JP2012221962A - Led package and substrate for the led package - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an LED package which inhibits molding defects, such as the occurence of resin non filling regions and voids, between die pads of a lead frame and improves the resin molding property.SOLUTION: An LED package is formed by cutting a lead frame 10 on which multiple LED chips are mounted and has at least one LED chip. The LED package includes: clearance parts 14, each of which is provided between a base side lead 10a and a terminal side lead 10b which form the lead frame 10; and a resin 20 formed on the lead frame 10 so as to enclose the LED chips and the interior of each clearance part 14 to form the package. Each clearance part 14 is inclined relative to a side surface of the package.

Description

本発明は、樹脂成形性を向上させたLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板に関する。   The present invention relates to an LED package with improved resin moldability and an LED package substrate.

従来から、特許文献1に開示されているように、所定の波長の光を発するLEDチップを備えたLEDパッケージがある。このようなLEDパッケージは、リードフレームの上に複数のLEDチップを実装してLEDパッケージ用基板を形成し、このLEDパッケージ用基板を切断して個片化することにより製造される。   Conventionally, as disclosed in Patent Document 1, there is an LED package including an LED chip that emits light of a predetermined wavelength. Such an LED package is manufactured by mounting a plurality of LED chips on a lead frame to form an LED package substrate, and cutting the LED package substrate into individual pieces.

特許文献1には、リードフレームの上に複数のLEDチップの各々を取り囲むように、トランスファ成形により一次成形樹脂(白樹脂)で一括成形されたリフレクタが設けられている。また、複数のLEDチップは、レンズ部としての機能を備えた二次成形樹脂(透明樹脂)により封止されている。   In Patent Document 1, a reflector formed by a primary molding resin (white resin) by transfer molding is provided so as to surround each of a plurality of LED chips on a lead frame. The plurality of LED chips are sealed with a secondary molding resin (transparent resin) having a function as a lens portion.

特開2010−182770号公報JP 2010-182770 A

特許文献1に開示されているLEDパッケージにおいて、トランスファ成形によりリフレクタ(樹脂)を成形する場合、樹脂は金型のキャビティ内部を所定の一方向に流動(移動)しながらリフレクタを形成する。このとき、LEDパッケージ(LEDパッケージ用基板)を構成するリードフレームのダイパッド間ギャップ(クリアランス部)は狭いため、ダイパッド間における樹脂成形性(樹脂充填性)は悪い。また、従来のLEDパッケージでは、半導体チップの実装領域やワイヤの設置領域などを確保するため、実装機能が優先されており、樹脂成形性については考慮されていない。   In the LED package disclosed in Patent Document 1, when a reflector (resin) is formed by transfer molding, the resin forms the reflector while flowing (moving) in a predetermined direction inside the cavity of the mold. At this time, since the gap (clearance portion) between the die pads of the lead frame constituting the LED package (LED package substrate) is narrow, the resin moldability (resin filling property) between the die pads is poor. Further, in the conventional LED package, the mounting function is given priority in order to secure the mounting area of the semiconductor chip and the installation area of the wire, and the resin moldability is not considered.

そこで本発明は、リードフレームのダイパッド間における樹脂未充填領域やボイドの発生などの成形不良を抑制し、樹脂成形性を向上させたLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板を提供する。   Therefore, the present invention provides an LED package and an LED package substrate that are improved in resin moldability by suppressing molding defects such as resin unfilled regions between the die pads of the lead frame and generation of voids.

本発明の一側面としてのLEDパッケージは、複数のLEDチップを実装したリードフレームを切断することにより形成され、少なくとも一つのLEDチップを有するLEDパッケージであって、前記リードフレームを構成する第1のリード部及び第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、前記LEDチップを取り囲むように前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂とを有し、前記クリアランス部は、前記パッケージの側面に対して傾斜している。   An LED package according to an aspect of the present invention is an LED package having at least one LED chip formed by cutting a lead frame on which a plurality of LED chips are mounted, and includes a first frame constituting the lead frame. A clearance portion provided between the lead portion and the second lead portion; and a resin which is molded on the lead frame and inside the clearance portion so as to surround the LED chip and constitutes a package. The clearance portion is inclined with respect to the side surface of the package.

本発明の他の側面としてのLEDパッケージは、複数のLEDチップを実装したリードフレームを切断することにより形成され、少なくとも一つのLEDチップを有するLEDパッケージであって、前記リードフレームを構成する第1のリード部及び第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、前記LEDチップを取り囲むように前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂とを有し、前記パッケージの第1の側面側における前記クリアランス部の第1の幅は、該第1の側面に対向する第2の側面側における該クリアランス部の第2の幅よりも広い。   An LED package according to another aspect of the present invention is an LED package having at least one LED chip formed by cutting a lead frame on which a plurality of LED chips are mounted. A clearance portion provided between the lead portion and the second lead portion, and a resin which is molded on the lead frame and inside the clearance portion so as to surround the LED chip and constitutes a package. And the first width of the clearance portion on the first side surface side of the package is wider than the second width of the clearance portion on the second side surface side facing the first side surface.

本発明の他の側面としてのLEDパッケージ用基板は、第1のリード部及び第2のリード部を有するリードフレームと、前記第1のリード部及び前記第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂とを有し、前記クリアランス部は、前記リードフレームを切断して得られる前記パッケージの側面に対して傾斜している。   An LED package substrate according to another aspect of the present invention is provided between a lead frame having a first lead portion and a second lead portion, and the first lead portion and the second lead portion. A clearance portion and a resin formed on the lead frame and inside the clearance portion to form a package, and the clearance portion is formed on a side surface of the package obtained by cutting the lead frame. It is inclined with respect to it.

本発明の他の側面としてのLEDパッケージ用基板は、第1のリード部及び第2のリード部を有するリードフレームと、前記第1のリード部及び前記第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂とを有し、樹脂成形用のゲート側における前記クリアランス部の第1の幅は、該ゲートと反対側における該クリアランス部の第2の幅よりも広い。   An LED package substrate according to another aspect of the present invention is provided between a lead frame having a first lead portion and a second lead portion, and the first lead portion and the second lead portion. A clearance portion and a resin which is molded on the lead frame and inside the clearance portion to form a package, and the first width of the clearance portion on the resin molding gate side is the gate Wider than the second width of the clearance portion on the opposite side.

