) Touch screen detection and diagnostics
KR101488041B1 (ko) 디지털 필터들 및 메모리를 포함하는 델타 시그마 감지 증폭기
US8749224B2 (en) Voltage detection circuit and method for controlling the same
US20130041606A1 (en) Detecting an open wire between a battery cell and an external circuit
EP3617723B1 (en) Integrated circuit device with integrated fault monitoring system
CN103366807A (zh) 电阻性存储元件的双回路检测方案
US10613155B2 (en) Short circuit testing method for capacitive sensing device and the capacitive sensing device
JP7002854B2 (ja) 試験装置、ケーブル特性試験システム及びケーブル特性試験方法
TWI612520B (zh) 用於修復電阻式記憶體並且增加感測放大器的總讀取靈敏度的裝置和方法
JP2012230035A (ja) ラッチアップ試験装置およびラッチアップ試験方法
EP1355315B1 (en) Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices
CN106708429B (zh) 侦测电路
US10634713B2 (en) Method for testing semiconductor die pad untouched by probe and related test circuit
KR102237747B1 (ko) 반도체 장치
US6686776B2 (en) Digital data coincidence determining circuit
CN109901001B (zh) 中央处理单元插槽的多个电源与接地脚位导通检测系统及其方法
US20140126312A1 (en) Sense amplifier soft-fail detection circuit
US5256963A (en) Digital testing for high-impedance states in digital electronic circuits
JP2008211708A (ja) 信号ライン監視回路、保護方法およびそれらを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20140701