本発明の他の目的及び特徴は、以下の実施例において説明される。   Other objects and features of the present invention are illustrated in the following examples.

本発明によれば、リードフレームのダイパッド間における樹脂未充填領域やボイドの発生などの成形不良を抑制し、樹脂成形性を向上させたLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an LED package and an LED package substrate with improved resin moldability by suppressing molding defects such as resin unfilled regions between the die pads of the lead frame and generation of voids.

実施例1におけるリードフレームの構成図である。3 is a configuration diagram of a lead frame in Embodiment 1. FIG. 実施例1におけるLEDパッケージ用基板の構成図である。1 is a configuration diagram of an LED package substrate in Example 1. FIG. 実施例1におけるリードフレームの変形例である。7 is a modification of the lead frame in Embodiment 1. 実施例1におけるリードフレームの変形例である。7 is a modification of the lead frame in Embodiment 1. 実施例2におけるリードフレームの構成図である。6 is a configuration diagram of a lead frame in Embodiment 2. FIG. 実施例2におけるLEDパッケージ用基板の構成図である。6 is a configuration diagram of an LED package substrate in Example 2. FIG. 実施例2におけるリードフレームの変形例である。10 is a modification of the lead frame in Embodiment 2.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In each figure, the same members are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

まず、本発明の実施例1におけるLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板について説明する。本実施例のLEDパッケージは、複数のLEDチップを実装したリードフレームを切断することにより形成され、少なくとも一つのLEDチップを有する。図1は、本実施例におけるリードフレームの構成図であり、図1(a)はリードフレームの平面図、図1(b)は金型でリードフレームをクランプした状態を示す平面図、図1(c)は図1(b)中の線C−Cで切断した断面図をそれぞれ示す。   First, an LED package and an LED package substrate in Example 1 of the present invention will be described. The LED package of the present embodiment is formed by cutting a lead frame on which a plurality of LED chips are mounted, and has at least one LED chip. FIG. 1 is a configuration diagram of a lead frame in this embodiment, FIG. 1 (a) is a plan view of the lead frame, FIG. 1 (b) is a plan view showing a state in which the lead frame is clamped with a mold, and FIG. (C) shows each sectional drawing cut | disconnected by line CC in FIG.1 (b).

本実施例のリードフレーム10は、例えば、銅合金又は鉄合金などの材料の表面にメッキ層を形成して平面状に構成されている。リードフレーム10の上にはリフレクタ用の樹脂封止後に複数のLEDチップ(不図示)が実装され、レンズ用の樹脂封止後にリードフレーム10を切断するダイシング(個片化)工程を経ることにより、最終製品としての複数のLEDパッケージが完成する。図1(a)中の破線で示される領域150は、一つのLEDパッケージの外形に相当する。このようなリフレクタ用及びレンズ用の樹脂がMAP(Mold Array Process)方式によって成形させる。これらの成形においては複数のLEDパッケージ領域を包含するキャビティに一括して樹脂を充填するために、複数のゲートがキャビティの1つの辺に対して配置されることになる。   The lead frame 10 of the present embodiment is configured in a planar shape by forming a plating layer on the surface of a material such as a copper alloy or an iron alloy. A plurality of LED chips (not shown) are mounted on the lead frame 10 after sealing the resin for the reflector, and after passing through a dicing (dividing) process for cutting the lead frame 10 after sealing the resin for the lens. A plurality of LED packages as final products are completed. A region 150 indicated by a broken line in FIG. 1A corresponds to the outer shape of one LED package. Such a resin for a reflector and a lens is molded by a MAP (Mold Array Process) method. In these moldings, a plurality of gates are arranged with respect to one side of the cavity in order to collectively fill the cavity including the plurality of LED package regions with the resin.

図1(a)に示されるように、本実施例において、リードフレーム10はダイパッドとして機能するベース側リード10a(第1のリード部)及び端子側リード10b(第2のリード部)を備えて構成されている。ベース側リード10aの上にはLEDチップ(不図示)が実装される。LEDチップは、アノード電極(正極)及びカソード電極(負極)の一対の電極を備え、これらの電極の間に順バイアスの所定電圧を印加することにより光を放出する半導体素子である。   As shown in FIG. 1A, in this embodiment, the lead frame 10 includes a base side lead 10a (first lead portion) and a terminal side lead 10b (second lead portion) that function as a die pad. It is configured. An LED chip (not shown) is mounted on the base side lead 10a. An LED chip is a semiconductor element that includes a pair of electrodes, an anode electrode (positive electrode) and a cathode electrode (negative electrode), and emits light by applying a predetermined voltage with a forward bias between these electrodes.

ベース側リード10aと端子側リード10bとは、クリアランス部14(ダイパッド間ギャップ)により互いに分離されており、金ワイヤを用いたワイヤボンディングやフリップチップなどにより、LEDチップの各電極に電気的に接続される。このようにクリアランス部14は、リードフレーム10を構成するベース側リード10a及び端子側リード10bの間に設けられている。なお本実施例では、ベース側リード10aがカソード電極に接続され、端子側リード10bがアノード電極に接続されるが、これに限定されるものではない。また、LEDチップは端子側リード10bに実装してもよく、両方のリードに実装してもよい。   The base-side lead 10a and the terminal-side lead 10b are separated from each other by a clearance portion 14 (gap between die pads), and are electrically connected to each electrode of the LED chip by wire bonding using gold wire, flip chip, or the like. Is done. As described above, the clearance portion 14 is provided between the base-side lead 10a and the terminal-side lead 10b constituting the lead frame 10. In this embodiment, the base-side lead 10a is connected to the cathode electrode and the terminal-side lead 10b is connected to the anode electrode. However, the present invention is not limited to this. Further, the LED chip may be mounted on the terminal side lead 10b, or may be mounted on both leads.

リードフレーム10には、複数のLEDパッケージへ個片化する際の切断部位において、例えば化学処理によって厚みを薄くしたハーフエッチング12(凹溝)が形成されている。なお、このようにリードフレーム10の厚みを薄くするときにプレス加工を用いてもよい。リードフレーム10の切断部位にハーフエッチング12を形成することにより、複数のLEDパッケージへ個片化する際の切断が容易になる。   The lead frame 10 is formed with a half-etching 12 (concave groove) whose thickness is reduced by, for example, chemical treatment at a cutting site when the lead frame 10 is separated into a plurality of LED packages. Note that press working may be used to reduce the thickness of the lead frame 10 in this way. By forming the half etching 12 at the cutting portion of the lead frame 10, it is easy to cut when dividing into a plurality of LED packages.

またリードフレーム10において、クリアランス部14は、LEDパッケージの外形を示す領域150の辺(図1(a)における右辺又は左辺)に対して角度αだけ傾斜するように構成されている。すなわち、クリアランス部14は、リードフレーム10を切断して得られるパッケージ(切断後の最終製品としてのLEDパッケージ)の側面に対して傾斜している。またクリアランス部14は、ゲート側の辺(図1(b)の左側)およびその対向する辺(図1(b)の右側)でない一対の辺(図1(b)中の上辺および下辺)に亘って形成されている。   In the lead frame 10, the clearance portion 14 is configured to be inclined by an angle α with respect to the side of the region 150 showing the outer shape of the LED package (the right side or the left side in FIG. 1A). That is, the clearance portion 14 is inclined with respect to the side surface of a package obtained by cutting the lead frame 10 (an LED package as a final product after cutting). The clearance portion 14 is formed on a pair of sides (upper side and lower side in FIG. 1B) that are not the gate side side (left side of FIG. 1B) and the opposite side (right side of FIG. 1B). It is formed over.

図1(b)に示されるように、金型でリードフレーム10をクランプすると、樹脂は同図の左端側に位置する複数のゲートから矢印A〜Aの方向に流入する。これらの複数のゲートは、例えばLEDパッケージの成形行数と同数設けられて、列方向に並んだ複数のパッケージの中心が通過する線(図1(b)における一点鎖線に相当)上に配置されている。このとき、図1(c)に示されるように、リードフレーム10は上金型50及び下金型60からなる金型でクランプされている。上金型50は、凸部55とキャビティ16とを備えて構成されている。凸部55は、平面視である図1(b)の二点鎖線で示されるようにその側面が傾斜しており、その端面(先端部)でリードフレーム10の表面に当接する。キャビティ16はリードフレーム10の一面側(図1(c)では上面側)に配置され、このリードフレーム10上の空間に樹脂が流入することにより、後述のリフレクタが形成される。 As shown in FIG. 1B, when the lead frame 10 is clamped with a mold, the resin flows in the directions of arrows A 1 to A 3 from a plurality of gates located on the left end side of the figure. The plurality of gates are provided, for example, in the same number as the number of forming rows of the LED package, and are arranged on a line (corresponding to a one-dot chain line in FIG. 1B) through which the centers of the plurality of packages arranged in the column direction pass. ing. At this time, as shown in FIG. 1C, the lead frame 10 is clamped by a mold including an upper mold 50 and a lower mold 60. The upper mold 50 includes a convex portion 55 and a cavity 16. As shown by the two-dot chain line in FIG. 1B in plan view, the side surface of the convex portion 55 is inclined, and the end surface (tip portion) contacts the surface of the lead frame 10. The cavity 16 is disposed on one surface side (the upper surface side in FIG. 1C) of the lead frame 10, and a resin described later is formed by the resin flowing into the space on the lead frame 10.

本実施例のリードフレーム10では、クリアランス部14が角度αだけ傾斜しているため、例えば左上のクリアランス部14に対して、矢印Aの方向に流れる樹脂が矢印Bの方向に(クリアランス部14の内部に)流入しやすくなる。すなわち、矢印Aの方向に流れる樹脂が左上のクリアランス部14の内部に流入することが抑制される。同様に、中央左端のクリアランス部に対しては、矢印Aの方向に流れる樹脂が流入しやすく、矢印Aの方向に流れる樹脂は流入しにくい。矢印Aの方向に流れる樹脂は、左下のクリアランス部に流入しやすいため、左下のクリアランス部の内部に優先的に流入する。なお、他のクリアランス部に関しても同様である。 In the lead frame 10 of this embodiment, since the clearance portion 14 is inclined by an angle alpha, for example, with respect to the upper left of the clearance portion 14, the resin flowing in the direction of the arrow A 1 is the direction of the arrow B 1 (clearance portion 14). That is prevented from resin flowing in the direction of arrow A 2 is introduced into the upper left of the clearance portion 14. Similarly, with respect to the center left of the clearance portion, tends to flow the resin flows in the direction of arrow A 2, the resin flows in the direction of arrow A 3 is hardly flows. Resin flowing in the direction of arrow A 3 is, and is easy to flow into the lower left of the clearance portion, preferentially flow into the lower left clearance sector. The same applies to other clearance portions.

このように、クリアランス部14を角度αだけ傾斜させることにより、ゲートから流れる樹脂をクリアランス部14の内部に一方の方向から優先的に流入させることができる。このため、本実施例の構成によれば、従来のようにクリアランス部を傾斜させない場合と比較して、クリアランス部の内部に樹脂が充填されない領域(樹脂未充填領域)が発生することや、ボイドが発生することを効果的に抑制することができる。   Thus, by inclining the clearance portion 14 by the angle α, the resin flowing from the gate can be preferentially flowed into the clearance portion 14 from one direction. For this reason, according to the configuration of the present embodiment, compared with the conventional case where the clearance portion is not inclined, a region (resin unfilled region) in which the resin is not filled in the clearance portion is generated, and voids are generated. Can be effectively suppressed.

次に、リードフレーム10に対して樹脂を充填して得られたLEDパッケージ用基板の構成について説明する。本実施例において、LEDパッケージ用基板は、リードフレーム上に樹脂を成形し、かつLEDチップをリードフレーム上に実装する前の状態をいう。図2は、本実施例におけるLEDパッケージ用基板の構成図であり、図2(a)はLEDパッケージ用基板の平面図、図2(b)は図2(a)中の線B−Bで切断した場合の断面図をそれぞれ示す。   Next, the configuration of the LED package substrate obtained by filling the lead frame 10 with resin will be described. In this embodiment, the LED package substrate refers to a state before resin is molded on the lead frame and the LED chip is not mounted on the lead frame. FIG. 2 is a configuration diagram of an LED package substrate in this embodiment, FIG. 2 (a) is a plan view of the LED package substrate, and FIG. 2 (b) is a line BB in FIG. 2 (a). Sectional views when cut are shown.

図2(a)、(b)に示されるように、リードフレーム10上の所定の領域(ハーフエッチング12、クリアランス部14、及び、リフレクタ22)には樹脂20が形成されている。本実施例において、樹脂20は、LEDチップを取り囲むようにリードフレーム10の上、及び、クリアランス部14とハーフエッチング12の内部に成形されてパッケージを構成する。   As shown in FIGS. 2A and 2B, a resin 20 is formed in a predetermined region (half etching 12, clearance portion 14, and reflector 22) on the lead frame 10. In this embodiment, the resin 20 is molded on the lead frame 10 and inside the clearance portion 14 and the half-etching 12 so as to surround the LED chip to constitute a package.

樹脂20は、白樹脂であり、例えば酸化チタンやアルミナ等の白色粉末及びシリカなどを含有したシリコーン樹脂やエポキシ樹脂からなる熱硬化性樹脂である。樹脂20は、上金型50及び下金型60(金型)を用いてリードフレーム10の両面からクランプし、トランスファ成形により樹脂を流し込んで硬化させることにより、リードフレーム10のLEDチップ実装面上に一体的に形成される。このように、本実施例のLEDパッケージ用基板は、樹脂20で一括して成形されるマップ構造を有する。ただし本発明はこれに限定されるものではなく、マトリックス構造のLEDパッケージ用基板にも適用可能である。   The resin 20 is a white resin, for example, a thermosetting resin made of a silicone resin or an epoxy resin containing white powder such as titanium oxide or alumina and silica. The resin 20 is clamped from both sides of the lead frame 10 using the upper die 50 and the lower die 60 (die), and is poured into the resin by transfer molding to be cured. Are integrally formed. As described above, the LED package substrate according to the present embodiment has a map structure that is molded together with the resin 20. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to an LED package substrate having a matrix structure.

樹脂20は、LEDチップ(不図示)から発せられた光を上方に反射するリフレクタ22(側壁22a)として機能する(図2(b))。また樹脂20は、LEDパッケージの強度を向上させるという機能も有する。樹脂20は、凸部55によりクランプされることで複数の領域にてLEDチップが実装されることになるリードフレーム10上には形成されない。これらの領域は、LEDチップを実装するためのLEDチップ実装領域30(凹部)となる。LEDチップ実装領域30の内部において、クリアランス部14が領域150の左辺及び右辺の方向に対して角度αだけ傾斜しており、クリアランス部14の内部には樹脂20が充填されている。このように、クリアランス部14の内部において、樹脂20が充填されない領域(樹脂未充填領域)やボイドは発生していない。   The resin 20 functions as a reflector 22 (side wall 22a) that reflects light emitted from an LED chip (not shown) upward (FIG. 2B). The resin 20 also has a function of improving the strength of the LED package. The resin 20 is not formed on the lead frame 10 where the LED chip is mounted in a plurality of regions by being clamped by the convex portion 55. These areas serve as LED chip mounting areas 30 (recesses) for mounting the LED chips. In the LED chip mounting region 30, the clearance portion 14 is inclined by an angle α with respect to the direction of the left side and the right side of the region 150, and the clearance portion 14 is filled with the resin 20. Thus, in the clearance part 14, the area | region (resin non-filling area | region) and the void which are not filled with resin 20 have not generate | occur | produced.

図2(a)に示されるように、リフレクタ22としての樹脂20は、LEDチップ実装領域30を取り囲むように、リードフレーム10の上に環状に成形されている。また図2(b)に示されるように、リフレクタ22としての樹脂20は、リードフレーム10から離れるほど(上側に行くほど)LEDチップ実装領域30の径が大きくなる(側壁22aが傾斜した)すり鉢形状となっている。リフレクタ22としての樹脂20は、このような形状を有することにより、LEDチップから発せられた光を上方に効率よく反射させることができる。   As shown in FIG. 2A, the resin 20 as the reflector 22 is formed in an annular shape on the lead frame 10 so as to surround the LED chip mounting region 30. Further, as shown in FIG. 2B, the resin 20 as the reflector 22 has a mortar in which the diameter of the LED chip mounting region 30 increases (the side wall 22a is inclined) as the distance from the lead frame 10 increases. It has a shape. By having such a shape, the resin 20 as the reflector 22 can efficiently reflect the light emitted from the LED chip upward.

次に、本実施例におけるリードフレームの変形例について説明する。図3は、本実施例におけるリードフレームの変形例であり、図3(a)はクリアランス部の幅を変化させた場合のリードフレームの平面図、図3(b)は図3(a)中の線B−Bで切断した断面図、図3(c)はハーフエッチングの幅を変化させた場合のリードフレームの平面図、図3(d)は図3(c)中の線D−Dで切断した断面図をそれぞれ示す。   Next, a modification of the lead frame in the present embodiment will be described. FIG. 3 shows a modification of the lead frame in this embodiment. FIG. 3 (a) is a plan view of the lead frame when the width of the clearance portion is changed, and FIG. 3 (b) is a view in FIG. 3 (a). FIG. 3C is a plan view of the lead frame when the half-etching width is changed, and FIG. 3D is a line DD in FIG. 3C. Sectional views cut along with are shown respectively.

第一の変形例は、図3(a)、(b)に示されるように、クリアランス部の幅を変化させた場合のリードフレームである。クリアランス部14aは、ベース側リード10cと端子側リード10dとの間に形成されている。クリアランス部14aは、クリアランス部14と同様に角度αだけ傾斜して設けられているが、これに加えて、図3(b)の上側(ゲートに近い側である第1の位置)の幅Wa(第1の幅)のほうが下側(ゲートから遠い側である第2の位置)の幅Wa(第2の幅)よりも広くなるように構成されている。すなわち、ゲートから樹脂が流入する側の幅Waを樹脂が流出する側(樹脂が流入しにくい側)の幅Waよりも広くしている。このため、ゲートからの樹脂がより容易に特定の方向(図3(b)の上側)からクリアランス部14aの内部に流入する。換言すれば、ゲートから遠く狭く形成された端からクリアランス部14aに樹脂が流入することをより困難とすることができる。したがって、クリアランス部14aの内部において、樹脂未充填領域やボイドの発生をより効果的に抑制することができる。 As shown in FIGS. 3A and 3B, the first modification is a lead frame when the width of the clearance portion is changed. The clearance portion 14a is formed between the base side lead 10c and the terminal side lead 10d. The clearance portion 14a is provided with an angle α as in the case of the clearance portion 14, but in addition to this, the width Wa on the upper side (first position closer to the gate) in FIG. 1 (first width) is configured to be wider than width Wa 2 (second width) on the lower side (second position on the side far from the gate). That is, the width Wa 1 on the side where the resin flows in from the gate is made wider than the width Wa 1 on the side where the resin flows out (the side on which the resin hardly flows). For this reason, the resin from the gate more easily flows into the clearance portion 14a from a specific direction (the upper side in FIG. 3B). In other words, it can be made more difficult for the resin to flow into the clearance portion 14a from the end that is formed far and narrow from the gate. Therefore, in the clearance part 14a, generation | occurrence | production of the resin unfilled area | region and a void can be suppressed more effectively.

第二の変形例は、図3(c)、(d)に示されるように、クリアランス部におけるハーフエッチングの幅を変化させた場合のリードフレームである。クリアランス部14bは、ベース側リード10eと端子側リード10fとの間に形成されている。ベース側リード10e及び端子側リード10fのうちクリアランス部14bが設けられている側の端には、ハーフエッチング15が形成されている。   As shown in FIGS. 3C and 3D, the second modification is a lead frame when the half etching width in the clearance portion is changed. The clearance portion 14b is formed between the base side lead 10e and the terminal side lead 10f. Half etching 15 is formed at the end of the base side lead 10e and the terminal side lead 10f on the side where the clearance 14b is provided.

この変形例において、クリアランス部14bは、クリアランス部14と同様に角度αだけ傾斜して設けられている。また、クリアランス部14bの幅は、リードフレームの表面側(LEDチップ実装側)において一定であるが、ハーフエッチング15の幅が変化している。具体的には、ハーフエッチング15のゲートに近い側の第1の幅は、ゲートから遠い側の第2の幅よりも広い。このため、リードフレームの裏面側(LEDチップ実装面とは反対側の面)において、図3(d)の上側(ゲートに近い側)の幅Wbのほうが下側(ゲートから遠い側)の幅Wbよりも広くなるように構成されている。すなわち、ゲートから樹脂が流入する側の幅Wbを樹脂が流出する側(樹脂が流入しにくい側)の幅Wbよりも広くしている。このため、ゲートからの樹脂がより容易に特定の方向(図3(d)の上側)からクリアランス部14bの内部に流入する。したがって、クリアランス部14bの内部において、樹脂未充填領域やボイドの発生をより効果的に抑制することができる。 In this modified example, the clearance portion 14 b is provided to be inclined by an angle α as with the clearance portion 14. In addition, the width of the clearance portion 14b is constant on the surface side (LED chip mounting side) of the lead frame, but the width of the half etching 15 is changed. Specifically, the first width on the side close to the gate of the half etching 15 is wider than the second width on the side far from the gate. For this reason, the width Wb 1 on the upper side (side closer to the gate) in FIG. 3D is on the lower side (side far from the gate) on the back side of the lead frame (the side opposite to the LED chip mounting surface). It is configured to be wider than the width Wb 2. That is, the width Wb 1 on the side where the resin flows in from the gate is made wider than the width Wb 1 on the side where the resin flows out (the side on which the resin hardly flows). For this reason, the resin from the gate more easily flows into the clearance portion 14b from a specific direction (upper side in FIG. 3D). Therefore, in the clearance part 14b, generation | occurrence | production of the resin unfilled area | region and a void can be suppressed more effectively.

また、クリアランス部14bにおいて、ハーフエッチングした裏面の部分のみ傾斜させることもできる。また、ハーフエッチングした裏面側の幅のみ、ゲートから樹脂が流入する側の幅Wbを、樹脂が流出する側(樹脂が流入しにくい側)の幅Wbよりも広くすることもできる。また、図3のように端子側リード10dが配置されるときには、端子側リード10dの裏面におけるハーフエッチングの幅のみを変化させることで、ベース側リード10cにハーフエッチングせずに全面でクランプしながら、一方の方向から優先的に流入させることもできる。これらの場合、LEDチップ実装領域の形状は通常のリードフレームと同じ形状となるため、LEDチップの配置の自由度が高く好ましい。 Moreover, in the clearance part 14b, only the part of the back surface half-etched can also be inclined. Further, only the width of the half-etched back surface side can be set such that the width Wb 1 on the side where the resin flows in from the gate is wider than the width Wb 1 on the side where the resin flows out (the side on which the resin hardly flows). Further, when the terminal-side lead 10d is arranged as shown in FIG. 3, only the half-etching width on the back surface of the terminal-side lead 10d is changed, and the base-side lead 10c is clamped on the entire surface without being half-etched. It is also possible to preferentially flow in from one direction. In these cases, since the shape of the LED chip mounting region is the same as that of a normal lead frame, the degree of freedom of arrangement of the LED chips is high and preferable.

図4は、本実施例におけるリードフレームの更に別の変形例(第三の変形例)であり、図4(a)はそのリードフレームの断面図、図4(b)はその平面図をそれぞれ示す。図4(a)は、図4(b)の線A−Aで切断した断面図である。第三の変形例は、クリアランス部を角度αだけ傾斜して形成している点は上述の実施例の構成と同様であるが、最終製品としてのLEDパッケージに切断するときの切断部位に形成されたハーフエッチング12aの位置を同図の下側寄り(優先的に樹脂を流入させる側のクリアランス部の端部側)に変位させている点で、上述の実施例とは異なる。すなわち、図3(b)に示されるように、上側の端子側リード10bの下端からハーフエッチング12aに至るまでの距離Lは、下側の端子側リード10bの上端からハーフエッチング12aに至るまでの距離Lよりも大きい。このように、隣り合う端子側リード10bの間にはハーフエッチング12aが形成されており、このハーフエッチング12aは、隣り合う端子側リード10bの一方に近接して形成されている。 FIG. 4 shows still another modified example (third modified example) of the lead frame in this embodiment. FIG. 4A is a sectional view of the lead frame, and FIG. 4B is a plan view thereof. Show. FIG. 4A is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. The third modification is the same as the configuration of the above-described embodiment in that the clearance portion is inclined at an angle α, but it is formed at the cutting site when cutting into the LED package as the final product. The half etching 12a is different from the above-described embodiment in that the position of the half-etching 12a is displaced toward the lower side of the figure (the end of the clearance portion on the side where the resin is preferentially introduced). That is, as shown in FIG. 3 (b), the distance L 1 from the lower end of the upper terminal-side lead 10b up to the half etching 12a from the upper end of the lower terminal side lead 10b up to the half etching 12a greater than the distance L 2. Thus, the half etching 12a is formed between the adjacent terminal side leads 10b, and this half etching 12a is formed close to one of the adjacent terminal side leads 10b.

このため、ゲートからの樹脂がより容易に特定の方向(図4(b)中の矢印Dの方向)からクリアランス部14の内部に流入する。したがって、このような構成を採用することによっても、クリアランス部14の内部において、樹脂未充填領域やボイドの発生を効果的に抑制することができる。このような構成は、キャビティ16を有しない金型を用いてLEDパッケージ用基板を形成することでリフレクタを形成せずにリード間を埋めるように成形を行う場合に、特に有効である。   For this reason, the resin from the gate more easily flows into the clearance portion 14 from a specific direction (the direction of arrow D in FIG. 4B). Therefore, even by adopting such a configuration, it is possible to effectively suppress the resin unfilled region and the generation of voids in the clearance portion 14. Such a configuration is particularly effective when forming an LED package substrate using a mold having no cavity 16 so as to fill the space between the leads without forming a reflector.

次に、本発明の実施例2におけるLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板について説明する。図5は、本実施例におけるリードフレームの構成図であり、図5(a)はリードフレームの平面図、図5(b)は金型でリードフレームをクランプした状態を示す平面図をそれぞれ示す。   Next, an LED package and an LED package substrate in Example 2 of the present invention will be described. FIG. 5 is a configuration diagram of the lead frame in the present embodiment, FIG. 5A is a plan view of the lead frame, and FIG. 5B is a plan view showing a state in which the lead frame is clamped with a mold. .

図5(a)、(b)に示されるように、本実施例のリードフレーム100は、ベース側リード100a及び端子側リード100bを備えて構成されている。ベース側リード100aと端子側リード100bとの間には、幅広のクリアランス部140a及び幅狭のクリアランス部140bが設けられている。また、複数のLEDパッケージに個片化する際におけるリードフレーム100の切断部位には、ハーフエッチング120が形成されている。   As shown in FIGS. 5A and 5B, the lead frame 100 according to the present embodiment includes a base-side lead 100a and a terminal-side lead 100b. A wide clearance portion 140a and a narrow clearance portion 140b are provided between the base side lead 100a and the terminal side lead 100b. In addition, a half-etching 120 is formed at a cutting portion of the lead frame 100 when the LED packages are separated into individual pieces.

図5(b)に示されるように、金型でリードフレーム10をクランプすると、樹脂は左端に位置する複数のゲートから矢印Aの方向に流入する。幅広のクリアランス部140aは幅Wc(第1の幅)を有し、幅狭のクリアランス部140bは幅Wc(第2の幅)を有する。クリアランス部140aの幅Wcは、クリアランス部140bの幅Wcよりも広くなるように構成されている。このように本実施例のLEDパッケージ用基板では、樹脂成形用のゲート側(図5(b)中の左側)におけるクリアランス部140aの幅Wcは、ゲートと反対側(同右側)におけるクリアランス部140aの幅Wcよりも広い。このため、このLEDパッケージ用基板を切断して個片化されたLEDパッケージにおいて、パッケージの第1の側面側(同左側)におけるクリアランス部の幅は、第1の側面に対向する第2の側面側(同右側)におけるクリアランス部の幅よりも広い。 As shown in FIG. 5B, when the lead frame 10 is clamped with a mold, the resin flows in the direction of arrow A from a plurality of gates located at the left end. The wide clearance portion 140a has a width Wc 1 (first width), and the narrow clearance portion 140b has a width Wc 2 (second width). Width Wc 1 clearance portion 140a is configured to be wider than the width Wc 2 clearance portion 140b. In the LED package substrate of the present embodiment thus, the gate side of the resin molded width Wc 1 clearance portion 140a of the (left side in FIG. 5 (b)), the clearance portion in the gate and the opposite side (the right side) 140a wider than the width Wc 2 of. For this reason, in the LED package separated by cutting the LED package substrate, the width of the clearance portion on the first side surface (left side) of the package is the second side surface facing the first side surface. It is wider than the width of the clearance part on the side (right side).

このため、ゲートから矢印Aの方向に流れる樹脂の一部は矢印Bの方向に進み、中央のクリアランス部140aの内部に流入する。このとき、中央左端のクリアランス部140bの幅Wcは、クリアランス部140aの幅Wcよりも狭いため、矢印Aの方向に流れる樹脂は、矢印Cの方向には流れにくく、中央左端のクリアランス部140bの内部に流入することが抑制される。したがって、隣り合うLEDチップ実装領域におけるクリアランス部の幅を変えることにより、クリアランス部14の内部における樹脂未充填領域やボイドの発生を効果的に抑制することができる。なお、個片化されたLEDパッケージにおいても、クリアランス部に対するゲートの配置(樹脂の流れ方向)は、パッケージの内部組織を観察するなどにより判別可能である。 For this reason, a part of the resin flowing from the gate in the direction of arrow A proceeds in the direction of arrow B and flows into the center clearance portion 140a. The width Wc 2 of the center left of the clearance portion 140b is narrower than the width Wc 1 clearance portion 140a, the resin flowing in the direction of arrow A, hardly flows in the direction of the arrow C, the center left of the clearance portion Inflow into the inside of 140b is suppressed. Therefore, by changing the width of the clearance portion in the adjacent LED chip mounting region, it is possible to effectively suppress the occurrence of a resin unfilled region or void in the clearance portion 14. Even in an individualized LED package, the gate arrangement (resin flow direction) with respect to the clearance portion can be determined by observing the internal structure of the package.

次に、リードフレーム100に対して樹脂を充填して得られたLEDパッケージ用基板の構成について説明する。図6は、本実施例におけるLEDパッケージ用基板の構成図(平面図)である。図6に示されるように、リードフレーム100上の所定の領域(ハーフエッチング120、クリアランス部140a、140b、及び、リフレクタ220)には樹脂20が形成されている。本実施例のLEDパッケージ用基板は樹脂20で一括して成形されるマップ構造を有するが、マトリックス構造のLEDパッケージ用基板にも適用可能である。   Next, the configuration of the LED package substrate obtained by filling the lead frame 100 with resin will be described. FIG. 6 is a configuration diagram (plan view) of the LED package substrate in the present embodiment. As shown in FIG. 6, resin 20 is formed in predetermined regions (half etching 120, clearance portions 140 a and 140 b, and reflector 220) on lead frame 100. Although the LED package substrate of the present embodiment has a map structure that is molded together with the resin 20, it is also applicable to a matrix structure LED package substrate.

樹脂20は、実施例1と同様に、LEDチップ(不図示)から発せられた光を反射するリフレクタ220(側壁220a)として機能する。また樹脂20は、LEDチップが実装されることになるリードフレーム100上の複数の領域には形成されず、これらの領域はLEDチップ実装領域300となる。LEDチップ実装領域309の内部において、クリアランス部140aの幅Wcがクリアランス部140bの幅Wcよりも広く、クリアランス部140a、140bの内部には樹脂20が充填される。上述のように、所定方向からのみ樹脂20を流入させて成形できるため、クリアランス部140a、140bの内部において、樹脂未充填領域やボイドは発生しない。 The resin 20 functions as a reflector 220 (side wall 220a) that reflects light emitted from an LED chip (not shown), as in the first embodiment. Further, the resin 20 is not formed in a plurality of regions on the lead frame 100 where the LED chip is to be mounted, and these regions become the LED chip mounting region 300. Inside the LED chip mounting area 309, the width Wc 1 clearance portion 140a is wider than the width Wc 2 clearance portion 140b, the clearance portion 140a, the inside of 140b resin 20 is filled. As described above, since the resin 20 can be flowed only from a predetermined direction, the resin unfilled region and voids are not generated in the clearance portions 140a and 140b.

実施例1と同様に、リフレクタ220としての樹脂20は、LEDチップ実装領域300を取り囲むように、リードフレーム100の上に環状に成形されている。また、リフレクタ220としての樹脂20は、リードフレーム100から離れるほど(上側に行くほど)LEDチップ実装領域300の径が大きくなる(側壁220aが傾斜した)すり鉢形状となっている。   Similar to the first embodiment, the resin 20 as the reflector 220 is formed in an annular shape on the lead frame 100 so as to surround the LED chip mounting region 300. Further, the resin 20 as the reflector 220 has a mortar shape in which the diameter of the LED chip mounting region 300 becomes larger (as the side wall 220a is inclined) as the distance from the lead frame 100 increases.

次に、本実施例におけるリードフレームの変形例について説明する。図7は、本実施例におけるリードフレームの変形例である。リードフレーム110は、上述の構成と同様に、幅Wcを有するクリアランス部140a及び幅Wcを有するクリアランス部140bを備え、またハーフエッチング120を備えて構成される。リードフレーム110の隣り合うベース側リード100aの間、及び、隣り合う端子側リード100bの間にそれぞれ配置された切断部位には、ハーフエッチング120の代わりに、樹脂の流れる方向に角度βだけ傾斜したハーフエッチング120aが形成されている。すなわち、リードフレーム110には、パッケージの側面に対してハーフエッチング120aが傾斜して形成されている。 Next, a modification of the lead frame in the present embodiment will be described. FIG. 7 shows a modification of the lead frame in the present embodiment. Lead frame 110 is similar to the configuration described above, includes a clearance portion 140b having a clearance portion 140a and the width Wc 2 has a width Wc 1, also configured with a half etching 120. Instead of the half-etching 120, the cutting portion disposed between the adjacent base-side leads 100a of the lead frame 110 and between the adjacent terminal-side leads 100b is inclined by an angle β in the resin flow direction instead of the half etching 120. Half etching 120a is formed. That is, in the lead frame 110, the half etching 120a is inclined with respect to the side surface of the package.

このように傾斜したハーフエッチング120aを形成することにより、樹脂を矢印B、Bの方向からクリアランス部140aの内部により容易に流入させやすくなる。したがって、クリアランス部140a、140bの内部において、樹脂未充填領域やボイドの発生をより効果的に抑制することができる。このような構成は、キャビティ16を有しない金型を用いてLEDパッケージ用基板を形成することでリフレクタを形成せずにリード間を埋めるように成形を行う場合に、特に有効である。 By forming the half etching 120a inclined in this way, the resin can easily flow into the clearance portion 140a from the directions of the arrows B 1 and B 2 . Therefore, it is possible to more effectively suppress the resin unfilled region and the generation of voids in the clearance portions 140a and 140b. Such a configuration is particularly effective when forming an LED package substrate using a mold having no cavity 16 so as to fill the space between the leads without forming a reflector.

上記各実施例によれば、リードフレームのクリアランス部(ダイパッド間)における樹脂未充填領域やボイドの発生などの成形不良を抑制し、樹脂成形性を向上させたLEDパッケージ及びLEDパッケージ用基板を提供することができる。   According to each of the above embodiments, an LED package and an LED package substrate with improved resin moldability are provided by suppressing molding defects such as resin unfilled areas and voids in the clearance portion (between die pads) of the lead frame. can do.

以上、本発明の実施例について具体的に説明した。ただし、本発明は上記実施例として記載された事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。   The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the matters described as the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

10、100、110 リードフレーム
10a、10c、10e、100a ベース側リード
10b、10d、10f、100b 端子側リード
12、15、120、120a ハーフエッチング
14、14a、14b、140a、140b クリアランス部
16 キャビティ
20 樹脂
30、300 LEDチップ実装領域
22、220 リフレクタ
50 上金型
55 凸部
60 下金型
10, 100, 110 Lead frame 10a, 10c, 10e, 100a Base side lead 10b, 10d, 10f, 100b Terminal side lead 12, 15, 120, 120a Half etching 14, 14a, 14b, 140a, 140b Clearance section 16 Cavity 20 Resin 30, 300 LED chip mounting area 22, 220 Reflector 50 Upper mold 55 Projection 60 Lower mold

Claims (11)

複数のLEDチップを実装したリードフレームを切断することにより形成され、少なくとも一つのLEDチップを有するLEDパッケージであって、
前記リードフレームを構成する第1のリード部及び第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、
前記LEDチップを取り囲むように前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂と、を有し、
前記クリアランス部は、前記パッケージの側面に対して傾斜していることを特徴とするLEDパッケージ。
An LED package formed by cutting a lead frame on which a plurality of LED chips are mounted and having at least one LED chip,
A clearance portion provided between a first lead portion and a second lead portion constituting the lead frame;
A resin which is molded on the lead frame so as to surround the LED chip and inside the clearance part to constitute a package;
The LED package, wherein the clearance portion is inclined with respect to a side surface of the package.
前記クリアランス部の第1の位置における第1の幅は、第2の位置における第2の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。   2. The LED package according to claim 1, wherein the first width of the clearance portion at the first position is wider than the second width at the second position. 前記第1のリード部及び前記第2のリード部のうち前記クリアランス部が設けられている側の端には、ハーフエッチングが形成されており、
前記ハーフエッチングの第1の位置における第1の幅は、第2の位置における第2の幅よりも広いことを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
Half etching is formed at the end of the first lead portion and the second lead portion on the side where the clearance portion is provided,
2. The LED package according to claim 1, wherein a first width at the first position of the half etching is wider than a second width at the second position.
前記リードフレームには、前記パッケージの側面に対してハーフエッチングが傾斜して形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のLEDパッケージ。   3. The LED package according to claim 1, wherein the lead frame is formed with half etching inclined with respect to a side surface of the package. 複数のLEDチップを実装したリードフレームを切断することにより形成され、少なくとも一つのLEDチップを有するLEDパッケージであって、
前記リードフレームを構成する第1のリード部及び第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、
前記LEDチップを取り囲むように前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂と、を有し、
前記パッケージの第1の側面側における前記クリアランス部の第1の幅は、該第1の側面に対向する第2の側面側における該クリアランス部の第2の幅よりも広いことを特徴とするLEDパッケージ。
An LED package formed by cutting a lead frame on which a plurality of LED chips are mounted and having at least one LED chip,
A clearance portion provided between a first lead portion and a second lead portion constituting the lead frame;
A resin which is molded on the lead frame so as to surround the LED chip and inside the clearance part to constitute a package;
The first width of the clearance portion on the first side surface side of the package is wider than the second width of the clearance portion on the second side surface facing the first side surface. package.
第1のリード部及び第2のリード部を有するリードフレームと、
前記第1のリード部及び前記第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、
前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂と、を有し、
前記クリアランス部は、前記リードフレームを切断して得られる前記パッケージの側面に対して傾斜していることを特徴とするLEDパッケージ用基板。
A lead frame having a first lead portion and a second lead portion;
A clearance portion provided between the first lead portion and the second lead portion;
A resin that is molded on the lead frame and inside the clearance portion to form a package;
The LED package substrate, wherein the clearance portion is inclined with respect to a side surface of the package obtained by cutting the lead frame.
前記クリアランス部の第1の位置における第1の幅は、第2の位置における第2の幅よりも広いことを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ用基板。   The LED package substrate according to claim 6, wherein the first width of the clearance portion at the first position is wider than the second width at the second position. 前記第1のリード部及び前記第2のリード部のうち前記クリアランス部が設けられている側の端には、ハーフエッチングが形成されており、
前記ハーフエッチングの第1の位置における第1の幅は、第2の位置における第2の幅よりも広いことを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージ用基板。
Half etching is formed at the end of the first lead portion and the second lead portion on the side where the clearance portion is provided,
The LED package substrate according to claim 6, wherein the first width at the first position of the half etching is wider than the second width at the second position.
隣り合う前記第2のリード部の間にはハーフエッチングが形成されており、
前記ハーフエッチングは、隣り合う前記第2のリード部の一方に近接して形成されていることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載のLEDパッケージ用基板。
Half etching is formed between the adjacent second lead portions,
9. The LED package substrate according to claim 6, wherein the half etching is formed adjacent to one of the adjacent second lead portions. 10.
前記リードフレームには、前記パッケージの側面に対してハーフエッチングが傾斜して形成されていることを特徴とする請求項6又は7に記載のLEDパッケージ用基板。   8. The LED package substrate according to claim 6, wherein the lead frame is formed so that half etching is inclined with respect to a side surface of the package. 9. 第1のリード部及び第2のリード部を有するリードフレームと、
前記第1のリード部及び前記第2のリード部の間に設けられたクリアランス部と、
前記リードフレームの上、及び、前記クリアランス部の内部に成形されてパッケージを構成する樹脂と、を有し、
樹脂成形用のゲート側における前記クリアランス部の第1の幅は、該ゲートと反対側における該クリアランス部の第2の幅よりも広いことを特徴とするLEDパッケージ用基板。
A lead frame having a first lead portion and a second lead portion;
A clearance portion provided between the first lead portion and the second lead portion;
A resin that is molded on the lead frame and inside the clearance portion to form a package;
A substrate for an LED package, wherein a first width of the clearance portion on the resin molding gate side is wider than a second width of the clearance portion on the opposite side to the gate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015138797A (en) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社カネカ Lead frame for mounting light-emitting element, resin molded body for mounting light-emitting element, surface mount type light-emitting device, and method for manufacturing surface mount type light-emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210909A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Side view led package having lead frame structure adapted to improve resin flow
JP2010135718A (en) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Leadframe for led light emitting element, method of manufacturing the leadframe, and led light emitting element using the leadframe
JP2010182770A (en) * 2009-02-04 2010-08-19 Apic Yamada Corp Led package, method of manufacturing the same and mold

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210909A (en) * 2005-01-28 2006-08-10 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Side view led package having lead frame structure adapted to improve resin flow
JP2010135718A (en) * 2008-11-07 2010-06-17 Toppan Printing Co Ltd Leadframe for led light emitting element, method of manufacturing the leadframe, and led light emitting element using the leadframe
JP2010182770A (en) * 2009-02-04 2010-08-19 Apic Yamada Corp Led package, method of manufacturing the same and mold

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015138797A (en) * 2014-01-20 2015-07-30 株式会社カネカ Lead frame for mounting light-emitting element, resin molded body for mounting light-emitting element, surface mount type light-emitting device, and method for manufacturing surface mount type light-emitting device

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